KR100868536B1 - 디메틸술폭사이드 용매를 사용한 스웨이드 원단 함침용폴리우레탄 조성물과 이를 이용한 스웨이드 원단 및 그제조방법 - Google Patents
디메틸술폭사이드 용매를 사용한 스웨이드 원단 함침용폴리우레탄 조성물과 이를 이용한 스웨이드 원단 및 그제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
평가항목 | 실시예 | 비교예 | ||
1 | 2 | 1 | 2 | |
100% Modulus(kgf/㎠) | 43 | 44 | 41 | 45 |
외관(표면의 상태) | 평활 | 평활 | 보통평활 | 보통평활 |
내부 cell 상태 | 균일 | 균일 | 비규칙적 | 비규칙적 |
유기용제 잔류 유무 | 없음 | 없음 | DMF잔존 | DMF잔존 |
Claims (9)
- 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물에 있어서,상기 조성물은 폴리우레탄 100 중량부에 대하여 디메틸술폭사이드 250~300 중량부 및 토너 10~15 중량부로 이루어진 것을 특징으로 하는 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 폴리우레탄은 폴리에테르 폴리올 10~20 중량부와 폴리에스테르 폴리올 80~90 중량부로 이루어진 폴리올 혼합물과,상기 폴리올 혼합물 100 중량부에 대하여 이소시아네이트 50~60 중량부와 유기용매인 디메틸술폭사이드 350~450 중량부, 에틸렌글리콜 10~15 중량부 및 첨가제 5~10 중량부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물.
- 제 2항에 있어서,상기 폴리에테르 폴리올은 중량평균분자량이 1,500~2,500인 것을 특징으로 하는 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물.
- 제 2항에 있어서,상기 폴리에스테르 폴리올은 중량평균분자량이 2,000~4,000인 것을 특징으로 하는 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물.
- 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 폴리에테르 폴리올은 프로필렌옥사이드와 에틸렌옥사이드의 기재로 이루어지고, 상기 폴리에스테르 폴리올은 아디프산과 1,4-부탄디올 및 에틸렌글리콜의 기재로 이루어진 것을 특징으로 하는 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물.
- 제 2항에 있어서,상기 첨가제는 디메틸에틸-4-메틸페놀 1~3 중량부, 자외선 흡수제 1~2 중량부 및 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 3~5 중량부인 것을 특징으로 하는 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물.
- 제 6항에 있어서,상기 자외선 흡수제는 주석도우프산화인듐(Indium Tin Oxide; ITO)과 안티몬도우프산화주석(Antimony Tin Oxide; ATO), 주석안티몬도우프산화인듐(Indium Antimony Tin Oxide; IATO)분말 중에서 1종 또는 그 이상을 선택하여 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물.
- 스웨이드 원단의 제조방법에 있어서,1) 폴리우레탄 조성물의 고형분 비율이 10~15%로 되도록 점도를 조절하는 단계와;2) 토너를 첨가하여 수지의 색상을 조절하는 단계와;3) 점도가 조절된 폴리우레탄 조성물에 스웨이드 원단을 침적하여 함침시키는 단계와;4) 함침시킨 스웨이드 원단을 30~35%의 디메틸술폭사이드 수용액의 응고조에 침적시켜 폴리우레탄 수지를 경화시킨 다음 디메틸술폭사이드 용매를 제거시키는 단계와;5) 경화시킨 스웨이드 원단을 50~60℃의 수조에 침적시켜 디메틸술폭사이드 용매를 제거시키는 단계 및;6) 용매를 제거한 스웨이드 원단을 80~100℃의 열챔버에서 잔류된 수분을 건조시킨 다음 버핑처리 하는 단계;를 거쳐 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리우레탄 함침 스웨이드 원단의 제조방법.
- 상기 청구항 제 1항 내지 제 4항 및 제 6항 중 어느 한 항의 스웨이드 원단 함침용 폴리우레탄 조성물을 이용하여 제 8항의 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리우레탄 함침 스웨이드 원단.
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KR101416444B1 (ko) | 2013-12-26 | 2014-07-11 | 주식회사 다원씨엔피 | 극세사 인조 스웨이드의 제조방법 |
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- 2008-05-26 KR KR1020080048793A patent/KR100868536B1/ko active IP Right Grant
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