KR20040102560A - apparatus for supplying a photoresist composition - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 감광액(photoresist composition)을 웨이퍼 상에 공급하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 감광액에 포함된 기포를 제거하기 위한 버퍼 탱크를 갖는 감광액 공급 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for supplying a photoresist composition on a wafer. More specifically, the present invention relates to a photosensitive liquid supply device having a buffer tank for removing bubbles contained in the photosensitive liquid.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, an electrical die sorting (EDS) process for inspecting electrical characteristics of semiconductor devices formed in the fab process; The semiconductor devices are each manufactured through a package assembly process for encapsulating and individualizing the epoxy devices.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor substrate, a cleaning process for removing impurities on the semiconductor substrate, and the film or pattern Inspection process for inspecting the surface of the formed semiconductor substrate;
상기와 같은 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 감광막(photoresist film)을 형성하고 이를 경화시키는 공정과, 반도체 기판 상에형성된 감광막을 원하는 감광 패턴으로 형성하기 위해 소정 부위를 제거하는 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.Photolithography is a process of forming a photoresist film on a semiconductor substrate and curing the photolithography process, and an exposure process of removing a predetermined portion to form a photoresist film formed on the semiconductor substrate in a desired photosensitive pattern. And a developing step.
일반적으로 상기 감광막은 다음과 같이 형성된다. 먼저, 반도체 기판을 회전척 상에 올려놓은 다음, 상기 반도체 기판 상의 중심 부위에 감광액을 공급하고, 상기 반도체 기판을 회전시킨다. 상기 반도체 기판의 회전력에 의해 상기 반도체 기판 상의 중심 부위에 공급된 감광액은 반도체 기판의 주연 부위로 밀려나고, 이에 따라, 감광막이 형성된다.In general, the photosensitive film is formed as follows. First, the semiconductor substrate is placed on the rotary chuck, then a photosensitive liquid is supplied to the center portion on the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate is rotated. The photosensitive liquid supplied to the center portion on the semiconductor substrate by the rotational force of the semiconductor substrate is pushed to the peripheral portion of the semiconductor substrate, whereby a photosensitive film is formed.
여기서, 상기 코팅 장치는 상기 감광액이 반도체 기판의 주연 부위로 밀려날 때, 회전력에 의해 상기 반도체 기판으로부터 비산되는 감광액을 차단하는 보울(bowl)을 포함한다. 상기 보울은 상기 회전척을 둘러싸도록 설치되며, 상부가 개방되어 있는 일종의 컵 형상을 갖는다.Here, the coating apparatus includes a bowl for blocking the photosensitive liquid scattered from the semiconductor substrate by the rotational force when the photosensitive liquid is pushed to the peripheral portion of the semiconductor substrate. The bowl is installed to surround the rotary chuck, and has a kind of cup shape in which an upper portion thereof is opened.
상기와 같은 기판 코팅 장치에 대한 일 예로서, 미합중국 특허 제6,113,697호(issued to Kim, et al)에는 반도체 기판을 회전시키는 회전척(spin chuck)과, 감광액을 제공하는 노즐과, 노즐의 위치에 따라 회전척의 속도를 제어하는 제어부를 포함하는 기판 코팅 장치가 개시되어 있다. 또한, 미합중국 특허 제5,912,043호(issued to Choi, et al.)에는 스핀 코팅 유닛(spin coating unit), 펌핑 유닛(pumping unit), 센싱 유닛(sensing unit)을 구비하며, 웨이퍼를 회전시키는 회전 장치를 제어하는 코팅 유닛의 제1제어부와, 펌핑 유닛과 각종 밸브들의 개폐를 제어하는 펌핑 유닛의 제2제어부를 구비하는 웨이퍼 스핀 코팅 시스템이 개시되어 있다.As an example of such a substrate coating apparatus, US Patent No. 6,113,697 (issued to Kim, et al.) Has a spin chuck for rotating a semiconductor substrate, a nozzle for providing a photosensitive liquid, and a nozzle at a position A substrate coating apparatus including a controller for controlling the speed of a rotating chuck is disclosed. In addition, US Patent No. 5,912,043 (issued to Choi, et al.) Also includes a spin coating unit, a pumping unit, a sensing unit, and a rotating device for rotating a wafer. Disclosed is a wafer spin coating system having a first control portion of a coating unit for controlling and a second control portion of a pumping unit for controlling opening and closing of the pumping unit and various valves.
상기와 같이 반도체 기판 상에 감광막을 형성하는 동안, 상기 감광막은 반도체 기판의 주연 부위 및 이면 부위에도 형성된다. 상기와 같이 반도체 기판의 주연 부위 및 이면 부위에 형성된 감광막은 후속 공정에서 불량 요인으로 작용하므로, 상기 코팅 공정 이후에 반도체 기판의 주연 부위 및 이면 부위에 형성된 감광막을 시너(thinner) 조성물을 이용하여 제거하는 공정을 실시한다. 또한, 상기 코팅 공정 도중에 불량이 발생할 경우, 반도체 기판 상에 형성된 감광막을 제거하는 리워크(rework) 공정이 수행될 수도 있다.While forming the photoresist film on the semiconductor substrate as described above, the photoresist film is also formed on the peripheral and back portions of the semiconductor substrate. As described above, since the photoresist formed on the peripheral and back portions of the semiconductor substrate acts as a defective factor in a subsequent process, the photoresist formed on the peripheral and back portions of the semiconductor substrate is removed using a thinner composition after the coating process. To carry out the process. In addition, when a defect occurs during the coating process, a rework process may be performed to remove the photosensitive film formed on the semiconductor substrate.
상기와 같은 감광막 코팅 공정을 수행하기 위한 코팅 장치는 반도체 기판 상에 감광액을 공급하기 위한 감광액 공급 장치를 포함한다. 상기 감광액 공급 장치는 감광액을 저장하기 위한 용기와 감광액을 반도체 기판 상으로 공급하기 위한 다수의 구성 요소들을 갖는다.The coating apparatus for performing the photoresist coating process as described above includes a photosensitive liquid supply apparatus for supplying a photosensitive liquid on a semiconductor substrate. The photoresist supply device has a container for storing the photoresist and a plurality of components for supplying the photoresist onto the semiconductor substrate.
도 1은 종래의 감광액 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining a conventional photosensitive liquid supply device.
도 1을 참조하면, 종래의 감광액 공급 장치(100)는 감광액을 저장하기 위한 용기(102)와, 감광액을 공급하기 위한 공급 라인(104a, 104b)과, 감광액에 포함된 이물질을 제거하기 위한 필터(106)와, 감광액을 반도체 기판(10) 상에 공급하기 위한 공급 노즐(108) 등을 포함한다.Referring to FIG. 1, the conventional photosensitive liquid supply apparatus 100 includes a container 102 for storing the photosensitive liquid, supply lines 104a and 104b for supplying the photosensitive liquid, and a filter for removing foreign substances included in the photosensitive liquid. 106 and a supply nozzle 108 for supplying the photosensitive liquid onto the semiconductor substrate 10.
일반적으로 감광액 저장 용기(102)는 도시된 바와 같이 다수개가 구비될 수 있으며, 저장 용기(102)와 필터(106)는 제1공급 라인(104a)을 통해 연결되어 있으며, 필터(106)와 공급 노즐(108)은 제2공급 라인(104b)을 통해 연결되어 있다. 도시된 바에 따르면, 두 개의 저장 용기(102)는 연결 라인(110)에 의해 연결되어 있으며, 제1공급 라인(104a)은 연결 라인(110)으로부터 분기되어 필터(106)를 향해 연장된다. 연결 라인(110)에는 감광액을 감지하기 위한 감광액 감지 센서(112)가 설치되어 있으며, 연결 라인(110)과 제1공급 라인(104a)은 제1밸브(114)에 의해 연결되어 있다.Generally, a plurality of photoresist storage containers 102 may be provided as shown, and the storage container 102 and the filter 106 are connected through the first supply line 104a, and the filter 106 is supplied with the filter 106. The nozzle 108 is connected via the second supply line 104b. As shown, the two reservoirs 102 are connected by a connection line 110, and the first supply line 104a branches off from the connection line 110 and extends towards the filter 106. The connection line 110 is provided with a photosensitive liquid sensor 112 for sensing a photosensitive liquid, and the connection line 110 and the first supply line 104a are connected by the first valve 114.
제1공급 라인(104a)에는 감광액을 공급하기 위한 가압력을 제공하는 펌프(116)와, 감광액의 유량을 조절하기 위한 제2밸브(118)가 설치되어 있으며, 필터(106)로 제공된 감광액을 배출하기 위한 드레인(drain) 라인(120)이 필터(106)와 연결되어 있고, 드레인 라인(120)에는 제3밸브(122)가 설치되어 있다.The first supply line 104a is provided with a pump 116 for providing a pressing force for supplying the photosensitive liquid, and a second valve 118 for adjusting the flow rate of the photosensitive liquid, and discharges the photosensitive liquid provided to the filter 106. A drain line 120 is connected to the filter 106, and a third valve 122 is installed in the drain line 120.
상기와 같은 구성을 갖는 감광액 공급 장치(100)의 감광액 공급 거리는 실제 반도체 장치의 제조 공정에서 약 4 내지 5 m 정도의 길이를 갖는다. 상기 감광액 공급 거리는 제1공급 라인(104a) 및 제2공급 라인(104b)의 길이와 대응하며, 감광액이 상기와 같이 길게 연장된 제1공급 라인(104a)과 제2공급 라인(104b), 각종 밸브들(114, 118) 및 펌프(116)를 통과하는 동안 감광액에는 미세한 기포가 발생된다. 상기와 같이 발생된 미세한 기포들은 제1공급 라인(104a) 및 제2공급 라인(104b)을 통과하는 동안 핵 확산되며, 초기에 약 1mm 이하에서 약 100mm 정도의 크기를 갖는 기포로 성장한다. 상기와 같은 기포를 갖는 감광액이 반도체 기판(10)으로 공급되는 경우, 반도체 기판(10) 상에 불균일한 감광막이 형성되며, 이는 감광 패턴의 불량을 야기하고, 후속 공정에서의 추가적인 공정 불량을 발생시킨다.The photosensitive liquid supply distance of the photosensitive liquid supply device 100 having the above configuration has a length of about 4 to 5 m in the actual manufacturing process of the semiconductor device. The photosensitive liquid supply distance corresponds to the lengths of the first supply line 104a and the second supply line 104b, and the first supply line 104a and the second supply line 104b, in which the photosensitive liquid extends as described above, Fine bubbles are generated in the photoresist while passing through the valves 114, 118 and the pump 116. The fine bubbles generated as described above are nucleated while passing through the first supply line 104a and the second supply line 104b, and initially grow into bubbles having a size of about 1 mm or less to about 100 mm. When the photosensitive liquid having the above bubbles is supplied to the semiconductor substrate 10, a non-uniform photosensitive film is formed on the semiconductor substrate 10, which causes a defect of the photosensitive pattern and further processing defects in subsequent processes. Let's do it.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 감광액 공급 라인을 통과하는 감광액으로부터 기포를 제거하기 위한 기포 배출부를 갖는 감광액 공급 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a photosensitive liquid supply device having a bubble discharge portion for removing bubbles from the photosensitive liquid passing through the photosensitive liquid supply line.
도 1은 종래의 감광액 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining a conventional photosensitive liquid supply device.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 감광액 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.2 is a schematic diagram illustrating a photosensitive liquid supply apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 감광막 공급 장치를 포함하는 기판 코팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram illustrating a substrate coating apparatus including the photosensitive film supply apparatus illustrated in FIG. 2.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 반도체 기판 200 : 감광액 공급 장치10: semiconductor substrate 200: photosensitive liquid supply device
202 : 용기 204 : 버퍼 탱크202 container 204 buffer tank
206 : 기포 감지 센서 208 : 연결 라인206: bubble detection sensor 208: connection line
210 : 제1공급 라인 212 : 연결 밸브210: first supply line 212: connection valve
214 : 감광액 감지 센서 220 : 기포 배출부214: photosensitive liquid sensor 220: bubble discharge unit
222 : 배출 라인 224 : 배출 밸브222: discharge line 224: discharge valve
226 : 제1펌프 230 : 감광액 공급부226: first pump 230: photosensitive liquid supply unit
232 : 제2공급 라인 234 : 유량 제어 밸브232: second supply line 234: flow control valve
236 : 제2펌프 238 : 필터236: second pump 238: filter
240 : 공급 노즐240: supply nozzle
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 감광액을 저장하기 위한 용기와, 상기 용기로부터 제공되는 감광액을 일시적으로 수용하기 위한 버퍼 탱크와, 상기 버퍼 탱크의 일측에 설치되어 상기 버퍼 탱크에 일시적으로 수용된 감광액에 포함된 기포를 검출하기 위한 기포 감지 센서와, 상기 버퍼 탱크의 상부에 연결되며, 상기 기포 감지 센서에 의해 상기 기포가 감지되는 경우 상기 기포를 상기 버퍼 탱크로부터 배출하기 위한 기포 배출 수단과, 상기 버퍼 탱크의 하부에 연결되며, 상기 버퍼 탱크에 수용된 감광액을 기판 상에 공급하기 위한 감광액 공급 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광액 공급 장치를 제공한다.The present invention for achieving the above object is, a container for storing the photosensitive liquid, a buffer tank for temporarily receiving the photosensitive liquid provided from the container, and a photosensitive liquid provided on one side of the buffer tank temporarily accommodated in the buffer tank A bubble detection sensor for detecting bubbles included in the bubble, connected to an upper portion of the buffer tank, and bubble discharge means for discharging the bubble from the buffer tank when the bubble is detected by the bubble detection sensor; It is connected to the lower portion of the buffer tank, and provides a photosensitive liquid supply apparatus comprising a photosensitive liquid supply means for supplying a photosensitive liquid contained in the buffer tank on a substrate.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 버퍼 탱크 내부에서 기포가 감지되는 경우, 상기 기포는 버퍼 탱크의 상부에 연결된 기포 배출 라인을 통해 배출된다. 기포 배출 라인에는 기포 감지 센서의 신호에 따라 작동되는 배출 밸브가 설치된다. 이때, 기포는 감광액과 함께 배출될 수도 있으며, 상기와 같이 배출되는 감광액은 재활용될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, when bubbles are detected inside the buffer tank, the bubbles are discharged through a bubble discharge line connected to the upper portion of the buffer tank. The bubble discharge line is provided with a discharge valve which operates according to the signal of the bubble detection sensor. In this case, the bubble may be discharged together with the photosensitive liquid, and the photosensitive liquid discharged as described above may be recycled.
상기와 같이 감광액으로부터 기포를 제거하므로써, 반도체 기판 상에는 균일한 감광막이 형성되며, 후속 공정에서의 불량 요인이 사전에 방지되는 효과가 있다.By removing bubbles from the photosensitive liquid as described above, a uniform photosensitive film is formed on the semiconductor substrate, and there is an effect that the defect factor in the subsequent step is prevented in advance.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 감광액 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.2 is a schematic diagram illustrating a photosensitive liquid supply apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 상기 일 실시예에 따른 감광액 공급 장치(200)는 감광액을 저장하기 위한 용기(202)와, 상기 용기(202)로부터 공급되는 감광액을 일시적으로 수용하기 위한 버퍼 탱크(204)와, 버퍼 탱크(204)에 수용된 감광액에 포함된 기포를 감지하기 위한 기포 감지 센서(206)와, 상기 버퍼 탱크(204)에 수용된 감광액으로부터 상기 기포를 배출시키기 위한 기포 배출부(220)와, 상기 버퍼 탱크(204)로부터 반도체 기판(10) 상에 감광액을 공급하기 위한 감광액 공급부(230)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the photosensitive liquid supply apparatus 200 according to the exemplary embodiment includes a container 202 for storing the photosensitive liquid and a buffer tank 204 for temporarily receiving the photosensitive liquid supplied from the container 202. And a bubble detection sensor 206 for detecting bubbles contained in the photosensitive liquid accommodated in the buffer tank 204, a bubble discharge unit 220 for discharging the bubbles from the photosensitive liquid contained in the buffer tank 204; And a photosensitive liquid supply unit 230 for supplying a photosensitive liquid to the semiconductor substrate 10 from the buffer tank 204.
도시된 바에 따르면, 감광액 공급 장치(200)는 감광액을 저장하기 위한 제1용기(202a)와 제2용기(202b)를 갖는다. 그러나, 감광액 저장 용기(202)의 수량은 다양하게 변경될 수 있으며, 본 발명이 감광액 저장 용기(202)의 수량에 한정되지는 않는다. 제1용기(202a)와 제2용기(202b)는 연결 라인(208)에 의해 서로 연결되어 있으며, 연결 라인(208)으로부터 감광액을 버퍼 탱크(204)로 제공하기 위한 제1공급 라인(210)이 분기된다. 연결 라인(208)과 제1공급 라인(210)은 연결 밸브(212)에 의해 서로 연결되어 있으며, 제1용기(202a)로부터 제공되는 감광액을 감지하기 위한 제1감광액 감지 센서(214a)가 제1용기(202a)에 인접하도록 연결 라인(208)에 설치되며, 제2용기(202b)로부터 제공되는 감광액을 감지하기 위한 제2감광액 감지 센서(214b)가 제2용기(202b)에 인접하도록 연결 라인(208)에 설치되어 있다.As shown, the photosensitive liquid supply apparatus 200 has a first container 202a and a second container 202b for storing the photosensitive liquid. However, the quantity of the photosensitive liquid storage container 202 can be variously changed, and the present invention is not limited to the quantity of the photosensitive liquid storage container 202. The first vessel 202a and the second vessel 202b are connected to each other by a connection line 208, and the first supply line 210 for supplying the photosensitive liquid to the buffer tank 204 from the connection line 208. Is forked. The connecting line 208 and the first supply line 210 are connected to each other by a connecting valve 212, and the first photosensitive liquid sensor 214a for sensing the photosensitive liquid provided from the first container 202a is provided. Installed in the connection line 208 adjacent to the first container 202a, the second photosensitive liquid sensor 214b for sensing the photosensitive liquid provided from the second container 202b is connected to the second container 202b. Line 208.
버퍼 탱크(204)의 일측 상부에는 버퍼 탱크(204)에 수용된 감광액에 포함된 기포를 감지하기 위한 기포 감지 센서(206)가 설치되어 있다. 즉, 연결 라인(208), 연결 밸브(212) 및 제1공급 라인(210)을 통해 제공된 감광액에는 미세한 기포가 포함되어 있으며, 상기 미세한 기포는 이동 중에 그리고 버퍼 탱크(204) 내부에서 핵 확산되어 그 크기가 성장한다. 따라서, 상기 기포는 버퍼 탱크(204) 내부에서 상부로 이동되며, 기포 감지 센서(206)에 의해 감지될 수 있다. 상기 기포 감지 센서(206)로는 근접 센서가 사용될 수 있다.A bubble detection sensor 206 for detecting bubbles included in the photosensitive liquid accommodated in the buffer tank 204 is installed at an upper portion of the buffer tank 204. That is, the photoresist provided through the connecting line 208, the connecting valve 212 and the first supply line 210 contains fine bubbles, which are nucleated during movement and inside the buffer tank 204. Its size grows. Therefore, the bubble is moved upward in the buffer tank 204, it can be detected by the bubble detection sensor 206. The bubble sensor 206 may be a proximity sensor.
기포 배출부(220)는 버퍼 탱크(204)의 상부에 연결된 기포 배출 라인(222)과, 기포 배출 라인(222)을 개폐하기 위한 배출 밸브(224) 및 가압력을 제공하는 제1펌프(226)를 포함한다. 상기 배출 밸브(224) 및 제1펌프(226)는 기포 감지 센서(206)의 신호에 따라 동작된다. 즉, 상기 기포 감지 센서(206)는 버퍼 탱크(204)에 수용된 감광액에 포함된 기포를 검출하면, 이에 대한 신호를 배출 밸브(224)와 제1펌프(226)로 전송하며, 상기 신호에 따라 배출 밸브(224)가 개방되고, 제1펌프(226)가 작동된다. 이때, 상기 기포와 함께 감광액도 같이 상기 배출 라인(222)을 통해 배출될 수 있으며, 상기와 같이 배출된 감광액은 재활용될 수 있다.The bubble discharge part 220 includes a bubble discharge line 222 connected to an upper portion of the buffer tank 204, a discharge valve 224 for opening and closing the bubble discharge line 222, and a first pump 226 for providing a pressing force. It includes. The discharge valve 224 and the first pump 226 are operated according to the signal of the bubble detection sensor 206. That is, when the bubble detection sensor 206 detects bubbles contained in the photosensitive liquid accommodated in the buffer tank 204, the bubble detection sensor 206 transmits a signal to the discharge valve 224 and the first pump 226, and according to the signal. The discharge valve 224 is opened and the first pump 226 is operated. At this time, the photoresist together with the bubbles may be discharged through the discharge line 222 as well, and the photoresist discharged as described above may be recycled.
감광액 공급부(230)는 버퍼 탱크(204)의 하부에 연결된 감광액 공급 라인(232), 감광액의 유량을 조절하기 위한 유량 제어 밸브(234), 감광액을 공급하기 위한 가압력을 제공하는 제2펌프(236), 감광액에 포함된 이물질 등을 제거하기 위한 필터(238), 및 상기 감광액 공급 라인(232)의 단부에 연결되며 상기 감광액을 반도체 기판(10) 상으로 공급하기 위해 반도체 기판(10) 상에 배치되는 공급 노즐(240)을 포함한다. 또한, 상기 필터(238)에는 드레인 라인(242)이 연결되어 있으며, 드레인 라인(242)에는 드레인 밸브(244)가 설치되어 있다.The photosensitive liquid supply unit 230 includes a photosensitive liquid supply line 232 connected to a lower portion of the buffer tank 204, a flow control valve 234 for adjusting the flow rate of the photosensitive liquid, and a second pump 236 for providing a pressing force for supplying the photosensitive liquid. ), A filter 238 for removing foreign matters included in the photoresist, and an end of the photoresist supply line 232, and connected to the semiconductor substrate 10 to supply the photoresist onto the semiconductor substrate 10. And a supply nozzle 240 disposed. In addition, a drain line 242 is connected to the filter 238, and a drain valve 244 is provided to the drain line 242.
기포 배출부(220)에 의해 기포가 제거된 감광액은 유량 제어 밸브(234), 제2펌프(236), 필터(238) 및 공급 노즐(240)을 통해 반도체 기판(10) 상으로 공급된다. 이때, 기포 배출부(220)에 의해 기포가 배출되는 동안에는 유량 제어 밸브(234)가 완전히 닫히게 되며, 기포 배출부(220)에 의해 기포가 완전히 배출된 후 유량 제어 밸브(234)가 다시 개방된다. 즉, 유량 제어 밸브(234)의 동작은 기포 감지 센서(206)의 신호에 따라 이루어진다.The photoresist from which bubbles are removed by the bubble discharge part 220 is supplied onto the semiconductor substrate 10 through the flow control valve 234, the second pump 236, the filter 238, and the supply nozzle 240. At this time, while the bubble is discharged by the bubble discharge unit 220, the flow control valve 234 is completely closed, and after the bubble is completely discharged by the bubble discharge unit 220, the flow control valve 234 is opened again. . That is, the operation of the flow control valve 234 is made according to the signal of the bubble detection sensor 206.
따라서, 기포를 포함하는 감광액이 반도체 기판(10) 상에 공급됨으로써 발생 가능한 불량이 미연에 방지된다. 즉, 감광막의 불균일, 감광 패턴 불량과 같은 공정 사고를 사전에 방지할 수 있다.Therefore, the defect which may arise by supplying the photosensitive liquid containing foam on the semiconductor substrate 10 is prevented beforehand. That is, process accidents, such as nonuniformity of a photosensitive film and a bad photosensitive pattern, can be prevented beforehand.
도 3은 도 2에 도시된 감광막 공급 장치를 포함하는 기판 코팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram illustrating a substrate coating apparatus including the photosensitive film supply apparatus illustrated in FIG. 2.
도 3을 참조하면, 도시된 반도체 기판 코팅 장치(300)는 반도체 기판(10)을 지지하고, 회전시키는 회전척(310)과, 회전척(310)을 둘러싸도록 구비되는 보울(320)과, 회전척(310)과 보울(320)을 내장하는 챔버(302)와, 감광액을 공급하기 위한 감광액 공급 장치(200)를 구비한다.Referring to FIG. 3, the illustrated semiconductor substrate coating apparatus 300 includes a rotary chuck 310 supporting and rotating the semiconductor substrate 10, a bowl 320 provided to surround the rotary chuck 310, and A chamber 302 including the rotary chuck 310 and the bowl 320 and a photosensitive liquid supply device 200 for supplying a photosensitive liquid are provided.
회전척(310)의 하부에는 회전력을 전달하는 회전축(312)이 연결되어 있으며, 회전축(312)은 회전력을 제공하는 제1구동부(314)와 연결된다.The lower portion of the rotary chuck 310 is connected to the rotating shaft 312 for transmitting the rotational force, the rotating shaft 312 is connected to the first driving unit 314 for providing a rotational force.
회전척(310)의 상부에는 반도체 기판(10) 상에 감광액을 제공하는 공급 노즐(240)이 구비되며, 공급 노즐(240)은 제2구동부(340)에 의해 반도체 기판(10)을 가로질러 이동 가능하도록 설치된다. 또한, 도시되지는 않았으나, 시너 조성물을 제공하는 노즐이 더 구비될 수 있다.The upper part of the rotary chuck 310 is provided with a supply nozzle 240 for providing a photosensitive liquid on the semiconductor substrate 10, the supply nozzle 240 across the semiconductor substrate 10 by the second driver 340. It is installed to be movable. In addition, although not shown, a nozzle for providing a thinner composition may be further provided.
보울(320)은 반도체 기판(10)의 회전에 의해 반도체 기판(10)으로부터 비산된 감광액을 차단하기 위해 구비되며, 제3구동부(미도시)에 의해 반도체 기판(10)의 로딩 및 언로딩에 따라 상하 구동된다.The bowl 320 is provided to block the photosensitive liquid scattered from the semiconductor substrate 10 by the rotation of the semiconductor substrate 10, and is used to load and unload the semiconductor substrate 10 by a third driving part (not shown). Drive up and down accordingly.
보울(320)의 하부에는 감광액으로부터 발생된 연무(fume) 및 챔버(302) 내부에서 부유하는 미세한 파티클들을 배출하기 위한 제1배출부(350)가 연결되어 있다. 제1배출부(350)는 회전척(310)의 양측에 연결되며, 진공이 제공되는 진공 라인(미도시)과 연결된다. 진공 라인은 진공 펌프와 연결되며, 진공 라인에는 진공 라인의 개폐 정도를 조절하는 밸브가 설치되어 있다. 또한, 보울(320)의 하부 가장자리에는 반도체 기판(10)으로부터 비산되어 보울(320)에 의해 차단된 감광액을 배출하기 위한 제2배출부(360)가 연결되어 있다.The lower portion of the bowl 320 is connected to the first discharge unit 350 for discharging the particles generated from the photosensitive liquid and the fine particles suspended in the chamber 302. The first discharge part 350 is connected to both sides of the rotary chuck 310, and is connected to a vacuum line (not shown) provided with a vacuum. The vacuum line is connected to a vacuum pump, and the vacuum line is provided with a valve for controlling the opening and closing degree of the vacuum line. In addition, a second discharge part 360 for discharging the photosensitive liquid scattered from the semiconductor substrate 10 and blocked by the bowl 320 is connected to the lower edge of the bowl 320.
보울(320)의 바닥에는 제1배출부(350)로 감광액이 유입되는 것을 방지하기 위한 차단부(380)가 설치되어 있다. 차단부(380)는 보울(320)의 측벽에 의해 차단된 감광액이 보울(320)의 바닥으로 이동하여 회전축(312)의 양측에 연결된 제1배출부(350)로 유입되는 것을 방지하도록 제1배출부(350)와 제2배출부(360) 사이에 설치되며, 원형 링 형상을 갖는다.A bottom portion of the bowl 320 is provided with a blocking portion 380 for preventing the photosensitive liquid from flowing into the first discharge portion 350. The blocking unit 380 may prevent the photosensitive liquid blocked by the side wall of the bowl 320 from moving to the bottom of the bowl 320 and entering the first discharge unit 350 connected to both sides of the rotation shaft 312. It is installed between the discharge part 350 and the second discharge part 360, and has a circular ring shape.
상기와 같은 기판 코팅 장치(300)는 기포 배출부(220, 도 2 참조)에 의해 기포가 제거된 감광액을 사용하므로 반도체 기판(10) 상에 균일한 감광막을 형성할 수 있다.Since the substrate coating apparatus 300 as described above uses a photosensitive liquid from which bubbles are removed by the bubble discharge part 220 (see FIG. 2), a uniform photoresist film may be formed on the semiconductor substrate 10.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 감광액 저장 용기로부터 공급되는 감광액은 버퍼 탱크에 일시적으로 수용되며, 버퍼 탱크에 수용된 감광액에 포함된 기포는 기포 감지 센서에 의해 감지된다. 상기와 같이 감지된 기포는 버퍼 탱크에 연결된 기포 배출부에 의해 배출된다.According to the present invention as described above, the photosensitive liquid supplied from the photosensitive liquid storage container is temporarily accommodated in the buffer tank, bubbles contained in the photosensitive liquid contained in the buffer tank are sensed by the bubble detection sensor. The bubbles detected as described above are discharged by the bubble discharge unit connected to the buffer tank.
따라서, 감광액 공급부는 기포가 제거된 감광액을 반도체 기판 상으로 공급할 수 있으며, 반도체 기판 상에는 균일한 감광막이 형성된다.Therefore, the photosensitive liquid supply part can supply the photosensitive liquid from which the bubble was removed onto the semiconductor substrate, and a uniform photosensitive film is formed on the semiconductor substrate.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
Claims (6)
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| KR1020030034073A KR20040102560A (en) | 2003-05-28 | 2003-05-28 | apparatus for supplying a photoresist composition |
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| KR20040102560A true KR20040102560A (en) | 2004-12-08 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100859632B1 (en) * | 2007-08-28 | 2008-09-23 | 주식회사 동부하이텍 | Photoresist supply system |
| EP4102616A4 (en) * | 2020-10-23 | 2023-09-13 | LG Energy Solution, Ltd. | Electrode insulation liquid supply device and electrode insulation liquid supply method |
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2003
- 2003-05-28 KR KR1020030034073A patent/KR20040102560A/en not_active Application Discontinuation
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