KR100837468B1 - 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체, 이를 함유하는 리오트로픽 액정 조성물 및 비등방성 필름 - Google Patents
아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체, 이를 함유하는 리오트로픽 액정 조성물 및 비등방성 필름 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 일련의 새로운 화학적 화합물, 리오트로픽 액정 조성물, 물질, 블렌드, 혼합물
본 발명은 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 일반적 구조식을 가지는 일련의 새로운 화학물질, 리오트로픽 액정 조성물, 물질, 블렌드, 혼합물을 제공한다:
상기 식에서, n은 1에서 4의 정수이고; m은 0에서 4의 정수이고; z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10; X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고; M은 상대 이온이고; 그리고 j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
Description
본 발명은 일반적으로 유기 화학의 분야에서도, 광학적으로 비등방성인 코팅에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 헤테로사이클릭 설포유도체 화합물과 그들의 광학적 비등방성 코팅의 제조방법에 관한 것이다.
현대의 기술적 진보는 특정한 제어가능한 특성을 가진 신규한 물질을 기반으로 하는 광학적 요소의 개발을 요구한다. 특히, 현대의 시각적인 디스플레이 시스템에 필요한 광학적 요소는 개개의 디스플레이 모듈의 광학적 특징들과 최적으로 조합되는 광학적 비등방성 필름이다.
광학적 비등방성 필름의 제조에 사용하기 위한 다양한 고분자 재료는 당해 분야에 공지되어 있다. 이러한 고분자 재료를 기반으로 하는 필름은 유기 염료 또는 요오드를 이용한 착색 및 단축 신장을 통해 비등방성인 광학 특성을 획득한다. 폴리비닐 알코올은, 이러한 응용에 있어서 일반적으로 사용되는 고분자중의 하나이다. 그러나, 폴리비닐 알코올을 기반으로 하는 필름의 낮은 열 안정성은 이들의 적용을 제한한다. 폴리비닐 알코올을 기반으로 하는 필름은 논문[Liquid Crystals-Applications and Uses, B. Bahadur, ed., Vol. 1, World Scientific, Singapore, New York, July 1990, p. 101]에 보다 상세하게 기술되어 있다.
유기 다이크로익(dichroic) 염료는 높은 광학 및 작업 특성을 지니는 광학적 비등방성 필름의 제조에 있어서 탁월함이 입증된 새로운 종류의 물질이다. 이러한 화합물을 기반으로 하는 필름은 기판 표면상에 염료 분자에 의해 형성되는 초분자의 액정(LC) 수용액을 코팅한 후, 수분을 증발시켜 형성될 수 있다. 생성된 필름은, 미국특허 제2,553,961호에 개시된 하부 기판 표면의 예비적인 기계적 배열, 또는 미국특허 제5,739,296호 및 제6,174,394호에 개시된 액정 기판 물질 상의 코팅에 대한 외부의 기계적, 전자기적, 또는 다른 정위력의 적용에 의해 비등방성을 획득한다.
염료 용액의 액정 특성은 당해 분야에 공지되어 있다. 그러나, 액정 디스플레이(LCDs) 및 글레이징(glazing)과 같은 산업에 적용하기 위한 이러한 액정 기반의 염료의 개발에 대한 연구는 계속적으로 늘어나는 추세이다.
초분자는 리오트로픽 액정(LLC)을 형성한다. 컬럼에서 염료 분자의 실질적인 분자 배열 또는 구성은 정위된 강한 다이크로익 필름을 제조함에 있어 이러한 초분자 액정 준결정상을 사용할 수 있도록 한다.
초분자 액정 준결정상을 형성하는 염료 분자는 특징적이다. 이러한 염료 분자는 주변에 기능기를 포함하고, 염료 분자에 수용성을 부여한다. 유기 염료의 준결정상은, 예를 들어 문헌[J. Lydon, Chromonics, in Handbook of Liquid Crystals (Wiley VCH: Weinheim, 1998), Vol. 2B, p. 981 - 1007]에 개시된 대로, 특정 구조, 상 다이어그램, 광학 특성, 및 용해성을 특징으로 한다.
높은 광학적 비등방성을 가지는 필름은 다이크로익 염료에 근거한 LLC 조성물로부터 형성될 수 있다. 상기 필름은 초분자 착물에 의한 빛 흡수에 기인하는 E-형 편광판의 특성과, '액정 디스플레이를 위한 보상판'이란 제목으로 2004년 3월 2일에 출원된 미국 잠정 특허출원 제60/549,792호에 서술된 바와 같은 위상차판 및 보상판의 특성 둘 모두를 나타낸다. 위상차판과 보상판은 흡수가 없는 스펙트럼의 영역에서 상-지연 특성을 나타내는 필름이다. 필름의 상-지연 또는 보상 특성은 복굴절(Δn)로 알려진 그들의 이중 굴절에 의해 결정된다:
Δn = ┃ n0 - ne ┃
다시 말해, 굴절률 인덱스에서 비정상적인 파(ne)과 정상적인 파(n0) 간의 차이로 표현된다. ne 및 n0는 매질에서 분자의 배향과 전파 방향에 의존하여 변한다. 예를 들어, 만약 전파 방향이 광학적 또는 결정의 축과 일치한다면, 정상적인 편광이 우세하게 관찰된다. 반면에, 만약 빛이 광학적 축에 대해 직각으로 또는 직각이 아닌 약간의 각을 가지면서 전파하는 경우, 매질로부터 생겨난 빛은 그것의 비정상적 및 정상적인 파의 구성요소로 분리되거나 분해된다.
유용하게는, 광학적 성질에 더하여, 고강도 염료가 사용되는 경우, 높은 열 안정성 및 광 안정성을 가지는 필름도 제조될 수 있다.
증착 조건의 조정을 통한 염료 기반의 필름을 제조하는 새로운 방법을 개발하는데 목적을 둔 광범위한 연구에 대해서는 미국특허 제5,739,296호, 제6,174,394호 및 공개된 특허출원 EP 제961138호에 서술되어 있다. 특히 흥미있는 것은 필름의 특성을 개선시키기 위해 공지된 염료에 개질제, 안정화제, 계면활성제 및/또는 다른 첨가제를 사용한 리오트로픽 액정의 새로운 조성을 개발하는 것이다.
다양한 파장 범위에서 개선된 선택성을 가지는 비등방성 필름의 제조에 대한 요구가 증가하고 있다. 적외선으로부터 자외선까지의 넓은 스펙트럼 파장 영역에 걸친 다양한 최대 흡수를 가지는 필름이 다양한 기술적 영역에서 요구된다.
따라서, 최근 연구의 방향은 등방 및/또는 비등방성의 이중 굴절 필름, 편광판, 위상차판 또는 보상판의 제조에 사용되는 물질에 대한 것이며, 여기서 이들은 LC 디스플레이 및 텔레커뮤니케이션 장치에 사용하기 위한, 광학적 물질 또는 필름으로 총칭되고 있으며, 하기 문헌[P. Yeh, Optical Waves in Layered Media, New York: John Wiley & Sons, Inc, 1998 and P. Yeh and C. Gu, Optics of Liquid Crystal Displays, New York, John Wiley & Sons, Inc., 1999]에 서술되어 있는 것들을 포함하나 이것에 한정되는 것은 아니다. 유기 염료 LLC 조성물로 구성되는 광학적 비등방성 필름을 제조하기 위한 공지된 방법과 기술을 사용하여 매우 얇은 이중 굴절 필름을 제조할 수 있음이 알려졌다. 적색 염료 Vat Red 14의 디설포산(disulfoacid)에 기반한 얇은 액정의 광학적 비등방성 필름의 제조에 대한 최근의 보고들은 하기 문헌[Lazarev, P. and Paukshto, M., "Thin Crystal Film Retarders", 2000, Proceeding of the 7th International Display Workshops, Materials and Components, Kobe, Japan, November 29-December 1, pp. 1159-1160]에서 나프탈렌테트라카복실산 디벤즈이미다졸의 시스- 및 트랜스- 이성질체의 혼합물로서 기재되어 있다:
이 기술은 유리판과 같은 기판상에서 LC 분자의 코팅 및 결정화가 일어나는 동안 필름의 결정학적 축 방향의 조절을 수행한다. 증착된 필름은 조성이 균일하며, 예컨대, 제한되는 것은 아니지만, 편광판, 위상차판, 이중 굴절 물질(예를 들어, 복굴절 필름) 또는 보상판와 같은 광학적 물질 또는 필름으로 유용한 것으로 만드는 다이크로익 비율, 즉 Kd의 높은 분자 및/또는 액정 순서를 가진다.
도 1을 참조하면, 분자적 배향된 적색 염료에 기반한 필름은 전형적으로 굴절률 인덱스에서 큰 차이, 즉, Δn = n0 - ne가 약 500에서 700 nm의 파장 영역에서 0.4에서 0.9에 이르는 변화를 나타내는 높은 비등방성 특성을 나타낸다. 그러나, 필름은 염료의 현저한 흡수가 나타나지 않는 가시광선 스펙트럼의 좁은 영역, 다시 말해 녹색 스펙트럼 영역에서 수행되기 때문에 그들의 적용은 제한된다.
가시광선 영역에서 투명한 얇은 이중 굴절 필름은 소듐 크로모글리케이트(sodium chromoglycate; DSCG)에 근거하여 제조된다:
DSCG로부터의 배향된 필름의 비등방성은 그리 높지 않다. 굴절률 인덱스에서의 차이인 Δn은 약 0.1에서 0.13의 영역안에 있다. 그러나, DSCG에 근거한 필름의 두께는 넓은 영역에 걸쳐 변할 수 있으며, 따라서 필름의 낮은 비등방성 특성에도 불구하고 바람직한 상-지연 효과를 가지는 필름의 제조가 가능해진다.
이러한 필름들은 문헌[T. Fiske, et al.,"Molecular Alignment in Crystal Polarizers and Retarders", Society for Information Display, Int. Symp. Digest of Technical Papers, Boston, MA, May 19-24, pp. 566-569,2002]에 보다 더 자세하게 논의되어 있다. 수많은 이러한 필름들의 주요 단점은 LC 분자의 점진적인 재결정화 및 비등방성 분해를 유도하는 그들의 동적인 불안정성에 있다.
다른 비등방성 물질은 예를 들어, 미국특허 제5,739,296호, 제6,174,394호 및 유럽특허 EP 제0961138에서 보여주는 바와 같이, 상술한 기술을 사용한 수용성 유기 염료에 근거하여 합성된다. 이러한 물질들은, 많은 적용을 위해 유리한 가시광선 스펙트럼 영역에서 높은 흡수를 나타내는 것이 투명한 이중 굴절 필름의 형성을 위한 그들의 적용을 제한한다.
따라서, 일반적으로 그들이 작용하는 영역에서 광학적으로 비등방성이면서도 충분히 투명한 필름이 요구된다. 광학 필름을 위해서는 가시광선 영역에서 투명한 필름이 요구된다. 따라서, 비등방성 필름의 합성 및 제조를 위한 개선된 방법을 제공하는 것이 바람직하다. 또한, 온도 변화에 견디는 광학 필름을 제공하는 것이 바람직하다.
발명의 요약
일반적으로, 본 발명은 일련의 새로운 화학물질, 다시 말해, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 일반적 구조식을 가지는 화학물질을 제공한다:
상기 식에서, n은 1에서 4의 정수이고; m은 0에서 4의 정수이고; z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10; X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고; M은 상대 이온이고; 그리고 j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
다른 구체예에서 리오트로픽 액정 조성물은 하기 구조식의 하나 또는 조합을 가지는 하나 이상의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체를 포함하여 제공된다:
상기 식에서, n은 1에서 4의 정수이고; m은 0에서 4의 정수이고; z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10; X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고; M은 상대 이온이고; 그리고 j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
본 발명에서는 또한, 광학적 비등방성 필름을 형성하기 위한 방법이 제공된다.
발명의 상세한 설명
하나의 구체예에서, 본 발명은 광학적 물질을 생성하기 위한 화합물 및 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 광학적 물질은 가시광선 스펙트럼 영역에서흡수되지 않거나 또는 단지 약한 흡수를 나타낸다. 다른 구체예에서, 광학적 물질은 도 2에 도시한 바와 같이 높은 복굴절을 가지는 적어도 부분적으로 결정성을 가진 비등방성 필름을 제조하기 위한 증강된 안정성을 나타내는 리오트로픽 액정(LLC)상을 형성할 수 있다.
본 발명의 수용성 화합물, 예를 들어, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체가 본원에서 확인된 문제들을 처리함을 발견하였다. 본 발명의 설포유도체의 제조에 관한 방법이 하기에 서술되었다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 구체예의 광학적 물질은 실제로 복굴절을 가지며, 다시 말해 ne 및 n0에 대한 값들이 명백히 다르다. 정의된 파장 영역에 걸쳐, 복굴절의 크기는 0.2에서 0.4이다.
계속적으로, 도 2를 참조하면, 광학적 물질은 가시광선 영역의 실질적 부분에 걸쳐 충분히 투명하다. 약 430 nm 이상에서, 정렬된 방향에 대한 평행(ke) 및 수직(k0) 흡광 계수는 명목적이다. 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 및 그것의 유도체는 다이크로익 염료로도 알려져 있는 기술된 π-전자 컨쥬케이트된 시스템(conjugated system)을 가질 수 없다. 따라서, 그들은 단지 UV 스펙트럼 영역에서 흡수하며, 가시광선 영역에서는 흡수하지 않거나 약하게 흡수한다. 따라서, 도 3에 도시한 바와 같이, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 일반적으로 약 245 및 320 nm에서 최대의 흡수를 나타낸다.
본 발명의 구체예에서, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 넓은 영역의 농도, 온도 및 pH 영역에 걸쳐 강화된 안정성을 가지는 리오트로픽 액정 (LLC) 상을 제공한다. 이러한 LLC 상은 필름 형성 공정을 쉽게 하는 유기 화합물로부터 형성되고, 코팅을 위한 표준 장치로 코팅되되어, 그것에 의하여, 재생산되는 파라미터에서 고가이면서도 복잡한 장치없이 필름의 제조를 용이하게 한다.
다른 구체예에서, 하나 이상의 설포유도체를 포함하고, 최적의 친수성-소수성 밸런스를 가지는 본 발명의 유기 화합물 또는 그것의 혼합물이 제공된다. 이것은, 차례로, 결과로서 생기는 초분자의 크기와 모양 및 초분자에 있어서의 분자 순서 비율에 영향을 주어, 요구된 용해도를 가지는 분자 또는 초분자 구조를 허용한다. 적당한 용해도 값은 생성된 LLC 상의 높은 안정성을 촉진한다. 결과적으로, 필름 형성의 서로 다른 단계에서 기술적 조건의 선택과 조절에 대한 요건의 감소에 의해 필름의 재현성은 개선되고 공정은 단순화된다. 또한, 생성된 필름의 광학적 성능은 기판상의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체 초분자의 정렬에 있어 증가된 균일성에 의해 개선된다.
다른 구체예에서, 하나 이상의 설포유도체를 포함하고, 최적의 친수성-소수성 밸런스를 가지는 본 발명의 유기 화합물 또는 그것의 혼합물이 제공된다. 이것은, 차례로, 결과로서 생기는 초분자의 크기와 모양 및 초분자에 있어서의 분자 순서 비율에 영향을 주어, 요구된 용해도를 가지는 분자 또는 초분자 구조를 허용한다. 적당한 용해도 값은 생성된 LLC 상의 높은 안정성을 촉진한다. 결과적으로, 필름 형성의 서로 다른 단계에서 기술적 조건의 선택과 조절에 대한 요건의 감소에 의해 필름의 재현성은 개선되고 공정은 단순화된다. 또한, 생성된 필름의 광학적 성능은 기판상의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체 초분자의 정렬에 있어 증가된 균일성에 의해 개선된다.
삭제
계속적으로, 본 발명의 다른 구체예에 있어서, 예를 들어, UV/VIS 편광판, 위상차판, 보상판 또는 복굴절(이중 굴절) 물질로 사용될 수 있는 무색 또는 약한 흡수의 광학적 필름이 제공된다. 유리하게는, 필름의 높은 광학적 비등방성(예를 들어, 가시광선 영역에서 Δn = 0.6 까지) 및 높은 투명성(예를 들어, 대략 10-3의 흡광 계수)은 효율적인 단일층 및 다중층 반사 편광판이 디자인될 수 있도록 한다. 유용하게는, 이 반사 편광판은, 예를 들어 문헌[Wortman D. L.,"A Recent Advance in Reflective Polarizer Technology" (1997), Research Conf. and International Workshop on LCD Tech. And Emissive Tech., SID, 1997, M98-M106]에서 보이는 신장된 고분자 필름으로 구성되는 복굴절층을 가진 종전의 것과 비교해 볼 때, 본 발명의 그것은 약 100 nm의 두께를 가지는 높은 복굴절층을 제공할 수 있다. 이것은 같은 층의 개수를 가지는 상대적으로 낮은 복굴절 고분자 필름보다 높은 반사성 및 다이크로익 비율을 보증한다.
구체예에서, 본 발명의 수용성 화합물은 하기 구조식으로 나타내어지는 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체를 포함한다:
상기 식에서:
n은 1에서 4의 정수이고;
m은 0에서 4의 정수이고;
z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10로 제한되고;
X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
M은 상대 이온이고; 그리고
j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
하나의 상대 이온이 여러 개의 분자에 소유되는 경우에 있어서, j는 분수가 될 수 있다. 만약 n이 1보다 크면, 상대 이온은 달라질 수 있다. 상대 이온은 NR4 +와 같은 유기 양이온이 될 수 있으나 이것에 제한되지 않으며, 여기서 R은 알킬, 사이클로알킬 또는 그것의 조합이고, 또는 H+, NH4 +, K+, Li+, Na+, Cs+, Ca++, Sr++, Mg++, Ba++, Co++, Mn++, Zn++, Cu++, Pb++, Fe++, Ni++, Al+++, Ce+++, La+++, 등 또는 그것의 조합과 같은 무기 양이온이 될 수 있으나 이것에 제한되지 않으며, 그것의 유기 및/또는 무기 상대 이온의 혼합물을 포함한다.
상술한 구조식을 참조하면, 숙련된 당업자에게는 Xm의 기재로부터 m개의 X가 A로 디자인된 고리 사이에 어디에서든, 어떠한 조합으로든 존재할 수 있는 것으로 이해될 수 있다. 유사하게, 숙련된 당업자에게는 Yz의 기재로부터 z개의 Y가 D 및 E로 디자인된 고리 사이에 어디에서든, 어떠한 조합으로든 존재할 수 있는 것으로 이해될 수 있다. 또한, n개의 SO3 - 기가 어떠한 조합으로도 고리 A, D 및 E상에 존재할 수 있다. 이것과 유사한 방법에 있어서 화학 구조 내의 이러한 기재 및 다른 치환체들은 비슷하게 해석되어야 한다.
본 발명의 한 구체예는 하기 구조식으로 나타내어지는 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체를 포함한다:
상기 식에서:
n은 1에서 4의 정수이고;
m은 0에서 4의 정수이고;
z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10이고; X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
M은 상대 이온이고; 그리고
j는 분자 내에서 상대 이온의 수이고,
단, n=1 및 SO3 -가 위치 1에 있을 때, m≠0 또는 z≠0 이다.
한 구체예에서, 실질적으로 개별적인 하나의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체를 포함하는 화합물은, 제한되지는 않지만, 하기 구조식 I, IIA-VIII의 화합물인 설포유도체의 적당한 예를 포함하며, 이러한 구조식은 설포-, X- 및 Y-기의 수 및 위치에 의해 달라진다:
상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 6의 정수이고;
상기 식에서, m은 0에서 4의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고, 단, n=1 및 SO3 -가 위치 1에 있을 때, m≠0 또는 z≠0 이고;
상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 6의 정수이고;
상기 식에서, m은 0에서 4의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;
상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고;
상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;
상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고;
상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;
I, IIA-VIII의 각 구조에 대해, X- 및 Y-기들은 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고; M은 상대 이온이고; 그리고 j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다. 하나의 상대 이온이 여러 개의 분자를 소유하는 경우에 있어서, j는 분수가 될 수 있다. 만약 설포기의 수가 1보다 크면, 상대 이온은 달라질 수 있다.
선택적으로, 본 발명의 설포유도체는 다른 알려진 다이크로익 염료, 안정한 LLC 상을 형성할 수 있는 가시광선 영역에서 흡수하지 않는 유기 화합물, 액정의 조성물 또는 구성을 형성시키기 위한 계면활성제, 첨가제, 안정화제, 개질제 또는 가소제와 함께 및/또는 어떠한 조합으로 섞이거나 혼합될 수 있다. 한 구체적인 예에서, 설포유도체, 또는 이의 조성물 또는 혼합물은 LLC 상을 형성한다. 용매를 제거한 후, 결과로 얻어지는 LLC 상은 바람직한 광학적 특징과 높은 복굴절을 가진 부분적으로 결정인 비등방성 필름을 형성할 것이다. H+, NH4 +, K+, Li+, Na+, Cs+, Ca++, Sr++, Mg++, Ba++, Co++, Mn++, Zn++, Cu++, Pb++, Fe++, Ni++, Al+++, Ce+++, La+++ 및 양이온의 혼합물로부터 선택된 예들로부터 선택된 다양한 양이온들은 상술한 I-VIII 구조에서 상대 이온으로 사용될 수 있다.
본 발명의 또다른 구체예에서, 리오트로픽 액정 조성물은 하기 구조식의 하나 이상의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체를 포함하여 제조된다:
상기 식에서:
n은 1에서 4의 정수이고;
m은 0에서 4의 정수이고;
z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10이고; X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
M은 상대 이온이고; 그리고
j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
유리하게도, 본 발명은 여기서 개시된 일반적인 구조식의 개별적인 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체 또는 상기 설포유도체의 혼합물을 포함하는 물-기반의 LLC 조성물을 제공한다. 본 발명의 한 예상되는 구체예에 따른 상기 LLC조성물은 물과 어떤 비율로 물과 섞이거나 제한적으로 물과 섞이는 유기 화합물의 혼합물이다. 또다른 구체예에서, LLC 조성물은 약 3에서 60 질량%의 범위에서 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체 또는 그들의 혼합물을 포함한다. 다양한 구체예들에서, LLC는 약 7에서 30 질량%의 범위에서 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체 또는 그들의 혼합물을 포함한다. 다른 구체예에서, LLC 조성물은 또한 약 30%까지의 계면활성제 및/또는 30%까지의 가소제를 포함할 수 있다.
필요한 특성에 의존하는 LLC 조성물에서, 각각의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 함량은 다음의 기준에 따라 다양하게 될 수 있다:
1. 일반적인 구조식의 모노설포유도체는 약 0에서 99 질량%의 농도의 범위를 가지고 보다 바람직하게는 각각 또는 전체적으로 약 50에서 99 질량%의 농도의 범위를 가지고;
2. 일반적인 구조식의 디설포유도체는 각각 또는 전체적으로 약 0에서 99 질량%의 농도의 범위를 가지고 보다 바람직하게는 각각 또는 전체적으로 약 50에서 99 질량%의 농도의 범위를 가지고;
3. 일반적인 구조식의 트리설포유도체는 각각 또는 전체적으로 약 0에서 30 질량%의 농도의 범위를 가지고 보다 바람직하게는 각각 또는 전체적으로 약 10에서 20 질량%의 농도의 범위를 가지고; 또는
4. 일반적인 구조식의 테트라설포유도체는 약 0에서 20 질량%의 농도의 범위를 가지고 보다 바람직하게는 약 5에서 10 질량%의 농도의 범위를 가진다.
LLC 조성물은 추가적으로 하나 이상의 LLC 상 형성에 있어서 참여할 수 있는 수용성 무색 유기 화합물 또는 유기 염료를 포함할 수 있다. 선택적으로, LLC 조성물은 여기서 공지된 적어도 둘 이상의 서로 다른 유도체 X 및/또는 Y 또는 둘 이상의 서로 다른 위치에 하나 이상의 치환체를 가지는 일반적인 구조식의 둘 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 약 245 및 320 nm의 파장인 UV 영역의 근처에서 수용액 중에 일반적으로 최대 흡수를 가진다. 에틸, 메틸, 클로로 및 브롬과 같은 치환체의 도입은 대응하는 치환체가 없는 같은 분자와 비교하여 일반적으로 현저한 흡수 밴드 이동을 일으키지 않는다. 그러나, 아미노 및 하이드록시 유도체의 도입은 흡수 밴드의 폭을 넓히고 긴 파장영역으로의 이동을 유도한다.
유용하게, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린에서의 설포기의 수 및/또는 X- 및/또는 Y-치환체의 수가 변하면, 집합성의 경향 및 액정 (LC) 용액의 전체적 점도와 같은 친수성 및 소수성이 변화할 수 있다. 따라서, 본 발명은 주위 치환기의 수 및 선택의 변화에 의해 적당한 광학적 성질을 가진 필름을 제조하는 화합물 또는 방법을 제공한다.
한 관점에서, 본 발명의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 광학적 비등방성 필름을 형성한다.
본 발명의 다른 관점에서, 광학적 필름은 설포유도체, 이의 혼합물 또는 조성물을 포함하는 하기 구조식을 포함하여 제공된다:
상기 식에서:
n은 1에서 4의 정수이고;
m은 0에서 4의 정수이고;
z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10이고; X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;
M은 상대 이온이고; 그리고
j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
또다른 관점에서, 본 발명의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 안정한 LLC 조성물을 형성할 수 있다. 이러한 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 광학적 등방성 또는 비등방성 필름을 제조하기 위해 적당하다. 그러나 다른 관점에서, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 적어도 부분적으로 결정인 필름 및/또는 편광 및/또는 이중 굴절(복굴절) 필름 및 물질을 제조하기 위해 계획된다.
유용하게는, 여기서 언급된 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 개별적으로 또는 조성물로, 광학적 등방성 또는 비등방성 편광 및/또는 상-지연 필름 또는 물질과 같이 행동하는 혼합물 또는 구성이 될 수 있다. 광학적 등방성 또는 비등방성 필름 구성의 예는, 예를 들어, 이로 제한되지는 않지만, 여기서 개시된 적어도 둘 이상의 서로 다른 유도체 X 및/또는 Y 또는 둘 이상의 서로 다른 위치에 하나 이상의 치환체를 가지는 일반적인 구조식의 적어도 둘 이상의 설포유도체를 포함한다.
상술한 조합은 특별히, 제한되지는 않지만, 여기서 개시된 일반적인 구조식에 따른 각각의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체를 포함하는 비등방성 필름 또는 물질 또는 무색 유기 화합물, 유기 염료, 계면활성제, 안정화제, 첨가제, 개질제, 고분자 및/또는 가소제를 포함하는 유기 화합물과 함께 또는 단독인 상기 구조식의 화합물의 혼합물을 포함하는 조성물에 의해 본 발명의 기술적 목적의 관점을 설명한다.
구체예에서, 본 발명의 필름, LLC 조성물, 물질, 혼합물, 조합 및 블렌드는 유기 염료, 유기 화합물, 계면활성제, 첨가제, 개질제, 안정화제 또는 가소제와 함께 또는 단독으로 여기서 개시된 일반적인 구조식의 하나 이상의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체를 포함한다. 다른 구체예에서 본 발명의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 유기 화합물, 유기 염료, 유기 화합물, 계면활성제, 첨가제, 개질제, 안정화제 또는 가소제와 함께 또는 단독으로 여기서 개시된 일반적인 구조식의 어떤 구조를 포함한다.
광학적 필름 형성을 위한 방법
다른 관점에서, 본 발명은 기판상에 여기서 개시된 것들에 대응하는 LLC 조성물 증착에 의해 비등방성 필름을 제조하기 위한 방법을 제공한다.
본 발명의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체는 안정한 리오트로픽 액정 (LLC) 조성물을 형성할 수 있다.
물 또는 적당한 용매에 녹을 때, 여기서 개시된 일반적인 구조식의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체의 분자 및/또는 그것의 혼합물은 등축이 아닌 (봉모양) 플레잉 카드의 덱과 같은, 평행한 방식으로 쌓인 분자인 초분자를 형성한다. 용매 내에서 초분자의 농도가 증가함에 따라, 조성물이 액정화(콜로이드 조성물)되면서 네마틱 리오트로픽 중간상 형성을 유도하는, 부등의 초분자의 자연적 순서가 발생한다. 초분자는 조성물의 동역학적 단위처럼 기능화한다. LC 상으로의 전이가 일어나는 농도는 약 3에서 60 질량%의 범위에 있는 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체의 비율에 의존한다. LC상은 예를 들어, 편광 현미경과 같은 표준 방법에 의해 쉽게 고정된다.
LC는 초분자 컴플렉스 정렬 후 용매를 제거하는 동안, 비등방성 필름에 집어넣은 조성물의 미리 정돈된 상태이다. 여기서 개시된 일반적인 구조식의 각각의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체 및 그들의 혼합물의 LC 용액(조성물)은 예를 들어, 미국특허 제5,739,296호, 제6,174,394호 및 제6,563,640호에 개시된 것과 같은 공지된 방법을 사용하여 기판 표면상에 증착하고 정렬될 수 있다. 예를 들어, 바람직한 분자의 방향은 전단응력, 또는 중력 또는 전기 또는 자기장의 적용에 의해 얻어질 수 있다. 보다 나은 기판 표면상의 습윤과 LC 용액 유동적 특성의 개선을 위해, 용액은 예를 들어, 가소성 수용성 고분자 및/또는 음이온 활성 또는 비이온성 계면활성제와 같은 변형된 첨가제와 함께 도핑될 수 있다. 낮은 분자량의 수용성 화합물은 선택적으로 사용될 수 있다. 상기 첨가제는 LC 용액의 정렬을 파괴하지 않는 화합물로부터 선택된다.
배향된 필름으로부터 용매 제거시에, 약 0.1에서 1.2 마이크론의 두께를 가진 비등방성 필름이 형성된다. 얻어진 층 내에서 분자의 평면이 서로 평행하게 되고 상기 층의 적어도 한 부분에 삼차원적 결정이 형성된다. 상기 층은 하나 이상의 방향에 대해 높은 정도의 비등방성 및 높은 굴절률 인덱스를 가진다. 가시광선 스펙트럼 영역에서의 정렬 방향을 따르거나 가로지른 굴절률 인덱스의 차이는 약 0.1에서 0.6의 영역이다. 높은 복굴절을 가지는 것은 공지된 고분자 위상차판을 얻을 수 없었다. 따라서, 본 발명에 근거한 이중 굴절 필름의 지연값은 같은 두께를 가진 고분자 물질을 넓게 사용하여 얻어지는 것보다 약 10-100배 더 높다.
한 구체예에서, 초분자에 의해 형성되는 LLC로부터 얇은 비등방성의 투명한 필름을 얻는 방법은 다음의 단계들을 포함한다:
- 기판상의 이러한 LLC의 증착 (또는 LCD의 기능성층, 또는 다중층 구조의 층들 중의 하나); 상기 LLC는 어떤 온도에 있고 그리고 분산상의 어떤 농도를 가져야만 하므로, 상기 LLC는 딕소트로픽(thixotropic) 성질을 가진다;
- 조성물 점도의 감소를 제공하는 어떤 외부적 충격에 의해 유동성이 증가된 상으로의 증착된 LLC의 변환(가열, 전단가공에 의해 변형될 수 있는 등); 외부적 충격은 전체 후속 정렬 공정 동안 계속될 수 있거나, LLC가 정렬되는 동안 증가되는 점도를 가지는 상태로 이완되는 시간을 가지지 않게 하는 필요한 기간을 동안 이어질 수 있다;
- 기계적인 방법 및 그 밖의 방법으로 수행될 수 있는 LLC에 대한 외부 배향 작용; LLC의 동역학적 단위가 필요한 배향을 받고 구조를 형성하도록 이 작용의 정도는 충분하여야 하고, 그리고 그것은 형성된 층에서 미래의 결정 격자에 대한 근거가 될 수 있다;
- 필름의 배향 영역을 기본적인 외부적 작용으로 달성된 낮은 점도를 가진 상태로부터 조성물의 본래 또는 그보다 더 높은 점도를 가진 상태로의 변환; 이러한 변환은 필름의 형성에 있어서 탈배향적인 구조가 없고 상기 층의 표면의 외관의 흠을 피하기 위한 방법으로 수행된다;
- 비등방성 필름이 형성되는 동안, 형성된 필름으로부터 용매의 제거의 공정인 최종 수행. 바람직하게, 필요하지는 않지만, 본 발명의 비등방성 필름은 적어도 부분적으로 결정이다. 광학적 비등방성 필름은 광학적 축 중의 하나를 따라 약 3.1-3.7Å의 범위에서 결정 격자 단위 내에 결정면간 거리를 나타낸다. 원자 수준에서 거리를 결정하기 위한 표준 방법은 X-ray 회절을 포함하지만 이것에 제한되는 것은 아니다.
아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 합성
본 발명은 구조식 I-VIII의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체를 합성하기 위한 방법을 제공한다.
예를 들어, 일반적인 구조식의 설포유도체, 여기서 M = H, 하기에 기술하는 바와 같이, X는 당업자에 의해 다양한 방법을 사용하여 형성될 수 있다. 제한되지 않는 예에 있어서, 본 발명의 설포유도체는 방법 1에 따라 상이한 농도와 온도에서, 이로 제한되는 것은 아니지만, 황산, 발연황산, 클로로설포닉 산, 또는 그들의 조합과 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 또는 그것의 유도체의 설포네이션에 의해 합성될 수 있다:
상기 식에서, n은 1에서 4의 정수이고; m은 0에서 4의 정수이고; z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10; X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3 및 NO2로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
방법 1을 참조하면, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 또는 그것의 유도체 IX의 설포네이션 후에, 일반적 화학식 X의 설포유도체는 유도체 XI의 가수분해를 통해 합성될 수 있다. 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 또는 그것의 유도체의 전형적인 설포네이션 반응에 있어서, 반응은 유기 용매 중에서 또는 순수하게 진행될 수 있으며, 예를 들어, 설포네이션 시약을 용매로서 사용함으로써 진행될 수 있다.
선택적으로, 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체는 아세나프텐퀴논 또는 그것의 유도체 사이의 축합 반응에 의해 제조될 수 있는데, 예를 들어, 제한되는 것은 아니지만, o-페닐렌디아민 또는 그것의 구조식 XIII 같은 유도체와 구조식 XII에서, 예를 들어, 본 발명의 예상되는 구조식 XIV과 같은 구조를 얻는다:
방법 2를 참조하면, 구조식 XII상에 설포네이트 기는 단 하나이지만, 구조식 XII 및 XIII의 축합반응 이전에 구조식 XII상에 하나 이상의 설포네이트 및/또는 X 및 Y기를 위치시킬 수 있다. 선택적으로, 하나 이상의 설포네이트 및/또는 X 및 Y기는 구조식 XII 대신에 구조식 XIII상에 위치시킬 수 있다. 선택적으로, XII 및 XIII 모두 하나 이상의 설포네이트, X, Y, 또는 그들의 조합으로 치환될 수 있다.
아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 및 그것의 유도체를 합성하기 위한 상술한 것들 및 다른 구체예들은 또한 하기에 기술되었다.
예를 들어, 본 발명의 한 관점에서, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 및 그것의 유도체는 방법 3에 따라 적절히 미리 설포네이트된 o-페닐렌디아민과 적절히 미리 설포네이트된 아세나프텐퀴논의 축합반응으로부터 얻어질 수 있다:
축합반응은 제한되는 것은 아니지만, 미네랄, 무기 또는 유기산, 열, 건조제, 탈수제, 수분 포집제, 수분 흡수제, 또는 그것의 조합과 같은 촉매의 첨가에 의해 촉진될 수 있다.
필요한 것은 아니지만, 축합 생성물은, 제한되는 것은 아니지만, 친전자성 방향족 치환반응, 금속 참가 친핵성 치환반응, SO3 가스, 발연황산, 티오닐 클로라이드, 설포닐 클로라이드, 진한 황산, 또는 그들의 조합을 사용하는 프리델-크래프트 반응과 같은 당업자에게 공지된 다양한 설폰화 반응에 의해 더 설폰화될 수 있다.
제 2 관점에서, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체는 방법 4에 도시된 바와 같이 미리 설폰화된 아세나프텐퀴논과 설폰화되지 않은 페닐렌디아민의 축합에 의해 합성될 수 있다:
선택적으로, 축합 생성물은 제한되는 것은 아니지만, 친전자성 방향족 치환반응, 금속 참가 친핵성 치환반응, SO3 가스, 발연황산, 티오닐 클로라이드, 설포닐 클로라이드, 진한 황산, 또는 그들의 조합을 사용하는 프리델-크래프트 반응과 같은 당업자에게 공지된 다양한 설폰화 반응에 의해 더 설폰화될 수 있다.
제 3 관점에서, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 유도체는 방법 5에 도시된 바와 같이 설폰화되지 않은 아세나프텐퀴논과 미리 설폰화된 페닐렌디아민의 축합에 의해 합성될 수 있다:
선택적으로, 축합 생성물은 제한되는 것은 아니지만, 친전자성 방향족 치환반응, 금속 참가 친핵성 치환반응, SO3 가스, 발연황산, 티오닐 클로라이드, 설포닐 클로라이드, 진한 황산, 또는 그들의 조합을 사용하는 프리델-크래프트 반응과 같은 당업자에게 공지된 다양한 설폰화 반응에 의해 더 설폰화될 수 있다.
선택적으로, 방법 6을 참조하면, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 유도체는 설폰화되지 않은 아세나프텐퀴논과 설폰화되지 않은 페닐렌디아민의 축합반응 후에, 제한되는 것은 아니지만, 친전자성 방향족 치환반응, 금속 참가 친핵성 치환반응, SO3 가스, 발연황산, 티오닐 클로라이드, 설포닐 클로라이드, 진한 황산, 또는 그들의 조합을 사용하는 프리델-크래프트 반응과 같은 설폰화 반응을 포함하는 2단계 방법에 의해 합성된다:
적당한 페닐렌디아민은 시그마-알드리치(Sigma-Aldrich, Milwaukee, WI, www. sigmaaldrich. com) 또는 다이나믹 신세시스(Dynamic Synthesis, New Jersey, NY, www. dynamic-synthesis. com)으로부터 구매될 수 있다. 선택적으로, 알드리치 또는 다이나믹 신세시스로부터의 페닐렌디아민은 바람직하게 치환된 페닐렌디아민 유도체를 제공하기 위해 화학적으로 조작될 수 있다. 유사하게, 아세나프텐퀴논은 시그마-알드리치(Sigma-Aldrich, Milwaukee, WI, www. sigmaaldrich. com)로부터 구매되거나 또는 바람직하게 치환된 아세나프텐퀴논 유도체를 제공하기 위해 화학적으로 조작될 수 있다. 페닐렌디아민과 아세나프텐퀴논을 화학적으로 조작하기 위한 방법은 예를 들어, 문헌[Larock et al., Comprehensive Organic Transformations, 2nd Ed., Wiley, New York, NY (1999)]에 기재되어 있다.
각각의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 분리 및/또는 정제는 분별 결정/침전에 의해 용액에서 그들의 혼합물로부터 분획될 수 있다. 선택적으로, 각각의 설포유도체는 이온 교환 컬럼, 컬럼 크로마토그래피, 고성능 액체 크로마토그래피, 선택적 결정화, 유도체화 분리, 겔 전기이동, 원심분리, 또는 그들의 조합에 의해 분리 및/또는 정제될 수 있다.
도 1은 종전 기술에서 보여지는 설폰화된 나프탈렌테트라카복실산 디벤즈이미다졸로부터 형성된 필름에 대한 지연 또는 복굴절(Δn)과 파장 사이의 관계를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포네이트 조성물 흡광 계수(ke,k0) 대 파장의 도면을 보여주며 그것은 같은 파장 영역에 걸쳐 정렬된 방향과 평행하게 측정된 비정상적 굴절률 인덱스 및 정렬된 방향과 수직으로 측정된 정상적 굴절률 인덱스에서의 변화를 도시한 도면과 겹쳐진다.
도 3은 25 mg/L의 농도를 가지는 본 발명의 예상되는 하나의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포네이트 조성물의 수용액에 대한 흡수 스펙트럼이다.
도 4는 본 발명의 예상되는 하나의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포네이트 조성물로부터 제조된 필름에 대한 파장의 특별한 영역에 걸친 투과 계수(Tpar, Tper) 내의 변화를 도시한 투과 스펙트럼이다.
도 5는 평행한 편광판 사이에 위치한 광학적 비등방성 필름에 대한 450 nm, 575 nm 및 700 nm의 파장에서의 투과 대 회전각 사이의 관계를 도시하고 있다.
본 발명의 방법 및 조성물에 따라 수많은 실험들이 수행되었다. 이러한 실험들은 단지 예증의 목적을 위한 것이며, 어떠한 방법으로든 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.
실시예 1
아세나프토[1,2-b]퀴녹살린-2-설포닉 산은 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설폰화 반응에 의해 합성되었다. 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린(10 g)은 10% 발연황산(70 ml)으로 채워지고 실온에서 15분간 교반되었다. 반응 혼합물은 물(203 ml)로 희석되었다. 최종 황산 농도는 40%였다. 침전물은 필터되고 아세트산(~30 ml)으로 세척되었다. 필터된 침전물은 공기 중, 120℃에서 건조되었다. 10.1 g의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린-2-설포닉 산이 얻어졌다. 1H NMR(Bruker AMX-400, DMSO-d6, δ, ppm): 7.77 (q, 2H, 3 Hz); 7.89 (t, 1H, 8 Hz); 8.1-8.15 (m, 2H); 8.30 (dd, 2H, 7 Hz); 8.58 (s, 1H); 8.66 (s, 1H). 전자 스펙트럼(스펙트로미터 UV/VIS 오션 PC 2000, 수용액): λmax1 = 245 nm 및 λmax2 = 320 nm. 원소분석 C18H10N2O3S 계산: C 64.66; H 3.01; N 8.38; 측정: C 64.19; H 2.88; N 8.45.
실시예 2
아세나프토[1,2-b]퀴녹살린-2,5-디설포닉 산은 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설폰화 반응에 의해 합성되었다. 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린(10 g)은 10% 발연황산(49 ml)으로 채워지고, 30분간 교반한 다음 180-190℃에서 30시간 동안 가열되었다. 반응 혼합물은 물(95 ml)로 희석되고, 형성된 침전물은 필터되고, 그리고 아세트산(~30 ml)으로 세척되었다. 필터된 케익을 공기 중, 120℃에서 건조시켜 8.2 g의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린-2,5-디설포닉 산을 얻었다. 1H NMR(Bruker AMX-400, DMSO-d6, δ, ppm): 7.82 (q, 2H, 3 Hz); 8.18 (q, 2H, 3 Hz); 8.24-8.36 (broad s, 2H); 8.62 (s, 4H). 원소분석 C18H10N2O6S2 계산: C 52.17; H 2.43; N 6.76; 측정: C 52.02; H 2.35; N 6.56.
실시예 3
아세나프토[1,2-b]퀴녹살린-9-설포닉 산은 아세나프텐퀴논과 3,4-디아미노벤젠설포닉 산의 축합반응에 의해 합성되었다. 3,4-디아미노벤젠-4-설포닉 산(15 g)을 아세트산(150 ml)에서 아세나프텐퀴논(15.9 g)의 서스펜션에 첨가하였다. 반응 혼합물은 12.5 시간 동안 교반되었다. 고체는 분리되고, 아세트산(30 ml)으로 세척되고, 그리고 공기 중, 120℃에서 3시간 동안 건조시켜 원하는 화합물을 얻었다(19.2 g). 1H NMR(Bruker AMX-400, DMSO-d6, δ, ppm): 7.81 (broad t, 2H); 8.07 (broad s, 2H); 8.14 (d, 2H, 8 Hz); 8.26 (q, 2H); 8.39 (broad s, 1H). 산성인 수소는 발견되지 않았다.
실시예 4
본 발명에 따라 생성된 구성과 필름 및 상기 필름의 광학적 특성을 결정하기 위한 분석.
65 g의 탈이온수에, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린의 설포유도체의 혼합물(12 g)을 20℃에서 교반하면서 첨가하였다. 다음에, 5.3 ml의 25% 암모니아 수용액을 가하고, 그리고 상기 혼합물을 완벽히 용해될 때까지 교반하였다. 용액은 회전 증발기상에서 초기 부피의 30%로 농축하고 65%의 상대습도와 20℃에서 15 mm s-1의 일정한 속도로 메이어 로드(Mayer rod) #2.5와 유리판 표면상에 코팅된다. 필름은 65%의 상대습도와 20℃에서 건조된다.
도 4를 참조하면, 필름의 광학적 특성을 결정하기 위해, 투과 스펙트럼은 Cary-500 분광기를 사용하여 400-800 nm의 파장 범위에서 편광되는 빛에서 측정된다. 선형으로 편광된 빛과 측정된 필름의 광학적 투과의 그래프에서 코팅방향에 대한 평행(Tpar) 및 수직(Tper)의 투과 스펙트럼이 얻어진다. 계속 도 4를 참조하면, 필름은 가시광선 스펙트럼 영역, 구체적으로 430 nm 이상에서 매우 작은 흡수를 보여준다.
유사하게, 다시 도 2를 참조하면, 정렬 방향과 관계되는 각각의 평행(ne) 및 수직(n0) 굴절률 인덱스 및 평행(ke) 및 수직(ko) 흡광 계수가 계산된다. 생성된 필름은 광학적 비등방성이고 가시광선 영역에서 0.25부터 0.55에 이르도록 증가되는 높은 지연 특성 Δn을 나타낸다. 흡광 계수 ko 및 ke의 낮은 값은 필름의 높은 투명성을 입증한다.
도 5를 참조하면, 투과 스펙트럼 대 450 nm, 575 nm 및 700 nm의 다양한 파장에서의 회전각에 의해, 평행한 편광판 사이에 위치한 광학적 비등방성 필름이 제공된다. 정렬 방향은 각 0℃에 대응한다. 이러한 측정은 편광된 빛이 필름을 통과할 때, 편광판의 회전을 측정할 수 있도록 한다.
본 발명의 상술한 구체예들은 도시 및 기재의 목적으로 주어진다. 그들은 기재된 정확한 예를 완전히 나타내지 않거나 제한하지 않으며, 상기 범위에서 명백히 수많은 변형, 구체예들, 및 변화가 가능하다. 또한, 본 발명의 의도된 범위는 여기서 첨부된 청구항과 실시예 및 그들의 동등물에 의해 정해진다.
Claims (27)
- 하기 구조식의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체:상기 식에서:n은 1에서 4의 정수이고;m은 0에서 4의 정수이고;z는 0에서 6의 정수이고, m + z + n ≤ 10이고; X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;M은 상대 이온이고; 그리고j는 분자 내에서 상대 이온의 수이고,단, n=1 및 SO3 -가 위치 1에 있을 때, m≠0 또는 z≠0 이다.
- 제 1 항에 있어서, 상기 구조식은 구조식 I, IIA - VIII로 이루어지는 군으 로부터 선택되는 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체:상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 6의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 4의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고, 단, n=1 및 SO3 -가 위치 1에 있을 때, m≠0 또는 z≠0 이고;상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 6의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 4의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;I, IIA-VIII의 각 구조식에 있어서:X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;M은 상대 이온이고;j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유도체는 리오트로픽(lyotropic) 액정 조성물을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유도체는 광학적 등방성 또는 비등방성 필름을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체.
- 제 5 항에 있어서, 상기 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 6 항에 있어서, 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 혼합물은,n=1 에서 제 5 항의 구조식의 모노설포유도체는 0에서 99 질량%의 농도의 범위를 나타내고;n=2 에서 제 5 항의 구조식의 디설포유도체는 0에서 99 질량%의 농도의 범위를 나타내고;n=3 에서 제 5 항의 구조식의 트리설포유도체는 0에서 30 질량%의 농도의 범위를 나타내고;n=4 에서 제 5 항의 구조식의 테트라설포유도체는 0에서 20 질량%의 농도의 범위를 나타내는;것을 특징으로 하는 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체를 포함하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 리오트로픽 액정 조성물은 물 및 물과 섞일 수 있는 유기 용매의 혼합물을 기반으로 하는 것을 특징으로 하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 함량은 3에서 60 질량%의 범위인 것을 특징으로 하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 9 항에 있어서, 상기 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 함량은 7에서 30 질량%의 범위인 것을 특징으로 하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 30 질량%에 이르는 계면 활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 30 질량%에 이르는 가소제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 5 항의 상기 하나 이상의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체와 함께 일반적인 리오트로픽 액정 조성물을 형성할 수 있는 하나 이상의 수용성 유기 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 둘 이상의 서로 다른 치환체 Xm 및/또는 Yz, 또는 서로 다른 두 위치에 있는 한 종류 이상의 치환체를 가진 둘 이상의 설포유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 리오트로픽 액정 조성물.
- 제 15 항에 있어서, 상기 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학적 비등방성 필름.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 하나 이상의 추가적인 유기 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학적 비등방성 필름.
- 초분자의 리오트로픽 액정 조성물을 제조하는데 적당한 용매에 제 5 항의 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체를 녹이는 단계;기판상에 초분자와 상기 리오트로픽 액정 조성물의 층을 적용(증착)하는 단계;상기 적용된 층의 점도를 낮추기 위해 상기 리오트로픽 액정 조성물에 외부적 충격을 주는 단계;초분자의 우세한 배향을 제공하기 위해 상기 리오트로픽 액정 조성물상에 외부적 배향 영향을 적용하는 단계;상기 초분자의 우세한 배향과 상기 증착된 리오트로픽 액정 조성물이 최소한 그것들의 초기 점도값으로 되돌아가게 두는 단계; 및상기 리오트로픽 액정 조성물을 건조하는 단계를 포함하여 구성되는 비등방성 투명 필름을 형성하는 방법.
- 제 18 항에 있어서, 상기 외부적 배향 영향은 상기 액정의 층을 적용함과 동 시에 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 건조된 증착층을 비수용성 편광판을 제조하기 위해 이가 또는 삼가의 금속염의 용액으로 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 필름은 적어도 부분적으로 결정인 것을 특징으로 하는 광학적 비등방성 필름.
- 제 21 항에 있어서, 결정면간 거리는 한 광학적 축에 따라 3.1-3.7Å의 범위인 것을 특징으로 하는 광학적 비등방성 필름.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 둘 이상의 서로 다른 치환체를 가진 둘 이상의 상기 아세나프토[1,2-b]퀴녹살린 설포유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 비등방성 필름.
- 제 21 항에 있어서, 상기 필름은 복굴절성인 것을 특징으로 하는 비등방성 필름.
- 제 21 항에 있어서, 상기 필름은 편광성인 것을 특징으로 하는 비등방성 필름.
- 제 5 항에 있어서, 상기 구조식은 구조식 I, IIA - VIII, 및 그것의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 리오트로픽 액정 조성물:상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 6의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 4의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고,상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 6의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 4의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;I, IIA-VIII의 각 구조식에 있어서:X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;M은 상대 이온이고;j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
- 제 15 항에 있어서, 상기 구조식은 구조식 I, IIA - VIII, 및 그것의 조합으 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 광학적 비등방성 필름:상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 6의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 4의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고,상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 6의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 4의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 3의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 5의 정수이고;상기 식에서, m은 0에서 2의 정수이고 z는 0에서 4의 정수이고;I, IIA-VIII의 각 구조식에 있어서:X 및 Y는 각각 CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3, NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, 및 CONH2로 이루어지는 군으로부터 선택되고;M은 상대 이온이고;j는 분자 내에서 상대 이온의 수이다.
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