KR100874782B1 - 마이크로파 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

마이크로파 플라즈마 처리 장치 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

프로세스 조건 등의 변화에 대응하여 플라즈마의 균일성과 안정성을 쉽게 확보할 수 있는 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것. 마이크로파에 의해서 상기 챔버내에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여, 그 플라즈마에 의해 피처리체에 플라즈마 처리를 실시하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 마이크로파 투과판(28)의 외주를 덮는 도전체로 이루어지는 플레이트(27)에, 마이크로파 투과판(28)의 단부로부터 구멍(42)의 내부를 향해서 마이크로파가 전파되는 2 이상의 구멍(42)을 형성하여, 부피 조절 기구(43, 45)에 의해 구멍의 부피를 조절 설치하여 마이크로파 투과판(28)을 구멍(42)의 각각 속하는 유닛마다 분할한 경우에 있어서의 각 유닛의 임피던스를 조절하여, 마이크로파 투과판(28)의 전기장 분포를 제어한다.

Description

마이크로파 플라즈마 처리 장치{MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 피처리체에 마이크로파 플라즈마에 의한 처리를 실시하는 마이크로파 플라즈마 장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리는, 반도체 디바이스의 제조에 불가결한 기술이지만, 최근, LSI의 고집적화, 고속화의 요청으로부터 LSI를 구성하는 반도체 소자의 디자인룰이 점점 미세화되고, 또한, 반도체 웨이퍼가 대형화되고 있어, 그에 따라, 플라즈마 처리 장치에 있어서도 이러한 미세화 및 대형화에 대응하는 것이 요구되고 있다.
그런데, 종래부터 다용되어온 평행 평판형이나 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치에서는, 전자 온도가 높기 때문에 미세 소자에 플라즈마 대미지가 발생해 버리고, 또한, 플라즈마 밀도가 높은 영역이 한정되기 때문에, 대형 반도체 웨이퍼를 균일하게 또한 고속으로 플라즈마 처리하는 것은 곤란하다.
그래서, 고밀도로 저전자 온도의 플라즈마를 균일히 형성할 수 있는 RLSA(Radial Line Slot Antenna) 마이크로파 플라즈마 처리 장치가 주목받고 있다(예컨대 특허문헌1).
RLSA 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 챔버의 상부에 소정의 패턴으로 다수의 슬롯이 형성된 평면 안테나(Radial Line Slot Antenna)를 마련하여, 마이크로파 발생원으로부터 유도된 마이크로파를, 평면 안테나의 슬롯에 통과시킴과 동시에, 그 밑에 마련된 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판을 거쳐서 진공으로 유지된 챔버내에 방사하여, 이 마이크로파 전기장에 의해 챔버내에 도입된 가스를 플라즈마화하여, 이와 같이 형성된 플라즈마에 의해 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 처리하는 것이다.
이 RLSA 마이크로파 플라즈마 처리 장치에서는, 안테나 바로 아래의 넓은 영역에 걸쳐 높은 플라즈마 밀도를 실현할 수 있어, 단 시간에 균일한 플라즈마 처리를 실행하는 것이 가능하다. 또한, 저전자 온도 플라즈마가 형성되기 때문에, 소자에의 대미지가 작다.
이 RLSA 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 동일한 평면 안테나를 이용하여도 프로세스 조건이 변하면 플라즈마 분포 및 플라즈마의 안정성도 변화한다. 그 때문에, 프로세스 조건이 변하면, 그 때마다 플라즈마의 균일성과 안정성을 얻기 위해서, 평면 안테나의 슬롯들의 패턴 및 마이크로파 투과판의 최적화를 실행할 필요가 있어, 극히 번잡했다.
특허문헌1 : 일본 특허 공개 2000-294550호 공보
본 발명은 이러한 사정에 비추어 이루어진 것으로서, 프로세스 조건 등의 변화에 대응하여 플라즈마의 균일성과 안정성을 쉽게 확보할 수 있는 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점에서는, 피처리체가 수용되는 챔버와, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과, 마이크로파 발생원에서 발생된 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 유도하는 도파 수단과, 상기 도파 수단으로 유도된 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와, 상기 챔버의 천벽을 구성하고, 상기 평면 안테나의 마이크로파 방사 구멍을 통과한 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과, 상기 마이크로파 투과판의 외주를 덮는 도전체로 이루어지는 플레이트와, 상기 마이크로파 투과판의 단부로부터 상기 플레이트의 내부를 향해서 마련된, 상기 마이크로파 투과판로부터 마이크로파가 전파되는 2 이상의 구멍과, 이들 구멍의 부피를 조절하는 부피 조절 기구와, 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단을 가지고, 마이크로파에 의해서 상기 챔버내에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여, 그 플라즈마에 의해 피처리체에 플라즈마 처리를 실시하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 부피 조절 기구에 의해 상기 각 구멍의 부피를 조절하는 것에 의해, 상기 마이크로파 투과판을 상기 2 이상의 구멍의 각각이 속하는 유닛마다 분할한 경우에 있어서의 각 유닛의 임피던스를 조절하고, 상기 마이크로파 투과판의 전기장 분포를 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 제 2 관점에서는, 피처리체가 수용되는 챔버와, 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과, 마이크로파 발생원에서 발생된 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 유도하는 도파 수단과, 상기 도파 수단에 유도된 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와, 상기 챔버의 천벽을 구성하고, 상기 평면 안테나의 마이크로파 방사 구멍을 통과한 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과, 상기 마이크로파 투과판의 외주를 덮는 도전체로 이루어지는 플레이트와, 상기 마이크로파 투과판의 단부로부터 상기 플레이트의 내부를 향해서 마련된, 상기 마이크로파 투과판으로부터 마이크로파가 전파되는 2 이상의 구멍과, 이들 구멍의 부피를 조절하는 부피 조절 기구와, 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단을 가지고, 마이크로파에 의해서 상기 챔버내에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여, 그 플라즈마에 의해 피처리체에 플라즈마 처리를 실시하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치로에 있어서, 상기 부피 조절 기구에 의해 상기 각 구멍의 부피를 조절하는 것에 의해, 상기 마이크로파 투과판을 상기 2 이상의 구멍의 각각이 속하는 유닛마다 분할한 경우에 있어서의 각 유닛의 임피던스를 조절하여, 각 유닛이 공진 조건을 충족시키도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
상기 제 2 관점에서, 상기 마이크로파 투과판의 전체가 공진 조건을 충족시키도록 하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 및 제 2 관점에서, 상기 부피 조절 기구는, 상기 구멍내에 밀착하여 마련되어, 상기 구멍 내를 이동 가능한 부피 조절판과, 상기 부피 조절판을 이동시키는 액츄에이터를 갖는 것을 이용할 수 있다. 또한, 프로세스 조건에 따라서, 각 부피 조절 기구를 제어하여 각 유닛의 임피던스를 제어하는 컨트롤러를 또한 갖더라도 좋다.
상기 도파 수단으로서는, 상기 마이크로파 발생원에서 발생한 마이크로파를 TE 모드로 전파하는 직사각형 도파관과, TE 모드를 TEM 모드로 변환하는 모드 변환기와, TEM 모드로 변환된 마이크로파를 상기 평면 안테나를 향해서 전파하는 동축 도파관을 갖는 것을 채용할 수 있다.
또한, 상기 평면 안테나에 형성된 복수 마이크로파 투과 구멍으로서는, 긴 홈 형상을 하고, 인접하는 마이크로파 방사 구멍끼리가 교차하도록 배치되어, 이들 복수의 마이크로파 투과 구멍이 동심원 형상으로 배치되는 것을 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 상기 평면 안테나를 덮도록 마련된 덮개체를 또한 구비할 수 있어, 그 경우에는, 상기 덮개에는 냉매 유로가 마련되어 있고, 이 냉매 유로에 냉매를 통류시키는 것에 의해, 상기 평면 안테나 , 상기 마이크로파 투과판을 냉각하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 마이크로파 투과판의 단부로부터 상기 플레이트의 내부를 향해서, 평면 안테나로부터 상기 마이크로파 투과판에 도달한 마이크로파가 전파되는 2 이상의 구멍을 마련하고, 또한, 이들 구멍의 부피를 조절하는 부피 조절 기구를 마련하여, 부피 조절 기구에 의해 상기 각 구멍의 부피를 조절하는 것에 의해, 상기 마이크로파 투과판을 상기 2 이상의 구멍의 각각이 속하는 유닛마다 분할한 경우에 있어서의 각 유닛의 임피던스를 조절하여, 마이크로파 투과판의 전기장 분포를 제어하기 때문에, 프로세스 조건 등이 변화한 경우에, 평면 안테나의 마이크로파 방사 구멍의 패턴 및 마이크로파 투과판의 최적화를 실행하는 일없이 간단한 조작으로 마이크로파 투과판의 전기장 분포를 제어했을 때의 균일성 및 안정성이 높은 플라즈마를 얻는 것이 가능해진다.
구체적으로는, 마이크로파 투과판을 상기 2 이상의 구멍의 각각이 속하는 유닛마다 분할한 경우에 있어서의 각 유닛의 임피던스를 조절하고, 각 유닛이 공진 조건을 충족시키도록 하는 것에 의해, 마이크로파 투과판의 전기장 분포를 균일하게 할 수 있어, 균일성 및 안정성이 높은 플라즈마 처리가 실현된다.
도 1은 본 발명의 1실시형태에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 1실시형태에 따른 마이크로파 플라즈마 장치에 이용되는 평면 안테나의 구조를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 1실시형태에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치의 주요부를 설명하기 위한 도면.
도 4a 및 도 4b는 상부 플레이트에 형성된 구멍의 형상을 도시하는 모식도.
도 5는 본 발명의 마이크로파 투과판의 전기장 분포 제어를 설명하기 위한 모델도.
도 6은 마이크로파 투과판의 유닛이 2개인 경우의 등가 공진 회로를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 장치와 종래의 장치로 플라즈마의 전자 밀도 분포의 균일성을 비교하여 나타내는 그래프.
도 8은 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 마이크로파 투과판 표면에서의 마이크로파 전기장 강도를 시뮬레이션한 결과를 도시한 도면.
도 9는 종래의 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 마이크로파 투과판 표면에서의 마이크로파 전기장 강도를 시뮬레이션한 결과를 도시한 도면.
도 10은 상부 플레이트에 형성하는 구멍의 다른 예를 나타내는 도면.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시의 형태에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 1은, 본 발명의 1실시형태에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 소정의 패턴으로 다수의 슬롯이 형성된 평면 안테나(Radial Line Slot Antenna)를 이용하여 마이크로파 발생원으로부터 유도된 마이크로파를 챔버내에 방사하여, 플라즈마를 형성하는 RLSA 마이크로파 플라즈마 처리 장치로서 구성되어 있다.
이 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 기밀히 구성되고 또한 접지된 대 략 원통 형상의 챔버(1)를 가지고 있다. 챔버(1)의 저벽(1a)의 대략 중앙부에는 원형의 개구부(10)가 형성되어 있고, 저벽(1a)에는 이 개구부(10)와 연통하여, 하방을 향해서 돌출하는 배기실(11)이 마련되어 있다. 챔버(1)내에는 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하기 위한 AlN 등의 세라믹으로 이루어지는 서셉터(2)가 마련되어 있다. 이 서셉터(2)는, 배기실(11)의 바닥부 중앙으로부터 상방으로 연장하는 원통 형상의 AlN 등의 세라믹으로 이루어지는 지지 부재(3)에 의해 지지되어 있다. 서셉터(2)의 외연부에는 웨이퍼(W)를 가이드하기 위한 가이드링(4)이 마련되어 있다. 또한, 서셉터(2)에는 저항 가열형의 히터(5)가 매립되어 있고, 이 히터(5)는 히터 전원(6)으로부터 급전되는 것에 의해 서셉터(2)를 가열하여, 그 열로 피처리체인 웨이퍼(W)를 가열한다. 챔버(1)의 내주에는, 석영으로 이루어지는 원통 형상의 라이너(7)가 마련되어 있다.
서셉터(2)에는, 웨이퍼(W)를 지지하여 승강시키기 위한 웨이퍼 지지핀(도시하지 않음)이 서셉터(2)의 표면에 대하여 돌출 및 함몰이 가능하게 마련되어 있다.
챔버(1)의 측벽에는 링 형상을 하는 가스 도입 부재(15)가 마련되고 있고, 이 가스 도입 부재(15)에는 처리 가스 공급계(16)가 접속되어 있다. 가스 도입 부재는 샤워 형상으로 배치해도 좋다. 이 처리 가스 공급계(16)로부터 소정의 처리 가스가 가스 도입 부재(15)를 거쳐서 챔버(1)내에 도입된다. 처리 가스로서는, 플라즈마 처리의 종류에 따라 적절한 것이 이용된다. 플라즈마 처리로서는, 예컨대 에칭 처리나 산화 처리 등을 들 수 있다.
상기 배기실(11)의 측면에는 배기관(23)이 접속되어 있고, 이 배기관(23)에 는 고속진공 펌프를 포함하는 배기 장치(24)가 접속되어 있다. 그리고 이 배기 장치(24)를 작동시키는 것에 의해 챔버(1)내의 가스가, 배기실(11)의 공간(11a)내로 균일히 배출되어, 배기관(23)을 거쳐서 배기된다. 이에 의해 챔버(1)내는 소정의 진공도, 예컨대 0.133Pa까지 고속으로 감압하는 것이 가능해지고 있다.
챔버(1)의 측벽에는, 플라즈마 처리 장치(100)에 인접하는 반송실(도시하지 않음)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입을 실행하기 위한 반출입구(25)와, 이 반출입구(25)를 개폐하는 게이트 밸브(26)가 마련되어 있다.
챔버(1)의 상부는 개구부로 되어 있고, 이 개구부의 주연부를 따라, 링 형상을 하는 상부 플레이트(27)가 도시하지 않는 시일 부재를 거쳐서 기밀하게 마련되어 있고, 이 상부 플레이트(27)의 내측에 유전체, 예컨대 석영이나 Al2O3 등의 세라믹으로 이루어져, 마이크로파를 투과하는 마이크로파 투과판(28)이 마련되어 있다. 상부 플레이트(27)는 금속 등의 도전체, 예컨대 알루미늄으로 구성되어 있고, 접지되어 있다. 또한, 상부 플레이트(27)는, 단면이 L자 형상으로 되어 있고, 마이크로파 투과판(28)을 지지함과 동시에 그 외주를 덮도록 되어 있다. 마이크로파 투과판(28)은 상부 플레이트(27)에 대하여 도시하지 않는 시일 부재를 거쳐서 기밀히 마련되어 있다. 따라서, 챔버(1)내는 기밀히 유지된다.
마이크로파 투과판(28)의 상방에는, 서셉터(2)와 대향하도록, 원판 형상의 평면 안테나(31)가 마련되어 있다. 이 평면 안테나(31)는 상부 플레이트(27)의 상단에 걸려 있다. 평면 안테나(31)는, 도체, 예컨대 표면이 금도금된 동판 또는 알 루미늄판으로 이루어져, 다수의 마이크로파 방사 구멍(슬롯)(32)이 소정의 패턴으로 관통하여 형성된 구성으로 되어있다. 즉, 평면 안테나(31)는 RLSA 안테나를 구성하고 있다. 이 마이크로파 방사 구멍(32)은, 예컨대 도 2에 도시하는 바와 같이 긴 홈 형상을 하여, 인접하는 마이크로파 방사 구멍(32)끼리가 교차하도록, 전형적으로는 도시하는 바와 같이 직교하도록(「T」글자 형상으로) 배치되고, 이들 복수의 마이크로파 투과 구멍(32)이 동심원 형상으로 배치되어 있다. 마이크로파 투과 구멍(32)의 길이나 배열 간격은, 마이크로파 마이크로파의 파장 등에 따라 결정된다. 또한, 도 2에 있어서, 동심원 형상으로 형성된 인접하는 마이크로파 투과 구멍(32)끼리의 간격을 Δr로 나타내고 있다. 또한, 마이크로파 방사 구멍(32)은, 원형 형상, 원호 형상 등의 다른 형상이더라도 좋다. 또한, 마이크로파 방사 구멍(32)의 배치 형태는 특히 한정되지 않고 동심원 형상 외, 예컨대, 나선 형상, 방사 형상으로 배치할 수도 있다.
이 평면 안테나 부재(31)의 상면에는, 진공보다도 큰 유전율을 가지는 유전체로 이루어지는 서파재(33)가 마련되어 있다. 이 서파재(33)는, 마이크로파의 파장을 진공중에 있어서의 파장보다도 짧게 하여 플라즈마를 조정하는 기능을 가지고 있다.
평면 안테나(31)와 마이크로파 투과판(28)과의 사이가 밀착한 상태로 되어있고, 또한, 서파판(33)과 평면 안테나(31)의 사이도 밀착되어 있다. 또한, 서파판(33), 평면 안테나(31), 마이크로파 투과판(28), 및 플라즈마로 형성되는 등가 회로가 공진 조건을 충족시키도록 마이크로파 투과판(28), 서파재(33)의 두께 및 평면 안테나의 마이크로파 반사율이 조정되어 있고, 이에 의해 마이크로파의 반사가 극소화된다. 또한, 서파판(33)과 마이크로파 투과판(28)을 동일한 재질로 하여 마이크로파의 계면 반사를 방지하고 있다. 이와 같이 마이크로파의 반사를 극소화하고, 또한 마이크로파의 계면 반사가 방지되는 것에 의해, 플라즈마의 안정성을 높게 하면서 마이크로파 파워의 효율을 높게 유지할 수 있다.
챔버(1)의 상면에는, 이들 평면 안테나 부재(31) 및 서파재(33)를 덮도록, 예컨대 알루미늄이나 스테인리스강 등의 금속재로 이루어지는 실드 덮개체(34)가 마련되어 있다. 챔버(1)의 상면에 위치하는 상부 플레이트(27)와 실드 덮개체(34)는 도시하지 않는 시일 부재에 의해 시일되어 있다.
실드 덮개체(34)에는, 냉각수 유로(34a)가 형성되어 있고, 거기에 냉각수를 통류시키는 것에 의해, 평면 안테나(31), 마이크로파 투과판(28), 서파재(33), 실드 덮개체(34)를 냉각하도록 되어 있다. 또한, 실드 덮개체(34)는 접지되어 있다.
상기 평면 안테나 (31) 및 서파판(33)의 외주부는, 실드 덮개체(34)의 내측에 마련된 누름 부재(34b)에 의해 눌러지도록 되어 있다.
실드 덮개체(34)의 상벽의 중앙에는 개구부(36)가 형성되어 있고, 이 개구부에는 도파관(37)이 접속되어 있다. 이 도파관(37)의 단부에는, 매칭 회로(38)를 거쳐서 마이크로파 발생 장치(39)가 접속되어 있다. 이에 의해, 마이크로파 발생 장치(39)에 의해 발생한 예컨대 주파수 2.45GHz의 마이크로파가 도파관(37)을 거쳐서 상기 평면 안테나 부재(31)로 전파되도록 되어 있다. 또한, 마이크로파의 주파수로서는, 8.35GHz, 1.98GHz 등을 이용할 수도 있다.
도파관(37)은, 상기 실드 덮개체(34)의 개구부(36)로부터 상방으로 연출(延出)하는 단면 원형 형상의 동축 도파관(37a)과, 이 동축 도파관(37a)의 상단부에 접속된 수평 방향으로 연장하는 단면 직사각형 형상의 직사각형 도파관(37b)을 가지고 있다. 직사각형 도파관(37b)의 동축 도파관(37a)의 접속부측의 단부에는 모드 변환기(40)가 마련되어 있다. 동축 도파관(37a)의 중심에는 내도체(41)가 연장하고 있고, 이 내도체(41)의 하단부는 평면 안테나 부재(31)의 중심에 접속 고정되어 있다.
상기 상부 플레이트(27)에는, 마이크로파 투과판(28)의 단부로부터 상부 플레이트(27)의 내부를 향해서 수평으로 복수의 구멍(42)이 형성되어 있다. 이 예에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이 12개의 구멍(42)이 상부 플레이트(27)의 내측으로부터 외측을 향해서 방사 형상으로 등 간격으로 마련되어, 상부 플레이트(27)의 둘레 단부에 개구하고 있다. 이 구멍(42)은 평면 안테나(31)로부터 마이크로파 투과판(33)에 도달한 마이크로파가 전파되도록 되어 있다.
이들 구멍(42)의 안에는, 구멍(42)의 부피를 조절하기 위한 부피 조절판(43)이, 구멍(42)의 길이 방향을 따라 이동이 자유롭도록 마련되어 있다. 이 부피 조절판(43)은, 구멍(42)의 내부에 밀착하여 마련되어 있고, 적어도 그 구멍(42)에 접하는 면은 도전체, 예컨대 알루미늄 등의 금속으로 구성되어 있다. 또한, 상부 플레이트(27)의 외주단부에 개구하고 있는 구멍(42)에는, 금속제의 덮개(47)가 마련되어 있다. 이에 의해 구멍(42)을 둘러싸는 부분은 모두 도전체로 구성되어, 전파된 마이크로파가 누설하지 않고 모두 반사하도록 되어 있다. 각 부피 조절판(43) 은, 로드(44)을 거쳐서 실린더 기구 등의 액츄에이터(45)에 의해 독립으로 이동되어, 이에 의해 각 구멍(42)의 부피가 조절되도록 되어 있다. 이와 같이 각 구멍(42)의 부피가 조절되는 것에 의해, 마이크로파 투과판(28)이 구멍(42)의 각각이 속하는 유닛마다 분리되어 있다고 할 경우에, 각 유닛마다 임피던스를 조절하는 것이 가능하다. 그리고, 프로세스 조건에 변경 등이 있었을 경우 프로세스 조건에 따라 컨트롤러(46)로부터 각 액츄에이터(45)로 각 유닛의 임피던스를 제어하기 위한 지령이 출력되어, 마이크로파 투과판(28)의 전기장 분포가 균일해지도록 각 부피 조절판(43)의 위치, 즉 각 구멍(42)의 부피가 제어된다.
또한, 부피 조절판(43)은, 그 구멍(42)에 접하는 면이 도전체이기만 하면, 다른 부분은 유전체이더라도 상관없다. 또한, 구멍(42)의 개수는 12개에 한하지 않고 2개 이상이면 된다. 단지, 지나치게 많아도 제어가 번잡해지기 때문에, 16개 이하가 바람직하다. 또한, 구멍(42)의 깊이는 유전체인 마이크로파 투과판(28) 중에 있어서의 마이크로파 1파장분 이상이면 좋다. 또한, 액츄에이터(45)로서는, 실린더 기구에 한하지 않고 모터에 의해 볼나사를 회전시키는 것에 의해 부피 조절판(43)의 위치를 조절하는 볼나사 기구를 채용할 수도 있다.
구멍(42)의 형상은, 도 4a에 도시하는 바와 같이 단면이 원형이더라도, 도 4b에 도시하는 바와 같이 단면이 직사각형이더라도 좋지만, 마이크로파가 구멍(42)내에 전파할 수 있도록 하기 위해서는, 마이크로파 투과판(28)내에서의 마이크로파의 파장을 λc로 하고, 단면원형의 경우에 반지름을 r, 단면 직사각형의 경우에 가로폭을 a, 높이를 b라고 하면, 이하의 수학식 1 및 수학식 2가 성립하도록 해야 한 다.
Figure 112007026596616-pct00001
Figure 112007026596616-pct00002
플라즈마 처리 장치(100)의 각 구성부는, 프로세스 컨트롤러(50)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어있다. 프로세스 컨트롤러(50)에는, 공정 관리자가 플라즈마 처리 장치(100)를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 플라즈마 처리 장치(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스(51)가 접속되어 있다.
또한, 프로세스 컨트롤러(50)에는, 플라즈마 처리 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(50)의 제어에 의하여 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 저장된 기억부(52)가 접속되어 있다.
그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(51)로부터의 지시등으로 임의의 레시피를 기억부(52)로부터 불러내어 프로세스 컨트롤러(50)에 실행시킴으로써 프로세스 컨트롤러(50)의 제어하에서, 플라즈마 처리 장치(100)에서의 원하는 처리가 실행된다.
이와 같이 구성된 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서는, 우선, 게이트밸브(26)를 열림으로 하여 반출입구(25)로부터 피처리체인 웨이퍼(W)를 챔버(1)내에 반입하여, 서셉터(2) 상에 탑재한다.
그리고, 처리 가스 공급계(16)로부터 플라즈마 처리에 따른 소정의 처리 가스를 가스 도입 부재(15)를 거쳐서 챔버(1)내에 도입하여, 소정의 압력으로 유지한다.
이어서, 마이크로파 발생 장치(39)로부터의 마이크로파를 매칭 회로(38)를 지나 도파관(37)으로 유도한다. 마이크로파는, 직사각형 도파관(37b), 모드 변환기(40), 및 동축 도파관(37a), 서파판(33)을 순차적으로 지나서 평면 안테나 부재(31)에 공급되어, 평면 안테나 부재(31)로부터 마이크로파 투과판(28)을 지나 챔버(1)내에서의 웨이퍼(W)의 상방공간에 방사된다. 마이크로파는, 직사각형 도파관(37b) 내에서는 TE 모드로 전파하고, 이 TE 모드의 마이크로파는 모드 변환기(40)에서 TEM 모드로 변환되어, 동축 도파관(37a)내를 평면 안테나 부재(31)를 향해서 전파되어 간다.
평면 안테나 부재(31)로부터 마이크로파 투과판(28)을 지나서 챔버(1)에 방사된 마이크로파에 의해 챔버(1)내에서는 도입된 처리 가스가 플라즈마화하여, 이 플라즈마에 의해 산화 처리 등의 소정의 처리가 실행된다.
본 실시형태의 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 대략 1012개/cm3 이상 의 고플라즈마 밀도로 또한 대략 1.5eV 이하의 저전자 온도 플라즈마를 실현할 수 있다. 이 때문에, 저온 또한 단 시간에 플라즈마 처리를 실행할 수 있고, 또한 하지막으로의 이온 등에 의한 플라즈마 대미지가 작은 등의 메리트가 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 마이크로파 투과판(28)의 단부로부터 상부 플레이트(27)의 내부를 향해서, 평면 안테나로부터 상기 마이크로파 투과판에 도달한 마이크로파가 전파되는 복수의 구멍(42)을 마련하고, 또한, 이들 구멍의 부피를 조절하는 부피 조절판(43) 및 액츄에이터(45)를 마련하여, 부피 조절판(43) 및 액츄에이터(45)에 의해 각 구멍(42)의 부피를 조절하는 것에 의해, 마이크로파 투과판(28)을 복수의 구멍(42)의 각각이 속하는 유닛마다 분할한 경우에 있어서의 각 유닛의 임피던스를 조절할 수 있다. 이에 의해, 마이크로파 투과판(28)의 전기장 분포를 제어할 수 있기 때문에, 프로세스 조건 등이 변화한 경우에, 평면 안테나(31)의 마이크로파 방사 구멍(32)의 패턴 및 마이크로파 투과판(28)의 최적화를 실행하는 일없이 간단한 조작으로 마이크로파 투과판의 전기장 분포를 제어하여 플라즈마의 균일성 및 안정성을 얻을 수 있다.
구체적인 마이크로파 투과판(28)의 전기장 분포 제어를 도 5의 모델을 참조하여 설명한다. 우선, 마이크로파 투과판(28)을 중심에서 방사 형상으로 복수의 구멍(42)의 각각이 속하는 유닛(28a)으로 분할한 것으로 한다. 이 경우에, 마이크로파 투과판(28)의 중심으로부터의 마이크로파는, 각 유닛에 있어서 거기에 속하는 구멍(42)을 향해서 직선적으로 전파되어, 부피 조절판(43)에서 반사하여 원래로 돌아간다. 지금, 임의의 인접하는 2개의 유닛(28a)(제 i 유닛 및 제 j 유닛)간의 결 합 계수 kｉ,ｊ를 이하의 수학식 3과같이 정의한다.
Figure 112007026596616-pct00003
여기서, Xm (i,j)은 인접하는 2개의 유닛에 공통인 부분의 리액턴스, Xi는 제 i 유닛에 의해 Xm (i,j)에 직렬로 삽입되는 리액턴스 중 Xm (i,j)와 동일한 종류의 리액턴스로 Xm (i,j)를 포함하는 값이다. Xj도 동일하다. 예컨대 유닛수가 2개라고 가정하면, 상기 수학식 3은, 이하의 수학식 4와 같이 고쳐 쓸 수 있다.
Figure 112007026596616-pct00004
일반적으로 리액턴스는 용량 결합이며, 이 상태를 도 6에 나타내는 바와 같은 등가 공진 회로로 나타낼 수 있다.
이 경우에는 결합계수(k)는 이하의 수학식 5로 나타낼 수 있다.
Figure 112007026596616-pct00005
여기서, 도 6의 P 점에서 본 임피던스가 제로가 되는 주파수 즉, 마이크로파 투과판(28)의 전체의 공진 주파수(f)와, 각 유닛의 주파수 fi'(f'1, f'2)는, 이하의 수학식 6에 도시하는 바와 같이 된다.
Figure 112007026596616-pct00006
이 때, 각 유닛의 주파수 fi'는, 각 유닛의 용량을 Ci이라고 하면 이하의 수학식 7로 표시된다.
Figure 112007026596616-pct00007
상기 수학식 6 및 수학식 7로부터, 결합계수(k)에 의해, 2개의 공진 주파수가 존재하는 것을 알 수 있다. 특히, 결합계수(k)가 1보다도 충분히 작은 경우, 즉 O에 가까운 경우에는 f= f1'= f2'가 되어, 각 유닛의 공통 공진 주파수가 발생한다. 이 때, 결합계수(k)가 0에 가깝기 때문에, 각 유닛간의 간섭이 실질적으로 존재하지 않고, 각 유닛이 무간섭으로 독립으로 모드 제어가 가능해진다.
따라서, 각 유닛간의 결합계수(k)가 실질적으로 존재하지 않도록 복수의 구멍(42)을 형성하여, 각 유닛마다 액츄에이터(45)에 의해 부피 조절판(43)을 이동시켜 구멍(42)의 부피를 조절하면, 각 유닛의 임피던스를 독립으로 조절하여, 각 유닛마다 공진 조건을 충족시키도록 할 수 있어, 이에 의해, 마이크로파 투과판(28)의 전기장 분포를 균일히 제어할 수 있다. 일반적으로, 플라즈마 분포와 안정성은 마이크로파 투과판의 전기장 분포에 의존하기 때문에, 이와 같이 마이크로파 투과판(28)의 전기장 분포를 균일하게 제어하는 것에 의해, 플라즈마의 균일성 및 안정성을 높일 수 있다. 따라서, 프로세스 조건이 변화하더라도, 쉽게 대응하는 것이 가능하다.
도 7에 본 발명의 장치를 사용하여 마이크로파 투과판(28)의 임피던스 조절을 실행한 경우와 종래의 장치를 사용한 경우에 있어서의 플라즈마의 전자 밀도 분포를 나타낸다. 이 도면에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 따라서 임피던스 조절을 실행하는 것에 의해 전자 밀도 분포가 균일하게 되는 것이 확인되었다.
다음에, 상기 도 5에 나타내는 바와 같이 상부 플레이트에 12개의 구멍을 균 등히 형성하고, 구멍의 직경을 32.3mm, 구멍의 길이를 60mm로 한 경우에 있어서의, 마이크로파 투과판의 전자계 시뮬레이션을 실행했다. 그 결과를 도 8 및 도 9에 나타낸다. 도 8에 도시하는 바와 같이 본 발명의 장치에서는, 각 구멍의 부피를 조절하는 것에 의해, 도 9에 나타내는 종래의 장치보다도 마이크로파 투과판의 전기장 분포가 균일하게 되는 것이 확인되었다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 일없이 여러가지 변형이 가능하다. 예를들면, 처리 장치의 구성은 본 발명의 구성 요건을 충족시키는 한 상기 실시형태에 한하는 것이 아니다. 또한, 상부 플레이트에 형성되는 구멍으로서 마이크로파 투과판의 단부로부터 외측을 향하여 수평으로 연장하여, 상부 플레이트의 둘레 단부에 개구하는 것을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한하는 것이 아니라, 도 10에 도시하는 바와 같이 상부 플레이트의 상면에 개구하여, 상부 플레이트의 안에서 90° 굽어 있는 것을 채용해도 좋다. 또한, 플라즈마 처리를 실행하는 피처리체로서는, 반도체 웨이퍼에 한하지 않고, 플랫 패널 디스플레이 기판 등, 다른 것이라도 좋다.
본 발명은, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 산화 처리, 성막 처리, 에칭 처리 등, 저전자 온도 및 고밀도의 플라즈마가 요구되는 플라즈마 처리에 바람직하다. 특히, 플라즈마 밀도의 균일성이 중시되는 에칭 처리에 적합하다.

Claims (9)

  1. 피처리체가 수용되는 챔버와,
    마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과,
    상기 마이크로파 발생원에서 발생된 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 유도하는 도파 수단과,
    상기 도파 수단으로 유도된 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와,
    상기 챔버의 천벽을 구성하고, 상기 평면 안테나의 마이크로파 방사 구멍을 통과한 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과,
    상기 마이크로파 투과판의 외주를 덮는 도전체로 이루어지는 플레이트와,
    상기 마이크로파 투과판의 단부로부터 상기 플레이트의 내부를 향해서 마련된, 상기 마이크로파 투과판으로부터 마이크로파가 전파되는 2 이상의 구멍과,
    상기 구멍내에 밀착하여 마련되고, 상기 구멍내를 이동 가능한 부피 조절판과,
    상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단을 가지고,
    마이크로파에 의해서 상기 챔버내에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여, 그 플라즈마에 의해 피처리체에 플라즈마 처리를 실시하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 부피조절판의 이동에 의해 상기 각 구멍의 부피를 조절하는 것에 의하여, 상기 마이크로파 투과판을 상기 2 이상의 구멍의 각각이 속하는 유닛마다 분할한 경우에 있어서의 각 유닛의 임피던스를 조절하여, 상기 마이크로파 투과판의 전기장 분포를 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  2. 피처리체가 수용되는 챔버와,
    마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과,
    상기 마이크로파 발생원에서 발생된 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 유도하는 도파 수단과,
    상기 도파 수단에 유도된 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와,
    상기 챔버의 천벽을 구성하고, 상기 평면 안테나의 마이크로파 방사 구멍을 통과한 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과,
    상기 마이크로파 투과판의 외주를 덮는 도전체로 이루어지는 플레이트와,
    상기 마이크로파 투과판의 단부로부터 상기 플레이트의 내부를 향해서 마련된, 상기 마이크로파 투과판으로부터 마이크로파가 전파되는 2 이상의 구멍과,
    상기 구멍내에 밀착하여 마련되고, 상기 구멍내를 이동 가능한 부피 조절판과,
    상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단을 가지고,
    마이크로파에 의해서 상기 챔버내에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여, 그 플라즈마에 의해 피처리체에 플라즈마 처리를 실시하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 부피조절판의 이동에 의해 상기 각 구멍의 부피를 조절하는 것에 의하여, 상기 마이크로파 투과판을 상기 2 이상의 구멍의 각각이 속하는 유닛마다 분할한 경우에 있어서의 각 유닛의 임피던스를 조절하여, 각 유닛이 공진 조건을 충족시키도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 마이크로파 투과판의 전체가 공진 조건을 충족시키도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부피 조절판은 액츄에이터에 의해 이동하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    프로세스 조건에 따라서, 각 부피 조절판을 이동 제어하여 각 유닛의 임피던스를 제어하는 컨트롤러를 또한 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도파 수단은, 상기 마이크로파 발생원에서 발생한 마이크로파를 TE 모드로 전파하는 직사각형 도파관과, TE 모드를 TEM 모드로 변환하는 모드 변환기와, TEM 모드로 변환된 마이크로파를 상기 평면 안테나 를 향해서 전파하는 동축 도파관을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평면 안테나에 형성된 복수 마이크로파 투과 구멍은, 슬롯으로 되고, 인접하는 마이크로파 방사 구멍끼리가 교차하도록 배치되어, 이들 복수의 마이크로파 투과 구멍이 동심원 형상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평면 안테나를 덮도록 마련된 덮개체를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 덮개체에는 냉매유로가 마련되어 있고, 이 냉매유로에 냉매를 통류시키는 것에 의해, 상기 평면 안테나 , 상기 마이크로파 투과판을 냉각하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7722778B2 (en) * 2006-06-28 2010-05-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber
CN101385129B (zh) * 2006-07-28 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 微波等离子体源和等离子体处理装置
JP5096047B2 (ja) * 2007-06-14 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波透過板
KR101257985B1 (ko) * 2007-07-11 2013-04-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
KR101176063B1 (ko) 2007-10-04 2012-08-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 밀도 분포의 조정 방법
KR101203038B1 (ko) * 2007-11-14 2012-11-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 반도체 기판의 플라즈마 처리 방법
JP2009224455A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Tokyo Electron Ltd 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置
JP5376816B2 (ja) * 2008-03-14 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
JP4593652B2 (ja) * 2008-06-06 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
KR20110010643A (ko) * 2008-08-08 2011-02-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 마이크로파 플라즈마 발생 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 장치
JP5478058B2 (ja) * 2008-12-09 2014-04-23 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
JP2011003464A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用冷却装置
WO2011007745A1 (ja) * 2009-07-15 2011-01-20 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法
JP2011077065A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
TWI443211B (zh) * 2010-05-05 2014-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜裝置
TWI502617B (zh) 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
US8962454B2 (en) * 2010-11-04 2015-02-24 Tokyo Electron Limited Method of depositing dielectric films using microwave plasma
CN102417156B (zh) * 2011-11-15 2015-02-04 苏州含光微纳科技有限公司 一种刻蚀金属钼材料的方法
US20170207102A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
CN113612012B (zh) * 2021-07-28 2023-09-29 中国科学院合肥物质科学研究院 一种可移动栅格式表面波离子回旋天线结构

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4255563B2 (ja) * 1999-04-05 2009-04-15 東京エレクトロン株式会社 半導体製造方法及び半導体製造装置
KR100745495B1 (ko) * 1999-03-10 2007-08-03 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치
JP4053173B2 (ja) * 1999-03-29 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置及び方法
JP4086450B2 (ja) * 2000-05-11 2008-05-14 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波アンテナ及びマイクロ波プラズマ処理装置
JP4554065B2 (ja) * 2000-12-19 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4209612B2 (ja) * 2001-12-19 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4062928B2 (ja) * 2002-02-06 2008-03-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3914071B2 (ja) * 2002-03-12 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2004153240A (ja) * 2002-10-09 2004-05-27 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd プラズマ処理装置
JP2004265916A (ja) * 2003-02-06 2004-09-24 Tokyo Electron Ltd 基板のプラズマ酸化処理方法
JP4588329B2 (ja) * 2003-02-14 2010-12-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生装置およびリモートプラズマ処理装置

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