KR102378330B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는, 기판을 수용하는 용기가 놓이는 복수의 로드 포트 및 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 설치된 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈, 인덱스 모듈과 연결되고, 기판을 처리하는 공정 챔버들이 제공되는 공정 모듈 및 인덱스 모듈에 제공되어 기판을 처리하는 기판 처리 유닛을 포함하되, 기판 처리 유닛은, 복수의 로드 포트의 배열 방향을 따라 제공된다.A substrate processing apparatus is disclosed. A substrate processing apparatus includes an index module having a transport frame provided with a plurality of load ports on which a container for accommodating a substrate is placed and an index robot for transporting the substrate, a process module connected to the index module and provided with process chambers for processing the substrate; and a substrate processing unit provided to the index module to process a substrate, wherein the substrate processing unit is provided along an arrangement direction of the plurality of load ports.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인덱스 모듈에서 로드 포트와 같이 제공되는 기판 처리 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method including a substrate processing unit provided as a load port in an index module.

반도체 소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 이러한 공정들 중 식각, 애싱, 이온 주입, 그리고 박막 증착은 가스를 이용하여 기판을 처리한다. 종래에는 기판을 처리하는 공정 챔버들은 공정 모듈에만 제공되어 있어서, 기판에 대한 공정을 수행하기 위해서는 반드시 인덱스 로봇이 용기에서 기판을 반출하여 공정 챔버들이 제공되는 공정 모듈로 기판을 반송하여야 했다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on the substrate through various processes such as photography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition. Among these processes, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition process a substrate using a gas. Conventionally, since process chambers for processing substrates are provided only in the process module, in order to perform a process on the substrate, the index robot must take out the substrate from the container and transfer the substrate to the process module in which the process chambers are provided.

본 발명의 목적은 인덱스 모듈에서 로드 포트와 같이 제공될 수 있는 기판 처리 유닛을 가지는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method having a substrate processing unit that can be provided as a load port in an index module.

또한, 본 발명은 대기압 플라즈마를 구성하여 기판 표면을 친수 또는 소수 처리할 수 있는 장치를 설비의 외부에 제공하여, 설비의 외부에서 기판을 독립적으로 처리할 수 있다.In addition, the present invention provides an apparatus capable of hydrophilic or hydrophobic treatment of the substrate surface by configuring atmospheric pressure plasma to the outside of the facility, so that the substrate can be independently treated outside the facility.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 수용하는 용기가 놓이는 복수의 로드 포트 및 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 설치된 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈, 상기 인덱스 모듈과 연결되고, 기판을 처리하는 공정 챔버들이 제공되는 공정 모듈 및 상기 인덱스 모듈에 제공되어 기판을 처리하는 기판 처리 유닛을 포함하되, 상기 기판 처리 유닛은, 상기 복수의 로드 포트의 배열 방향을 따라 제공된다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, an index module having a transport frame in which a plurality of load ports on which a container for accommodating a substrate is placed and an index robot for transporting the substrate is installed, the index module A process module connected to and provided with process chambers for processing a substrate and a substrate processing unit provided to the index module to process a substrate, wherein the substrate processing unit is provided along an arrangement direction of the plurality of load ports do.

여기서, 상기 로드 포트, 상기 이송 프레임 및 상기 공정 모듈이 제1 방향으로 배열되고, 상기 로드 포트와 상기 기판 처리 유닛은, 상부에서 바라볼 때 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배열될 수 있다.Here, the load port, the transfer frame, and the process module may be arranged in a first direction, and the load port and the substrate processing unit may be arranged in a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above. there is.

여기서, 상기 기판 처리 유닛은, 내부에 처리 공간을 갖는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 지지 유닛을 상하로 구동하는 구동 유닛 및 상기 하우징을 지지하며, 상기 구동 유닛이 결합되는 베이스 유닛을 포함할 수 있다.Here, the substrate processing unit includes a housing having a processing space therein, a support unit supporting a substrate in the processing space, a driving unit driving the support unit up and down, and supporting the housing, and the driving unit is coupled thereto. It may include a base unit.

여기서, 상기 베이스 유닛은, 상기 하우징의 하부를 지지하는 베이스부 및 상기 베이스부의 측면에 설치되어, 상기 하우징의 측부를 지지하는 수직 프레임을 포함하고, 상기 베이스부는, 상기 베이스 유닛과 상기 이송 프레임을 고정 결합하는 결합 부재를 포함할 수 있다.Here, the base unit includes a base portion supporting the lower portion of the housing and a vertical frame installed on a side surface of the base portion to support the side portion of the housing, and the base portion includes the base unit and the transport frame It may include a coupling member to be fixedly coupled.

여기서, 상기 수직 프레임에는 기판이 출입되는 개구가 형성될 수 있다.Here, an opening through which the substrate enters and exits may be formed in the vertical frame.

또한, 상기 기판 처리 유닛은, 대기압에서 기판을 플라즈마 처리할 수 있다.Also, the substrate processing unit may plasma-process the substrate at atmospheric pressure.

여기서, 상기 기판 처리 유닛은, 상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 상부 전극, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 지지 유닛에 놓인 기판의 하부에서 상기 상부 전극에 대향되도록 배치되는 하부 전극 및 상기 상부 전극에 전력을 인가하는 전원 유닛을 더 포함할 수 있다.Here, the substrate processing unit may include an upper electrode disposed above the support unit, a gas supply unit supplying a process gas to the processing space, and a lower portion of a substrate placed on the support unit to face the upper electrode. It may further include a power supply unit for applying power to the electrode and the upper electrode.

여기서, 상기 기판 처리 유닛은, 상기 상부 전극의 상부에 제공되어 상기 상부 전극을 냉각시키는 냉각 부재를 더 포함할 수 있다.Here, the substrate processing unit may further include a cooling member provided on the upper electrode to cool the upper electrode.

또한, 상기 구동 유닛은, 상기 지지 유닛과 연결되는 연결부 및 상기 연결부를 상하로 구동하는 구동부를 포함할 수 있다.In addition, the driving unit may include a connection part connected to the support unit and a driving part for vertically driving the connection part.

여기서, 상기 연결부는, 내부에 상기 기판을 상기 지지 유닛 상에 흡착하기 위한 진공 펌프 라인이 제공될 수 있다.Here, in the connection part, a vacuum pump line for adsorbing the substrate onto the support unit may be provided therein.

여기서, 상기 베이스부는, 상면에 홈이 형성되고, 상기 구동 유닛은, 상기 홈에 삽입되어 제공될 수 있다.Here, the base portion may be provided with a groove formed in an upper surface thereof, and the driving unit may be inserted into the groove.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 유닛은, 기판을 수용하는 용기가 놓이는 복수의 로드 포트 및 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 설치된 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈에 설치되는 기판 처리 유닛에 있어서, 내부에 처리 공간을 갖는 하우징, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 지지 유닛을 상하로 구동하는 구동 유닛 및 상기 하우징을 지지하며, 상기 구동 유닛이 결합되는 베이스 유닛을 포함한다.On the other hand, the substrate processing unit according to an embodiment of the present invention is a substrate processing unit installed in an index module having a transport frame in which a plurality of load ports on which a container for accommodating a substrate is placed and an index robot for transporting the substrate are installed, and a housing having a processing space therein, a support unit for supporting a substrate in the processing space, a driving unit for vertically driving the support unit, and a base unit for supporting the housing and to which the driving unit is coupled.

여기서, 상기 베이스 유닛은, 상기 하우징의 하부를 지지하는 베이스부 및 상기 베이스부의 측면에 설치되어, 상기 하우징의 측부를 지지하는 수직 프레임을 포함하고, 상기 베이스부는, 상기 베이스 유닛과 상기 이송 프레임을 고정 결합하는 결합 부재를 포함할 수 있다.Here, the base unit includes a base portion supporting the lower portion of the housing and a vertical frame installed on a side surface of the base portion to support the side portion of the housing, and the base portion includes the base unit and the transport frame It may include a coupling member to be fixedly coupled.

여기서, 본 기판 처리 유닛은, 상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 상부 전극, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 지지 유닛에 놓인 기판의 하부에서 상기 상부 전극에 대향되도록 배치되는 하부 전극 및 상기 상부 전극에 전력을 인가하여 대기압에서 기판을 플라즈마 처리하는 전원 유닛을 더 포함할 수 있다.Here, the present substrate processing unit includes an upper electrode disposed above the support unit, a gas supply unit for supplying a process gas to the processing space, and a lower portion disposed under the substrate placed on the support unit to face the upper electrode. It may further include a power supply unit for plasma-processing the substrate at atmospheric pressure by applying electric power to the electrode and the upper electrode.

여기서, 본 기판 처리 유닛은, 상기 상부 전극의 상부에 제공되어 상기 상부 전극을 냉각시키는 냉각 부재를 더 포함할 수 있다.Here, the substrate processing unit may further include a cooling member provided on the upper electrode to cool the upper electrode.

또한, 상기 구동 유닛은, 상기 지지 유닛과 연결되는 연결부 및 상기 연결부를 상하로 구동하는 구동부를 포함할 수 있다.In addition, the driving unit may include a connection part connected to the support unit and a driving part for vertically driving the connection part.

여기서, 상기 연결부는, 내부에 상기 기판을 상기 지지 유닛 상에 흡착하기 위한 진공 펌프 라인이 제공될 수 있다.Here, in the connection part, a vacuum pump line for adsorbing the substrate onto the support unit may be provided therein.

여기서, 상기 베이스부는, 상면에 홈이 형성되고, 상기 구동 유닛은, 상기 홈에 삽입되어 제공될 수 있다.Here, the base portion may be provided with a groove formed in an upper surface thereof, and the driving unit may be inserted into the groove.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 플라즈마 처리하는 방법에 있어서, 상기 지지 유닛을 상기 상부 전극을 향하여 이동시켜 상기 기판 주변으로 처리 공간을 형성하고, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급한 후 상기 상부 전극으로 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하며, 생성된 상기 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 플라즈마 처리한다.On the other hand, in the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, in the method of plasma processing a substrate using the substrate processing apparatus according to the present invention, the support unit is moved toward the upper electrode to process the substrate around the substrate. A space is formed, and after supplying a process gas to the processing space, electric power is applied to the upper electrode to generate plasma, and the substrate is plasma-processed using the generated plasma.

여기서, 상기 기판을 플라즈마 처리할 때, 상기 상부 전극을 냉각시킬 수 있다.Here, when the substrate is plasma-treated, the upper electrode may be cooled.

이상과 같은 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면 기판 처리 유닛이 인덱스 모듈에서 로드 포트와 같이 배열되어 기판이 공정 모듈로 반송되기 전에도 기판을 처리할 수 있으므로, 기판 처리 공정의 효율이 향상될 수 있다.According to various embodiments of the present invention as described above, since the substrate processing unit is arranged like a load port in the index module to process the substrate even before the substrate is transferred to the process module, the efficiency of the substrate processing process may be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 유닛이 설치된 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 대기압에서 기판을 플라즈마 처리하는 기판 처리 유닛을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 유닛의 측면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 유닛의 위치를 나타내는 도면이다.1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus in which a substrate processing unit is installed according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating the configuration of a substrate processing unit according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a substrate processing unit for plasma processing a substrate at atmospheric pressure according to an embodiment of the present invention.
4 is a side view of a substrate processing unit according to an exemplary embodiment.
5 is a diagram illustrating a position of a substrate processing unit according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시 예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시 예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 대해 설명한다. 일 예로, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 플라즈마를 이용하여 기판의 표면을 친수 또는 소수 처리하는 기판 처리 장치일 수 있다.An embodiment of the present invention describes an apparatus for processing a substrate using plasma. For example, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may be a substrate processing apparatus for hydrophilic or hydrophobic treatment of the surface of a substrate using plasma.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10), 로딩 모듈, 그리고 공정 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 버퍼 유닛(2000)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 10 , a loading module, and a process module 20 , and the index module 10 includes a load port 120 , a transfer frame 140 , and It has a buffer unit (2000). The load port 120 , the transfer frame 140 , and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the load port 120 , the transfer frame 140 , the loading module 30 , and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 , and when viewed from the top, the first direction ( A direction perpendicular to 12) is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

로드 포트(120)에는 복수 개의 기판들(W)이 수납된 용기(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 용기(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 용기 내에 위치된다. 용기(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. 또한, 복수 개의 로드 포트(120)가 배치되는 제2방향(14)으로 기판 처리 유닛(3000)이 제공될 수 있다. 기판 처리 유닛(3000)은 로드 포트(120)의 배열 방향을 따라 제공되어 기판을 처리할 수 있다. 기판 처리 유닛(3000)에 대한 구체적인 설명은 이하 도 2 내지 도 5를 참조하여 후술한다.A container 18 in which a plurality of substrates W are accommodated is seated on the load port 120 . A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14 . The vessel 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided in the third direction 16 , and the substrates are positioned in the container to be stacked apart from each other along the third direction 16 . As the container 18, a Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used. Also, the substrate processing unit 3000 may be provided in the second direction 14 in which the plurality of load ports 120 are disposed. The substrate processing unit 3000 may be provided along the arrangement direction of the load ports 120 to process the substrate. A detailed description of the substrate processing unit 3000 will be described below with reference to FIGS. 2 to 5 .

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 용기(18), 버퍼 유닛(2000), 그리고 로딩 모듈(30) 간에 기판(W)을 반송한다. 또한, 이송 프레임(140)은 기판 처리 유닛(3000), 버퍼 유닛(2000), 그리고 로딩 모듈(30) 간에 기판(W)을 반송할 수도 있다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 모듈(20)에서 용기(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 용기(18)에서 공정 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the container 18 seated on the load port 120 , the buffer unit 2000 , and the loading module 30 . Also, the transfer frame 140 may transfer the substrate W between the substrate processing unit 3000 , the buffer unit 2000 , and the loading module 30 . The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144 . The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14 . The index robot 144 is installed on the index rail 142 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 142 . The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142 . The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 . Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process module 20 to the container 18 , and other parts of the index arms 144c transfer the substrate W from the container 18 to the process module 20 . can be used when This may prevent particles generated from the substrate W before the process from adhering to the substrate W after the process while the index robot 144 carries in and takes out the substrate W.

버퍼 유닛(2000)은 기판(W)을 임시 보관한다. 버퍼 유닛(2000)은 기판(W) 상에 잔류되는 공정 부산물을 제거하는 공정을 수행한다. 버퍼 유닛(2000)은 공정 모듈(20)에서 처리된 기판(W)을 후처리하는 후처리 공정을 수행한다. 후처리 공정은 기판(W) 상에 퍼지 가스를 퍼지하는 공정일 수 있다. 버퍼 유닛(2000)은 복수 개로 제공된다. 각각의 버퍼 유닛(2000)은 이송 프레임(140)을 사이에 두고 서로 대향되게 위치된다. 버퍼 유닛(2000)은 제2방향(14)으로 배열된다. 이송 프레임(140)의 양측에 각각 위치된다. 선택적으로 버퍼 유닛(2000)은 단일하게 제공되며, 이송 프레임(140)의 일측에 위치될 수 있다.The buffer unit 2000 temporarily stores the substrate W. The buffer unit 2000 performs a process of removing process by-products remaining on the substrate W. The buffer unit 2000 performs a post-processing process of post-processing the substrate W processed in the process module 20 . The post-treatment process may be a process of purging a purge gas on the substrate W. A plurality of buffer units 2000 are provided. Each of the buffer units 2000 is positioned to face each other with the transfer frame 140 interposed therebetween. The buffer units 2000 are arranged in the second direction 14 . It is located on both sides of the transport frame 140, respectively. Optionally, the buffer unit 2000 is provided singly, and may be located on one side of the transport frame 140 .

로딩 모듈(30)은 이송 프레임(140)과 반송 유닛(240) 사이에 배치된다. 로딩 모듈(30)은 공정 모듈(20)로 반입되는 기판(W)에 대해 인덱스 모듈(10)의 상압 분위기를 공정 모듈(20)의 진공 분위기로 치환하거나, 인덱스 모듈(10)로 반출되는 기판(W)에 대해 공정 모듈(20)의 진공 분위기를 인덱스 모듈(10)의 상압 분위기로 치환한다. 로딩 모듈(30)은 반송 유닛(240)과 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 로딩 모듈(30)은 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)를 포함한다. The loading module 30 is disposed between the transport frame 140 and the transport unit 240 . The loading module 30 replaces the atmospheric pressure atmosphere of the index module 10 with the vacuum atmosphere of the process module 20 with respect to the substrate W loaded into the process module 20 , or a substrate carried out to the index module 10 . With respect to (W), the vacuum atmosphere of the process module 20 is replaced with the atmospheric pressure atmosphere of the index module 10 . The loading module 30 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer unit 240 and the transfer frame 140 . The loading module 30 includes a load lock chamber 32 and an unload lock chamber 34 .

로드락 챔버(32)는 인덱스 모듈(10)에서 공정 모듈(20)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 로드락 챔버(32)는 대기 상태에서 상압 분위기를 유지하며, 공정 모듈(20)에 대해 차단되는 반면, 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된 상태를 유지한다. 로드락 챔버(32)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 로드락 챔버(32)의 내부 공간을 상압 분위기에서 진공 분위기로 치환하고, 인덱스 모듈(10)에 대해 차단된 상태에서 공정 모듈(20)에 대해 개방된다.In the load lock chamber 32 , the substrate W transferred from the index module 10 to the process module 20 temporarily stays there. The load lock chamber 32 maintains an atmospheric pressure atmosphere in the standby state, and is closed to the process module 20 while maintaining an open state to the index module 10 . When the substrate W is loaded into the load lock chamber 32 , the internal space is sealed with respect to each of the index module 10 and the process module 20 . Thereafter, the internal space of the load lock chamber 32 is replaced with a vacuum atmosphere from the atmospheric pressure atmosphere, and is opened to the process module 20 while being blocked from the index module 10 .

언로드락 챔버(34)는 공정 모듈(20)에서 인덱스 모듈(10)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 언로드락 챔버(34)는 대기 상태에서 진공 분위기를 유지하며, 인덱스 모듈(10)에 대해 차단되는 반면, 공정 모듈(20)에 대해 개방된 상태를 유지한다. 언로드락 챔버(34)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 언로드락 챔버(34)의 내부 공간을 진공 분위기에서 상압 분위기로 치환하고, 공정 모듈(20)에 대해 차단된 상태에서 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된다.In the unload lock chamber 34 , the substrate W transferred from the process module 20 to the index module 10 temporarily stays there. The unload lock chamber 34 maintains a vacuum atmosphere in the standby state, and is closed to the index module 10 while remaining open to the process module 20 . When the substrate W is loaded into the unload lock chamber 34 , the internal space is sealed with respect to each of the index module 10 and the process module 20 . Thereafter, the internal space of the unloading lock chamber 34 is replaced from a vacuum atmosphere to an atmospheric pressure atmosphere, and is opened to the index module 10 while being blocked from the process module 20 .

공정 모듈(20)은 반송 유닛(240) 및 복수 개의 공정 챔버들을 포함한다. The process module 20 includes a transfer unit 240 and a plurality of process chambers.

반송 유닛(240)은 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 유닛(240)은 반송 챔버(242) 및 반송 로봇(250)을 포함한다. 반송 챔버(242)는 육각형의 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 반송 챔버(242)는 직사각 또는 오각의 형상으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(242)의 둘레에는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260)이 위치된다. 반송 챔버(242)의 내부에는 기판(W)을 반송하기 위한 반송 공간(244)에 제공된다. The transfer unit 240 transfers the substrate W between the load lock chamber 32 , the unload lock chamber 34 , and the plurality of process chambers 260 . The transfer unit 240 includes a transfer chamber 242 and a transfer robot 250 . The transfer chamber 242 may be provided in a hexagonal shape. Optionally, the transfer chamber 242 may be provided in a rectangular or pentagonal shape. A load lock chamber 32 , an unload lock chamber 34 , and a plurality of process chambers 260 are positioned around the transfer chamber 242 . A transfer space 244 for transferring the substrate W is provided inside the transfer chamber 242 .

반송 로봇(250)은 반송 공간(244)에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(250)은 반송 챔버(240)의 중앙부에 위치될 수 있다. 반송 로봇(250)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전이 가능한 복수 개의 핸드들(252)을 가질 수 있다. 각 핸드(252)는 독립 구동이 가능하며, 기판(W)은 핸드(252)에 수평 상태로 안착될 수 있다. 또한, 도 1에서는 일반적인 전공정 설비 구성을 나타내고 있으나, 챔버가 없는 후공정 설비 구성에서도 인덱스 모듈(10)(EFEM)에 본 발명의 기판 처리 유닛(3000)이 장착될 수 있다.The transfer robot 250 transfers the substrate W in the transfer space 244 . The transfer robot 250 may be located in the center of the transfer chamber 240 . The transport robot 250 may move in horizontal and vertical directions, and may have a plurality of hands 252 capable of moving forward, backward, or rotating on a horizontal plane. Each hand 252 may be driven independently, and the substrate W may be mounted on the hand 252 in a horizontal state. In addition, although FIG. 1 shows a general pre-process equipment configuration, the substrate processing unit 3000 of the present invention may be mounted to the index module 10 (EFEM) even in a post-process equipment configuration without a chamber.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 유닛을 나타내는 도면이다.2 to 4 are views illustrating a substrate processing unit according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 유닛(3000)은 하우징(3010), 지지 유닛(3100), 가스 공급 유닛(3200), 상부 전극 유닛(3300), 하부 전극(3400), 전원 유닛(3500), 제어 유닛(3600), 구동 유닛(3900) 및 베이스 유닛(3020)을 포함한다. 기판 처리 유닛(3000)은 대기압에서 기판을 플라즈마 처리하는 장치일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.2 to 4 , the substrate processing unit 3000 includes a housing 3010, a support unit 3100, a gas supply unit 3200, an upper electrode unit 3300, a lower electrode 3400, and a power unit ( 3500 ), a control unit 3600 , a driving unit 3900 , and a base unit 3020 . The substrate processing unit 3000 may be an apparatus for plasma processing a substrate at atmospheric pressure. However, the present invention is not limited thereto.

하우징(3010)은 내부에 처리 공간을 가진다. 하우징(3010)은 내부가 개방된 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 하우징(3010)은 금속 재질로 제공될 수 있다.The housing 3010 has a processing space therein. The housing 3010 may be provided in a rectangular parallelepiped shape with an open inside. The housing 3010 may be made of a metal material.

지지 유닛(3100)은 기판을 지지할 수 있다. 지지 유닛(3100)은 정전기력을 이용하여 기판을 흡착할 수 있다. 또한, 지지 유닛(3100)은 기계적 클램핑 및 진공 흡착과 같은 다양한 방식으로 기판을 지지할 수도 있다. 지지 유닛(3100)은 내부에 하부 전극(3400)을 포함할 수 있다. 하부 전극(3400)은 지지 유닛(3100)에 놓인 기판의 하부에서 상부 전극(3320)에 대향되도록 배치될 수 있다. 지지 유닛(3100)의 가장자리 영역에는 결합 부재(3110)가 제공된다. 결합 부재(3110)는 구동 유닛(3900)에 의해 지지 유닛(3100)이 상측으로 이동하면, 가스 공급 유닛(3200)과 접촉하여 기판 주변으로 처리 공간을 형성할 수 있다. 하부 전극(3400)에는 후공정용 기판 고정 링을 로딩하는 지지용 핀이 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(3200)은 공정 가스를 공급한다. 공정 가스는 질소(N2), 공기, 아르곤(Ar), CxFx 가스 등의 단일 가스 또는 상기 단일 가스에 수소(H2) 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 혼합한 혼합 가스를 포함할 수 있다. 가스 공급 유닛(3200)은 지지 유닛(3100)의 상부에 배치되며, 가이드 부재(3210), 가스 공급부(3220) 및 가스 배기부(3230)를 포함할 수 있다. The support unit 3100 may support a substrate. The support unit 3100 may adsorb the substrate using electrostatic force. In addition, the support unit 3100 may support the substrate in various ways, such as mechanical clamping and vacuum suction. The support unit 3100 may include a lower electrode 3400 therein. The lower electrode 3400 may be disposed to face the upper electrode 3320 under the substrate placed on the support unit 3100 . A coupling member 3110 is provided in an edge region of the support unit 3100 . When the support unit 3100 is moved upward by the driving unit 3900 , the coupling member 3110 may contact the gas supply unit 3200 to form a processing space around the substrate. The lower electrode 3400 may be provided with a support pin for loading a substrate fixing ring for a post process. The gas supply unit 3200 supplies a process gas. The process gas is a single gas such as nitrogen (N 2 ), air, argon (Ar), C x F x gas, or a mixed gas in which at least one of hydrogen (H 2 ) and oxygen (O 2 ) is mixed with the single gas may include The gas supply unit 3200 is disposed above the support unit 3100 , and may include a guide member 3210 , a gas supply unit 3220 , and a gas exhaust unit 3230 .

상부 전극 유닛(3300)은 지지 유닛(3100)의 상부에 배치될 수 있다. 상부 전극 유닛(3300)은 베이스 부재(3310), 상부 전극(3320) 및 유전층(3330)을 포함할 수 있다. 베이스 부재(3310)는 유리로 제공될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 베이스 부재(3310) 상에 상부 전극(3320) 및 유전층(3330)이 도포되어 형성될 수 있으며, 상부 전극(3320) 및 하부 전극(3400)에는 전원(3500)이 연결된다. 전원(3500)은 상부 전극(3320)에 전력을 인가하고 하부 전극(3400)은 접지 처리할 수 있다. 상부 전극(3320)은 베이스 부재(3310) 상에 형성되고, 유전층(3330)은 메쉬 구조의 상부 전극(3320) 위에 형성되어 베이스 부재(3310)의 아래에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 유전층(3330)은 원 형상으로 제공될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상부 전극(3320)은 다각형 형상을 가지는 메쉬 구조로 제공될 수 있으며, 일 예로, 육각형 벌집 형상의 반복적인 메쉬 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상부 전극(3320)은 삼각형, 사각형 등의 다각형이 반복되는 형태로 제공될 수 있으며, 상부 전극(3320)이 갖는 메쉬 구조는 공정에 따라 적절한 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상부 전극(3320)은 상부에서 바라볼 때 하부 전극(3400)에 대응하는 크기로 제공될 수 있다.The upper electrode unit 3300 may be disposed on the support unit 3100 . The upper electrode unit 3300 may include a base member 3310 , an upper electrode 3320 , and a dielectric layer 3330 . The base member 3310 may be made of glass, but is not limited thereto. An upper electrode 3320 and a dielectric layer 3330 may be coated on the base member 3310 to be formed, and a power source 3500 is connected to the upper electrode 3320 and the lower electrode 3400 . The power supply 3500 may apply power to the upper electrode 3320 and the lower electrode 3400 may be grounded. The upper electrode 3320 may be formed on the base member 3310 , and the dielectric layer 3330 may be formed on the upper electrode 3320 having a mesh structure to generate plasma under the base member 3310 . The dielectric layer 3330 may be provided in a circular shape, but is not limited thereto. The upper electrode 3320 may be provided in a mesh structure having a polygonal shape, and for example, may be provided in a repeating mesh shape having a hexagonal honeycomb shape. Also, the upper electrode 3320 may be provided in a form in which polygons such as a triangle or a quadrangle are repeated, and the mesh structure of the upper electrode 3320 may be provided in an appropriate form according to a process. Also, the upper electrode 3320 may be provided in a size corresponding to the lower electrode 3400 when viewed from the top.

하부 전극(3400)은 지지 유닛(3100)에 놓인 기판의 하부에 배치될 수 있다. 하부 전극(3400)은 지지 유닛(3100)의 내부에 제공될 수 있다. 전원 유닛(3500)은 상부 전극 유닛(3300)의 상부 전극(3320)에 전력을 인가하고 하부 전극(3400)은 접지시킬 수 있다. 전원 유닛(3500)은 저주파 전원일 수 있다. 일 예로, 전원 유닛(3500)은 4kW, 30kHz의 저주파 전원으로 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전원 유닛(3500)은 고주파 전원으로 제공되거나 다양한 주파수의 전원으로 제공될 수도 있다. 제어 유닛(3600)은 가스 공급 유닛(3200), 전원(3500) 및 구동 유닛(3900)을 제어할 수 있다. 구체적으로, 제어 유닛(3600)은 가스 공급 밸브(3221) 및 가스 배기 밸브(3231)를 제어하여 처리 공간으로 공정 가스를 공급하거나 처리 공간의 공정 가스를 배기시킬 수 있으며, 전원(3500)을 제어하여 상부 전극(3320) 및 하부 전극(3400)으로 전력을 인가함으로써 처리 공간에 플라즈마를 생성할 수 있다.The lower electrode 3400 may be disposed under the substrate placed on the support unit 3100 . The lower electrode 3400 may be provided inside the support unit 3100 . The power unit 3500 may apply power to the upper electrode 3320 of the upper electrode unit 3300 and ground the lower electrode 3400 . The power unit 3500 may be a low-frequency power source. As an example, the power unit 3500 may be provided with low-frequency power of 4 kW and 30 kHz. However, the present invention is not limited thereto, and the power supply unit 3500 may be provided as a high frequency power source or may be provided with power of various frequencies. The control unit 3600 may control the gas supply unit 3200 , the power source 3500 , and the driving unit 3900 . Specifically, the control unit 3600 may control the gas supply valve 3221 and the gas exhaust valve 3231 to supply the process gas to the processing space or exhaust the process gas from the processing space, and control the power supply 3500 . Thus, plasma may be generated in the processing space by applying power to the upper electrode 3320 and the lower electrode 3400 .

또한, 상부 전극 유닛(3300)의 상부에는 방열판(3800)이 제공될 수 있으며, 상부 전극 유닛(3300)과 방열판(3800) 사이에는 절연판(3700)이 제공되어 상부 전극 유닛(3300)에 의해 방열판(3800) 위에 발생될 수 있는 아킹(Arcing) 현상을 방지할 수 있다. 상부 전극 유닛(3300)의 상부에는 냉각 부재가 제공되어 기판이 처리되는 동안 상부 전극(3320)을 냉각시킬 수 있다.In addition, a heat sink 3800 may be provided on the upper electrode unit 3300 , and an insulating plate 3700 is provided between the upper electrode unit 3300 and the heat sink 3800 , so that the heat sink by the upper electrode unit 3300 . It is possible to prevent an arcing phenomenon that may occur on the 3800 . A cooling member may be provided on the upper electrode unit 3300 to cool the upper electrode 3320 while the substrate is being processed.

구동 유닛(3900)은 지지 유닛(3100)을 상하로 구동할 수 있다. 일 예로, 구동 유닛(3900)은 지지 유닛(3100)을 상부 전극 유닛(3300)을 향하여 상측으로 이동시켜, 기판 주변으로 처리 공간을 형성할 수 있다. 구동 유닛(3900)은 연결부(3910) 및 구동부(3920)를 포함할 수 있다. 연결부(3910)는 구동부(3920)와 지지 유닛(3100)을 연결한다. 연결부(3910)의 내부에는 기판을 지지 유닛(3100) 상에 흡착하기 위한 진공 펌프 라인이 제공될 수 있다. 구동부(3920)는 연결부(3910)를 상하로 구동하여 지지 유닛(3100)을 상하로 구동할 수 있다. 구동부(3920)는 모터일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The driving unit 3900 may drive the support unit 3100 up and down. For example, the driving unit 3900 may move the support unit 3100 upward toward the upper electrode unit 3300 to form a processing space around the substrate. The driving unit 3900 may include a connection part 3910 and a driving part 3920 . The connection part 3910 connects the driving part 3920 and the support unit 3100 . A vacuum pump line for adsorbing the substrate onto the support unit 3100 may be provided inside the connection part 3910 . The driving unit 3920 may drive the connecting unit 3910 up and down to drive the support unit 3100 up and down. The driving unit 3920 may be a motor, but is not limited thereto.

베이스 유닛(3020)은 하우징(3010)의 하부에 위치되어 하우징(3010)을 지지한다. 베이스 유닛(3020)은 구동 유닛(3900)과 결합될 수 있다. 베이스 유닛(3020)은 베이스부(3021), 수직 프레임(3022) 및 개구(3023)를 포함한다. 베이스부(3021)는 하우징(3010)의 하부를 지지한다. 베이스부(3021)에는 베이스 유닛(3020)과 이송 프레임(140)을 고정 결합하는 결합 부재(3030)가 제공될 수 있다. 베이스부(3021)의 상면에는 홈이 형성될 수 있다. 구동 유닛(3900)의 연결부(3910) 및 구동부(3920)는 베이스부(3021)의 상면에 형성되는 홈에 삽입되어 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 구동 유닛(3900)은 베이스부(3021) 상에 제공될 수도 있다. 수직 프레임(3022)은 베이스부(3021)의 측면에 설치될 수 있다. 수직 프레임(3022)은 하우징(3010)의 측부를 지지한다. 수직 프레임(3022)에는 기판이 출입되는 개구(3023)가 형성될 수 있다. 또한, 수직 프레임(3022)에는 기판의 공급 및 배출을 위한 도어(미도시)가 제공되어 기판이 개구(3023)를 통해 공급되거나 배출되도록 제어할 수 있다.The base unit 3020 is positioned under the housing 3010 to support the housing 3010 . The base unit 3020 may be coupled to the driving unit 3900 . The base unit 3020 includes a base portion 3021 , a vertical frame 3022 , and an opening 3023 . The base part 3021 supports the lower part of the housing 3010 . A coupling member 3030 for fixedly coupling the base unit 3020 and the transfer frame 140 to the base unit 3021 may be provided. A groove may be formed in the upper surface of the base portion 3021 . The connection part 3910 and the driving part 3920 of the driving unit 3900 may be provided by being inserted into a groove formed on the upper surface of the base part 3021 . However, the present invention is not limited thereto, and the driving unit 3900 may be provided on the base portion 3021 . The vertical frame 3022 may be installed on a side surface of the base part 3021 . The vertical frame 3022 supports the sides of the housing 3010 . An opening 3023 through which a substrate enters and exits may be formed in the vertical frame 3022 . In addition, the vertical frame 3022 may be provided with a door (not shown) for supplying and discharging the substrate to control the substrate to be supplied or discharged through the opening 3023 .

본 발명의 기판 처리 유닛(3000)은 하우징(3010) 및 하우징(3010)을 지지하는 베이스 유닛(3020)을 포함하여, 도 5와 같이, 인덱스 모듈(10)에서 복수의 로드포트(120)의 배열 방향을 따라 제공될 수 있다. 이에 따라, 인덱스 모듈(10)에서도 기판에 대한 공정을 수행할 수 있으므로, 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 일 예로, 인덱스 모듈(10)에 대기압 플라즈마 처리를 수행하는 기판 처리 유닛(3000)을 배치하여, 기판이 공정 모듈(20)로 반송되기 전에 기판에 대한 플라즈마 처리를 수행할 수 있다.The substrate processing unit 3000 of the present invention includes a housing 3010 and a base unit 3020 supporting the housing 3010 , and as shown in FIG. 5 , a plurality of load ports 120 in the index module 10 . It may be provided along the arrangement direction. Accordingly, since the index module 10 can also perform a process on the substrate, process efficiency can be improved. For example, by disposing the substrate processing unit 3000 that performs atmospheric pressure plasma processing in the index module 10 , plasma processing may be performed on the substrate before the substrate is transferred to the process module 20 .

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 지지 유닛을 상부 전극을 향하여 이동시켜 기판 주변으로 처리 공간을 형성하고, 처리 공간에 공정 가스를 공급한 후 상부 전극으로 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 이용하여 기판을 플라즈마 처리할 수 있다. 이 경우, 기판을 플라즈마 처리할 때 상부 전극을 냉각시킬 수 있다.Meanwhile, in the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, a processing space is formed around the substrate by moving the support unit toward the upper electrode, a process gas is supplied to the processing space, and then electric power is applied to the upper electrode to generate plasma. generated, and the substrate may be plasma-treated using the generated plasma. In this case, the upper electrode may be cooled when the substrate is plasma-treated.

이상과 같은 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면 기판 처리 유닛이 인덱스 모듈에서 로드 포트와 같이 배열되어 기판이 공정 모듈로 반송되기 전에도 기판을 처리할 수 있으므로, 기판 처리 공정의 효율이 향상될 수 있다.According to various embodiments of the present invention as described above, since the substrate processing unit is arranged like a load port in the index module to process the substrate even before the substrate is transferred to the process module, the efficiency of the substrate processing process may be improved.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.The above embodiments are presented to help the understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and it should be understood that various modified embodiments therefrom also fall within the scope of the present invention. The technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literal description of the claims itself, but is substantially equivalent to the technical value. It should be understood that it extends to the invention of

1: 기판 처리 장치 10: 인덱스 모듈
20: 공정 모듈 120: 로드 포트
140: 이송 프레임 3000: 기판 처리 유닛
3100: 지지 유닛 3200: 가스 공급 유닛
3300: 상부 전극 유닛 3320: 상부 전극
3400: 하부 전극 3500: 전원 유닛
3600: 제어 유닛1: substrate processing apparatus 10: index module
20: process module 120: load port
140: transfer frame 3000: substrate processing unit
3100: support unit 3200: gas supply unit
3300: upper electrode unit 3320: upper electrode
3400: lower electrode 3500: power unit
3600: control unit

Claims (20)

삭제delete 삭제delete 기판을 수용하는 용기가 놓이는 복수의 로드 포트 및 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 설치된 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈;
상기 인덱스 모듈과 연결되고, 기판을 처리하는 공정 챔버들이 제공되며 상기 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 공정 모듈;
상기 인덱스 모듈에 제공되어 기판을 처리하는 기판 처리 유닛;
상기 인덱스 모듈과 상기 공정 모듈 사이에 제공되는 로딩 모듈; 및
상기 인덱스 모듈에 결합되고 상기 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛을 포함하되,
상기 기판 처리 유닛은, 상기 복수의 로드 포트의 배열 방향을 따라 제공되고,
상기 로드 포트, 상기 이송 프레임 및 상기 공정 모듈이 제1 방향으로 배열되고,
상기 로드 포트와 상기 기판 처리 유닛은, 상부에서 바라볼 때 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배열되며,
상기 기판 처리 유닛은,
내부에 처리 공간을 갖는 하우징;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛을 상하로 구동하는 구동 유닛; 및
상기 하우징을 지지하며, 상기 구동 유닛이 결합되는 베이스 유닛;을 포함하고,
상기 인덱스 로봇은 상기 로드 포트, 상기 버퍼 유닛 및 상기 로딩 모듈 간에 상기 기판을 반송하거나, 상기 기판 처리 유닛, 상기 버퍼 유닛 및 상기 로딩 모듈 간에 상기 기판을 반송하고,
상기 반송 유닛은 상기 공정 챔버와 상기 로딩 모듈 간에 상기 기판을 반송하는 기판 처리 장치.an index module having a transport frame in which a plurality of load ports on which a container for accommodating a substrate is placed and an index robot for transporting the substrate are installed;
a process module connected to the index module, provided with process chambers for processing a substrate, and having a transport unit for transporting the substrate;
a substrate processing unit provided to the index module to process the substrate;
a loading module provided between the index module and the process module; and
A buffer unit coupled to the index module and temporarily storing the substrate,
The substrate processing unit is provided along an arrangement direction of the plurality of load ports;
the load port, the transfer frame and the process module are arranged in a first direction,
The load port and the substrate processing unit are arranged in a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above,
The substrate processing unit,
a housing having a processing space therein;
a support unit for supporting a substrate in the processing space;
a driving unit for vertically driving the support unit; and
and a base unit supporting the housing and to which the driving unit is coupled;
the index robot transfers the substrate between the load port, the buffer unit and the loading module, or transfers the substrate between the substrate processing unit, the buffer unit and the loading module;
The transfer unit transfers the substrate between the process chamber and the loading module. 제3항에 있어서,
상기 베이스 유닛은,
상기 하우징의 하부를 지지하는 베이스부; 및
상기 베이스부의 측면에 설치되어, 상기 하우징의 측부를 지지하는 수직 프레임;을 포함하고,
상기 베이스부는, 상기 베이스 유닛과 상기 이송 프레임을 고정 결합하는 결합 부재를 포함하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The base unit is
a base portion supporting the lower portion of the housing; and
a vertical frame installed on the side of the base to support the side of the housing; and
The base unit may include a coupling member configured to fixedly couple the base unit and the transfer frame to each other. 제4항에 있어서,
상기 수직 프레임에는, 기판이 출입되는 개구가 형성되고, 기판의 공급 및 배출을 제어하는 도어가 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
In the vertical frame, an opening through which the substrate enters and exits is formed, and a door for controlling supply and discharge of the substrate is provided. 제4항에 있어서,
상기 기판 처리 유닛은, 대기압에서 기판을 플라즈마 처리하여 기판의 표면을 친수 또는 소수 처리하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The substrate processing unit is a substrate processing apparatus for treating the surface of the substrate with a hydrophilic or hydrophobic treatment by plasma-treating the substrate at atmospheric pressure. 제6항에 있어서,
상기 기판 처리 유닛은,
상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 상부 전극;
상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
상기 지지 유닛에 놓인 기판의 하부에서 상기 상부 전극에 대향되도록 배치되는 하부 전극; 및
상기 상부 전극에 전력을 인가하는 전원 유닛;을 더 포함하는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The substrate processing unit,
an upper electrode disposed on the support unit;
a gas supply unit supplying a process gas to the processing space;
a lower electrode disposed to face the upper electrode under the substrate placed on the support unit; and
The substrate processing apparatus further comprising a; power unit for applying power to the upper electrode. 제7항에 있어서,
상기 기판 처리 유닛은,
상기 상부 전극의 상부에 제공되어 상기 상부 전극을 냉각시키는 냉각 부재;를 더 포함하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The substrate processing unit,
and a cooling member provided on the upper electrode to cool the upper electrode. 제4항 내지 제8항 중 어느 하나에 있어서,
상기 구동 유닛은,
상기 지지 유닛과 연결되는 연결부; 및
상기 연결부를 상하로 구동하는 구동부;를 포함하는 기판 처리 장치.9. The method according to any one of claims 4 to 8,
The drive unit is
a connection part connected to the support unit; and
A substrate processing apparatus including a; a driving unit for vertically driving the connection unit. 제9항에 있어서,
상기 연결부는, 내부에 상기 기판을 상기 지지 유닛 상에 흡착하기 위한 진공 펌프 라인이 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The connection unit is provided with a vacuum pump line for adsorbing the substrate onto the support unit therein. 제10항에 있어서,
상기 베이스부는, 상면에 홈이 형성되고,
상기 구동 유닛은, 상기 홈에 삽입되어 제공되는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
The base portion, a groove is formed in the upper surface,
The driving unit is provided by being inserted into the groove. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제7항에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 플라즈마 처리하는 방법에 있어서,
상기 지지 유닛을 상기 상부 전극을 향하여 이동시켜 상기 기판 주변으로 처리 공간을 형성하고,
상기 처리 공간에 공정 가스를 공급한 후 상기 상부 전극으로 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하며,
생성된 상기 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 플라즈마 처리하는 기판 처리 방법.In the method of plasma processing a substrate using the substrate processing apparatus according to claim 7,
moving the support unit toward the upper electrode to form a processing space around the substrate;
After supplying a process gas to the processing space, power is applied to the upper electrode to generate plasma,
A substrate processing method of plasma processing the substrate using the generated plasma. 제19항에 있어서,
상기 기판을 플라즈마 처리할 때, 상기 상부 전극을 냉각시키는 기판 처리 방법.

20. The method of claim 19,
When the substrate is plasma-treated, the substrate processing method of cooling the upper electrode.
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