KR20130119720A - Substrate treating apparatus - Google Patents

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KR20130119720A
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a process chamber providing a reaction space for processing a substrate and having an open upper part; a sealing cover combined with the upper part of the chamber to seal the reaction space; a susceptor on which the substrate is mounted and which is installed in the reaction space of the process chamber; clamps installed at the sealing cover; and a baffle plate fixed by the clamps.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma.

반도체 제조 공정은 증착, 사진, 식각, 애싱, 세정 등 다양한 공정을 포함한다. 이들 중 애싱 공정은 사진 공정에서 사용된 포토레지스트(photoresist)를 제거하는 공정이다.Semiconductor manufacturing processes include various processes such as deposition, photography, etching, ashing, and cleaning. Among them, the ashing process is a process of removing photoresist used in a photolithography process.

도 1은 플라즈마를 이용해 포토레지스트를 제거하는 기판 처리 장치를 보여준다.1 shows a substrate processing apparatus for removing photoresist using plasma.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)에는 배플 플레이트(3)가 제공된다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is provided with a baffle plate 3.

배플 플레이트(3)는 플라즈마 생성부에서 생성된 플라즈마가 기판(w)에 균일하게 공급되도록 분배한다. 또한, 배플 플레이트(3)는 이방성(Anisotropic) 운동을 하는 이온을 걸러내는 역할을 한다. 이 과정에서 배플 플레이트(3)는 전위를 가지게 된다. 배플 플레이트(3)는 밀폐 커버(2)에 볼트 체결로 고정되고, 밀폐 커버(2)는 접지선(미도시)으로 그라운드에 연결되어 접지된다. 따라서, 전하는 배플 플레이트(3)에서 밀폐 커버(20)를 거쳐 외부로 방전된다. 조립의 용이성을 위해서 배플 플레이트(3)의 측면과 밀폐 커버(2) 사이에는 일정한 간격이 형성되도록 한다. 따라서, 배플 플레이트(3)는 밀폐 커버(2)와 볼트 체결됨으로 접촉 면적이 일정하지 않고 볼트 체결된 부분만 점접촉된다. 특히, 배플 플레이트(3)의 측면은 밀폐 커버(2)와 이격된다. The baffle plate 3 distributes the plasma generated in the plasma generating portion so as to be uniformly supplied to the substrate w. In addition, the baffle plate 3 serves to filter out ions that are subjected to anisotropic movement. In this process, the baffle plate 3 has a potential. The baffle plate 3 is fixed to the sealing cover 2 by bolting, and the sealing cover 2 is connected to the ground by a ground wire (not shown) and grounded. Therefore, the electric charges are discharged from the baffle plate 3 to the outside via the sealing cover 20. For ease of assembly, a constant gap is formed between the side of the baffle plate 3 and the sealing cover 2. Therefore, the baffle plate 3 is bolted to the sealing cover 2, so that the contact area is not constant, and only the bolted portion is in point contact. In particular, the side of the baffle plate 3 is spaced apart from the closure cover 2.

위와 같은 구조에서는 배플 플레이트(3)의 전하가 원활하게 방전되지 못하여, 분배 플레이트(3)와 밀폐 커버(2) 사이에 플라즈마 아킹이 발생하여 기판 처리 장치(1)의 손상 및 기판 처리 장치(1)의 내부 공간에 파티클을 발생시키는 문제점이 있다.In the above structure, the charge of the baffle plate 3 is not discharged smoothly, and plasma arcing is generated between the distribution plate 3 and the airtight cover 2 to damage the substrate processing apparatus 1 and the substrate processing apparatus 1. There is a problem that generates particles in the inner space of the).

본 발명의 실시예들은 배플 플레이트의 주위에서 발생하는 아크를 예방할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention seek to provide a substrate processing apparatus capable of preventing an arc occurring around a baffle plate.

본 발명의 실시예들은 배플 플레이트의 고정 구조를 개선한 기판 처리 장치를 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention are to provide a substrate processing apparatus that improves the fixing structure of the baffle plate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 공정 처리실; 상기 공정 처리실 내에 기판을 지지하는 서셉터; 상기 공정 처리실 내에 상기 서셉터와 마주보도록 위치되는 배플 플레이트; 및 상기 배플 플레이트를 척킹하는 척킹부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the invention, the process chamber; A susceptor for supporting a substrate in the process chamber; A baffle plate positioned to face the susceptor in the process chamber; And a substrate processing apparatus including a chucking member for chucking the baffle plate may be provided.

또한, 상기 척킹부재는 상기 배플 플레이트의 양단 가장자리를 파지하는 클램프들; 및 상기 클램프들 각각에 연결되고 상기 공정 처리실의 측벽에 관통된 형태로 설치되는 지지로드들을 포함할 수 있다.The chucking member may further include clamps that grip edges of both ends of the baffle plate; And support rods connected to each of the clamps and installed through the side walls of the process chamber.

또한, 상기 지지로드는 좌우이동 가능할 수 있다.In addition, the support rod may be movable left and right.

또한, 상기 척킹부재는 상기 지지로드의 길이방향으로 상기 지지로드를 이동시키는 작동부재를 더 포함할 수 있다.In addition, the chucking member may further include an operation member for moving the support rod in the longitudinal direction of the support rod.

또한, 상기 척킹부재는 상기 지지로드의 이동 동작시 상기 공정 처리실의 기밀 유지를 위해 상기 공정 처리실의 측벽에 설치되는 벨로우즈를 더 포함할 수 있다.In addition, the chucking member may further include a bellows installed on the side wall of the process chamber to maintain the airtightness of the process chamber during the movement of the support rod.

또한, 상기 클램프는 호형상으로 이루어질 수 있다.In addition, the clamp may be formed in an arc shape.

또한, 상기 클램프는 상기 배플 플레이트의 가장자리 저면과 면접촉하는 저면접촉부; 및 상기 저면접촉부로부터 수직방향으로 연장되고 상기 배플 플레이트의 측면과 면접촉하는 측면접촉부를 포함할 수 있다.The clamp may further include: a bottom contact portion in surface contact with an edge bottom surface of the baffle plate; And a side contact part extending in a vertical direction from the bottom contact part and in surface contact with a side surface of the baffle plate.

또한, 상기 공정 처리실은 기판에 대한 처리가 이루어지는 반응공간을 제공하며, 상부가 개방된 공정 챔버; 및 상기 공정 챔버의 상단에 결합되어 상기 반응공간을 밀폐하는 밀폐 커버를 포함하고, 상기 밀폐 커버에는, 상기 지지로드가 설치되는 관통공이 형성될 수 있다.In addition, the process chamber provides a reaction space in which a process is performed on the substrate, the process chamber is open at the top; And an airtight cover coupled to an upper end of the process chamber to seal the reaction space, wherein the airtight cover may include a through hole in which the support rod is installed.

또한, 상기 클램프 및 상기 지지로드는 도전성 재료로 제공될 수 있다.In addition, the clamp and the support rod may be provided with a conductive material.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판에 대한 처리가 이루어지는 반응공간을 제공하며, 상부가 개방된 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 상단에 결합되어 상기 반응공간을 밀폐하는 밀폐 커버; 상기 공정 챔버의 상기 반응공간에 설치되고, 기판이 안착되는 서셉터; 상기 밀폐 커버에 설치되는 클램프들; 및 상기 클램프들에 의해 고정되는 배플 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a reaction space in which a process is performed on a substrate, the process chamber of which the top is open; An airtight cover coupled to an upper end of the process chamber to seal the reaction space; A susceptor installed in the reaction space of the process chamber and having a substrate seated thereon; Clamps installed on the sealing cover; And a baffle plate fixed by the clamps may be provided.

또한, 상기 클램프들은 상기 배플 플레이트의 가장자리를 파지하도록 호형상으로 이루어질 수 있다.In addition, the clamps may be formed in an arc shape to grip the edge of the baffle plate.

또한, 상기 클램프들은 상기 배플 플레이트를 파지 또는 해제하기 위해 수평 방향으로 이동될 수 있다.In addition, the clamps may be moved in the horizontal direction to grip or release the baffle plate.

또한, 상기 클램프는 상기 배플 플레이트의 가장자리 저면과 면접촉하는 저면접촉부; 및 상기 저면접촉부로부터 수직방향으로 연장되고 상기 배플 플레이트의 측면과 면접촉하는 측면접촉부를 포함할 수 있다.The clamp may further include: a bottom contact portion in surface contact with an edge bottom surface of the baffle plate; And a side contact part extending in a vertical direction from the bottom contact part and in surface contact with a side surface of the baffle plate.

또한, 상기 클램프는 상기 밀폐 커버의 외부로부터 벨로우즈를 통하여 설치되는 지지로드에 연결될 수 있다.In addition, the clamp may be connected to a support rod installed through the bellows from the outside of the sealing cover.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 배플 플레이트의 접지 면적이 증가될 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the ground area of the baffle plate may be increased.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 배플 플레이트와 밀폐 커버 사이에 아크의 발생이 감소되는 장점이 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, there is an advantage that the generation of arc between the baffle plate and the sealing cover is reduced.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 배플 플레이트의 탈부착이 용이하다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the detachable baffle plate is easy.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 배플 플레이트의 주위에서 발생하는 아크를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 표시된 A부분이 확대도이다.
도 4는 척킹 부재의 요부 확대 사시도이다.
도 5는 척킹 부재가 장착된 밀폐 커버의 배면도이다. 1 is a view showing an arc generated around a baffle plate in a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 2.
4 is an enlarged perspective view of the main portion of the chucking member.
5 is a rear view of the hermetic cover to which the chucking member is mounted.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 처리실(100), 서셉터(200), 플라즈마 생성부재(300), 배플 플레이트(400) 그리고 척킹부재(500)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a susceptor 200, a plasma generating member 300, a baffle plate 400, and a chucking member 500.

공정 처리실(100)은 공정 챔버(110)와 밀폐커버(120)를 포함한다.The process chamber 100 includes a process chamber 110 and an airtight cover 120.

공정 챔버(110)는 하벽(111) 및 측벽(112)을 포함한다. 공정 챔버(110)는 공급된 가스에 의해서 기판(w)에 대한 공정처리를 수행하는 내부공간(114)을 제공한다. 측벽(112)에는 기판(w)이 출입하는 게이트(116)가 형성되고, 게이트(116)는 도어(118)에 의해 개폐된다. 공정 챔버(100)의 하벽(111)에는 배기 홀(119)이 형성되고, 배기 홀(119)에는 배기관(190)이 결합된다. 기판(W) 처리 과정에서 내부공간(114)에 생성되는 반응 부산물과, 내부 공간(114)으로 유입된 가스는 배기 홀(119)과 배기관(190)을 통해 외부로 배출된다. 배기관(190)에는 압력 조절 장치(미도시)가 연결될 수 있으며, 압력 조절 장치(미도시)에 의해 공정 처리실(100) 내부의 압력이 조절될 수 있다. 압력 조절 장치로는 진공 펌프가 사용될 수 있다.The process chamber 110 includes a bottom wall 111 and a side wall 112. The process chamber 110 provides an internal space 114 that performs a process on the substrate w by the supplied gas. The sidewall 112 is formed with a gate 116 through which the substrate w enters, and the gate 116 is opened and closed by the door 118. An exhaust hole 119 is formed in the lower wall 111 of the process chamber 100, and an exhaust pipe 190 is coupled to the exhaust hole 119. The reaction by-products generated in the internal space 114 and the gas introduced into the internal space 114 during the substrate W processing are discharged to the outside through the exhaust hole 119 and the exhaust pipe 190. A pressure regulator (not shown) may be connected to the exhaust pipe 190, and a pressure inside the process chamber 100 may be adjusted by a pressure regulator (not shown). A vacuum pump may be used as the pressure regulating device.

서셉터(200)는 내부공간(114)에 위치하며, 공정처리에 제공되는 기판(w)을 지지한다. 서셉터(200)로는 정전척(electrode chuck)이 사용될 수 있다. 서셉터(200)는 척(210) 및 지지축(220)을 포함한다. The susceptor 200 is located in the internal space 114 and supports the substrate w provided to the process. An electrostatic chuck may be used as the susceptor 200. The susceptor 200 includes a chuck 210 and a support shaft 220.

척(210)은 원판형상으로 제공되며, 상면에 기판(W)이 놓인다. 척(210)은 지지축(120)에 의해 지지된다. 척(210)의 내부에는 전극(electrode, 미도시)이 제공될 수 있다. 전극은 외부 전원과 연결되며, 외부에서 인가된 전원(sources of electricity , 미도시)에 의해 정전기를 발생시킨다. 발생된 정전기는 기판(W)을 척(210)에 고정시킬 수 있다. The chuck 210 is provided in a disc shape, and the substrate W is placed on the upper surface. The chuck 210 is supported by the support shaft 120. An electrode (not shown) may be provided inside the chuck 210. The electrode is connected to an external power source and generates static electricity by an externally applied power source (sources of electricity, not shown). The generated static electricity may fix the substrate W to the chuck 210.

선택적으로, 척(210)의 내부에는 가열부재(미도시됨)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 가열부재는 히팅 코일일 수 있다. 또한, 척(210)의 내부에는 냉각부재(미도시됨)가 제공될 수 있다. 냉각부재는 냉각수가 흐르는 냉각라인으로 제공될 수 있다. 가열부재는 기판(W)을 기 설정된 온도로 가열한다. 냉각부재는 기판(W)을 강제 냉각시킨다.Optionally, a heating member (not shown) may be provided inside the chuck 210. According to one example, the heating member may be a heating coil. In addition, a cooling member (not shown) may be provided inside the chuck 210. The cooling member may be provided as a cooling line through which cooling water flows. The heating member heats the substrate W to a preset temperature. The cooling member forcibly cools the substrate (W).

척(210)에는 상하로 관통하는 홀(미도시)이 형성된다. 홀은 세 개 이상 형성된다. 각각의 홀에는 리프트 핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀은 홀을 따라 상하방향으로 이동하여 척(210)의 상면으로 기판(w)을 로딩하거나, 상면으로부터 기판(w)을 언로딩한다.The chuck 210 has a hole (not shown) penetrating up and down. More than three holes are formed. Each hole is provided with a lift pin (not shown). The lift pin moves up and down along the hole to load the substrate w onto the upper surface of the chuck 210 or to unload the substrate w from the upper surface.

플라스마 생성부재(300)는 밀폐커버(120)의 상부에 위치하며, 플라스마를 생성하여 밀폐커버(120)내의 유도공간(122)으로 플라스마를 제공한다. 플라스마 생성부(300)는 플라스마 소스부(301), 가스 공급관(302), 마그네트론(303), 그리고 도파관(304)을 포함한다.Plasma generating member 300 is located on top of the sealing cover 120, generates a plasma to provide a plasma to the induction space 122 in the sealing cover 120. The plasma generating unit 300 includes a plasma source unit 301, a gas supply pipe 302, a magnetron 303, and a waveguide 304.

플라스마 소스부(301)는 밀폐커버(120)와 결합한다. 플라스마 소스부(301)의 내부에서는 가스 공급관(302)으로부터 공급된 반응가스와 마그네트론(303)으로부터 제공된 마이크로파에 의해 플라스마가 생성된다. 플라스마 소스부(301)에서 생성된 플라스마는 밀폐커버(120)의 유도 공간(122)에 제공되며, 배플(400)의 분사홀(402)들을 통해 서셉터(200)에 안착된 기판(W)으로 분사된다.The plasma source unit 301 is combined with the sealing cover 120. In the plasma source unit 301, plasma is generated by the reaction gas supplied from the gas supply pipe 302 and the microwaves provided from the magnetron 303. The plasma generated by the plasma source unit 301 is provided in the induction space 122 of the airtight cover 120, and the substrate W seated in the susceptor 200 through the injection holes 402 of the baffle 400. Sprayed into.

가스 공급관(302)은 가스 저장부(미도시)와 플라스마 소스부(301)를 연결하며, 가스저장부에 저정된 반응가스를 플라스마 소스부(301)로 공급한다. 마그네트론(303)은 도파관(304)를 통해 플라스마 소스부(301)와 연결되며, 플라스마 생성을 위한 마이크로파(microwave)를 발생시킨다. 도파관(304)은 마그네트론(303)과 플라스마 소스부(301)를 연결하며, 마그네트론(303)에서 생성된 마이크로파를 플라스마 소스부(301)로 유도한다.The gas supply pipe 302 connects the gas storage unit (not shown) and the plasma source unit 301, and supplies the reaction gas stored in the gas storage unit to the plasma source unit 301. The magnetron 303 is connected to the plasma source unit 301 through the waveguide 304 and generates a microwave for plasma generation. The waveguide 304 connects the magnetron 303 and the plasma source unit 301, and guides the microwaves generated by the magnetron 303 to the plasma source unit 301.

상술한 실시 예에서, 플라즈마 생성부재(300)는 리모트방식의 플라즈마 생성을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 또 다른 실시 예로, 플라즈마 생성부재(300)는 유도결합형 플라즈마 또는 용량결합형 플라즈마 방식으로도 제공될 수 있다.In the above-described embodiment, the plasma generating member 300 has been described using a plasma generation of a remote method as an example. However, in another embodiment, the plasma generating member 300 may also be provided by an inductively coupled plasma or a capacitively coupled plasma method.

공정 챔버(110) 상부에는 밀폐커버(120)와 배플 플레이트(400)가 설치된다. An airtight cover 120 and a baffle plate 400 are installed on the process chamber 110.

밀폐커버(120)는 공정 챔버(110)의 상부벽과 결합하여 공정 챔버(110)의 개방된 상부를 밀폐한다. 밀폐커버(120)는 플라스마 생성부재(300)와 결합하며, 플라스마 생성부재(300)에서 생성된 플라스마를 배플 플레이트(400)로 제공한다. 밀폐커버(120)에는 플라스마 생성부재(300)에서 생성된 플라스마가 유입되는 유입구(124)와 유입된 플라스마를 배플 플레이트(400)로 제공하는 유도공간(122)이 형성된다. 유도공간(122)은 유입구(124)의 하부에 형성되며, 유입구(124)와 연결된다. 실시예에 의하면, 유도 공간(122)은 하부가 개방된 역 깔때기(inverted funnel) 형상을 가질 수 있다.The sealing cover 120 is coupled to the upper wall of the process chamber 110 to seal the open top of the process chamber 110. The sealing cover 120 is coupled to the plasma generating member 300, and provides the plasma generated by the plasma generating member 300 to the baffle plate 400. The sealing cover 120 is formed with an inlet 124 through which the plasma generated by the plasma generating member 300 flows and an induction space 122 for providing the introduced plasma to the baffle plate 400. The induction space 122 is formed below the inlet 124 and is connected to the inlet 124. According to an embodiment, the induction space 122 may have an inverted funnel shape with an open bottom.

배플 플레이트(400)는 서셉터(200)의 상부에 서셉터(200)에 대향되게 위치한다. 구체적으로, 배플 플레이트(400)는 서셉터(200)와 플라스마 생성부재(300) 사이에 밀폐커버(120)의 유도공간(122)과 인접하여 설치된다. 배플 플레이트(400)는 원판형상으로 제공된다. 배플 플레이트(400)는 처리실(120)의 내부 공간(114)과 밀폐 커버(120)의 유도 공간(122)을 구획한다. 즉, 배플 플레이트(400)의 상면은 유도공간(122)과 접하고, 배플 플레이트(400)의 하면은 서셉터(200)가 위치되는 내부공간(114)과 접한다. 배플 플레이트(400)는 복수 개의 홀(410)을 통해 유도 공간(122)으로부터 내부 공간(114)으로 제공되는 플라즈마의 성분을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 예컨대, 배플 플레이트(400)는 주로 플라즈마의 라디칼 성분을 내부 공간(114)으로 투과시킬 수 있다. The baffle plate 400 is positioned to face the susceptor 200 on top of the susceptor 200. Specifically, the baffle plate 400 is installed adjacent to the guide space 122 of the airtight cover 120 between the susceptor 200 and the plasma generating member 300. The baffle plate 400 is provided in a disc shape. The baffle plate 400 partitions the internal space 114 of the processing chamber 120 and the induction space 122 of the airtight cover 120. That is, the upper surface of the baffle plate 400 is in contact with the induction space 122, and the lower surface of the baffle plate 400 is in contact with the internal space 114 in which the susceptor 200 is located. The baffle plate 400 may selectively transmit components of the plasma provided from the induction space 122 to the internal space 114 through the plurality of holes 410. For example, the baffle plate 400 may mainly transmit radical components of the plasma to the internal space 114.

도 3은 도 2에 표시된 A부분이 확대도이다. 도 4는 척킹 부재의 요부 확대 사시도이고, 도 5는 척킹부재가 장착된 밀폐 커버의 배면도이다. 3 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 2. 4 is an enlarged perspective view of main parts of the chucking member, and FIG. 5 is a rear view of the sealing cover to which the chucking member is mounted.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 척킹부재(500)는 배플 플레이트(400)를 척킹하기 위해 제공된다. 척킹 부재(500)는 클램프(510)와 지지로드(520) 그리고 작동부재(530)를 포함한다. 배플 플레이트(400)는 볼트를 이용한 체결 방식이 아니라 척킹부재(500)의 클램프들(510)에 의해 파지되는 방식으로 설치된다. 3 to 5, the chucking member 500 is provided to chuck the baffle plate 400. The chucking member 500 includes a clamp 510, a support rod 520, and an operation member 530. The baffle plate 400 is installed in a manner of being gripped by the clamps 510 of the chucking member 500, not a fastening method using bolts.

클램프(510)는 배플 플레이트(400)의 양단 가장자리를 파지할 수 있도록 호 형상으로 제공된다. 클램프(510)는 배플 플레이트(400)의 가장자리 저면과 면접촉하는 저면접촉부(512)와 저면접촉부(512)로부터 수직방향으로 연장되고 배플 플레이트(400)의 측면과 면접촉하는 측면접촉부(514)를 포함한다. 클램프(510)는 L 형상 단면을 갖는다. The clamp 510 is provided in an arc shape so as to grip both edges of the baffle plate 400. The clamp 510 extends in the vertical direction from the bottom contact portion 512 and the bottom contact portion 512 in surface contact with the bottom edge of the baffle plate 400 and the side contact portion 514 in surface contact with the side surface of the baffle plate 400. It includes. Clamp 510 has an L-shaped cross section.

지지로드(520)는 클램프(510)에 연결된다. 지지로드(520)는 밀폐 커버(120)의 측벽에 관통된 형태로 제공된다. 벨로우즈(590)는 지지로드(520)의 좌우 이동시 공정 처리실(100)의 기밀 유지를 위해 제공된다. 벨로우즈(590)는 측벽 외곽으로 노출된 지지로드(520)를 감싸는 구조를 갖도록 밀폐 커버(120)의 측벽 외곽에 설치된다. The support rod 520 is connected to the clamp 510. The support rod 520 is provided in a form penetrated through the side wall of the sealing cover 120. The bellows 590 is provided to maintain the airtightness of the process chamber 100 when the support rod 520 moves left and right. The bellows 590 is installed outside the side wall of the sealing cover 120 to have a structure surrounding the support rod 520 exposed to the outside of the side wall.

작동부재(530)는 클램프(510)가 배플 플레이트(400)를 파지 또는 해제하도록 지지로드(520)를 좌우로 이동시킨다. 도 3에서 점선으로 표시된 클램프는 해제 위치로 이동된 클램프를 보여준다. 작동부재(530)는 밀폐 커버(120)의 외측면에 설치된다. 작동부재(530)는 모터, 실린더와 같은 직선 구동장치를 포함할 수 있다. 예컨대, 지지로드의 좌우 이동은 락(lock) 방식이나 용수철 등과 같은 다양한 방식이 적용될 수 있다.The operation member 530 moves the support rod 520 left and right so that the clamp 510 grips or releases the baffle plate 400. The clamp marked with dashed lines in FIG. 3 shows the clamp moved to the release position. The operation member 530 is installed on the outer surface of the sealing cover 120. The operating member 530 may include a linear driving device such as a motor and a cylinder. For example, the left and right movement of the support rod may be applied in various ways such as a lock method or a spring.

척킹 부재(500)의 클램프(510), 지지로드(520)는 도전성 재료로 제공되어 배플 플레이트(400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로, 클램프(510), 지지로드(520)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제공될 수 있다. 도시하지 않았지만, 지지로드(520)에는 접지선이 연결된다. 따라서, 배플 플레이트(400)의 전하는 클램프(510), 지지로드(520) 그리고 접지선을 통해서 그라운드로 흐르게 된다. The clamp 510 and the support rod 520 of the chucking member 500 may be provided as a conductive material and electrically connected to the baffle plate 400. For example, the clamp 510 and the support rod 520 may be provided of aluminum or an aluminum alloy. Although not shown, a ground wire is connected to the support rod 520. Therefore, the charge of the baffle plate 400 flows to the ground through the clamp 510, the support rod 520, and the ground line.

이처럼, 배플 플레이트(400)는 볼트 체결 방식에 비해 클램프(510)와의 접촉 면적이 넓을 뿐만 아니라, 배플 플레이트(400)의 저면 뿐만 아니라 배플 플레이트(400)의 측면이 클램프와 면접촉된다. 따라서, 배플 플레이트(400)에 쌓이는 전하가 클램프(510)와 지지로드(520)를 통해 외부로 원활하게 방전됨으로써 배플 플레이트(400)와 밀폐 커버(120) 사이의 아크 발생이 감소된다.As described above, the baffle plate 400 has a larger contact area with the clamp 510 than the bolt fastening method, and the side surface of the baffle plate 400 as well as the bottom surface of the baffle plate 400 is in surface contact with the clamp. Accordingly, the charge accumulated in the baffle plate 400 is discharged to the outside through the clamp 510 and the support rod 520 smoothly to reduce the occurrence of arc between the baffle plate 400 and the sealing cover 120.

상술한 실시 예에서, 기판 처리 장치는 애싱 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 기판 처리 장치는 식각 공정 또는 증착 공정을 수행하는 장치일 수 있다.In the above-described embodiment, the substrate processing apparatus has been described using an apparatus for performing an ashing process as an example. However, the substrate processing apparatus may be an apparatus for performing an etching process or a deposition process.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100 : 공정 처리실 200 : 서셉터
300 : 플라즈마 생성부재 400 : 배플 플레이트
500 : 척킹 부재100: process chamber 200: susceptor
300: plasma generating member 400: baffle plate
500: chucking member

Claims (14)

기판 처리 장치에 있어서:
공정 처리실;
상기 공정 처리실 내에 기판을 지지하는 서셉터;
상기 공정 처리실 내에 상기 서셉터와 마주보도록 위치되는 배플 플레이트; 및
상기 배플 플레이트를 척킹하는 척킹부재를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
Process chamber;
A susceptor for supporting a substrate in the process chamber;
A baffle plate positioned to face the susceptor in the process chamber; And
And a chucking member for chucking the baffle plate. 제 1 항에 있어서,
상기 척킹부재는
상기 배플 플레이트의 양단 가장자리를 파지하는 클램프들; 및
상기 클램프들 각각에 연결되고 상기 공정 처리실의 측벽에 관통된 형태로 설치되는 지지로드들을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The chucking member
Clamps gripping both edges of the baffle plate; And
And support rods connected to each of the clamps and installed through the side walls of the process chamber. 제 2 항에 있어서,
상기 지지로드는
좌우이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The support rod
The substrate processing apparatus characterized by the left-right movement. 제 2 항에 있어서,
상기 척킹부재는
상기 지지로드의 길이방향으로 상기 지지로드를 이동시키는 작동부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The chucking member
Substrate processing apparatus further comprising an operation member for moving the support rod in the longitudinal direction of the support rod. 제 4 항에 있어서,
상기 척킹부재는
상기 지지로드의 이동 동작시 상기 공정 처리실의 기밀 유지를 위해 상기 공정 처리실의 측벽에 설치되는 벨로우즈를 더 포함하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The chucking member
And a bellows installed on a side wall of the process chamber to maintain the airtightness of the process chamber during the movement of the support rod. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 클램프는 호형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 2 or 4,
The said substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 6 항에 있어서,
상기 클램프는
상기 배플 플레이트의 가장자리 저면과 면접촉하는 저면접촉부; 및
상기 저면접촉부로부터 수직방향으로 연장되고 상기 배플 플레이트의 측면과 면접촉하는 측면접촉부를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
The clamp
A bottom contact portion which is in surface contact with an edge bottom surface of the baffle plate; And
And a side contact portion extending in a vertical direction from the bottom contact portion and in surface contact with a side surface of the baffle plate. 제 2 항에 있어서,
상기 공정 처리실은
기판에 대한 처리가 이루어지는 반응공간을 제공하며, 상부가 개방된 공정 챔버; 및
상기 공정 챔버의 상단에 결합되어 상기 반응공간을 밀폐하는 밀폐 커버를 포함하고,
상기 밀폐 커버에는,
상기 지지로드가 설치되는 관통공이 형성되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The process chamber is
A process chamber which provides a reaction space in which a process is performed on the substrate, and which has an open top; And
A closed cover coupled to an upper end of the process chamber to seal the reaction space;
In the sealed cover,
Substrate processing apparatus is provided with a through hole in which the support rod is formed. 제 2 항에 있어서,
상기 클램프 및 상기 지지로드는 도전성 재료로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
And the clamp and the support rod are made of a conductive material. 기판 처리 장치는
기판에 대한 처리가 이루어지는 반응공간을 제공하며, 상부가 개방된 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 상단에 결합되어 상기 반응공간을 밀폐하는 밀폐 커버;
상기 공정 챔버의 상기 반응공간에 설치되고, 기판이 안착되는 서셉터;
상기 밀폐 커버에 설치되는 클램프들; 및
상기 클램프들에 의해 고정되는 배플 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.Substrate processing unit
A process chamber which provides a reaction space in which a process is performed on the substrate, and which has an open top;
An airtight cover coupled to an upper end of the process chamber to seal the reaction space;
A susceptor installed in the reaction space of the process chamber and having a substrate seated thereon;
Clamps installed on the sealing cover; And
And a baffle plate secured by the clamps. 제 10 항에 있어서,
상기 클램프들은
상기 배플 플레이트의 가장자리를 파지하도록 호형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
The clamps
Substrate processing apparatus, characterized in that the arc shape to hold the edge of the baffle plate. 제 10 항에 있어서,
상기 클램프들은
상기 배플 플레이트를 파지 또는 해제하기 위해 수평 방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
The clamps
And move in a horizontal direction to grip or release the baffle plate. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 클램프는
상기 배플 플레이트의 가장자리 저면과 면접촉하는 저면접촉부; 및
상기 저면접촉부로부터 수직방향으로 연장되고 상기 배플 플레이트의 측면과 면접촉하는 측면접촉부를 포함하는 기판 처리 장치.13. The method according to claim 11 or 12,
The clamp
A bottom contact portion which is in surface contact with an edge bottom surface of the baffle plate; And
And a side contact portion extending in a vertical direction from the bottom contact portion and in surface contact with a side surface of the baffle plate. 제 11 항에 있어서,
상기 클램프는 상기 밀폐 커버의 외부로부터 벨로우즈를 통하여 설치되는 지지로드에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 11,
And the clamp is connected to a support rod installed through a bellows from the outside of the hermetic cover.
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