KR100857973B1 - 아크 챔버용 공급가스를 발생시키는 증발기 - Google Patents

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Abstract

이온원의 아크 챔버용 공급가스를 발생시키는 증발기는 공급가스로서 사용 가능한 증기를 생산하기 위해 도가니 내의 물질이 승화되는 온도로 가열된다. 상기 도가니를 가열하기 위한 가열 요소에 부가하여, 냉각 유체를 수용하기 위해 도가니의 길이를 따라 연장된 냉각 도관 형태의 냉각 요소가 구비된다. 가열 요소가 스위치 오프될 때, 상기 도가니가 강제 냉각됨으로써, 도가니가 보다 신속하게 냉각되어 공급가스의 공급이 즉시 종료될 수 있다. 이는 이온원이 하나의 공급가스로부터 다른 공급가스로 교체되는 경우 중요하다. 또한, 도가니가 강제 냉각됨과 동시에 가열 요소가 활성화됨으로써, 필요시 낮은 작동온도에서 도가니가 정확하게 제어될 수 있다.

Description

아크 챔버용 공급가스를 발생시키는 증발기{A VAPORISER FOR GENERATING FEED GAS FOR AN ARC CHAMBER}
본 발명은 아크 챔버용 공급가스를 발생시키기 위한 증발기에 관한 것이다.
본 발명은, 아크 챔버가 반도체 임플란트 장치(semiconductor implant apparatus)용 이온원으로서 작용할 때 특히 적용가능하다.
통상적으로, 이러한 증발기는 물질원을 수용하도록 배열된 세장형 도가니(elongate crucible)와, 물질원을 가열하여 공급가스를 발생시키는 가열기를 포함한다. 일반적으로, 이러한 증발기 2개가 반도체 임플란트 장치에 제공되며, 각각의 증발기는 상이한 종류의 공급가스를 발생시키는 서로 다른 물질원을 수용한다. 공급가스의 교체를 위해, 가열기의 전원을 차단하고 물질원을 냉각시킴으로써, 공급가스의 발생을 중지시킬 필요가 있다. 그 다음, 제 2 공급가스의 공급을 시작하기 위해 제 2 증발기의 가열기가 작동되기 이전에 아크 챔버는 퍼지된다. 통상적으로, 증발기는 방열(radiation)에 의해 냉각되지만, 냉각을 개선하기 위하여, 종래 기술에서는 대기 측의 도가니 단부에 N2 제트를 분사하였다. 이는 어느 정도 냉각을 개선하지만, 도가니의 먼 단부에 있는 물질원을 거의 냉각시키지 못한다.
종래에 사용된 증발기는, 증발기의 최대 온도 또는 그에 근접한 온도에서는 양호하게 작동되지만, 때때로 증발기가 저온에서 작동할 필요가 있다는 것이 문제가 된다. 종래의 증발기는, 가열기에 대한 갑작스러운 전력 서지(surge) 현상에 특히 민감하기 때문에, 종래의 증발기를 저온에서 제어하는 데는 어려움이 따른다.
본 발명의 목적은, 보다 효과적이고 균일한 냉각을 달성하도록, 도가니, 상기 도가니를 가열하기 위한 가열기 및 물질원을 냉각시키는 냉각 도관을 포함하는 아크 챔버용 공급가스를 발생시키기 위한 증발기를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 아크 챔버용 공급가스를 발생시키기 위한 증발기가 제공되며, 상기 증발기는 물질원을 수용하도록 배열된 세장형 도가니; 상기 물질원을 가열하여 공급가스를 발생시키는 가열기; 및 상기 도가니의 전체 길이를 따라 배열되며 냉각 유체를 수용하여 물질원을 냉각시키는 냉각 도관;을 포함한다.
상기 도가니를 따라 연장된 도관을 냉각 유체가 순환함으로써, 보다 효과적이고 균일한 냉각이 제공된다. 또한, 본 발명은, 상기 냉각 도관을 통해 제어된 양의 냉각 유체를 순환시킴과 동시에 상기 가열기를 최대 전력 또는 그에 근접한 전력으로 작동시킴으로써, 증발기가 저온에서 작동될 수 있도록 한다. 따라서, 본 발명에 따른 증발기는, 임플란트 시스템에서 일반적으로 사용되는 것보다 더 낮은 온도에서 승화되는 종류의 공급가스와 함께 사용될 수 있다.
냉각의 균일성을 최적화하기 위해, 냉각 도관은 실질적으로 도가니의 전체 길이를 따라 연장되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 냉각 도관은 도가니 주위를 나선형 구조로 귄취하는 것이 바람직하며, 이에 따라 간단한 방법으로 최적의 냉각을 달성한다.
증발기는 대체로 중공의 원통 형태를 갖는 도가니(1)를 포함한다. 상기 도가니(1)의 내부는 캐비티(2)를 형성하며, 상기 캐비티는 발생시키고자 하는 적절한 가스종의 고체를 수용한다. 상기 캐비티(2)의 제 1 단부(3)는 개방되어 있고, 사용시, 이온 임플란트 시스템 내에 위치한 이온원에 연결된다. 적절한 실링(미도시)이 도가니의 제 2 단부(4)에 제공됨으로써, 사용시, 도가니는 진공 챔버 내에 놓이도록 하는 반면, 조립체의 다른 부분들은 대기에 대해 개방되도록 한다.
도가니의 외측면 둘레에는 냉각 도관(5)이 도가니(1)의 전체 길이를 따라 나선형으로 권취된다. 나선형 냉각 도관이 도면에 이중 권취 구조로 도시되어 있다. 상기 권취 구조중 하나는 유입된 냉각제를 도면에 도시된 바와 같이 우측으로부터 좌측으로 도가니를 따라 전송하는 도관을 나타낸다. 반면, 다른 하나의 도관은 반대 방향으로 냉각제를 반송시킨다. 도관(5) 내의 벤드(6; 도 4에 잘 도시됨)는 외측 도관으로부터 반송 도관으로의 변환을 나타낸다.
절연 하우징 내의 얇은 전기 전도성 와이어 형태의 가열 요소(7)가 도가니(1)의 외측면의 홈(8)을 따라 나선형으로 권취된다. 상기 가열 요소(7)는 냉각 도관(5)과 동일한 피치(pitch)를 갖지만, 도가니(1)의 축선을 따라 편심되어 있다.
지지 튜브(9)는 도가니(1)의 제 2 단부(4)로부터 연장되어, 증발기가 장착되는 지지판(base plate; 10)에서 종료된다. 냉각제 공급관 및 반송관(11)이 지지 튜브(9)를 통해 연장되어, 나선형으로 권취된 냉각 도관(5)으로 연장되어 그로부터 다시 역방향으로 연장된다. 상기 지지판(10) 후방에서, 냉각제 반송관(11)에 제공된 루프(12)는 열팽창을 조절한다. 가열 요소(7)로부터 지지 튜브(9)를 통해 전기 접속기(14)로 리드(13)가 연장된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 도가니(1)의 제 2 단부(4)에 있는 보어(15)에서 증발기 대기측에 장착된 열전쌍을 이용하여, 도가니 내부 온도가 모니터링된다.
사용시, 조립체가 이온원에 연결 설치되면, 가열 요소(7)에 인가되는 전류는, 챔버(2) 내의 고체 물질원이 승화되기 위해 필요한 온도 바로 아래의 온도로 유지되도록 조정된다. 이 종의 이온 빔이 필요한 경우, 제어 시스템은 가열 요소(7)에 대한 전력을 증가시켜 증발기 온도를 상승시키고, 이에 따라 상기 고체가 승화된 후, 온도는 이온원 아크 챔버에 필요한 증기 흐름을 제공하기에 충분한 수준으로 유지된다. 일반적으로, 상기 가열 요소(7)는 고정된 전원으로부터의 간헐적인 가열 전류에 의해 활성화되고, 상기 가열 요소(7)에 전달되는 평균 전력은 가열 요소(7)가 활성화되는 동안의 시간 비율을 증가시키거나 감소시킴으로써 제어된다.
다른 종의 이온빔이 필요한 경우, 가능한 신속하게 아크 챔버로부터 현재의 종을 제거하는 것이 바람직하다. 이 때, 가열 요소(7)에 인가되는 전력은 차단되고, 질소와 같은 냉각 가스가 나선형으로 권취된 냉각 도관(5)을 순환하여 고체의 승화를 신속하게 중지시킨다.
증발기가 저온에서 작동될 필요가 있는 경우, 소량의 냉각 가스가 냉각 도관(5)을 통해 흐를 수 있으며, 전류가 가열 요소(7)에 인가된다. 가열 요소(7)에 가열 전류가 인가되는 동안, 이러한 도가니(1)의 강제 냉각은 도가니의 열 부하를 증대시키는 효과가 있으며, 따라서 상대적으로 높은 시간 비율로 활성화된 가열 요소(7)에 의해 상대적으로 낮은 온도가 유지될 수 있다. 따라서, 온도가 보다 원활하게 조절될 수 있기 때문에, 증발기가 저온에서 안정적으로 작동할 수 있다.
도 1은 증발기의 사시도;
도 2는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ선을 따르는 단면도;
도 3은 도 1에 도시된 증발기 하부의 평면도; 및
도 4는 도 3의 Ⅳ 원으로 표시한 부분을 상세히 도시하는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 도가니 2 : 캐비티
4 : 제 1 단부 5 : 냉각 도관
6 : 벤드 7 : 가열 요소
9 : 지지 튜브 10: 지지판
11: 반송관 12: 루프
13: 리드 14: 전기 접속기

Claims (5)

  1. 아크 챔버용 공급가스(feed gas)를 발생시키기 위한 증발기(vaporiser)로서,
    물질원(material source)을 수용하도록 배열된 세장형 도가니(elongate crucible);
    공급가스를 발생시키기 위해 상기 물질원을 가열하는 가열기(heater); 및
    냉각 유체(cooling fluid)를 수용하여 상기 물질원을 냉각시키기 위해 상기 도가니의 전체 길이를 따라 연장하도록 배열되는 냉각 도관(cooling duct)
    을 포함하는, 아크 챔버용 공급가스를 발생시키기 위한 증발기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 도관은 상기 도가니의 둘레에 권취(wind)되는, 아크 챔버용 공급가스를 발생시키기 위한 증발기.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각 도관은 나선형 구조(helical configuration)로 권취되는, 아크 챔버용 공급가스를 발생시키기 위한 증발기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가열기는 상기 도가니의 둘레에 나선형으로 권취된 가열 요소 - 상기 가열 요소는 상기 냉각 도관과 동일한 나선형 피치를 갖지만 축방향으로 편심(offset)됨 - 를 구비하는, 아크 챔버용 공급가스를 발생시키기 위한 증발기.
  5. 아크 챔버, 및 상기 아크 챔버에 공급가스를 제공하기 위해 연결된 증발기를 포함하는 이온원을 갖춘 반도체 임플란트(implant) 장치로서,
    상기 증발기는,
    물질원을 수용하도록 배열된 세장형 도가니;
    공급가스를 발생시키기 위해 상기 물질원을 가열하는 가열기; 및
    냉각 유체를 수용하여 상기 물질원을 냉각시키기 위해 상기 도가니의 전체 길이를 따라 연장하도록 배열되는 냉각 도관
    을 포함하는, 반도체 임플란트 장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4325852B2 (ja) 2003-09-19 2009-09-02 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 イオンソース用ベーパライザ
FI118803B (fi) * 2005-04-22 2008-03-31 Beneq Oy Lähde, järjestely lähteen asentamiseksi sekä menetelmä lähteen asentamiseksi ja poistamiseksi
US20070074812A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Andrej Mitrovic Temperature control of plasma density probe
US20070075036A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Paul Moroz Method and apparatus for measuring plasma density in processing reactors using a short dielectric cap
WO2009049285A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 University Of Delaware Thermal evaporation sources for wide-area deposition
US20130160712A1 (en) * 2010-09-01 2013-06-27 Sharp Kabushiki Kaisha Evaporation cell and vacuum deposition system the same
DE202016100917U1 (de) * 2016-02-22 2016-03-09 Türk & Hillinger GmbH Luft- und/oder Aerosolerhitzer
US20180010239A1 (en) * 2016-07-06 2018-01-11 United Technologies Corporation Vapor deposition apparatus and method
CN106435526B (zh) * 2016-10-10 2018-07-27 电子科技大学 一种用于mocvd制备ybco带材的气体反应腔
CN111616420A (zh) * 2020-07-17 2020-09-04 惠州市沛格斯科技有限公司 发热模组及发烟设备
WO2022221038A1 (en) * 2021-04-15 2022-10-20 Applied Materials, Inc. Evaporation source cooling mechanism

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990087659A (ko) * 1996-03-11 1999-12-27 하에펠리 에리흐, 베그만 어스 공작물 코팅방법 및 장치

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2433495A (en) * 1945-05-31 1947-12-30 Allis Chalmers Mfg Co Tilting induction furnace with leads extending through a trunnion
US3649862A (en) * 1969-05-01 1972-03-14 Colutron Corp Separated ion beam source with adjustable separation
FR2080943B1 (ko) 1970-01-30 1974-02-15 Mannesmann Ag
US3620522A (en) * 1970-04-10 1971-11-16 Cameron Iron Works Inc Disposable liner
US3935412A (en) * 1974-05-22 1976-01-27 Applied Materials, Inc. Induction heated vapor source
US4016389A (en) * 1975-02-21 1977-04-05 White Gerald W High rate ion plating source
US4115163A (en) * 1976-01-08 1978-09-19 Yulia Ivanovna Gorina Method of growing epitaxial semiconductor films utilizing radiant heating
US4462463A (en) * 1982-04-21 1984-07-31 Gorham Jr Robert S Triple pass heat exchanger
US5228505A (en) * 1986-02-21 1993-07-20 Aqua Systems Inc. Shell and coil heat exchanger
JPS62235466A (ja) * 1986-04-02 1987-10-15 Canon Inc 蒸着物質発生装置
WO1987006389A1 (en) * 1986-04-09 1987-10-22 J.C. Schumacher Company Semiconductor dopant vaporizer
US4719355A (en) * 1986-04-10 1988-01-12 Texas Instruments Incorporated Ion source for an ion implanter
US4847469A (en) * 1987-07-15 1989-07-11 The Boc Group, Inc. Controlled flow vaporizer
US4816291A (en) * 1987-08-19 1989-03-28 The Regents Of The University Of California Process for making diamond, doped diamond, diamond-cubic boron nitride composite films
EP0529687B1 (en) * 1988-03-30 1996-05-29 Rohm Co., Ltd. Molecular beam epitaxy apparatus
JPH03294720A (ja) 1990-04-12 1991-12-25 Sanyo Electric Co Ltd 液体燃料燃焼装置のヒータ制御方法
JP3238427B2 (ja) * 1991-07-25 2001-12-17 東京エレクトロン株式会社 イオン注入装置内に被処理体を搬入搬出するための気密容器の排気方法
JPH0610118A (ja) * 1992-06-29 1994-01-18 Nec Kansai Ltd 蒸着方法及び蒸発装置
JPH0836983A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Nissin Electric Co Ltd イオン源
US5604350A (en) * 1995-11-16 1997-02-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Fitting for an ion source assembly
US5598709A (en) * 1995-11-20 1997-02-04 Thermo King Corporation Apparatus and method for vaporizing a liquid cryogen and superheating the resulting vapor
JPH1163485A (ja) 1997-08-25 1999-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 燃焼装置
US6021582A (en) * 1998-03-16 2000-02-08 Novellus Systems, Inc. Temperature control of parylene dimer
US6107634A (en) 1998-04-30 2000-08-22 Eaton Corporation Decaborane vaporizer
JP3789655B2 (ja) * 1998-09-03 2006-06-28 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 セシウム導入装置
US6162300A (en) * 1998-09-25 2000-12-19 Bichrt; Craig E. Effusion cell
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
US6452338B1 (en) * 1999-12-13 2002-09-17 Semequip, Inc. Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer
US6704634B1 (en) * 2002-11-06 2004-03-09 The Boeing Company Gear retract braking system and method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990087659A (ko) * 1996-03-11 1999-12-27 하에펠리 에리흐, 베그만 어스 공작물 코팅방법 및 장치

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