KR100873957B1 - 반도체 레이저의 레이저 전원제어방법 및 제어장치와 광자기 기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치와 광기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치 - Google Patents

반도체 레이저의 레이저 전원제어방법 및 제어장치와 광자기 기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치와 광기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100873957B1
KR100873957B1 KR1020027009111A KR20027009111A KR100873957B1 KR 100873957 B1 KR100873957 B1 KR 100873957B1 KR 1020027009111 A KR1020027009111 A KR 1020027009111A KR 20027009111 A KR20027009111 A KR 20027009111A KR 100873957 B1 KR100873957 B1 KR 100873957B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
power supply
semiconductor laser
variable power
recording medium
Prior art date
Application number
KR1020027009111A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020070339A (ko
Inventor
후지이에가주히코
다케시타야수유키
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR20020070339A publication Critical patent/KR20020070339A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100873957B1 publication Critical patent/KR100873957B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06203—Transistor-type lasers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

본 발명은, 출력 트랜지스터의 콜렉터 및 에미터 사이 그리고 반도체 레이저의 직렬회로에 전원전압을 부여하고, 반도체 레이저의 레이저 전원을 제어하도록 하는 반도체 레이저의 레이저 전원제어방법에 있어서, 출력 트랜지스터에 있어서 소비전력을 저감하는 것이 가능한 것을 제안한다. 본 발명은, 출력 트랜지스터(Qb) 및 반도체 레이저(SL)의 직렬회로에 가변전원전압(Vcc)을 인가하고, 그 가변전원전압(vcc) 및 반도체 레이저(SL)의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 거의 일정하게 되도록, 가변전원전압(Vcc)을 제어하도록 한다.

Description

반도체 레이저의 레이저 전원제어방법 및 제어장치와 광자기 기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치와 광기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치{A method of controlling laser source power of a semiconductor laser and the apparatus, a recording and reproducing method and apparatus of optical-magnetic recording medium, and a recording and reproducing method and apparatus of optical recording medium}
본 발명은, 반도체 레이저의 레이저 전원제어방법 및 제어장치 및 광자기 기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치 및 광기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치에 관한 것이다.
도 6을 참조하여, 반도체 레이저의 구동회로의 종래 예를 설명한다. 도 6에 있어서, SL은, 고출력 자색(紫色) 반도체 레이저(GaN계 반도체 레이저(레이저 다이오드)), DSL은 그 반도체 레이저(SL)의 구동회로이다. 이하에, 이 반도체 레이저의 구동회로(DSL)에 대해서, 도 7의 타이밍 차트를 참조하여, 상세하게 설명한다. 또한, 도 7의 타이밍 차트는, 반도체 레이저(SL)가, 후술하는 광디스크 기록재생장치(기록재생방법) 광학헤드에 사용되는 경우를 고려하여 도시한 것이다.
이 구동회로(DSL)는, 헤드 전류원회로(SIK)와, 출력 트랜지스터(Qb)로 구성 되어 있다. 헤드 전류원회로(SIK)는, 스위칭 트랜지스터(예를 들면, NPN형 트랜지스터)(Qa)와, 전류원(IS)과, 저항기(R10, R11, R12)로 구성된다. 출력 트랜지스터(Qb)는, 예를 들면, PNP형 트랜지스터로 구성된다.
트랜지스터(Qa)의 에미터가 접지되며, 그 베이스가 베이스 바이어스용 저항기(R11)를 통하여 접지된다. 트랜지스터(Qa)의 콜렉터는, 전류원(IS) 및 저항기(R10)를 통해, Vcc = 10V의 전원에 접속되어 있다. 전류원(IS) 및 저항기(R10)의 접속중점이, 트랜지스터(Qb)의 베이스에 접속된다. 트랜지스터(Qb)의 에미터는, Vcc = 10V의 전원에 접속되며, 그 콜렉터는, 반도체 레이저(레이저 다이오드)(SL)의 애노드에 접속되며, 그 캐소드는 접지된다.
입력단자(T2)로부터의 제어신호(CS)가, 저항기(R12)를 통해 트랜지스터(Qa)의 베이스에 공급되며, 트랜지스터(Qa)가 온-오프 제어된다. 이 제어신호(CS)는, 도 7에 도시한 바와 같이, 기록시는, "1", "0"으로 서로 변화하고, 재생시는 상시 "1" 그대로 이다. 또는 입력단자(T1)로부터의 피크전류 설정신호(CI)가 전류원(IS)에 공급되며, 도 7b에 도시한 바와 같이, 기록시의 피크전류(Ip)가 재생시의 피크전류(Ip)보다 많게 되도록 제어된다. 더욱이, 도 6 및 도 7a의 Vop는, 반도체 레이저(SL)의 동작전압을 도시하고 있다. 도 6의 Iop는, 반도체 레이저(SL)의 동작전류를 나타낸다.
스위칭 트랜지스터(Qa)는, 재생시는 항시 온이며, 기록시는 기록 타이밍에 따라서(또는 기록 데이터에 따라) 온-오프 된다. 따라서, 반도체 레이저(SL)의 동작전압(Vop)은, 재생시는 일정의 전압, 예를 들면, 5.5V이고, 기록시는 예를 들 면 7.0 V 및 0V에 가까운 전압을 상호로 반복하는 패스전압으로 된다. 반도체레이저(SL)의 동작전류(Iop)는 재생시는 일정의 전류 예를 들면 50mA, 기록시는, 평균전류로서, 예를 들면, 110mA로 된다.
또한, 재생시에, 잡음을 저감하는 목적으로, 수백 MHz의 소폭의 정현파를, 반도체 레이저(SL)의 동작전류(Iop)에 중첩하는 경우가 있지만, 반도체 레이저 구동회로(DSL)의 동작과는 직접관계가 없으므로, 도시는 생략한다.
도 6의 반도체 레이저의 구동회로(DSL)에 있어서, 헤드 전류원회로(SIK)의 스위칭 트랜지스터(Qa)로서 NPN형 트랜지스터를 이용하고, 출력 트랜지스터(Qb)로서 PNP형 트랜지스터를 이용하는 경우에 대해서 기술했지만, 도 8에 도시한 바와 같이 스위칭 트랜지스터(Qa)로서, PNP형 트랜지스터를 사용하고, 출력 트랜지스터(Qb)로서, NPN형 트랜지스터를 사용하여도 좋다.
도 8을 참조하여, 그 경우의 반도체 레이저의 구동회로를 설명한다. 또한, 도 8에 있어서, 도 6과 대응하는 부분에는, 동일부호를 부여하여 설명한다. 이 구동회로(DSL)는, 헤드 전류원회로(SIK), 출력 트랜지스터(Qb)로 구성되어 있다. 헤드 전류원회로(SIK)는, 스위칭 트랜지스터(PNP형 트랜지스터)(Qa)와, 전류원(IS)과, 저항기(R10, R11, R12)로 구성되어 있다. 출력 트랜지스터(Qb)는, NPN형 트랜지스터로 구성된다.
트랜지스터(Qa)의 에미터가, Vcc = 10V의 전원에 접속되어 있고, 그 베이스가 베이스 바이어스용 저항기(R11)를 통하여, Vcc = 10V의 전원에 접속되어 있다. 트랜지스터(Qa)의 콜렉터는, 전류원(IS) 및 저항기(R10)를 통해 접지된다. 전류원(IS) 및 저항기(R10)의 접속중점이, 트랜지스터(Qb)의 베이스에 접속된다. 트랜지스터(Qb)의 에미터는 접지되며, 그 콜렉터는, 반도체 레이저(레이저 다이오드)(SL)의 캐소드에 접속되며, 그 애노드는, Vcc = 10V의 전원에 접속된다.
입력단자(T2)로부터의 제어신호(CS)가, 저항기(R12)를 통해 트랜지스터(Qa)의 베이스에 공급되며, 트랜지스터(Qa)가 온-오프 제어된다. 이 제어신호(CS)는, 기록시는, "1", "0"으로 서로 변화하며, 재생시는 상시 "0" 그대로 이다. 또는 입력단자(T1)로부터의 피크전류 설정신호(CI)가 전류원(IS)에 공급되며, 기록시의 피크전류(Ip)가 재생시의 피크전류(Ip)보다 많게 되도록 제어된다. Vop는, 반도체 레이저(SL)의 동작전압을 나타내고 있다. Ipo는, 반도체 레이저(SL)의 동작전류를 나타낸다.
예를 들면, 도 6의 반도체 레이저의 구동회로에 대해서 기술한다. 출력 트랜지스터(Qb)의 소비전력(P)은, 다음의 (1)식으로 표현된다.
P = (Vcc - Vop) × Iop (1)
이 (1)식에, Vcc = 10V, Vop = 5.5V(최소치), Iop = 110mA(최대치)를 대입하여 계산하면, 출력 트랜지스터(Qb)의 소비전력(P)은, 다음의 (2)식에 의해 표시한 바와 같이,
P = (10 - 5.5)V × 110mA = 495mW (2)로 된다.
이와 관련하여, 적색 반도체 레이저의 경우는, (1)식에, Vcc = 5V, Vop = 1.8V(최소치), Iop = 120mA(최대치)를 대입하여 계산하면, 출력 트랜지스터(Qb)의 소비전력(P)은, 다음의 (3)식으로 표시한 바와 같이,
P = ( 5- 1.8) × 110mA = 352mW (3)으로 되며,
고출력 자색 반도체 레이저에 비해, 출력 트랜지스터(Qb)의 소비전력(P)은 작다.
상술로부터 명백한 바와 같이, 고출력 자색 반도체 레이저를 사용한 경우에 있어서의 출력 트랜지스터(Qb)의 소비전력은, 적색 반도체 레이저를 사용한 경우에 있어서 출력 트랜지스터(Qb)의 소비전력에 비해 꽤 높으므로, 그 출력 트랜지스터(Qb)에 대형의 방열기를 부착하는 것이 필요하다. 그러나, 반도체 레이저의 구동회로는, 반도체 레이저와 함께 광학헤드(광학 픽업)에 내장되므로, 출력 트랜지스터(Qb)에 방열기를 설치하면, 광학헤드(광학픽업)가 대형으로 된다. 그러나, 출력 트랜지스터(Qb)에 대형의 방열기를 설치하지 않으면, 출력 트랜지스터(Qb)의 발열에 의해, 광학헤드(광학픽업)나 반도체 레이저의 수명이 단축되게 된다.
이러한 점을 감안하여, 본 발명은, 출력 트랜지스터의 콜렉터 및 에미터 사이와 반도체 레이저의 직렬회로에 전원전압을 부여하고, 반도체 레이저의 레이저 전원을 제어하도록 하는 반도체 레이저의 레이저 전원제어방법 및 제어장치에 있어서, 출력 트랜지스터에 있어서의 소비전력을 저감하는 것이 가능한 것을 제안하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명은, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 광자기 기록매체에 조사하여 가열하고, 광자기 기록매체의 가열된 부분에 기록정보에 기초하여 자계를 부여하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자 기 기록매체에 상기 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 정보를 재생하도록 하고, 출력 트랜지스터 콜렉터 및 에미터 사이 및 반도체 레이저의 직렬회로에 전원전압을 부여하고, 반도체 레이저의 레이저 전원을 제어하도록 한 광자기 기록매체의 기록재생방법에 있어서, 출력 트랜지스터에 있어서의 소비전력을 저감하는 것이 가능한 것을 제안하고자 하는 것이다.
더욱이, 본 발명은, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 발생하는 광학헤드와, 광자기 기록매체에, 기록정보에 기초하여 자계를 부여하는 자계발생수단을 가지며, 광학헤드로부터의 수속 레이저광을 광자기 기록매체에 조사하여 가열하고, 광자기 기록매체의 가열된 부분에, 상기 자계발생수단으로부터의 자계를 부여하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자기 기록매체에 광학헤드로부터의 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 재생정보신호를, 상기 광학헤드에 의해 얻어지도록 하고, 출력 트랜지스터의 콜렉터 및 에미터 사이와 및 반도체 레이저의 직렬회로에 전원전압을 부여하고, 반도체 레이저의 레이저 전원을 제어하는 광자기 기록매체의 기록재생장치에 있어서, 출력 트랜지스터에 있어서의 소비전력을 저감하는 것이 가능한 것을 제안하고자 하는 것이다.
더욱이, 본 발명은, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여, 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광을 광기록매체에 조사하여, 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광기록매체에 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 조사하고, 정보가 기록된 광기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 정보를 재생하도록 하고, 출력 트랜지스터의 콜렉터 및 에미터 사이와 반도체 레이저의 직렬회로에 전원전압을 부여하고, 반도체 레이저의 레이저 전원을 제어하도록 한 광기록매체의 기록재생방법에 있어서, 출력 트랜지스터에 있어서 소비전력을 저감하는 것이 가능한 것을 제안하고자 하는 것이다.
더욱이, 본 발명은, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여, 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광 및 정보에 의해 광변조 되지 않은 수속 레이저광을 발생하는 광학헤드를 가지며, 광학헤드로부터의 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광을 광기록매체에 조사하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광기록매체에 광학헤드로부터의 정보에 의해 광변조 되지 않은 수속 레이저광을 조사하고, 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 재생정보신호를, 광학헤드에 의해 얻어지도록 하고, 반도체 레이저의 레이저 전원을 제어하도록 한 광기록매체의 기록재생장치에 있어서, 출력 트랜지스터에 있어서 소비전력을 저감하는 것이 가능한 것을 제안하고자 하는 것이다.
제 1의 발명은, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로에 가변전원전압을 인가하고, 그 가변전원전압 및 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 거의 일정하게 되도록, 가변전원전압을 제어하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어방법이다.
제 2의 발명은, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로와, 그 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와, 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와, 가변전원전압 및 피크-홀드전압의 차의 전압이 거의 일정의 전압이 되도록, 가변전원장치를 제어하는 제어수단을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어장치이다.
제 3의 발명은, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 광자기 기록매체에 조사하여 가열하고, 광자기 기록매체의 가열된 부분에 기록정보에 기초하여 자계를 부여하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자기 기록매체에 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 정보를 재생하도록 하는 광자기 기록매체의 기록재생방법에 있어서, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로에 가변전원전압을 인가하고, 그 가변전원전압 및 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 거의 일정하게 되도록, 가변전원전압을 제어하도록 하는 광자기 기록매체의 기록재생방법이다.
제 4의 발명은, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 발생하는 광학헤드와, 광자기 기록매체에, 기록정보에 기초하여 자계를 부여하는 자계발생수단을 가지며, 광학헤드로부터의 수속 레이저광을 광자기 기록매체에 조사하여 가열하고, 광자기 기록매체의 가열된 부분에, 자계발생수단으로부터의 자계를 부여하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자기 기록매체에 광학헤드로부터의 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 재생정보신호를, 광학헤드에 의해 얻어지도록 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치에 있어서, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로와, 그 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와, 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와, 가변전원전압 및 피크-홀드전압의 차의 전압이 거의 일정의 전압이 되도록, 가변전원장치를 제어하는 제어수단을 가지는 광자기 기록매체의 기록재생장치이다.
제 5의 발명은, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여, 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광을 광기록매체에 조사하여, 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광기록매체에 상기 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 정보를 재생하도록 하는 광기록매체의 기록재생방법에 있어서, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로에 가변전원전압을 인가하고, 그 가변전원전압 및 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 거의 일정하게 되도록, 가변전원전압을 제어하도록 하는 광기록매체의 기록재생방법이다.
제 6의 발명은, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여, 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광 및 정보에 의해 광변조 되지 않은 수속 레이저광을 발생하는 광학헤드를 가지며, 광학헤드로부터의 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광을 광기록매체에 조사하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광기록매체에 광학헤드로부터의 정보에 의해 광변조 되지 않은 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 재생정보신호를, 광학헤드에 의해 얻어지도록 하는 광기록매체의 기록재생장치에 있어서, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로와, 그 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와, 상기 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와, 가변전원전압 및 상기 피크-홀드전압의 차의 전압이 거의 일정의 전압이 되도록, 가변전원장치를 제어하는 제어수단을 가지는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치이다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태의 광자기디스크의 기록재생장치를 도시한 블록선도이다.
도 2는 본 발명의 실시의 형태의 반도체 레이저의 레이저 전원제어회로의 일 예를 도시한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시의 형태의 반도체 레이저의 레이저 전원제어회로에 있어서의 각 부의 전압 및 파형을 도시한 선도이다.
도 4는 본 발명의 실시의 형태의 반도체 레이저의 레이저 전원제어회로의 다른 예를 도시한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 실시의 형태의 반도체 레이저의 레이저 전원제어회로의 또 다른 일 예를 도시한 회로도이다.
도 6은 반도체 레이저의 구동회로의 종래 예를 도시한 회로도이다.
도 7은 반도체 레이저의 구동회로의 종래 예의 타이밍 차트이다.
도 8은 반도체 레이저의 구동회로의 다른 종래 예를 도시한 회로도이다.
다음에, 도 1을 참조하여, 후술의 반도체 레이저의 레이저 전원제어회로를 가지는, 본 발명의 실시의 형태의 광자기디스크의 기록재생장치(기록장치 및 재생장치)의 일예를 설명한다. 도 1에 있어서, 1은 광자기디스크이며, 스핀들을 통해, 스핀들 모터(SM)에 의해 회전 구동된다. 스핀들 모터(SM)는, 스핀들 모터서보회로(2)에 의해, 서보가 동작된다. 또한, 이 서보회로(2)는, 제어장치(마이크로 컴퓨터를 내장하는)(8)에 의해, 제어된다.
(3)은 광학헤드(광학픽업)이며, 이것에 내장된 반도체 레이저로부터의 레이저광이, 광학계를 통과하여, 대물렌즈에 입사하고, 그 출사수속 레이저광이 광자기 디스크(1)의 기록면에 조사된다. 광학헤드(3)는, 포커스 및 트래킹 서보회로(4)에 의해 제어된다. 반도체 레이저로부터의 레이저광의 전원은, 제어장치(8)로부터의 기록재생 레이저 전원설정 제어신호에 기초하여, 레이저 전원제어회로(6)에 의해 제어된다.
(5)는 전자석이며, 광자기디스크(1)의 대물렌즈와는 반대측에 설치되며, 전자석 구동회로(11)에 의해 구동된다. 기록시에 있어서, 광자기디스크(1)의 기록면의, 수속 레이저광에 의해, 큐리점 이상의 온도로 가열되며, 그 후 온도가 내려가는 부분에, 전자석(5)에 의해, 기록 데이터의 "1", "0"에 대응하는 극성의 자계가 부여되며, 광자기디스크(1)의 기록면에 기록 데이터의 기록이 행해진다. 입력단자(9a)로부터의 기록 데이터가, ECC부가회로(9)로 공급되며, 기록 데이터에 ECC(오류정정부호)가 부가된 후, 그 기록 데이터가 변조회로(10)에 공급되어 디지털 변조되며, 그 변조된 기록 데이터가 전자석 구동회로(11)로 공급된다. 또한, 이 변조회로(10)로부터의 변조된 기록데이터는, 레이저 전원제어회로(6)에도 공급된다.
재생시는, 광학헤드(3)로부터 약한 재생용 레이저광을 자기 디스크(1)의 기록면에 조사하고, 그 반사광이 광학헤드(3)로 되돌아가며, MO(광자기) RF(고주파)신호 및 PIT(피트)(광강도) RF신호가 출력된다. MO RF신호는 RF2치화회로(13)로 공급되어 2치신호가 얻어진다. 그 2치신호가 디지털 복조회로(14)로 공급되어 복조되며, 그 복조된 디지털 신호가 ECC복호회로(15)에 공급되어 오류정정처리가 행해지며, 그 오류정정처리된 재생 데이터가 출력단자(15a)로 출력된다. 또한, 광학헤드(3)로부터 PIT RF신호는, 헤드정보 복호회로(7)에 공급되어 복호되며, 얻어진 헤드정보 데이터는, 제어장치(8)로 공급된다.
도 1의 기록재생장치에 있어서, 광자기디스크(1) 대신에, 상변화방식의 광디스크나 색소를 이용한 광디스크를 채용하는 경우는, 전자석(5) 및 전자석 구동회로(11)를 생략하고, 변조회로(10)로부터의 변조된 기록 데이터를 레이저 전원제어회로(6)로 직접공급하고, 반도체 레이저의 동작전압을 그 기록 데이터에 대응하여 온-오프하도록 구성하는 것도 좋다.
이하에, 도 2를 참조하여, 본 발명의 실시의 형태의 반도체 레이저의 레이저전원제어장치의 일 예를 상세하게 설명한다. 또한, 도 2에 있어서, 도 6과 대응 하는 부분에는, 동일부호를 부여하고 있다. DSL은, 반도체 레이저의 구동회로를 나타내며, 도 6에서 설명한 것과 동일한 회로구성의 스위치 부착 전류원회로(SIK) 및 출력 트랜지스터(Qb)로 구성된다. 그리고, 도 6과 마찬가지로, 출력 트랜지스터(Qb)의 콜렉터가, 도 1에 있어서의 광학헤드(3)에 내장된 반도체 레이저(SL)의 애노드에 접속되며, 그 반도체 레이저(SL)의 캐소드가 접지된다. 여기에서는, 반도체 레이저(SL)는, GaN계의 고출력 자색 반도체 레이저(고출력 자색 레이저 다이오드)이지만, 이것에 한정되어 있는 아니다.
PS는, 출력전원전압을 가변할 수 있는 가변전원장치로서의 DC-DC변환기이다. 전원장치(PS)는 접지되어 있는 동시에, 그 가변전원전압(Vcc)이, 출력 트랜지스터(Qb) 및 반도체 레이저(SL)의 직렬회로에 인가됨과 동시에, 스위치 부착 전류원회로(SIK)에 인가된다.
반도체 레이저(SL)의 동작전압(Vop)은, 피크-홀드회로(PH)에 인가되며, 피크-홀드된다. 이 피크-홀드회로(PH)는, 다이오드로서 기능하는 NPN형 트랜지스터(Qc) 및 홀드 콘덴서(C1)로 구성된다. 트랜지스터(Qc)의 콜렉터에, 전원장치(PS)로부터의 가변전원전압(Vcc)이 인가되며, 트랜지스터(Qc)의 베이스가 출력 트랜지스터(Qb)의 콜렉터에 접속된다. 트랜지스터(Qc)의 에미터는, 홀드 콘덴서(C1)를 통해 접지된다.
동작전압(Vop)을 이 피크-홀드회로(PH)에 의해, 피크-홀드 함으로써, 반도체 레이저(SL)가 펄스발광한 경우에, 전원전압(Vcc)이 동작전압(Vop)에 순간적으로 응답하므로, 스위치 부착 전류원회로(SIK)가 필요한 전류를 출력 트랜지스터(Qb)로 흐르게 하는 것이 가능하다.
전원장치(PS)의 가변전원전압(Vcc) 및 피크-홀드회로(PH)의 피크-홀드전압(이것을 Vh로 한다.)을 각각, 저항기(R1, R2)의 직렬회로로 구성되는 저항분압기 및 저항기(R3, R4)의 직렬회로로 구성되는 저항분압기에 의해, 동일한 비율로 분압하며, 그 각 분압출력을 마이크로 컴퓨터(MC)의 각 A/D변환기(b, c)로 각각 공급한다. 저항기(R1 - R4)의 저항치를 동일한 부호(R1 - R4)로 나타내면, 이러한 저항기(R1 - R4)의 사이에는, 다음의 (4)식의 관계가 성립한다.
R1/(R2 + R2) = R3 / (R3 + R4) (4)
이 (4)식을 정리하면, 다음의 (5)식과 같이 된다.
R1 / R2 = R3 / R4 (5)
마이크로 컴퓨터(MC)는, 상술의 A/D변환기(b, c)의 외에, CPU(a)와, CPU(a)에 각각 접속된 ROM(d), RAM(e) 및 CPU(a)로부터의 디지털 제어신호를 D/A변환하는 D/A변환기(f)를 구비하고 있다.
이 마이크로 컴퓨터(MC)는, ROM(d)에 기억되어 있는 프로그램에 기초하여, 도 3에 도시한 바와 같이, 전원장치(PS)의 가변전원전압(Vcc) 및 피크-홀드회로(PH)의 피크-홀드전압(Vh)의 차의 전압(Vcc-Vh)이 일정(거의 일정)의 전압(Vconst)이 되도록 아날로그 제어신호(지령신호, PWM신호등도 가능)를 D/A변환기(f)로부터 출력하고, 전원장치(PS)에 공급하여, 전원장치(PS)의 가변전원전압(Vcc)을 제어한다. 또한, 도 3에 있어서, Vop는, 반도체 레이저(SL)의 동작전압을 나타낸다. 이 동작전압(Vop)은, 반도체 레이저(SL)가 고출력 자 색 반도체 레이저가 되는 경우, 도 7a에 대해서 설명했던 것과 동일하다.
도 2에 대해서, 또한 설명한다. 기록시에 있어서는, 입력단자(T3)로부터의 제어신호(CS)가, D형 플립플롭회로(D-FF)의 D 입력단자에 공급된다. 이 제어신호(CS)는, 도 7에 대해서 기술한 바와 같이, 기록시의 기록 타이밍 또는 기록 데이터에 대응하여 "1", "0"으로 서로 변화하며, 재생시는 상시 "1"로 된다. 입력단자(T4)로부터의 반도체 레이저 구동용클락(CLK)이, D형 플립플롭회로(D-FF)의 클락 반전입력단자에 공급되며, 그 D형 플립플롭회로(D-FF)의 비반전출력(펄스)이, 입력단자(T2)를 통해, 스위치 부착 전류원회로(SIK)의 스위치 트랜지스터의 베이스에 공급된다.
재생시에 있어서는, 상기 "1"의 제어신호(CS)가, D형 플립플롭회로(D-FF) 및 입력단자(T2)를 통해, 스위치 부착 전류원회로(SIK)의 스위치 트랜지스터의 베이스에 공급된다. 또한, 입력단자(T4)로부터의 클락(CLK)이 분주기(FD)에 공급되며, 소정의 분주비(N)(N은 2이상의 정수)를 기초로 하여 분주되며, 그 분주된 클락(clk)이, 마이크로 컴퓨터(MC) 및 전원장치(PS)에 공급되어지므로, 마이크로 컴퓨터(MC)내의 디지털 연산회로, 마이크로 컴퓨터(MC)로부터의 아날로그 제어신호(지령신호, PWM 신호등)의 클락(CLK)이, 반도체 레이저(SL)에 악영향을 미치며, 그 클락신호(CLK)의 반도체 레이저(SL)의 발광파형으로 들어가는 것을 감소시키는 것이 가능하다.
이하에, 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시의 형태의 반도체 레이저의 레이저 전원제어장치의 다른 일 예를 상세하게 설명하지만, 도 4에 있어서, 도 2 및 도 3과 대응하는 부분은, 동일부호를 부여하고, 일부 중복설명을 생략한다. 이 예에서는, 도 2의 마이크로 컴퓨터(MC) 대신에, 감산회로(SUB)를 이용하여, 또는 가변전압이 얻어지는 전원장치(PS) 대신에, 승압형 DC-DC 변환기로 구성되는 전원장치(PS1)를 이용하고 있다.
감산회로(SUB)는, 연산증폭기(OP1 - OP3)를 구비하고 있다. 저항기(R1, R2)로 구성되는 저항분압회로로부터의 분압전압이, 출력단자가 반전 입력단자에 접속된 연산증폭기(OP1)의 비반전 입력단자로 공급되며, 그 연산증폭기(OP1)의 출력전압이, 저항기(R5)를 통해, 출력단자 및 반전입력단자 사이가 저항기(R8)를 통해 접속된 연산증폭기(OP3)의 비반전 입력단자에 공급된다. 저항기(R3, R4)로 구성되는 저항분압회로로부터의 분압전압이, 출력단자가 반전 입력단자에 접속된 연산증폭기(OP2)의 비반전 입력단자로 공급되며, 그 연산증폭기(OP2)의 출력전압이, 저항기(R7)를 통해, 연산증폭기(OP3)의 반전 입력단자에 공급된다. 또한, 저항기(R1 - R8)의 저항치를 부호 R1 - R8로 표시할 때, 이러한 저항치(R1 - R8)는, 다음의 (6)식의 관계를 만족하도록 설정된다.
R1/R2 = R3/R4, R5/R6 = R7/R8 (6)
승압형 DC-DC 변환기로 구성되는 전원장치(PS1)는, 감산회로(SUB)의 연산증폭기(OP3)의 출력전압을, 기준전압원(h)의 기준전압과 비교하는 비교기(g)와, NOR 게이트(i, j)와, p형 MOS-FET(k)과, 다이오드(m)로 구성되어 있다. 레벨 비교기(g)의 비교출력이 NOR 게이트(j)에 입력되며, 분주기(FD)로부터의 클락(clk)이 NOR 게이트(i)에 입력되며, 한 쪽의 NOR 게이트(i)의 출력이 다른 쪽의 NOR 게이트(j)에 입력되며, 다른 쪽의 NOR 게이트(j)의 출력이 한 쪽의 NOR 게이트(i)에 입력되며, 한 쪽의 NOR 게이트(i)의 출력이, pMOS-FET(k)의 게이트에 입력된다. MOS-FET(k)의 소스가 접지됨과 동시에, 그 드레인이 다이오드(m)의 애노드에 접속되며, 그 캐소드로부터의 가변전원전압(Vcc)이, 출력 트랜지스터(Qb) 및 반도체 레이저(SL)의 직렬회로에 인가됨과 동시에, 스위치 부착 전류원회로(SIK)에 인가된다.
그리고, 도 3에 도시한 바와 같이, 전원장치(PS)의 가변전원전압(Vcc) 및 피크-홀드회로(PH)의 피크-홀드전압(Vh)의 차의 전압(Vcc-Vh)이 일정(거의 일정)의 전압(Vconst)이 되도록, 감산회로(SUB)로부터의 감산출력전압을 전원장치(PS1)의 레벨 비교기(g)로 공급하며, 전원장치(PS1)의 가변전원전압(Vcc)을 제어한다.
또한, 이 도 4의 예에서는, 분주기(FD)로부터의 클락(clk)을, 전원장치(PS1)의 NOR 게이트(i)에 입력함으로써, 전원장치(PS1)로부터의 클락(CLK)이 반도체 레이저(SL)의 발광파형으로 들어가는 것을 감소시키는 것이 가능하다.
이하에, 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시의 형태의 반도체 레이저의 레이저 전원제어장치의 또 다른 일 예를 상세하게 설명하더라도, 도 5에 있어서, 도 2, 도 3 및 도 4와 대응하는 부분에는, 동일부호를 부여하고, 일부 중복설명을 생략한다. 이 예에서는, 도 4의 승압형 DC-DC 변환기로 구성되는 전원장치(PS1) 대신에, 직렬 조절기로 구성되는 가변전원장치(PS2)를 사용하는 경우이다.
도 4의 예와 동일한 감산회로(SUB)의 연상증폭기(OP3)로부터의 출력전압을, 전원장치(PS2)의 기준전압원(h)의 기준전압과 비교하는 비교기(g)에 공급한다. 이 전원장치(PS2)는, 기준전압원(h) 및 비교기(g)외에, 예를 들면, NPN형 트랜지스터(n)를 구비하며, 비교기(g)의 비교출력을, 트랜지스터(n)의 베이스에 공급하도록 한다. 그리고, 트랜지스터(n)의 콜렉터에, 직류전원(DS)으로부터의 일정의 직류전압(기준전압)(예를 들면, +10V)을 인가한다. 그리고, 레벨 비교기(g)로부터의 비교출력에 의해, 트랜지스터(n)의 콜렉터 및 에미터 사이의 임피던스를 제어한다. 즉, 전원장치(PS2)의 가변전원전압(Vcc) 및 피크-홀드회로(PH)의 피크-홀드전압(Vh)의 차의 전압(Vcc-Vh)이 일정(거의 일정)의 전압(Vconst)이 되도록, 감산회로(SUB)로부터의 감산출력을 전원장치(PS2)에 공급하여, 전원장치(PS2)의 가변전원전압(Vcc)을 제어한다.
도 5의 경우, 입력단자(T2)로부터의 제어신호(CS)는, 직접 스위치 부착 전류원회로(SIK)에 공급된다.
이 도 5의 반도체 레이저의 레이저 전원제어회로의 일 예에서는. 소비전력을, 출력 트랜지스터(Qb)와, 전원장치(PS2)의 트랜지스터( n)로 분산하도록 하고 있다.
제 1의 발명에 의하면, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로에 가변전원전압을 인가하고, 그 가변전원전압 및 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 거의 일정하게 되도록, 가변전원전압을 제어하므로, 출력 트랜지스터에 있어서 소비전력을 저감하는 것이 가능한 반도체 레이저의 레이저 전원제어방법을 얻는 것이 가능하다.
제 2의 발명에 의하면, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로와, 그 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와, 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와, 가변전원전압 및 피크-홀드전압의 차의 전압이 거의 일정의 전압이 되도록, 가변전원장치를 제어하는 제어수단을 가지므로, 출력 트랜지스터에 있어서의 소비전력을 저감하는 것이 가능한 반도체 레이저의 레이저 전원제어장치를 얻는 것이 가능하다.
제 3의 발명에 의하면, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 광자기 기록매체에 조사하여 가열하고, 광자기 기록매체의 가열된 부분에 기록정보에 기초하여 자계를 부여하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자기 기록매체에 상기 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 정보를 재생하도록 하는 광자기 기록매체의 기록재생방법에 있어서, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로에 가변전원전압을 인가하고, 그 가변전원전압 및 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 거의 일정하게 되도록, 가변전원전압을 제어하므로, 출력 트랜지스터에 있어서 소비전력을 저감하는 것이 가능한 광자기 기록매체의 기록재생방법을 얻는 것이 가능하다.
제 4의 발명에 의하면, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 발생하는 광학헤드와, 광자기 기록매체에, 기록정보에 기초하여 자계를 부여하는 자계발생수단을 가지며, 광학헤드로부터의 수속 레이저광을 광자기 기록매체에 조사하여 가열하고, 광자기 기록매체의 가열된 부분에, 자계발생수단으로부터의 자계를 부여하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자기 기록매체에 상기 광학헤드로부터의 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 재생정보신호를, 광학헤드에 의해 얻어지도록 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치에 있어서, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로와, 그 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와, 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와, 가변전원전압 및 상기 피크-홀드전압의 차의 전압이 거의 일정의 전압이 되도록, 가변전원장치를 제어하는 제어수단을 가지므로, 출력 트랜지스터에 있어서의 소비전력을 저감하는 것이 가능한 광자기 기록매체의 기록재생장치를 얻는 것이 가능하다.
제 5의 발명에 의하면, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여, 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광을 광기록매체에 조사하여, 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광기록매체에 상기 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 정보를 재생하도록 하는 광기록매체의 기록재생방법에 있어서, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로에 가변전원전압을 인가하고, 그 가변전원전압 및 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 거의 일정하게 되도록, 가변전원전압을 제어하도록 하므로, 출력 트랜지스터에 있어서 소비전력을 저감하는 것이 가능한 광기록매체의 기록재생방법을 얻는 것이 가능하다.
제 6의 발명에 의하면, 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여, 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광 및 정보에 의해 광변조 되지 않은 수속 레이저광을 발생하는 광학헤드를 가지며, 광학헤드로부터의 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광을 광기록매체에 조사하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자기 기록매체에 상기 광학헤드로부터의 정보에 의해 광변조 되지 않은 수속 레이저광을 조사하고, 그 정보가 기록된 광기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 재생정보신호를, 광학헤드에 의해 얻어지도록 하는 광기록매체의 기록재생장치에 있어서, 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로와, 그 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와, 상기 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와, 가변전원전압 및 상기 피크-홀드전압의 차의 전압이 거의 일정의 전압이 되도록, 가변전원장치를 제어하는 제어수단을 가지므로, 출력 트랜지스터에 있어서 소비전력을 저감하는 것이 가능한 광기록매체의 기록재생장치를 얻는 것이 가능하다.
제 1 - 제 6의 발명에 의하면, 출력 트랜지스터의 소비전력을 저감하는 것이 가능하며, 출력 트랜지스터에 대한 방열기는 불필요하며, 또한, 필요한 경우에 있어서도, 소형의 것도 괜찮다.
제 1 - 제 6의 발명에 의하면, 출력 트랜지스터의 소비전력을 저감하는 것이 가능하며, 반도체 레이저나 그 반도체 레이저의 근방에 설치된 레이저 전원제어회로의 온도상승을 작게 하는 것이 가능하기 때문에, 반도체 레이저와 광학헤드와 레이저 전원제어회의 동작불량과 수명저하를 방지하는 것이 가능하다. 게다가, 이것을 탑재한 장치의 온도상승한계에 의해, 그 장치의 크기가 소정의 크기 이상으로 되지 않으면 안 되는 경우에, 그 장치의 소형화가 가능하게 된다.
일반적으로, 반도체 레이저는, 경시동작중에 동작전압이 상승하고, 그것이 반도체 레이저의 레이저 전원제어회로의 출력 트랜지스터의 전원전압에 근접하기 때문에 수명을 다하나, 제 1 - 제 6의 발명에 의하면, 그 전원전압을 종래보다 높아지게 하는 것이 가능하므로, 반도체 레이저의 수명을 연장하는 것이 가능하다.
제 1 - 제 6의 발명에 있어서, 반도체 레이저가 고출력 자색 반도체 레이저가 되는 경우에는, 출력 트랜지스터에 있어서 소비전력을 저감하는 효과가 현저하게 된다.











Claims (31)

  1. 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 단계와,
    제어 수단으로부터 아날로그 제어신호를 전원 장치에 공급함으로써 상기 가변전원전압을 제어하여, 상기 가변전원전압 및 상기 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 일정하게 되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어방법.
  2. 출력 트랜지스터 및 반도체 레이저의 직렬회로와,
    상기 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와,
    상기 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와,
    상기 가변전원장치를 제어하는 제어수단을 가지며,
    상기 제어 수단으로부터 아날로그 제어신호를 전원 장치에 공급함으로써, 상기 가변전원전압 및 상기 피크-홀드전압의 차의 전압이 일정의 전압이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제어수단은, 마이크로 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 가변전원장치의 가변전원전압으로부터, 상기 피크-홀 드회로의 피크-홀드전압을 감산하는 감산회로가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, DC-DC변환기가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, 승압형 DC-DC 변환기가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, 직렬 조절기가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 레이저는, 고출력 자색 반도체 레이저가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어방법.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 반도체 레이저는, 고출력 자색 반도체 레이저가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저의 레이저전원 제어장치.
  10. 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 광자기 기록매체에 조사하여 가열하고, 상기 광자기 기록매체의 가열된 부분에 기록정보에 기초하여 자계를 부여하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자기 기록매체에 상기 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 조사하고, 상기 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 정보를 재생하도록 하는 광자기 기록매체의 기록재생방법에 있어서,
    상기 반도체 레이저와, 상기 반도체 레이저를 구동하는 반도체 레이저 구동회로에 포함된 출력 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있는 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 단계와,
    제어 수단으로부터 감산출력전압을 전원 장치에 공급함으로써 상기 가변전원전압을 제어하여, 상기 가변전원전압 및 상기 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 일정하게 되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생방법.
  11. 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 발생하는 광학헤드와, 광자기 기록매체에, 기록정보에 기초하여 자계를 부여하는 자계발생수단을 가지며, 상기 광학헤드로부터의 수속 레이저광을 광자기 기록매체에 조사하여 가열하고, 상기 광자기 기록매체의 가열된 부분에, 상기 자계발생수단으로부터의 자계를 부여하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광자기 기록매체에 상기 광학헤드로부터의 수속 레이저광을 조사하고, 상기 정보가 기록된 광자기 기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 재생정보신호를, 상기 광학헤드에 의해 얻어지도록 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치에 있어서,
    상기 반도체 레이저와, 상기 반도체 레이저를 구동하는 반도체 레이저 구동회로에 포함된 출력 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있는 직렬회로와,
    상기 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와,
    상기 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와,
    상기 가변전원장치를 제어하는 제어 수단을 가지며,
    상기 제어 수단으로부터 감산출력전압을 전원 장치에 공급함으로써, 상기 가변전원전압 및 상기 피크-홀드전압의 차의 전압이 일정의 전압이 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 반도체 레이저 구동회로의 제어전압은, 기록시는, 소정의 진폭전압을 가지는 펄스전압이며, 재생시는, 상기 소정의 진폭전압보다 낮은 소정의 일정전압이 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 반도체 레이저 구동회로의 제어전압은, 기록시는, 소정의 진폭전압을 가지는 펄스전압이며, 재생시는, 상기 소정의 진폭전압보다 낮은 소정의 일정전압이 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 제어수단은, 마이크로 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 가변전원장치의 가변전원전압으로부터, 상기 피크-홀드회로의 피크-홀드전압을 감산하는 감산회로가 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, DC-DC변환기가 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치.
  17. 제 11항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, 승압형 DC-DC 변환기가 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치.
  18. 제 11항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, 직렬 조절기가 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치.
  19. 제 10항에 있어서,
    상기 반도체 레이저는, 고출력 자색 반도체 레이저가 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생방법.
  20. 제 11항에 있어서,
    상기 반도체 레이저는, 고출력 자색 반도체 레이저가 되는 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체의 기록재생장치.
  21. 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여, 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광을 광기록매체에 조사하여, 상기 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광기록매체에 상기 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여 수속 레이저광을 조사하고, 상기 정보가 기록된 광기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 정보를 재생하도록 하는 광기록매체의 기록재생방법에 있어서,
    상기 반도체 레이저와, 상기 반도체 레이저를 구동하는 반도체 레이저 구동회로에 포함된 출력 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있는 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 단계와,
    제어 수단으로부터 감산출력전압을 전원 장치에 공급함으로써 상기 가변전원전압을 제어하여, 상기 가변전원전압 및 상기 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압의 차가 일정하게 되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생방법.
  22. 반도체 레이저로부터의 레이저광에 기초하여, 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광 및 정보에 의해 광변조되지 않은 수속 레이저광을 발생하는 광학헤드를 가지며, 상기 광학헤드로부터의 정보에 의해 광변조된 레이저광의 수속 레이저광을 광기록매체에 조사하여 정보를 기록함과 동시에, 정보가 기록된 광기록매체에 상기 광학헤드로부터의 정보에 의해 광변조되지 않은 수속 레이저광을 조사하고, 상기 정보가 기록된 광기록매체로부터의 출사 레이저광에 기초하여, 재생정보신호를, 상기 광학헤드에 의해 얻어지도록 하는 광기록매체의 기록재생장치에 있어서,
    상기 반도체 레이저와, 상기 반도체 레이저를 구동하는 반도체 레이저 구동회로에 포함된 출력 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있는 직렬회로와,
    상기 직렬회로에 가변전원전압을 인가하는 가변전원장치와,
    상기 반도체 레이저의 동작전압의 피크-홀드전압을 얻는 피크-홀드회로와,
    상기 가변전원장치를 제어하는 감산 수단을 가지며,
    상기 제어 수단으로부터 감산출력전압을 전원 장치에 공급함으로써, 상기 가변전원전압 및 상기 피크-홀드전압의 차의 전압이 일정의 전압이 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치.
  23. 제 21에 있어서,
    상기 반도체 레이저 구동회로의 제어전압은, 기록시는, 소정의 진폭전압을 가지는 펄스전압이며, 재생시는, 상기 소정의 진폭전압보다 낮은 소정의 일정전압이 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생방법.
  24. 제 22항에 있어서,
    상기 반도체 레이저 구동회로의 제어전압은, 기록시는, 소정의 진폭전압을 가지는 펄스전압이며, 재생시는, 상기 소정의 진폭전압보다 낮은 소정의 일정전압이 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치.
  25. 제 22항에 있어서,
    상기 제어수단은, 마이크로 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치.
  26. 제 22항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 가변전원장치의 가변전원전압으로부터, 상기 피크-홀드회로의 피크-홀드전압을 감산하는 감산회로가 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치.
  27. 제 22항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, DC-DC변환기가 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치.
  28. 제 22항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, 승압형 DC-DC 변환기가 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치.
  29. 제 22항에 있어서,
    상기 가변전원장치는, 직렬 조절기가 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치.
  30. 제 21항에 있어서,
    상기 반도체 레이저는, 고출력 자색 반도체 레이저가 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생방법.
  31. 제 22항에 있어서,
    상기 반도체 레이저는, 고출력 자색 반도체 레이저가 되는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 기록재생장치.
KR1020027009111A 2000-11-17 2001-11-16 반도체 레이저의 레이저 전원제어방법 및 제어장치와 광자기 기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치와 광기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치 KR100873957B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000351407A JP2002158395A (ja) 2000-11-17 2000-11-17 半導体レーザのレーザパワー制御方法及び制御装置並びに光磁気記録媒体の記録再生方法及び記録再生装置並びに光記録媒体の記録再生方法及び記録再生装置
JPJP-P-2000-00351407 2000-11-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020070339A KR20020070339A (ko) 2002-09-05
KR100873957B1 true KR100873957B1 (ko) 2008-12-12

Family

ID=18824473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027009111A KR100873957B1 (ko) 2000-11-17 2001-11-16 반도체 레이저의 레이저 전원제어방법 및 제어장치와 광자기 기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치와 광기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7190641B2 (ko)
JP (1) JP2002158395A (ko)
KR (1) KR100873957B1 (ko)
CN (5) CN1941097A (ko)
TW (1) TWI277263B (ko)
WO (1) WO2002041457A1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050118291A (ko) * 2003-03-27 2005-12-16 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 방사원 구동장치 및 방사원을 구동하는 방법
US20090040904A1 (en) * 2003-11-18 2009-02-12 Toshio Matsumoto Laser Driving Device, Optical Head Incorporating Laser Driving Device, and Optical Disk Apparatus
TWI306251B (en) * 2004-06-18 2009-02-11 Tian Holdings Llc System of sampleing interface for pick-up head
TWI303821B (en) * 2004-06-30 2008-12-01 Tian Holdings Llc System and circuit for the sampling interface of pick-up head
JP4945918B2 (ja) * 2005-04-21 2012-06-06 ソニー株式会社 Ｌｅｄ駆動装置
WO2006137303A1 (ja) 2005-06-20 2006-12-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体レーザ駆動回路、並びに半導体レーザ駆動回路を備える光ディスク装置及び集積回路
WO2007138774A1 (ja) 2006-05-31 2007-12-06 Panasonic Corporation 半導体光源装置及び発光素子駆動回路
JP4736967B2 (ja) 2006-06-14 2011-07-27 株式会社日立製作所 光ディスク装置、および、情報記録方法
EP2123128B1 (en) * 2007-03-15 2013-06-05 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Driver circuit for loads such as led, oled or laser diodes
JP2008276843A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Hitachi Ltd レーザー駆動方法及び光ディスク記録再生装置
JP5035054B2 (ja) 2008-03-19 2012-09-26 住友電気工業株式会社 半導体レーザ駆動回路
US20090274185A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Microvision, Inc. Laser Drive Amplifier
US20110080533A1 (en) * 2009-10-06 2011-04-07 Microvision, Inc. Dithering Laser Drive Apparatus
US9407887B2 (en) * 2010-01-27 2016-08-02 Microvision, Inc. Controlled light source startup in a display
JP2012094219A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Sony Corp 光記録媒体、記録装置
CN104904142B (zh) * 2014-12-23 2019-03-19 索尔思光电（成都）有限公司 适用于双速率功率点补偿的电路，光模块，方法及光通信系统
JP2017103292A (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 株式会社フジクラ レーザ装置およびアクティブ光ケーブル
JP6772637B2 (ja) * 2016-08-01 2020-10-21 株式会社島津製作所 半導体発光素子駆動回路
CN109326954B (zh) * 2017-07-31 2024-01-26 科大国盾量子技术股份有限公司 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块
CN108776277B (zh) * 2018-07-04 2020-10-09 歌尔股份有限公司 激光器检测装置以及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11213426A (ja) 1998-01-27 1999-08-06 Hitachi Ltd 光ディスク装置
US6111901A (en) 1995-08-18 2000-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser driving circuit, semiconductor laser device, image recording apparatus, and optical disk apparatus
JP2000244052A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Sharp Corp 半導体レーザ駆動装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5729511A (en) * 1991-02-15 1998-03-17 Discovision Associates Optical disc system having servo motor and servo error detection assembly operated relative to monitored quad sum signal
JPH06275901A (ja) 1993-03-22 1994-09-30 Alps Electric Co Ltd レーザ光源の駆動回路
JPH06334247A (ja) 1993-05-20 1994-12-02 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザの駆動制御回路及び駆動回路
US5946334A (en) * 1996-03-27 1999-08-31 Ricoh Company, Inc. Semiconductor laser control system
JP3725235B2 (ja) * 1996-03-29 2005-12-07 富士通株式会社 発光素子駆動回路及びこれを有する発光装置
JP3823262B2 (ja) 1996-06-19 2006-09-20 株式会社トプコン レーザー発振装置
JPH10247329A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Toshiba Corp 半導体装置及びこれを含む光ピックアップ光学系ユニット及びこれを含む光ピックアップ装置
JP3528612B2 (ja) * 1998-02-02 2004-05-17 株式会社日立製作所 光ディスク装置
US6345062B1 (en) * 1998-03-11 2002-02-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser control circuit, semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus
US6339579B1 (en) * 1998-04-09 2002-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser diode driving device and driving method
JP3718759B2 (ja) * 1999-01-25 2005-11-24 株式会社日立製作所 レーザ駆動装置および光ディスク記録再生装置
JP2000223770A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Toshiba Corp レーザ駆動回路
WO2001009883A1 (fr) * 1999-07-30 2001-02-08 Hitachi, Ltd. Unite de disque optique
JP3528692B2 (ja) * 1999-07-30 2004-05-17 株式会社日立製作所 情報記録再生装置、レーザドライバ、および、レーザドライバの駆動方法
WO2001022412A1 (fr) * 1999-09-20 2001-03-29 Hitachi, Ltd. Appareil d'enregistrement/reproduction d'information
JP3834485B2 (ja) * 2001-05-28 2006-10-18 株式会社日立製作所 レーザ駆動装置とそれを用いた光ディスク装置、及びそのレーザ制御方法
JP4520109B2 (ja) * 2003-05-26 2010-08-04 パナソニック株式会社 レーザーパワー制御回路
JP4715198B2 (ja) * 2004-12-27 2011-07-06 ソニー株式会社 レーザ駆動装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111901A (en) 1995-08-18 2000-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser driving circuit, semiconductor laser device, image recording apparatus, and optical disk apparatus
JPH11213426A (ja) 1998-01-27 1999-08-06 Hitachi Ltd 光ディスク装置
JP2000244052A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Sharp Corp 半導体レーザ駆動装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI277263B (en) 2007-03-21
US20070147452A1 (en) 2007-06-28
WO2002041457A1 (fr) 2002-05-23
CN1249871C (zh) 2006-04-05
CN1406405A (zh) 2003-03-26
US20050117615A1 (en) 2005-06-02
CN1941098A (zh) 2007-04-04
US7656753B2 (en) 2010-02-02
CN1897126A (zh) 2007-01-17
JP2002158395A (ja) 2002-05-31
US7190641B2 (en) 2007-03-13
CN1941097A (zh) 2007-04-04
CN1941096A (zh) 2007-04-04
CN1897126B (zh) 2011-06-08
KR20020070339A (ko) 2002-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100873957B1 (ko) 반도체 레이저의 레이저 전원제어방법 및 제어장치와 광자기 기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치와 광기록매체의 기록재생방법 및 기록재생장치
US6345062B1 (en) Semiconductor laser control circuit, semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus
KR100715127B1 (ko) 광학 정보 재생 장치 및 광학 정보 재생 장치의 광량 설정 방법
US20090086603A1 (en) Light emitting element drive circuit and information recording/reproducing apparatus using such circuit
US6990130B2 (en) Semiconductor laser optical output control circuit and optical device
JPH0963093A (ja) レーザ光出力制御回路
WO1990001206A1 (en) Laser diode driving apparatus
US7079460B2 (en) Optical power level-controlling device for stable oscillation of laser diode
KR20070027936A (ko) 레이저 다이오드 구동회로 및 그 제어방법과 레이저다이오드 구동용 반도체 집적회로
JP4478539B2 (ja) レーザダイオードの駆動装置
EP1439531A2 (en) Apparatus and apparatus to control intensity of light beam, optical recording apparatus and recording medium with control program
JP3440497B2 (ja) レーザダイオード駆動回路
JP3546521B2 (ja) レーザ光出力制御回路
JPH09115167A (ja) レーザ光出力制御回路
JP2004326843A (ja) 情報記録装置及び情報記録方法
KR100246480B1 (ko) 레이저 다이오드 드라이버의 구동장치
KR0153902B1 (ko) 기록가능한 광디스크용 레이저파워 변조회로
KR0119889B1 (ko) 광픽업의 자동 레이저파워 제어장치
JPH04255945A (ja) 光磁気情報記録再生装置
KR970006886Y1 (ko) 미니디스크플레이어의 레이저출력제어장치
JPH08186310A (ja) レーザダイオード駆動回路
JPH0541567Y2 (ko)
JPH08186312A (ja) レーザダイオード駆動回路
JP2006521656A (ja) 放射源を駆動する放射源駆動装置及び方法
JPH0512697A (ja) 光デイスク装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111129

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee