KR101982832B1 - Buffer unit and Apparatus for treating a substrate with the unit - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 일시적으로 보관하는 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공한다. 원형의 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛은 내부에 버퍼 공간을 가지며 기판이 출입되는 출입구가 형성된 하우징, 상기 버퍼 공간에 제공되며, 기판을 상하 방향으로 적층되게 지지하는 기판 지지 부재, 그리고 상기 버퍼 공간에 상기 상하 방향을 중심축으로 하는 회전 기류가 형성되도록 가스를 분사하는 가스 토출 부재를 가지는 분위기 형성 유닛을 포함한다. 이로 인해 버퍼 공간에는 회전 기류가 형성되며, 버퍼 공간에 위치된 기판들은 회전 기류에 의해 전체 표면에 세정 및 건조 처리될 수 있다. An embodiment of the present invention provides a buffer unit for temporarily storing a substrate and a substrate processing apparatus having the buffer unit. A buffer unit for temporarily holding a circular substrate includes a housing having a buffer space therein and having an entrance through which a substrate is inserted and removed, a substrate supporting member provided in the buffer space, for supporting the substrate in a stacked manner in a vertical direction, And an atmosphere forming unit having a gas discharging member for spraying gas so as to form a rotating air stream having the vertical axis as a central axis. This creates a rotating airflow in the buffer space, and substrates placed in the buffer space can be cleaned and dried on the entire surface by a rotating air stream.

Description

버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Buffer unit and Apparatus for treating a substrate with the unit}[0001] The present invention relates to a buffer unit and a substrate processing apparatus having the buffer unit.

본 발명은 기판을 일시적으로 보관하는 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a buffer unit for temporarily storing a substrate and a substrate processing apparatus having the buffer unit.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 패턴을 형성하기 위해 사진 공정, 식각 공정, 애싱 공정, 이온주입 공정, 그리고 박막 증착 공정 등의 다양한 공정들을 수행한다. 이러한 공정들 중 식각 공정, 이온 주입 공정, 그리고 박막 증착 공정은 진공 분위기에서 기판을 처리한다. 진공 분위기에서 대기 분위기로 이동된 기판은 산소에 노출되면서 기판에는 파티클 및 퓸(Fume)이 형성된다. 따라서 기판 처리 공정 후에 기판 상에 잔류되는 파티클 및 퓸을 제거하기 위해 기판은 버퍼 유닛에 보관되고, 버퍼 유닛 내로 퍼지 가스를 공급한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as a photolithography process, an etching process, an ashing process, an ion implantation process, and a thin film deposition process are performed to form a pattern on a substrate. Among these processes, the etching process, the ion implantation process, and the thin film deposition process treat the substrate in a vacuum atmosphere. Particles and fumes are formed on the substrate while being exposed to oxygen in a vacuum atmosphere. Thus, in order to remove particles and fumes remaining on the substrate after the substrate processing step, the substrate is stored in a buffer unit and supplies a purge gas into the buffer unit.

도 1은 일반적은 버퍼 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면. 기판의 일측에는 퍼지 가스를 토출하는 노즐들이 위치된다. 그러나 도 1의 버퍼 유닛에서 퍼지 가스는 기판의 전체 영역으로 고르게 공급되지 못하고 기판의 일부 영역(A)에만 공급된다. 이로 인해 퍼지 가스가 공급되지 못하는 기판 상의 영역은 데드존(B, Dead zone)으로 남게 되며, 이 영역에서 공정 불량을 야기한다.1 is a plan view showing a general buffer unit; Referring to FIG. At one side of the substrate, nozzles for discharging purge gas are located. However, in the buffer unit of Fig. 1, the purge gas is not evenly supplied to the entire region of the substrate, but is supplied only to a partial region A of the substrate. As a result, the region on the substrate where purge gas can not be supplied remains as a dead zone (B), which causes a process failure in this region.

본 발명은 기판의 일부 영역에 퍼지 가스가 공급되지 않아 공정 부산물이 잔류되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an apparatus capable of preventing a process by-product from being left behind due to no purge gas being supplied to a part of a substrate.

또한 본 발명은 복수 매의 기판들 각각의 전체 영역에 퍼지 가스를 균일하게 공급할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a device capable of uniformly supplying purge gas to the entire area of each of a plurality of substrates.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예는 기판을 일시적으로 보관하는 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치를 제공한다. 원형의 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛은 내부에 버퍼 공간을 가지며 기판이 출입되는 출입구가 형성된 하우징, 상기 버퍼 공간에 제공되며, 기판을 상하 방향으로 적층되게 지지하는 기판 지지 부재, 그리고 상기 버퍼 공간에 상기 상하 방향을 중심축으로 하는 회전 기류가 형성되도록 가스를 분사하는 가스 토출 부재를 가지는 분위기 형성 유닛을 포함한다. An embodiment of the present invention provides a buffer unit for temporarily storing a substrate and a substrate processing apparatus having the buffer unit. A buffer unit for temporarily holding a circular substrate includes a housing having a buffer space therein and having an entrance through which a substrate is inserted and removed, a substrate supporting member provided in the buffer space, for supporting the substrate in a stacked manner in a vertical direction, And an atmosphere forming unit having a gas discharging member for spraying gas so as to form a rotating air stream having the vertical axis as a central axis.

상기 가스 토출 부재는 기판의 외측에 배치되며, 호 형상을 가지는 가이드 프레임 및 상기 가이드 프레임의 둘레를 따라 설치되며, 가스가 토출되는 토출구를 가지는 복수 개의 가스 노즐들을 포함하되 상기 토출구에서 토출되는 가스의 토출 방향과 기판의 접선 방향의 사이 각도는 45 도보다 작을 수 있다. The gas discharge member is disposed on the outside of the substrate and includes a guide frame having a arc shape and a plurality of gas nozzles provided along the periphery of the guide frame and having a discharge port through which gas is discharged, The angle between the discharge direction and the tangential direction of the substrate may be less than 45 degrees.

상기 가스 토출 부재는 상하 방향으로 복수 개가 제공되고, 상기 가스 토출 부재들은 상기 하우징의 천장면에 인접하게 위치되는 상부 그룹과 상기 하우징의 바닥면에 인접하게 위치되는 하부 그룹을 포함하며, 상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹은 가스의 토출 유량이 서로 상이하게 제공 가능할 수 있다. 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 배기 부재를 더 포함하되, 상기 배기 부재는 상기 하우징의 천장면 또는 바닥면에 설치되는 배기 포트 및 상기 배기 포트를 감압하는 감압 부재를 포함하고, 상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹 중 상기 배기 포트에 더 가깝게 위치되는 그룹의 토출 유량이 더 멀게 위치되는 그룹의 토출 유량보다 더 크게 제공 가능할 수 있다. Wherein a plurality of the gas discharge members are provided in the vertical direction and the gas discharge members include an upper group positioned adjacent to the ceiling surface of the housing and a lower group positioned adjacent to the bottom surface of the housing, And the lower group can be provided so that the gas discharge flow rates are different from each other. Wherein the exhaust member includes an exhaust port provided on a ceiling surface or a bottom surface of the housing and a pressure-reducing member that reduces the pressure of the exhaust port, The discharge flow rate of the group positioned closer to the exhaust port among the subgroups may be larger than the discharge flow rate of the group located farther away.

상기 분위기 형성 유닛은 상기 상부 그룹에 퍼지 가스를 공급하며, 상부 밸브가 설치되는 상부 공급 라인 및 상기 하부 그룹에 퍼지 가스를 공급하며, 하부 밸브가 설치되는 하부 공급 라인을 포함하되, 상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹 중 상기 배기 포트에 더 가깝게 위치되는 그룹에 공급되는 퍼지 가스의 공급 유량이 더 멀게 위치되는 그룹에 공급되는 퍼지 가스의 공급 유량보다 더 크게 제공 가능할 수 있다. Wherein the atmosphere forming unit comprises a lower supply line for supplying purge gas to the upper group and supplying purge gas to an upper supply line and an upper supply line where the upper valve is installed and a lower valve, The supply flow rate of the purge gas supplied to the group positioned closer to the exhaust port of the lower group may be larger than the supply flow rate of the purge gas supplied to the group located farther away.

상기 상부 그룹의 토출 부재들의 가스 노즐들과 상기 하부 그룹의 토출 부재들의 가스 노즐들은 토출구의 크기가 서로 상이하게 제공되고, 상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹 중 상기 배기 포트에 더 가깝게 위치되는 그룹의 토출구의 크기가 더 멀게 위치되는 그룹의 토출구의 크기보다 더 크게 제공될 수 있다. The gas nozzles of the discharge members of the upper group and the gas nozzles of the discharge members of the lower group are provided so as to be different in size from one another and the discharge ports of the group positioned closer to the exhaust port among the upper group and the lower group May be provided larger than the size of the discharge port of the group located farther away.

상기 상부 그룹은 상기 버퍼 공간의 상부 영역에 위치되고, 상기 하부 그룹은 상기 버퍼 공간의 하부 영역에 위치되며, 상기 상부 영역과 상기 하부 영역 중 상기 배기 포트에 더 가까운 영역에는 더 먼 영역에 비해 빠른 속도의 회전 기류가 형성될 수 있다. Wherein the upper group is located in an upper region of the buffer space, the lower group is located in a lower region of the buffer space, and the region closer to the exhaust port than the upper region and the lower region is faster A rotating air current of a speed can be formed.

상기 가스 토출 부재는 상하 방향으로 복수 개로 제공되고, 상기 가스 토출 부재들은 상기 하우징의 천장면에 인접하게 위치되는 상부 그룹과 상기 하우징의 바닥면에 인접하게 위치되는 하부 그룹을 포함하며, 상부에서 바라볼 때 상기 상부 그룹의 토출구들과 상기 하부 그룹의 토출구들 중 어느 하나는 상기 사이 각도에 대해 정방향을 향하도록 제공되고, 다른 하나는 상기 사이 각도에 대해 역방향을 향하도록 제공될 수 있다. 상기 버퍼 유닛은 상기 바닥면에 설치되며, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 배기 부재를 더 포함하고, 상기 분위기 형성 유닛은 상기 천장면에 설치되며, 상기 버퍼 공간에 하강 기류를 공급하는 팬 필터 유닛 및 상기 가스 토출 부재로부터 토출되는 퍼지 가스를 가열하는 히터를 더 포함할 수 있다. 상기 상부 그룹의 회전 기류와 상기 팬 필터 유닛의 하강 기류는 서로 충돌하여 상기 하우징의 출입구를 통해 배기될 수 있다. Wherein the gas discharge members are provided in a plurality of up and down directions and the gas discharge members include an upper group positioned adjacent to the ceiling surface of the housing and a lower group positioned adjacent to the bottom surface of the housing, One of the ejection openings of the upper group and the ejection openings of the lower group may be provided so as to face in the positive direction with respect to the inter-angle, and the other may be provided to face the opposite angle with respect to the inter-angle. Wherein the buffer unit further includes an exhaust member installed on the bottom surface to exhaust an atmosphere of the buffer space, wherein the atmosphere forming unit includes a fan filter unit installed in the ceiling surface and supplying a downward flow to the buffer space, And a heater for heating the purge gas discharged from the gas discharge member. The rotating airflow of the upper group and the downflow airflow of the fan filter unit collide with each other and can be exhausted through the entrance of the housing.

상기 사이 각도는 기판의 접선 방향의 내측으로 10도 방향과 내측으로 20도 방향의 사이각을 포함할 수 있다. The inter-angle may include an angle of 10 degrees inward with respect to the tangential direction of the substrate and an angle of 20 degrees with respect to the inward direction.

상기 가스 토출 부재는 상기 가이드 프레임에 상기 가스 노즐을 회전 가능하게 결합하는 구동부를 더 포함하고, 상기 구동부는 수직축을 중심으로 가스 노즐을 회전시킬 수 있다. 상기 가스 토출 부재는 상하 방향으로 복수 개로 제공되고, 상기 가스 토출 부재들은 상기 하우징의 천장면에 인접하게 위치되는 상부 그룹과 상기 하우징의 바닥면에 인접하게 위치되는 하부 그룹을 포함하며, 상기 상부 그룹의 구동부와 상기 하부 그룹의 구동부는 서로 다른 방향으로 상기 가스 노즐을 회전시켜, 상부에서 바라볼 때 상기 상부 그룹의 토출구들과 상기 하부 그룹의 토출구들 중 어느 하나는 상기 사이 각도에 대해 정방향을 향하도록 제공되고, 다른 하나는 상기 사이 각도에 대해 역방향을 향하도록 제공할 수 있다. The gas discharge member may further include a driving unit rotatably coupling the gas nozzle to the guide frame, and the driving unit may rotate the gas nozzle around a vertical axis. Wherein the gas discharge members are provided in plural in the vertical direction and the gas discharge members include an upper group positioned adjacent to the ceiling surface of the housing and a lower group positioned adjacent to the bottom surface of the housing, The driving part of the lower group and the driving part of the lower group rotate the gas nozzle in different directions so that when viewed from the upper part, one of the ejection openings of the upper group and the ejection openings of the lower group moves in the positive direction And the other one may be provided so as to face the opposite angle with respect to the inter-angle.

또한 기판 처리 장치는 인덱스 모듈 및 기판을 처리하는 공정 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은 기판을 수용하는 용기가 놓여지는 로드 포트, 상기 로드 포트 및 상기 기판 처리 모듈 사이에 배치되는 이송 프레임, 그리고 상기 이송 프레임의 일측에 배치되며, 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛을 포함하되, 상기 버퍼 유닛은 상술한 유닛으로 제공된다.The substrate processing apparatus also includes an index module and a process module for processing the substrate, wherein the index module includes a load port on which a container accommodating the substrate is placed, a transfer frame disposed between the load port and the substrate processing module, And a buffer unit disposed at one side of the transfer frame for temporarily storing the substrate, wherein the buffer unit is provided in the unit described above.

본 발명의 실시예에 의하면, 버퍼 공간에는 회전 기류가 형성되며, 버퍼 공간에 위치된 기판들은 회전 기류에 의해 전체 표면에 세정 및 건조 처리될 수 있다. According to the embodiment of the present invention, a rotating air flow is formed in the buffer space, and the substrates placed in the buffer space can be cleaned and dried on the entire surface by the rotating air current.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 버퍼 공간에서 회전 기류의 유속을 영역 별로 조절하여 분위기 배기를 신속히 진행할 수 있다.Also, according to the embodiment of the present invention, the flow rate of the rotating airflow in the buffer space can be adjusted for each region, and the atmosphere can be rapidly discharged.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 버퍼 공간에서 가스의 토출 방향을 영역 별로 달리하여 분위기 배기를 신속히 진행할 수 있다.Also, according to the embodiment of the present invention, the discharge direction of the gas in the buffer space can be changed according to the region, and the atmosphere can be rapidly discharged.

도 1은 일반적인 버퍼 유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 공정 유닛의 단면도이다.
도 4는 도 2의 버퍼 유닛의 평면도이다.
도 5는 도 4의 선 A-A를 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 5의 가스 토출 부재의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 5의 버퍼 공간에 발생된 회전 기류의 방향을 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 6의 가스 토출 부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 6의 가스 토출 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a plan view schematically showing a structure of a general buffer unit.
2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view of the process unit of Figure 2;
4 is a plan view of the buffer unit of Fig.
5 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
Fig. 6 is a perspective view showing an example of the gas discharge member of Fig. 5;
FIG. 7 is a perspective view showing a direction of a rotating airflow generated in the buffer space of FIG. 5. FIG.
8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the gas discharge member of FIG.
Fig. 9 is a cross-sectional view showing another embodiment of the gas discharge member of Fig. 6; Fig.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가스를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다. In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited to this and is applicable to various kinds of apparatuses for processing substrates using gas.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.2 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 버퍼 유닛(2000)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2, the substrate processing facility 1 has an index module 10, a loading module 30, and a process module 20, and the index module 10 includes a load port 120, a transfer frame 140 ), And a buffer unit 2000. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. A direction in which the load port 120, the transfer frame 140, the loading module 30, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, A direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. The direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 복수 개의 기판들(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 3 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 따라 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The load port 120 has a carrier 18 on which a plurality of substrates W are housed. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 2, three load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided along the third direction 16 and the substrates are positioned within the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18), 버퍼 유닛(2000), 그리고 로딩 모듈(30) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 carries the substrate W between the carrier 18 seated on the load port 120, the buffer unit 2000, and the loading module 30. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ Can be used. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

버퍼 유닛(2000)은 기판(W)을 임시 보관한다. 버퍼 유닛(2000)에서 기판(W) 상에 잔류되는 공정 부산물은 제거된다. 버퍼 유닛(2000)에서 공정 부산물의 제거는 버퍼 유닛(2000) 내로 퍼지 가스를 공급함으로써 이루어진다. 버퍼 유닛(2000)은 복수 개로 제공될 수 있다. 예컨대, 버퍼 유닛(2000)은 2개가 제공될 수 있다. 2개의 버퍼 유닛(2000)은 이송 프레임(140)의 양측에 각각 제공되어, 이송 프레임(140)을 사이에 두고 서로 대향되게 위치될 수 있다. 선택적으로 버퍼 유닛(2000)은 이송 프레임(140)의 일측에 1개만 제공될 수 있다.The buffer unit 2000 temporarily stores the substrate W. Processing by-products remaining on the substrate W in the buffer unit 2000 are removed. Removal of process by-products in the buffer unit 2000 is achieved by supplying purge gas into the buffer unit 2000. A plurality of buffer units 2000 may be provided. For example, two buffer units 2000 may be provided. Two buffer units 2000 are provided on both sides of the transfer frame 140, respectively, and can be positioned opposite to each other with the transfer frame 140 interposed therebetween. Alternatively, only one buffer unit 2000 may be provided on one side of the transfer frame 140.

로딩 모듈(30)은 이송 프레임(140)과 반송 챔버(242) 사이에 배치된다. 로딩 모듈(30)은 반송 챔버(242)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 로딩 모듈(30)은 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)를 포함한다. 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)는 각각 그 내부가 진공 분위기와 상압 분위기 간에 전환 가능하도록 제공된다.The loading module 30 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 242. The loading module 30 provides a space for the substrate W to stay before the substrate W is transferred between the transfer chamber 242 and the transfer frame 140. [ The loading module 30 includes a load lock chamber 32 and an unload lock chamber 34. The load lock chamber 32 and the unload lock chamber 34 are each provided so that the inside thereof can be switched between a vacuum atmosphere and an atmospheric pressure atmosphere.

로드락 챔버(32)는 인덱스 모듈(10)에서 공정 모듈(20)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 로드락 챔버(32)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 로드락 챔버(32)의 내부 공간을 상압 분위기에서 진공 분위기로 전환하고, 인덱스 모듈(10)에 대해 밀폐가 유지된 상태에서 공정 모듈(20)에 대해 개방된다.The load lock chamber 32 temporarily holds the substrate W transferred from the index module 10 to the process module 20. [ When the substrate W is carried into the load lock chamber 32, the internal space is sealed to the index module 10 and the process module 20, respectively. Thereafter, the internal space of the load lock chamber 32 is switched from the atmospheric pressure atmosphere to the vacuum atmosphere, and is opened to the process module 20 in a state in which the seal is maintained with respect to the index module 10.

언로드락 챔버(34)는 공정 모듈(20)에서 인덱스 모듈(10)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 언로드락 챔버(34)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 언로드락 챔버(34)의 내부 공간을 진공 분위기에서 상압 분위기로 전환하고, 공정 모듈(20)에 대해 밀폐가 유지된 상태에서 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된다.The unload lock chamber 34 temporarily holds the substrate W conveyed from the processing module 20 to the index module 10. When the substrate W is carried into the unloading lock chamber 34, the inner space is sealed to the index module 10 and the process module 20, respectively. Thereafter, the inner space of the unloading lock chamber 34 is switched to the atmospheric pressure atmosphere in a vacuum atmosphere, and is opened to the index module 10 in a state in which the sealing is maintained with respect to the process module 20.

공정 모듈(20)은 반송 챔버(242) 및 복수 개의 공정 챔버들을 포함한다. Process module 20 includes a transfer chamber 242 and a plurality of process chambers.

반송 챔버(242)는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 챔버(242)는 상부에서 바라볼 때 육각의 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 반송 챔버(242)는 직사각 또는 오각의 형상으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(242)의 둘레에는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260)이 위치된다. 반송 챔버(242) 내에 반송 로봇(250)이 제공된다. 반송 로봇(250)은 반송 챔버(242)의 중앙부에 위치될 수 있다. 반송 로봇(250)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전이 가능한 복수 개의 핸드들(252)을 가질 수 있다. 각 핸드(252)는 독립 구동이 가능하며, 기판(W)은 핸드(252)에 수평 상태로 안착될 수 있다. The transfer chamber 242 carries the substrate W between the load lock chamber 32, the unload lock chamber 34, and the plurality of process chambers 260. The transfer chamber 242 may be provided in a hexagonal shape when viewed from above. Optionally, the delivery chamber 242 may be provided in a rectangular or angled configuration. Around the transfer chamber 242, a load lock chamber 32, an unload lock chamber 34, and a plurality of process chambers 260 are located. A conveying robot 250 is provided in the conveying chamber 242. The transfer robot 250 may be located at the center of the transfer chamber 242. The carrying robot 250 can move in the horizontal and vertical directions, and can have a plurality of hands 252 that can move forward, backward, or rotate on the horizontal plane. Each hand 252 can be independently driven and the substrate W can be placed horizontally on the hand 252. [

아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 가스 처리 장치(1000)에 대해 설명한다. 가스 처리 장치는 기판(W)을 식각 처리한다.The gas treatment apparatus 1000 provided in the process chamber 260 will be described below. The gas processing apparatus etches the substrate W.

도 3은 도 2의 가스 처리 장치를 일 예를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 가스 처리 장치(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 분위기 형성 유닛(1300), 플라즈마 소스(1400), 그리고 배기 배플(1500)을 포함한다.Fig. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of the gas processing apparatus of Fig. 2; 3, the gas processing apparatus 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1200, an atmosphere forming unit 1300, a plasma source 1400, and an exhaust baffle 1500.

챔버(1100)는 기판(W)이 처리되는 처리 공간(1106)을 가진다. 챔버(1100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(1100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(1100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(1100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구는 도어(1120)에 의해 개폐된다. 챔버(1100)의 바닥면에는 하부홀(1150)이 형성된다. 하부홀(1150)에는 감압 부재(미도시)가 연결된다. 챔버(1100)의 처리 공간(1106)은 감압 부재에 의해 배기 가능하며, 공정 진행시 감압 분위기로 유지될 수 있다.The chamber 1100 has a processing space 1106 in which the substrate W is processed. The chamber 1100 is provided in a circular cylindrical shape. The chamber 1100 is made of a metal material. For example, the chamber 1100 may be made of aluminum. An opening is formed in one side wall of the chamber 1100. The opening serves as an inlet through which the substrate W is carried in and out. The opening is opened and closed by the door 1120. A bottom hole 1150 is formed in the bottom surface of the chamber 1100. A pressure reducing member (not shown) is connected to the lower hole 1150. The processing space 1106 of the chamber 1100 is evacuable by a pressure-reducing member and can be maintained in a reduced-pressure atmosphere in the course of the process.

기판 지지 유닛(1200)은 처리 공간(1106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(1200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(1200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 1200 supports the substrate W in the processing space 1106. The substrate supporting unit 1200 may be provided with an electrostatic chuck 1200 that supports the substrate W using an electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 1200 can support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping.

정전척(1200)은 유전판(1210), 베이스(1230), 그리고 포커스링(1250)을 포함한다. 유전판(1210)은 유전체 재질로 제공될 수 있다. 유전판(1210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(1210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(1210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(1210)의 내부에는 척킹용 전극(1212)이 설치된다. 척킹용 전극(1212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력이 인가되며, 기판(W)은 정전기력에 의해 유전판(1210)에 흡착된다. 유전판(1210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(1214)가 설치된다. 히터(1214)는 척킹용 전극(1212)의 아래에 위치된다. 히터(1214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 1200 includes a dielectric plate 1210, a base 1230, and a focus ring 1250. The dielectric plate 1210 may be provided as a dielectric material. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 1210. The dielectric plate 1210 is provided in a disc shape. The dielectric plate 1210 may have a smaller radius than the substrate W. [ A chucking electrode 1212 is provided inside the dielectric plate 1210. A power source (not shown) is connected to the chucking electrode 1212, power is applied from a power source (not shown), and the substrate W is attracted to the dielectric plate 1210 by an electrostatic force. Inside the dielectric plate 1210, a heater 1214 for heating the substrate W is provided. The heater 1214 is positioned under the electrode 1212 for chucking. The heater 1214 may be provided as a helical coil.

베이스(1230)는 유전판(1210)을 지지한다. 베이스(1230)는 유전판(1210)의 아래에 위치되며, 유전판(1210)과 고정결합된다. 베이스(1230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(1230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(1210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(1230)의 내부에는 냉각 유로(1232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(1232)는 베이스(1230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(1234)과 연결된다. 고주파 전원(1234)은 베이스(1230)에 전력을 인가한다. 베이스(1230)에 인가된 전력은 챔버(1100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(1230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(1230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base 1230 supports the dielectric plate 1210. The base 1230 is positioned below the dielectric plate 1210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 1210. The upper surface of the base 1230 has a stepped shape such that its central area is higher than the edge area. The base 1230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 1210 in the central region of its upper surface. A cooling passage 1232 is formed in the base 1230. The cooling channel 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling channel 1232 may be provided in a spiral shape inside the base 1230. [ And is connected to a high frequency power source 1234 located outside the base. The high frequency power supply 1234 applies power to the base 1230. The power applied to the base 1230 guides the plasma generated within the chamber 1100 to be moved toward the base 1230. The base 1230 may be made of a metal material.

포커스링(1250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(1250)은 내측링(1252) 및 외측링(1254)을 포함한다. 내측링(1252)은 유전판(1210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(1252)을 베이스(1230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(1252)의 상면은 유전판(1210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(1252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(1252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(1254)은 내측링(1252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(1254)은 베이스(1230)의 가장자리영역에서 내측링(1252)과 인접하게 위치된다. 외측링(1254)은 내측링(1252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(1254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 1250 focuses the plasma onto the substrate W. [ The focus ring 1250 includes an inner ring 1252 and an outer ring 1254. The inner ring 1252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 1210. The inner ring 1252 is located in the edge region of the base 1230. The upper surface of the inner ring 1252 is provided so as to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 1210. The upper surface inner side portion of the inner ring 1252 supports the bottom edge region of the substrate W. [ For example, the inner ring 1252 may be provided with a conductive material. The outer ring 1254 is provided in the form of an annular ring surrounding the inner ring 1252. The outer ring 1254 is positioned adjacent to the inner ring 1252 in the edge region of the base 1230. The outer ring 1254 has its upper end relative to the inner ring 1252. The outer ring 1254 may be provided with an insulating material.

분위기 형성 유닛(1300)은 기판 지지 유닛(1200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 분위기 형성 유닛(1300)은 가스 저장부(1350), 가스 공급 라인(1330), 그리고 가스 유입 포트(1310)를 포함한다. 가스 공급 라인(1330)은 가스 저장부(1350) 및 가스 유입 포트(1310)를 연결한다. 가스 저장부(1350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(1330)을 통해 가스 유입 포트(1310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(1310)는 기판 지지 유닛(1200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(1330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.The atmosphere forming unit 1300 supplies the process gas onto the substrate W supported by the substrate holding unit 1200. [ The atmosphere forming unit 1300 includes a gas reservoir 1350, a gas supply line 1330, and a gas inlet port 1310. The gas supply line 1330 connects the gas reservoir 1350 and the gas inlet port 1310. The process gas stored in the gas reservoir 1350 is supplied to the gas inlet port 1310 through the gas supply line 1330. The gas inlet port 1310 is installed in the upper wall of the chamber 1100. The gas inlet port 1310 is positioned opposite to the substrate supporting unit 1200. According to one example, the gas inlet port 1310 may be installed at the center of the upper wall of the chamber 1100. A valve is provided in the gas supply line 1330 to open or close the internal passage, or to control the flow rate of the gas flowing in the internal passage. For example, the process gas may be an etch gas.

플라즈마 소스(1400)는 챔버(1100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(1400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(1400)는 안테나(1410) 및 외부 전원(1430)을 포함한다. 안테나(1410)는 챔버(1100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(1410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부 전원(1430)과 연결된다. 안테나(1410)는 외부 전원(1430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(1410)는 챔버(1100)의 내부 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.Plasma source 1400 excites the process gas into a plasma state within chamber 1100. As the plasma source 1400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 1400 includes an antenna 1410 and an external power source 1430. An antenna 1410 is disposed on the outer upper side of the chamber 1100. Antenna 1410 is provided in a spiral shape with a plurality of turns and is connected to an external power source 1430. The antenna 1410 receives power from the external power supply 1430. An antenna 1410 to which electric power is applied forms a discharge space in an inner space of the chamber 1100. The process gas staying in the discharge space can be excited into a plasma state.

배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배기 배플(1500)은 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 챔버(1100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(1200)의 사이에 위치된다. 배기 배플(1500)에는 복수의 배기홀들(1502)이 형성된다. 배기홀들(1502)은 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 배기홀(1502)은 슬릿 형상을 가지며, 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다. The exhaust baffle 1500 uniformly evacuates the plasma in the processing space 1106 by region. The exhaust baffle 1500 has an annular ring shape. The exhaust baffle 1500 is positioned between the inner wall of the chamber 1100 and the substrate support unit 1200 in the processing space 1106. A plurality of exhaust holes 1502 are formed in the exhaust baffle 1500. The exhaust holes 1502 are provided so as to face up and down. The exhaust holes 1502 are provided in the holes extending from the upper end to the lower end of the exhaust baffle 1500. The exhaust holes 1502 are arranged apart from each other along the circumferential direction of the exhaust baffle 1500. Each exhaust hole 1502 has a slit shape and a radial direction lengthwise direction.

다음은 상술한 버퍼 유닛(2000)의 일 실시예를 설명한다. The following describes one embodiment of the buffer unit 2000 described above.

도 4는 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 평면도이고, 도 5는 도 4의 선 A-A를 따라 절단한 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 유닛(2000)은 하우징(2100), 기판 지지 부재(2300), 배기 유닛(2400), 분위기 형성 유닛(2500), 그리고 제어기(2900)를 포함한다.FIG. 4 is a plan view showing the buffer unit of FIG. 2, and FIG. 5 is a sectional view taken along the line A-A of FIG. 4 and 5, the buffer unit 2000 includes a housing 2100, a substrate support member 2300, an exhaust unit 2400, an atmosphere forming unit 2500, and a controller 2900.

하우징(2100)은 내부에 버퍼 공간(2120)을 가지는 통 형상으로 제공된다. 하우징(2100)은 제3방향(16)을 향하는 길이 방향을 가진다. 버퍼 공간(2120)은 복수 매의 기판들이 수용 가능한 공간으로 제공된다. 하우징(2100)은 개방면(2140)을 가진다. 개방면(2140)은 이송 프레임(140)과 마주하는 면으로 제공된다. 개구는 이송 프레임과 버퍼 공간(2120) 간에 기판(W)이 반입 및 반출되는 출입구(2140a)로 기능한다. The housing 2100 is provided in a cylindrical shape having a buffer space 2120 therein. The housing 2100 has a longitudinal direction toward the third direction 16. The buffer space 2120 is provided as a space in which a plurality of substrates can be accommodated. The housing 2100 has an opening 2140. The opening face 2140 is provided on the side opposite to the transfer frame 140. The opening functions as an entrance 2140a through which the substrate W is carried in and out between the transfer frame and the buffer space 2120.

기판 지지 부재(2300)는 버퍼 공간(2120)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(2300)는 복수 매의 기판들(W)을 지지한다. 복수 매의 기판들(W)은 기판 지지 부재(2300)에 의해 상하 방향으로 배열되게 위치된다. 기판 지지 부재(2300)는 수직 몸체(2310) 및 지지 슬롯(2330)을 포함한다. 수직 몸체(2310)는 제3방향(16)을 향하는 바 형상으로 제공된다. 수직 몸체(2310)는 복수 개로 제공되며, 각각은 원주 방향을 따라 배열되게 위치된다. 수직 몸체들(2310)은 버퍼 공간(2120)에서 기판(W)이 반입 및 반출되는 경로와 간섭되지 않도록 개구를 제외한 다른 측면에 인접하게 위치된다. 일 예에 의하면, 수직 몸체(2310)는 2 개 내지 4 개로 제공될 수 있다. The substrate support member 2300 supports the substrate W in the buffer space 2120. The substrate support member 2300 supports a plurality of substrates W. A plurality of the substrates W are arranged vertically arranged by the substrate supporting member 2300. The substrate support member 2300 includes a vertical body 2310 and a support slot 2330. The vertical body 2310 is provided in the shape of a bar facing the third direction 16. The vertical body 2310 is provided in a plurality, and each is arranged to be arranged along the circumferential direction. The vertical bodies 2310 are positioned adjacent to the other side except the openings so as not to interfere with the path in which the substrate W is carried in and out of the buffer space 2120. According to one example, the vertical body 2310 may be provided in two to four.

지지 슬롯(2330)은 기판(W)이 안착되는 안착면을 가진다. 여기서 안착면은 지지 슬롯(2330)의 상면일 수 있다. 지지 슬롯(2330)은 수직 몸체(2310)의 일측면으로부터 연장된다. 상부에서 바라볼 때 각각의 지지 슬롯(2330)은 수직 몸체들(2310)의 내측을 향하는 방향으로 연장된다. 지지 슬롯(2330)은 복수 개로 제공된다. 지지 슬롯들(2330)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 제3방향(16)에 대해 서로 인접한 지지 슬롯들(2330) 간의 간격은 동일하게 제공될 수 있다. The support slot 2330 has a seating surface on which the substrate W is seated. The seating surface may be the upper surface of the support slot 2330. The support slot 2330 extends from one side of the vertical body 2310. Each of the support slots 2330 extends in a direction toward the inside of the vertical bodies 2310 when viewed from above. A plurality of support slots 2330 are provided. The support slots 2330 are spaced apart from each other along the third direction 16. The spacing between adjacent support slots 2330 with respect to the third direction 16 may be provided equally.

배기 유닛(2400)은 버퍼 공간(2120)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(2400)은 가스에 의해 제거된 파티클 및 퓸을 배기한다. 배기 유닛(2400)은 배기 포트(2420) 및 감압 부재(2440)를 포함한다. 배기 포트(2420)는 하우징(2100)의 바닥면에 설치된다. 상부에서 바라볼 때, 배기 포트(2420)는 하우징(2100)의 개방면(2140)보다 이에 마주하는 타측면(2120b)에 더 가깝게 위치된다. 선택적으로 배기 포트(2420)는 하우징(2100)의 천장면에 설치될 수 있다.The exhaust unit 2400 exhausts the atmosphere of the buffer space 2120. The exhaust unit 2400 exhausts the particles and the fumes removed by the gas. The exhaust unit 2400 includes an exhaust port 2420 and a pressure-reducing member 2440. The exhaust port 2420 is provided on the bottom surface of the housing 2100. The exhaust port 2420 is positioned closer to the other side 2120b that faces the opening 2140 of the housing 2100 than the opening 2120 of the housing 2100 when viewed from above. Optionally, the exhaust port 2420 may be installed in the ceiling of the housing 2100.

분위기 형성 유닛(2500) 버퍼 공간(2120)에 퍼지 가스를 공급한다. 분위기 형성 유닛(2500)은 퍼지 가스가 분사될 때 버퍼 공간(2120) 내에서 회전 기류를 형성할 수 있도록 제공된다. 회전 기류는 상하 방향을 중심축으로 하는 기류이다. 도 6은 도 5의 분위기 형성 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 분위기 형성 유닛(2500)은 가스 토출 부재(2600), 수직 바디(2700), 팬 필터 유닛(2800), 그리고 히터(2560)를 포함한다. The purge gas is supplied to the atmosphere forming unit 2500 buffer space 2120. The atmosphere forming unit 2500 is provided so as to form a rotating airflow in the buffer space 2120 when the purge gas is injected. The rotating air current is an air current having a vertical axis as a central axis. Fig. 6 is a perspective view showing the atmosphere forming unit of Fig. 5; 4 to 6, the atmosphere forming unit 2500 includes a gas discharging member 2600, a vertical body 2700, a fan filter unit 2800, and a heater 2560.

가스 토출 부재(2600)는 버퍼 공간(2120)에 퍼지가스를 토출한다. 가스 토출 부재(2600)은 기판의 접선 방향과 이의 내측으로 일정 범위 이내의 사이 각도로 가스를 토출한다. 일정 범위는 45 도를 포함한다. 즉, 가스의 토출 방향과 기판의 접선 방향의 사이 각도는 45 도보다 작게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 접선 방향의 내측으로 10 도 와 20 도의 사이 각도로 토출될 수 있다. 본 실시예에는 가스를 접선 방향으로부터 15 도 틀어진 방향으로 토출하는 것으로 설명한다. The gas discharge member 2600 discharges the purge gas into the buffer space 2120. The gas discharge member 2600 discharges the gas at an angle between the tangential direction of the substrate and the inside thereof. A certain range includes 45 degrees. That is, the angle between the discharge direction of the gas and the tangential direction of the substrate can be provided smaller than 45 degrees. According to one example, the gas can be discharged at an angle between 10 degrees and 20 degrees inside the tangential direction. In this embodiment, the gas is discharged in the direction which is shifted by 15 degrees from the tangential direction.

가스 토출 부재(2600)는 복수 개로 제공되며, 상하 방향으로 서로 이격되게 배열된다. 예컨대, 서로 인접한 가스 토출 부재(2600)들 간에 간격은 지지 슬롯들(2330) 간에 간격과 동일할 수 있다. 가스 토출 부재(2600)는 가이드 프레임(2660), 복수 개의 가스 노즐들(2620), 그리고 구동부(2640)를 포함한다. The gas discharge members 2600 are provided in plural and are arranged so as to be spaced apart from each other in the vertical direction. For example, the spacing between adjacent gas delivery members 2600 may be equal to the spacing between the support slots 2330. The gas discharge member 2600 includes a guide frame 2660, a plurality of gas nozzles 2620, and a driving unit 2640.

가이드 프레임(2660)은 호 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 가이드 프레임(2660)는 하우징(2100)의 개방면(2140)보다 이에 반대되는 타측면(2160)에 더 가깝게 위치된다. 가스 노즐들(2620)은 가이드 프레임(2660)에 설치된다. 가스 노즐들(2620)은 가이드 프레임(2660)의 둘레를 따라 배열된다. 가스 노즐들(2620)은 각각의 토출구가 하우징(2100)의 원주에 대해 접선 방향과 이의 내측으로 상기 일정 범위 이내의 사이 각도를 향하도록 제공된다. 이에 따라 가스 노즐들(2620)로부터 토출되는 가스에 의해 버퍼 공간(2120)에는 회전 기류가 형성된다. 회전 기류는 나선 형상으로 형성될 수 있다. 구동부(2640)는 수직축을 중심으로 가스 노즐들(2620)을 회전시킨다. The guide frame 2660 may be provided to have a arc shape. The guide frame 2660 is positioned closer to the opposite side 2160 than the opening face 2140 of the housing 2100. [ The gas nozzles 2620 are installed in the guide frame 2660. The gas nozzles 2620 are arranged along the periphery of the guide frame 2660. The gas nozzles 2620 are provided so that the respective discharge ports are tangential to the circumference of the housing 2100 and toward the inside thereof toward an angle within the predetermined range. Accordingly, a rotating airflow is formed in the buffer space 2120 by the gas discharged from the gas nozzles 2620. The rotating air current may be formed in a spiral shape. The driving unit 2640 rotates the gas nozzles 2620 about the vertical axis.

수직 바디(2700)는 복수 개의 가스 토출 부재들(2600)을 지지한다. 수직 바디(2700)는 길이 방향이 상하 방향을 향하는 바 형상을 가진다. 수직 바디(2700)는 하우징(2100)의 개방면(2140)보다 이에 마주보는 타측면(2160)에 더 가깝게 위치된다. 가스 토출 부재들(2600)은 상하 방향을 따라 서로 이격되도록 수직 바디(2700)에 설치된다.The vertical body 2700 supports a plurality of gas discharge members 2600. The vertical body 2700 has a bar shape whose longitudinal direction is directed upward and downward. The vertical body 2700 is positioned closer to the opposite side 2160 than the open side 2140 of the housing 2100. The gas discharge members 2600 are installed in the vertical body 2700 so as to be spaced apart from each other along the vertical direction.

팬 필터 유닛(2800)은 버퍼 공간(2120)에 하강 기류를 형성한다. 팬 필터 유닛(2800)은 하우징(2100)의 천장면에 설치된다. 상부에서 바라볼 때 팬 필터 유닛(2800)은 기판 지지 부재(2300)에 지지된 기판(W)과 중첩되게 위치된다. 팬 필터 유닛(2800)은 버퍼 공간(2120)에 수직한 아래 방향으로 가스를 공급한다. 이에 따라 버퍼 공간에는 전체적으로 아래 방향으로 이동되는 회전 기류가 형성된다. 예컨대, 팬 필터 유닛(2800)과 가스 토출 부재(2600)로부터 토출되는 가스는 동일 가스일 수 있다.The fan filter unit 2800 forms a downward flow in the buffer space 2120. The fan filter unit 2800 is installed in the ceiling of the housing 2100. The fan filter unit 2800 is positioned so as to overlap with the substrate W supported on the substrate support member 2300. [ The fan filter unit 2800 supplies gas in a downward direction perpendicular to the buffer space 2120. As a result, a rotating airflow moving downward as a whole is formed in the buffer space. For example, the gas discharged from the fan filter unit 2800 and the gas discharge member 2600 may be the same gas.

히터(2560)는 가스 토출 부재(2600)에 공급되는 가스를 가열한다. 가스는 상온보다 높은 온도로 가열될 수 있다. 히터(2560)는 가스 토출 부재(2600)들 중 하우징(2100)의 천장면에 인접하게 위치되는 가스 토출 부재들(2600a)(이하, 상부 그룹)과 바닥면에 인접하게 위치되는 가스 토출 부재들(2600b)(이하, 하부 그룹(2600b)에 공급되는 가스를 각각 가열할 수 있다.The heater 2560 heats the gas supplied to the gas discharge member 2600. The gas may be heated to a temperature above room temperature. The heater 2560 includes gas discharge members 2600a (hereinafter referred to as an upper group) positioned adjacent to a ceiling surface of the housing 2100 among the gas discharge members 2600 and gas discharge members (Hereinafter, the gas supplied to the lower group 2600b) can be respectively heated.

가스 토출 부재(2600)는 상부 그룹(2600a)의 토출 부재와 하부 그룹(2600b)의 토출 부재를 가진다. 상부 그룹(2600a)의 토출 부재에는 상부 공급 라인(2520)이 연결되고, 하부 그룹(2600b)의 토출 부재에는 하부 공급 라인(2540)이 연결된다. 상부 공급 라인(2520) 및 하부 공급 라인(2540)은 하나의 주 공급 라인으로부터 분기될 수 있다. The gas discharge member 2600 has a discharge member of the upper group 2600a and a discharge member of the lower group 2600b. An upper supply line 2520 is connected to the discharge member of the upper group 2600a and a lower supply line 2540 is connected to the discharge member of the lower group 2600b. The upper supply line 2520 and the lower supply line 2540 may be branched from one main supply line.

상부 공급 라인(2520) 및 하부 공급 라인(2540) 각각에는 히터(2560)가 설치된다. 상부 공급 라인(2520)을 통해 공급되는 퍼지 가스 및 하부 공급 라인(2540)을 통해 공급되는 퍼지 가스는 각각 다른 온도로 가열될 수 있다. 예컨대, 상부 공급 라인(2520)을 통해 공급되는 상부 가스는 하부 공급 라인(2540)을 통해 공급되는 하부 가스에 비해 높은 온도로 가열될 수 있다. 이로 인해 상부 가스는 그 온도에 의해 하부 가스보다 부상되는 힘이 커질 수 있다.A heater 2560 is installed in each of the upper supply line 2520 and the lower supply line 2540. The purge gas supplied through the upper supply line 2520 and the purge gas supplied through the lower supply line 2540 may be heated to different temperatures, respectively. For example, the top gas supplied through the top supply line 2520 may be heated to a higher temperature than the bottom gas supplied through the bottom supply line 2540. As a result, the upper gas may have a larger force of being lifted than the lower gas due to the temperature.

상부 공급 라인(2520)과 하부 공급 라인(2540) 각각에는 밸브(2522,2542)가 설치되며, 밸브(2522,2542)는 각 라인의 가스 공급 유량을 조절한다. 하부 공급 라인(2540)에 공급되는 하부 공급 유량과 상부 공급 라인(2520)에 공급되는 상부 공급 유량은 상이하게 제공될 수 있다. 이에 따라 버퍼 공간(2120)의 상부 영역과 하부 영역에는 서로 다른 속도를 가지는 회전 기류가 형성된다. 일 예에 의하면, 하부 공급 유량은 상부 공급 유량보다 크게 제공될 수 있다. 버퍼 공간(2120)의 하부 영역에는 상부 영역보다 큰 속도의 회전 기류가 형성될 수 있으며, 이는 버퍼 공간(2120)의 분위기를 바닥면에 설치된 배기 포트(2420)에 보다 원활하게 배기시킬 수 있다. Valves 2522 and 2542 are installed in each of the upper supply line 2520 and the lower supply line 2540 and the valves 2522 and 2542 control the gas supply flow rate of each line. The lower supply flow rate supplied to the lower supply line 2540 and the upper supply flow rate supplied to the upper supply line 2520 may be provided differently. Accordingly, a rotating air current having different speeds is formed in the upper region and the lower region of the buffer space 2120. According to one example, the lower feed flow rate may be provided larger than the upper feed flow rate. In the lower region of the buffer space 2120, a rotating airflow having a velocity greater than that of the upper region can be formed, which can more smoothly exhaust the atmosphere of the buffer space 2120 to the exhaust port 2420 provided on the floor surface.

또한 도 7과 같이 상부 그룹(2600a)의 가스 노즐(2620)과 하부 그룹(2600b)의 가스 노즐(2620)은 서로 반대 방향으로 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 이에 따라 버퍼 공간(2120)의 상부 영역과 하부 영역에는 서로 반대 방향의 회전 기류가 형성되며, 이 회전 기류들은 상부 영역과 하부 영역에서 기류를 서로 분리한다. 하부 영역은 상부 영역보다 배기 포트(2420)에 인접하게 위치된다, 이에 따라 하부 영역의 회전 기류(이하, 하부 기류)를 배기 포트(2420)를 통해 배기될 수 있다. 이와 달리 버퍼 공간(2120)의 상부 영역은 하부 영역보다 배기 포트(2420)에 멀게 위치된다. 이로 인해 상부 영역의 회전 기류(이하, 상부 기류)는 하부 기류에 비해 배기 포트(2420)에 의한 배기가 원활하지 않다. 그러나 상부 기류는 상온보다 높은 온도를 가지는 기류이며, 이는 버퍼 공간(2120)에서 상승 기류로 작용한다. 버퍼 공간(2120)의 상부 영역에서 발생된 상승 기류는 팬 필터 유닛(2800)에서 발생된 하강 기류와 충돌되며, 하우징(2100)의 개방면(2140)을 통해 이송 프레임으로 배기된다. 이송 프레임(140)으로 배기된 기류는 이송 프레임(140)에 설치된 배기 부재(미도시)를 통해 이송 프레임(140) 외부로 배기될 수 있다. 이에 따라 버퍼 공간(2120)의 상부 영역과 하부 영역은 각각 신속히 배기될 수 있다.7, the gas nozzle 2620 of the upper group 2600a and the gas nozzle 2620 of the lower group 2600b can discharge the purge gas in opposite directions to each other. Accordingly, rotating air flows in opposite directions are formed in the upper region and the lower region of the buffer space 2120, and these rotating air streams separate the airflows in the upper region and the lower region. The lower region is positioned closer to the exhaust port 2420 than the upper region, so that the rotating air stream of the lower region (hereinafter, lower air stream) can be exhausted through the exhaust port 2420. The upper region of the buffer space 2120 is located farther away from the exhaust port 2420 than the lower region. As a result, the rotary airflow in the upper region (hereinafter, the upper airflow) is not smoothly exhausted by the exhaust port 2420 as compared with the lower airflow. However, the upper air stream is an air stream having a temperature higher than normal temperature, which acts as a rising air stream in the buffer space 2120. The ascending airflow generated in the upper region of the buffer space 2120 collides with the descending airflow generated in the fan filter unit 2800 and is exhausted to the transfer frame through the open face 2140 of the housing 2100. The airflow discharged into the transfer frame 140 can be discharged to the outside of the transfer frame 140 through an exhaust member (not shown) provided in the transfer frame 140. Accordingly, the upper region and the lower region of the buffer space 2120 can be quickly exhausted, respectively.

선택적으로 도 8과 같이, 상부 기류와 하부 기류는 동일한 방향의 회전 기류일 수 있다. 하부 그룹(2600b)의 가스 노즐(2620)은 상부 그룹(2600a)의 가스 노즐(2620)보다 큰 유량의 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 이로 인해 하부 기류는 상부 기류보다 큰 유량의 기류로 제공되며, 버퍼 공간(2120)의 전체 영역 분위기가 배기 포트(2420)를 향하는 방향으로 배기될 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 8, the upper air stream and the lower air stream may be rotating air streams in the same direction. The gas nozzle 2620 of the lower group 2600b can discharge purge gas at a flow rate larger than the gas nozzle 2620 of the upper group 2600a. Thus, the lower airflow is provided to the airflow at a larger flow rate than the upper airflow, and the entire region atmosphere of the buffer space 2120 can be exhausted toward the exhaust port 2420.

다시 도 4 또는 도 5를 참조하면 제어기(2900)는 가스 토출 부재(2600)를 제어한다. 제어기(2900)는 상부 공급 라인(2520)과 하부 공급 라인(2540)에 각각 설치된 밸브(2522,2542)를 제어하여 버퍼 공간(2120)에 토출되는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 제어기(2900)는 하부 기류의 유속이 상부 기류의 유속보다 빠르도록 상부 공급 라인(2520) 및 하부 공급 라인(2540)에 설치된 밸브들(2522,2542)을 선택적으로 제어할 수 있다. 이에 따라 버퍼 공간(2120)의 전체 영역에는 배기 포트(2420)를 향해 하강되는 회전 기류가 형성되며, 버퍼 공간(2120)의 분위기를 신속히 배기할 수 있다.Referring again to FIG. 4 or 5, the controller 2900 controls the gas discharge member 2600. The controller 2900 controls the valves 2522 and 2542 provided in the upper supply line 2520 and the lower supply line 2540 to adjust the flow rate of the gas discharged into the buffer space 2120. The controller 2900 can selectively control the valves 2522 and 2542 installed in the upper supply line 2520 and the lower supply line 2540 such that the flow rate of the lower airflow is faster than the flow rate of the upper airflow. As a result, a rotating air current that descends toward the exhaust port 2420 is formed in the entire area of the buffer space 2120, and the atmosphere in the buffer space 2120 can be quickly exhausted.

또한 제어기(2900)는 가스의 토출 방향을 제어할 수 있다. 상술한 바와 같이 제어기(2900)는 버퍼 공간(2120)의 상부 영역과 하부 영역 중 어느 하나에 접선 방향에 대한 정방향으로 가스를 토출하고, 다른 하나에 역방향으로 가스를 토출할 수 있다. 이에 따라 하부 영역의 분위기는 하우징(2100)의 바닥면에 설치된 배기 포트(2420)를 통해 배기시키고, 상부 영역의 분위기를 이송 프레임(140)에 설치된 배기 부재를 통해 배기시킬 수 있다.The controller 2900 can also control the discharge direction of the gas. As described above, the controller 2900 can discharge the gas in the forward direction with respect to the tangential direction to one of the upper region and the lower region of the buffer space 2120, and discharge the gas to the other in the reverse direction. Accordingly, the atmosphere in the lower region can be exhausted through the exhaust port 2420 provided on the bottom surface of the housing 2100, and the atmosphere in the upper region can be exhausted through the exhaust member provided in the transfer frame 140.

상술한 실시예에는 상부 공급 라인(2520)과 하부 공급 라인(2540)에 설치된 밸브(2522,2542)를 제어하는 것으로 설명하였다. 그러나 도 9와 같이, 상부 그룹(2600a)의 토출구와 하부 그룹(2600b)의 토출구는 그 크기가 상이하게 제공될 수 있다. 이에 따라 상부 그룹(2600a)의 가스 토출 유량과 하부 그룹(2600b)의 가스 토출 유량을 상이하게 조절할 수 있다. 예컨대, 하부 그룹(2600b)의 토출구는 상부 그룹(2600a)의 토출구보다 크게 제공되며, 버퍼 공간(2120)에 하부 영역에는 상부 영역보다 큰 유속의 회전 기류가 형성될 수 있다.In the above-described embodiment, it is described that the valves 2522 and 2542 provided in the upper supply line 2520 and the lower supply line 2540 are controlled. However, as shown in FIG. 9, the discharge port of the upper group 2600a and the discharge port of the lower group 2600b may be provided in different sizes. Accordingly, the gas discharge flow rate of the upper group 2600a and the gas discharge flow rate of the lower group 2600b can be adjusted differently. For example, the discharge port of the lower group 2600b is provided to be larger than the discharge port of the upper group 2600a, and the lower area of the buffer space 2120 may be formed with a rotating airflow having a velocity greater than that of the upper area.

2100: 하우징 2120: 버퍼 공간
2300: 기판 지지 부재 250: 분위기 형성 유닛
2600: 가스 토출 부재 2620: 가스 노즐
2660: 가이드 프레임2100: housing 2120: buffer space
2300: substrate supporting member 250: atmosphere forming unit
2600: gas discharge member 2620: gas nozzle
2660: Guide frame

Claims (14)

원형의 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛에 있어서,
내부에 버퍼 공간을 가지며 기판이 출입되는 출입구가 형성된 하우징과;
상기 버퍼 공간에 제공되며, 기판을 상하 방향으로 적층되게 지지하는 기판 지지 부재와;
상기 버퍼 공간에 상기 상하 방향을 중심축으로 하는 회전 기류가 형성되도록 가스를 분사하는 가스 토출 부재를 가지는 분위기 형성 유닛을 포함하되,
상기 가스 토출 부재는,
기판의 외측에 배치되며, 호 형상을 가지는 가이드 프레임과;
상기 가이드 프레임의 둘레를 따라 설치되며, 가스가 토출되는 토출구를 가지는 복수 개의 가스 노즐들을 포함하되,
상기 토출구에서 토출되는 가스의 토출 방향과 기판의 접선 방향의 사이 각도는 45 도보다 작고,
상기 가스 토출 부재는 상하 방향으로 복수 개로 제공되고,
상기 가스 토출 부재들은 상기 하우징의 천장면에 인접하게 위치되는 상부 그룹과 상기 하우징의 바닥면에 인접하게 위치되는 하부 그룹을 포함하며,
상부에서 바라볼 때 상기 상부 그룹의 토출구들과 상기 하부 그룹의 토출구들 중 어느 하나는 상기 사이 각도에 대해 정방향을 향하도록 제공되고, 다른 하나는 상기 사이 각도에 대해 역방향을 향하도록 제공되는 버퍼 유닛.1. A buffer unit for temporarily holding a circular substrate,
A housing having a buffer space therein and formed with an entrance through which the substrate enters and exits;
A substrate support member provided in the buffer space and supporting the substrate in a stacked manner;
And an atmosphere forming unit having a gas discharge member for spraying a gas in the buffer space so as to form a rotating air stream having the vertical axis as a central axis,
The gas-
A guide frame disposed on the outside of the substrate and having an arc shape;
A plurality of gas nozzles provided along the circumference of the guide frame and having a discharge port through which gas is discharged,
The angle between the discharge direction of the gas discharged from the discharge port and the tangential direction of the substrate is smaller than 45 degrees,
Wherein the gas discharge members are provided in a plurality of vertically,
Wherein the gas discharge members include an upper group positioned adjacent to a ceiling surface of the housing and a lower group positioned adjacent a bottom surface of the housing,
One of the ejection outlets of the upper group and the ejection outlets of the lower group is provided so as to face in a positive direction with respect to the inter-angle, and the other is provided with a buffer unit . 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가스 토출 부재는 상하 방향으로 복수 개가 제공되고,
상기 가스 토출 부재들은 상기 하우징의 천장면에 인접하게 위치되는 상부 그룹과 상기 하우징의 바닥면에 인접하게 위치되는 하부 그룹을 포함하며,
상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹은 가스의 토출 유량이 서로 상이하게 제공 가능한 버퍼 유닛.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the gas discharge members are provided in the vertical direction,
Wherein the gas discharge members include an upper group positioned adjacent to a ceiling surface of the housing and a lower group positioned adjacent a bottom surface of the housing,
Wherein the upper group and the lower group are provided so that the discharge flow rates of the gases are different from each other. 원형의 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛에 있어서,
내부에 버퍼 공간을 가지며 기판이 출입되는 출입구가 형성된 하우징과;
상기 버퍼 공간에 제공되며, 기판을 상하 방향으로 적층되게 지지하는 기판 지지 부재와;
상기 버퍼 공간에 상기 상하 방향을 중심축으로 하는 회전 기류가 형성되도록 가스를 분사하는 가스 토출 부재를 가지는 분위기 형성 유닛과;
상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 배기 부재를 포함하되,
상기 가스 토출 부재는,
기판의 외측에 배치되며, 호 형상을 가지는 가이드 프레임과;
상기 가이드 프레임의 둘레를 따라 설치되며, 가스가 토출되는 토출구를 가지는 복수 개의 가스 노즐들을 포함하며,
상기 가스 토출 부재는 상하 방향으로 복수 개가 제공되고,
상기 가스 토출 부재들은 상기 하우징의 천장면에 인접하게 위치되는 상부 그룹과 상기 하우징의 바닥면에 인접하게 위치되는 하부 그룹을 포함하며,
상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹은 가스의 토출 유량이 서로 상이하게 제공되며,
상기 배기 부재는,
상기 하우징의 천장면 또는 바닥면에 설치되는 배기 포트와;
상기 배기 포트를 감압하는 감압 부재를 포함하고,
상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹 중 상기 배기 포트에 더 가깝게 위치되는 그룹의 토출 유량이 더 멀게 위치되는 그룹의 토출 유량보다 더 크게 제공 가능한 버퍼 유닛.1. A buffer unit for temporarily holding a circular substrate,
A housing having a buffer space therein and formed with an entrance through which the substrate enters and exits;
A substrate support member provided in the buffer space and supporting the substrate in a stacked manner;
An atmosphere forming unit having a gas discharge member for spraying a gas in the buffer space so as to form a rotational air stream having the vertical axis as a central axis;
And an exhaust member for exhausting the atmosphere of the buffer space,
The gas-
A guide frame disposed on the outside of the substrate and having an arc shape;
A plurality of gas nozzles provided along the circumference of the guide frame and having a discharge port through which gas is discharged,
Wherein a plurality of the gas discharge members are provided in the vertical direction,
Wherein the gas discharge members include an upper group positioned adjacent to a ceiling surface of the housing and a lower group positioned adjacent a bottom surface of the housing,
Wherein the upper group and the lower group are provided so that the discharge flow rates of the gases are different from each other,
Wherein the exhaust member
An exhaust port installed on a ceiling surface or a bottom surface of the housing;
And a pressure-reducing member for reducing pressure of the exhaust port,
Wherein the discharge flow rate of the group positioned closer to the exhaust port of the upper group and the lower group is greater than the discharge flow rate of the group located farther away. 제4항에 있어서,
상기 분위기 형성 유닛은,
상기 상부 그룹에 퍼지 가스를 공급하며, 상부 밸브가 설치되는 상부 공급 라인과;
상기 하부 그룹에 퍼지 가스를 공급하며, 하부 밸브가 설치되는 하부 공급 라인을 포함하되,
상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹 중 상기 배기 포트에 더 가깝게 위치되는 그룹에 공급되는 퍼지 가스의 공급 유량이 더 멀게 위치되는 그룹에 공급되는 퍼지 가스의 공급 유량보다 더 크게 제공 가능한 버퍼 유닛.5. The method of claim 4,
The atmosphere forming unit includes:
An upper supply line for supplying purge gas to the upper group and provided with an upper valve;
A lower supply line for supplying purge gas to the lower group and a lower valve,
Wherein the supply flow rate of the purge gas supplied to the group positioned closer to the exhaust port of the upper group and the lower group is greater than the supply flow rate of the purge gas supplied to the group located farther away. 제4항에 있어서,
상기 상부 그룹의 토출 부재들의 가스 노즐들과 상기 하부 그룹의 토출 부재들의 가스 노즐들은 토출구의 크기가 서로 상이하게 제공되고,
상기 상부 그룹과 상기 하부 그룹 중 상기 배기 포트에 더 가깝게 위치되는 그룹의 토출구의 크기가 더 멀게 위치되는 그룹의 토출구의 크기보다 더 크게 제공되는 버퍼 유닛.5. The method of claim 4,
The gas nozzles of the discharge members of the upper group and the gas nozzles of the discharge members of the lower group are provided so that the sizes of the discharge ports are different from each other,
Wherein a size of a discharge port of a group positioned closer to the exhaust port of the upper group and the lower group is provided larger than a size of a discharge port of a group located farther away. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 상부 그룹은 상기 버퍼 공간의 상부 영역에 위치되고,
상기 하부 그룹은 상기 버퍼 공간의 하부 영역에 위치되며,
상기 상부 영역과 상기 하부 영역 중 상기 배기 포트에 더 가까운 영역에는 더 먼 영역에 비해 빠른 속도의 회전 기류가 형성되는 버퍼 유닛.The method according to claim 5 or 6,
The upper group being located in an upper region of the buffer space,
The lower group being located in a lower region of the buffer space,
And a rotating airflow at a higher speed than the farther region is formed in a region closer to the exhaust port out of the upper region and the lower region. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 버퍼 유닛은,
상기 바닥면에 설치되며, 상기 버퍼 공간의 분위기를 배기하는 배기 부재를 더 포함하고,
상기 분위기 형성 유닛은,
상기 천장면에 설치되며, 상기 버퍼 공간에 하강 기류를 공급하는 팬 필터 유닛과;
상기 가스 토출 부재로부터 토출되는 퍼지 가스를 가열하는 히터를 더 포함하는 버퍼 유닛.The method according to claim 1,
Wherein the buffer unit comprises:
Further comprising an exhaust member installed on the bottom surface to exhaust an atmosphere of the buffer space,
The atmosphere forming unit includes:
A fan filter unit installed in the ceiling and supplying a downward current to the buffer space;
And a heater for heating the purge gas discharged from the gas discharge member. 제9항에 있어서,
상기 상부 그룹의 회전 기류와 상기 팬 필터 유닛의 하강 기류는 서로 충돌하여 상기 하우징의 출입구를 통해 배기되는 버퍼 유닛.10. The method of claim 9,
Wherein the rotating airflow of the upper group and the downflow airflow of the fan filter unit collide with each other and are exhausted through an entrance of the housing. 제1항에 있어서,
상기 사이 각도는 기판의 접선 방향의 내측으로 10도 방향과 내측으로 20도 방향의 사이각을 포함하는 버퍼 유닛.The method according to claim 1,
Wherein the inter-angle comprises an angle of 10 degrees inward with respect to a tangential direction of the substrate and an angle between 20 degrees inward with respect to the substrate. 제1항에 있어서,
상기 가스 토출 부재는,
상기 가이드 프레임에 상기 가스 노즐을 회전 가능하게 결합하는 구동부를 더 포함하고,
상기 구동부는 수직축을 중심으로 가스 노즐을 회전시키는 버퍼 유닛.The method according to claim 1,
The gas-
Further comprising a driving unit rotatably coupling the gas nozzle to the guide frame,
Wherein the driving unit rotates the gas nozzle around a vertical axis. 제10항에 있어서,
상기 가스 토출 부재는 상하 방향으로 복수 개로 제공되고,
상기 가스 토출 부재들은 상기 하우징의 천장면에 인접하게 위치되는 상부 그룹과 상기 하우징의 바닥면에 인접하게 위치되는 하부 그룹을 포함하며,
상기 상부 그룹의 구동부와 상기 하부 그룹의 구동부는 서로 다른 방향으로 상기 가스 노즐을 회전시켜, 상부에서 바라볼 때 상기 상부 그룹의 토출구들과 상기 하부 그룹의 토출구들 중 어느 하나는 상기 사이 각도에 대해 정방향을 향하도록 제공되고, 다른 하나는 상기 사이 각도에 대해 역방향을 향하도록 제공 가능한 버퍼 유닛.11. The method of claim 10,
Wherein the gas discharge members are provided in a plurality of vertically,
Wherein the gas discharge members include an upper group positioned adjacent to a ceiling surface of the housing and a lower group positioned adjacent a bottom surface of the housing,
The driving unit of the upper group and the driving unit of the lower group rotate the gas nozzle in different directions so that when viewed from above, one of the ejection openings of the upper group and the ejection openings of the lower group And the other is provided so as to face the opposite angle with respect to the inter-angle. 인덱스 모듈과;
기판을 처리하는 공정 모듈을 포함하되,
상기 인덱스 모듈은,
기판을 수용하는 용기가 놓여지는 로드 포트와;
상기 로드 포트 및 상기 공정 모듈 사이에 배치되는 이송 프레임과;
상기 이송 프레임의 일측에 배치되며, 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛을 포함하되,
상기 버퍼 유닛은 상기 제1항, 그리고 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 버퍼 유닛을 포함되는 기판 처리 장치.An index module;
A process module for processing the substrate,
The index module comprises:
A load port on which a container for receiving a substrate is placed;
A transfer frame disposed between the load port and the process module;
And a buffer unit disposed at one side of the transfer frame for temporarily storing the substrate,
Wherein the buffer unit comprises the buffer unit according to any one of claims 1, 2 and 3 to 6.
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