KR100848782B1 - N2 gas controlling system for photoresist changing process - Google Patents

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Abstract

A nitrogen gas control system for a photoresist changing process is provided to prevent damage to a wafer caused by performing a post process at the state that nitrogen gas is compressed after the photoresist changing process, by blocking the supply of nitrogen gas automatically. A door switch(32) is installed at a predetermined position adjacent to an entrance of a semiconductor manufacturing apparatus for receiving a photoresist, and is switched according to the opening of the entrance. A relay(33) includes a coil for receiving current according to the switching state of the door switch and a relay switch to be switched by electromagnetic force. A solenoid valve(35) is formed to open/close an air supply path by using the electromagnetic force generated according to the current applied to the coil. A nitrogen gas air operation valve(40) is operated by the air flow in an opening state of the solenoid valve, in order to control the supply of nitrogen gas by opening/closing a nitrogen gas supply path.

Description

포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템{N2 gas controlling system for photoresist changing process}N2 gas controlling system for photoresist changing process

본 발명은 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 포토레지스트 교체 과정에서 도어에 설치된 도어 스위치 또는 도어 센서를 이용하여 질소가스 공급 여부를 제어하는 방식을 도입하여 도어가 개방된 상태에서만 질소가스를 공급하고, 포토레지스트 교체작업 종료 후 도어가 닫힌 상태에서는 질소가스의 공급이 자동으로 차단되도록 하여 질소가스가 가압된 상태에서 후속공정이 진행될 경우에 발생하는 문제점을 방지할 수 있도록 하는 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a nitrogen gas control system when replacing a photoresist, and more particularly, a door is opened by introducing a method of controlling whether nitrogen gas is supplied using a door switch or a door sensor installed in a door during a photoresist replacement process. Nitrogen gas is supplied only in the state, and the supply of nitrogen gas is automatically cut off when the door is closed after the completion of the photoresist replacement work so as to prevent the problem that occurs when the subsequent process is carried out while the nitrogen gas is pressurized. To a nitrogen gas control system during photoresist replacement.

일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼상에 박막을 형성하는 박막형성 공정, 웨이퍼에 불순물 이온을 주입하는 이온주입 공정, 웨이퍼상에 형성된 박막을 패터닝하기 위한 사진·식각 공정, 웨이퍼상에 만들어진 복수개의 칩들을 테스트하기 위한 테스트 공정, 테스트된 웨이퍼를 개개의 칩으로 만들기 위한 조립공정 등을 겨쳐서 제조된다. 상기 제조과정 중 사진식각 공정에서는 패턴형성을 위해 포토레지스트(PR; Photoresist)가 사용되고, 상기 포토레지스트는 웨이퍼상에 얇게 코팅된 후 노광공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성하게 된다.BACKGROUND ART In general, a semiconductor device includes a thin film forming process for forming a thin film on a wafer, an ion implantation process for implanting impurity ions into a wafer, a photolithography process for patterning a thin film formed on a wafer, and a plurality of chips formed on the wafer. The test process for testing and the assembly process for making the tested wafer into individual chips are manufactured. In the photolithography process, a photoresist (PR) is used to form a pattern in the manufacturing process, and the photoresist is thinly coated on a wafer to form a photoresist pattern through an exposure process.

상기 포토레지스트는 일정 용량의 PR 바틀내에 담겨진 상태에서 수납되고, 공정이 진행되는 동안 웨이퍼 상에 도포되며, PR 바틀내의 포토레지스트가 모두 소모된 후에는 새로운 PR 바틀로 교체하게 된다.The photoresist is stored in a state of being contained in a PR bottle of a predetermined volume, and is applied onto the wafer during the process, and is replaced with a new PR bottle after the photoresist in the PR bottle is exhausted.

상기 포토레지스트의 교체시에는 포토레지스트에 기포 형태의 버블(bubble)이 형성되는데, 만일 상기 버블을 그대로 방치한 상태에서 포토레지스트를 공정에 사용한다면 웨이퍼상의 포토레지스트 코팅불량을 유발하게 되는 문제점이 있다. When the photoresist is replaced, bubbles in the form of bubbles are formed in the photoresist. If the photoresist is used in the process while the bubble is left as it is, there is a problem that the photoresist coating defect on the wafer is caused. .

따라서, 포토레지스트의 교체시에는 반드시 질소가스를 이용한 버블 제거 작업을 함께 수행하게 된다.Therefore, when the photoresist is replaced, a bubble removing operation using nitrogen gas is necessarily performed together.

도 1은 종래 반도체 제조장비에서 포토레지스트가 수납되는 공간을 나타내는 도면이며, 도 2는 종래 포토레지스트 교체후 버블을 제거하기 위해 질소가스를 공급하는 단계를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a space in which a photoresist is accommodated in a conventional semiconductor manufacturing equipment, Figure 2 is a view showing a step of supplying nitrogen gas to remove bubbles after replacing the conventional photoresist.

포토레지스트는 도 1에 도시된 반도체 제조장비(10)의 하부 일측의 도어(15)를 개방시킨 내부 공간상에 수납되며, 그 교체 작업은 도 2의 순서에 따라 진행된다.The photoresist is accommodated in an inner space in which the door 15 of the lower one side of the semiconductor manufacturing equipment 10 shown in FIG. 1 is opened, and the replacement work is performed in the order of FIG. 2.

우선, 도어(15)를 개방시키고, PR 바틀 박스(21)를 화살표 방향으로 꺼낸다(도 2의 (a)). 상기 PR 바틀 박스(21)는 PR 바틀(Photoresist Bottle, 20)을 안착시킨 상자이다. 그 후, PR 바틀(20)의 상부 뚜껑인 PR 캡(Photoresist Cap, 22)상에 형성되어 있는 N2 주입구(23)에 N2 커플러(24)를 일치시킨다(도 2의 (b)). First, the door 15 is opened, and the PR bottle box 21 is taken out in the direction of the arrow (Fig. 2 (a)). The PR bottle box 21 is a box in which a PR bottle (Photoresist Bottle) 20 is seated. Thereafter, the N2 coupler 24 is matched with the N2 injection port 23 formed on the PR cap (Photoresist Cap) 22, which is the upper lid of the PR bottle 20 (FIG. 2B).

도 2의 (c)는 N2 커플러(24)와 PR 캡(22)이 결합된 상태를 나타내며, 질소가 스를 공급함으로써 교체된 포토레지스트에 존재하는 버블을 제거한다.2 (c) shows a state in which the N2 coupler 24 and the PR cap 22 are coupled, and bubbles present in the replaced photoresist are removed by supplying nitrogen gas.

이어서, 드레인 밸브(28)를 화살표 방향으로 회전시켜 새로운 포토레지스트를 주입한다(도 2의 (d)).Subsequently, the drain valve 28 is rotated in the direction of the arrow to inject a new photoresist (FIG. 2D).

상기 과정을 종료한 후에는 N2 주입구(23)에 체결되었던 N2 커플러(24)를 분리시키고(도 2의 (e)), PR 라인(25)을 결합한 후 PR 바틀(20)을 PR 바틀 박스(21)에 안착시켜 화살표 방향으로 도어(15) 내부에 밀어 넣는다(도 2의 (f)).After completing the above process, the N2 coupler 24, which was fastened to the N2 inlet 23, is separated ((e) of FIG. 2), and after the PR line 25 is coupled, the PR bottle 20 is connected to the PR bottle box ( 21 and slides into the door 15 in the direction of the arrow (Fig. 2 (f)).

상기한 바와 같이, 포토레지스트의 교체는 질소가스의 가압 방식에 의해 수행되며, 상기 교체작업의 종료시 가장 많이 발생하는 사고는 작업자의 미숙함이나 실수로 인하여 PR 캡(22)에서 N2 커플러(24)를 분리하지 않은 채 후속공정을 진행하는 경우 장비와 웨이퍼상에 다음과 같은 영향을 미치게 되는 문제점이 있다.As described above, the replacement of the photoresist is carried out by a pressurized method of nitrogen gas, the most common accident at the end of the replacement operation is the N2 coupler 24 in the PR cap 22 due to inexperience or mistake of the operator. If the subsequent process is carried out without separation, there is a problem that the following effects on the equipment and the wafer.

장비에 미치는 영향은 질소가스의 가압 상태에서 포토레지스트의 유량은1.5 ~ 2.5 배로 증가하게 되고, 장시간 동안 질소가스의 가압상태가 지속될 경우에는 썩-백 밸브 프래임(Suck-Back Valve Frame)이 파손되며, PR 펌프의 다이어프램이 마모되어 포토레지스트의 정량 토출이 불가능하게 된다.The effect on the equipment is that the flow rate of the photoresist increases from 1.5 to 2.5 times in the pressurized state of nitrogen gas, and if the pressurized state of nitrogen gas continues for a long time, the suck-back valve frame is broken. As a result, the diaphragm of the PR pump is worn out, which makes it impossible to discharge the photoresist.

웨이퍼에 미치는 영향은 웨이퍼상에 포토레지스트의 코팅시에 분사율(dispense rate)이 변경되어 코팅불량을 유발하게 된다.The effect on the wafer is to change the dispensing rate upon coating the photoresist on the wafer, resulting in coating failure.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 포토레지스트의 교체작업후 작업자의 실수로 PR 캡에서 N2 커플러를 분리하지 않고 후속공정을 진행하는 경우라도 질소가스의 공급을 자동으로 차단함으로써 질소가스가 가압된 상태에서 후속공정이 진행될 경우에 발생 가능한 사고를 예방할 수 있도록 하는 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by automatically shutting off the supply of nitrogen gas even if the operator proceeds to a subsequent process without separating the N2 coupler from the PR cap after the photoresist replacement operation by mistake It is an object of the present invention to provide a nitrogen gas control system when replacing a photoresist to prevent an accident that may occur when a subsequent process is performed while nitrogen gas is pressurized.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템은, 반도체 제조공정에 사용되는 포토레지스트의 교체시 포토레지스트에 발생하는 버블을 질소가스의 가압에 의해 제거한 이후 후속공정의 진행시에는 질소가스의 공급이 차단되도록 하는 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템에 있어서, 상기 포토레지스트가 수납되는 반도체 제조공정장비로의 출입 도어에 인접한 위치에 구비되어, 상기 도어의 개방 여부에 따라 스위칭되는 도어 스위치; 상기 도어 스위치의 스위칭 상태에 따라 전류가 인가되는 코일과, 상기 코일에 전류가 인가됨에 따라 발생하는 전자기력에 의해 스위칭되는 릴레이 스위치를 구비한 릴레이; 상기 릴레이의 구동에 따라 발생하는 전자력에 의해 에어 공급통로를 개폐시키는 솔레노이드 밸브;및 상기 솔레노이드 밸브의 개방시 유동되는 에어에 의해 작동되며, 질소가스 공급통로를 개폐시켜 질소가스의 공급을 제어하는 N2 가스 에어 작동 밸브;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Nitrogen gas control system when replacing the photoresist of the present invention for realizing the object as described above, the subsequent process after removing the bubbles generated in the photoresist by the pressurized nitrogen gas during the replacement of the photoresist used in the semiconductor manufacturing process In the nitrogen gas control system when the photoresist is replaced so that the supply of nitrogen gas is blocked at the time of the progression, the photoresist is provided at a position adjacent to the entrance door to the semiconductor manufacturing process equipment that accommodates the photoresist, A door switch switched along; A relay having a coil applied with a current according to the switching state of the door switch and a relay switch switched by an electromagnetic force generated when the current is applied to the coil; Solenoid valve for opening and closing the air supply passage by the electromagnetic force generated in accordance with the driving of the relay; and N2 which is operated by the air flowing when the solenoid valve opening, N2 for controlling the supply of nitrogen gas by opening and closing the nitrogen gas supply passage Gas air operation valve; characterized in that it comprises a.

상기 도어의 개방시에는, 상기 도어 스위치가 OFF됨에 따라, 상기 릴레이의 구동은 정지되고, 상기 릴레이 스위치를 통해 전류가 인가되어, 상기 솔레노이드 밸브가 개방됨으로써 에어가 유동됨에 따라 상기 N2 가스 에어 작동 밸브에서의 질소가스의 공급이 이루어지고, 상기 도어가 닫힌 상태에서는, 상기 도어 스위치가 ON됨에 따라, 상기 릴레이가 구동되고, 상기 릴레이 스위치를 통한 전류가 차단되어, 상기 솔레노이드 밸브가 닫힘으로써 상기 N2 가스 에어 작동 밸브에서의 질소가스의 공급이 차단되는 것을 특징으로 한다.When the door is opened, as the door switch is turned off, the driving of the relay is stopped, a current is applied through the relay switch, and as the air flows by opening the solenoid valve, the N2 gas air operated valve Is supplied with nitrogen gas in the state, and the door is closed, the door switch is turned on, the relay is driven, the current through the relay switch is cut off, the solenoid valve closes the N2 gas It is characterized in that the supply of nitrogen gas from the air operated valve is cut off.

상기 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템은 상기 도어의 개방 여부를 감지하는 도어 센서와, 상기 도어 센서의 감지신호를 수신하여 상기 솔레노이드 밸브의 개방 여부를 제어하는 제어부를 추가로 구비한 것을 특징으로 한다.When the photoresist is replaced, the nitrogen gas control system further includes a door sensor for detecting whether the door is opened, and a control unit for controlling whether the solenoid valve is opened by receiving a detection signal of the door sensor. .

본 발명에 따른 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템에 의하면, 포토레지스트의 교체를 위해 도어를 개방시킨 상태에서만 질소가스의 공급이 이루어지도록 하고, 포토레지스트의 교체작업 종료후 도어가 닫혀진 상태에서는 질소가스의 공급이 자동으로 차단되도록 하여 질소가스가 가압된 상태에서 후속공정을 진행할 경우에 발생할 수 있는 장비와 웨이퍼의 손상을 미연에 방지하여 공정을 안정화시킬 수 있는 장점이 있다.According to the nitrogen gas control system when replacing the photoresist according to the present invention, the nitrogen gas is supplied only when the door is opened to replace the photoresist, and the nitrogen gas is closed when the door is closed after the replacement of the photoresist. It is possible to stabilize the process by preventing the supply of and automatically prevent damage to the equipment and wafers that can occur when the subsequent process in the nitrogen gas pressurized state.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 교체시 도어의 개폐에 따른 질소가스 제어 시스템의 구성도를 나타낸다.Figure 3 shows the configuration of the nitrogen gas control system according to the opening and closing of the door when replacing the photoresist according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 질소가스 제어 시스템은 도어(15)의 개폐상태에 따라 작동을 달리한다. 포토레지스트의 교체작업 진행중에는 도어(15)가 개방된 상태에서 질소가스의 가압상태로 있게 되지만, 포토레지스트의 교체작업이 종료된 후에는 도어(15)가 닫혀진 상태로 되며, 후속하는 사진,식각 공정 등에서 포토레지스트가 사용된다.The nitrogen gas control system of the present invention operates differently depending on the open / closed state of the door 15. While the photoresist replacement is in progress, the door 15 remains in a pressurized state under nitrogen gas, but after the replacement of the photoresist is completed, the door 15 is in a closed state. Photoresist is used in the process and the like.

전술한 바와 같이, 만일 질소가스가 가압되어 있는 상태에서 사진,식각 공정의 수행을 위해 포토레지스트의 도포가 진행된다면 장비와 웨이퍼상에 문제를 발생시키게 되므로, 도 3에 도시된 본 발명의 제어 시스템은 포토레지스트의 교체작업을 종료한 후에는 더 이상 질소가스의 가압상태가 유지되지 않도록 자동으로 차단시키는 기능을 한다.As described above, if the application of the photoresist to perform the photo-etching process in the state that the nitrogen gas is pressurized will cause problems on the equipment and the wafer, the control system of the present invention shown in FIG. After the replacement of the photoresist finishes the function to automatically shut off so that the nitrogen gas pressure is no longer maintained.

이하에서는 본 발명의 일실시예로서 제어 시스템의 작동을 설명한다.Hereinafter will be described the operation of the control system as an embodiment of the present invention.

도어 스위치(32)는 도어(15)의 개폐가 이루어지는 일측에 설치되고, 도어(15)가 개방된 상태일 때는 OFF 되고(실선으로 도시됨), 도어(15)가 닫힌 상태일 때에는 ON 된다(점선으로 도시됨).The door switch 32 is installed on one side where the door 15 is opened and closed, and is OFF when the door 15 is open (shown in solid line), and is ON when the door 15 is closed ( Shown in dashed lines).

상기 도어 스위치(32)는 릴레이(33)의 코일(33a)에 전기적으로 연결된다. 도어(15)가 개방상태일 때에 도어 스위치(32)가 OFF되고, 상기 코일(33a)에는 전류의 흐름이 차단된다. 이에 따라 코일(33a)의 우측에 도시된 릴레이 스위치(33b)의 접접은 B 접점에 닿아 있게 되어 솔레노이드 밸브(35)로 전류가 흐르게 된다. 이에 따라서 상기 솔레노이드 밸브(35)에는 전류가 흐름에 따라 전자력이 발생되며, 실 선으로 표시된 좌측방향으로 당겨지면서 에어 공급통로(37)를 개방시키게 된다. 상기 솔레노이드 밸브(35)의 개방에 의해 에어 공급통로(37)를 따라 유동되는 공기는 N2 가스 에어 작동 밸브(40)로 전달되며 에어압력이 작용하여 질소가스 공급통로(38)가 개방되면서 질소가스의 공급이 이루어진다.The door switch 32 is electrically connected to the coil 33a of the relay 33. When the door 15 is in the open state, the door switch 32 is turned off, and the current flow is interrupted to the coil 33a. Accordingly, the contact of the relay switch 33b shown on the right side of the coil 33a is in contact with the B contact, so that current flows to the solenoid valve 35. Accordingly, the electromagnetic force is generated in the solenoid valve 35 as the current flows, and the air supply passage 37 is opened while being pulled in the left direction indicated by the solid line. The air flowing along the air supply passage 37 by the opening of the solenoid valve 35 is transferred to the N2 gas air operation valve 40 and the air pressure acts to open the nitrogen gas supply passage 38 to open the nitrogen gas. Supply is made.

상기와 반대로, 도어(15)가 닫혀진 상태에서는 도어 스위치(32)가 ON되고, 상기 코일(33a)에는 전류가 흐르게 되어 릴레이(33)를 구동하게 된다. 코일(33a)에 전류가 흐름에 따라 전자기력이 발생하여 릴레이 스위치(33b)의 접접은 B 접점에서 A 접점으로 당겨지게 된다. 이에 따라서 솔레노이드 밸브(35)에는 전류의 흐름이 차단되며, 점선으로 표시된 우측방향으로 원위치되어 에어 공급통로(37)를 차단하시키게 된다. 즉, 에어의 공급이 차단됨에 따라 N2 가스 에어 작동 밸브(40)또한 질소가스 공급통로(38)를 막게되어 질소가스의 공급이 차단된다.In contrast to the above, in the state in which the door 15 is closed, the door switch 32 is turned on, and a current flows through the coil 33a to drive the relay 33. As a current flows in the coil 33a, an electromagnetic force is generated so that the contact of the relay switch 33b is pulled from the B contact to the A contact. Accordingly, the flow of current is blocked in the solenoid valve 35, and the air supply passage 37 is blocked in the original position in the right direction indicated by the dotted line. That is, as the supply of air is blocked, the N2 gas air operation valve 40 also blocks the nitrogen gas supply passage 38, thereby blocking the supply of nitrogen gas.

즉, 포토레지스트 교체작업중 도어(15)가 개방 상태인 경우에만 솔레노이드 밸브(35)가 개방되고, 상기 솔레노이드 밸브(35)의 개방에 따라 N2 가스 에어 작동 밸브(40)에서 질소가스의 공급이 이루어진다. 이와는 반대로, 도어(15)가 닫혀진 상태에서는 솔레노이드 밸브(35)가 차단되므로, N2 가스 에어 작동 밸브(40)에서는 질소가스의 공급이 자동으로 차단된다.That is, the solenoid valve 35 is opened only when the door 15 is in the open state during the photoresist replacement operation, and the nitrogen gas is supplied from the N2 gas air operation valve 40 according to the opening of the solenoid valve 35. . On the contrary, since the solenoid valve 35 is shut off in the state in which the door 15 is closed, the supply of nitrogen gas is automatically shut off at the N2 gas air operation valve 40.

또한, 도어 센서(31)는 도어(15)에 인접한 지점에 설치되고, 도어(15)의 개폐 상태를 감지하게 되며, 도어(15)의 개방 또는 닫혀진 상태를 감지한 신호를 제어부(34)로 전달하고, 상기 제어부(34)는 상기 감지신호에 대응하여 솔레노이드 밸브(35)의 개방 여부를 제어하게 된다.In addition, the door sensor 31 is installed at a point adjacent to the door 15, detects the open / closed state of the door 15, and sends a signal that detects the open or closed state of the door 15 to the controller 34. The controller 34 controls whether the solenoid valve 35 is opened in response to the detection signal.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 교체시 도어의 개폐에 따른 질소가스 제어 단계의 흐름도를 나타낸다.4 is a flowchart illustrating a nitrogen gas control step according to opening and closing of a door when replacing a photoresist according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 포토레지스트 교체시 도어(15)의 개폐에 따른 질소가스 제어 단계는, 포토레지스트가 수납되는 반도체 제조공정장비로의 출입 도어(15)의 개방 상태 여부로부터 시작된다.The nitrogen gas control step according to the opening and closing of the door 15 when replacing the photoresist according to the present invention starts from whether the door 15 is opened to the semiconductor manufacturing process equipment in which the photoresist is accommodated.

도 4의 좌측은 포토레지스트의 교체작업이 진행중인 상태에서의 제어 단계를 나타내며, 도 4의 우측은 포토레지스트의 교체작업이 완료된 후에 도어가 닫혀진 상태에서의 제어 단계를 나타낸다.The left side of FIG. 4 shows a control step in a state in which the replacement operation of the photoresist is in progress, and the right side of FIG. 4 shows a control step in a state where the door is closed after the replacement operation of the photoresist is completed.

포토레지스트의 교체작업이 진행중인 경우에는 도어(15)가 개방된 상태에 있으므로 도 4의 좌측의 루프를 반복하게 되지만, 작업이 종료된 후 도어(15)가 닫혀지게 되면, 도 4의 우측에 도시된 단계에 따라서 더 이상의 질소공급이 이루어지지 않도록 차단하게 된다.When the photoresist replacement is in progress, since the door 15 is in an open state, the loop on the left side of FIG. 4 is repeated, but when the door 15 is closed after the operation is completed, the right side of FIG. By following the steps, the nitrogen supply is blocked so that no further supply is made.

상술한 본 발명의 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템은 자동으로 질소가스의 공급과 차단을 제어함으로써 질소가스가 가압된 상태에서 후속공정이 진행되는 경우에 발생할 수 있는 문제점을 사전에 방지할 수 있게 되어 공정을 안정화시킬 수 있게 된다.When replacing the photoresist of the present invention described above, the nitrogen gas control system automatically controls the supply and blocking of nitrogen gas so as to prevent in advance problems that may occur when the subsequent process is carried out in a pressurized state. To stabilize the process.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다. It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the technical spirit of the present invention. will be.

도 1은 종래 반도체 제조장비에서 포토레지스트가 수납되는 공간을 나타내는 도면,1 is a view showing a space in which a photoresist is accommodated in a conventional semiconductor manufacturing equipment,

도 2는 종래 포토레지스트 교체후 버블제거를 위해 질소가스를 공급하는 단계를 나타내는 도면,2 is a view showing a step of supplying nitrogen gas for bubble removal after replacing the conventional photoresist,

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 교체시 도어의 개폐에 따른 질소가스 제어 시스템의 구성도,3 is a configuration diagram of a nitrogen gas control system according to opening and closing the door when replacing the photoresist according to an embodiment of the present invention,

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 교체시 도어의 개폐에 따른 질소가스 제어 단계의 흐름도를 나타낸다.4 is a flowchart illustrating a nitrogen gas control step according to opening and closing of a door when replacing a photoresist according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 반도체 제조장비 15 : 도어10: semiconductor manufacturing equipment 15: door

20 : PR 바틀 21 : PR 바틀 박스20: PR bottle 21: PR bottle box

22 : PR 캡 23 : N2 주입구22: PR cap 23: N2 inlet

24 : N2 커플러 25 : PR 라인24: N2 coupler 25: PR line

28 : 드레인 밸브 31 : 도어 센서28: drain valve 31: door sensor

32 : 도어 스위치 33 : 릴레이32: door switch 33: relay

34 : 제어부 35 : 솔레노이드 밸브34 control part 35 solenoid valve

37 : 에어 공급통로 38 : 질소가스 공급통로37: air supply passage 38: nitrogen gas supply passage

40 : N2 가스 에어 작동 밸브40: N2 gas air operated valve

Claims (3)

반도체 제조공정에 사용되는 포토레지스트의 교체시 포토레지스트에 발생하는 버블을 질소가스의 가압에 의해 제거한 이후 후속공정의 진행시에는 질소가스의 공급이 차단되도록 하는 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템에 있어서, In the nitrogen gas control system during the replacement of the photoresist in which the supply of nitrogen gas is cut off during the subsequent process after the bubble generated in the photoresist is removed by pressurization of nitrogen gas when the photoresist used in the semiconductor manufacturing process is replaced. , 상기 포토레지스트가 수납되는 반도체 제조공정장비로의 출입 도어에 인접한 위치에 구비되어, 상기 도어의 개방 여부에 따라 스위칭되는 도어 스위치;A door switch provided at a position adjacent to an entrance door to a semiconductor manufacturing process equipment in which the photoresist is accommodated and switched according to whether the door is opened; 상기 도어 스위치의 스위칭 상태에 따라 전류가 인가되는 코일과, 상기 코일에 전류가 인가됨에 따라 발생하는 전자기력에 의해 스위칭되는 릴레이 스위치를 구비한 릴레이;A relay having a coil applied with a current according to the switching state of the door switch and a relay switch switched by an electromagnetic force generated when the current is applied to the coil; 상기 릴레이의 구동에 따라 발생하는 전자력에 의해 에어 공급통로를 개폐시키는 솔레노이드 밸브;및Solenoid valve for opening and closing the air supply passage by the electromagnetic force generated in accordance with the driving of the relay; And 상기 솔레노이드 밸브의 개방시 유동되는 에어에 의해 작동되며, 질소가스 공급통로를 개폐시켜 질소가스의 공급을 제어하는 N2 가스 에어 작동 밸브;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템.And a N2 gas air operation valve which is operated by air flowing when the solenoid valve is opened and controls a supply of nitrogen gas by opening and closing a nitrogen gas supply passage. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도어의 개방시에는, 상기 도어 스위치가 OFF됨에 따라, 상기 릴레이의 구동은 정지되고, 상기 릴레이 스위치를 통해 전류가 인가되어, 상기 솔레노이드 밸브가 개방됨으로써 에어가 유동됨에 따라 상기 N2 가스 에어 작동 밸브에서의 질소가스의 공급이 이루어지고,When the door is opened, as the door switch is turned off, the driving of the relay is stopped, a current is applied through the relay switch, and as the air flows by opening the solenoid valve, the N2 gas air operated valve Supply of nitrogen gas from the 상기 도어가 닫힌 상태에서는, 상기 도어 스위치가 ON됨에 따라, 상기 릴레이가 구동되고, 상기 릴레이 스위치를 통한 전류가 차단되어, 상기 솔레노이드 밸브가 닫힘으로써 상기 N2 가스 에어 작동 밸브에서의 질소가스의 공급이 차단되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템.In the state where the door is closed, as the door switch is turned on, the relay is driven, the current through the relay switch is cut off, and the solenoid valve is closed to supply the nitrogen gas from the N2 gas air operated valve. Nitrogen gas control system when replacing the photoresist, characterized in that blocked. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템은 상기 도어의 개방 여부를 감지하는 도어 센서와, 상기 도어 센서의 감지신호를 수신하여 상기 솔레노이드 밸브의 개방 여부를 제어하는 제어부를 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 포토레지스트 교체시 질소가스 제어 시스템.The nitrogen gas control system of claim 1, wherein the nitrogen gas control system further includes a door sensor detecting whether the door is opened, and a controller configured to control whether the solenoid valve is opened by receiving a detection signal of the door sensor. Nitrogen gas control system when replacing the photoresist, characterized in that provided.
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