KR20210000356A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a device and method for processing a substrate. The device for processing a substrate to remove particles from the substrate processed with a gas comprises: an index module having a load port in which a container receiving the substrate is placed and a transfer frame transferring the substrate from the container placed in the load port; a process module having a process chamber for processing the substrate and a transfer chamber for transferring the substrate to the process chamber; a load lock chamber disposed between the index module and the process module, wherein the substrate transferred between the index module and the process module is placed; and a post-processing unit post-processing the substrate processed in the process module. The post-processing unit includes a cleaning member for cleaning particles remaining on the substrate. The cleaning member has a plasma torch discharging plasma to the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 패턴을 형성하기 위해 사진 공정, 식각 공정, 애싱 공정, 이온주입 공정, 그리고 박막 증착 공정 등의 다양한 공정들을 수행한다. 이러한 공정들 중 식각 공정, 이온 주입 공정, 그리고 박막 증착 공정은 진공 분위기에서 기판을 가스 처리한다. 진공 분위기에서 대기 분위기로 이동된 기판은 대기에 노출되면서 기판에는 파티클 및 퓸(Fume)이 형성된다. 따라서 기판 처리 공정 후에는 기판에 잔류된 파티클 및 퓸을 제거하는 공정이 수행되어야 한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as a photo process, an etching process, an ashing process, an ion implantation process, and a thin film deposition process are performed to form a pattern on a substrate. Among these processes, the etching process, the ion implantation process, and the thin film deposition process gas-process the substrate in a vacuum atmosphere. As the substrate moved from the vacuum atmosphere to the atmospheric atmosphere is exposed to the atmosphere, particles and fumes are formed on the substrate. Therefore, after the substrate treatment process, a process of removing particles and fumes remaining on the substrate must be performed.

일반적으로 파티클을 제거하는 공정으로는, 비활성 가스를 블로우하여 잔류 파티클을 제거한다. 그러나 파티클은 기판을 처리 시에 사용된 가스와 밀접한 관계가 있으며, 파티클은 기판에 강한 힘으로 부착되어 있어 제거하는 것이 어렵다.In general, as a process of removing particles, residual particles are removed by blowing an inert gas. However, the particles are closely related to the gas used in processing the substrate, and the particles are attached to the substrate with a strong force, making it difficult to remove.

본 발명은 가스 처리된 기판으로부터 파티클을 제거하는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus for removing particles from a gas-treated substrate.

또한 본 발명은 파티클의 제거가 용이한 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a device in which particles are easily removed.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for processing a substrate.

기판 처리 장치는 기판이 수용된 용기가 놓이는 로드포트 및 상기 로드포트에 놓인 상기 용기에서 기판을 반송하는 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈, 기판을 공정 처리하는 공정 챔버 및 상기 기판을 상기 공정 챔버로 반송하는 반송 챔버를 가지는 공정 모듈, 상기 인덱스 모듈과 상기 공정 모듈 사이에 배치되며, 상기 인덱스 모듈과 상기 공정 모듈 간에 반송되는 상기 기판이 놓이는 로드락 챔버, 그리고 상기 공정 모듈에서 공정 처리된 기판을 후처리하는 후처리 유닛을 포함하되, 상기 후처리 유닛은 상기 기판에 잔류된 파티클을 세정하는 세정 부재를 포함하되, 상기 세정 부재는 상기 기판으로 플라즈마를 토출하는 플라즈마 토치를 가진다. The substrate processing apparatus includes an index module having a load port on which a container receiving a substrate is placed and a transfer frame for transferring a substrate from the container placed on the load port, a process chamber for processing a substrate, and a transfer for transferring the substrate to the process chamber A process module having a chamber, a load lock chamber disposed between the index module and the process module, in which the substrate transferred between the index module and the process module is placed, and after post-processing the substrate processed in the process module A processing unit is included, wherein the post processing unit includes a cleaning member for cleaning particles remaining on the substrate, the cleaning member having a plasma torch for discharging plasma to the substrate.

상기 후처리 유닛은 상기 로드락 챔버에 위치될 수 있다. The post-treatment unit may be located in the load lock chamber.

선택적으로 상기 후처리 유닛은 상기 인덱스 모듈에 위치될 수 있다. Optionally, the post-processing unit may be located in the index module.

상기 후처리 유닛은 하우징과 상기 하우징 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와 상기 플라즈마 토치를 상기 기판과 평행한 방향으로 상대 이동시키는 이동 부재를 포함할 수 있다. The post-processing unit may include a housing, a support member for supporting the substrate in the housing, and a moving member for relatively moving the plasma torch in a direction parallel to the substrate.

상기 후처리 유닛은 상기 하우징의 내부 압력을 조절하여 상기 플라즈마 토치로부터 토출되는 플라즈마의 토출 영역을 조절하는 압력 조절 부재를 더 포함하되, 상기 압력 조절 부재는 상기 플라즈마가 상기 기판의 전체 영역에 동시 토출되도록 상기 내부 압력을 조절할 수 있다. The post-treatment unit further includes a pressure control member for adjusting an internal pressure of the housing to control a discharge area of plasma discharged from the plasma torch, wherein the pressure control member simultaneously discharges the plasma to the entire area of the substrate. The internal pressure can be adjusted so that it is possible.

상기 압력 조절 부재는 상기 내부 압력을 상압보다 낮은 압력으로 조절할 수 있다. The pressure adjusting member may adjust the internal pressure to a pressure lower than normal pressure.

상기 플라즈마를 생성하는 가스는 에어를 포함할 수 있다. The gas generating the plasma may include air.

상기 플라즈마를 생성하는 가스는 황을 더 포함할 수 있다. The gas generating the plasma may further include sulfur.

또한 기판을 처리하는 방법은 상기 기판을 진공 분위기의 처리 공간에서 공정 처리하는 공정 처리 단계와 공정 처리된 상기 기판을 상기 처리 공간으로부터 반출하여 상기 기판을 세정 처리하는 세정 처리 단계를 포함하되, 상기 세정 처리 단계에서 상기 기판은 플라즈마 토치로부터 토출된 플라즈마에 의해 세정된다. In addition, the method of treating the substrate includes a process treatment step of processing the substrate in a processing space in a vacuum atmosphere and a cleaning treatment step of removing the processed substrate from the processing space to clean the substrate, wherein the cleaning In the processing step, the substrate is cleaned by plasma discharged from the plasma torch.

상기 공정 처리 단계에서 처리되어 반출된 상기 기판의 표면에는 탄소가 함유되고, 상기 플라즈마를 생성하는 가스는 에어를 포함할 수 있다. Carbon is contained in the surface of the substrate processed and carried out in the processing step, and the gas generating the plasma may contain air.

상기 세정 처리 단계에는 상기 플라즈마 토치를 상기 기판에 대해 상대 이동시키면서 상기 플라즈마를 상기 기판의 전체 영역에 공급할 수 있다. In the cleaning process, the plasma may be supplied to the entire area of the substrate while the plasma torch is moved relative to the substrate.

상기 세정 처리 단계에는 상기 플라즈마가 상기 기판의 전체 영역에 동시 토출되도록 상기 세정 처리가 이루어지는 공간을 상압보다 낮은 압력으로 조절할 수 있다.In the cleaning process, the space in which the cleaning process is performed may be adjusted to a pressure lower than normal pressure so that the plasma is simultaneously discharged to the entire area of the substrate.

본 발명의 실시예에 의하면, 가스 처리된 기판에는 플라즈마 토치로부터 발생된 플라즈마가 공급된다. 이로 인해 기판 상의 잔류 파티클을 쉽게 제거할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, plasma generated from a plasma torch is supplied to a gas-treated substrate. This makes it possible to easily remove residual particles on the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 가스 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 로드락 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 3의 챔버 내의 압력에 따른 세정 부재의 플라즈마 변화량 보여주는 도면들이다.
도 6은 도 3의 세정 부재의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 1의 세정 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the gas processing apparatus of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view showing the load lock chamber of FIG. 1.
4 and 5 are views showing a plasma change amount of the cleaning member according to the pressure in the chamber of FIG. 3.
6 is a view showing another embodiment of the cleaning member of FIG. 3.
7 is a view showing another embodiment of the cleaning member of FIG. 1.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the constituent elements in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가스를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to various types of devices for processing a substrate using gas.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10), 로딩 모듈(30), 공정 모듈(20), 그리고 후처리 유닛(2000)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 정렬 유닛(150) 그리고 버퍼 유닛(300)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 has an index module 10, a loading module 30, a process module 20, and a post-processing unit 2000, and the index module 10 includes a load port ( 120), a transfer frame 140, an alignment unit 150 and a buffer unit 300. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, the loading module 30, and the process module 20 are arranged is referred to as the first direction 12, and when viewed from the top, the first direction ( A direction perpendicular to 12) is referred to as a second direction 14, and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16.

로드 포트(120)에는 복수 개의 기판들(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 3 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 따라 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier 18 in which a plurality of substrates W are accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In Figure 2, it is shown that three load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided along the third direction 16, and the substrates are positioned in the carrier to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18), 버퍼 유닛(300), 그리고 로딩 모듈(30) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암들(144c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암들(144c) 중 일부는 공정 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 18 seated on the load port 120, the buffer unit 300, and the loading module 30. The transport frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in its longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body (144b) is provided to be rotatable on the base (144a). The index arm 144c is coupled to the body 144b, and is provided to move forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process module 20 to the carrier 18, and others transfer the substrate W from the carrier 18 to the process module 20. Can be used when doing. This may prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 144 carrying in and carrying out the substrate W.

정렬 유닛(150)은 이송 프레임 내에서 기판(W)의 방향을 정렬한다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 플랫존을 가지는 웨이퍼(W)로 제공될 수 있다. 즉, 기판(W)은 일부가 절단된 원판 형상으로 제공될 수 있다. 정렬 유닛(150)은 각 기판(W)의 플랫존이 동일한 방향을 향하도록 기판(W)의 방향을 정렬할 수 있다.The alignment unit 150 aligns the direction of the substrate W in the transfer frame. According to an example, the substrate W may be provided as a wafer W having a flat zone. That is, the substrate W may be provided in the shape of a disk in which a portion is cut. The alignment unit 150 may align the direction of the substrate W so that the flat zones of each substrate W face the same direction.

버퍼 유닛(300)은 공정 모듈(20)에서 처리된 기판(W)을 임시 보관한다. 버퍼 유닛(300)은 기판(W) 상에 잔류되는 공정 부산물은 제거된다. 버퍼 유닛(300)에서의 공정 부산물 제거는 버퍼 유닛(300)의 내부를 가압하거나 감압함으로써 이루어진다. 버퍼 유닛(300)은 복수 개로 제공될 수 있다. 예컨대, 버퍼 유닛(300)은 2개가 제공될 수 있다. 2개의 버퍼 유닛(300)은 이송 프레임(140)의 양측에 각각 제공되어, 이송 프레임(140)을 사이에 두고 서로 대향되게 위치될 수 있다. 선택적으로 버퍼 유닛(300)은 이송 프레임(140)의 일측에 1개만 제공될 수 있다.The buffer unit 300 temporarily stores the substrate W processed by the process module 20. The buffer unit 300 removes process by-products remaining on the substrate W. Removal of process by-products from the buffer unit 300 is performed by pressurizing or depressurizing the inside of the buffer unit 300. The buffer unit 300 may be provided in plural. For example, two buffer units 300 may be provided. The two buffer units 300 are provided on both sides of the transfer frame 140, respectively, and may be positioned to face each other with the transfer frame 140 interposed therebetween. Optionally, only one buffer unit 300 may be provided on one side of the transfer frame 140.

로딩 모듈(30)은 이송 프레임(140)과 반송 챔버(242) 사이에 배치된다. 로딩 모듈(30)은 반송 챔버(242)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 로딩 모듈(30)은 복수 개의 로드락 챔버들(32,34)을 포함한다. 로드락 챔버(32,34)는 각각 그 내부가 진공 분위기와 상압 분위기 간에 전환 가능하도록 제공된다.The loading module 30 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 242. The loading module 30 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 242 and the transfer frame 140 before the substrate W is transferred. The loading module 30 includes a plurality of load lock chambers 32 and 34. Each of the load lock chambers 32 and 34 is provided so that the interior thereof is switchable between a vacuum atmosphere and an atmospheric pressure atmosphere.

로드락 챔버(32,34)는 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 간에 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 로드락 챔버(32,34)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 로드락 챔버(32)의 내부 공간을 상압 분위기 또는 진공 분위기로 전환하고, 인덱스 모듈(10)과 공정 모둘(20) 중 어느 하나에 대해 밀폐가 유지된 상태에서 다른 하나에 대해 개방된다.In the load lock chambers 32 and 34, the substrate W transferred between the index module 10 and the process module 20 temporarily stays. When the substrate W is carried into the load lock chambers 32 and 34, the inner space is sealed with respect to the index module 10 and the process module 20, respectively. Thereafter, the inner space of the load lock chamber 32 is converted to an atmospheric or vacuum atmosphere, and the index module 10 and the process module 20 are opened to the other while the sealing is maintained.

예컨대, 기판이 인덱스 모듈(10)에서 공정 모듈(20)로 반송될 때, 로드락 챔버(32,34)는 내부 공간을 상압 분위기에서 진공 분위기로 전환한 후에, 인덱스 모듈(10)에 대해 밀폐를 유지한 상태에서 공정 모듈(20)에 대해 개방될 수 있다.For example, when the substrate is transferred from the index module 10 to the process module 20, the load lock chambers 32 and 34 change the internal space from the atmospheric pressure atmosphere to the vacuum atmosphere, and then seal it against the index module 10. It may be opened to the process module 20 while maintaining the.

이와 반대로, 기판이 공정 모듈(20)에서 인덱스 모듈(10)로 반송될 때, 로드락 챔버(32,34)는 내부 공간을 진공 분위기에서 상압 분위기로 전환한 후에, 공정 모듈(20)에 대해 밀폐를 유지한 상태에서 인덱스 모듈(10)에 대해 개방될 수 있다.Conversely, when the substrate is transferred from the process module 20 to the index module 10, the load lock chambers 32 and 34 convert the internal space from a vacuum atmosphere to an atmospheric pressure atmosphere, and then the process module 20 It may be opened with respect to the index module 10 while maintaining the sealing.

선택적으로, 로드락 챔버(32,34) 중 어느 하나는 기판을 인덱스 모듈(10)에서 공정 모듈(20)로 반송될 때에 사용되고, 다른 하나는 기판을 공정 모듈(20)에서 인덱스 모듈(10)로 반송될 때 사용될 수 있다.Optionally, one of the load lock chambers 32 and 34 is used when the substrate is transferred from the index module 10 to the process module 20, and the other is the substrate from the process module 20 to the index module 10. Can be used when returned to

공정 모듈(20)은 반송 챔버(242) 및 복수 개의 공정 유닛들(260)을 포함한다. The process module 20 includes a transfer chamber 242 and a plurality of process units 260.

반송 챔버(242)는 로드락 챔버(32,34) 및 복수 개의 공정 유닛들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 챔버(242)는 상부에서 바라볼 때 육각의 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 반송 챔버(242)는 직사각 또는 오각의 형상으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(242)의 둘레에는 로드락 챔버(32,34) 및 복수 개의 공정 유닛들(260)이 위치된다. 반송 챔버(242) 내에 반송 로봇(250)이 제공된다. 반송 로봇(250)은 반송 챔버(242)의 중앙부에 위치될 수 있다. 반송 로봇(250)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전이 가능한 복수 개의 핸드들(252)을 가질 수 있다. 각 핸드(252)는 독립 구동이 가능하며, 기판(W)은 핸드(252)에 수평 상태로 안착될 수 있다. The transfer chamber 242 transfers the substrate W between the load lock chambers 32 and 34 and the plurality of process units 260. The transfer chamber 242 may be provided in a hexagonal shape when viewed from the top. Optionally, the transfer chamber 242 may be provided in a rectangular or pentagonal shape. Load lock chambers 32 and 34 and a plurality of process units 260 are positioned around the transfer chamber 242. A transfer robot 250 is provided in the transfer chamber 242. The transfer robot 250 may be located in the center of the transfer chamber 242. The transfer robot 250 may move in a horizontal or vertical direction, and may have a plurality of hands 252 capable of moving forward, backward, or rotating on a horizontal plane. Each hand 252 may be independently driven, and the substrate W may be mounted on the hand 252 in a horizontal state.

아래에서는 공정 유닛(260)에 제공된 가스 처리 장치(1000)에 대해 설명한다. 가스 처리 장치는 기판(W)을 식각 또는 증착 처리한다. 일 예에 의하면, 각각의 가스 처리 장치는 서로 다른 가스 처리 공정을 수행할 수 있다. 가스 처리 공정에 사용되는 가스는 탄소(C)를 포함하는 가스일 수 있다. 가스 처리 공정에 사용되는 가스는 메탄(CH4) 일 수 있다Hereinafter, the gas processing apparatus 1000 provided to the process unit 260 will be described. The gas processing apparatus etching or depositing the substrate W. According to an example, each gas processing apparatus may perform a different gas processing process. The gas used in the gas treatment process may be a gas containing carbon (C). The gas used in the gas treatment process may be methane (CH 4 ).

도 2는 도 1의 가스 처리 장치의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 가스 처리 장치(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 가스 공급 유닛(1300), 플라즈마 소스(1400), 그리고 배기 배플(1500)을 포함한다.2 is a cross-sectional view of the gas processing apparatus of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the gas processing apparatus 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1200, a gas supply unit 1300, a plasma source 1400, and an exhaust baffle 1500.

챔버(1100)는 기판(W)이 처리되는 처리 공간(1106)을 가진다. 챔버(1100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(1100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(1100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(1100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구는 도어(1120)에 의해 개폐된다. 챔버(1100)의 바닥면에는 하부홀(1150)이 형성된다. 하부홀(1150)에는 감압 부재(미도시)가 연결된다. 챔버(1100)의 처리 공간(1106)은 감압 부재에 의해 배기 가능하며, 공정 진행시 감압 분위기로 유지될 수 있다.The chamber 1100 has a processing space 1106 in which the substrate W is processed. The chamber 1100 is provided in a circular cylindrical shape. The chamber 1100 is made of a metal material. For example, the chamber 1100 may be made of aluminum. An opening is formed in one side wall of the chamber 1100. The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried. The opening is opened and closed by the door 1120. A lower hole 1150 is formed in the bottom surface of the chamber 1100. A pressure reducing member (not shown) is connected to the lower hole 1150. The processing space 1106 of the chamber 1100 can be exhausted by a decompression member, and can be maintained in a decompression atmosphere during the process.

기판 지지 유닛(1200)은 처리 공간(1106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(1200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(1200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 1200 supports the substrate W in the processing space 1106. The substrate support unit 1200 may be provided as an electrostatic chuck 1200 supporting the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 1200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping.

정전척(1200)은 유전판(1210), 베이스(1230), 그리고 포커스링(1250)을 포함한다. 유전판(1210)은 유전체 재질로 제공될 수 있다. 유전판(1210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(1210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(1210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(1210)의 내부에는 척킹용 전극(1212)이 설치된다. 척킹용 전극(1212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력이 인가되며, 기판(W)은 정전기력에 의해 유전판(1210)에 흡착된다. 유전판(1210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(1214)가 설치된다. 히터(1214)는 척킹용 전극(1212)의 아래에 위치된다. 히터(1214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 1200 includes a dielectric plate 1210, a base 1230, and a focus ring 1250. The dielectric plate 1210 may be made of a dielectric material. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 1210. The dielectric plate 1210 is provided in a disk shape. The dielectric plate 1210 may have a radius smaller than that of the substrate W. The chucking electrode 1212 is installed inside the dielectric plate 1210. A power source (not shown) is connected to the chucking electrode 1212, power is applied from a power source (not shown), and the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 1210 by electrostatic force. A heater 1214 for heating the substrate W is installed inside the dielectric plate 1210. The heater 1214 is located under the chucking electrode 1212. The heater 1214 may be provided as a spiral coil.

베이스(1230)는 유전판(1210)을 지지한다. 베이스(1230)는 유전판(1210)의 아래에 위치되며, 유전판(1210)과 고정결합된다. 베이스(1230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(1230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(1210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(1230)의 내부에는 냉각 유로(1232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(1232)는 베이스(1230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(1234)과 연결된다. 고주파 전원(1234)은 베이스(1230)에 전력을 인가한다. 베이스(1230)에 인가된 전력은 챔버(1100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(1230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(1230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base 1230 supports the dielectric plate 1210. The base 1230 is located under the dielectric plate 1210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 1210. The upper surface of the base 1230 has a stepped shape such that the central region thereof is higher than the edge region. The base 1230 has an area in which the central region of the upper surface corresponds to the lower surface of the dielectric plate 1210. A cooling passage 1232 is formed inside the base 1230. The cooling passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling passage 1232 may be provided in a spiral shape inside the base 1230. The base is connected to an externally located high frequency power supply 1234. The high frequency power supply 1234 applies power to the base 1230. The power applied to the base 1230 guides the plasma generated in the chamber 1100 to move toward the base 1230. The base 1230 may be made of a metal material.

포커스링(1250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(1250)은 내측링(1252) 및 외측링(1254)을 포함한다. 내측링(1252)은 유전판(1210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(1252)을 베이스(1230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(1252)의 상면은 유전판(1210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(1252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(1252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(1254)은 내측링(1252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(1254)은 베이스(1230)의 가장자리영역에서 내측링(1252)과 인접하게 위치된다. 외측링(1254)은 내측링(1252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(1254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 1250 concentrates plasma onto the substrate W. The focus ring 1250 includes an inner ring 1252 and an outer ring 1254. The inner ring 1252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 1210. The inner ring 1252 is located in the edge region of the base 1230. The upper surface of the inner ring 1252 is provided to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 1210. The inner portion of the upper surface of the inner ring 1252 supports an edge region of the bottom surface of the substrate W. For example, the inner ring 1252 may be made of a conductive material. The outer ring 1254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 1252. The outer ring 1254 is located adjacent to the inner ring 1252 in the edge region of the base 1230. The outer ring 1254 has a higher upper end compared to the inner ring 1252. The outer ring 1254 may be provided with an insulating material.

가스 공급 유닛(1300)은 기판 지지 유닛(1200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(1300)은 가스 저장부(1350), 가스 공급 라인(1330), 그리고 가스 유입 포트(1310)를 포함한다. 가스 공급 라인(1330)은 가스 저장부(1350) 및 가스 유입 포트(1310)를 연결한다. 가스 저장부(1350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(1330)을 통해 가스 유입 포트(1310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(1310)는 기판 지지 유닛(1200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(1330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.The gas supply unit 1300 supplies a process gas onto the substrate W supported by the substrate support unit 1200. The gas supply unit 1300 includes a gas storage unit 1350, a gas supply line 1330, and a gas inlet port 1310. The gas supply line 1330 connects the gas storage unit 1350 and the gas inlet port 1310. The process gas stored in the gas storage unit 1350 is supplied to the gas inlet port 1310 through the gas supply line 1330. The gas inlet port 1310 is installed on the upper wall of the chamber 1100. The gas inlet port 1310 is positioned to face the substrate support unit 1200. According to an example, the gas inlet port 1310 may be installed at the center of the upper wall of the chamber 1100. A valve is installed in the gas supply line 1330 to open and close the inner passage or to control the flow rate of gas flowing through the inner passage. For example, the process gas may be an etching gas.

플라즈마 소스(1400)는 챔버(1100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(1400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(1400)는 안테나(1410) 및 외부 전원(1430)을 포함한다. 안테나(1410)는 챔버(1100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(1410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부 전원(1430)과 연결된다. 안테나(1410)는 외부 전원(1430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(1410)는 챔버(1100)의 내부 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The plasma source 1400 excites the process gas in the chamber 1100 into a plasma state. As the plasma source 1400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 1400 includes an antenna 1410 and an external power supply 1430. The antenna 1410 is disposed on the outside of the chamber 1100. The antenna 1410 is provided in a spiral shape that is wound a plurality of times, and is connected to an external power supply 1430. The antenna 1410 receives power from an external power supply 1430. The antenna 1410 to which power is applied forms a discharge space in the inner space of the chamber 1100. The process gas remaining in the discharge space may be excited in a plasma state.

배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배기 배플(1500)은 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 챔버(1100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(1200)의 사이에 위치된다. 배기 배플(1500)에는 복수의 배기홀들(1502)이 형성된다. 배기홀들(1502)은 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 배기홀(1502)은 슬릿 형상을 가지며, 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다. The exhaust baffle 1500 uniformly exhausts the plasma for each area in the processing space 1106. The exhaust baffle 1500 has an annular ring shape. The exhaust baffle 1500 is located between the inner wall of the chamber 1100 and the substrate support unit 1200 in the processing space 1106. A plurality of exhaust holes 1502 are formed in the exhaust baffle 1500. The exhaust holes 1502 are provided to face the vertical direction. The exhaust holes 1502 are provided as holes extending from the top to the bottom of the exhaust baffle 1500. The exhaust holes 1502 are arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the exhaust baffle 1500. Each of the exhaust holes 1502 has a slit shape and has a longitudinal direction in a radial direction.

후처리 유닛(2000)은 가스 처리 장치에서 가스 처리된 기판(W)을 후처리한다. 후처리 유닛(2000)은 로드락 챔버(32,34)에 위치된다. 후처리 유닛(2000)은 로드락 챔버(32,34)와 일체로 제공될 수 있다. 도 3은 도 1의 로드락 챔버(32,34)를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 후처리 유닛(2000)은 하우징(2100), 지지 부재(2200), 압력 조절 부재(2400), 그리고 세정 부재(2300)를 포함한다. The post-processing unit 2000 post-processes the substrate W subjected to gas treatment by the gas processing apparatus. The post-treatment unit 2000 is located in the load lock chambers 32 and 34. The post-treatment unit 2000 may be provided integrally with the load lock chambers 32 and 34. 3 is a cross-sectional view showing the load lock chambers 32 and 34 of FIG. 1. Referring to FIG. 3, the post-treatment unit 2000 includes a housing 2100, a support member 2200, a pressure adjustment member 2400, and a cleaning member 2300.

하우징(2100)은 일측이 인덱스 모듈(10)과 마주하고, 이와 마주하는 타측이 공정 모듈(20)에 마주하게 위치된다. 하우징(2100)의 일측 및 타측 각각은 개폐 가능하도록 제공된다. 하우징(2100)의 내부는 기판(W)을 후처리하는 후처리 공간(2120)으로 제공될 수 있다.The housing 2100 is positioned so that one side faces the index module 10 and the other side faces the process module 20. Each of one side and the other side of the housing 2100 is provided to be openable and closed. The interior of the housing 2100 may be provided as a post-processing space 2120 for post-processing the substrate W.

지지 부재(2200)는 후처리 공간(2120)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 부재(2200)는 상하 방향으로 배열된 복수 개의 슬롯으로 제공될 수 있다. 지지 부재(2200)는 복수의 기판(W)들을 상하 방향으로 배열되도록 기판(W)들을 지지할 수 있다. 예컨대, 지지 부재(2200)는 기판(W)을 2단으로 적층되게 지지할 수 있다. 하단은 기판(W)을 공정 모듈(20)로 반송할 때 지지하고, 상단은 기판(W)을 공정 모듈(20)로부터 반출할 때 지지할 수 있다.The support member 2200 supports the substrate W in the post-processing space 2120. The support member 2200 may be provided as a plurality of slots arranged in the vertical direction. The support member 2200 may support the substrates W such that the plurality of substrates W are arranged in the vertical direction. For example, the support member 2200 may support the substrate W to be stacked in two layers. The lower end may support the substrate W when transporting it to the process module 20, and the upper end may support the substrate W when carrying it out of the process module 20.

선택적으로, 지지 부재(2200)는 1단으로 제공될 수 있다.Optionally, the support member 2200 may be provided in a single stage.

압력 조절 부재(2400)는 후처리 공간(2120)의 압력을 조절한다. 압력 조절 부재(2400)는 기판(W)을 공정 모듈(20)로 반송하거나 인덱스 모듈(10)로 반송할 때에, 후처리 공간(2120)을 진공 분위기 또는 상압 분위기로 조절한다. 또한 압력 조절 부재(2400)는 기판(W)에 대해 후처리 공정을 수행할 때에 후처리 공간(2120)의 압력을 상기 진공 분위기와 상기 상압 분위기의 사이 압력인 후처리 압력으로 조절할 수 있다. 일 예에 의하면, 후처리 압력은 기판(W)으로 토출되는 플라즈마가 기판(W)의 전체 영역에 동시 토출시키는 압력일 수 있다. 압력 조절 부재(2400)는 후처리 공간(2120)으로 에어를 공급하는 에어 공급 라인(2340)과 후처리 공간(2120)을 배기하는 배기 라인(2420)을 포함한다. 에어 공급 라인(2340)은 플라즈마 토치(2320) 및 후처리 공간(2120) 각각에 에어를 공급할 수 있다. 배기 라인(2420)에는 감압 부재(2440)가 설치되어 후처리 공간(2120)을 진공 분위기로 감압 가능하다.The pressure adjusting member 2400 adjusts the pressure in the post-processing space 2120. When transferring the substrate W to the process module 20 or the index module 10, the pressure adjusting member 2400 adjusts the post-processing space 2120 to a vacuum atmosphere or an atmospheric pressure atmosphere. In addition, when performing a post-treatment process on the substrate W, the pressure control member 2400 may adjust the pressure of the post-treatment space 2120 to a post-treatment pressure that is a pressure between the vacuum atmosphere and the atmospheric pressure. According to an example, the post-processing pressure may be a pressure at which plasma discharged to the substrate W is simultaneously discharged to the entire area of the substrate W. The pressure regulating member 2400 includes an air supply line 2340 for supplying air to the post-treatment space 2120 and an exhaust line 2420 for exhausting the post-treatment space 2120. The air supply line 2340 may supply air to each of the plasma torch 2320 and the post-processing space 2120. A decompression member 2440 is installed in the exhaust line 2420 to depressurize the post-processing space 2120 in a vacuum atmosphere.

세정 부재(2300)는 공정 모듈(20)에서 가스 처리된 기판(W)을 세정 처리한다. 세정 부재(2300)는 기판(W) 상에 잔류된 파티클을 세정 처리한다. 세정 부재(2300)는 후처리 공간(2120)에서 지지 부재(2200)의 상부에 위치된다. 세정 부재(2300)는 지지 부재(2200)에 지지된 기판(W)으로 플라즈마를 토출하는 플라즈마 토치(2320)를 포함한다. 플라즈마 토치(2320)는 토출단이 지지 부재(2200)에 지지된 기판(W)의 중심과 마주하도록 위치될 수 있다. 플라즈마 토치(2320)로부터 토출되는 플라즈마 토출 영역은 후처리 공간(2120)의 압력에 의해 조절될 수 있다. 도 4 및 도 5는 도 3의 챔버 내의 압력에 따른 세정 부재(2300)의 플라즈마 변화량 보여주는 도면들이다. 도 4를 참조하면, 플라즈마의 토출 영역과 후처리 공간(2120)의 압력은 반비례되도록 제공될 수 있다. 예컨대, 플라즈마 토치(2320)는 대기압에서 플라즈마를 형성할 수 있다. 플라즈마 토치(2320)는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 공정 가스는 에어 또는 황을 포함할 수 있다. 플라즈마 토치(2320)는 마이크로 웨이브에 의해 형성된 전기장으로 공정 가스를 공급하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이에 따라 플라즈마 토치(2320)에 의해 형성된 플라즈마는 기판(W) 상에 잔류 파티클 중 특정 파티클을 타겟으로 제거할 수 있다. 예컨대. 에어에 포함되는 산소 가스(O2)는 탄소(C)를 타켓으로 제거할 수 있다.The cleaning member 2300 cleans the substrate W subjected to the gas treatment in the process module 20. The cleaning member 2300 cleans particles remaining on the substrate W. The cleaning member 2300 is located above the support member 2200 in the post-processing space 2120. The cleaning member 2300 includes a plasma torch 2320 that discharges plasma to the substrate W supported by the support member 2200. The plasma torch 2320 may be positioned such that the discharge end faces the center of the substrate W supported by the support member 2200. The plasma discharge area discharged from the plasma torch 2320 may be controlled by the pressure of the post-processing space 2120. 4 and 5 are views showing a plasma change amount of the cleaning member 2300 according to the pressure in the chamber of FIG. 3. Referring to FIG. 4, the pressure of the plasma discharge area and the post-processing space 2120 may be provided in inverse proportion. For example, the plasma torch 2320 may form plasma at atmospheric pressure. The plasma torch 2320 may generate plasma from a process gas. Process gases may include air or sulfur. The plasma torch 2320 may generate plasma by supplying a process gas with an electric field formed by a microwave. Accordingly, the plasma formed by the plasma torch 2320 may remove specific particles among residual particles on the substrate W as a target. for example. Oxygen gas (O 2 ) contained in the air may remove carbon (C) as a target.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 기판(W)을 처리하는 과정은 공정 처리 단계 및 세정 처리 단계를 포함한다. 공정 처리 단계는 공정 모듈(20)의 가스 처리 장치 내에서 기판(W)을 가스 처리하는 단계이다. 공정 처리 단계에는 기판(W)을 플라즈마로 처리한다. 공정 처리 단계에는 메탄 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판(W)을 처리할 수 있다. 공정 처리 단계가 완료되면, 기판(W)은 로드락 챔버(32,34)로 이동되어 세정 처리 단계를 수행한다. Next, a process of processing the substrate W using the substrate processing apparatus described above will be described. The process of processing the substrate W includes a process treatment step and a cleaning treatment step. The process treatment step is a step of gas treatment of the substrate W in the gas treatment apparatus of the process module 20. In the process step, the substrate W is treated with plasma. In the process step, the substrate W may be treated by generating plasma from methane gas. When the process processing step is completed, the substrate W is moved to the load lock chambers 32 and 34 to perform a cleaning process step.

세정 처리 단계는 기판(W)의 후처리 공정을 수행한다. 세정 처리 단계에는 기판(W)을 로드락 챔버(32,34)로 반송한 상태에서 로드락 챔버(32,34)의 양측을 각각 밀폐한다. 하우징(2100)의 내부 공간은 후처리 압력으로 조절되며, 하우징(2100) 내에 위치된 기판(W) 상으로 플라즈마가 토출된다. 플라즈마는 기판(W)의 전체 영역으로 공급되어 잔류 파티클을 제거한다. 파티클 제거가 완료되면, 플라즈마의 토출은 종료되고, 인덱스 모듈(10)과 마주하는 하우징(2100)의 일측을 개방되고, 기판(W)은 로드락 챔버(32,34)로부터 반출된다. In the cleaning process, a post-processing process of the substrate W is performed. In the cleaning process, both sides of the load lock chambers 32 and 34 are sealed while the substrate W is transferred to the load lock chambers 32 and 34, respectively. The inner space of the housing 2100 is controlled by the post-processing pressure, and plasma is discharged onto the substrate W located in the housing 2100. Plasma is supplied to the entire area of the substrate W to remove residual particles. When particle removal is completed, plasma discharge is terminated, one side of the housing 2100 facing the index module 10 is opened, and the substrate W is carried out from the load lock chambers 32 and 34.

상술한 실시예에는 플라즈마 토치(2320)로부터 발생되는 플라즈마가 기판(W)의 전체 영역으로 동시 토출되는 것으로 설명하였다. 그러나 플라즈마는 기판(W)의 전체 영역보다 작게 제공되며, 플라즈마 토치(2320)는 플라즈마가 기판(W)의 전체 영역을 포함하는 이동 경로를 가지도록 이동될 수 있다. 플라즈마는 도 6과 같은 이동 경로를 가질 수 있다.In the above-described embodiment, it has been described that plasma generated from the plasma torch 2320 is simultaneously discharged to the entire area of the substrate W. However, the plasma is provided smaller than the entire area of the substrate W, and the plasma torch 2320 may be moved so that the plasma has a movement path including the entire area of the substrate W. The plasma may have a moving path as shown in FIG. 6.

또한 상술한 실시예에는 플라즈 토치가 로드락 챔버(32,34)에 위치되어 가스 처리된 기판(W)의 잔류 파티클을 제거하는 것으로 설명하였다. 그러나 플라즈마 토치(2320)는 인덱스 모듈(10)에서 기판(W)의 후처리 공정을 수행할 수 있다. 플라즈마 토치(2320)는 도 7과 같이, 정렬 유닛(150) 또는 버퍼 유닛(300)에 위치될 수 있다. 플라즈마 토치(2320)가 이송 프레임(140)에 위치되는 경우, 플라즈마 토치(2320)는 정렬 유닛(150)에 위치될 수 있다. 플라즈마 토치(2320)의 위치는 압력 조절이 어려운 공간이다. 이로 인해 플라즈마 토치(2320)가 후처리 공정이 위치되는 경우에는 이동 부재(2600)를 통해 플라즈마의 토출 영역을 이동시켜 기판(W)의 후처리 공정을 진행하는 것이 바람직한다. 예컨대, 이동 부재(260)는 플라즈마 토치(2320)를 기판(W)과 평행한 방향으로 상대 이동시킬 수 있다.Also, in the above-described embodiment, it has been described that the plasma torch is positioned in the load lock chambers 32 and 34 to remove residual particles of the gas-treated substrate W. However, the plasma torch 2320 may perform a post-processing of the substrate W in the index module 10. The plasma torch 2320 may be located in the alignment unit 150 or the buffer unit 300 as shown in FIG. 7. When the plasma torch 2320 is located on the transfer frame 140, the plasma torch 2320 may be located on the alignment unit 150. The location of the plasma torch 2320 is a space where pressure control is difficult. For this reason, if the plasma torch 2320 is located in the post-treatment process It is preferable to perform the post-treatment process of the substrate W by moving the plasma discharge region through the moving member 2600. For example, the moving member 260 may relatively move the plasma torch 2320 in a direction parallel to the substrate W.

본 발명의 실시예에서 플라즈마 토치(2320)는 대기압에서 플라즈마 토출이 가능하다. 이로 인해 가스 처리된 기판(W)을 로드락 챔버(32,34) 또는 인덱스 모듈(10)과 같이 대기압을 포함하는 분위기에서 기판(W)의 후처리 공정을 수행 가능하다. In an embodiment of the present invention, the plasma torch 2320 can discharge plasma at atmospheric pressure. Accordingly, the gas-treated substrate W can be subjected to a post-treatment process of the substrate W in an atmosphere including atmospheric pressure such as the load lock chambers 32 and 34 or the index module 10.

또한 본 발명의 실시예에는 플라즈마 처리된 기판(W)을 플라즈마로 후처리한다. 이로 인해 잔류 파티클의 제거율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention, the plasma-treated substrate W is post-treated with plasma. This can improve the removal rate of residual particles.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

2000: 후처리 유닛 2100: 하우징
2200: 지지 부재 2300: 세정 부재
2400: 압력 조절 부재2000: post treatment unit 2100: housing
2200: support member 2300: cleaning member
2400: pressure regulating member

Claims (12)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판이 수용된 용기가 놓이는 로드포트 및 상기 로드포트에 놓인 상기 용기에서 기판을 반송하는 이송 프레임을 가지는 인덱스 모듈과;
기판을 공정 처리하는 공정 챔버 및 상기 기판을 상기 공정 챔버로 반송하는 반송 챔버를 가지는 공정 모듈과;
상기 인덱스 모듈과 상기 공정 모듈 사이에 배치되며, 상기 인덱스 모듈과 상기 공정 모듈 간에 반송되는 상기 기판이 놓이는 로드락 챔버와;
상기 공정 모듈에서 공정 처리된 기판을 후처리하는 후처리 유닛을 포함하되,
상기 후처리 유닛은,
상기 기판에 잔류된 파티클을 세정하는 세정 부재를 포함하되,
상기 세정 부재는 상기 기판으로 플라즈마를 토출하는 플라즈마 토치를 가지는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
An index module having a load port on which a container containing a substrate is placed, and a transfer frame for transferring a substrate from the container placed on the load port;
A process module having a process chamber for processing a substrate and a transfer chamber for transferring the substrate to the process chamber;
A load lock chamber disposed between the index module and the process module and in which the substrate transferred between the index module and the process module is placed;
Including a post-treatment unit for post-processing the substrate processed in the process module,
The post-treatment unit,
Including a cleaning member for cleaning particles remaining on the substrate,
The cleaning member has a plasma torch for discharging plasma to the substrate. 제1항에 있어서,
상기 후처리 유닛은 상기 로드락 챔버에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The post-processing unit is a substrate processing apparatus located in the load lock chamber. 제1항에 있어서,
상기 후처리 유닛은 상기 인덱스 모듈에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The post-processing unit is a substrate processing apparatus located in the index module. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 후처리 유닛은
하우징과;
상기 하우징 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와;
상기 플라즈마 토치를 상기 기판과 평행한 방향으로 상대 이동시키는 이동 부재를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The post-treatment unit
A housing;
A support member for supporting the substrate in the housing;
A substrate processing apparatus comprising a moving member for relatively moving the plasma torch in a direction parallel to the substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 후처리 유닛은,
상기 하우징의 내부 압력을 조절하여 상기 플라즈마 토치로부터 토출되는 플라즈마의 토출 영역을 조절하는 압력 조절 부재를 더 포함하되,
상기 압력 조절 부재는 상기 플라즈마가 상기 기판의 전체 영역에 동시 토출되도록 상기 내부 압력을 조절하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The post-treatment unit,
Further comprising a pressure control member for adjusting the discharge area of the plasma discharged from the plasma torch by adjusting the internal pressure of the housing,
The pressure control member adjusts the internal pressure so that the plasma is simultaneously discharged to the entire area of the substrate. 제5항에 있어서,
상기 압력 조절 부재는 상기 내부 압력을 상압보다 낮은 압력으로 조절하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The pressure control member controls the internal pressure to a pressure lower than normal pressure. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플라즈마를 생성하는 가스는 에어를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The gas that generates the plasma includes air. 제7항에 있어서,
상기 플라즈마를 생성하는 가스는 황을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
The gas generating the plasma contains sulfur. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판을 진공 분위기의 처리 공간에서 공정 처리하는 공정 처리 단계와;
공정 처리된 상기 기판을 상기 처리 공간으로부터 반출하여 상기 기판을 세정 처리하는 세정 처리 단계를 포함하되,
상기 세정 처리 단계에서 상기 기판은 플라즈마 토치로부터 토출된 플라즈마에 의해 세정되는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
A process processing step of processing the substrate in a processing space in a vacuum atmosphere;
A cleaning treatment step of removing the processed substrate from the processing space and cleaning the substrate,
In the cleaning process step, the substrate is cleaned by plasma discharged from a plasma torch. 제9항에 있어서,
상기 공정 처리 단계에서 처리되어 반출된 상기 기판의 표면에는 탄소가 함유되고,
상기 플라즈마를 생성하는 가스는 에어를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 9,
Carbon is contained in the surface of the substrate processed and taken out in the process treatment step,
A method of processing a substrate, wherein the gas generating the plasma includes air. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 세정 처리 단계에는 상기 플라즈마 토치를 상기 기판에 대해 상대 이동시키면서 상기 플라즈마를 상기 기판의 전체 영역에 공급하는 기판 처리 방법.The method of claim 9 or 10,
In the cleaning step, the plasma is supplied to the entire area of the substrate while the plasma torch is moved relative to the substrate. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 세정 처리 단계에는 상기 플라즈마가 상기 기판의 전체 영역에 동시 토출되도록 상기 세정 처리가 이루어지는 공간을 상압보다 낮은 압력으로 조절하는 기판 처리 방법.



The method of claim 9 or 10,
In the cleaning process, the space in which the cleaning process is performed is adjusted to a pressure lower than normal pressure so that the plasma is simultaneously discharged to the entire area of the substrate.
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