KR100858841B1

KR100858841B1 - 리드부착 전자부품 및 그 제조방법 및 리드의 제조방법

Info

Publication number: KR100858841B1
Application number: KR1020060028910A
Authority: KR
Inventors: 웽치 류; 키쿠지 후카이; 시게오 하라다; 요시유키 아오시마
Original assignee: 다이요 유덴 가부시키가이샤
Priority date: 2005-03-31
Filing date: 2006-03-30
Publication date: 2008-09-17
Also published as: TW200705466A; KR20060105574A; CN1848318A

Abstract

본 발명은 초소형 세라믹 전자부품소자를 사용할 수 있고 수율 저하를 방지할 수 있는 리드부착 전자부품을 제공한다.

본 발명은 길이 방향의 양단부에 단자전극(11)이 형성된 세라믹 전자부품소자(10)와 한 쌍의 리드(20)를 구비한 리드부착 전자부품(100)에 있어서, 각 리드(20)는 리드(20)의 일단부에 가공, 형성된 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡부분(21)을 가지며, 세라믹 전자부품소자(10)의 길이 방향의 각 단부는 각 캡부분(21)에 감합되어 있고 각 단자전극(11)과 각 리드(20)는 도전 접속되어 있다.

단자전극, 리드

Description

리드부착 전자부품 및 그 제조방법 및 리드의 제조방법{LEAD-ATTACHED ELECTRONIC PARTS AND METHOD FOR PRODUCING SAME AS WELL AS LEAD}

도 1은 리드부착 전자부품의 개략 측단면도.

도 2는 도 1의 Ａ-A선 화살표 방향 확대 단면도

도 3은 도 1에 도시된 세라믹 전자부품소자와 리드의 사시도

도 4는 도 1에 도시된 캡부분의 변형예를 나타내는 확대 사시도

도 5는 도 1에 도시된 캡부분의 변형예를 나타내는 확대 사시도

도 6은 도 1에 도시된 캡부분의 변형예를 나타내는 확대 사시도

도 7은 리드부착 전자부품의 개략 측단면도

도 8은 리드의 중요부분 확대 단면도

도 9는 리드의 중요부분 확대 평면도

도 10은 도 9에 도시된 리드의 중요부분 확대 측면도

도 11은 리드의 중요부분 확대 평면도

도 12는 도 11의 Ｂ-B선 화살표 방향 단면도

도 13은 도 11에 도시된 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 단면도

도 14는 도 11에 도시된 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 단면도

도 15는 도 11에 도시된 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 단면도

도 16은 리드부착 전자부품의 제조 공정의 개략을 설명하는 그림

도 17은 리드의 지름보다 큰 외경을 갖는 캡부분을 형성하는 캡부분 형성공정을 설명하는 그림

도 18은 도 17에 도시된 캡부분 형성공정의 변형예를 설명하는 그림

도 19는 리드의 지름과 동등한 외경을 갖는 캡부분을 형성하는 캡부분 형성공정을 설명하는 그림

도 20은 리드의 지름보다 작은 외경을 갖는 캡부분을 형성하는 캡부분 형성공정을 설명하는 그림

도 21은 리드부착 전자부품의 제조 공정의 개략을 설명하는 그림

도 22는 캡부분 형성공정의 개략을 설명하는 그림

도 23은 도 22에 도시된 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대측 단면도

도 24는 도 22에 도시된 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대측 단면도

도 25는 내주 형성용 금형의 중요부분 확대 사시도

도 26은 내주 형성용 금형의 중요부분 확대 사시도

도 27은 도 26에 도시된 내주 형성용 금형의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 사시도

도 28은 도 27에 도시된 내주 형성용 금형의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 사시도

<도면의 주요 부호의 설명>

10…세라믹 전자부품소자 11…단자전극

20…리드 20a…단면

20c…첨단 21…캡부분

21c…내부 밑면 21d…주벽

21d1…절흠부 21e…돌기

21e1…둥글게 처리한 부분 21e2…모서리깎기 처리한 부분

21f…안쪽면 21g…개구면

90…봉지수지 100…리드부착 전자부품

Y…주석

본 발명은 콘덴서, 바리스터, 저항, 인덕터 등의 리드부착 전자부품, 그 제조방법 및 리드의 제조방법에 관한 것이다.

종래에는 리드부착 전자부품에 있어서 리드선과 캡을 개별로 제작하고 리드선과 캡을 용접하여 상기 캡에 소자를 압입(壓入)하는 제조방법이 사용되어 왔다. 이 방법에서는 리드선과 캡을 용접할 때 용접의 신뢰성 향상을 위해 캡의 단면에 갖다 대는 리드선의 가압을 일정하게 하는 데 상당히 높은 정밀도가 필요했다.

상기 문제를 해결하기 위한 종래의 기술로서, 금속 캡에 리드선을 저항 용접할 때 리드선의 선단을 미리 방전하여 원형으로 둥글게 가공함으로써, 갖다 대는 리드선의 각도가 금속 캡 단면에 대해 수직이 아니더라도 금속 캡과 리드선의 접촉 저항이나 금속 캡의 단면에 대한 리드선의 가압을 일정하게 하여 안정한 용접 강도를 얻도록 한 것이 하기 특허문헌 1에 개시되어 있다.

일본특허공개번호 제2002-289402호 공보("특허문헌 1")

그러나 종래의 방법에서는 리드선과 캡을 개별로 제작하기 때문에 캡의 제조 정밀도, 리드선의 용접 정밀도의 한계 등에 의해 소형인 세라믹 전자부품소자의 사용에 한계가 있고 또한 캡 위치의 정밀도가 낮아 소자를 압입할 때 캡에 걸리거나 부딪치기 때문에 높은 압력이 필요하게 되고, 용접으로 두꺼워진 캡의 응력으로 인해 세라믹 전자부품소자가 깨지기 쉽게 되어 불량품이 증가해 제품의 수율(yield)이 저하하는 문제가 있었다.

특히 길이 1.6㎜, 폭 0.8㎜, 높이 0.8㎜ 사이즈 이하인 초소형 세라믹 전자부품소자에 있어서 리드선을 용접한 캡에 상기 소자를 압입하는 것은 매우 어려웠다.

본 발명은 이러한 종래의 문제점을 해결하고자 한 것으로서, 본 발명의 목적은 초소형의 세라믹 전자부품소자가 사용 가능하고 수율 저하를 방지할 수 있는 리드부착 전자부품, 그 제조방법 및 리드의 제조방법을 제공하는 데 있다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 길이 방향의 양단부에 단자전극이 형성된 세라믹 전자부품소자와 한 쌍의 리드를 구비한 리드부착 전자부품에 있어서, 각 리드는 리드의 일단부에 가공하여 형성된 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모 양의 캡부분을 가지며, 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 각 단부는 각 캡부분에 감합되어 있고 각 단자전극과 각 리드가 도전 접속되어 있는 리드부착 전자부품을 제안한다.

상기 리드부착 전자부품에 의하면 소정의 외경 및 내경을 갖는 캡부분이 각 리드의 일단부에 가공 형성되어 있고 각 캡부분에 세라믹 전자부품소자의 각 단부가 감합되어 있어 각 단자전극과 각 리드가 도전 접속되어 있기 때문에 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 각 리드의 제품 정밀도를 높일 수 있음과 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정할 수 있게 된다.

또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 길이 방향의 양단부에 단자전극이 형성된 세라믹 전자부품소자와 리드를 구비한 리드부착 전자부품에 있어서, 리드는 일단부 및 타단부에 가공하여 형성된 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡부분을 각각 가지며 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 각 단부는 각 캡부분에 감합되어 있고 각 단자전극과 리드가 도전 접속되어 있는 리드부착 전자부품을 제안한다.

상기 리드부착 전자부품에 의하면 소정의 외경 및 내경을 갖는 캡부분이 리드의 일단부 및 타단부에 각각 가공 형성되어 있고 각 캡부분에 세라믹 전자부품소자의 각 단부가 감합되어 있어, 각 단자전극과 리드가 도전 접속되어 있기 때문에 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 리드의 제품 정밀도를 높일 수 있는 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정하는 것이 가능하게 된다.

또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 길이 방향의 양단부에 단자전극 이 형성된 세라믹 전자부품소자와 한 쌍의 리드를 구비한 리드부착 전자부품의 제조방법에 있어서, 각 리드의 일단부에 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡부분을 가공 형성하는 캡부분 형성공정과 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 각 단부를 각 캡부분에 감합하고 각 단자전극과 각 리드를 도전 접속하는 도전접속공정을 포함하는 리드부착 전자부품의 제조방법을 제안한다.

상기 리드부착 전자부품의 제조방법에 의하면 소정의 외경 및 내경을 갖는 캡부분이 각 리드의 일단부에 가공 형성되고 각 캡부분에 세라믹 전자부품소자의 각 단부가 감합되어 각 단자전극과 각 리드가 도전 접속됨으로써 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 각 리드의 제조 정밀도를 높일 수 있음과 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정하는 것이 가능하게 된다.

또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 길이 방향의 양단부에 단자전극이 형성된 세라믹 전자부품소자와 리드를 구비한 리드부착 전자부품의 제조방법에 있어서 리드의 일단부 및 타단부에 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡부분을 각각 가공 형성하는 캡부분 형성공정과 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 각 단부를 각 캡부분에 감합하고 각 단자전극과 리드를 도전 접속하는 도전접속 공정을 포함하는 리드부착 전자부품의 제조방법을 제안한다.

상기 리드부착 전자부품의 제조방법에 의하면, 소정의 외경 및 내경을 갖는 캡부분이 리드의 일단부 및 타단부에 각각 가공 형성되고 각 캡부분에 세라믹 전자부품소자의 각 단부가 감합되어 각 단자전극과 리드가 도전 접속됨으로 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 리드의 제조 정밀도를 높일 수 있음과 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정하는 것이 가능하게 된다.

또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 리드부착 전자부품에 사용하는 한 쌍의 리드 제조방법에 있어서, 각 리드의 일단부에 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡부분을 가공 형성하는 캡부분 형성공정을 포함하는 리드의 제조방법을 제안한다.

상기 리드의 제조방법에 의하면 소정의 외경 및 내경을 갖는 캡부분이 각 리드의 일단부에 가공 형성되므로 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 각 리드의 제조 정밀도를 높일 수 있음과 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정하는 것이 가능하게 된다.

또한 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 리드부착 전자부품에 사용하는 리드의 제조방법에 있어서, 리드의 일단부 및 타단부에 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡부분을 각각 가공 형성하는 캡부분 형성공정을 포함하는 리드의 제조방법을 제안한다.

상기 리드 제조방법에 의하면 소정의 외경 및 내경을 갖는 캡부분이 리드의 일단부 및 타단부에 각각 가공 형성됨으로써 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 리드의 제조 정밀도를 높일 수 있음과 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정하는 것이 가능하게 된다.

[리드부착 전자부품에 관련되는 실시형태]

도 1 내지 도 6은 리드부착 전자부품의 제1 실시 형태를 나타내는 것으로서 도 1은 리드부착 전자부품의 개략 측(側)단면도, 도 2는 도 1의 Ａ-A선의 화살표 방향 확대 단면도, 도 3은 도 1에 도시된 세라믹 전자부품소자와 리드의 사시도, 도 4는 도 1에 도시된 캡부분의 변형예를 나타내는 확대 사시도, 도 5는 도 1에 도시된 캡부분의 변형예를 나타내는 확대 사시도, 도 6은 도 1에 도시된 캡부분의 변형예를 나타내는 확대 사시도이다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 리드부착 전자부품(100)은 예를 들면 콘덴서, 바리스터, 저항, 인덕터 등의 전자부품이며 세라믹 전자부품소자(10), 한 쌍의 리드(20) 및 봉지수지(90)로 구성되어 있다.

세라믹 전자부품소자(10)는 예를 들면 칩(chip)형 적층 세라믹 콘덴서, 칩형 세라믹 바리스터 등의 전자부품소자로서 리드부착 전자부품(100)의 본체부분이다. 길이 방향의 양단부에는 표면이 주석으로 피복된 단자전극(11)이 각각 형성되어 있고, 도 3에 있어서 L, W, H는 각각 직사각형의 세라믹 전자부품소자(10)의 길이, 폭, 높이를 나타내고, 본 실시 형태에서는 L=1.6㎜, W=0.8㎜, H=0.8㎜ 이하인 초소형의 세라믹 전자부품소자(10)를 상정(想定)하고 있다.

한 쌍의 리드(20)는 각각 동선(銅線) 등의 리드선으로서 각 리드(20)의 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)이 가공되어 형성되어 있다. 각 캡부분(21)에는 압입에 의하여 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부가 감합되어 있고 각 단자전극(11)과 각 리드(20)는 도전 접속되어 있다.

한편 각 캡부분(21)의 형상은 원형에 한정하지 않고 예를 들면 도 4에 도시된 바와 같이 외주(21a) 및 내주(21b)의 형상을 사각형 등의 다각형, 꽃잎 모양, 기타의 형상으로 해도 좋다. 또한, 외주(21a) 및 내주(21b)의 형상은 동일한 경우 에 한정하지 않고 다른 형상을 조합하도록 해도 된다. 또한 세라믹 전자부품소자(10)를 감합할 때 낮은 압력으로 원활한 압입을 유도하기 위해서 각 캡부분(21)의 입구부분을 둥글게 처리하거나 모서리를 깎아도 된다.

봉지수지(90)는 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합한 후에 각 캡부분(21)과 세라믹 전자부품소자(10)를 피복하고 있다. 이에 따라 단자전극(11) 사이를 절연할 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 고정을 강화할 수 있게 된다.

한편 리드부착 전자부품(100)은 각 캡부분(21) 및 세라믹 전자부품소자(10)를 피복할 경우에 한정되지 않고 피복하지 않아도 된다.

캡부분(21)은, 각 캡부분(21)의 외주(21a)의 지름(φ1, 이하 "외경"이라고 한다) 및 내주(21b)의 지름(φ2, 이하 "내경"이라고 한다)이 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 리드(20)의 지름보다 크게 하거나, 도 5에 도시된 바와 같이 외경(φ1)을 리드(20)의 지름과 동등하게 하고 내경(φ2)을 리드(20)의 지름보다 작게 하거나, 도 6에 도시된 바와 같이 리드(20)의 단부 근방에 대좌(臺座)(22)를 형성한 뒤에 리드(20)의 지름보다 작게 하는 등 임의의 크기로 설정되어 각 리드(20)의 일단부에 가공하여 형성되고 있다. 이에 따라 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없어 리드와 캡을 용접할 경우와 비교해 리드의 단면에 형성되는 캡의 위치 정밀도를 높일 수 있는 등 각 리드(20)의 제품 정밀도를 높일 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)의 두께(φ1-φ2/2)를 임의로 설정할 수 있게 된다.

본 실시 형태에 있어서 각 캡부분(21)은 직사각형인 세라믹 전자부품소 자(10)의 폭(W) 및 높이(T), 즉 길이 방향의 단부의 지름에 기초한 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 갖고 있다. 이에 따라 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합할 때 직사각형의 세라믹 전자부품소자(10)의 모서리 부분이 걸리거나 부딪치거나 하는 어긋난 압입으로 인한 압력이 높아지는 현상을 방지할 수 있다.

이처럼 본 실시 형태에 의하면 임의의 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)이 각 리드(20)의 일단부에 가공 형성되어 있으며, 각 캡부분(21)에 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부가 감합되어 각 단자전극(11)과 각 리드(20)가 도전 접속되어 있음으로써 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 각 리드(20)의 제품 정밀도를 높일 수 있기 때문에 감합되는 세라믹 전자부품소자(10)를 토대로 각 캡부분(21)의 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 설정할 수 있고, 초소형 세라믹 전자부품소자(10)를 사용하여 리드부착 전자부품(100)을 구성할 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)의 두께(φ1-φ2/2)를 임의로 설정할 수 있음으로써 각 캡부분(21)의 두께를 얇게 하여 낮은 압력에서 세라믹 전자부품소자(10)를 압입할 수 있고 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손을 막아 불량품을 방지하고 수율 저하를 방지할 수 있다.

또한 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없기 때문에 부품수와 공정수의 감소, 캡 제조에 있어서 스크래치 감소, 인라인 제조 및 캡 재고 공간의 감소에 의한 관리비용의 절약 등에 의해 제품원가의 절감을 꾀할 수 있다.

또한 봉지수지(90)에 의해 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합한 후 각 캡부분(21)과 세라믹 전자부품소자(10)를 피복하고 있어 단자 전극(11) 사이를 절연할 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 고정을 강화함으로써 전기나 열에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파괴 및 세라믹 전자부품소자(10)의 변형이나 탈락을 방지할 수 있으며 또한 불량품을 방지하고 수율 저하를 방지할 수 있다.

또한 각 캡부분(21)은 세라믹 전자부품소자(10)의 단부의 지름을 토대로 결정되는 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 가짐으로써 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합할 때 어긋난 압입에 의해 압력이 높아지는 것을 방지하여 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손을 막고 또한 불량품을 방지해서 수율 저하를 방지할 수 있다.

도 7은 리드부착 전자부품의 제2실시 형태를 나타내는 것으로 동도는 리드부착 전자부품의 개략 측단면도이다.

제2 실시 형태와 제1 실시 형태와의 상위점은 한 쌍의 리드(20)를 대신하여 하나의 리드(20)를 사용하도록 한 것이다. 전술한 제1 실시 형태와 동일 구성부분은 동일한 부호로 나타내고 설명은 생략한다.

환상 리드(20)의 양단부에 오목 모양의 캡부분(21)이 각각 가공 형성되어 있고 각 캡부분(21)에는 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부가 감합되고 있으며 각 단자전극(11)과 리드(20)가 도전 접속되어 있다.

상기 리드부착 전자부품(100)은 각 캡부분(21)을 제외한 환상 리드(20)의 일부를 절단하여 사용하도록 되어 있다.

이처럼 본 실시 형태에 의하면 하나의 리드(20)를 사용할 경우에도 제1 실시 형태로 동일한 효과를 얻을 수 있다.

도 8은 리드부착 전자부품의 제3실시 형태를 나타내는 것으로 동도는 리드의 중요한 부분의 확대 단면도이다.

제3 실시 형태와 제1 실시 형태의 상위점은 캡부분(21)의 내부 밑면(21c)의 일부가 주석(Sn)으로 피복되어 있는 리드(20)를 사용하도록 한 것이다. 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성 부분은 동일한 부호로 나타내고 그 설명을 생략한다.

각 리드(20)는 각각 동(Cu)(X)에 주석(Y)을 피복한 구조로 되어 있고 각 리드(20)의 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 가공하여 형성되어 있다. 각 캡부분(21)의 내부 밑면(21c)은 일부가 주석(Y)으로 피복되어 있고 일부는 동(X)이 표출되어 있다. 이에 따라 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합하고 각 단자전극(11)과 각 리드(20)를 도전 접속할 때 주석(Sn)에 의해 표면이 피복된 각 단자전극(11)과 각 내부 밑면(21c)의 납땜이 용이해진다.

한편 내부 밑면(21c)의 일부가 주석(Y)에 의해 피복되어 있을 경우에 한정하지 않고 내부 밑면(21c)의 전부가 주석(Y)에 의해 피복되더라도 무방하다.

이와 같이 본 실시 형태에 따르면 제1 실시 형태와 동일한 효과에 덧붙여 각 내부 밑면(21c)의 일부가 주석(Sn)으로 피복되어 있음으로써 압입에 의하여 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합하고 각 단자전극(11)과 각 리드(20)를 도전 접속할 때 주석(Sn)으로 표면을 피복한 각 단자전극(11)과 각 내부 밑면(21c)을 용이하게 납땜할 수 있기 때문에 납땜 공정을 간략화, 단축화할 수 있고 또한 제품 원가의 절감을 꾀할 수 있음과 동시에 도전접속의 불량이 발생하기 어려워지고 또한 불량품 제조를 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

도 9 및 도 10은 리드부착 전자부품의 제4 실시 형태를 나타내는 것으로서 도 9는 리드의 중요 부분 확대 평면도, 도 10은 도 9에 도시된 리드의 중요부분 확대 측면도이다.

제4 실시 형태와 제1 실시 형태의 상위점은 캡부분(21)의 주벽(21d)의 일부에 절흠부(21d1)를 갖는 리드(20)를 사용하도록 한 것이다. 한편 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성 부분은 동일한 부호로 나타내고 설명은 생략한다.

각 리드(20)의 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)이 가공하여 형성됨과 동시에 각 캡부분(21)의 주벽(21d)의 2곳에 절흠부(21d1)가 각각 형성되어 있다. 이에 따라 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 압입에 의한 각 캡부분(21)의 응력을 줄일 수 있게 된다.

한편 절흠부(21d1)의 수는 2곳의 경우에 한정하지 않고 1곳이거나 2곳 이상의 복수라도 된다. 또한 절흠부(21d1)의 위치, 크기, 형상 등은 그림에 도시한 경우에 한정하지 않고 임의로 변경이 가능하다.

이와 같이 본 실시 형태에 의하면 제1 실시 형태와 동일한 효과에 덧붙여 각 캡부분(21)의 주벽(21d) 일부에 절흠부(21d1)를 가지게 되어 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 압입에 의한 각 캡부분(21)의 응력을 줄일 수 있기 때문에 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손을 막고 또한 불량품을 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

도 11 내지 도 15는 리드부착 전자부품의 제5 실시 형태를 나타내는 것이며 도 11은 리드의 중요부분 확대 평면도, 도 12는 도 11의 Ｂ-B선 화살표 방향 단면도, 도 13은 도 11에 나타낸 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 단면도, 도 14는 도 11에 나타낸 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 단면도, 도 15는 도 11에 도시된 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 단면도이다.

제5 실시 형태와 제1 실시 형태의 상위점은 캡부분(21)의 안쪽면(21f)에 돌기(21e)를 갖는 리드(20)를 사용하도록 한 것이다. 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성 부분은 동일한 부호로 나타내고 그 설명을 생략한다.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이 각 리드(20)의 한 방향의 단부에 오목 모양의 캡부분(21)이 가공되어 형성됨과 동시에 각 캡부분(21)의 안쪽면(21f)에는 4곳에 직사각형의 돌기(21e)가 각각 형성되어 있다. 이에 따라 압입에 의해 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합했을 때 각 돌기(21e)가 직사각형의 세라믹 전자부품소자(10)의 단부 상하 좌우의 각 면을 보지(保持)할 수 있게 된다.

각 돌기(21e)의 높이(L1)는 각 캡부분(21)의 안쪽면(21f)의 높이, 즉 내부 밑면(21c)으로부터 개구면(21g)까지의 높이(L2)와 동등한 경우에 한정하지 않고 내부 밑면(21c)으로부터 개구면(21g)까지의 높이(L2)보다 낮은 경우도 가능하다. 이에 따라 각 돌기(21e)가 세라믹 전자부품소자(10)를 보지할 수 있게 됨과 동시에 각 캡부분(21)의 개구면(21g)을 좁히지 않고도 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부의 감합이 용이해진다.

특히 도 13에 도시된 바와 같이 각 돌기(21e)의 높이(L1)를 내부 밑면(21c) 으로부터 개구면(21g)까지의 높이(L2)의 반(L1=L2/2)정도로 하는 것이 효과적이다.

또한 각 돌기(21e)의 위치, 크기, 수량, 형상 등은 그림에 도시한 경우에 한정하지 않고 임의로 변경할 수 있으며, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이 각 돌기(21e)의 개구면(21g) 측의 끝을 둥글게 처리(21el)하거나 모서리를 깎아도(21e2) 무방하다. 이에 따라 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 낮은 압력으로 원활하게 압입할 수 있게 된다.

이와 같이 본 실시 형태에 따르면 제1 실시 형태와 동일한 효과에 덧붙여 각 캡부분(21)의 안쪽면(21f)에 각 돌기(21e)를 가짐으로써 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합했을 때 각 돌기(21e)가 세라믹 전자부품소자(10)를 보지할 수 있기 때문에 어긋난 압입의 발생을 방지할 수 있고 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손을 막아 불량품을 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 정확한 위치에 세라믹 전자부품소자(10)를 보지함으로써 각 리드(20)의 중심축과 세라믹 전자부품소자(10)의 길이 방향의 중심축을 일치시킬 수 있어 리드부착 전자부품(100)의 제품정밀도를 높일 수 있다.

또한 각 돌기(21e)의 높이(L1)가 각 캡부분(21)의 내부 밑면(21c)으로부터 개구면(21g)까지의 높이(L2)보다 낮음으로써 각 돌기(21e)가 세라믹 전자부품소자(10)를 보지할 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)의 개구면(21g)을 좁히지 않고도 세라믹 전자부품소자(10)의 양단부를 용이하게 감합할 수 있음으로 리드부착 전자부품(100)의 제품정밀도를 높일 수 있는 동시에 감합공정을 간략화, 단축화할 수 있고 또한 제품 원가의 절감을 꾀할 수 있다. 또한 각 돌기(21e)의 개구면(21g)쪽 끝을 둥글게 처리(21el)하거나 모서리 깎기(21e2)를 하여 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 낮은 압력으로 원활한 압입할 수 있음으로써 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손을 막아 불량품을 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

[리드부착 전자부품의 제조방법 및 리드의 제조방법에 관계되는 실시 형태]

도 16 내지 도 20은 리드부착 전자부품의 제조방법 및 리드의 제조방법의 제1 실시 형태를 도시한 것으로서, 도 16은 리드부착 전자부품의 제조 공정의 개략적으로 설명하는 그림, 도 17은 리드의 지름보다 큰 외경을 갖는 캡부분을 형성하는 캡부분 형성공정을 설명하는 그림, 도 18은 도 17에 도시된 캡부분 형성공정의 변형예를 설명하는 그림, 도 19는 리드의 지름과 동등한 외경을 갖는 캡부분을 형성하는 캡부분 형성공정을 설명하는 그림, 도 20은 리드의 지름보다 작은 외경을 갖는 캡부분을 형성하는 캡부분 형성공정을 설명하는 그림이다.

도 16에 도시된 바와 같이 리드부착 전자부품(100)은 예를 들면 콘덴서, 바리스터, 저항, 인덕터 등의 전자부품이며 세라믹 전자부품소자(10), 한 쌍의 리드(20) 및 봉지수지(90)로 구성되어 있다.

세라믹 전자부품소자(10)는 예를 들면 칩형 적층 세라믹 콘덴서, 칩형 세라믹 바리스터 등의 전자부품소자로서 리드부착 전자부품(100)의 본체부분이다. 길이 방향의 양단부에 각각 단자전극(11)을 형성하고 각 단자전극(11)의 표면을 주석으로 피복한다. 본 실시 형태에서는 길이=1.6㎜, 폭=0.8㎜, 높이=0.8㎜ 이하인 초소 형 세라믹 전자부품소자(10)를 상정하고 있다.

한 쌍의 리드(20)는 각각 동선 등의 리드선이며 후술하는 캡부분 형성공정에 의해 각 리드(20)의 한 방향의 단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 가공 형성한다{도 16(a)}.

이어서 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 길이 방향의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합하고 납땜 등에 의해 각 단자전극(11)과 각 리드(20)를 도전 접속한다{도 16(b)}.

세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합한 후에 각 캡부분(21)과 세라믹 전자부품소자(10)를 봉지수지(90)에 의해 피복한다{도 16(c)}. 이에 따라 단자전극(11) 사이를 절연할 수 있게 됨과 동시에 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 고정을 강화할 수 있게 된다.

한편, 리드부착 전자부품(100)은 각 캡부분(21) 및 세라믹 전자부품소자(10)를 피복하는 경우에 한정하지 않고 피복하지 않아도 좋다.

리드(20)의 캡부분 형성공정은 형성하는 캡부분(21)의 외경의 크기에 따라 다른 방법으로 수행한다.

즉, 리드(20)의 지름(φ)보다 큰 외경을 갖는 캡부분(21)을 형성하는 경우 도 17에 도시된 바와 같이 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)의 단면(20a)을 포함하는 단부 근방의 외주에 외주 형성용 금형(30)을 밀착시켜 압력을 가해 해당 부분을 협지(挾持)한다{도 17 (a)}. 이 때 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)으로 굴곡한 외주 형성용 금형(30)의 외주(30a)가 단면(20a)보다 높아지도록 단부 근방의 외주를 협지하고, 외 주(30a)의 지름(φ1)을 리드(20)의 지름(φ)보다 크게 되도록 설정한다(φ<φ1).

한편 그림에 있어서 외주 형성용 금형(30)의 일부를 리드(20)에 강제로 넣어 절흠부(23)를 형성하고 있으나 이에 한정하지 않고 절흠부(23)를 형성하지 않아도 된다.

이어서, 외주 형성용 금형(30)에 의해 리드(20)를 계속적으로 협지하면서 단면(20a)에 내주 형성용 금형(40)을 밀착시킨다{도 17(b)}. 이때 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)은 리드(20)의 지름(φ) 이상이며 외주(30a)의 지름(φ1)보다 작도록 설정한다 (φ≤φ2<φ1).

한편 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)을 리드(20)의 지름(φ) 이상으로 설정하고 있으나 이에 한정하지 않고 외주(30a)의 지름(φ1)보다 작은 임의의 크기로 설정가능하다.

이어서, 리드(20)를 계속 협지한 채 내주 형성용 금형(40)에 한쪽(도에 있어서 윗쪽)으로부터 강한 압력을 가해 내주 형성용 금형(40)이 밀착된 단면(20a)을 포함하는 단부를 눌러 변형시킨다{도 17(c)}.

한편 내주 형성용 금형(40)에 압력을 가하기 전에 지지체(支持體)(31)로 리드(20)를 협지할 외주 형성용 금형(30)을 지지하고 단부에 대해 압력이 효과적으로 가해지도록 하는 것이 바람직하다.

그 결과 리드(20)의 한 방향 단부에 오목(凹) 모양의 캡부분(21)이 가공, 형성된다{도 17(d)}. 마찬가지로 하여 또 하나의 리드(20) 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 가공, 형성한다. 이때 각 캡부분(21)의 외경은 외주(30a)의 지름(φ1) 이 되고 내경은 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)이 된다. 이에 따라 각 리드(20)의 일단부에 리드(20)의 지름(φ)보다 큰 외경(φ1)과, 외경(φ1)보다 작은 임의의 크기의 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)을 가공, 형성할 수 있게 된다.

또한 리드(20)의 지름(φ)보다 큰 외경을 갖는 캡부분(21)은 이하에 설명하는 다른 방법으로 형성해도 된다.

도 18에 도시된 바와 같이 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)의 단면(20a)을 포함하는 단부 근방의 외주에 제1 평판 형성용 금형(50)을 밀착시켜 압력을 가하고 해당 부분을 계속적으로 협지함과 동시에 단면(20a)에 제2 평판 형성용 금형(60)을 밀착시킨다{도 18 (a)}. 이때 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)으로 굴곡한 제1 평판 형성용 금형(50)의 외주(50a)가 단면(20a)보다 높아지도록 단부 근방의 외주를 협지하고, 외주(50a)의 지름 및 제2 평판 형성용 금형(60)의 지름(φ3)을 리드(20)의 지름(φ)보다 크게 되도록 설정한다(φ<φ3).

이어서 제1 평판 형성용 금형(50)에 의해 리드(20)를 계속 협지하고, 제2 평판 형성용 금형(60)에 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)으로부터 강한 압력을 가하고, 제2 평판 형성용 금형(60)이 밀착된 단면(20a)을 포함하는 단부를 눌러 변형시킨다{도 18(b)}. 그 결과 리드(20)의 단부에 평판(20b)이 형성된다.

한편 제2 평판 형성용 금형(60)에 압력을 가하기 전에 지지체(31)로 리드(20)를 협지하는 제1 평판 형성용 금형(50)을 지지하여 단부에 대한 압력이 효과적으로 가해지도록 하는 것이 바람직하다.

이어서, 리드(20)의 평판(20b) 근방의 외주에 외주 형성용 금형(30)을 밀착 시켜 압력을 가하여 해당 부분을 계속 협지하면서 평판(20b)의 한 면(그림에 있어서 윗면)에 내주 형성용 금형(40)을 밀착시킨다{도 18(c)}. 이때 한쪽(그림에 있어서 위쪽)으로 굴곡한 내주 형성용 금형(30)의 외주(30a)가 평판(20b)보다 낮아지도록 단부 근방의 외주를 협지하고 외주(30a)의 지름(φ1)을 리드(20)의 지름(φ)보다 크면서 평판(20b)의 지름, 즉 외주(50a)의 지름 및 제2 평판 형성용 금형(60)의 지름(φ3)보다 작도록 설정한다 (φ<φ1<φ3). 또한 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)을 리드(20)의 지름(φ) 이상이며 외주(30a)의 지름(φ1)보다 작도록 설정한다 (φ≤φ2<φ1<φ3).

한편 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)을 리드(20)의 지름(φ) 이상으로 설정하고 있으나 이에 한정하지 않고 외주(30a)의 지름(φ1)보다 작은 임의의 크기로 설정이 가능하다.

또한 리드(20)를 계속 협지한 채 내주 형성용 금형(40)에 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)으로부터 강한 압력을 가하여 내주 형성용 금형(40)이 밀착된 평판(20b)을 눌러 변형시킨다{도 18(d)}.

한편 내주 형성용 금형(40)에 압력을 가하기 전에 지지체(31)에 의해 리드(20)를 협지하는 외주 형성용 금형(30)을 지지하여 단부에 대해 압력이 효과적으로 가해지도록 하는 것이 바람직하다.

그 결과 도 17에 도시된 경우와 마찬가지로 리드(20)의 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)이 가공, 형성된다. 마찬가지로 또 하나의 리드(20) 한쪽의 단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 가공, 형성한다. 이때 각 캡부분(21)의 외경은 외 주(30a)의 지름(φ1)이 되고 내경은 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)이 된다. 이에 따라 각 각 리드(20)의 일단부에 리드(20)의 지름(φ)보다 큰 외경(φ1)과 외경(φ1)보다 작은 임의의 크기의 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)을 가공, 형성할 수 있게 된다.

또한 리드(20)의 지름(φ)과 동등한 외경을 갖는 캡부분(21)을 형성할 경우, 도 19에 도시된 바와 같이 한쪽의 단면(20a)을 포함하는 단부 외주에 외주 형성용 금형(70)을 밀착시켜 압력을 가해 해당 부분을 파지(把持)한다{도 19 (a)}. 이때 외주 형성용 금형(70)의 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)의 단면(70a)이 리드(20)의 단면(20a)보다도 높아지도록 외주를 파지한다.

뒤이어 외주 형성용 금형(70)에 의해 리드(20)를 계속 파지하면서 단면(20a)의 일부에 내주 형성용 금형(40)을 밀착시켜 내주 형성용 금형(40)에 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)으로부터 강한 압력을 가해 내주 형성용 금형(40)이 밀착된 단면(20a)의 일부를 눌러 변형시킨다{도 19(b)}. 이때 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)을 리드(20)의 지름(φ)보다 작도록 설정한다(φ2<φ).

또한 내주 형성용 금형(40)에 압력을 가하기 전에 지지체(31)에 의해 리드(20)를 조이는 외주 형성용 금형(70)을 지지하여 단부에 대해 압력이 효과적으로 가해지도록 하는 것이 바람직하다.

그 결과 리드(20)의 단부에 오목 모양의 캡부분(21)이 형성된다{도 19(c)}. 마찬가지로 또 하나의 리드(20) 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 가공, 형성한다. 이때 각 캡부분(21)의 외경은 리드(20)의 지름(φ)이 되고 내경은 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)이 된다. 이에 따라 각 리드(20)의 일단부에 리드(20)의 지름(φ)과 동등한 외경(φ)과 외경(φ)보다 작은 임의의 크기의 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)을 가공, 형성할 수 있게 된다.

또한 리드(20)의 지름(φ)보다 작은 외경을 갖는 캡부분(21)을 형성할 경우 도 20에 도시된 바와 같이 한쪽(그림에 있어서 윗쪽) 단면(20a)을 포함하는 단부의 외주에 대좌(臺座) 형성용 금형(80)을 밀착시켜 압력을 가해 해당 부분을 협지한다{도 20 (a)}. 이때 대좌 형성용 금형(80)은 일부가 결여되어 있는 절흠부(80b)를 가지고 있으며 절흠부(80b) 이외의 부분이 단부의 외주에 밀착하여 대좌 형성용 금형(80)의 한쪽(그림에 있어서 윗쪽)의 단면(80a)이 단면(20a)보다 높아지도록 협지한다.

한편 대좌 형성용 금형(80)의 절흠부(80b)는 도 20에 도시한 형상에 한정하지 않고 예를 들면 직사각형으로 변경함으로써 대좌(22)를 형성하지 않아도 된다. 또한 절흠부(80b)에 대신해 볼록 모양으로 변경해도 되며 그 때에는 볼록 모양 부분을 단부 근방의 외주에 밀착시켜 해당 부분을 협지하도록 한다.

이어서, 대좌 형성용 금형(80)에 외주로부터 강한 압력을 가해 대좌 형성용 금형(80)이 밀착된 단면(20a)을 포함하는 단부를 눌러 변형시킨다{도 20(b)}. 이때 절흠부(80b)가 단부 근방의 외주에 밀착할 때까지 압력을 가하여 단부를 눌러 변형함으로써 단면(20a)의 지름은 리드(20)의 지름(φ)보다 작은 소정의 지름(φ1)이 된다(φ1<φ).

또한 대좌 형성용 금형(80)에 의해 리드(20)를 계속 파지하면서 단면(20a)의 일부에 내주 형성용 금형(40)을 밀착시켜 내주 형성용 금형(40)에 한쪽(그림에 있어서 위쪽)으로부터 강한 압력을 가하여 내주 형성용 금형(40)에 밀착한 단면(20a)의 일부를 눌러 변형시킨다{도 20(c)}. 이때 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)을 단면(20a)의 지름보다 작게 설정한다(φ2<φ1<φ).

한편 내주 형성용 금형(40)에 압력을 가하기 전에 지지체(31)에 의해 리드(20)를 파지하는 대좌 형성용 금형(80)을 지지하고 단부에 대하여 압력이 효과적으로 가해지도록 하는 것이 바람직하다.

그 결과 리드(20)의 단부 근방에 대좌(22)가 형성됨과 동시에 리드(20)의 단부에 오목 모양의 캡부분(21)이 형성된다{도 20(d)}. 마찬가지로 또 하나의 리드(20)의 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 가공, 형성한다. 이때 각 캡부분(21)의 외경은 리드(20)의 지름(φ)보다 작은 소정의 지름(φ1)이 되고 내경은 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2)이 된다. 이에 따라 각 리드(20)의 일단부에 리드(20)의 지름(φ)보다 작은 외경(φ1)과 외경(φ1)보다 작은 임의의 크기의 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)을 가공, 형성할 수 있게 된다.

한편, 본 실시 형태에서는 대좌(22)를 형성한 후 캡부분(21)을 형성하도록 했으나, 캡부분(21)을 형성한 후 대좌(22)를 형성해도 된다.

이처럼 임의의 크기의 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)이 각 리드(20)의 일단부에 가공 형성됨으로 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고, 리드와 캡을 용접하는 경우와 비교하여 리드의 단면에 형성되는 캡부분의 위치 정밀도를 높일 수 있는 등 각 리드(20)의 제조 정밀도를 높일 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)의 두께(φ1-φ2/2)를 임의로 설정할 수 있게 된다.

본 실시 형태에서는 세라믹 전자부품소자(10)의 길이 방향의 단부의 지름을 토대로 결정되는 외주 형성용 금형(30)의 외주(30a)의 지름(φ1), 내주 형성용 금형(40)의 지름(φ2) 및 소정의 지름(φ1)이 설정되고 있다. 이에 따라 세라믹 전자부품소자(10)의 길이 방향 단부의 지름을 토대로 결정되는 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 갖는 각 캡부분(21)을 각각 가공, 형성하고 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 직사각형인 세라믹 전자부품소자(10)의 모서리부분이 걸리거나 부딪치거나 하는 어긋난 압입에 의해 압력이 높아지는 것을 방지할 수 있게 된다.

한편 각 캡부분(21)의 형상은 그림에 나타난 경우에 한정하지 않고 외주 및 내주의 형상을 원형, 사각형, 다각형, 꽃잎 형상, 기타의 형상으로 해도 된다. 또한 외주 및 내주의 형상은 동일한 경우에 한정하지 않고 다른 형상을 조합해도 된다. 또한 세라믹 전자부품소자(10)를 감합할 때 낮은 압력으로 원활한 압입을 유도하기 위해 캡부분(21)의 입구부분을 둥글게 처리하거나 모서리를 깎아도 된다.

이와 같이 본 실시 형태에 관련되는 리드부착 전자부품의 제조방법에 따르면 임의의 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)을 각 리드(20)의 일단부에 가공, 형성하고 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합하고 각 단자전극(11)과 각 리드(20)를 도전 접속함으로 종래와 같이 리드와 캡과를 용접할 필요가 없고 각 리드(20)의 제조 정밀도를 높일 수 있으며, 감합되는 세라믹 전자부품소자(10)를 토대로 각 캡부분(21)의 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 설정할 수 있어 초소형의 세라믹 전자부품소자(10)를 사용하여 리드부착 전자부품(100)을 제조할 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)의 두께(φ1-φ2/2)를 임의로 설정할 수 있음으로 각 캡부분(21)의 두께를 얇게 하여 낮은 압력으로 세라믹 전자부품소자(10)를 압입할 수 있으며 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손이 방지되고 또한 불량품의 제조를 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

또한 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합한 후에 각 캡부분(21)과 세라믹 전자부품소자(10)를 봉지수지(90)에 의해 피복함으로 단자전극(11) 사이를 절연할 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 고정을 강화할 수 있음으로 전기나 열에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파괴 및 세라믹 전자부품소자(10)의 변형이나 탈락을 방지할 수 있고 또한 불량품의 제조를 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

또한 세라믹 전자부품소자(10)의 길이 방향의 단부의 지름을 토대로 결정되는 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)을 가공, 형성함으로 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합할 때 어긋난 압입에 의해 압력이 높아지는 것을 방지할 수 있기 때문에 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 소자 파손이 발생하기 어렵게 되고 또한 불량품의 제조를 방지하여 수 율 저하를 방지할 수 있다.

또한 본 실시 형태에 영향을 관련되는 리드의 제조방법에 따르면 임의의 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 갖는 캡부분(21)을 각 리드(20)의 일단부에 가공, 형성함으로 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 각 리드(20)의 제조 정밀도를 높일 수 있기 때문에 감합되는 세라믹 전자부품소자(10)를 토대로 각 캡부분(21)의 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 설정할 수 있어 초소형의 세라믹 전자부품소자(10)를 사용할 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)의 두께(φ1-φ2/2)를 임의로 설정함으로써 각 캡부분(21)의 두께를 얇게 하여 낮은 압력으로 세라믹 전자부품소자(10)를 압입할 수 있고 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 소자 파손의 발생을 막고 또한 불량품의 제조를 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

또한 세라믹 전자부품소자(10)의 길이 방향의 단부의 지름을 토대로 결정되는 외경(φ1) 및 내경(φ2)을 갖는 각 캡부분(21)을 각각 가공, 형성함으로 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합할 때 어긋난 압입에 의해 압력이 높아지는 것을 방지할 수 있기 때문에 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 소자 파손이 발생하기 어렵게 되고 또한 불량품의 제조를 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

도 21은 리드부착 전자부품의 제조방법 및 리드의 제조방법의 제2 실시 형태 를 나타내는 것으로 동도는 리드부착 전자부품의 제조 공정을 개략적으로 설명하는 그림이다.

제2 실시 형태와 제1 실시 형태와의 상위점은 한 쌍의 리드(20)를 대신하여 하나의 리드(20)의 양단부에 캡부분(21)을 각각 가공, 형성하도록 한 것이다. 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성 부분은 동일한 부호로서 나타내며 그 설명을 생략한다.

상술한 캡부분 형성공정에 의해 환상 리드(20)의 양단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 각각 가공, 형성한다{도 21 (a)}. 다음으로 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합하고 각 단자전극(11)과 리드(20)를 도전 접속한다{도 21(b)}.

이와 같이 제조된 리드부착 전자부품(100)은 캡부분(21)을 제외한 환상 리드(20)의 일부를 절단해서 사용된다.

한편 도 7에 도시된 바와 같이 리드부착 전자부품(100)은 각 캡부분(21) 및 세라믹 전자부품소자(10)를 피복해도 된다.

이와 같이 본 실시 형태에 따르면 하나의 리드(20) 양단부에 캡부분(21)을 각각 가공, 형성할 경우라도 제1 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.

도 22 내지 도 24는 리드부착 전자부품의 제조방법 및 리드의 제조방법의 제3 실시 형태를 나타내는 것으로서 도 22는 캡부분 형성공정의 개략을 설명하는 그림, 도 23은 도 22에 도시된 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 측(側)단면도, 도 24는 도 22에 도시된 리드의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 측단면도이 다.

제3 실시 형태와 제1 실시 형태와의 상위점은 각 캡부분(21)의 내부 밑면(21c)의 일부를 주석으로 피복하도록 한 것이다. 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성부분은 동일한 부호로서 나타내고 설명은 생략한다.

캡부분 형성공정 전의 각 리드(20)는 동(X)에 주석(Y)을 피복한 구조로 되어 있다{도 22(a)}.

상기 각 리드(20)에 대하여 전술한 캡부분 형성공정에 의해 각 리드(20)의 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 형성하고, 각 캡부분(21)의 내부 밑면(21c) 일부를 주석(Y)에 의해 피복하고 일부는 동(X)이 표출되어 있다{도 22(b)}. 이에 따라 압입에 의하여 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합하고 각 단자전극(11)과 각 리드(20)를 도전 접속할 때 주석에 의해 표면을 피복한 각 단자전극(11)과 각 내부 밑면(21c)과의 납땜이 용이해진다.

한편 캡부분 형성공정전의 각 리드(20)는 도 22에 도시된 경우에 한정하지 않고 도 23 및 도 24에 도시된 바와 같이 단부가 뾰족한 모양의 리드(20) 첨단(20c)에 오목 모양의 캡부분(21)을 형성해도 되고 리드(20)의 단면(20a) 또는 선단(20c)을 완전히 주석(Y)으로 피복되지 않아도 된다. 또한 내부 밑면(21c)의 일부를 주석(Y)에 의해 피복하거나 또는 내부 밑면(21c)의 전부를 주석(Y)에 의해 피복해도 된다.

이와 같이 본 실시 형태에 따르면 제1 실시 형태와 동일한 효과에 덧붙여 각 내부 밑면(21c)의 일부를 주석(Sn)에 의해 피복함으로 압입에 의해 세라믹 전자부 품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합하고 각 단자전극(11)과 각 리드(20)를 도전 접속할 때 주석(Sn)에 의해 표면을 피복한 각 단자전극(11)과 각 내부 밑면(21c)을 용이하게 납땜할 수 있기 때문에 납땜 공정을 간략화, 단축화할 수 있고 또한 제조 원가의 절감을 꾀할 수 있음과 동시에 도전 접속의 불량이 발생률이 낮아지고 또한 불량품의 제조를 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

도 25는 리드부착 전자부품의 제조방법 및 리드의 제조방법의 제4 실시 형태를 나타내는 것으로서 동도는 내주 형성용 금형의 중요 부분 확대 사시도이다.

제4 실시 형태와 제1 실시 형태와의 상위점은 각 캡부분(21)의 주벽(21d)의 일부에 절흠부(21d1)를 형성하도록 한 것이다. 한편 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성 부분은 동일한 부호로서 나타내고 설명은 생략한다.

내주 형성용 금형(40)은 지름의 크기가 외주 형성용 금형(30)의 외주(30a)의 지름(φ1)과 동등한 볼록 부분(40a)을 구비하고 상기 내주 형성용 금형(40)을 사용하여 전술한 캡부분 형성공정에 의해 각 리드(20)의 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 형성함으로써 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 각 캡부분(21)의 주벽(21d) 2곳에 절흠부(21d1)를 각각 형성한다. 이에 따라 압입에 의하여 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 압입에 의한 각 캡부분(21)의 응력을 줄일 수 있게 된다.

한편 볼록 부분(40a)은 그림에 도시된 경우에 한정하지 않고 볼록 부분(40a)의 위치, 크기, 형상, 수 등을 변경함으로써 임의의 절흠부(21d1)를 각 캡부분(21)의 주벽(21d)에 형성할 수 있다.

이와 같이 본 실시 형태에 따르면 제1 실시 형태로 동일한 효과에 덧붙여 각 캡부분(21)의 주벽(21d)의 일부에 절흠부(21d1)를 형성함으로 압입에 의해 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 압입에 의해 각 캡부분(21)의 응력을 줄일 수 있기 때문에 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손을 막고 또한 불량품의 제조를 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

도 26 내지 도 28은 리드부착 전자부품의 제조방법 및 리드의 제조방법의 제5 실시 형태를 나타내는 것으로서, 도 26은 내주 형성용 금형의 중요부분 확대 사시도, 도 27은 도 26에 도시된 내주 형성용 금형의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 사시도, 도 28은 도 26에 도시된 내주 형성용 금형의 변형예를 나타내는 중요부분 확대 사시도이다.

제5 실시 형태와 제1 실시 형태와의 상위점은 각 캡부분(21)의 안쪽면(21f)에 돌기(21e)를 형성하도록 한 것이다. 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성 부분은 동일한 부호로서 나타내고 설명은 생략한다.

도 26에 도시된 바와 같이 내주 형성용 금형(40)은 길이(L1)의 오목 부분(40b)을 구비하고 상기 내주 형성용 금형(40)을 사용하여 전술한 캡부분 형성공정에 의하여 각 리드(20)의 일단부에 오목 모양의 캡부분(21)을 형성함으로써 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이 각 캡부분(21)의 안쪽면(21f)의 4곳에 직사각형의 돌기(21d)를 각각 형성한다. 이에 따라 압입에 의해 각 캡부분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합했을 때 각 돌기(21e)가 직사각형의 세라믹 전자부 품소자(10)의 단부의 상하 좌우의 각 면을 보지할 수 있게 된다.

각 오목 부분(40b)의 길이(L1)는 캡부분(21)의 안쪽면(21f)의 높이, 즉 내부 밑면(21c)으로부터 개구면(21g)까지의 높이(L2)와 동등한 경우에 한정하지 않고 내부 밑면(21c)에서 개구면(21g)까지의 높이(L2)보다 낮은 경우라도 된다. 이에 따라 각 돌기(21e)가 세라믹 전자부품소자(10)를 보지할 수 있게 됨과 동시에 각 캡부분(21)의 개구면(21g)을 좁히지 않더라도 세라믹 전자부품소자(10) 각 단부의 감합이 용이하게 된다.

특히 도 13에 도시된 바와 같이 각 돌기(21e)의 높이(L1)를 내부 밑면(21c)에서 개구면(21g)까지의 높이(L2)의 반(L1=L2/2)정도로 하는 것이 효과적이다.

한편 각 오목 부분(40b)의 형상은 도 26에 나타낸 경우에 한정하지 않고 임의로 변경이 가능하여 예를 들면 도 27 및 도 28에 도시된 것과 같이 각 오목 부분(40b)이 캡부분(21)의 개구면측 단부를 둥글게 처리하여 가공(40b1)하거나 모서리 깎기(40b2)를 하는 경우, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이 각 돌기(21e)의 개구면(21g)측 단부가 둥글게 처리(21e1)되거나 모서리 깎기(21e2)로 처리된다. 이에 따라 압입에 의하여 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 낮은 압력으로 원활히 압입할 수 있게 된다.

한편 각 오목 부분(40b)의 위치, 크기, 수 등을 변경함으로써 임의의 돌기(21e)를 각 캡부분(21)의 안쪽면(21f)에 형성할 수 있다.

이와 같이 본 실시 형태에 따르면 제1 실시 형태와 동일한 효과에 덧붙여 각 캡부분(21)의 안쪽면(21f)에 각 돌기(21e)를 형성함으로 압입에 의해 각 캡부 분(21)에 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 감합했을 때 각 돌기(21e)가 세라믹 전자부품소자(10)를 보지할 수 있기 때문에 어긋난 압입의 발생을 방지할 수 있고, 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손을 막아 불량품의 제조를 방지해서 수율 저하를 방지할 수 있음과 동시에, 정확한 위치에 세라믹 전자부품소자(10)를 보지함으로서 각 리드(20)의 중심축과 세라믹 전자부품소자(10)의 길이 방향의 중심축을 일치시킬 수 있어 리드부착 전자부품(100)의 제조 정밀도를 높일 수 있다.

또한 각 돌기(21e)의 높이(L1)가 각 캡부분(21)의 내부 밑면(21c)에서 개구면(21g)까지의 높이(L2)보다 낮음으로써 각 돌기(21e)가 세라믹 전자부품소자(10)를 보지할 수 있음과 동시에 각 캡부분(21)의 개구면(21g)을 좁히지 않고도 세라믹 전자부품소자(10)의 양단부를 용이하게 감합할 수 있기 때문에 리드부착 전자부품(100)의 제조 정밀도를 높일 수 있음과 동시에 감합공정을 간략화, 단축화할 수 있고 또한 리드부착 전자부품(100)의 제조 원가의 절감을 꾀할 수 있다. 아울러 각 돌기(21e)의 개구면(21g) 옆 끝을 둥글게 처리(21e1)하거나 모서리 깎기(21e2)를 함으로써 압입에 의하여 세라믹 전자부품소자(10)의 각 단부를 각 캡부분(21)에 감합할 때 낮은 압력으로 원활하게 압입할 수 있기 때문에 각 캡부분(21)의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자(10)의 파손을 막고 또한 불량품의 제조를 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

한편 전술한 각 실시 형태의 구성 또는 동작을 조합시키거나 또는 일부의 구성 부분을 다른 것으로 대체해도 된다.

또한 본 발명의 구성 및 동작은 전술한 실시 형태에만 한정되는 것이 아니고 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 변경을 가해도 된다.

본 발명에 따른 리드부착 전자부품에 의하면 소정의 외경 및 내경을 갖는 각 캡부분이 가공 형성되어 있고 각 캡부분에 세라믹 전자부품소자의 각 단부가 감합되어 도전 접속되어 있기 때문에 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 리드의 제품 정밀도를 높일 수 있으며, 감합되는 세라믹 전자부품소자를 토대로 각 캡부분의 외경 및 내경을 설정할 수 있어 초소형 세라믹 전자부품소자를 사용한 리드부착 전자부품을 구성할 수 있음과 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정할 수 있기 때문에 각 캡부분의 두께를 얇게 하여 낮은 압력으로 세라믹 전자부품소자를 압입할 수 있어 각 캡부분의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자의 파손에 따른 불량품을 방지하여 수율 저하를 방지할 수 있다.

또한 본 발명에 따른 리드부착 전자부품의 제조방법에 의하면 소정의 외경 및 내경을 갖는 각 캡부분이 가공 형성되어 각 캡부분에 세라믹 전자부품소자의 각 단부가 감합되어 도전 접속되므로 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 리드의 제조 정밀도를 높일 수 있으며, 감합되는 세라믹 전자부품소자를 토대로 각 캡부분의 외경 및 내경을 설정할 수 있어 초소형의 세라믹 전자부품소자를 사용하 여 리드부착 전자부품을 제조할 수 있음과 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정할 수 있기 때문에 각 캡부분의 두께를 얇게 하여 낮은 압력으로 세라믹 전자부품소자를 압입할 수 있어 각 캡부분의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자의 파손이 발생하지 않아 불량품의 제조를 방지하고 수율 저하를 방지할 수 있다.

또한 본 발명에 따른 리드의 제조방법에 의하면 소정의 외경 및 내경을 갖는 각 캡부분이 가공 형성됨으로 종래와 같이 리드와 캡을 용접할 필요가 없고 리드의 제조 정밀도를 높일 수 있으며, 감합되는 세라믹 전자부품소자를 토대로 각 캡부분의 외경 및 내경을 설정할 수 있어 초소형의 세라믹 전자부품소자에 사용할 수 있음과 동시에 각 캡부분의 두께(외경-내경/2)를 임의로 설정할 수 있기 때문에 각 캡부분의 두께를 얇게 하여 낮은 압력으로 세라믹 전자부품소자를 압입할 수 있고 각 캡부분의 응력에 의한 세라믹 전자부품소자의 파손이 발생하지 않아 불량품의 제조를 방지하고 수율 저하를 방지할 수 있다.

Claims

길이 방향 양단부에 단자전극이 형성된 세라믹 전자부품소자와 한 쌍의 리드(lead)를 구비한 리드부착 전자부품에 있어서, 상기 각 리드의 일단부는 프레스 가공을 통해 리드와 일체로 형성된 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목(凹) 모양의 캡(cap) 부분을 가지며, 상기 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 상기 각 단부는 상기 각 캡부분에 감합(嵌合)되어, 상기 각 단자전극과 상기 각 리드가 도전 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
길이 방향의 양단부에 단자전극이 형성된 세라믹 전자부품소자와 리드를 구비한 리드부착 전자부품에 있어서, 상기 리드의 일단부 및 타단부는 프레스 가공을 통해 리드와 일체로 형성된 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡부분을 각각 가지며, 상기 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 각 단부는 각 캡부분에 감합되어, 상기 각 단자전극과 상기 리드가 도전 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 각 단부는, 감합된 상기 각 캡부분과 상기 세라믹 전자부품소자를 피복하는 봉지수지를 구비한 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각 캡부분은 상기 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 단부의 지름을 토대로 결정되는 외경 및 내경을 갖는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각 단자전극의 표면과 상기 각 캡부분의 내부 밑면의 적어도 일부는 주석(Sn)에 의해 피복된 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각 캡부분은 그 주벽(周壁)의 일부에 적어도 하나의 절흠부(切欠部)를 갖는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 각 캡부분은 그 안쪽 옆면에 적어도 하나의 돌기를 갖는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
제7항에 있어서, 상기 돌기의 높이는 각 캡부분의 내부 밑면에서부터 개구면까지의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
제8항에 있어서, 상기 돌기는 그 개구면쪽 단부를 둥글게 처리하거나 또는 모서리를 깎은 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품.
길이 방향의 양단부에 단자전극이 형성된 세라믹 전자부품소자와 한 쌍의 리드를 구비한 리드부착 전자부품의 제조방법에 있어서, 상기 각 리드의 일단부를 프레스 가공을 통해 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡 부분을 리드와 일체로 형성하는 캡부분 형성 공정과, 상기 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 각 단부를 상기 각 캡부분에 감합하고 상기 각 단자전극과 상기 각 리드를 도전 접속하는 도전접속 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품의 제조방법.
길이 방향의 양단부에 단자전극이 형성된 세라믹 전자부품소자와 리드를 구비한 리드부착 전자부품의 제조방법에 있어서, 상기 리드의 일단부 및 타단부를 프레스 가공을 통해 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡 부분을 리드와 일체로 형성하는 캡부분 형성공정과, 상기 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 각 단부를 상기 각 캡부분에 감합하고 상기 각 단자전극과 상기 리드를 도전 접속하는 도전접속공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품의 제조방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 도전접속 공정 후에 상기 각 캡부분과 상기 세라믹 전자부품소자를 봉지수지에 의해 피복하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품의 제조방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 캡부분 형성공정은 상기 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 단부의 지름을 토대로 결정되는 외경 및 내경을 갖는 각 캡부분을 각각 가공 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부 품의 제조방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 도전 접속 공정 전에 상기 각 단자전극의 표면을 주석으로 피복하는 공정을 포함하고, 상기 캡부분 형성공정은 상기 각 캡부분의 내부 밑면의 적어도 일부를 주석으로 피복하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품의 제조방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 캡부분 형성공정은 상기 각 캡부분의 주벽의 일부에 적어도 하나의 절흠부를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품의 제조방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 캡부분 형성공정은 상기 각 캡부분의 안쪽 면에 적어도 하나의 돌기를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품의 제조방법.
제16항에 있어서, 상기 돌기의 높이는 상기 각 캡부분의 내부 밑면으로부터 개구면까지의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품의 제조방법.
제17항에 있어서, 상기 돌기는 그 개구면쪽 단부를 둥글게 처리하거나 모서리를 깎은 것을 특징으로 하는 리드부착 전자부품의 제조방법.
리드부착 전자부품에 사용하는 한 쌍의 리드 제조방법에 있어서, 상기 각 리드의 일단부를 프레스 가공을 통해 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡 부분을 리드와 일체로 형성하는 캡부분 형성공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드의 제조방법.
리드부착 전자부품에 사용하는 리드의 제조방법에 있어서, 상기 리드의 일단부 및 타단부를 프레스 가공을 통해 소정의 외경 및 내경을 갖는 오목 모양의 캡 부분을 리드와 일체로 각각 형성하는 캡부분 형성공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드의 제조방법.
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 리드부착 전자부품은 세라믹 전자부품소자를 구비하고 있으며, 상기 캡부분 형성공정은 세라믹 전자부품소자의 길이 방향의 단부의 지름을 토대로 결정되는 외경 및 내경을 갖는 각 캡부분을 각각 가공 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드의 제조방법.
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 캡부분 형성공정은 상기 각 캡부분의 내부 밑면의 적어도 일부를 주석으로 피복하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드의 제조방법.
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 캡부분 형성공정은 상기 각 캡부분의 주벽의 일부에 적어도 하나의 절흠부를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하 는 리드의 제조방법.
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 캡부분 형성공정은 상기 각 캡부분의 안쪽면에 적어도 하나의 돌기를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드의 제조방법.
제24항에 있어서, 상기 돌기의 높이는 상기 각 캡부분의 내부 밑면에서 개구면까지의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 리드의 제조방법.
제25항에 있어서, 상기 돌기는 그 개구면쪽 단부를 둥글게 처리하거나 모서리를 깎는 것을 특징으로 하는 리드의 제조방법.