KR100850905B1 - 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 78
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 76
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 17
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005689 Fowler Nordheim tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823475—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type interconnection or wiring or contact manufacturing related aspects
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure
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Abstract
본 발명은 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 터널링층이 표면에 증착된 반도체 나노선과 나노입자를 분산 수용액에서 분산시킨 후, 초음파에 의하여 상기 나노입자가 상기 반도체 나노선 표면에 증착된 터널링층에 흡착되도록 하여, 전하 이동 채널로 사용되는 상기 반도체 나노선과 상기 반도체 나노선과 이종인 나노입자를 전하저장층으로 구성함으로써, 전하 전송 능력이 뛰어난 나노선과 정보 저장 능력이 뛰어난 나노입자의 상호보완 작용으로 저전압에서 동작할 수 있고 동작 속도를 증가시킬 수 있는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자를 이루는 구성수단은, 비휘발성 메모리 전자소자에 있어서, 실리콘 기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하되, 표면에 원자층 증착법에 의한 터널링층이 코팅된 반도체 나노선과, 상기 터널링층을 감싸도록 형성되되, 상기 터널링층이 코팅된 나노선이 담긴 수용액에서 상기 터널링층 표면에 흡착되는 나노입자로 구성되는 전하저장층과, 상기 전하저장층을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 산화물층과, 상기 산화물층을 감싸도록 형성되되, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 실리콘 기판 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
비휘발성, 메모리, 이종결합
Description
도 1은 본 발명에 따른 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자의 단면도이다.
도 2는 상기 도 1의 "A" 부분을 확대한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자를 제조하는 공정도이다.
도 4a는 본 발명에 따라, 전하저장층으로 사용되는 나노입자가 형성된 나노선의 주사전자현미경 사진이다.
도 4b는 본 발명에 따라 제작된 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자의 평면 사진이다.
도 5는 본 발명에 따라 제작된 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자의 전기적 특성 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 기판 20 : 절연막
31 : 소스 전극 33 : 드레인 전극
35 : 게이트 전극 40 : 반도체 나노선
43 : 제1 포토레지스트 45 : 제2 포토레지스트
50 : 기억소자층 51 : 터널링층
53 : 전하저장층 55 : 산화물층
60 : 초음파 수조
본 발명은 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 터널링층이 표면에 증착된 반도체 나노선과 나노입자를 분산 수용액에서 분산시킨 후, 초음파에 의하여 상기 나노입자가 상기 반도체 나노선 표면에 증착된 터널링층에 흡착되도록 하여, 전하 이동 채널로 사용되는 상기 반도체 나노선과 상기 반도체 나노선과 이종인 나노입자를 전하저장층으로 구성함으로써, 전하 전송 능력이 뛰어난 나노선과 정보 저장 능력이 뛰어난 나노입자의 상호보완 작용으로 저전압에서 동작할 수 있고 동작 속도를 증가시킬 수 있는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 우리나라의 경제, 산업 발전을 주도하고 있는 DRAM 위주의 메모리 시장이 디지털 카메라, 휴대용 전화기 등의 mobile 사업과 IT 기술의 발달로 다양한 메모리 제품을 필요로 하고 있다.
이 중 최근 수요가 폭발적으로 늘고 있는 플래쉬 메모리 시장의 경우 매년 급성장을 하고 있으며, 향후 메모리 시장의 대부분을 차지할 것이라고 전망되고 있다. 최근 발전하는 IT기기의 성능을 뒷받침하기 위해서 현재의 플래쉬 메모리의 단점을 보완하는 정보저장 능력과 동작 속도가 우수한 저가의 차세대 비휘발성 메모리 기술에 대한 연구가 급박한 상황이다.
이는 차후 경제, 산업 발전의 성장 동력이 될 것으로 판단되며, 이러한 기술 개발을 늦춘다면 우리나라의 메모리 소자에 대한 기술은 현재의 세계 정상의 위치를 지키기 어려울 것이다. 따라서, 현재의 플래쉬 메모리 구조의 문제점을 보완한 나노선 플로팅 게이트 메모리소자의 경우 기존의 공정을 그대로 적용할 수 있어 빠른 시일 내에 상용화가 가능하다고 판단되므로 관련 연구가 조속히 이루어져야 될 것이다.
현재의 플래쉬 메모리의 경우 높은 동작 전압을 필요로 하고 있어 cell 크기가 작아질 때에 여러 문제점을 보이고 있어 크기를 줄이는 데 있어서 한계를 보이고 있다. 현재의 플래시 메모리의 경우 program/erase 전압이 10 V이상으로 CMOS 구동 전압과 비교해 볼 때 매우 크다.
이러한 이유는 program할 때는 Channel-Hot-Electron(CHE)의 주입에 의해 플로팅게이트로 전자가 이동하며, erase할 경우에는 high-field-assisted tunneling (Fowler-Nordheim tunneling)에 의해 다시 방전되어 직접 터널링할 경우(3-4V)보다 높은 전압을 요구하고 있다.
따라서 직접 터널링이 가능하고 program/erase 시간을 빠르게 하기 위하여 초박막의 산화막을 형성하여야 하는데 이러한 경우 현재 터널링 층으로 사용하고 있는 SiO2 박막의 특성이 매우 중요하다.
하지만 SiO2 박막의 많은 결함들이 누설 경로를 형성하여 플로팅 게이트의 전자가 채널로 새어나오는 것을 막기 어려운 실정이다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 터널링 층의 결함을 제거하는 것도 중요한 문제로 대두되고 있다.
한편, 현재의 플래쉬 메모리는 DRAM에 비해 집적도가 뛰어나기 때문에 대용량 저장매체로써 주목을 받고 있지만 매우 빠르게 발전하는 IT기기의 성능을 뒷받침하기 위해서 뛰어난 정보저장 능력과 낮은 전압에서도 동작 속도가 빠른 저가의 차세대 비휘발성 메모리 개발이 절박한 실정이다.
또한, 플래쉬 메모리의 용량을 늘리기 위해서는 메모리 셀의 크기를 줄여야 하는데, 셀의 크기를 줄이기 위해서는 터널링 층의 두께를 최소화해야 하며 그 두께가 작아지면 작아질수록 program/erase 전압을 낮출 수 있다.
하지만 현재의 플래시 메모리의 경우 program/erase 전압이 9~12V 정도로 CMOS 및 DRAM 구동 전압과 비교해 볼 때 매우 크다. 이렇게 큰 전압으로 여러 번의 program/erase 과정을 거치면 얇은 터널링 층이 파괴되어 플로팅 게이트의 전하가 채널로 새어나오면서 그 기능을 상실하게 된다.
또한, 기존의 플래시 메모리 소자의 전하 저장층은 필름 형태를 띠는 연속된 박막으로 구성되었다. 하지만 터널링 층의 일부분이 파괴되었을 때에는 전하 저장층에 있던 전하들이 손상된 터널링 층을 통과하여 채널로 흘러들어가면서 많은 누 설전류를 발생하였다.
program/erase 회수가 많아질수록 자연스럽게 터널링층은 많은 손상을 입게 되므로 소자를 오랫동안 사용할 수 없다는 단점이 있었다.
이러한 문제점을 막기 위해서 조금 더 두꺼운 터널링층과 산화물층을 이용하게 되는데 이는 소자의 집적도를 떨어뜨리며 높은 program/erase 전압을 필요로 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 터널링층이 표면에 증착된 반도체 나노선과 나노입자를 분산 수용액에서 분산시킨 후, 초음파에 의하여 상기 나노입자가 상기 반도체 나노선 표면에 증착된 터널링층에 흡착되도록 하여, 전하 이동 채널로 사용되는 상기 반도체 나노선과 상기 반도체 나노선과 이종인 나노입자를 전하저장층으로 구성함으로써, 전하 전송 능력이 뛰어난 나노선과 정보 저장 능력이 뛰어난 나노입자의 상호보완 작용으로 저전압에서 동작할 수 있고 동작 속도를 증가시킬 수 있는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자를 이루는 구성수단은, 비휘발성 메모리 전자소자에 있어서, 실리콘 기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하되, 표면에 원자층 증착법에 의한 터널링층이 코팅된 반도체 나노선과, 상기 터널링층을 감싸도록 형성되되, 상기 터널링층이 코팅된 나노선이 담긴 수용액에서 상기 터널링층 표면에 흡착되는 나노입자로 구성되는 전하저장층과, 상기 전하저장층을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 산화물층과, 상기 산화물층을 감싸도록 형성되되, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 실리콘 기판 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반도체 나노선 대신에 탄소나노튜브 또는 유기튜브가 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반도체 나노선은 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 나노입자는 Au, Ag, Pt, Fe, CdTe 및 HgTe 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 터널링층 및 산화물층은 Al2O3, HfO2 및 SiO2 물질 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법을 이루는 구성수단은, 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법에 있어서, 기판 상부에 성장된 반도체 나노선의 표면에 원자층 증착법을 이용하여 터널링층을 코팅하는 단계, 상기 반도체 나노선의 표면에 코팅된 터널링층에 전하저장층을 구성하는 나노입자를 흡착시키는 단계, 상기 전하저장층을 구성하는 나노입자 상에 원자층 증착법을 이용하여 산화물층을 코팅하는 단계, 반도체 기판의 상부에 HMDS(Hexamethyldisilazane)층을 도포하고, 상기 터널링층, 전하저장층 및 산화물층이 순차적으로 표면에 형성된 상기 반도체 나노선을 상기 HMDS 상에 형성시키는 단계, 상기 반도체 나노선이 형성된 HMDS층 상부에 제1 포토레지스트를 도포하고 포토 리소그래피법을 이용하여 복수개의 제1 공간부를 형성한 후, 상기 제1 공간부 및 제1 포토레지스트 상에 금속층을 적층하고 상기 제1포토레지스트 및 상기 HMDS층을 제거하여 상기 반도체 나노선 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 산화물층과 상기 소스 및 상기 드레인 전극이 형성되어 있는 기판상부에 제2 포토레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법을 이용하여 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 제2 공간부를 형성한 후, 상기 제2 공간부 및 제2 포토레지스트 상에 금속층을 적층하고, 상기 제2 포토레지스트를 제거하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반도체 나노선(nanowire) 대신에 탄소나노튜브(CNT) 또는 유기튜브를 상기 HMDS(Hexamethyldisilazane) 상에 형성시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반도체 나노선은 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반도체 나노선이 성장되는 기판은 Si 또는 Al2O3 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 터널링층 상에 상기 나노입자를 흡착시키는 단계는, 상기 성장된 나노선이 붙어있는 기판을 분산 수용액에 담근 후, 초음파를 이용하여 상기 나노선을 분산시키는 공정, 상기 나노선 분산 수용액과 나노 입자가 들어 있는 분산 수용액을 섞은 후, 초음파를 이용하여 상기 나노선에 상기 나노입자를 흡착시키는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 분산 수용액은 증류수, 에탄올, 메탄올 및 아세톤 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 터널링층 및 산화물층은 Al2O3, HfO2 및 SiO2 물질 중 어느 하나를 원자층 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 터널링층 및 산화물층을 Al2O3로 형성하는 경우, 전구체로는 TMA(Trimethylaluminum)와 H2O가 사용되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 터널링층은 5㎚ ~ 30㎚ 사이의 두께인 것을 특징으로 하고, 상기 산화물층은 10㎚ ~ 40㎚ 사이의 두께인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 구성수단으로 이루어져 있는 본 발명인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자의 단면도이고, 도 2는 도 1의 "A" 부분에 대한 확대도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자는 실리콘 기판(10) 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극(31, 33)과, 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33) 사이를 연결하는 반도체 나노선(40)과, 상기 반도체 나노선(40)을 연속해서 감싸도록 형성되는 터널링층(51), 전하저장층(53) 및 산화물층(55)으로 구성된 실린더 형태의 기억소자층(50) 및 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33) 사이에 형성되는 게이트 전극(35)을 포함하여 이루어진다.
상기 실리콘 기판(10) 상부에 형성되는 소스 및 드레인 전극(31, 33)은 포토리소그래피 공정에 의하여 형성되고, 그 사이에는 상기 반도체 나노선(40)이 부양된 상태로 존재한다. 즉, 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33)을 상기 반도체 나노선(40)이 연결하되, 상기 반도체 나노선(40)은 상기 실리콘 기판(10)으로부터 부양된 상태로 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33)을 연결한다.
상기 실리콘 기판(10)과 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33) 사이에는 절연막으로 사용되는 SiO2가 더 포함될 수 있다. 한편, 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33) 사이에 부양된 상태로 존재하는 반도체 나노선(40)은 탄소나노튜브 또는 유기튜브로 대체될 수 있다. 즉, 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33)을 부양된 상태로 연결하는 물질은 반도체 나노선, 탄소나노튜브 및 유기 튜브 중 어느 하나가 해당 될 것이다. 이와 같은 반도체 나노선 등은 본 발명인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자에서 전하 이동 채널로 사용된다.
상기 반도체 나노선은 비휘발성 메모리 전자소자에서 채널로 사용되는데, 이는 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 반도체 나노선(40)의 둘레에는 기억소자층(50)이 형성된다. 상기 기억소자층(50)은 전하가 통과할 수 있게 하는 터널링층(51)과, 전하를 저장할 수 있는 전하저장층(53) 및 외부 전하의 출입을 막을 수 있는 산화물층(55)으로 구성된다.
상기 터널링층(51)은 상기 반도체 나노선(40)을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법으로 형성된다. 그리고, 상기 산화물층(55)은 상기 전하저장층(53)을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법으로 형성된다. 상기 터널링층(51)과 산화물층(55)은 Al2O3, HfO2 및 SiO2 물질 중 어느 하나가 증착되어 형성된다.
한편, 상기 터널링층(51)과 산화물층(55) 사이에 형성되는 상기 전하저장층(53)은 상기 터널링층(51)을 감싸도록 형성되되, 나노입자가 상기 터널링층(51) 표면에 흡착되도록 하여 형성된다.
상기 전하 저장층(53)을 구성하는 나노입자는 상기 터널링층(51) 표면에 흡착되어 형성된다. 상기 나노입자를 상기 터널링층(51) 표면에 흡착되도록 하기 위해서는 초음파를 이용한다. 즉, 상기 터널링층(51)이 표면에 흡착된 나노선을 분산 수용액에 분산시키고, 상기 나노입자도 분산 수용액에 분산시킨 후, 상기 나노선이 포함된 분산 수용액과 상기 나노입자가 포함된 분산 수용액을 초음파 수조 안에 섞은 후에, 초음파를 가한다. 그러면, 상기 나노선 표면에 증착된 터널링층(51) 표면에 상기 나노입자가 흡착된다.
상기 나노선 표면에 증착된 터널링층(51) 표면에 흡착되는 상기 나노입자는 Au, Ag, Pt, Fe, CdTe 및 HgTe 중 어느 하나의 성분으로 이루어진다. 즉, 상기 나노 입자는 상기 반도체 나노선과 이종 금속으로 이루어져 있고, 이와 같은 나노 입자는 전하를 저장하는 역할을 수행한다.
상기와 같이, 반도체 나노선(40)의 표면에는 순차적으로 터널링층(51), 전하저장층(53) 및 상기 산화물층(55)이 연속해서 형성되고, 상기 터널링층(51), 전하저장층(53) 및 산화물층(55)이 표면에 형성된 상기 반도체 나노선(40)은 실린더 형태를 가지게 된다.
한편, 상기 산화물층(55)을 감싸면서 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33) 사이의 실리콘 기판 상부면에는 게이트 전극(35)이 형성된다. 상기 게이트 전극(35)은 실린더 형태 또는 상기 기억소자층(50)을 감싸는 형태로 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33) 사이에 형성된다.
다음은, 첨부된 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 본 발명에 따른 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자의 제조 공정에 대하여 설명한다.
먼저, 기판 상부에 반도체 나노선을 성장시킨다. 이와 같이 기판 상부에 반도체 나노선을 성장시키는 것은 기존의 방법 중 어느 하나를 따른다. 단, 상기 반 도체 나노선이 성장되는 기판은 Si 또는 Al2O3 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기와 같이 기판 상에 반도체 나노선을 성장시킨 후에는 상기 성장된 반도체 나노선 표면에 원자층 증착법을 이용하여 터널링층(51)을 증착시킨다.
상기 터널링층(51)은 알루미나(Al2O3), HfO2 및 SiO2 물질 중 어느 하나를 이용하여 원자층 증착법에 의하여 형성된다. 이 상태에서 상기 터널링층(51)이 외면에 증착된 상기 반도체 나노선(40)은 실린더 형태를 가진다.
상기와 같이 원자층 증착법에 의하여 상기 터널링층(51)을 형성할 때, 알루미나(Al2O3)를 이용하여 상기 터널링층(51)을 형성하는 경우에는, 알루미나를 구성하는 알루미늄(Al)과 산소(O)의 전구체로 TMA(Trimethylaluminum)와 H2O를 이용한다.
상기 알루미나를 증착하여 상기 터널링층(51)을 형성하는 공정은 250℃ ~ 300℃에서 100 ~ 200 싸이클 동안 코팅과정이 이루어지도록 하며, 원자층증착법(ALD)의 자기제어 메카니즘에 의해서 반도체 나노선(40) 상부에 알루미나가 5nm ~ 30nm 정도의 두께로 균일하게 증착되도록 한다.
상기와 같은 공정에 의하여, 반도체 나노선(40) 표면에 터널링층(51)을 증착한 후에는, 상기 반도체 나노선(40)의 표면에 코팅된 터널링층(51)에 전하저장층(53)을 구성하는 나노입자를 흡착시키는 공정을 진행한다.
상기 터널링층(51) 상에 상기 나노입자를 흡착시키는 공정은 도 3a에 도시된 바와 같다. 즉, 상기 성장된 반도체 나노선(40)이 붙어있는 기판(40a)을 분산 수용 액에 담근 후, 초음파를 이용하여 상기 반도체 나노선(40)을 분산시킨다. 이 때, 상기 반도체 나노선(40)의 표면에는 상술한 바와 같이 터널링층(51)이 증착되어 있다.
그리고, 상기 터널링층(51) 표면에 흡착될 나노입자(53)를 분산 수용액에 담근 후 초음파를 이용하여 분산시킨다. 상기 나노입자(53)는 전하저장층으로 사용된다. 그런 후, 상기 나노선 분산 수용액과 상기 나노입자 분산 수용액을 초음파 수조에서 섞은 후, 초음파를 이용하여 상기 나노선에 상기 나노입자가 흡착되도록 한다. 상기 나노선 및 나노입자를 분산시키는 분산 수용액은 증류수, 에탄올, 메탄올 및 아세톤 중 어느 하나로 이루어진 것이 바람직하다.
상기와 같은 공정에 의하여, 상기 나노선 표면에 증착된 터널링층(51) 표면에 나노입자를 흡착시킨 후에는, 상기 나노선만을 분리한다. 그러면, 도 3b에 도시된 바와 같이, 터널링층(51)과 나노입자로 구성된 전하저장층(53)이 순서대로 형성된 반도체 나노선(40)을 얻을 수 있다. 상기 도 3b에 도시된 반도체 나노선은 분리된 수많은 나노선들 중에 하나를 도시한 것이다. 상기 나노입자가 흡착된 반도체 나노선의 투과전자현미경 사진은 도 4a에 도시된 바와 같다.
그런 다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 전하저장층(53)을 감싸도록 산화물층(55)을 형성시킨다.
상기 산화물층(55)은 알루미나(Al2O3), HfO2 및 SiO2 물질 중 어느 하나를 이용하여 원자층 증착법에 의하여 형성된다. 이 상태에서 상기 터널링층(51), 전하저 장층(53) 및 산화물층(55)이 외면에 증착된 상기 반도체 나노선(40)은 실린더 형태를 가진다.
상기와 같이 원자층 증착법에 의하여 상기 산화물층(55)을 형성할 때, 알루미나(Al2O3)를 이용하여 상기 산화물층(55)을 형성하는 경우에는, 알루미나를 구성하는 알루미늄(Al)과 산소(O)의 전구체로 TMA(Trimethylaluminum)와 H2O를 이용한다.
상기 알루미나를 증착하여 상기 산화물층(55)을 형성하는 공정은 250℃ ~ 300℃에서 200 ~ 400 싸이클 동안 코팅과정이 이루어지도록 하며, 원자층증착법(ALD)의 자기제어 메카니즘에 의해서 전하 저장층(53) 상부에 알루미나가 10nm ~ 40nm 정도의 두께로 균일하게 증착되도록 한다.
상술한 공정들에 의하여, 반도체 나노선(40) 표면에 터널링층(51), 전하저장층(53) 및 산화물층(55)을 순차적으로 형성한 후에는, 도 3d에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(10) 상부에 제1 포토레지스트(43)의 접착력을 높이기 위하여 HMDS(Hexamethyldisilazane;21)막을 형성하고 반도체 나노선(nanowire,40)을 HMDS막 상부에 뿌린 다음 제1 포토레지스트(43)를 도포하고 노광 및 현상 과정을 거쳐 수um 내지 수십nm 정도의 폭이 되도록 전극부분용 레지스트패턴을 나노선 주위에 형성한다. 즉, 포토리소그래피법을 이용하여 후술할 소스 및 드레인 전극이 형성될 제1 공간부(미도시)를 형성시킨다. 한편, 상기 실리콘 기판(10)과 상기 HMDS막(21) 사이에는 SiO2 절연막(20)을 더 형성시킬 수 있다.
여기서 상기 반도체 나노선(40)이 상기 HMDS(Hexamethyldisilazane;21)막 상에 형성되는데, 경우에 따라서는 상기 반도체 나노선 대신에 탄소나노튜브 또는 유기 튜브가 상기 HMDS(Hexamethyldisilazane;21)막 상에 형성될 수 있다. 상기 반도체 나노선(40)은 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것이 바람직하다. 그리고, 상기 반도체 나노선(40)은 열 증발법에 의하여 실리콘 기판 상에서 성장시켜 얻어질 수 있다.
그런 다음, 상기 제1 공간부 및 제1 포토레지스트(43) 상에 금속층을 적층한 후, 상기 제1 포토레지스트(43) 및 상기 HMDS(Hexamethyldisilazane;21)막을 제거한다. 그러면, 도 3e에 도시된 바와 같이, 표면에 터널링층(51), 전하저장층(53) 및 산화물층(55)이 순차적으로 형성된 반도체 나노선(40) 양단에 소스 전극(31)과 드레인 전극(33)이 형성된다. 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33)을 형성시키는 금속층은 티타늄(Ti) 금(Au)이 순차적으로 적층되어 형성된다.
상기와 같이, 상기 반도체 나노선(40) 양단에 소스 전극(31)과 드레인 전극(33)을 형성한 후에는, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 기억소자층(50)과 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33)이 형성되어 있는 실리콘 기판(10) 상부에 제2 포토레지스트(45)를 도포하고, 포토리소그래피법을 이용하여 상기 소스 및 드레인 전극(31, 33) 사이에 후술할 게이트 전극(35)이 형성될 제2 공간부(미도시)를 형성시킨다.
그런 후, 상기 제2 공간부 및 상기 제2 포토레지스트(45) 상에 금속층을 적 층하고 상기 제2 포토레지스트(45)를 제거하면, 도 3g에 도시된 바와 같이 상기 소스 드레인 전극(31, 33) 사이에 게이트 전극(35)이 형성된다. 상기 게이트 전극(35)을 형성시키는 금속층은 티타늄(Ti) 금(Au)이 순차적으로 적층되어 형성된다.
도 4b는 상기와 같은 공정에 따라 제작된 본 발명인 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자의 평면 사진이다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 소오스 및 드레인 전극(31, 33) 사이에 나노선(40)이 형성되고, 상기 소오스 및 드레인 전극(31, 33) 사이에 게이트 전극(35)이 형성되어 있다. 상기 나노선(40) 표면에는 순차적으로 터널링층(51), 상기 나노선(40)과 이종인 나노입자로 구성된 전하저장층(53) 및 산화물층(55)이 증착 형성된다.
다음은 첨부된 도 5를 통하여 도 3a 내지 도 3g의 과정에 의하여 만들어진 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자에 대한 전기적 특성을 설명한다.
상기 도 5의 상부 그림은 드레인-소스 간의 전압에 따른 전류의 변화를 게이트 전압을 변화시키면서 조사한 그림이고, 상기 도 5의 하부 그림은 게이트 전압의 변화에 따른 전류의 변화에서 전압을 가해주는 방향에 따라 전류값이 달라지는 모습을 보여 메모리 효과를 보여준다.
상기와 같은 구성 및 바람직한 실시예를 가지는 본 발명인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 의하면, 터널링층이 표면에 증착된 반도체 나노선과 나노입자를 분산 수용액에서 분산시킨 후, 초음파에 의하여 상기 나노입자가 상기 반도체 나노선 표면에 증착된 터널링층에 흡착되도록 하여, 전하 이동 채널로 사용되는 상기 반도체 나노선과 상기 반도체 나노선과 이종인 나노입자를 전하저장층으로 구성하기 때문에, 전하 전송 능력이 뛰어난 나노선과 정보 저장 능력이 뛰어난 나노입자의 상호보완 작용으로 저전압에서 동작할 수 있고 동작 속도를 증가시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 나노선을 전하의 이동 채널로 이용하여 전자의 전송 능력을 극대화하며, 나노입자를 전하저장층으로 사용하여 손상된 터널링 층으로 흘러가는 누설 전류를 줄이면서 동작 전압을 낮추고 빠른 동작 속도를 갖도록 하는 효과를 가진다.
Claims (15)
- 비휘발성 메모리 전자소자에 있어서,실리콘 기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극과;상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하되, 표면에 원자층 증착법에 의한 터널링층이 코팅된 반도체 나노선과;상기 터널링층을 감싸도록 형성되되, 상기 터널링층이 코팅된 나노선이 담긴 수용액에서 상기 터널링층 표면에 흡착되는 나노입자로 구성되는 전하저장층과;상기 전하저장층을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 산화물층과;상기 산화물층을 감싸도록 형성되되, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 실리콘 기판 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 반도체 나노선 대신에 탄소나노튜브 또는 유기튜브가 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 반도체 나노선은 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 나노입자는 Au, Ag, Pt, Fe, CdTe 및 HgTe 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 터널링층 및 산화물층은 Al2O3, HfO2 및 SiO2 물질 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자.
- 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법에 있어서,기판 상부에 성장된 반도체 나노선의 표면에 원자층 증착법을 이용하여 터널링층을 코팅하는 단계;상기 반도체 나노선의 표면에 코팅된 터널링층에 전하저장층을 구성하는 나노입자를 흡착시키는 단계;상기 전하저장층을 구성하는 나노입자 상에 원자층 증착법을 이용하여 산화물층을 코팅하는 단계;반도체 기판의 상부에 HMDS(Hexamethyldisilazane)층을 도포하고, 상기 터널링층, 전하저장층 및 산화물층이 순차적으로 표면에 형성된 상기 반도체 나노선을 상기 HMDS 상에 형성시키는 단계;상기 반도체 나노선이 형성된 HMDS층 상부에 제1 포토레지스트를 도포하고 포토 리소그래피법을 이용하여 복수개의 제1 공간부를 형성한 후, 상기 제1 공간부 및 제1 포토레지스트 상에 금속층을 적층하고 상기 제1포토레지스트 및 상기 HMDS층을 제거하여 상기 반도체 나노선 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 산화물층과 상기 소스 및 상기 드레인 전극이 형성되어 있는 기판상부에 제2 포토레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법을 이용하여 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 제2 공간부를 형성한 후, 상기 제2 공간부 및 제2 포토레지스트 상에 금속층을 적층하고, 상기 제2 포토레지스트를 제거하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 반도체 나노선(nanowire) 대신에 탄소나노튜브(CNT) 또는 유기튜브를 상기 HMDS(Hexamethyldisilazane) 상에 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 반도체 나노선은 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 8에 있어서,상기 반도체 나노선이 성장되는 기판은 Si 또는 Al2O3 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 6에 있어서, 상기 터널링층 상에 상기 나노입자를 흡착시키는 단계 는,상기 성장된 나노선이 붙어있는 기판을 분산 수용액에 담근 후, 초음파를 이용하여 상기 나노선을 분산시키는 공정, 상기 나노선 분산 수용액과 나노 입자가 들어 있는 분산 수용액을 섞은 후, 초음파를 이용하여 상기 나노선에 상기 나노입자를 흡착시키는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 분산 수용액은 증류수, 에탄올, 메탄올 및 아세톤 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 터널링층 및 산화물층은 Al2O3, HfO2 및 SiO2 물질 중 어느 하나를 원자층 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 터널링층 및 산화물층을 Al2O3로 형성하는 경우, 전구체로는 TMA(Trimethylaluminum)와 H2O가 사용되는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 터널링층은 5㎚ ~ 30㎚ 사이의 두께인 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 산화물층은 10㎚ ~ 40㎚ 사이의 두께인 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070018271A KR100850905B1 (ko) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및그 제조방법 |
| GBGB0801494.6A GB0801494D0 (en) | 2007-02-23 | 2008-01-28 | Nonvolatile memory electronic device using nanowire used as charge channel and nanoparticles used as charge trap and method for manufacturing the same |
| GB0802436A GB2446930B (en) | 2007-02-23 | 2008-02-11 | Nonvolatile memory electronic device composed of nanowire channel and nanoparticles-floating gate nodes |
| US12/029,528 US8815683B2 (en) | 2007-02-23 | 2008-02-12 | Nonvolatile memory electronic device including nanowire channel and nanoparticle-floating gate nodes and a method for fabricating the same |
| JP2008032320A JP5553478B2 (ja) | 2007-02-23 | 2008-02-13 | ナノワイヤーチャンネルとナノ粒子―フローティングゲートノードを具備した非揮発性メモリ電子素子及びその製造方法 |
| DE102008009365.3A DE102008009365B4 (de) | 2007-02-23 | 2008-02-14 | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit nichtflüchtigem Speicher unter Verwendung von Nanodraht als Ladungskanal und Nanoteilchen als Ladungsfalle |
| CN2008100072521A CN101252148B (zh) | 2007-02-23 | 2008-02-20 | 非易失性电子存储器件及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070018271A KR100850905B1 (ko) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100850905B1 true KR100850905B1 (ko) | 2008-08-07 |
Family
ID=39881342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070018271A KR100850905B1 (ko) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 나노선나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100850905B1 (ko) |
| CN (1) | CN101252148B (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20210156573A (ko) | 2020-06-18 | 2021-12-27 | 국민대학교산학협력단 | Cnt를 포함하는 비휘발성 메모리 소자, cnt를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 웨어러블 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5544796B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2014-07-09 | ソニー株式会社 | ３端子型電子デバイス及び２端子型電子デバイス |
| US8642996B2 (en) | 2011-04-18 | 2014-02-04 | International Business Machines Corporation | Graphene nanoribbons and carbon nanotubes fabricated from SiC fins or nanowire templates |
| CN104011868B (zh) * | 2011-12-19 | 2017-02-15 | 英特尔公司 | Ⅲ族‑n纳米线晶体管 |
| CN103681939A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-03-26 | 浙江大学 | 一种氮化硼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管及其制造方法 |
| CN103681940A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-03-26 | 浙江大学 | 一种二硫化钼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管及其制造方法 |
| CN103646949B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-06-01 | 上海华力微电子有限公司 | 浮栅晶体管阵列及其制备方法 |
| CN103824937B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-10-26 | 合肥工业大学 | 一种高速纳米两端非易失性存储器及其制备方法 |
| US9812545B2 (en) * | 2014-10-30 | 2017-11-07 | City University Of Hong Kong | Electronic device for data storage and a method of producing an electronic device for data storage |
| US9406765B1 (en) * | 2015-07-29 | 2016-08-02 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Hybrid dielectric non-volatile memory with nano particles (Si/SiO2 core/shell) as charge trapping layer |
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| CN108122999B (zh) * | 2016-11-29 | 2019-10-22 | 中国科学院金属研究所 | 基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法 |
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-
2007
- 2007-02-23 KR KR1020070018271A patent/KR100850905B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-02-20 CN CN2008100072521A patent/CN101252148B/zh not_active Expired - Fee Related
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| KR20210156573A (ko) | 2020-06-18 | 2021-12-27 | 국민대학교산학협력단 | Cnt를 포함하는 비휘발성 메모리 소자, cnt를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 웨어러블 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101252148B (zh) | 2011-08-17 |
| CN101252148A (zh) | 2008-08-27 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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|
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