CN101252148B - 非易失性电子存储器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及非易失性(nonvolatile memory)电子器件(electronic device)及其制作方法，使纳米粒子(nanoparticle)吸附到纳米线表面上的穿隧层上，在该纳米线(nanowire)表面沉积有穿隧层(Tunneling layer)。而且，通过构成使用为电荷迁移通道(charge transport channel)的半导体(semiconductor)纳米线和使用为电荷陷入层(charge trapping layer)半导体纳米粒子，使得经由纳米线转移的电荷通过栅压(gate)穿隧至纳米粒子上，再根据栅压变化从纳米粒子穿隧至纳米线上。本发明涉及根据如上所述的纳米线和纳米粒子的特点采用能够以低电压运行并且能够加快运行速度的纳米线和纳米粒子的非易失性电子存储器件及其制作方法。
Description
技术领域
本发明是关于非易失性电子存储器件及其制作方法，具体是关于用纳米线和纳米粒子制作而成的非易失性电子存储器件及其制作方法。其中，纳米线表面涂有穿隧层，使纳米粒子吸附于上述纳米线表面的穿隧层上，从而构成具有电荷迁移通道作用的上述半导体纳米线，以及具有电荷陷入层作用的上述半导体纳米粒子。通过纳米线转移的电荷，根据栅压穿隧至纳米粒子上，再根据栅压变化从纳米粒子穿隧至纳米线上，从而在低电压状态下既可以运行也能够加速运行。
背景技术
在半导体领域，以主导经济、产业发展的DRAM为主的存储器市场，随着数码相机、手机等移动通信业务以及IT技术的发展，需要更多的存储器产品。
尤其是闪存(快闪存储器)市场，近年来随着其需求量的增加而逐年保持增长势头，不久之后将占据大部分存储器市场。为了保证近年来发展神速的IT设备性能，当务之急，应提高弥补闪存缺点的信息储存能力，同时要对运行速度良好的低价位、下一代非易失性存储器技术进行研究。
它将成为今后经济、产业发展的成长动力，如果我们放慢这类技术的开发速度，便难以满足国际需求。解决当前闪存结构问题的纳米线浮栅存储器件，直接采用现有工艺，短期内即可实现商用，因此应尽早开展相关研究。
当前的闪存产品需要高工作电压，当cell大小变小时引发诸多问题，在调整大小方面有其局限性。目前，闪存的program/erase电压在10V以上，高于CMOS驱动电压。
因为在program时由于应用Channel-Hot-Electron(CHE)而电子移向浮栅(floating gate)，erase时根据high-field-assisted tunneling(Fowler-Nordheim tunneling)而再次放电，电压要求高于直接穿隧时(3-4V)的电压。
于是，为了做到直接穿隧的同时要加快program/erase速度，就要形成超薄氧化膜，而此时作为穿隧层的SiO2薄膜的特点极为重要。
实际上，SiO2薄膜的缺陷形成了漏电路径，所以很难防止浮栅的漏电。要解决这些问题，最重要的是解决穿隧层的缺陷问题。
目前，闪存的集成度优于DRAM，作为大容量存储媒介，闪存产品备受瞩目，但是要保证发展神速的IT设备性能，当务之急，要开发出具有卓越的信息储存能力以及在低电压状态下也能快速运行的低价位、下一代非易失性存储器。
为了增加闪存容量，应缩小存储单元的大小，为此要使穿隧层的厚度最小化，因为厚度越小，program/erase电压越低。
然而，目前闪存的program/erase电压为9～12V左右，远远超过了CMOS以及DRAM驱动电压。在如此高的电压之下，经过几次program/erase，即可破坏本就很薄的穿隧层，使浮栅的电荷外漏至通道，从而丧失其应有的功能。
现有闪存器件的电荷陷入层由不间断薄膜构成。当部分穿隧层被破坏时，电荷陷入层中的电荷会通过受损的穿隧层流入通道，至此产生很多漏电流。
program/erase次数越多，穿隧层的受损越严重，致使器件的使用寿命缩短。
为了解决这些问题，通常会形成更厚的穿隧层和绝缘层，但是这样会降低器件的集成度，同时program/erase也需要高电压。
发明内容
本发明的目的是解决前述的现有存储器上存在的问题，同时提供纳米线-纳米粒子电子存储器件及其制作方法。在包覆纳米线的穿隧层表面形成包覆上述纳米线和穿隧层的纳米粒子，从而构成纳米线-纳米粒子存储器件。此时，利用纳米线缩小用于转移电荷的通道，提高集成度，同时采用电荷转移能力高的纳米线，加强通道特性。另外，将纳米粒子作为电荷陷入层使用，使器件在低栅压之下也能够转移，同时减少穿隧层及绝缘层厚度，提高器件的集成度。
本发明的目的是提供纳米线-纳米粒子电子存储器件及其制作方法。将非易失性存储器件的门电路结构，从现有的一维平面(plannar)结构改成top(顶介)、omega(底介)、圆柱形(cylindrical)等结构，根据门电路结构的变化，使器件的on/off特性、subthreshol d swing(亚阈值摆幅)效应及移动性(mobility)最大化，使其具有更快速的运行特性及低电压，同时将器件的制作工艺改为bottom-up(自底向上)方式，这种制作工艺比现有的top-down(自上而下)方式更简单，制作费用也低。
【发明的构成】
为了达到前述目的，本发明的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件，其特征具体如下：
具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件包括：设置在基片上方的源极与漏极；使上述源极与漏极悬浮于上述基片上方或者吸附在上述基片上的半导体纳米线合成体；包覆上述纳米线合成体，并设置在上述源极与漏极之间的基片上方的栅电极。
其中，上述半导体纳米线合成体包括：半导体纳米线；在上述半导体纳米线表面形成的穿隧层；由以包覆上述穿隧层表面的方式被吸附的纳米粒子构成的电荷陷入层；以及在上述电荷陷入层表面形成的绝缘层。
而且，用纳米碳管或有机管替代上述半导体纳米线。
同时，上述半导体纳米线是从Si、Ge、GaN、BN、InP、GaAs、GaP、Si3N4、SiO2、SiC、ZnO、Ga2O3中任选的一种成分或由其混合物构成的群集中选择。
上述纳米粒子是从HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、PbTe、PbSe、PbS、Ag、Au、Pt、Co、W、Ni、Fe中任选的一种成分。
上述纳米粒子还具有核壳结构。其中，核是从HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、ZnO、PbTe、PbSe、PbS、Ag、Au、Pt、Ti、Co、W、Ni、Fe中任选的一种成分；壳是在上述核表面，由SiO2氧化物或TiO2氧化物，或者能隙大于核的半导体纳米粒子组成。
上述穿隧层以及绝缘层是从Al2O3、HfO2、SiO2、MgO、ZrO2、BaO、SrTiO3、La2O3、HfSiO4、ZrSiO4、CaO、LaAlO3、SrO、CaO以及有机绝缘材料中任选的一种材料组成。
本发明的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是包括以下几个过程：
形成半导体纳米线合成体，
其中上述半导体纳米线合成体通过以下几个过程形成：
采用溅射、CVD以及原子层沉积法中的一个方法，在半导体纳米线表面形成穿隧层；
在上述穿隧层表面形成电荷陷入层的纳米粒子吸附过程；
通过原子层沉积法在上述纳米粒子表面形成绝缘层，
或者，上述半导体纳米线合成体通过以下几个过程形成：
将核壳结构的纳米粒子吸附到半导体纳米线表面；
采用溅射、CVD以及原子层沉积法中的一个方法，在上述核壳结构的纳米粒子表面形成绝缘层；
采用光刻法或电子束光刻方式在纳米线中央形成栅电极；
将上述半导体纳米线合成体或栅电极结构的试剂涂在被覆以SiO2的硅半导体基片、玻璃基片和塑料基片中的任一基片上；
在上述一基片上，采用光刻法或电子束光刻方式，在上述半导体纳米线两端形成源极和漏极。
本发明另一个实施例的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是包括以下几个过程：在硅、半导体、玻璃以及塑料基片中的一个基片上涂一层HMDS(Hexamethyldisilaz ane)，并在上述HMDS层上设置半导体纳米线；在具有上述半导体纳米线的HMDS层上部的上述半导体纳米线两端形成源极和漏极；采用原子层沉积法、溅射、CVD中的一个方法形成包覆上述半导体纳米线的穿隧层；包覆上述穿隧层，并在上述穿隧层表面粘附与上述半导体纳米线不同成分的金属纳米粒子，从而形成电荷陷入层；采用原子层沉积法、溅射、CVD中的一个方法，在上述电荷陷入层表面形成绝缘层；在上述源极和漏极之间的上述绝缘层上设置栅电极。
其中，上述半导体纳米线是通过热蒸发方式在基片上生长而成。
而且，上述半导体纳米线是对半导体基片进行蚀刻而成的。
另外，上述电荷陷入层的形成包括以下几个过程：通过热沉积方式，在上述穿隧层表面涂一层金属纳米薄膜；用快速热处理机(RTA)对上述金属纳米薄膜进行加热，从而形成金属纳米粒子。
上述金属纳米薄膜的涂层厚度为2～10nm之间。
上述金属纳米粒子是在250℃～450℃温度下对上述金属纳米薄膜进行加热而成的，加热时间为5-30秒之间。
本发明另一个实施例的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是包括以下几个过程：采用原子层沉积法、溅射、CVD中的一个方法，在生长在半导体、玻璃以及塑料基片中的一个基片上的半导体纳米线表面形成穿隧层；将作为电荷陷入层的纳米粒子吸附在上述半导体纳米线表面的穿隧层上；采用原子层沉积法、溅射、CVD中的一个方法，在形成上述电荷陷入层的纳米粒子表面形成绝缘层；在半导体、玻璃以及塑料基片中的一个基片上涂一层HMDS(Hexamethyldisilazane)，并在上述HMDS层表面设置依次形成上述穿隧层、电荷陷入层以及绝缘层的上述半导体纳米线；在具有上述半导体纳米线的HMDS层上部的上述半导体纳米线两端形成源极和漏极；在上述源极和漏极之间的上述绝缘层上设置栅电极。
其中，上述半导体纳米线是在由Si或Al2O3物质构成的基片上生长而成的。
而且，上述纳米粒子的吸附包括以下几个过程：将具有上述纳米线的基片浸泡在分散水溶液中，利用超声波对上述纳米线进行分散；对上述纳米线分散水溶液与含纳米粒子的分散水溶液进行混合；利用超声波，将上述纳米粒子吸附到上述纳米线表面。
其中，上述分散水溶液是从蒸馏水、乙醇、甲醇以及丙酮中任选的一种。
另外，上述纳米粒子的吸附是将上述半导体纳米线浸泡在含有纳米粒子的溶液中，从而吸附纳米粒子。
吸附上述纳米粒子的过程是，采用LPCVD方法，在上述半导体纳米线表面沉积Si层后，用湿刻技术(wet etching)生成多晶硅(poly-Si)纳米粒子。
上述源极与漏极的形成包括以下几个过程：涂布第一光刻胶，利用光刻法形成多个第一空隙；在上述第一空隙及第一光刻胶上沉积金属层，清除上述第一光刻胶与上述HMDS层，从而在上述半导体纳米线两端形成源极和漏极。
上述穿隧层与绝缘层是通过原子层沉积法，从Al2O3、HfO2、SiO2中任选一种物质来形成的。
其中，上述穿隧层与绝缘层用Al2O3形成，构成Al2O3的Al和O的初级粒子则采用三甲基铝和H2O。
上述穿隧层厚度为5～30nm之间。
上述绝缘层厚度为10～60nm之间。
上述半导体纳米线是采用纳米碳管(CNT)或有机管替代上述半导体纳米线。
另外，上述栅电极的形成包括以下几个过程：将第二光刻胶涂在上述绝缘层和具有上述源极与漏极的基片上，利用光刻法在上述源极与漏极之间形成第二空隙；在上述第二空隙与第二光刻胶上沉积金属层，清除上述第二光刻胶，从而形成栅电极。
附图说明
图1是本发明纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件的概念图。
图2是本发明最佳实施例的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件截面图。
图3是对上述图2中“A”部分进行放大的截面图。
图4是根据本发明的最佳实施例，涂于各种纳米线表面的圆柱形Al2O3氧化膜的透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope：TEM)照片。
图5是根据本发明的实施例，HgTe纳米粒子吸附于ZnO纳米线表面绝缘层的透射电子显微镜(TEM)结构图。
图6是根据本发明的实施例，采用core-shell(核壳)结构的纳米粒子形成的半导体纳米线合成体截面图。
图7a～图7g是本发明第二实施例的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件制作工艺图。
图8a是根据本发明的第二实施例，由具有绝缘层(即电荷通道层)的纳米线，以及吸附在上述纳米线上的纳米粒子(即电荷陷入层)组成的纳米线-绝缘材料-纳米粒子结构的透射电子显示镜(TEM)照片。
图8b是根据本发明的第二实施例制作而成的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件平面照片。
图9是根据本发明的第二实施例制作而成的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件的电气特性曲线图。
图10a～图10g是本发明第三实施例的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件制作工艺图。
图11是根据本发明的第三实施例，通过超声波处理吸附Au纳米粒子的Si纳米线TEM照片。
图12是根据本发明的第三实施例，用混合液吸附CdTe纳米粒子的ZnO纳米线TEM照片。
图13是根据本发明的第三实施例，用化学蚀刻法对硅层进行蚀刻形成的poly-Si(多晶硅)层沉积在ZnO纳米线表面的扫描电子显微镜(scanning Electron Microscope：SEM)照片。
图14是本发明第三实施例的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件的电气特性曲线图。
*附图主要部分的符号说明*
10：基片 20：绝缘膜
31：源极 33：漏极
35：栅电极 40：半导体纳米线合成体
41：半导体纳米线 42：穿隧层
43：电荷陷入层 44：绝缘层
51，53：第一光刻胶(photoresist) 52，54：第二光刻胶
60：超声波水槽
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明的内容及效果进行详细说明。
图1是本发明纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件的概念图，图2是本发明最佳实施例的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件截面图，图3是对上述图2中“A”部分进行放大的截面图。
从图1～图3来看，本发明的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件，其结构如下：源极与漏极31、33，设置在半导体、玻璃或塑料基片10上方；半导体纳米线合成体40，使上述源极与漏极31、33悬浮于上述半导体、玻璃或塑料基片10上方，或者吸附在上述基片上部；栅电极35，包覆上述纳米线合成体40，设置在上述源极与漏极31、33之间以及硅基片10上方。
其中，上述纳米线合成体40由半导体纳米线41；包覆上述半导体纳米线41的穿隧层42；吸附于上述穿隧层42表面的纳米粒子构成，也包括包覆上述穿隧层的电荷陷入层43，以及包覆上述电荷陷入层43的绝缘层44。
下面结合实施例对本发明的制作方法进行详细说明。
<实施例1>
本发明第一实施例的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件的制作方法，实施以下几个过程：形成半导体纳米线合成体；利用光刻法(photolithography)或电子束光刻(e-beam lithography)方式，在上述半导体纳米线合成体的纳米线中央设置栅电极；将具有上述纳米线合成体/栅电极结构的试剂涂在具有SiO2的硅基片、半导体基片、玻璃及塑料基片上；在上述基片上方，利用光刻法或电子束光刻方式，在上述纳米线两端设置源极和漏极。
其中，半导体纳米线合成体的形成又包括以下几个过程：利用以原子层沉积法涂在半导体纳米线表面的绝缘材料(insulating material)、有机绝缘材料(organic insulating material)以及用溅射(sputter)、Chemical vapor deposition(CVD)涂覆的绝缘层形成穿隧层；将具有电荷陷入层的纳米粒子吸附到上述穿隧层表面；在上述纳米粒子上涂覆通过原子层沉积法(Atomic layer Deposition)形成的绝缘层、有机绝缘材料以及用溅射形成的绝缘层。
上述半导体纳米线是从ZnO、GaN、SiC、SnO2、GaP、BN、InP、Si3N4、GaAs、Si中任选的一种纳米线，或者从用其混合物构成的群集中选择的半导体纳米线。
上述穿隧层是Al2O3，上述Al和O的初级粒子为TMA(Trimethylaluminum)和H2O，厚度约1～10nm左右，均匀沉积，在上述半导体纳米线上具有厚度均匀的omega形态以及圆柱形态。
上述穿隧层为SiO2，厚度约1～10nm左右，均匀沉积，在上述半导体纳米线上具有厚度均匀的omega形态以及圆柱形态。
上述穿隧层为有机绝缘层，厚度约1～10nm左右，均匀沉积，在上述半导体纳米线上具有厚度均匀的omega形态以及圆柱形态。
另外，上述电荷陷入层可能是从HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、PbTe、PbSe、PbS、Au、Pt、Co、W、Ni、Fe中任选的一种纳米粒子，或者是从通过CVD或溅射或Evaporator(蒸发器)形成的Si、Au、Pt、Co、W、Ni、Fe中任选的一种纳米粒子。
对于按照前述的制作方法制作而成的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件，进一步说明如下。
用通过电炉(furnace)或CVD方法生长的纳米线、通过蚀刻法(etching)在半导体基片上蚀刻而成的纳米线等合成的ZnO、GaN、Si、GaAs等半导体纳米线上，沉积厚度均匀的、通过原子层沉积法形成的绝缘材料、采用有机物的有机绝缘材料以及通过溅射、CVD方法形成的绝缘层，并在上述半导体纳米线上形成各种形态的穿隧层，比如只沉积于纳米线上方的top形态，在大部分纳米线上均匀沉积的omega形态以及在整个纳米线上均匀沉积的圆柱形态等。图4是用这种方法形成的各种半导体纳米线上Al2O3氧化膜的透射电子显微镜照片。
将具有穿隧层的半导体纳米线浸泡在通过化学湿法制作而成的HgTe、CdTe等半导体或者Au、Co、Ni等金属纳米粒子所分散的溶媒中，几秒～几分钟后取出干燥，并在纳米线周围吸附纳米粒子从而形成电荷陷入层。图5是HgTe纳米粒子吸附在ZnO纳米线周围的透射电子显微镜照片。
接着，在具有穿隧层和电荷陷入层的半导体纳米线上涂覆通过原子层沉积法形成的绝缘层、有机绝缘材料以及通过溅射形成的绝缘层，从而形成15～30nm厚度的绝缘层。
然后，用光刻法或电子束光刻法在半导体纳米线合成体中央形成栅电极。
对于通过以上方式形成的半导体纳米线合成体/栅电极结构的试剂，用乙醇或甲醇等溶媒分散后，通过溶媒dropping(滴下)、旋涂(spincoating)、LB等方法，涂覆于具有SiO2的硅基片、具有绝缘层的半导体基片、玻璃基片或塑料基片(未图示)上。
接着，在上述硅基片上方，用光刻法或电子束光刻方式，在半导体纳米线两端形成源极和漏极，从而完成纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件的制作。
图6是利用core-shell结构的纳米粒子的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件截面图。
如图6所示，本发明的非易失性电子存储器件具有核壳(core-shell)结构，其中，核(core)431是通过化学湿法制作而成的、从HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、PbTe、PbSe、PbS、Au、Pt、Co、W、Ni、Fe中任选一种成分的纳米粒子；壳(shell)432是SiO2氧化物或TiO2氧化物或能隙(energy gap)大于核(core)431的半导体纳米粒子。
上述核壳结构，在半导体纳米线周围不形成穿隧层，将HgTe/CdTe、Au/SiO2等core-shell结构的纳米粒子直接吸附到半导体纳米线上，并经过上述实施例1这样的后续工程来制作非易失性电子存储器件。
<实施例2>
下面参照图7a～图7g对本发明第二实施例的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件制作工艺进行说明。
从图7a来看，为了提高第一光刻胶51的粘附性，在硅、半导体、玻璃或塑料基片10上形成HMDS(Hexamethyldisilazane：六甲基二硅氮烷)膜21，将半导体纳米线(nanowire)41撒在HMDS膜上面，然后涂第一光刻胶51，经过曝光以及显像过程，在纳米线周围形成厚度在几um～几十nm左右的电极用抗蚀图形(resist pattern)。换言之，通过光刻法形成后述的源极与漏极所在的第一空隙(未图示)。同时，在上述硅基片、半导体基片、玻璃或塑料基片10与上述HMDS膜21之间还能形成采用SiO2及绝缘材料的绝缘膜20。
其中，上述半导体纳米线41设置在上述HMDS(Hexamethyldisilazane)膜21上，看情况可以采用纳米碳管或有机管来替代上述半导体纳米线。上述半导体纳米线41最好是从Si、Ge、GaN、BN、InP、GaAs、GaP、Si3N4、SiO2、SiC、ZnO、Ga2O3中任选的一种成分。
上述半导体纳米线41是通过热蒸发方式在硅基片上生长而成。上述半导体纳米线41在水溶液中分散后，撒在上述HMDS(Hexamethyldisilazane)膜21上。
之后，在上述第一空隙及第一光刻胶51上沉积金属层后，清除上述第一光刻胶51以及上述HMDS(Hexamethyldisilazane)膜21。于是，在半导体纳米线41两端形成如图7b所示的源极31和漏极33。形成上述源极与漏极31、33的金属层，可以依次沉积钛(Ti)、金(Au)来完成。
接着形成如图7c～7e所示的半导体纳米线合成体40，具体如下：
如图7c所示，形成包覆上述半导体纳米线41的穿隧层42。上述穿隧层42是从Al2O3、HfO2、SiO2以及有机绝缘材料中任选的一种，通过原子层沉积法、CVD、溅射等方法形成。此时，表面沉积有上述穿隧层42的上述半导体纳米线41具有omega形态及圆柱形态。
如上所述，通过原子层沉积法形成上述穿隧层42时，如果采用氧化铝(Al2O3)形成上述穿隧层42的，则使用TMA(Trimethylaluminum)和H2O作为组成氧化铝的铝(Al)和氧(O)的初级粒子。
形成包覆上述半导体纳米线41的上述穿隧层42后，如图7d所示，形成包覆上述穿隧层42的电荷陷入层43。形成上述电荷陷入层43的过程，就是在上述穿隧层42表面吸附与上述半导体纳米线41不同成分的金属纳米粒子的过程。
使金属纳米粒子吸附到上述穿隧层42表面，从而形成上述电荷陷入层43的过程，首先通过热沉积法在上述穿隧层42表面涂一层金属纳米薄膜。之后，利用快速热处理机(RTA)对上述金属纳米薄膜进行加热，从而形成金属纳米粒子。再由上述金属纳米粒子形成储存电荷的电荷陷入层43。
通过热沉积法涂于上述穿隧层42表面的上述金属纳米薄膜的厚度，最好是2nm～10nm左右，在250℃～450℃的温度下对具有上述厚度的金属纳米薄膜进行加热，过5秒～30秒之后即可形成金属纳米粒子。此时，表面沉积有上述穿隧层42和电荷陷入层43的上述半导体纳米线41呈现圆柱形。如上所述，对于具有形成电荷陷入层43的金属纳米粒子的纳米线，用扫描电子显微镜拍下的照片如图8a所示。
为了包覆上述穿隧层42而具有上述金属纳米粒子的电荷陷入层43形成之后，如图7e所示，又形成包覆上述电荷陷入层43的绝缘层44。
上述绝缘层44是从Al2O3、HfO2、SiO2、有机绝缘材料中任选一种，并通过原子层沉积法、CVD、溅射等方法形成。此时，表面沉积有上述穿隧层42、电荷陷入层43以及绝缘层44的上述半导体纳米线41呈现圆柱形。
如上所述，通过原子层沉积法形成上述绝缘层44时，如果采用氧化铝(Al2O3)形成上述绝缘层44的，则使用TMA(Trimethylaluminum)和H2O作为构成氧化铝的铝(Al)和氧(O)的初级粒子。
沉积上述氧化铝形成上述绝缘层44的过程，是在250℃～300℃温度下完成200～400圈(cycle)的涂覆过程。根据原子层沉积法(ALD)的自控机制，氧化铝以10nm～60nm左右的厚度均匀沉积在电荷陷入层43表面。
如图7f所示，在上述半导体纳米线合成体40和上述源极与漏极31、33所在的硅基片1
0上涂第二光刻胶52，通过光刻法，在上述源极与漏极31、33之间形成具有后述的栅电极35的第二空隙(未图示)。
之后，在上述第二空隙及上述第二光刻胶52上沉积金属层，清除上述第二光刻胶52，即可在上述源极与漏极31、33之间形成栅电极35，具体见图7g。形成上述栅电极35的金属层，可以依次沉积钛(Ti)、金(Au)来完成。
图8b是按照以上过程制作而成的本发明纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件平面照片。如图8b所示，在源极与漏极31、33之间有纳米线41及栅电极35。在上述纳米线41表面依次沉积穿隧层42、电荷陷入层43以及绝缘层44，其中，上述电荷陷入层43采用与上述纳米线41不同成分的金属纳米粒子。
下面结合图9说明按照图7a～图7g的过程制作而成的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件的电气特性。
如图9所示，对栅电极施加正电压时，流过纳米线的电荷进行穿隧，并储存于电荷陷入层中，反之，施加负电压时，储存在电荷陷入层中的电荷重新流到纳米线。
另外，栅压越高，流过纳米线通道和电荷陷入层的电荷量越多，进一步增加电流的变化幅度。
<实施例3>
下面结合图10a～图10g对本发明第三实施例的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件制作方法进行说明。
纳米线制作方法有两种：一种是在基片上生长半导体纳米线。这种方法在现有方法中任选一种即可。但是，用来生长上述半导体纳米线的基片，最好采用Si或Al2O3等物质。另一种是采用光刻法或电子束光刻方式在半导体基片上形成图案后，通过蚀刻法对半导体基片进行蚀刻，从而制作出厚度与宽度均匀的纳米线。
如上所述，在基片上生长半导体纳米线之后，利用原子层沉积法、CVD、溅射等方法，在上述半导体纳米线表面形成穿隧层42，穿隧层42材料从Al2O3、HfO2、SiO2以及有机绝缘材料中任选一种。
如上所述，对半导体基片进行蚀刻制作纳米线之后，将上述半导体纳米线转移至半导体基片、玻璃基片或塑料基片上进行排列。接着，利用原子层沉积法、CVD、溅射等方法，在纳米线表面形成穿隧层42，穿隧层42材料从Al2O3、HfO2、SiO2以及有机绝缘材料中任选一种。
上述穿隧层42选择氧化铝(Al2O3)、HfO2、SiO2中的一个，是通过原子层沉积法形成的。此时，表面沉积有上述穿隧层42的上述半导体纳米线41呈现圆柱形。
如上所述，通过原子层沉积法形成上述穿隧层42时，如果采用氧化铝(Al2O3)形成上述穿隧层42的，则使用TMA(Trimethylaluminum)和H2O作为构成氧化铝的铝(Al)和氧(O)的初级粒子。
沉积上述氧化铝形成上述穿隧层42的过程，是在250℃～300℃温度下经过100～200cycle的涂覆过程来完成的，根据原子层沉积法(ALD)的自控机制，氧化铝以5nm～30nm左右的均匀厚度沉积在半导体纳米线41表面。
经过以上过程，在半导体纳米线41表面形成穿隧层42后，实施下一步，即，将构成电荷陷入层43的纳米粒子吸附到上述半导体纳米线41表面的穿隧层42上。
将纳米粒子吸附到半导体纳米线表面的过程可以采用以下三种方法。
从图10a来看，第一种方法是将半导体纳米线41粘附于其表面的基片40a浸泡在分散水溶液中，利用超声波对上述半导体纳米线41进行分散。此时，上述穿隧层42就沉积在上述半导体纳米线41表面。
接着，在分散水溶液中浸泡即将吸附到上述穿隧层42表面的纳米粒子，再用超声波进行分散。上述纳米粒子是用来作为电荷陷入层43的。之后，在超声波水槽中对上述纳米线分散水溶液和上述纳米粒子分散水溶液进行混合，再用超声波使上述纳米粒子吸附到上述纳米线表面。用以分散上述纳米线以及纳米粒子的分散水溶液，最好是选择蒸馏水、乙醇、甲醇以及丙酮中的一个。
图11是Si纳米线和Au纳米粒子异型接合的纳米材料的透射电子显示镜照片(TEM)。具体如下：将分散在甲醇中的Si纳米线和0.01M的HAuCl4溶液混合，用超声波予以稳定之后进行热处理，即可在Si纳米线表面形成如上所述的Au纳米粒子。如图11所示，Si纳米线表面粘附有Au纳米粒子，Au直径约8～15nm，整体大小均匀。
第二种方法比较简单，在含有纳米粒子的溶液中浸泡半导体纳米线，即可吸附纳米粒子。图12是将ZnO纳米线浸泡在含有CdTe纳米粒子的溶液中，经过异型接合而成的纳米材料透射电子显示镜照片。据图13显示，CdTe纳米粒子均匀粘附在ZnO纳米线表面。
第三种方法是通过热沉积、CVD、溅射等方法，在经过生长的纳米线表面涂上薄薄的poly-Si后进行蚀刻，使Si纳米粒子沉积到纳米线表面。图16是对通过低压化学气相沉积法(low pressure chemical vapor deposition)在ZnO纳米线表面生长而成的poly-Si层进行蚀刻的poly-Si纳米粒子。
按照以上过程，将纳米粒子吸附到上述纳米线表面的穿隧层42上，然后只对上述纳米线进行分离。这样，即可获得依次形成穿隧层42和由纳米粒子构成的电荷陷入层43的半导体纳米线41，具体见图10b。图10b中的半导体纳米线是被分离的无数纳米线中的一个。
接着，在上述电荷陷入层43表面形成绝缘层44，具体见图10c。
上述绝缘层44是从氧化铝(Al2O3)、HfO2、SiO2中任选的一种物质，是采用原子层沉积法形成的。此时，表面沉积有上述穿隧层42、电荷陷入层43以及绝缘层44的上述半导体纳米线41呈现圆柱形。
如上所述，通过原子层沉积法形成上述绝缘层44时，如果采用氧化铝(Al2O3)构成上述绝缘层44的，则使用TMA(Trimethylaluminum)和H2O作为构成氧化铝的铝(Al)和氧(O)的初级粒子。
沉积上述氧化铝形成上述绝缘层44的过程是，在250℃～300℃温度下进行200～400cycle的涂布过程来完成的，根据原子层沉积法(ALD)的自控机制，氧化铝以10nm～40nm左右的厚度均匀沉积在电荷陷入层43表面。
通过以上过程，在半导体纳米线41表面依次形成穿隧层42、电荷陷入层43以及绝缘层44之后，如图10d所示，为了提高第一光刻胶53的粘附性，在硅基片10上形成HMDS(Hexamethyldisilazane)膜21，并将半导体纳米线(nanowire)41撒在HMDS膜上，接着涂上第一光刻胶53，经过曝光以及显像之后，在纳米线周围形成电极用抗蚀图形，其宽度约几um～几十nm。换言之，利用光刻法形成具有后述的源极与漏极的第一空隙(未图示)。同时，上述硅基片10和上述HMDS膜21之间还能形成SiO2绝缘膜20。
其中，在上述HMDS(Hexamethyldisilazane)膜21上形成上述半导体纳米线41，看情况可以采用纳米碳管或有机管来替代上述半导体纳米线。上述半导体纳米线41最好是从Si、Ge、GaN、InP、GaAs、GaP、Si3N4、SiO2、SiC、ZnO、Ga2O3中任选的一种成分。另外，上述半导体纳米线41还可以通过热蒸发方式在硅基片上生长而成。
接着，在上述第一空隙及第一光刻胶53上沉积金属层后，清除上述第一光刻胶53以及上述HMDS(Hexamethyldisilazane)膜21。于是，即可在表面依次沉积有穿隧层42、电荷陷入层43以及绝缘层44的半导体纳米线41两端形成源极31与漏极33，具体见图10e。形成上述源极与漏极31、33的金属层是依次沉积钛(Ti)和金(Au)来完成。
如上所述，在上述半导体纳米线41两端形成源极31和漏极33后，如图10f所示，在上述半导体纳米线合成体40和具有上述源极与漏极31、33的硅基片10上涂第二光刻胶54，利用光刻法在上述源极与漏极31、33之间形成具有后述的栅电极35的第二空隙(未图示)。
接着，在上述第二空隙及上述第二光刻胶54上沉积金属层，清除上述第二光刻胶54，即可在上述源极与漏极31、33之间形成栅电极35，具体见图10g。具有上述栅电极35的金属层是依次沉积钛(Ti)和金(Au)来形成的。
下面结合图14，对根据图10a～图10g制作而成的纳米线-纳米粒子非易失性电子存储器件的电气特性进行说明。
图14的上图为在栅压的变化之下，随着漏极与源极之间的电压变化而发生变化的电流扫描图；下图为在栅压的变化之下，电流值根据所施加的电压方向发生变化的存储效应。
【发明的效果】
本发明提供具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件及其制作方法。根据本发明，半导体纳米线表面具有穿隧层，而纳米粒子则吸附到纳米线表面的穿隧层上，从而构成纳米线-纳米粒子存储器件，其中，上述半导体纳米线作为电荷迁移通道，与上述半导体纳米线不同成分的纳米粒子则作为电荷陷入层，以此缩小电荷迁移通道，提高集成度，同时采用电荷转移能力高的纳米线，加强通道特性。另外，用纳米粒子作为电荷陷入层，器件在低工作电压(栅压)之下也可以工作，同时减少穿隧层与绝缘层厚度，从而提高器件集成度。
本发明还提供纳米线-纳米粒子电子存储器件及其制作方法。非易失性存储器件的门电路结构从现有的一维平面(plannar)结构改为top、omega、cylindrical等结构，根据门电路结构变化，将器件的on/off特点、subthreshold swing效应以及mobility最大化，使其具有更快的运行特点以及低工作电压，电子器件的制作工艺则采用bottom-up方式，这种工艺要比现有的top-down方式更方便，所需费用也少。
另外，纳米线的制作方法有热生长方式以及蚀刻法等；将纳米粒子吸附到纳米线表面的方法有：纳米粒子快速热处理法、纳米线-纳米粒子溶液混合法、超声波处理法、添加纳米粒子-离子后热处理法、对纳米线施加电压以吸附纳米粒子、电喷设备的双喷嘴使用法、化学蚀刻法等等。
Claims (26)
1.一种具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件，其特征是，包括：
源极与漏极，设置在基片上方；
半导体纳米线合成体，使上述源极与漏极悬浮于上述基片上方或者吸附在上述基片上；
栅电极，包覆上述半导体纳米线合成体，设置在上述源极与漏极之间的基片上方，
其中上述半导体纳米线合成体包括：
半导体纳米线；
在上述半导体纳米线表面形成的穿隧层；
由以包覆上述穿隧层表面的方式被吸附的纳米粒子构成的电荷陷入层；
在上述电荷陷入层表面形成的绝缘层。
2.如权利要求1所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件，其特征是，用纳米碳管或有机管来替代上述半导体纳米线。
3.如权利要求1所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件，其特征是，上述半导体纳米线是从Si、Ge、GaN、BN、InP、GaAs、GaP、Si3N4、SiO2、SiC、ZnO、Ga2O3中任选的一种成分或从其混合物构成的群集中选择。
4.如权利要求1所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件，其特征是，上述纳米粒子是从HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、ZnO、PbTe、PbSe、PbS、Ag、Au、Pt、Ti、Co、W、Ni、Fe中任选的一种成分。
5.如权利要求1所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件，其特征是，上述纳米粒子具有核壳结构：
核，从HgTe、HgSe、HgS、CdTe、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、ZnS、ZnO、PbTe、PbSe、PbS、Ag、Au、Pt、Ti、Co、W、Ni、Fe中任选的一种成分；
壳，在上述核表面，由SiO2氧化物或TiO2氧化物，或者能隙大于核的半导体纳米粒子组成。
6.如权利要求1所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件，其特征是，上述穿隧层以及绝缘层是从Al2O3、HfO2、SiO2、MgO、ZrO2、BaO、SrTiO3、La2O3、HfSiO4、ZrSiO4、CaO、LaAlO3、SrO、Ca以及有机绝缘材料中任选的一种材料组成。
7.一种具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，包括以下几个过程：
形成半导体纳米线合成体，
其中上述半导体纳米线合成体通过以下几个过程形成：
采用溅射、CVD以及原子层沉积法中的一个方法，在半导体纳米线表面形成穿隧层；
在上述穿隧层表面形成电荷陷入层的纳米粒子吸附过程；
通过原子层沉积法在上述纳米粒子表面形成绝缘层，
或者，上述半导体纳米线合成体通过以下几个过程形成：
将核壳结构的纳米粒子吸附到半导体纳米线表面；
采用溅射、CVD以及原子层沉积法中的一个方法，在上述核壳结构的纳米粒子表面形成绝缘层；
采用光刻法或电子束光刻方式在纳米线中央形成栅电极；
将上述半导体纳米线合成体或栅电极结构的试剂涂在被覆以SiO2的硅半导体基片、玻璃基片和塑料基片中的任一基片上；
在上述一基片上，采用光刻法或电子束光刻方式，在上述半导体纳米线两端形成源极和漏极。
8.一种具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，包括以下几个过程：
在半导体基片上涂一层HMDS，并在上述HMDS上设置半导体纳米线；
在具有上述半导体纳米线的HMDS层上部的上述半导体纳米线两端形成源极和漏极；
采用溅射、CVD以及原子层沉积法中的一个方法形成包覆上述半导体纳米线的穿隧层；
包覆上述穿隧层，并在上述穿隧层表面粘附与上述半导体纳米线不同成分的金属纳米粒子，从而形成电荷陷入层；
采用溅射、CVD以及原子层沉积法中的一个方法，在上述电荷陷入层表面形成绝缘层；
在上述源极和漏极之间的上述绝缘层上设置栅电极。
9.如权利要求8所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述半导体纳米线是通过热蒸发方式在基片上生长而成。
10.如权利要求8所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述半导体纳米线是对半导体基片进行蚀刻而成的。
11.如权利要求8所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述电荷陷入层的形成包括以下几个过程：
通过热沉积方式，在上述穿隧层表面涂一层金属纳米薄膜；
用快速热处理机对上述金属纳米薄膜进行加热，从而形成金属纳米粒子。
12.如权利要求11所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述金属纳米薄膜的涂层厚度为2～10nm之间。
13.如权利要求11所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述金属纳米粒子是在250℃～450℃温度下对上述金属纳米薄膜进行加热而成的。
14.一种具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，包括以下几个过程：
采用溅射、CVD以及原子层沉积法中的一个方法，在生长在基片上的半导体纳米线表面形成穿隧层；
将作为电荷陷入层的纳米粒子吸附在上述半导体纳米线表面的穿隧层上；
采用溅射、CVD以及原子层沉积法中的一个方法，在形成上述电荷陷入层的纳米粒子表面形成绝缘层；
在半导体基片上涂上一层HMDS，并在上述HMDS表面设置依次形成上述穿隧层、电荷陷入层以及绝缘层的上述半导体纳米线；
在上述半导体纳米线所在的HMDS层上部的上述半导体纳米线两端形成源极和漏极；
在上述源极和漏极之间的上述绝缘层上设置栅电极。
15.如权利要求14所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的粒子非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述半导体纳米线是在由Si或Al2O3物质构成的基片上生长而成的。
16.如权利要求14所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述纳米粒子的吸附包括以下几个过程：
将具有上述纳米线的基片浸泡在分散水溶液中，利用超声波对上述纳米线进行分散；
对上述纳米线分散水溶液与含纳米粒子的分散水溶液进行混合；
利用超声波，将上述纳米粒子吸附到上述纳米线表面；
17.如权利要求16所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述分散水溶液是从蒸馏水、乙醇、甲醇以及丙酮中任选的一种。
18.如权利要求14所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述纳米粒子的吸附是将上述半导体纳米线浸泡在含有纳米粒子的溶液中，从而吸附纳米粒子。
19.如权利要求14所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，吸附上述纳米粒子的过程是，采用LPCVD方法，在上述半导体纳米线表面沉积Si层后，用湿刻技术生成多晶硅纳米粒子。
20.如权利要求8或14所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述源极与漏极的形成包括以下几个过程：
涂布第一光刻胶，利用光刻法形成多个第一空隙；
在上述第一空隙及第一光刻胶上沉积金属层，清除上述第一光刻胶与上述HMDS层，同时在上述半导体纳米线两端形成源极和漏极。
21.如权利要求8或14所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述穿隧层与绝缘层是通过原子层沉积法，从Al2O3、HfO2、SiO2中任选一种来形成的。
22.如权利要求21所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述穿隧层与绝缘层采用Al2O3形成，构成Al2O3的Al和O的初级粒子则采用三甲基铝和H2O。
23.如权利要求21所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述穿隧层厚度为5～30nm之间。
24.如权利要求21所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述绝缘层厚度为10～60nm之间。
25.如权利要求8或14所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述半导体纳米线是采用纳米碳管或有机管来替代上述半导体纳米线。
26.如权利要求8或14所述的具有纳米线通道和纳米粒子-浮栅节点的非易失性电子存储器件制作方法，其特征是，上述栅电极的形成包括以下几个过程：
将第二光刻胶涂在上述绝缘层和具有上述源极与漏极的基片上，利用光刻法在上述源极与漏极之间形成第二空隙；
在上述第二空隙与第二光刻胶上沉积金属层，清除上述第二光刻胶，从而形成栅电极。
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