KR100854803B1 - A substrate processing apparatus and a lid supporting apparatus - Google Patents

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KR100854803B1
KR100854803B1 KR1020060127316A KR20060127316A KR100854803B1 KR 100854803 B1 KR100854803 B1 KR 100854803B1 KR 1020060127316 A KR1020060127316 A KR 1020060127316A KR 20060127316 A KR20060127316 A KR 20060127316A KR 100854803 B1 KR100854803 B1 KR 100854803B1
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아키라 고다시마
신이치 미야노
다케히로 가토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Abstract

본 발명의 목적은 메인터넌스의 작업효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the work efficiency of maintenance.

본 발명에 있어서, 기판 처리 장치(1)는 피처리체로서의 반도체 웨이퍼에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 여섯 개의 프로세스 챔버(100)를 구비하고, 프로세스 챔버(100)에는 상부에 개구부를 갖는 프로세스 챔버 박스체(110)를 밀폐하기 위한 상측 덮개로서의 챔버 리드(200)가 설치되고, 프로세스 챔버(100)에 있어서 챔버 리드(200)를 개폐하기 위하여, 에어 실린더(510)와, 에어 실린더(510)가 결합된 1개의 리니어 가이드(520)를 구비하는 크레인 유닛(500)이 장착된다.In the present invention, the substrate processing apparatus 1 includes six process chambers 100 for performing plasma processing on a semiconductor wafer as an object to be processed, and the process chamber 100 has a process chamber box body having an opening at an upper portion thereof. The chamber lid 200 as an upper cover for sealing the 110 is provided, and the air cylinder 510 and the air cylinder 510 are coupled to open and close the chamber lid 200 in the process chamber 100. The crane unit 500 provided with one linear guide 520 is mounted.

Description

기판 처리 장치 및 덮개 지지 장치{A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND A LID SUPPORTING APPARATUS}Substrate processing apparatus and cover support apparatus {A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND A LID SUPPORTING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도, 1 is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에서의 하나의 프로세스 챔버의 외관을 개략적으로 도시한 사시도, FIG. 2 is a perspective view schematically showing the exterior of one process chamber in FIG. 1;

도 3은 도 2의 선 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도, 3 is a cross-sectional view along the line III-III of FIG.

도 4는 도 3에서의 데포짓 실드 및 셔터의 외관을 도시한 사시도, 4 is a perspective view illustrating the appearance of the deposit shield and the shutter of FIG. 3;

도 5는 도 2에서의 DC 필터 박스를 떼어 낸 후에 크레인 유닛이 장착된 프로세스 챔버의 외관을 도시한 사시도,5 is a perspective view showing the appearance of a process chamber in which a crane unit is mounted after removing the DC filter box in FIG. 2;

도 6a는 도 3의 프로세스 챔버를 메인터넌스(maintenance)하기 위하여, 도 5의 크레인 유닛을 장착하였을 때를 도시한 측단면도, 6A is a side cross-sectional view when the crane unit of FIG. 5 is mounted in order to maintain the process chamber of FIG. 3;

도 6b는 크레인 유닛에 의하여 챔버 리드 및 상부 전극 어셈블리를 위쪽으로 수직 이동시켰을 때를 도시한 측단면도, Figure 6b is a side cross-sectional view showing when the chamber lead and the upper electrode assembly vertically moved by the crane unit,

도 6c는 챔버 리드 및 상부 전극 어셈블리를 화살표 A 방향으로(안쪽으로) 수평 이동시켰을 때를 도시한 측단면도, 6C is a side cross-sectional view showing when the chamber lead and the upper electrode assembly are horizontally moved in the direction of arrow A (inward);

도 7은 도 3의 프로세스 챔버를 메인터넌스하기 위하여 챔버 리드 및 상부 전극 어셈블리를 도 6b에 도시한 상태로부터 화살표 B 방향으로(자기쪽으로) 수평 이동시켰을 때를 도시한 측단면도, FIG. 7 is a side cross-sectional view when the chamber lid and the upper electrode assembly are horizontally moved in the direction of arrow B (towards self) from the state shown in FIG. 6B to maintain the process chamber of FIG. 3; FIG.

도 8은 도 3에서의 챔버 리드, 상부 전극 어셈블리 및 데포짓 실드를 위쪽으로 수직 이동시켰을 때의 프로세스 챔버의 상태를 모식적으로 도시한 측단면도, 8 is a side cross-sectional view schematically showing a state of a process chamber when the chamber lead, the upper electrode assembly, and the deposit shield in FIG. 3 are vertically moved upward;

도 9는 본 발명의 실시형태의 변형예에서, 프로세스 챔버 내부의 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 위쪽으로 수직 이동시킬 때의 상태를 모식적으로 도시한 측단면도.FIG. 9 is a side cross-sectional view schematically showing a state when a mounting unit including a mounting table inside a process chamber is vertically moved upward in a modification of the embodiment of the present invention. FIG.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 기판 처리 장치 100 : 프로세스 챔버(P/C)1: substrate processing apparatus 100: process chamber (P / C)

110 : 프로세스 챔버 박스체(P/C 박스체) 130 : 데포짓 실드110: process chamber box body (P / C box body) 130: deposit shield

140 : 탑재대 유닛 150 : 상부 전극 어셈블리140: mounting unit 150: upper electrode assembly

200 : 챔버 리드 500 : 크레인 유닛200: chamber lid 500: crane unit

510 : 에어 실린더 520 : 리니어 가이드510: air cylinder 520: linear guide

700 : 트랜스퍼 챔버(T/C)700: transfer chamber (T / C)

본 발명은 기판 처리 장치 및 그 장치의 덮개 지지 장치에 관한 것으로서, 특히 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실(프로세스 챔버)을 구비하는 기판 처리 장치 및 그 장치의 덮개 지지 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a lid support apparatus of the apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus including a processing chamber (process chamber) for performing a predetermined process on a substrate to be processed and a lid support apparatus of the apparatus.

기판 처리 장치에는 반도체 디바이스를 제조하기 위하여, 피처리 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단하게 「웨이퍼」라 함)에, 플라즈마를 이용한 에칭 처리 등의 플라즈마 처리를 실시하는 프로세스 챔버를 구비하는 플라즈마 처리 장치가 있다. 프로세스 챔버는 그 상부에 그 프로세스 챔버를 밀폐하기 위한 챔버 상측 덮개를 갖는다(예를 들어, 후술하는 특허문헌 1 내지 4 참조). 이와 같은 기판 처리 장치에서는 챔버 상측 덮개를 프로세스 챔버로부터 떼어 이동시킴으로써, 챔버 상측 덮개의 외면이나 챔버 내면의 클리닝(cleaning)이나 프로세스 챔버의 분해·개조 등의 메인터넌스(maintenance)를 행할 수 있다.In the substrate processing apparatus, in order to manufacture a semiconductor device, a plasma processing apparatus including a process chamber which performs a plasma processing such as an etching process using plasma on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") as a substrate to be processed. There is. The process chamber has a chamber upper lid for sealing the process chamber on the top thereof (see Patent Documents 1 to 4 described later, for example). In such a substrate processing apparatus, by removing the chamber upper lid from the process chamber, maintenance such as cleaning of the outer surface of the chamber upper lid or the inner surface of the chamber and disassembly and modification of the process chamber can be performed.

특허문헌 1에 기재된 챔버 상측 덮개는 전자 빔을 이용한 노광장치(EB 장치)에 있어서, 프로세스 챔버로부터 수직 방향으로 세워 설치한 네 개의 가이드 폴을 따라서 승강하도록 구성되어 있다.The chamber upper lid described in Patent Literature 1 is configured to move up and down along four guide poles installed vertically from the process chamber in an exposure apparatus (EB apparatus) using an electron beam.

특허문헌 2, 3에 기재된 챔버 상측 덮개는 수직 방향으로 세워 설치한 두 개의 가이드 부재에 의하여 상기 챔버 상측 덮개의 단부가 승강 가능하게 지지된, 소위 캔틸레버 상하 구동 방식이며, 힌지부에 의하여 회전 가능하게 지지된다.The chamber upper lids described in Patent Literatures 2 and 3 are so-called cantilever up-and-down driving schemes in which the end portion of the chamber upper lid is liftably supported by two guide members installed upright in a vertical direction, and rotatable by a hinge portion. Supported.

특허문헌 4에 기재된 챔버 상측 덮개로서의 플레이트부는 수직 방향으로 세워 설치한 한 개의 가이드 부재로서의 구동축의 상부 측면으로부터 수평 방향으로 뻗어 나온 아암부에 의하여 그 상면이 지지된 슬라이드식의 것이며, 수직 방향에 있어서의 상하 이동에 부가하여, 수평 방향에 있어서의 회전(슬라이드)이 가능하다.The plate part as a chamber upper cover described in Patent Document 4 is of a slide type whose upper surface is supported by an arm part which extends in the horizontal direction from the upper side of the drive shaft as one guide member which is installed in the vertical direction, in the vertical direction. In addition to the vertical movement of, rotation (slide) in the horizontal direction is possible.

특허문헌 1. 일본 공개 특허공보 제 2004-311887 호Patent Document 1. Japanese Patent Application Publication No. 2004-311887

특허문헌 2. 일본 공개 특허공보 제 2000-058523 호Patent Document 2. Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-058523

특허문헌 3. 미국 특허 제 6,719,851 호 명세서Patent Document 3. US Patent No. 6,719,851

특허문헌 4. 국제공개 제 00/060653 호 팜플렛Patent Document 4. International Publication No. 00/060653 Pamphlet

그러나, 상기 특허문헌 1 내지 4에 기재된 기술에서는 챔버 상측 덮개를 지지하기 위한 적어도 한 개의 가이드 부재를 설치할 필요가 있으나, 이와 같은 가이드 부재는 프로세스 챔버 주위를 둘러싸기 위한 벽면을 설치하기 위한 프레임을 구성하는 기둥 부재나 인접하는 다른 프로세스 챔버에 간섭한다. 또, 특히 상기 특허문헌 1에 기재된 기술에서는 프레임으로서의 네 개의 가이드 폴이 챔버 상측 덮개와 간섭하기 때문에 챔버 상측 덮개를 수평 방향으로 이동시킬 수 없다. 그 때문에, 예를 들면 개조시에 프로세스 챔버 내부의 부품을 인출할 때에, 가령 가이드 폴의 가장 높은 위치에 챔버 상측 덮개를 상승시켰다고 하더라도 부품이 챔버 상측 덮개나 가이드 폴과 간섭한다.However, in the technique described in Patent Documents 1 to 4, it is necessary to provide at least one guide member for supporting the chamber upper cover, but such a guide member constitutes a frame for installing a wall surface for surrounding the process chamber. To the pillar member or another adjacent process chamber. Moreover, especially in the technique of the said patent document 1, since four guide poles as a frame interfere with a chamber upper cover, it is not possible to move a chamber upper cover in a horizontal direction. Therefore, for example, when taking out parts inside the process chamber during retrofitting, even if the chamber upper lid is raised to the highest position of the guide pole, the components interfere with the chamber upper lid or guide pole.

이에 부가하여 최근에는 웨이퍼 직경의 대형화에 따라 기판 처리 장치가 대형화되고 있다. 그 결과, 첫째로, 프로세스 챔버 주위의 공간이 더 좁아졌기 때문에, 상술한 바와 같은 가이드 부재를 설치할 공간이나 상기 특허문헌 4에 기재된 기술과 같이 챔버 상측 덮개의 수평 방향으로의 회전을 행하기 위한 공간을 확보하기가 곤란하다. 둘째로, 기판 처리 장치의 대형화에 따라 챔버 상측 덮개도 대형화되어 중량이 증대되기 때문에, 상기 특허문헌 2 내지 4에 기재되어 있는 바와 같은 개수의 가이드 부재나 힌지부로는 무거운 챔버 상측 덮개를 균형이 잘 잡히게 지지하기가 곤란하다.In addition to this, in recent years, the substrate processing apparatus has been enlarged with the increase of the wafer diameter. As a result, first, since the space around the process chamber is narrower, the space for installing the guide member as described above, or the space for performing rotation in the horizontal direction of the chamber upper lid as in the technique described in Patent Document 4 above. It is difficult to secure. Second, since the chamber upper lid is also enlarged with the enlargement of the substrate processing apparatus and the weight is increased, the heavy chamber upper lid is well balanced with the number of guide members or hinge portions as described in Patent Documents 2 to 4. Difficult to support

또한, 상기 프로세스 챔버 내에 배치된 챔버 내 부품에는 프로세스 챔버의 측벽 내면을 따라서 배치되어 상기 내벽 대신에 데포짓(퇴적물 : deposit)이 부착하는 내벽 보호체로서 기능하는 데포짓 실드(이하, 「데포짓 실드」라 함)나, 웨이퍼를 정전기적으로 흡착(chuck)하는 ESC(Electro Static Chuck) 기능을 갖는 탑재대(서셉터 : susceptor) 및 그 관련 부품으로 구성되는 탑재대 유닛이 있다. 이 데포짓 실드는 높이 방향의 치수가 크기 때문에, 프로세스 챔버로부터 수직 방향으로 꺼내려고 하더라도 그 하부가 프로세스 챔버의 측벽과 간섭한다는 문제가 있고, 한편 탑재대 유닛은 매우 무겁기 때문에 개조시에 꺼내기가 곤란하다는 문제가 있다.In addition, a deposition shield (hereinafter, "deposit") is disposed along an inner surface of a sidewall of the process chamber and functions as an inner wall protector to which a deposit (deposit) is attached instead of the inner wall. Shield ”), and a mount unit (susceptor) having an electrostatic chuck (ESC) function for electrostatically chucking a wafer and a related component. Since the deposit shield has a large dimension in the height direction, the lower part interferes with the side wall of the process chamber even when trying to remove it vertically from the process chamber. On the other hand, since the mount unit is very heavy, it is difficult to take out during retrofitting. There is a problem.

이상과 같은 점에서 클리닝이나 개조를 포함하는 메인터넌스의 작업 효율을 향상시키는 것이 요구되고 있다.In view of the above, it is required to improve the work efficiency of maintenance including cleaning and remodeling.

본 발명의 목적은 메인터넌스의 작업 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 그 장치의 덮개 지지 장치를 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a lid support apparatus for the apparatus capable of improving the working efficiency of maintenance.

상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치는, 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실로서, 상기 처리실을 밀폐하기 위한 처리실 상측 덮개가 상부에 설치된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개를 그 위쪽에서 수직 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지는, 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구를 구비하며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to claim 1 is a processing chamber which performs a predetermined processing on a substrate to be processed, and includes a processing chamber having a processing chamber upper cover for sealing the processing chamber thereon. The process chamber upper lid comprising: a vertical movement regulating portion for holding the processing chamber upper lid so as to be movable in a vertical direction from above and a horizontal movement regulating portion for holding the processing chamber upper lid so as to be movable in a predetermined horizontal direction. And a lid support mechanism for supporting the suspension, wherein the horizontal movement restricting portion suspends the processing chamber upper cover through the vertical movement restricting portion.

청구항 2에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축 가능한 에어 실린더로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of Claim 2 is a substrate processing apparatus of Claim 1 WHEREIN: The said vertical movement control part consists of the air cylinder which can expand and contract in a vertical direction, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 3에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of Claim 3 is a substrate processing apparatus of Claim 1 WHEREIN: The said horizontal movement control part consists of the linear guide extended in the said horizontal direction, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 4에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of Claim 4 is provided with the substrate processing apparatus of Claim 1, Comprising: The control apparatus which controls the movement position of the said process chamber upper cover is characterized by the above-mentioned.

청구항 5에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개에는, 상기 처리실 상측 덮개와 상기 처리실 내에 배치된 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus of Claim 1, the substrate processing apparatus of Claim 1 WHEREIN: At least one hole in which the said process chamber upper cover and the coupling member which couples the process chamber upper cover and the components in a process chamber arrange | positioned in the said process chamber are fitted. It is characterized by being formed.

청구항 6에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 5에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 내 부품은 상기 소정의 처리에 필요한 전력을 상기 처리실 내로 향하여 공급하는 상부 전극 및 상기 처리실의 내면의 상부를 보호하는 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of claim 6 is the substrate processing apparatus of claim 5, wherein the component in the processing chamber protects an upper electrode for supplying electric power necessary for the predetermined processing into the processing chamber and an upper portion of an inner surface of the processing chamber. It is characterized by including at least one of the inner wall protector.

청구항 7에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수직 이동 규제부는, 적어도 상기 처리실 상측 덮개측의 단부가, 상기 처리실 내에 설치된 상기 피처리 기판을 탑재하기 위한 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of Claim 7 is a substrate processing apparatus of Claim 1 WHEREIN: The said vertical movement control part has a mounting table for mounting the said to-be-processed board | substrate with which the edge part of the said process chamber upper cover side is provided in the said process chamber at least. It is characterized by being comprised so that exchange | exchange with the extraction jig for taking out the mounting base unit to include is carried out.

상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치는, 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실로서, 상기 처리실을 밀폐하기 위한 처리실 상측 덮개가 상부에 설치된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개를 위쪽에서 수직 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지는, 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구를 구비하며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하며, 상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축 가능한 에어 실린더로 이루어지며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the said objective, the substrate processing apparatus of Claim 8 is a processing chamber which performs a predetermined process to a to-be-processed board | substrate, Comprising: The substrate processing apparatus provided with the processing chamber in which the process chamber upper cover for sealing the said processing chamber is provided in the upper part. And a vertical movement restricting portion for holding the processing chamber upper lid so as to be movable in a vertical direction from above, and a horizontal movement restricting portion for holding the processing chamber upper lid in a predetermined horizontal direction. And a lid supporting mechanism for supporting the support, wherein the horizontal movement restricting portion suspends the upper chamber lid through the vertical movement restricting portion, and the vertical movement restricting portion is made of an air cylinder that is stretchable in a vertical direction. The line extends in the horizontal direction It is characterized by consisting of a guide.

청구항 9에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of Claim 9 is equipped with the substrate processing apparatus of Claim 8, Comprising: The control apparatus which controls the moving position of the said process chamber upper cover is characterized by the above-mentioned.

청구항 10에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개에는, 상기 처리실 상측 덮개와 상기 처리실 내에 배치된 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In the substrate processing apparatus of Claim 8, the substrate processing apparatus of Claim 8 WHEREIN: The said process chamber upper cover WHEREIN: At least 1 hole in which the coupling member which couples the said process chamber upper cover and the components in a process chamber arrange | positioned in the said process chamber is fitted. It is characterized by being formed.

청구항 11에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 10에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 내 부품은 상기 소정의 처리에 필요한 전력을 상기 처리실 내로 향하여 공급하는 상부 전극 및 상기 처리실의 내면의 상부를 보호하는 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of Claim 11 is the substrate processing apparatus of Claim 10 WHEREIN: The said component in a process chamber protects the upper electrode which supplies the electric power required for the said predetermined process toward the said process chamber, and the upper part of the inner surface of the said process chamber. It is characterized by including at least one of the inner wall protector.

청구항 12에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수직 이동 규제부는, 적어도 상기 처리실 상측 덮개측의 단부가, 상기 처리실 내에 설치된 상기 피처리 기판을 탑재하기 위한 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus of Claim 12 is a substrate processing apparatus of Claim 8 WHEREIN: The said vertical movement control part has a mounting table for mounting the said to-be-processed board | substrate at least the edge part of the said process chamber upper cover side installed in the said process chamber. It is characterized by being comprised so that exchange | exchange with the extraction jig for taking out the mounting base unit to include is carried out.

상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 13에 기재된 덮개 지지 장치는, 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실을 밀폐하기 위하여 상기 처리실의 상부에 설치된 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개를 그 위쪽에서 수직 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the lid support apparatus according to claim 13 includes a lid support for suspending and supporting a processing chamber upper lid provided on an upper portion of the processing chamber in order to seal the processing chamber of the substrate processing apparatus that performs a predetermined treatment on the substrate to be processed. An apparatus, comprising: a vertical movement regulating portion for holding the processing chamber upper lid movable in a vertical direction from above and a horizontal movement regulating portion for holding the processing chamber upper lid movable in a predetermined horizontal direction, the horizontal The movement regulating unit is supported by suspending the upper chamber lid through the vertical movement regulating unit.

청구항 14에 기재된 덮개 지지 장치는, 청구항 13에 기재된 덮개 지지 장치에 있어서, 상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축 가능한 에어 실린더로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The lid support apparatus of Claim 14 is a lid support apparatus of Claim 13, Comprising: The said vertical movement restricting part consists of the air cylinder which can expand and contract in a vertical direction. It is characterized by the above-mentioned.

청구항 15에 기재된 덮개 지지 장치는, 청구항 13에 기재된 덮개 지지 장치에 있어서, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The lid support apparatus of Claim 15 is a lid support apparatus of Claim 13, Comprising: The said horizontal movement control part consists of the linear guide extended in the said horizontal direction, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 16에 기재된 덮개 지지 장치는, 청구항 14에 기재된 덮개 지지 장치에 있어서, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The lid support apparatus of Claim 16 is a lid support apparatus of Claim 14, Comprising: The said horizontal movement control part consists of the linear guide extended in the said horizontal direction, It is characterized by the above-mentioned.

이하에 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, embodiment of this invention is described in detail, referring drawings.

도 1은 본 발명의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 있어서, 기판 처리 장치(1)는 피처리체로서의, 예를 들면 직경이 300㎜인 웨이퍼에 대하여 매엽마다 RIE(Reactive Ion Etching) 처리나 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실시하는 여섯 개의 프로세스 챔버(P/C)(100)와, 처리하지 않은 웨이퍼를 반출입하는 동시에 P/C(100)에서 처리된 웨이퍼를 반출입하는 기판 반출입부(600)와, P/C(100)와 기판 반출입부(600) 사이에서 웨이퍼를 반송하는 트랜스 퍼 챔버(T/C)(700)를 구비한다. 각 P/C(100)는 T/C(700)에 연결되어 있다.In Fig. 1, the substrate processing apparatus 1 includes six process chambers which perform plasma processing such as reactive ion etching (RIE) processing or ashing processing for each wafer on a wafer, for example, 300 mm in diameter. (P / C) 100, a substrate import / export unit 600 for carrying in and out of an unprocessed wafer and carrying out a wafer processed in the P / C 100, a P / C 100 and a substrate import / export unit ( And a transfer chamber (T / C) 700 for conveying the wafer between 600. Each P / C 100 is connected to a T / C 700.

기판 반출입부(600)는 웨이퍼 저장 용기인 후프를 탑재 가능한 세 개의 후프 탑재대(610), T/C(700)에 연결된 로드 로크실(L/L실)(620a, 620b), 후프 탑재대(610)와 L/L실(620a, 620b) 사이에 배치된 대기 반송계의 로더 유닛(630), 웨이퍼의 위치결정(프리얼라이먼트)을 행하는 프리얼라이먼트부(P/A)로서의 오리엔터(640), L/L실(620a, 620b)의 아래쪽이고 로더 유닛(630)의 앞쪽 측면에 각각 장착되어 있는 두 개의 비제품 기판용 후프(도시하지 않음)를 갖는다. 후프 탑재대(610)의 후프는 예를 들어 25매의 웨이퍼를 수용하고, 비제품 기판용 후프는 기판 처리 장치(1)의 시운전시 등에 사용하는 더미 처리용의 비제품 기판(더미 웨이퍼)을 소정 매수를 수용한다.The substrate loading / unloading unit 600 includes three hoop mounts 610 capable of mounting hoops, which are wafer storage containers, load lock chambers (L / L chambers) 620a and 620b connected to the T / C 700, and hoop mounts. The loader unit 630 of the atmospheric transfer system arranged between the 610 and the L / L chambers 620a and 620b, and an orienter 640 as a prealignment unit P / A for positioning (priming) the wafer. ), Two non-product substrate hoops (not shown) mounted below the L / L chambers 620a and 620b and mounted on the front side of the loader unit 630, respectively. The hoop of the hoop mount 610 accommodates 25 wafers, for example, and the hoop for non-product substrate includes a dummy product non-product substrate (dummy wafer) for use in trial run of the substrate processing apparatus 1. A predetermined number is accepted.

도 1의 기판 처리 장치(1)에 의하면, 여섯 개의 P/C(100)를 구비하므로, 웨이퍼의 기판 처리를 동시에 실행할 수 있다.According to the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1, since six P / Cs 100 are provided, the substrate processing of a wafer can be performed simultaneously.

도 2는 도 1에 있어서의 P/C(100)의 외관을 개략적으로 도시한 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view schematically showing the appearance of the P / C 100 in FIG. 1.

도 2에 도시한 바와 같이, P/C(100)에는 그 상부에 개구부를 갖는 P/C 박스체(110)와, P/C 박스체(110)를 밀폐하기 위한 상측 덮개로서의 챔버 리드(200)가 설치되어 있다. P/C 박스체(110)에는 EPP용 창(111)이 설치되어 있다. 또, P/C(100)의 측방에는 P/C(100)의 주위를 둘러싸기 위한 벽재 및 그 벽면을 지지하는 기둥 부재로 구성된 프레임(400)이 배치되어 있고, 이와 같은 프레임(400)은 P/C(100)의 위쪽에도 천장면을 형성하기 위하여 배치되어 있다.As shown in FIG. 2, the P / C 100 has a P / C box body 110 having an opening thereon and a chamber lid 200 as an upper cover for sealing the P / C box body 110. ) Is installed. The P / C box body 110 is provided with a window 111 for EPP. Moreover, the frame 400 which consists of a wall member for enclosing the periphery of the P / C 100, and the pillar member which supports the wall surface is arrange | positioned at the side of the P / C 100, Such a frame 400 is It is also arranged above the P / C 100 to form a ceiling surface.

챔버 리드(200)의 위쪽에는 P/C(100) 내에 처리가스를 공급하기 위한 가스 박스(310), 후술하는 DC 전력을 공급하는 직류 전원(49)을 고장내지 않도록 그 직류 전원(49)으로의 후술하는 RF 전력의 누출을 블로킹하는 동시에 DC 전력을 통과시키기 위한 DC 필터가 내부에 배치된 DC 필터 박스(320), P/C(100) 내부의 압력 계측을 행하는 압력 계측기(330) 등의 부품이 배치되어 있다. 가스 박스(310)는 처리가스의 유로를 두 개의 처리가스 공급관(310a, 310b)에 분기시키기 위한 플로우 스플리터와, 두 개의 처리가스 공급관(310a, 310b)에 공급하는 처리가스의 유량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(MFC)를 구비한다. 처리가스 공급관(310a, 310b)은 각각 챔버 리드(200)를 관통하도록 P/C(100) 내부의 공간과 접속된다. DC 필터 박스(320)는 챔버 리드(200)의 상면에 접속된다. 또, DC 필터 박스(320)의 내부에는 통기구멍(venthole)이 마련되어 있다.Above the chamber lid 200, the gas box 310 for supplying the processing gas into the P / C 100, and the DC power supply 49 so as not to break down the DC power supply 49 for supplying DC power, which will be described later. DC filter box 320 having a DC filter for blocking the leakage of RF power to be described later and passing DC power therein, a pressure measuring instrument 330 for measuring pressure inside the P / C 100, and the like. The parts are arranged. Gas box 310 is a flow splitter for branching the flow path of the processing gas to the two processing gas supply pipe (310a, 310b), and the mass for controlling the flow rate of the processing gas supplied to the two processing gas supply pipe (310a, 310b) A flow controller (MFC) is provided. The process gas supply pipes 310a and 310b are connected to a space inside the P / C 100 so as to pass through the chamber lid 200, respectively. The DC filter box 320 is connected to the upper surface of the chamber lid 200. In addition, a vent hole is provided inside the DC filter box 320.

또, 챔버 리드(200)에는 나사 구멍(210a)이 예를 들어 세 개 형성되어 있다. 또한, 형성되는 나사 구멍(210a)은 두 개 이상이면 된다. 각 나사 구멍(210a)에는 필요에 따라서 나사가 끼워져서, 그 나사는 챔버 리드(200)와 후술하는 도 3의 데포짓 실드(130)를 결합하기 위한 결합 부재로서 기능한다.In the chamber lid 200, three screw holes 210a are formed, for example. Moreover, what is necessary is just two or more screw holes 210a formed. A screw is inserted into each screw hole 210a as needed, and the screw functions as a coupling member for engaging the chamber lid 200 and the deposit shield 130 of FIG. 3 mentioned later.

도 3은 도 2의 선 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이며, P/C(100)의 내부의 구성을 개략적으로 나타낸다.FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2 and schematically shows the configuration of the interior of the P / C 100.

도 3에 있어서, P/C(100)는 내면이 알마이트 코팅되어 있는 알루미늄제의 원통 형상의 측벽(10)과, 이 측벽(10)의 내면을 따라서 배치된 거의 원통 형상인 데포짓 실드(130)를 구비한다. 데포짓 실드(130)의 상면에는 온도 조정부나 유수관 등의 부품(135)이 배치된다.In Fig. 3, the P / C 100 has an aluminum cylindrical cylindrical sidewall 10 having an inner surface coated thereon and a substantially cylindrical depositing shield disposed along the inner surface of the sidewall 10 ( 130). On the upper surface of the deposit shield 130, a component 135 such as a temperature controller or a water pipe is disposed.

데포짓 실드(130)에 의해서 구획지어진 공간(이하, 「반응공간」이라 함)의 아래쪽에는, 웨이퍼가 탑재되는 거의 원기둥 형상의 탑재대(서셉터)(11)를 포함하는 탑재대 유닛(140)이 배치되어 있고, 그 반응공간의 위쪽에는, 후술하는 상부 전극을 포함하는 상부 전극 어셈블리(150)가 탑재대 유닛(140)과 대면하도록 배치되어 있다. 상부 전극 어셈블리(150)는 챔버 리드(200)에 대하여 착탈 가능하게 챔버 리드(200)의 바닥면과 맞닿는다. 또, P/C(100)는 전기적으로 접지하고, 탑재대(11)는 P/C(100)의 바닥부에 배치된 절연성 부재(29)를 개재하여 설치된다.On the lower side of the space partitioned by the deposit shield 130 (hereinafter referred to as "reaction space"), a mounting unit 140 including a substantially cylindrical mounting table (susceptor) 11 on which a wafer is mounted. ) Is disposed, and an upper electrode assembly 150 including an upper electrode to be described later is disposed above the reaction space so as to face the mounting unit 140. The upper electrode assembly 150 abuts against the bottom surface of the chamber lid 200 in a detachable manner with respect to the chamber lid 200. The P / C 100 is electrically grounded, and the mounting table 11 is provided via an insulating member 29 disposed at the bottom of the P / C 100.

P/C(100)에서는, 측벽(10)의 내면과 탑재대 유닛(140)의 측면에 의해서, 탑재대 유닛(140) 위쪽의 기체 분자를 P/C(100) 밖으로 배출하는 유로로서 기능하는 배기로(12)가 형성된다. 이 배기로(12)의 도중에는 플라즈마의 누설을 방지하는 고리형상의 배플판(13)이 배치된다. 또, 배기로(12)에 있어서의 배플판(13)보다 하류의 공간[배기실(매니폴드)]은 측벽(10)에 형성된 배기구멍(10a)을 거쳐 배기펌프(도시하지 않음) 등의 배기장치(50)에 접속된다. 이에 따라, P/C(100) 내를 거의 진공상태가 될 때까지 감압하는 등의 P/C(100) 내의 압력 제어를 행할 수 있다.In the P / C 100, the inner surface of the side wall 10 and the side surface of the mount unit 140 function as a flow path for discharging gas molecules above the mount unit 140 out of the P / C 100. An exhaust path 12 is formed. An annular baffle plate 13 is disposed in the middle of the exhaust passage 12 to prevent plasma leakage. In addition, a space (exhaust chamber (manifold)) downstream from the baffle plate 13 in the exhaust path 12 passes through an exhaust hole 10a formed in the side wall 10, such as an exhaust pump (not shown). It is connected to the exhaust apparatus 50. Thereby, pressure control in the P / C 100, such as depressurizing the inside of the P / C 100 until it becomes almost vacuum, can be performed.

탑재대(11)에는 고주파 전원(32)이 급전 막대(33) 및 정합기(Matcher)(34)를 개재하여 접속되어 있고, 이 고주파 전원(32)은 비교적 높은 주파수, 예를 들어 40㎒의 고주파 전력(RF 전력)을 탑재대(11)에 공급한다. 이에 의해, 탑재대(11)는 하부 전극으로서 기능한다. 또, 정합기(34)는 탑재대(11)로부터의 RF 전력의 반사를 저감하여 RF 전력의 탑재대(11)로의 공급 효율을 최대로 한다. 탑재대(11)는 고주파 전원(32)으로부터 공급된 40㎒의 RF 전력을 반응공간에 인가한다. 이 때, 반응공간에는 인가된 RF 전력에 기인하는 전위(포텐셜)가 발생한다.A high frequency power supply 32 is connected to the mounting table 11 via a power feeding rod 33 and a matcher 34. The high frequency power supply 32 has a relatively high frequency, for example, 40 MHz. High frequency power (RF power) is supplied to the mounting table 11. Thereby, the mounting table 11 functions as a lower electrode. The matching unit 34 also reduces reflection of RF power from the mounting table 11 to maximize the supply efficiency of the RF power to the mounting table 11. The mounting table 11 applies the RF power of 40 MHz supplied from the high frequency power supply 32 to the reaction space. At this time, a potential (potential) due to the applied RF power is generated in the reaction space.

또, 탑재대(11)에는 또 다른 고주파 전원(37)이 급전 막대(35) 및 정합기(36)를 개재하여 접속되어 있고, 그 다른 고주파 전원(37)은 비교적 낮은 주파수, 예를 들어 2㎒의 RF 전력을 탑재대(11)에 공급한다. 정합기(36)는 정합기(34)와 동일한 기능을 갖는다.In addition, another high frequency power source 37 is connected to the mounting table 11 via a power supply bar 35 and a matching unit 36, and the other high frequency power source 37 has a relatively low frequency, for example, two. MHz power is supplied to the mounting table 11. The matcher 36 has the same function as the matcher 34.

탑재대(11), 특히 그 표면에는 공급된 2㎒의 RF 전력에 기인하여 고주파(2㎒)의 전위가 발생한다. 또, 그 표면에는 공급된 40㎒의 RF 전력에도 기인하여 전위가 발생한다.On the mounting table 11, especially its surface, a high frequency (2 MHz) potential is generated due to the supplied 2 MHz RF power. In addition, a potential is generated on the surface due to the supplied 40 MHz RF power.

탑재대 유닛(140)의 상부에는 도전막을 내포하는 원판 형상의 ESC 전극판(14)이 배치되어 있다. ESC 전극판(14)에는 ESC 직류 전원(24)이 전기적으로 접속되어 있다. 웨이퍼는 ESC 직류 전원(24)으로부터 ESC 전극판(14)에 인가된 직류 전압에 의하여 발생하는 쿨롱력 또는 존슨 라벡(Johnsen-Rahbek)력에 의해서 ESC 전극판(14)의 상면에 흡착 유지된다. 또, 탑재대 유닛(140)의 측부에는 ESC 전극판(14)의 상면에 흡착 유지되는 웨이퍼의 주위를 둘러싸도록 원고리 형상의 포커스 링(15) 등이 배치된다. 이 포커스 링(15)은 반응공간에 노출되고, 이 반응공간에서 플라즈마를 웨이퍼의 표면으로 향하여 수속하여, 플라즈마 처리의 효율을 향상시킨다.On the upper portion of the mount unit 140, a disc shaped ESC electrode plate 14 containing a conductive film is disposed. The ESC DC power supply 24 is electrically connected to the ESC electrode plate 14. The wafer is sucked and held on the upper surface of the ESC electrode plate 14 by Coulomb force or Johnsonsen-Rahbek force generated by the DC voltage applied from the ESC DC power supply 24 to the ESC electrode plate 14. In addition, a ring-shaped focus ring 15 or the like is disposed on the side of the mount unit 140 so as to surround the periphery of the wafer adsorbed and held on the upper surface of the ESC electrode plate 14. The focus ring 15 is exposed to the reaction space, and the plasma is converged toward the surface of the wafer in this reaction space, thereby improving the efficiency of the plasma treatment.

또, 탑재대(11)의 내부에는 예를 들어, 원주 방향으로 연장되는 고리형상의 냉매실(25)이 설치된다. 이 냉매실(25)에는 칠러 유닛(도시하지 않음)으로부터 냉매용 배관(26)을 거쳐 소정 온도의 냉매, 예를 들어, 냉각수나 갈덴(등록상표)액이 순환 공급되어, 상기 냉매의 온도에 의해서 ESC 전극판(14)의 상면에 흡착 유지된 웨이퍼의 처리온도가 제어된다.In addition, for example, an annular refrigerant chamber 25 extending in the circumferential direction is provided inside the mounting table 11. The refrigerant chamber 25 is circulated and supplied from a chiller unit (not shown) to the refrigerant at a predetermined temperature, for example, cooling water or galden (registered trademark) liquid, through a refrigerant pipe (26). The processing temperature of the wafer adsorbed and held on the upper surface of the ESC electrode plate 14 is controlled.

또한, ESC 전극판(14)[탑재대 유닛(140)]의 상면의 웨이퍼가 흡착 유지되는 부분(이하, 「흡착면」이라 함)에는 복수의 전열가스 공급구멍(27)이 개구되어 있다. 이들 복수의 전열가스 공급구멍(27)은 전열가스 공급부(28)에 접속되고, 이 전열가스 공급부(28)는 전열가스로서의 헬륨 가스를, 전열가스 공급구멍(27)을 거쳐 흡착면 및 웨이퍼 이면의 간극에 공급한다.In addition, a plurality of heat transfer gas supply holes 27 are opened in a portion where the wafer on the upper surface of the ESC electrode plate 14 (mounting table unit 140) is adsorbed and held (hereinafter, referred to as an "adsorption surface"). These heat transfer gas supply holes 27 are connected to the heat transfer gas supply part 28, and this heat transfer gas supply part 28 carries helium gas as heat transfer gas through the heat transfer gas supply hole 27, and the adsorption surface and the wafer back surface. Feed in the gaps.

탑재대 유닛(140)의 흡착면에는 탑재대 유닛(140)의 상면으로부터 돌출 가능한 리프트 핀으로서의 푸셔 핀(도시하지 않음)이 예를 들어 세 개 배치되어 있다. 이들 푸셔 핀은 웨이퍼에 플라즈마 처리를 실시하기 위하여 웨이퍼를 흡착면에 흡착 유지할 때에는 탑재대 유닛(140)에 수용되고, 플라즈마 처리가 실시된 웨이퍼를 P/C(100)로부터 반출할 때에는 탑재대 유닛(140)의 상면으로부터 돌출하여 웨이퍼를 ESC 전극판(14)으로부터 이간시켜서 위쪽으로 들어 올린다.Three pusher pins (not shown) as lift pins protruding from the upper surface of the mount unit 140 are arranged on the suction surface of the mount unit 140, for example. These pusher pins are accommodated in the mount unit 140 when the wafer is adsorbed and held on the adsorption surface in order to perform plasma processing on the wafer, and the mount unit when the wafer subjected to plasma processing is carried out from the P / C 100. It protrudes from the upper surface of 140 and separates a wafer from the ESC electrode plate 14, and lifts it upwards.

상부 전극 어셈블리(150)는 다수의 가스 구멍(23)을 갖고 탑재대 유닛(140)과 대면하는 샤워헤드(20)와, 이 샤워헤드(20)를 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(21)와, 데포짓 실드(130)와의 접촉부에 배치된 고리 형상의 실드 링(151)과, 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)를 결합하는 복수의 나사(152)를 갖는다. 샤워헤드(20)에는 소정의 직류 전력(DC 전력)을 공급하는 직류 전원(49)이 접속되어 있고, 이에 따라 샤워헤드(20)는 상부 전극으로서 기능한다. 전극 지지체(21)는 내부에, 상기 처리가스 공급관(310a, 310b)이 접속하여 처리가스가 공급되는 버퍼실(22)이 형성되어 있는 동시에, 상기 버퍼실(22)의 하부를 폐색하는 쿨링 플레이트(21a)를 갖는다. 샤워헤드(20)는 처리가스 공급관(310a, 310b)으로부터 버퍼실(22)로 공급된 처리가스를 가스 구멍(23)을 경유하여 P/C(100) 내로 공급한다.The upper electrode assembly 150 includes a shower head 20 having a plurality of gas holes 23 facing the mount unit 140, an electrode support 21 for detachably supporting the shower head 20, and And an annular shield ring 151 disposed at a contact portion with the deposit shield 130, and a plurality of screws 152 coupling the chamber lead 200 and the upper electrode assembly 150. The shower head 20 is connected to a DC power supply 49 for supplying a predetermined DC power (DC power), and the shower head 20 thus functions as an upper electrode. In the electrode support 21, a cooling plate 22 is formed inside the buffer chamber 22 to which the processing gas supply pipes 310a and 310b are connected to supply the processing gas, and closes the lower portion of the buffer chamber 22. (21a). The shower head 20 supplies the process gas supplied from the process gas supply pipes 310a and 310b to the buffer chamber 22 through the gas hole 23 into the P / C 100.

또, P/C(100)의 측벽(10)에는 상기 푸셔 핀에 의해서 들어 올려진 웨이퍼의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼의 반출입구(30)가 마련되고, 반출입구(30)에는 이 반출입구(30)를 개폐하기 위하여 승강 가능하게 구성된 셔터(31)가 장착되어 있다.The sidewall 10 of the P / C 100 is provided with a wafer entry / exit 30 at a position corresponding to the height of the wafer lifted by the pusher pin, and the entry / exit 30 is provided at the entry / exit 30. In order to open and close the 30, a shutter 31 configured to be lifted and lowered is mounted.

이 P/C(100) 내에서는, 상술한 바와 같이, 하부 전극으로서 기능하는 탑재대 유닛(140)에 RF 전력을, 또한 상부 전극으로서 기능하는 상부 전극 어셈블리(150)에 DC 전력을 공급하여, 그들 사이의 반응공간에 이들 전력을 인가함으로써, 상기 반응공간에서 샤워헤드(20)로부터 공급된 처리가스로부터 고밀도의 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마에 의해서 웨이퍼에 플라즈마 처리를 실시한다.In the P / C 100, as described above, RF power is supplied to the mounting table unit 140 functioning as the lower electrode, and DC power is supplied to the upper electrode assembly 150 functioning as the upper electrode. By applying these powers to the reaction spaces therebetween, a high density plasma is generated from the process gas supplied from the shower head 20 in the reaction space, and the plasma is subjected to the plasma treatment.

구체적으로는 웨이퍼에 플라즈마 처리를 실시할 때, 먼저 셔터(31)를 개구하고, 플라즈마 처리 대상인 웨이퍼를 P/C(100) 내에 반입하고, 또한 ESC 전압을 ESC 전극판(14)에 인가함으로써, 반입된 웨이퍼를 탑재대(11)의 흡착면에 흡착 유지한다. 또, 샤워헤드(20)로부터 처리가스(예를 들어, 소정의 유량 비율의 CF4 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합가스)를 소정의 유량 및 유량비로 P/C(100) 내에 공급하는 동시에, P/C(100) 내의 압력을 소정값으로 제어한다. 또한, 탑재대 유닛(140) 및 상부 전극 어셈블리(150)로부터 P/C(100) 내의 반응공간에 RF 전력 및 DC 전력을 인가한다. 이에 따라, 샤워헤드(20)로부터 도입된 처리가스를 반응공간에서 플라즈마로 하고, 이 플라즈마를 포커스 링(15)에 의해서 웨이퍼의 표면에 수속하여, 웨이퍼의 표면을 물리적 또는 화학적으로 에칭한다.Specifically, when the wafer is subjected to plasma processing, the shutter 31 is first opened, the wafer, which is the plasma processing target, is loaded into the P / C 100, and the ESC voltage is applied to the ESC electrode plate 14. The loaded wafer is sucked and held on the suction surface of the mounting table 11. In addition, the processing gas (for example, a mixed gas consisting of CF 4 gas, O 2 gas, and Ar gas at a predetermined flow rate) is supplied from the shower head 20 into the P / C 100 at a predetermined flow rate and flow rate ratio. At the same time, the pressure in the P / C 100 is controlled to a predetermined value. In addition, RF power and DC power are applied to the reaction space in the P / C 100 from the mount unit 140 and the upper electrode assembly 150. As a result, the processing gas introduced from the shower head 20 is a plasma in the reaction space, the plasma is converged to the surface of the wafer by the focus ring 15, and the surface of the wafer is etched physically or chemically.

도 4는 도 3에서의 데포짓 실드(130) 및 셔터(31)의 외관을 도시한 사시도이다.4 is a perspective view illustrating the appearance of the deposit shield 130 and the shutter 31 in FIG. 3.

도 4에 있어서, 데포짓 실드(130)는 P/C(100)의 측벽(10)의 내면 상부를 따르는 외경 670㎜, 높이 150㎜의 거의 원통 형상을 이루고, 측벽(10)의 내면에 데포짓(퇴적물)이 부착되는 것을 방지함으로써 측벽(10)을 보호하는 내벽 보호체로서 기능한다. 또, 데포짓 실드(130)의 하부의 일부에는 폭 방향에 관하여 웨이퍼의 직경보다 큰 가로폭의 절결부(131)가 형성되어 있고, 이 절결부(131)의 절결면은 셔터(31)의 상면과 상보(相補)적인 형상을 갖는다. 또, 셔터(31)는 데포짓 실드(130)와 동일한 재료로 구성되어 있다.In FIG. 4, the deposit shield 130 has a substantially cylindrical shape having an outer diameter of 670 mm and a height of 150 mm along the upper surface of the inner surface of the side wall 10 of the P / C 100, and is depoted on the inner surface of the side wall 10. It functions as an inner wall protector which protects the side wall 10 by preventing attachment of deposits. In the lower part of the deposition shield 130, a cutout portion 131 having a width larger than the diameter of the wafer is formed in the width direction, and the cutout surface of the cutout portion 131 is formed by the shutter 31. It has a shape complementary to the upper surface. The shutter 31 is made of the same material as the deposit shield 130.

또, 데포짓 실드(130)는 그 둘레 플랜지부(134)에 있어서, 챔버 리드(200)의 나사 구멍(210a)에 대응하도록 나사 구멍(210b)이 형성되어 있다. 이들 나사 구멍(210b)은 데포짓 실드(130)의 둘레 플랜지부(134)를 관통하지 않도록 형성되어 있다. 또한, 하나의 나사 구멍(210b)의 위쪽에는 도 3에 나타낸 부품(135)이 배치되어 있다. 또, 데포짓 실드(130)의 둘레 플랜지부(134)의 내부에는 도시하지 않은 플레이트 형상의 히터가 2단에 걸쳐서 배치되어 있다.In addition, the deposition shield 130 has a screw hole 210b formed in the circumferential flange portion 134 so as to correspond to the screw hole 210a of the chamber lid 200. These screw holes 210b are formed so as not to penetrate the circumferential flange portion 134 of the deposit shield 130. Moreover, the component 135 shown in FIG. 3 is arrange | positioned above the one screw hole 210b. Moreover, the plate-shaped heater which is not shown in figure is arrange | positioned in two steps inside the circumferential flange part 134 of the deposit shield 130. FIG.

도 5는 도 2에서의 DC 필터 박스(320)를 떼어 낸 후에 크레인 유닛이 장착된 P/C(100)의 외관을 도시한 사시도이다. 또한, 도 5에서 화살표 A 방향에는 도 1의 T/C(700)가 배치되어 있고, 화살표 B 방향에는 사용자가 메인터넌스를 하는 경우 등에 사용하는 메인터넌스대(도시하지 않음)가 배치되어 있다.FIG. 5 is a perspective view showing the appearance of the P / C 100 to which the crane unit is mounted after removing the DC filter box 320 of FIG. 2. 5, the T / C 700 of FIG. 1 is arrange | positioned in the arrow A direction, and the maintenance stand (not shown) used when the user performs maintenance etc. is arrange | positioned in the arrow B direction.

도 5에 있어서, 크레인 유닛(500)은 챔버 리드(200)의 위쪽에 배치된 DC 필터 박스(320)를 떼어 낸 후에, 챔버 리드(200)와 결합(장착)된다. 이에 따라, 크레인 유닛(500)은 P/C(100)에 있어서 챔버 리드(200)를 개폐한다. 또한, 필요에 따라서 가스 박스(310) 등도 떼어 내진다.In FIG. 5, the crane unit 500 removes the DC filter box 320 disposed above the chamber lid 200, and then engages (mounts) the chamber lid 200. Accordingly, the crane unit 500 opens and closes the chamber lid 200 in the P / C 100. Moreover, the gas box 310 etc. are also removed as needed.

크레인 유닛(500)은 일단(510a)이 챔버 리드(200)와 결합된 에어 실린더(510)와, 에어 실린더(510)의 타단(510b)이 레일 위를 슬라이딩 가능하도록 맞물린 한 개의 리니어 가이드(520)를 구비한다. 에어 실린더(510)가 챔버 리드(200)를 유지하고, 리니어 가이드(520)가 에어 실린더(510)를 유지함으로써, 크레인 유닛(500)은 챔버 리드(200)를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구로서 기능한다.The crane unit 500 includes an air cylinder 510 having one end 510a coupled to the chamber lid 200 and one linear guide 520 having the other end 510b of the air cylinder 510 slidable on the rail. ). By the air cylinder 510 holding the chamber lid 200 and the linear guide 520 holding the air cylinder 510, the crane unit 500 functions as a lid support mechanism that suspends and supports the chamber lid 200. do.

리니어 가이드(520)는 웨이퍼의 반송 방향과 평행한 수평면 위에서 도 5의 화살표 A, B 방향으로 연장되도록 프레임(400)의 천장면에 고정되어 있다. 또한, 천장면의 높이는 2000㎜∼2300㎜ 사이에 있다. 리니어 가이드(520)의 레일 길이는 챔버 리드(200)의 직경 등에 따라서 적절하게 설정되고, 예를 들면 화살표 A, B 방향으로 각각 챔버 리드(200)를 그 직경(780㎜)에 상당하는 길이만큼 오프셋할 수 있도록 1600㎜이다. 이에 따라, 리니어 가이드(520)는 화살표 A, B 방향으로 연장되는 레일 길이에 따른 범위 내에서 챔버 리드(200)를 이동 가능하게 유지하는 수평 이동 규제부로서 기능한다.The linear guide 520 is fixed to the ceiling surface of the frame 400 so as to extend in the directions of arrows A and B of FIG. 5 on a horizontal plane parallel to the conveyance direction of the wafer. In addition, the height of a ceiling surface is between 2000 mm-2300 mm. The length of the rail of the linear guide 520 is appropriately set according to the diameter of the chamber lead 200 and the like. For example, the length of the rail lead 200 corresponds to the diameter 780 mm of the chamber lead 200 in the directions of arrows A and B, respectively. It is 1600mm to be offset. Accordingly, the linear guide 520 functions as a horizontal movement restricting portion for movably holding the chamber lid 200 within a range corresponding to the rail lengths extending in the arrows A and B directions.

에어 실린더(510)는 수직 방향에 있어서 신축 가능하게 구성되어 있고, 챔버 리드(200)의 위쪽으로부터, 즉 매달아 올리는 방식으로, 천장면의 높이까지의 범위에서 챔버 리드(200)를 매달아 지지하는 수직 이동 규제부로서 기능한다. 매달아 올리는 방식이기 때문에, 에어 실린더(510)가 위쪽으로부터 하중을 받아 물려 들어갈 우려를 없앨 수 있다. 또한, 웨이퍼의 직경에 맞추어 P/C(100)의 사이즈, 나아가서는 챔버 리드(200)의 직경을 변화시키는 경우이더라도, 매달아 올리는 방식이기 때문에, 크레인 유닛(500)의 구성을 변화시킬 필요를 없앨 수 있다. 환언하면, 웨이퍼의 직경 변경이나 P/C(100)의 사이즈 변경의 자유도를 저하시키는 것을 없앨 수 있다.The air cylinder 510 is configured to be stretchable in the vertical direction, and is vertically suspended from the upper side of the chamber lid 200, that is, in a suspended manner, by suspending the chamber lid 200 in a range up to the height of the ceiling surface. It functions as a movement regulator. Since it is a hanging-up system, the possibility that the air cylinder 510 will take in a load from the upper side and can be eliminated can be eliminated. In addition, even when the size of the P / C 100 and the diameter of the chamber lid 200 are changed in accordance with the diameter of the wafer, it is a hanging-up method, thus eliminating the need to change the configuration of the crane unit 500. Can be. In other words, it is possible to eliminate the reduction in the degree of freedom in changing the diameter of the wafer and changing the size of the P / C 100.

또, 에어 실린더(510)로서는 임의의 스트로크 길이의 것을 사용할 수 있는데, 챔버 리드(200)가 P/C(100)의 상면에 대해서 과도하게 가압하는 일이 없는 스트로크 길이를 선택하는 것이 바람직하다.Moreover, although the thing of arbitrary stroke length can be used as the air cylinder 510, it is preferable to select the stroke length which the chamber lid 200 does not pressurize excessively with respect to the upper surface of the P / C100.

에어 실린더(510)는 임의의 스트로크 길이에 있어서 그 동작을 중간 정지할 수 있는 것이 바람직하고, 이에 따라 사용자는 원하는 높이에서 챔버 리드(200)나 상부 전극 어셈블리(150)의 메인터넌스를 행할 수 있다. 또, 에어 실린더(510)는 챔버 리드(200)를 닫기 직전에는 낮은 속도로 작동하도록 구성되어 있고, 이에 따라 챔버 리드(200)와 P/C 박스체(100) 사이의 공간을 가로막는 배선이나 사용자의 손 등이 끼이는 것을 방지하여, 기판 처리 장치(1)의 안전성을 향상시킬 수 있다.The air cylinder 510 is preferably capable of intermittently stopping its operation at any stroke length, so that the user can maintain the chamber lid 200 or the upper electrode assembly 150 at a desired height. In addition, the air cylinder 510 is configured to operate at a low speed immediately before the chamber lid 200 is closed, and thus the wiring or the user who blocks the space between the chamber lid 200 and the P / C box body 100. Can be prevented from getting caught and the safety of the substrate processing apparatus 1 can be improved.

에어 실린더(510)의 일단(510a)은 챔버 리드(200)의 상면에 있어서 그 중앙 위치로부터 소정량 뒤로 옮겨진 위치에서 소정의 결합 부재를 개재하여 결합된다. 소정량 뒤로 옮겨짐으로써 챔버 리드(200)를 매달아 지지하였을 때에, 상기 챔버 리드(200)를 적극적으로 기울게 한다. 그 결과, 백래시(backlash)를 갖게 하여, 챔버 리드(200)의 개폐시에 발생하는 충격을 완화할 수 있어, 원활하게 챔버 리드(200)의 개폐를 행할 수 있다.One end 510a of the air cylinder 510 is coupled via a predetermined coupling member at a position moved backward from the center position by a predetermined amount on the upper surface of the chamber lid 200. The chamber lid 200 is actively inclined when the chamber lid 200 is suspended by being supported by a predetermined amount. As a result, a backlash can be provided, and the shock which arises at the time of opening and closing of the chamber lid 200 can be alleviated, and the chamber lid 200 can be opened and closed smoothly.

또, 크레인 유닛(500)은 에어 실린더(510)의 위치나 동작, 나아가서는 챔버 리드(200)의 이동 위치를 원격적으로 제어하는 컨트롤러(530)와, 에어 실린더(510)와 연동하는 위치결정 박스(540)를 포함한다. 위치결정 박스(540)에는 위치결정 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있고, 이에 대응하여 리니어 가이드(520)의 레일 위에는 복수의, 예를 들어 일단, 중앙, 타단의 세 부분의 핀 홀이 위치결정 핀과 끼워지도록 형성되어 있고, 이에 따라 잠금기구가 구성되어, 크레인 유닛(500)의 불의의 작동에 있어서의 기판 처리 장치(1)의 안전성을 향상시킬 수 있다. 세 부분 중 중앙의 핀 홀에 위치결정 핀이 끼워짐으로써, 에어 실린더(510)의 일단(510a)과 챔버 리드(200) 상면이 결합 가능하다는 것을 용이하게 검출할 수 있다. 또한, 핀 홀에 끼우는 것은 위치결정 핀에 한정되지는 않고, 테이퍼 샤프트 등이어도 된다.In addition, the crane unit 500 includes a controller 530 for remotely controlling the position and operation of the air cylinder 510, and also the movement position of the chamber lid 200, and the positioning in cooperation with the air cylinder 510. Box 540. The positioning box 540 is provided with a positioning pin (not shown), and correspondingly, a plurality of pin holes, for example, one end, a center, and the other end, are positioned on the rail of the linear guide 520. It is formed so as to be fitted with the crystal pin, and the locking mechanism is comprised by this, and the safety of the substrate processing apparatus 1 in the unexpected operation of the crane unit 500 can be improved. By positioning the positioning pin in the center pin hole of the three parts, it is easy to detect that the one end 510a of the air cylinder 510 and the upper surface of the chamber lid 200 can be coupled. The pin hole is not limited to the positioning pin, but may be a taper shaft or the like.

컨트롤러(530)에는 에어 실린더(510)의 수직(상하) 방향에 있어서의 위치를 제어하는 상측 버튼(531) 및 하측 버튼(532)이 설치되어 있다. 상하측 버튼(531, 532)은 위치결정 박스(540)의 위치결정 핀이 핀 홀에 끼워진 경우에는 조작 가능하게, 또한 위치결정 핀이 핀 홀에 끼워져 있지 않은 경우에는 조작 불가능하게 구성되어 있는 것이 바람직하고, 이에 따라 사용자의 조작성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상하측 버튼(531, 532)은 에어 실린더(510)가 원하는 위치 이외에서 상하 이동하는 것에 의한 사고의 발생을 방지할 수 있어, 기판 처리 장치(1)의 안전성을 향상시킬 수 있다. 또한, 위치결정 핀을 핀 홀의 잠금으로부터 해제할 때에는 도시하지 않은 소정의 레버를 이용한다. 또, 챔버 리드(200)의 개폐시에 소정의 멜로디 등의 소리를 내도록 구성함으로써, 사용자에게 챔버 리드(200)가 개폐시에 있다는 것을 주의 환기할 수 있는 동시에, 크레인 유닛(500)의 고장시의 리스크를 회피할 수 있다.The controller 530 is provided with an upper button 531 and a lower button 532 for controlling the position in the vertical (up and down) direction of the air cylinder 510. The upper and lower buttons 531 and 532 are configured to be operable when the positioning pin of the positioning box 540 is fitted to the pin hole, and to be unable to operate when the positioning pin is not fitted to the pin hole. It is preferable to improve the operability of the user. In addition, the upper and lower buttons 531 and 532 can prevent the occurrence of an accident caused by the air cylinder 510 moving up and down at a desired position, thereby improving the safety of the substrate processing apparatus 1. In addition, when releasing the positioning pin from the lock of the pin hole, a predetermined lever (not shown) is used. In addition, when the chamber lid 200 is opened or closed, a sound such as a predetermined melody can be made to alert the user that the chamber lid 200 is open or closed, and at the same time the failure of the crane unit 500 occurs. Risk can be avoided.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 챔버 리드(200)를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구로서는 에어 실린더(510) 및 리니어 가이드(520)로 구성된 크레인 유닛(500)을 이용하였으나, 챔버 리드(200)를 수직 방향 및 소정의 수평 방향으로 이동시킬 수 있는 것이라면 어떤 것이어도 되며, 예를 들어, 에어 실린더(510) 대신에 볼 나사 등을 사용해도 된다. 또한, 이들은 클린 룸 내에서 사용하는 점을 감안하여 파티클이 발생하지 않는 부재로 구성되어 있는 것이 바람직하다.In addition, in the said embodiment, although the crane support unit 500 which consists of the air cylinder 510 and the linear guide 520 was used as a cover support mechanism which suspends and supports the chamber lid 200, the chamber lid 200 is perpendicular | vertical. As long as it can move to a direction and a predetermined horizontal direction, what kind of thing may be sufficient, for example, a ball screw etc. may be used instead of the air cylinder 510. FIG. Moreover, it is preferable that these are comprised with the member which particle | grains do not generate in view of using in a clean room.

에어 실린더(510) 및 리니어 가이드(520)를 조합한 크레인 유닛(500)을 사용함으로써, 제어성이 높아지고, 챔버 리드(200)의 개폐시에 발생하는 음량을 작게 할 수 있는 동시에, 챔버 리드(200)를 지지하는 지지부재의 대형화를 회피할 수 있다. 또한, 크레인 유닛(500)은 떼어 내서 다른 P/C(100)에서도 사용할 수 있으므로, 비용 절감 및 보관 공간의 협소화를 도모하는 것도 가능하다.By using the crane unit 500 which combined the air cylinder 510 and the linear guide 520, controllability becomes high, the volume which generate | occur | produces when opening and closing the chamber lid 200 can be made small, and the chamber lid ( The enlargement of the supporting member which supports 200 can be avoided. In addition, since the crane unit 500 can be removed and used in other P / C 100, it is also possible to reduce cost and narrow the storage space.

이하에 도 5의 크레인 유닛(500) 및 챔버 리드(200)로 구성되는 덮개 어셈블 리의 메인터넌스 동작을 설명한다. 메인터넌스로서는 클리닝이나 분해·개조·수리 등이 있다. 클리닝에서는 P/C(100) 내의 챔버 내 부품의 표면이 사용자에 의하여 세정된다. 분해·개조·수리에서는 P/C(100) 내의 챔버 내 부품을 꺼내는 것이 행해진다.Hereinafter, the maintenance operation of the lid assembly composed of the crane unit 500 and the chamber lid 200 of FIG. 5 will be described. Maintenance includes cleaning, disassembly, modification, and repair. In cleaning, the surfaces of the components in the chamber in P / C 100 are cleaned by the user. In disassembly, modification, and repair, taking out the components in the chamber in the P / C 100 is performed.

먼저, 도 3의 P/C(100) 내부를 클리닝할 때의 순서를 도 6a 내지 도 6c를 이용하여 설명한다. 또한, 도 6a 내지 도 6c에는 P/C(100)를 탑재하기 위한 테이블(410)과, P/C(100)의 앞면에 배치된, 예를 들어 높이 300㎜의 상기 메인터넌스대(420)와, 프레임(400)의 상면에 탑재된 박스체(450)가 도시되어 있다. 박스체(450) 내부에는 온도조절기나 제어보드 등이 설치되어 있다.First, the procedure for cleaning the inside of the P / C 100 of FIG. 3 will be described with reference to FIGS. 6A to 6C. 6A to 6C, the table 410 for mounting the P / C 100, the maintenance table 420 having a height of 300 mm, which is arranged on the front surface of the P / C 100, and The box body 450 mounted on the upper surface of the frame 400 is shown. Inside the box 450, a temperature controller or a control board is installed.

도 6a는 도 5의 크레인 유닛(500)을 장착하였을 때를 도시하고 있고, 도 5의 측단면도에 해당한다.FIG. 6A illustrates when the crane unit 500 of FIG. 5 is mounted, and corresponds to the side cross-sectional view of FIG. 5.

도 6b는 크레인 유닛(500)에 의하여 P/C(100)의 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)를 위쪽으로 수직 이동시켰을 때를 도시하고 있다. 도 6b에 도시한 바와 같이, 상부 전극 어셈블리(150), 데포짓 실드(130) 및 탑재대 유닛(140)의 표면이 노출되기 때문에, 사용자는 앞면 및 양 측면으로부터 효율적으로 클리닝을 행할 수 있다.FIG. 6B illustrates a case in which the chamber lid 200 and the upper electrode assembly 150 of the P / C 100 are vertically moved upward by the crane unit 500. As shown in FIG. 6B, since the surfaces of the upper electrode assembly 150, the deposition shield 130, and the mounting unit 140 are exposed, the user can efficiently clean the front and both sides.

도 6c는 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)를 화살표 A 방향으로(안쪽으로) 수평 이동시켰을 때를 도시한다. 도 6c의 상태에서는 P/C(100)의 위쪽에서의 메인터넌스 공간이 크게 확보되므로, 사용자는 데포짓 실드(130) 및 탑재대 유닛(140)의 표면을 도 6b의 상태보다 더 효율적으로 클리닝할 수 있다.FIG. 6C shows when the chamber lid 200 and the upper electrode assembly 150 are horizontally moved in the direction of arrow A (inward). In the state of FIG. 6C, since the maintenance space in the upper portion of the P / C 100 is largely secured, the user may clean the surfaces of the deposit shield 130 and the mount unit 140 more efficiently than the state of FIG. 6B. Can be.

또, 도 6c에 도시한 바와 같이, 챔버 리드(200)는 T/C(700)의 위쪽의 데드 스페이스였던 장소로 튀어나오도록 배치되므로, 챔버 리드(200)의 이동에 따른 데드 스페이스의 증대를 없앨 수 있다. 특히, 도 1에 도시한 바와 같이 여섯 개의 P/C(100)를 구비하는 기판 처리 장치(1)에서는 T/C(700)의 위쪽의 데드 스페이스를 이용함으로써, 복수의 P/C(100)의 챔버 리드(200)가 서로 간섭하지 않고 동시에 각 P/C(100)의 메인터넌스를 행할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 6C, the chamber lid 200 is arranged to protrude into a dead space above the T / C 700, thereby increasing the dead space due to the movement of the chamber lid 200. I can eliminate it. In particular, in the substrate processing apparatus 1 having six P / Cs 100 as shown in FIG. 1, a plurality of P / Cs 100 are used by using a dead space above the T / Cs 700. The chamber leads 200 can be maintained at the same time without interfering with each other.

또, 도 7에 도시한 바와 같이, 도 6b에 나타낸 상태로부터, 화살표 B 방향으로(자기쪽으로) 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)를 수평 이동시켰을 경우에는 상부 전극 어셈블리(150)의 표면을 사용자에게 보다 가까운 위치에서 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 사용자는 상부 전극 어셈블리(150)의 분해·개조·수리·교환·검사 등을 용이하게 행할 수 있는 동시에, 이들의 클리닝을 효율적으로 행할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 7, when the chamber lid 200 and the upper electrode assembly 150 are horizontally moved in the arrow B direction (towards magnetic) from the state shown in FIG. 6B, the upper electrode assembly 150 is moved. The surface can be exposed closer to the user. As a result, the user can easily perform disassembly, modification, repair, replacement, inspection, etc. of the upper electrode assembly 150, and the cleaning thereof can be performed efficiently.

도 6 및 도 7의 설명에서는, 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)의 쌍방을 이동시켰으나, 이들 쌍방을 결합하는 나사(152)(도 3, 도 5)를 미리 떼어 놓음으로써, 챔버 리드(200)만을 이동시켜도 된다.In the description of FIGS. 6 and 7, both the chamber lid 200 and the upper electrode assembly 150 have been moved, but the chamber 152 (FIGS. 3 and 5) that couple both of them are removed in advance, thereby removing the chamber. Only the lid 200 may be moved.

또, 도 8에 도시한 바와 같이, 나사 구멍(210a, 210b)(도 3 내지 도 5)에 소정의 나사를 끼움으로써 챔버 리드(200) 및 데포짓 실드(130)의 쌍방을 결합함으로써, 이들 쌍방과 상부 전극 어셈블리(150)를 이동시켜도 된다. 이에 의하여, 데포짓 실드(130)를 정확하게 수직 방향을 따라서 꺼낼 수 있다. 한편, 종래의 기술에서는 데포짓 실드의 높이 방향의 치수가 크기 때문에, 수직 방향을 따라서 정확하 게 꺼낼 수 없고, 그 하부가 P/C(100)의 측벽(10)에 간섭한다는 문제가 있었으나, 도 8에 도시한 바와 같은 기술에 의하면, 이것을 해결할 수 있으므로, 메인터넌스 시의 사용자의 작업효율을 현격하게 향상시킬 수 있다.In addition, as shown in Fig. 8, both the chamber lid 200 and the deposit shield 130 are coupled by inserting predetermined screws into the screw holes 210a and 210b (Figs. 3 to 5). Both and the upper electrode assembly 150 may be moved. Thereby, the deposit shield 130 can be taken out correctly along a vertical direction. On the other hand, in the prior art, since the dimension of the height direction of the deposit shield is large, it cannot be taken out correctly along the vertical direction, and there is a problem that the lower part interferes with the side wall 10 of the P / C 100. According to the technique shown in FIG. 8, since this can be solved, the work efficiency of the user at the time of maintenance can be improved significantly.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 탑재대 유닛(140)이 가벼운 경우에는 챔버 리드(200)와 소정의 결합 부재를 개재하여 결합시킴으로써, 도 8의 데포짓 실드(130)와 마찬가지로 P/C(100)로부터 떼어 내는 것이 가능하다. 그러나, 탑재대 유닛(140)은 통상 질량이 100㎏으로 매우 무겁기 때문에 꺼내기는 곤란하다.In addition, in the above embodiment, when the mount unit 140 is light, the P / C 100 is similar to the deposit shield 130 of FIG. 8 by combining the chamber lid 200 with a predetermined coupling member. Can be removed. However, the mount unit 140 is usually difficult to take out because the mass is very heavy at 100 kg.

도 9는 본 발명의 실시형태의 변형예에 있어서, P/C(100) 내부의 탑재대 유닛(140)을 위쪽으로 수직 이동시킬 때의 상태를 모식적으로 도시한 측단면도이다.9 is a side cross-sectional view schematically showing a state when the mounting table unit 140 inside the P / C 100 is vertically moved upward in a modification of the embodiment of the present invention.

본 변형예에서는 도 5의 크레인 유닛(500) 대신에 도 9에 도시한 반송 지그(900)를 사용함으로써, 매우 무거운 탑재대 유닛(140)을 꺼내서 반송한다.In the present modified example, by using the conveying jig 900 illustrated in FIG. 9 instead of the crane unit 500 of FIG. 5, the very heavy mounting unit 140 is taken out and conveyed.

반송 지그(900)는 크레인 유닛(500)의 에어 실린더(510)와 교환된 에어 실린더가 있는 인출 지그(510')를 구비하고, 크레인 유닛(500)의 리니어 가이드(520)를 그대로 이용한다. 이에 따라, 인출 지그(510')의 위치 결정을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 인출 지그(510')는 에어 실린더(510)의 일단(510a)만을 교환한 것이 바람직하며, 이에 따라 에어 실린더(510)를 유용(流用)할 수 있는 동시에, 인출 지그(510')의 장착을 용이하게 행할 수 있다.The conveyance jig 900 is provided with the drawing jig 510 'which has the air cylinder exchanged with the air cylinder 510 of the crane unit 500, and uses the linear guide 520 of the crane unit 500 as it is. Thereby, positioning of the drawing jig 510 'can be performed easily. In addition, it is preferable that only the one end 510a of the air cylinder 510 is replaced by the drawing jig 510 ', thereby making it possible to use the air cylinder 510 and the drawing of the drawing jig 510'. Mounting can be performed easily.

먼저, 도 9에 도시한 바와 같이, 챔버 리드(200), 상부 전극 어셈블리(150) 및 데포짓 실드(130)를 꺼낸 후에, 에어 실린더(510) 대신에 인출 지그(510')를 장착한다. 이어서, 인출 지그(510')와 탑재대 유닛(140)을 와이어 등의 높은 강도의 부재로 결합한다. 그 후에는 도 6b와 마찬가지로 탑재대 유닛(140)을 P/C(100)로부터 꺼낸다.First, as shown in FIG. 9, the chamber lid 200, the upper electrode assembly 150, and the deposit shield 130 are taken out, and then the extraction jig 510 ′ is mounted instead of the air cylinder 510. Subsequently, the takeout jig 510 'and the mount unit 140 are joined by a member of high strength such as a wire. Thereafter, the mount unit 140 is taken out of the P / C 100 as in FIG. 6B.

본 변형예의 반송 지그(900)에 의하면, 지그 크레인이나 도어형 크레인과 같은 대형의 메인터넌스 지그를 사용하지 않고, 매우 무거운 탑재대 유닛(140)을 용이하게 꺼내서 반송할 수 있으므로, 메인터넌스 시의 사용자의 작업효율을 현격하게 향상시킬 수 있다. 또, 본 변형예는 탑재대 유닛(140)이 고온 상태에 있을 때에도 유효하다.According to the conveyance jig 900 of this modification, the very heavy mounting unit 140 can be easily taken out and conveyed, without using a large maintenance jig like a jig crane or a door type crane, Work efficiency can be improved significantly. This modification is also effective when the mount unit 140 is in a high temperature state.

또한, 상술한 실시형태에서는 피처리체 기판이 반도체 웨이퍼였으나, 예를 들어 LCD나 FPD(Flat Panel Display) 등의 유리기판이어도 된다.In the above-described embodiment, the substrate to be processed was a semiconductor wafer, but for example, a glass substrate such as an LCD or a flat panel display (FPD) may be used.

청구항 1, 8에 기재된 기판 처리 장치 및 청구항 13에 기재된 덮개 지지 장치에 의하면, 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구가, 처리실 상측 덮개를 그 위쪽에서 수직 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수직 이동 규제부와, 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지므로, 처리실 상측 덮개를 그 위쪽에서 수직 방향으로 이동하고, 또한 소정의 수평 방향으로 이동할 수 있으며, 그 때문에 클리닝이나 개조를 포함하는 메인터넌스의 작업 효율을 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of Claims 1 and 8, and the lid | cover support apparatus of Claim 13, the lid support mechanism which suspends and supports a process chamber upper lid enables the vertical movement control which keeps a process chamber upper lid movable from the upper direction to a vertical direction. Part and a horizontal movement restricting portion for holding the processing chamber upper lid movable in a predetermined horizontal direction, so that the processing chamber upper lid can be moved vertically from above and moving in a predetermined horizontal direction, thereby cleaning It is possible to improve the work efficiency of the maintenance, including maintenance.

청구항 2에 기재된 기판 처리 장치 및 청구항 14에 기재된 덮개 지지 장치에 의하면, 수직 이동 규제부가 수직 방향으로 신축 가능한 에어 실린더로 이루어지므로, 높은 제어성으로 처리실 상측 덮개를 수직 방향으로 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of Claim 2 and the lid support apparatus of Claim 14, since a vertical movement control part consists of an air cylinder which can expand and contract in a vertical direction, it is possible to move a process chamber upper cover to a vertical direction with high controllability.

청구항 3에 기재된 기판 처리 장치 및 청구항 15, 16에 기재된 덮개 지지 장치에 의하면, 수평 이동 규제부가 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지므로, 높은 제어성으로 처리실 상측 덮개를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of Claim 3 and the lid support apparatus of Claims 15 and 16, since a horizontal movement control part consists of the linear guide extended in a horizontal direction, it is possible to move a process chamber upper cover to a horizontal direction with high controllability. .

청구항 4, 9에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하므로, 처리실 상측 덮개의 이동을 원격 조작할 수 있어, 메인터넌스의 작업 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of Claims 4 and 9, since it is provided with the control apparatus which controls the movement position of a process chamber upper cover, the movement of a process chamber upper cover can be remotely operated, and the operation efficiency of maintenance can further be improved.

청구항 5, 10에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 처리실 상측 덮개와 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 처리실 상측 덮개에 형성되어 있으므로, 덮개 지지 기구에 의해서 처리실 내 부품도 이동시킬 수 있어, 메인터넌스의 작업 효율을 현격하게 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of Claim 5, 10, since the process chamber upper cover is provided with the at least 1 hole in which the coupling member which couples the process chamber upper cover and the component in a process chamber is formed in a process chamber upper part, the components in a process chamber also move with a lid support mechanism. It is possible to improve the working efficiency of maintenance.

청구항 6, 11에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 처리실 내 부품이 상부 전극 및 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하므로, 사람의 손으로는 이동하기가 곤란한 처리실 내 부품을 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of Claim 6, 11, since the component in a process chamber contains at least one of an upper electrode and an inner wall protector, the component in a process chamber which is difficult to move by a human hand can be moved.

청구항 7, 12에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 수직 이동 규제부가 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있으므로, 상기 덮개 지지 기구를 이용하여, 매우 무거운 탑재대 유닛을 꺼낼 수 있어, 메인터넌스의 작업 효율을 현격하게 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of Claim 7, 12, since the vertical movement control part is comprised so that it can be replaced with the extraction jig for taking out a mount unit, a very heavy mount unit can be taken out using the said lid support mechanism, The work efficiency of maintenance can be improved significantly.

Claims (16)

피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실로서, 상기 처리실을 밀폐하기 위한 처리실 상측 덮개가 상부에 설치된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,A processing chamber for performing a predetermined treatment on a substrate to be processed, comprising: a processing chamber provided with an upper portion of a processing chamber upper lid for sealing the processing chamber; 상기 처리실 상측 덮개를 위쪽에서 수직 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지는, 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구를 구비하며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하며,Suspending the processing chamber upper cover consisting of a vertical movement control unit for holding the processing chamber upper cover to be movable in the vertical direction from the top, and a horizontal movement control unit for holding the processing chamber upper cover to be movable in a predetermined horizontal direction. A lid support mechanism, wherein the horizontal movement restricting portion suspends and supports the upper chamber lid through the vertical movement restricting portion; 상기 수평 이동 규제부는 매달아 지지한 상기 상측 덮개를 상기 처리실의 상부로부터 트랜스퍼 챔버의 상부측으로 이동 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는The horizontal movement restricting portion is configured to be movable from the upper portion of the processing chamber to the upper side of the transfer chamber by suspending the upper cover. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축 가능한 에어 실린더로 이루어지는 것을 특징으로 하는The vertical movement restricting portion is made of an air cylinder that can be stretched in the vertical direction 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는The horizontal movement restricting portion is characterized by consisting of a linear guide extending in the horizontal direction 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 하는And a control device for controlling the movement position of the upper lid of the processing chamber. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리실 상측 덮개에는, 상기 처리실 상측 덮개와 상기 처리실 내에 배치된 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는The processing chamber upper cover is formed with at least one hole into which the coupling member for coupling the processing chamber upper cover and the components in the processing chamber arranged in the processing chamber is formed. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 처리실 내 부품은 상기 소정의 처리에 필요한 전력을 상기 처리실 내로 향하여 공급하는 상부 전극 및 상기 처리실의 내면의 상부를 보호하는 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는The component in the processing chamber includes at least one of an upper electrode for supplying electric power required for the predetermined processing toward the processing chamber and an inner wall protector for protecting an upper portion of the inner surface of the processing chamber. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수직 이동 규제부는, 적어도 상기 처리실 상측 덮개측의 단부가 상기 처리실 내에 설치된 상기 피처리 기판을 탑재하기 위한 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는The vertical movement restricting unit is configured to be interchangeable with a take-out jig for extracting a mounting unit including at least an end on the upper side of the processing chamber and a mounting table for mounting the target substrate installed in the processing chamber. doing 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실로서, 상기 처리실을 밀폐하기 위한 처리실 상측 덮개가 상부에 설치된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,A processing chamber for performing a predetermined treatment on a substrate to be processed, comprising: a processing chamber provided with an upper portion of a processing chamber upper lid for sealing the processing chamber; 상기 처리실 상측 덮개를 위쪽에서 수직 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동 가능하게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지는, 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구를 구비하며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하며,Suspending the processing chamber upper cover consisting of a vertical movement control unit for holding the processing chamber upper cover to be movable in the vertical direction from the top, and a horizontal movement control unit for holding the processing chamber upper cover to be movable in a predetermined horizontal direction. A lid support mechanism, wherein the horizontal movement restricting portion suspends and supports the upper chamber lid through the vertical movement restricting portion; 상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축 가능한 에어 실린더로 이루어지며,The vertical movement restricting portion is made of an air cylinder that is stretchable in the vertical direction, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지며,The horizontal movement restricting portion is made of a linear guide extending in the horizontal direction, 상기 수평 이동 규제부는 매달아 지지한 상기 상측 덮개를 상기 처리실의 상부로부터 트랜스퍼 챔버의 상부측으로 이동 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는The horizontal movement restricting portion is configured to be movable from the upper portion of the processing chamber to the upper side of the transfer chamber by suspending the upper cover. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 하는And a control device for controlling the movement position of the upper lid of the processing chamber. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 처리실 상측 덮개에는, 상기 처리실 상측 덮개와 상기 처리실 내에 배치된 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는The processing chamber upper cover is formed with at least one hole into which the coupling member for coupling the processing chamber upper cover and the components in the processing chamber arranged in the processing chamber is formed. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 처리실 내 부품은 상기 소정의 처리에 필요한 전력을 상기 처리실 내로 향하여 공급하는 상부 전극 및 상기 처리실의 내면의 상부를 보호하는 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는The component in the processing chamber includes at least one of an upper electrode for supplying electric power required for the predetermined processing toward the processing chamber and an inner wall protector for protecting an upper portion of the inner surface of the processing chamber. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 수직 이동 규제부는, 적어도 상기 처리실 상측 덮개측의 단부가 상기 처리실 내에 설치된 상기 피처리 기판을 탑재하기 위한 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는The vertical movement restricting unit is configured to be interchangeable with a take-out jig for extracting a mounting unit including at least an end on the upper side of the processing chamber and a mounting table for mounting the target substrate installed in the processing chamber. doing 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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