KR100870608B1 - 열처리 방법 및 열처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 열처리 방법 및 열처리 장치를 제공하는 것이다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 복수매의 반도체 웨이퍼(W)를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입한다. 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입하면 반응관(2) 내를 반도체 웨이퍼(W) 또는 웨이퍼 보트(11)의 치핑이 반응관(2) 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 치핑을 반응관(2) 밖으로 배출 가능한 압력으로 유지한 상태에서 반응관(2) 내를 소정의 온도로 승온한다.
열처리 장치, 웨이퍼 보트, 반응관, 반도체 웨이퍼
Description
도1은 본 발명의 실시 형태의 열처리 장치를 도시하는 도면.
도2는 본 발명의 실시 형태의 열처리 방법을 설명하기 위한 레시피를 나타낸 도면.
도3은 본 발명의 실시 형태의 열처리 방법을 설명하기 위한 레시피를 나타낸 도면.
도4는 본 발명의 실시 형태의 열처리 방법을 설명하기 위한 레시피를 나타낸 도면.
도5는 감압 타이밍, 감압 속도를 변화시킨 경우의 반도체 웨이퍼 상에 부착된 파티클의 부착 상태를 도시하는 도면.
도6은 승온 속도 및 승온시 압력을 변화시킨 경우의 반도체 웨이퍼 상에 부착된 파티클 수를 나타낸 표.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 열처리 장치
2 : 반응관
3 : 정상부
4 : 배기구
5 : 배기관
6 : 덮개
7 : 보온 통
8 : 히터
9 : 지지체
10 : 회전 테이블
11 : 웨이퍼 보트
12 : 회전 지주
13 : 회전 기구
14 : 회전축
15 : 회전 도입부
16 : 승온용 히터
17 : 처리 가스 도입관
18 : 퍼지 가스 공급관
100 : 제어부
W : 반도체 웨이퍼
본 발명은 열처리 방법 및 열처리 장치에 관한 것으로, 상세하게는 피처리체, 예를 들어 반도체 웨이퍼에의 파티클의 부착을 억제하는 열처리 방법 및 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 처리에 의해 피처리체, 예를 들어 반도체 웨이퍼에 열처리를 실시하는 열처리 장치가 이용되고 있다. 예를 들어, 열처리 장치로서 배치식 종형 열처리 장치를 이용한 경우에는 이하와 같은 열처리가 행해진다.
우선, 열처리 장치의 반응관 내를 히터에 의해 소정의 로드 온도, 예를 들어 400 ℃로 승온(가열)하여 복수매의 반도체 웨이퍼를 수용한 웨이퍼 보트를 로드한다. 다음에, 반응관 내를 히터에 의해 소정의 처리 온도, 예를 들어 800 ℃로 가열하는 동시에, 배기 포트로부터 반응관 내의 가스를 배기하여 반응관 내를 소정의 압력, 예를 들어 53.2 Pa(0.4 Torr)로 감압한다. 반응관 내가 소정의 온도 및 압력으로 유지되면 처리 가스 도입관으로부터 반응관 내로 처리 가스를 공급한다. 반응관 내에 처리 가스가 공급되면, 예를 들어 처리 가스가 열 반응을 일으켜 열 반응에 의해 생성된 반응 생성물이 반도체 웨이퍼의 표면에 퇴적되고, 반도체 웨이퍼의 표면에 박막이 형성되도록 반도체 웨이퍼에 소정의 처리가 실시된다.
그런데, 반응관 내를 소정의 압력으로 감압하는 동시에 로드 온도로부터 처리 온도까지 승온하면 치핑(반도체 웨이퍼나 웨이퍼 보트의 조각)이 발생해 버린다. 이와 같이 치핑이 발생하는 것은 반도체 웨이퍼를 구성하는 실리콘과, 웨이퍼 보트를 구성하는 석영과의 열팽창율의 차이에 의한 팽창차에 기인하여 반도체 웨이 퍼와 웨이퍼 보트의 접촉 부분이 마찰되어 반도체 웨이퍼나 웨이퍼 보트가 걸려 버리기 때문이다. 그리고, 발생한 치핑이 그 하방의 반도체 웨이퍼에 낙하하여 반도체 웨이퍼 상에 파티클이 부착하게 되는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 예를 들어 웨이퍼 보트의 반입 속도를 빠르게 하는 동시에, 상압 하에서 반응관 내를 소정의 처리 온도로 가열한 후에 반응관 내를 감압함으로써 파티클의 발생을 억제하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 1).
[특허 문헌 1]
일본 특허 공개 2003-100645호 공보
그런데, 최근, 반도체 장치의 제조에 있어서는 소품종 대량 생산으로부터 다품종 변량 생산으로 이행하고 있다. 다품종 변량 생산에 대응하기 위해서는 제조 장치의 단TAT(Turn Around Time)성이 중요하고, 예를 들어 반응관 내를 로드 온도로부터 처리 온도까지 승온하는 승온 속도를 빠르게 할 필요가 있다.
이로 인해, 특허 문헌(1)에 기재된 승온 속도(5 ℃/분)와 같이 천천히 승온하는 것은 아니고, 예를 들어 50 ℃/분 내지 200 ℃/분과 같이 승온 속도를 빠르게 하여 로드 온도로부터 처리 온도까지 승온하는 동시에 소정의 감압 속도, 예를 들어 532 Pa(4 Torr)/초의 감압 속도로 반응관 내를 소정의 압력으로 감압하는 것이 요구되고 있다.
그러나, 이와 같이 승온 속도를 대폭으로 빠르게 하면, 반도체 웨이퍼와 웨 이퍼 보트의 접촉 부분이 더욱 마찰되기 쉬워져 치핑(파티클)이 발생하기 쉬워진다. 이 결과, 반도체 웨이퍼 상에 파티클이 부착되기 쉬워져 버린다. 또한, 생산성, 비용 향상의 관점으로부터 반도체 웨이퍼의 대구경화가 진행되고 있지만, 반도체 웨이퍼의 구경이 커지면 치핑(파티클)은 더욱 발생하기 쉬워진다. 한편, 반도체 웨이퍼 상에 부착되는 파티클의 저감에 관한 요구는 점점 엄격해지고 있다.
본 발명은, 상기 문제에 비추어 이루어진 것으로, 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 열처리 방법 및 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 관점에 관한 열처리 방법은,
복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 방법이며,
상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 공정과,
상기 반입 공정에서 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 공정을 구비하고,
상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내의 승온을 개시한 후 1분 내지 5분 후에 반응실 내의 감압을 개시하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 반응실 내의 승온을 개시한 후 1분 내지 5분 후에 반응실 내의 감압을 개시하므로, 반응실 내를 상압에 가까운 고압 하에서 승온(가열)하는 시간이 길어진다. 이로 인해, 반응실 내의 가열에 의해 발생하는 피처리체 또는 보유 지지구의 치핑(파티클)이 반응실 밖으로 배출되기 쉬워져 피처리체에의 파티 클의 부착을 억제할 수 있다.
본 발명의 제2 관점에 관한 열처리 방법은,
복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 방법이며,
상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 공정과,
상기 반입 공정에서 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 공정을 구비하고,
상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내를 승온하는 동시에, 66.5 Pa/초 내지 266 Pa/초의 감압 속도로 소정의 압력으로 감압하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 반응실 내를 승온하는 동시에, 66.5 Pa/초 내지 266 Pa/초 미만의 감압 속도로 소정의 압력으로 감압하므로, 반응실 내를 상압에 가까운 고압 하에서 승온(가열)하는 시간이 길어진다. 이로 인해, 반응실 내의 가열에 의해 발생하는 피처리체 또는 보유 지지구의 치핑(파티클)이 반응실 밖으로 배출되기 쉬워져 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
본 발명의 제3 관점에 관한 열처리 방법은,
복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 방법이며,
상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 공정과,
상기 반입 공정에서 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 공정을 구비하고,
상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내를 상기 피처리체 또는 상기 보유 지지구의 치핑이 반응실 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 상기 치핑을 반응실 밖으로 배출 가능한 상기 감압한 압력보다 높은 압력으로 유지한 상태에서 상기 반응실 내를 소정의 온도로 승온하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 반응실 내를 피처리체 또는 보유 지지구의 치핑이 반응실 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 치핑을 반응실 밖으로 배출 가능한 감압한 압력보다 높은 압력으로 유지한 상태에서 반응실 내를 소정의 온도로 승온하므로, 반응실 내의 승온(가열)에 의해 발생한 치핑이 반응실 밖으로 배출되기 쉬워져 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내를 133 Pa 미만까지 일단 감압한 후, 상기 반응실 내를 133 Pa 내지 2660 Pa로 유지한 상태에서 상기 반응실 내를 소정의 온도로 승온하는 것이 바람직하다.
상기 승온 감압 공정에서는 불활성 가스를 반응실 내에 공급하는 것이 바람직하다. 이 경우, 발생한 치핑이 반응실 밖으로 더욱 배출되기 쉬워져 피처리체에의 파티클의 부착을 더욱 억제할 수 있다. 상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내에 적어도 10 리터/분의 불활성 가스를 공급하는 것이 바람직하다.
상기 피처리체로서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼가 이용된다. 또한, 상기 보유 지지구는, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다.
본 발명의 제4 관점에 관한 열처리 장치는,
복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 장치이며,
상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지하는 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 수단과,
상기 반입 수단으로 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 수단과,
상기 반응실 내의 승온을 개시한 후 1분 내지 5분 후에 반응실 내의 감압을 개시하도록 상기 승온 감압 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 반응실 내의 승온을 개시한 후 1분 내지 5분 후에 반응실 내의 감압을 개시하도록 제어되므로, 반응실 내를 상압에 가까운 고압 하에서 승온(가열)하는 시간이 길어진다. 이로 인해, 반응실 내의 가열에 의해 발생하는 피처리체 또는 보유 지지구의 치핑(파티클)이 반응실 밖으로 배출되기 쉬워져 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
본 발명의 제5 관점에 관한 열처리 장치는,
복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 장치이며,
상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지하는 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 수단과,
상기 반입 수단으로 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 수단과,
상기 반응실 내를 승온하는 동시에, 66.5 Pa/초 내지 266 Pa/초의 감압 속도로 소정의 압력으로 감압하도록 상기 승온 감압 수단을 제어하는 제어 수단을 구비 하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 반응실 내를 승온하는 동시에, 66.5 Pa/초 내지 266 Pa/초 미만의 감압 속도로 소정의 압력으로 감압하도록 제어되므로, 반응실 내를 상압에 가까운 고압 하에서 승온(가열)하는 시간이 길어진다. 이로 인해, 반응실 내의 가열에 의해 발생하는 피처리체 또는 보유 지지구의 치핑(파티클)이 반응실 밖으로 배출되기 쉬워져 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
본 발명의 제6 관점에 관한 열처리 장치는,
복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 장치이며,
상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지하는 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 수단과,
상기 반입 수단으로 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 수단과,
상기 반응실 내를 상기 피처리체 또는 상기 보유 지지구의 치핑이 반응실 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 상기 치핑을 반응실 밖으로 배출 가능한 상기 감압한 압력보다 높은 압력으로 유지한 상태에서 상기 반응실 내를 소정의 온도로 승온하도록 상기 승온 감압 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 반응실 내를 피처리체 또는 보유 지지구의 치핑이 반응실 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 치핑을 반응실 밖으로 배출 가능한 감압한 압력보다 높은 압력으로 유지한 상태에서 반응실 내를 소정의 온도로 승 온하도록 제어되므로, 발생한 치핑이 반응실 밖으로 배출되기 쉬워져 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
상기 제어 수단은 상기 반응실 내를 133 Pa 미만까지 일단 감압한 후, 상기 반응실 내를 133 Pa 내지 2660 Pa로 유지한 상태에서 상기 반응실 내를 소정의 온도로 승온하도록 상기 승온 감압 수단을 제어하는 것이 바람직하다.
상기 반응실 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 수단을 더욱 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 제어 수단은 상기 승온 감압 수단을 제어하여 상기 반응실 내를 승온 및 감압하는 동시에, 상기 불활성 가스 공급 수단을 제어하여 상기 반응실 내에 불활성 가스를 공급한다.
상기 제어 수단은 상기 승온 감압 수단을 제어하여 상기 반응실 내를 승온 및 감압하는 동시에, 상기 불활성 가스 공급 수단을 제어하여 상기 반응실 내에 적어도 10 리터/분의 불활성 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 상기 피처리체로서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼가 있다. 또한, 상기 보유 지지구는, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 관한 열처리 방법 및 여처리 장치에 대해 도1에 도시하는 배치식 종형 열처리 장치(1)의 경우를 예로 설명한다.
도1에 도시한 바와 같이, 열처리 장치(1)는 길이 방향이 수직 방향을 향하게 된 대략 원통형의 반응관(2)을 구비하고 있다. 반응관(2)은 내열 재료, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다.
반응관(2)의 상단부에는 상단부측의 직경이 직경 축소되도록 대략 원추형으 로 형성된 정상부(3)가 설치되어 있다. 정상부(3)의 중앙에는 반응관(2) 내의 가스를 배기하기 위한 배기구(4)가 설치되어 있다. 배기구(4)에는 배기관(5)이 기밀하게 접속되어 있다. 배기관(5)에는 도시하지 않은 밸브, 진공 펌프 등의 압력 조정 기구가 설치되어 반응관(2) 내를 원하는 압력(진공도)으로 제어한다.
반응관(2)의 하방에는 덮개(6)가 배치되어 있다. 덮개(6)는 도시하지 않은 보트 엘리베이터에 의해 상하 이동 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 보트 엘리베이터에 의해 덮개(6)가 상승하면 반응관(2)의 하방측(노입구 부분)이 폐쇄되고, 보트 엘리베이터에 의해 덮개(6)가 하강하면 반응관(2)의 하방측(노입구 부분)이 개구된다.
덮개(6)의 상부에는 보온 통(7)이 설치되어 있다. 보온 통(7)은 반응관(2)의 노입구 부분으로부터의 방열에 의한 반응관(2) 내의 온도 저하를 방지하는 저항 발열체로 이루어지는 평면형의 히터(8)와, 이 히터(8)를 덮개(6)의 상면으로부터 소정의 높이로 지지하는 통형의 지지체(9)로 주로 구성되어 있다.
또한, 보온 통(7)의 상방에는 회전 테이블(10)이 설치되어 있다. 회전 테이블(10)은 피처리체, 예를 들어 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 보트(11)를 회전 가능하게 적재하는 적재대로서 기능한다. 구체적으로는, 회전 테이블(10)의 하부에는 회전 지주(12)가 설치되고, 회전 지주(12)는 히터(8)의 중앙부를 관통하여 회전 테이블(10)을 회전시키는 회전 기구(13)에 접속되어 있다. 회전 기구(13)는 도시하지 않은 모터와, 덮개(6)의 하면측으로부터 상면측으로 기밀 상태에서 관통 도입된 회전축(14)을 구비하는 회전 도입부(15)로 주로 구성되어 있다. 회전축 (14)은 회전 테이블(10)의 회전 지주(12)에 연결되어 모터의 회전력을 회전 지주(12)를 거쳐서 회전 테이블(10)로 전한다. 이로 인해, 회전 기구(13)의 모터에 의해 회전축(14)이 회전하면, 회전축(14)의 회전력이 회전 지주(12)에 전해져 회전 테이블(10)이 회전한다.
웨이퍼 보트(11)는 반도체 웨이퍼(W)가 수직 방향에 소정의 간격을 두고 복수매, 예를 들어 100매 수용 가능하게 구성되어 있다. 웨이퍼 보트(11)는, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다. 이와 같이, 회전 테이블(10) 상에 웨이퍼 보트(11)가 적재되어 있으므로, 회전 테이블(10)이 회전하면 웨이퍼 보트(11)가 회전하고, 웨이퍼 보트(11) 내에 수용된 반도체 웨이퍼(W)가 회전한다.
반응관(2)의 주위에는 반응관(2)을 둘러싸도록, 예를 들어 저항 발열체로 이루어지는 승온용 히터(16)가 설치되어 있다. 이 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2)의 내부가 소정의 온도로 가열되고, 이 결과, 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 가열된다.
반응관(2)의 하단부 근방의 측면에는 반응관(2) 내에 처리 가스를 도입하는 처리 가스 도입관(17)이 삽입 관통되어 있다. 처리 가스 도입관(17)은 도시하지 않은 메스플로우 컨트롤러(MFC)를 거쳐서 도시하지 않은 처리 가스 공급원에 접속되어 있다. 처리 가스 도입관(17)은, 예를 들어 스테인레스강(SUS)에 의해 형성되어 있다. 또한, 도1에서는 처리 가스 도입관(17)을 하나만 그리고 있지만, 예를 들어 반응관(2)의 하단부 근방의 측면에 복수개의 처리 가스 도입관(17)이 삽입 관통되어 있어도 좋다. 이 경우, 복수개의 처리 가스 도입관(17)으로부터 반응관(2) 내로 처리 가스가 공급되어 반응관(2) 내에 처리 가스를 보다 균일하게 도입할 수 있다.
또한, 반응관(2)의 하단부 근방의 측면에는 퍼지 가스 공급관(18)이 삽입 관통되어 있다. 퍼지 가스 공급관(18)에는 도시하지 않은 MFC를 거쳐서 도시하지 않은 퍼지 가스 공급원에 접속되어 있고, 원하는 양의 퍼지 가스가 반응관(2) 내에 공급된다.
또한, 배기관(5)에 설치된 압력 조정 기구, 보트 엘리베이터, 히터(8), 회전 기구(13)의 모터, 승온용 히터(16), 처리 가스 도입관(17) 및 퍼지 가스 공급관(18)에 설치된 MFC에는 제어부(100)가 접속되어 있다. 제어부(100)는 마이크로 프로세서, 프로세스 제어기 등으로 구성되어 열처리 장치(1)의 각 부의 온도나 압력 등을 측정하고, 측정 데이터를 기초로 하여 상기 각 부에 제어 신호 등을 출력하여 열처리 장치(1)의 각 부를 도2 내지 도4에 도시한 바와 같은 레시피(타임 시퀀스)에 따라서 제어한다.
다음에, 이상과 같이 구성된 열처리 장치(1)를 이용한 열처리 방법에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서는 반응관(2) 내에 처리 가스를 도입하여 반도체 웨이퍼(W) 상에 박막을 형성하는 경우를 예로 도2 내지 도4의 레시피에 나타내는 3개의 열처리 방법에 대해 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 열처리 장치(1)를 구성하는 각 부의 동작은 제어부(100)에 의해 제어되어 있다.
우선, 도2의 레시피에 나타내는 열처리 방법에 대해 설명한다. 이 열처리 방법은 도2의 안정화 공정에 있어서의 반응관(2) 내의 압력을 감압하는 감압 속도 를 느리게 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제하는 방법이다.
승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 로드 온도, 예를 들어 도2의 (a)에 도시한 바와 같이 400 ℃로 승온(가열)한다. 또한, 도2의 (c)에 도시한 바와 같이 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스를 공급한 후, 반도체 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 보트(11)를 덮개(6) 상에 적재하고, 도시하지 않은 보트 엘리베이터에 의해 덮개(6)를 상승시켜 반응관(2)을 밀봉한다(로드 공정).
다음에, 도2의 (c)에 도시한 바와 같이, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스를 공급하는 동시에, 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 성막 온도(처리 온도), 예를 들어 도2의 (a)에 도시한 바와 같이 200 ℃/분의 승온 속도로 800 ℃로 가열한다. 또한, 반응관(2) 내의 가스를 배출하여 반응관(2)을 소정의 압력, 예를 들어, 도2의 (b)에 도시한 바와 같이 53.2 Pa(0.4 Torr)로 감압한다. 이 감압 조작은 266 Pa(2 Torr)/초보다 느린 감압 속도, 예를 들어 도2의 (a)에 도시한 바와 같이 133 Pa(1 Torr)/초의 감압 속도로 반응관(2)을 53.2 Pa(0.4 Torr)로 감압한다. 그리고, 이 감압 및 가열 조작을 반응관(2)이 소정의 압력 및 온도로 안정될 때까지 행한다(안정화 공정).
여기서, 반응관(2) 내를 가열하면 반도체 웨이퍼(W)를 구성하는 실리콘과 웨이퍼 보트(11)를 구성하는 석영과의 열팽창율의 차이에 의한 팽창차에 기인하여 반도체 웨이퍼(W)와 웨이퍼 보트(11)의 접촉 부분이 마찰되어 반도체 웨이퍼(W)나 웨이퍼 보트(11)의 조각(치핑)이 발생한다. 특히, 본 실시 형태에서는 반응관(2) 내 를 200 ℃/분의 승온 속도로 가열하고 있으므로, 치핑이 발생하기 쉬워진다. 그러나, 본 실시 형태에서는 감압 속도를 266 Pa(2 Torr)/초보다 느리게 하고 있으므로, 반응관(2) 내를 상압에 가까운 고압 하에서 가열하는 시간이 길어져 발생한 치핑이 그 하방의 반도체 웨이퍼(W)에 낙하하지 않고, 배기구(4), 배기관(5)을 거쳐서 반응관(2) 밖으로 배출(퍼지 아웃)되기 쉬워진다. 이 결과, 승온 속도를 빠르게 하여 치핑이 발생하기 쉬운 상황이라도 발생한 치핑은 반도체 웨이퍼(W)에 낙하하기 어려워진다. 이로 인해, 승온 속도를 빠르게 해도 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다. 한편, 반응관(2) 내를 로드 온도로부터 처리 온도까지 200 ℃/분의 승온 속도로 승온하고 있으므로, 열처리 장치(1)는 단TAT성이 우수해 다품종 변량 생산에 대응할 수 있다.
이 감압 속도는 발생한 치핑을 더욱 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃하기 쉽게 하기 위해, 266 Pa(2 Torr)/초보다 느리면 좋지만, 66.5 Pa(0.5 Torr)/초 이상인 것이 바람직하다. 감압 속도를 66.5 Pa(0.5 Torr)/초보다 느리게 하면, 단TAT(Turn Around Time)성에 악영향을 미치기 때문이다. 또한, 감압 속도는 66.5 Pa(0.5 Torr)/초 내지 200 Pa(1.5 Torr)/초인 것이 바람직하고, 66.5 Pa(0.5 Torr)/초 내지 133 Pa(1 Torr)/초인 것이 더욱 바람직하다. 감압 속도를 200 Pa(1.5 Torr)/초보다 느리게 함으로써 발생한 치핑이 더욱 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워져 감압 속도를 133 Pa(1 Torr)/초보다 느리게 함으로써, 발생한 치핑이 보다 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워지기 때문이다.
또한, 본 실시 형태에서는 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소 정량의 질소 가스가 공급되어 있으므로, 발생한 치핑이 배기구(4), 배기관(5)을 거쳐서 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 이는 반응관(2) 내에 질소 가스를 공급함으로써 반응관(2) 내에 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 배기구(4)[반응관(2) 내의 하부로부터 상부]로 흐르는 가스의 흐름이 생겨 발생한 치핑이 배기구(4) 방향으로 이동하기 쉬어지기 때문이다. 이 결과, 발생한 치핑이 그 하방에 배치된 반도체 웨이퍼(W)로 이동하기 어려워져 반도체 웨이퍼(W)에 부착되기 어려워진다.
퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 공급되는 질소 가스는 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬어지도록, 예를 들어 10 리터/분 이상과 같은 대유량인 것이 바람직하고, 30 리터/분 이상인 것이 더욱 바람직하다. 단, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터의 질소 가스의 공급량을 지나치게 크게 하면, 반응관(2) 내의 압력을 저압으로 조정하는 것이 곤란해지므로, 50 리터/분 이하인 것이 바람직하다.
또한, 회전 기구(13)의 모터를 제어하여 회전 테이블(10)을 회전시키고, 웨이퍼 보트(11)를 회전시킨다. 웨이퍼 보트(11)를 회전시킴으로써 웨이퍼 보트(11)에 수용된 반도체 웨이퍼(W)도 회전하여 반도체 웨이퍼(W)가 균일하게 가열된다.
반응관(2) 내가 소정의 압력 및 온도로 안정되면, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터의 질소 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 도2의 (d)에 도시한 바와 같이 처리 가스 도입관(17)으로부터 소정량의 산소를 반응관(2) 내로 도입한다. 반응관(2) 내로 도입된 산소가 반응관(2) 내의 열에 의해 열분해 반응을 일으켜 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 실리콘 산화막이 형성된다(성막 공정).
반도체 웨이퍼(W)의 표면에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되면, 처리 가스 도입관(17)으로부터 산소의 공급을 정지한다. 그리고, 반응관(2) 내의 가스를 배출하는 동시에, 도2의 (c)에 도시한 바와 같이 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 소정량의 질소 가스를 공급하여 반응관(2) 내의 가스를 배기관(5)에 배출한다(퍼지 공정). 또한, 반응관(2) 내의 가스를 확실하게 배출하기 위해, 반응관(2) 내의 가스의 배출 및 질소 가스의 공급을 복수회 반복하는 사이클 퍼지를 행하는 것이 바람직하다. 그리고, 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 온도, 예를 들어 도2의 (a)에 도시한 바와 같이 400 ℃로 하는 동시에, 도2의 (b)에 도시한 바와 같이 반응관(2) 내의 압력을 상압으로 복귀시킨다. 마지막으로, 도시하지 않은 보트 엘리베이터에 의해 덮개(6)를 하강시킴으로써 언로드한다(언로드 공정).
이 열처리 방법에 따르면, 감압 속도를 266 Pa(2 Torr)/초보다 느리게 하고 있으므로, 상압에 가까운 고압 하에서 반응관(2) 내를 가열하는 시간이 길어져 발생한 치핑은 반도체 웨이퍼(W)에 낙하하기 어려워진다. 이로 인해, 승온 속도를 빠르게 해도 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
또한, 이 열처리 방법에 따르면, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스가 공급되어 있으므로, 발생한 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 이로 인해, 발생한 치핑은 그 하방에 배치된 반도체 웨이퍼(W)로 이동하기 어려워져 반도체 웨이퍼(W)에 부착되기 어려워진다.
다음에, 도3의 레시피에 나타내는 열처리 방법에 대해 설명한다. 이 열처리 방법은 도3의 안정화 공정에 있어서의 반응관(2) 내를 감압하는 타이밍을 느리게 함으로써 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제하는 방법이다.
우선, 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 로드 온도, 예를 들어 도3의 (a)에 도시한 바와 같이 400 ℃로 승온(가열)한다. 또한, 도3의 (c)에 도시한 바와 같이 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스를 공급한 후, 반도체 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 보트(11)를 덮개(6) 상에 적재하고, 도시하지 않은 보트 엘리베이터에 의해 덮개(6)를 상승시켜 반응관(2)을 밀봉한다(로드 공정).
다음에, 도3의 (c)에 도시한 바와 같이, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스를 공급하는 동시에, 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 처리 온도, 예를 들어 도3의 (a)에 도시한 바와 같이 200 ℃/분의 승온 속도로 800 ℃로 가열한다. 계속해서, 도3의 (b)에 도시한 바와 같이 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내의 승온을 개시한 후 1분 이상 후, 예를 들어 3분 후에 반응관(2) 내의 가스를 배출하고, 반응관(2)을 소정의 압력, 예를 들어 532 Pa(4 Torr)/초의 감압 속도로 53.2 Pa(0.4 Torr)로 감압한다.
이와 같이, 반응관(2) 내의 승온을 개시한 후 1분 이상 후에 반응관(2)의 감압을 개시하므로, 상압에 가까운 고압 하에서 반응관(2) 내를 승온(가열)하는 시간이 길어지고, 발생한 치핑은 배기구(4), 배기관(5)을 거쳐서 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 또한, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스가 공급되어 있으므로, 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 이 결과, 승온 속도를 빠르게 하여 치핑이 발생하기 쉬운 상황이라도 발 생한 치핑은 반도체 웨이퍼(W)에 낙하하기 어려워진다. 이로 인해, 승온 속도를 빠르게 해도 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다. 한편, 반응관(2) 내를 로드 온도로부터 처리 온도까지 200 ℃/분의 승온 속도로 승온하고 있으므로, 열처리 장치(1)는 단TAT성이 우수해 다품종 변량 생산에 대응할 수 있다.
감압을 개시하는 타이밍은 발생한 치핑을 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃하기 쉽게 하기 위해, 반응관(2) 내의 승온을 개시한 후 2분 이상 후로 하는 것이 바람직하고, 3분 이상 후로 하는 것이 더욱 바람직하다. 단, 이 타이밍을 지나치게 느리게 하면, 단TAT(Turn Around Time)성에 악영향을 미치기 때문에 5분 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, 반도체 웨이퍼(W)가 균일하게 가열되도록 회전 기구(13)의 모터를 제어하여 회전 테이블(10)을 회전시키고, 웨이퍼 보트(11)를 회전시킨다. 그리고, 이 감압 및 가열 조작을 반응관(2)이 소정의 압력 및 온도로 안정될 때까지 행한다(안정화 공정).
반응관(2) 내가 소정의 압력 및 온도로 안정되면 퍼지 가스 공급관(18)으로부터의 질소 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 도3의 (d)에 도시한 바와 같이 처리 가스 도입관(17)으로부터 소정량의 산소를 반응관(2) 내로 도입한다. 반응관(2) 내로 도입된 산소가 반응관(2) 내의 열에 의해 열분해 반응을 일으켜 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 실리콘 산화막이 형성된다(성막 공정).
반도체 웨이퍼(W)의 표면에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되면 처리 가스 도입관(17)으로부터 산소의 공급을 정지한다. 그리고, 반응관(2) 내의 가스를 배출하는 동시에, 도3의 (c)에 도시한 바와 같이 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 소정량의 질소 가스를 공급하여 반응관(2) 내의 가스를 배기관(18)으로 배출한다(퍼지 공정). 그리고, 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 온도, 예를 들어 도3의 (a)에 도시한 바와 같이 400 ℃로 하는 동시에, 도3의 (b)에 도시한 바와 같이 반응관(2) 내의 압력을 상압으로 복귀시킨다. 마지막으로, 도시하지 않은 보트 엘리베이터에 의해 덮개(6)를 하강시킴으로써 언로드한다(언로드 공정).
이 열처리 방법에 따르면, 반응관(2) 내의 승온을 개시한 후 1분 이상 후에 반응관(2)의 감압을 개시하므로, 상압에 가까운 고압 하에서 반응관(2) 내를 승온(가열)하는 시간이 길어져 발생한 치핑이 반도체 웨이퍼(W)에 낙하하기 어려워진다. 이로 인해, 승온 속도를 빠르게 해도 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
또한, 이 열처리 방법에 따르면, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스가 공급되어 있으므로, 발생한 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 이로 인해, 발생한 치핑은 그 하방에 배치된 반도체 웨이퍼(W)로 이동하기 어려워지고, 반도체 웨이퍼(W)에 부착되기 어려워진다.
다음에, 도4의 레시피에 나타내는 열처리 방법에 대해 설명한다. 이 열처리 방법은 도4의 안정화 공정에 있어서 반응관(2) 내를 일단 매우 저압이 되도록 감압한 후, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력으로 유지한 상태에서 반응관(2) 내를 소정의 온도로 승온함으로써 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제하는 방법이다.
우선, 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 로드 온도, 예를 들어 도4의 (a)에 도시한 바와 같이 300 ℃로 한다. 또한, 도4의 (c)에 도시한 바와 같이 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스를 공급한 후, 반도체 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 보트(11)를 덮개(6) 상에 적재하고, 도시하지 않은 보트 엘리베이터에 의해 덮개(6)를 상승시켜 반응관(2)을 밀봉한다(로드 공정).
다음에, 도4의 (c)에 도시한 바와 같이 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스를 공급하는 동시에, 반응관(2) 내의 가스를 배출하여 반응관(2)을 일단 매우 저압, 예를 들어 도4의 (b)에 도시한 바와 같이 0.266 Pa(0.002 Torr)까지 감압한다. 여기서, 반응관(2) 내를 일단 매우 저압까지 감압하고 있으므로, 반응관(2) 내의 대기 성분을 거의 확실하게 배기할 수 있다. 이로 인해, 반도체 웨이퍼(W) 상에 자연 산화막이 형성되는 것을 억제할 수 있다.
계속해서, 반응관(2) 내의 압력을, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력, 예를 들어 도4의 (b)에 도시한 바와 같이 1000 Pa(7.6 Torr)로 한다. 반응관(2) 내가 1000 Pa(7.6 Torr)로 유지되면, 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 처리 온도, 예를 들어 도4의 (a)에 도시한 바와 같이 200 ℃/분의 승온 속도로 620 ℃로 승온(가열)한다. 즉, 승온시 압력을, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력으로 한 후에 반응관(2) 내를 소정의 처리 온도로 가열한다.
이와 같이, 반응관(2)을, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력으로 유지한 상태에서 반응관(2) 내를 소정의 처리 온도로 가열하고 있으므로, 발생한 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 또한, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관 (2) 내로 소정량의 질소 가스가 공급되어 있으므로, 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 또한, 반응관(2)을 일단 매우 저압까지 감압한 후, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력으로 유지하고 있으므로, 반응관(2) 내에 그 하부로부터 상부[배기구(4)]를 향하는 흐름이 생겨 발생한 치핑이 배기구(4) 방향으로 이동하기 쉬워져 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 이 결과, 승온 속도를 빠르게 하여 치핑이 발생하기 쉬운 상황이라도 발생한 치핑은 반도체 웨이퍼(W)에 낙하하기 어려워진다. 이로 인해, 승온 속도를 빠르게 해도 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다. 한편, 반응관(2) 내를 로드 온도로부터 처리 온도까지 200 ℃/분의 승온 속도로 승온하고 있으므로, 열처리 장치(1)는 단TAT성이 우수해 다품종 변량 생산에 대응할 수 있다.
여기서, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력으로서는 133 Pa(1 Torr) 내지 2660 Pa(20 Torr)인 것이 바람직하고, 400 Pa(3 Torr) 내지 1330 Pa(10 Torr)인 것이 더욱 바람직하다.
반응관(2) 내가 소정의 처리 온도로 승온되면 반응관(2) 내의 가스를 배출하여 반응관(2)을 소정의 압력, 예를 들어 도4의 (b)에 도시한 바와 같이 53.2 Pa(0.4 Torr)로 감압한다.
또한, 반도체 웨이퍼(W)가 균일하게 가열되도록 회전 기구(13)의 모터를 제어하여 회전 테이블(10)을 회전시키고, 웨이퍼 보트(11)를 회전시킨다. 그리고, 이 감압 및 가열 조작을 반응관(2) 내가 소정의 압력 및 온도로 안정될 때까지 행한다(안정화 공정).
반응관(2) 내가 소정의 압력 및 온도로 안정되면, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터의 질소 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 도4의 (d)에 도시한 바와 같이 처리 가스 도입관(17)으로부터 소정량의 모노실란(SiH4)을 반응관(2) 내로 도입한다. 반응관(2) 내로 도입된 모노실란이 반응관(2) 내의 열에 의해 열분해 반응을 일으켜 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 폴리실리콘막이 형성된다(성막 공정).
반도체 웨이퍼(W)의 표면에 소정 두께의 폴리실리콘막이 형성되면 처리 가스 도입관(17)으로부터 모노실란의 공급을 정지한다. 그리고, 반응관(2) 내의 가스를 배출하는 동시에, 도4의 (c)에 도시한 바와 같이 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 소정량의 질소 가스를 공급하여 반응관(2) 내의 가스를 배기관(5)에 배출한다(퍼지 공정). 그리고, 승온용 히터(16)에 의해 반응관(2) 내를 소정의 온도, 예를 들어 도4의 (a)에 도시한 바와 같이 300 ℃로 하는 동시에, 도4의 (b)에 도시한 바와 같이 반응관(2) 내의 압력을 상압으로 복귀시킨다. 마지막으로, 도시하지 않은 보트 엘리베이터에 의해 덮개(6)를 하강시킴으로써 언로드한다(언로드 공정).
이 열처리 방법에 따르면, 반응관(2) 내를 일단 매우 저압이 되도록 감압한 후, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력으로 유지한 상태에서 반응관(2) 내를 승온하므로, 발생한 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 이로 인해, 승온 속도를 빠르게 해도 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
또한, 이 열처리 방법에 따르면, 반응관(2) 내를 일단 매우 저압까지 감압하고 있으므로, 반응관(2) 내의 대기 성분을 거의 확실하게 배기할 수 있고, 반도체 웨이퍼(W) 상에 자연 산화막이 형성되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 이 열처리 방법에 따르면, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 반응관(2) 내로 소정량의 질소 가스가 공급되어 있으므로, 발생한 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되기 쉬워진다. 이로 인해, 발생한 치핑은 그 하방에 배치된 반도체 웨이퍼(W)로 이동하기 어려워지고, 반도체 웨이퍼(W)에 부착하기 어려워진다.
다음에, 이상과 같은 열처리 방법에 의해 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는지 여부에 대한 확인을 행하였다. 구체적으로는, 도2 내지 도4의 레시피에 나타내는 방법으로 반도체 웨이퍼(W)를 열처리하고, 열처리한 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 상태를 측정하였다.
도5는 열처리한 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 상태를 도시한 개략도이다. 도5의 (a)에 안정화 공정에서의 감압 타이밍을 느리게 한 도3의 레시피에 나타내는 방법으로 반도체 웨이퍼(W)를 열처리한 경우를 나타낸다. 도5의 (b), (c)에, 안정화 공정에서의 감압 속도를 느리게 한 도2에 나타내는 레시피의 방법으로 반도체 웨이퍼(W)를 열처리한 경우를 나타내고, 도5의 (b)에서는 감압시의 질소 가스 공급량을 1 리터/분으로 하고, 도5의 (c)에서는 30 리터/분으로 하였다. 또한, 비교를 위해, 532 Pa(4 Torr)/초의 감압 속도로 한 것 이외에는 도2의 레시피에 나타내는 방법(안정화 공정에서의 감압 타이밍을 느리게 하지 않은 것 이외에는 도3의 레시피에 나타내는 방법)으로 반도체 웨이퍼(W)를 열처리한 경우의 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 상태를 도시한 개략도를 도5의 (d)에 도시한다.
도5의 (a)와 도5의 (d)에 도시한 바와 같이, 안정화 공정에서의 감압 타이밍을 느리게 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 수를 크게 감소시킬 수 있고, 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 이로 인해, 도3의 레시피에 나타내는 열처리 방법은 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제하는 방법인 것을 확인할 수 있었다.
도5의 (b)와 도5의 (d)에 도시한 바와 같이 안정화 공정에서의 감압 속도를 느리게 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 수를 크게 감소시킬 수 있고, 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 이로 인해, 도2의 레시피에 나타내는 열처리 방법은 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 억제하는 방법인 것을 확인할 수 있었다.
또한, 도5의 (b)와 도5의 (c)에 도시한 바와 같이 감압시의 질소 가스 공급량을 대유량(30 리터/분)으로 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 수를 더욱 감소시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 이로 인해, 감압시의 질소 가스 공급량을 대유량으로 하면, 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 더욱 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 반응관(2) 내의 온도 설정을 변경한 경우에 대해 열처리한 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 상태를 측정하였다. 구체적으로는 로드 온도를 450 ℃로 하고, 반응관(2) 내를 승온 속도 200 ℃/분으로 처리 온도 530 ℃로 승온하여 안정화 공정에서의 감압 타이밍을 느리게 한 경우 및 안정화 공정에서의 감압 속도를 느리게 한 경우에 대해 반도체 웨이퍼(W)를 열처리하여 열처리한 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 상태를 측정하였다. 이 결과, 도5의 (a) 내지 (c)와 같은 경향을 나타내 안정화 공정에서의 감압 타이밍을 느리게 하거나, 안정화 공정에서 의 감압 속도를 느리게 하거나 함으로써 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 수를 크게 감소시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 이로 인해, 본 발명의 열처리 방법이 도2 또는 도3의 레시피에 나타내는 온도로 한정되는 것이 아닌 것을 확인할 수 있었다.
도6은 도4의 레시피에 나타내는 방법으로 반도체 웨이퍼(W)를 열처리하고, 열처리 후의 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착된 파티클 수의 측정 결과를 나타낸다. 본 예에서는 승온 속도를 50 ℃/분 및 100 ℃/분으로 하여 승온시 압력을 변화시킨 경우에 대해 웨이퍼 보트(11)의 상부에 수용된 반도체 웨이퍼(W)(T), 웨이퍼 보트(11)의 중앙에 수용된 반도체 웨이퍼(W)(C) 및 웨이퍼 보트(11)의 하부에 수용된 반도체 웨이퍼(W)(B) 상에 부착된 0.1 ㎛ 이상의 파티클의 수를 측정하였다.
도6에 도시한 바와 같이 승온시 압력이 치핑을 퍼지 아웃 불가능한 압력인 100 Pa(0.76 Torr)인 경우와, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력[예를 들어, 133 Pa(1 Torr) 이상]인 경우를 비교하면 승온시 압력을, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력으로 함으로써 0.1 ㎛ 이상의 파티클의 수가 크게 감소하고 있는 것을 확인할 수 있었다. 예를 들어, 승온 속도가 50 ℃/분, 웨이퍼 보트(11)의 상부에 수용된 반도체 웨이퍼(W)(T)의 경우, 승온시 압력을 100 Pa(0.76 Torr) 내지 240 Pa(1.8 Torr)로 함으로써 반도체 웨이퍼(W) 상에 부착된 0.1 ㎛ 이상의 파티클의 수를 1/3 이하(29개 내지 9개)로 감소시킬 수 있었다. 이는 승온시 압력을, 치핑을 퍼지 아웃 가능한 압력으로 함으로써 발생한 치핑이 반응관(2) 밖으로 퍼지 아웃되어 있기 때문이다. 이로 인해, 도4의 레시피에 나타내는 열처리 방법은 반도체 웨이퍼(W)에의 파 티클의 부착을 억제하는 방법인 것을 확인할 수 있었다.
또한, 본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되지 않고, 다양한 변형, 응용이 가능하다. 이하, 본 발명에 적용 가능한 다른 실시 형태에 대해 설명한다.
상기 실시 형태에서는 도2 내지 도4에 도시하는 열처리 방법의 안정화 공정에 있어서, 퍼지 가스 공급관(18)으로부터 질소를 공급한 경우를 예로 본 발명을 설명하였지만, 안정화 공정에 있어서 질소를 공급하지 않아도 좋다. 또한, 안정화 공정에 있어서 공급되는 가스는 열처리에 악영향을 끼치지 않는 불활성 가스이면 좋고, 헬륨, 아르곤, 네온 등이라도 좋다. 이 경우에도 반도체 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 더욱 억제할 수 있다.
상기 실시 형태에서는 반응관(2) 내에 처리 가스 도입관(17)으로부터 산소 또는 모노실란을 도입하여 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 실리콘 산화막 또는 폴리실리콘막이 형성된 경우를 예로 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 피처리체에 소정의 열처리를 행하는 것이면 좋고, 예를 들어 피처리체에 실리콘 질화막을 형성하는 경우라도 좋다.
상기 실시 형태에서는 피처리체로서 반도체 웨이퍼(W)를 이용하여 보유 지지구로서의 웨이퍼 보트(11)가 석영에 의해 형성되어 있는 경우를 예로 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 피처리체 및 보유 지지구는 피처리체의 재질과 피처리체를 수용하는 보유 지지구의 재질과의 열팽창계수의 차이에 의한 팽창차에 기인하여 피처리체와 보유 지지구의 접촉 부분이 마찰되어 치핑이 발생하는 조합이면 된다.
본 실시 형태에서는 열처리 장치로서 단일관 구조의 배치식 열처리 장치의 경우를 예로 본 발명을 설명하였지만, 예를 들어 반응관(2)이 내관과 외관으로 구성된 이중관 구조의 배치식 종형 열처리 장치에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.
본 발명에 따르면, 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
Claims (14)
- 복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 방법이며,상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 공정과,상기 반입 공정에서 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 공정을 구비하고,상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내를 승온 속도 50 ℃/분 내지 200 ℃/분으로 승온을 개시한 후 1분 내지 5분 후에 반응실 내의 감압을 개시하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 방법이며,상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 공정과,상기 반입 공정에서 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 공정을 구비하고,상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내를 승온 속도 50 ℃/분 내지 200 ℃/분으로 승온하는 동시에, 66.5 Pa/초 내지 266 Pa/초의 감압 속도로 소정의 압력으로 감압하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 방법이며,상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 공정과,상기 반입 공정에서 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 공정을 구비하고,상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내를 상기 피처리체 또는 상기 보유 지지구의 치핑이 반응실 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 상기 치핑을 반응실 밖으로 배출 가능한 상기 감압한 압력보다 높은 압력으로 유지한 상태에서 상기 반응실 내를 소정의 온도로 승온 속도 50 ℃/분 내지 200 ℃/분으로 승온하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내를 133 Pa 미만까지 일단 감압한 후, 상기 반응실 내를 133 Pa 내지 2660 Pa로 유지한 상태에서 상기 반응실 내를 소정의 온도로 승온하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 승온 감압 공정에서는 불활성 가스를 반응실 내에 공급하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 승온 감압 공정에서는 상기 반응실 내에 적어도 10 리터/분의 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리체에 반도체 웨이퍼가 이용되고, 상기 보유 지지구가 석영에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 장치이며,상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지하는 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 수단과,상기 반입 수단으로 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 수단과,승온 속도 50 ℃/분 내지 200 ℃/분으로 상기 반응실 내의 승온을 개시한 후 1분 내지 5분 후에 반응실 내의 감압을 개시하도록 상기 승온 감압 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 장치이며,상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지하는 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 수단과,상기 반입 수단으로 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 수단과,상기 반응실 내를 승온 속도 50 ℃/분 내지 200 ℃/분으로 승온하는 동시에, 66.5 Pa/초 내지 266 Pa/초의 감압 속도로 소정의 압력으로 감압하도록 상기 승온 감압 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 복수매의 피처리체를 감압 하에서 열처리하는 열처리 장치이며,상기 복수매의 피처리체를 소정 피치 간격으로 보유 지지하는 보유 지지구를 반응실 내에 반입하는 반입 수단과,상기 반입 수단으로 피처리체를 보유 지지한 보유 지지구가 반입된 반응실 내를 승온 및 감압하는 승온 감압 수단과,상기 반응실 내를 상기 피처리체 또는 상기 보유 지지구의 치핑이 반응실 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 상기 치핑을 반응실 밖으로 배출 가능한 상기 감압한 압력보다 높은 압력으로 유지한 상태에서 상기 반응실 내를 소정의 온도로 승온 속도 50 ℃/분 내지 200 ℃/분으로 승온하도록 상기 승온 감압 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 제어 수단은 상기 반응실 내를 133 Pa 미만까지 일단 감압한 후, 상기 반응실 내를 133 Pa 내지 2660 Pa로 유지한 상태에서 상기 반응실 내를 소정의 온도로 승온하도록 상기 승온 감압 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응실 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 수단을 더욱 구비하고,상기 제어 수단은 상기 승온 감압 수단을 제어하여 상기 반응실 내를 승온 및 감압하는 동시에, 상기 불활성 가스 공급 수단을 제어하여 상기 반응실 내에 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 제어 수단은 상기 승온 감압 수단을 제어하여 상기 반응실 내를 승온 및 감압하는 동시에, 상기 불활성 가스 공급 수단을 제어하여 상기 반응실 내에 적어도 10 리터/분의 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리체는 반도체 웨이퍼이고, 상기 보유 지지구는 석영에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
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Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP4450664B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
| JP2006229040A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
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| JP6082283B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2017-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 筐体及びこれを含む基板処理装置 |
| JP6894256B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-06-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| CN111370284B (zh) * | 2020-03-13 | 2022-12-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体热处理设备的清扫方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10289880A (ja) | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Nec Kyushu Ltd | 減圧気相成長装置 |
| KR20000018773A (ko) * | 1998-09-04 | 2000-04-06 | 윤종용 | 화학 기상 증착장치 |
| JP2001217197A (ja) | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Ushio Inc | ランプユニット |
| JP2003100645A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003173979A (ja) | 2001-09-26 | 2003-06-20 | Seiko Instruments Inc | 減圧気相成長装置 |
| JP2003183837A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-07-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3998906B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2007-10-31 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法 |
-
2003
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-
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10289880A (ja) | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Nec Kyushu Ltd | 減圧気相成長装置 |
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