KR100829927B1 - Module for loading semiconductor device and system for heat treatment of semiconductor device using the same - Google Patents

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KR100829927B1 KR1020070013144A KR20070013144A KR100829927B1 KR 100829927 B1 KR100829927 B1 KR 100829927B1 KR 1020070013144 A KR1020070013144 A KR 1020070013144A KR 20070013144 A KR20070013144 A KR 20070013144A KR 100829927 B1 KR100829927 B1 KR 100829927B1
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김형준
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Abstract

A semiconductor device loading module and a system for heat-treating a semiconductor device using the same are provided to prevent the semiconductor device from colliding against a stopper by preventing floating of the semiconductor device on an upper surface of a carrier. A carrier vacuum hole(32) is formed to penetrate an upper surface(30a) and a lower surface of a carrier(30). The carrier vacuum hole is formed at front and rear sides of the carrier to fix a semiconductor device(a) on the upper surface of the carrier. The carrier vacuum hole is connected to an exhaust groove of a susceptor. An upper surface of the carrier vacuum hole is closed by the semiconductor device on the upper surface of the carrier, and a lower portion is connected to the exhaust hole. A device stopper(38) protrudes from each corner of the upper surface of the carrier in a bar shape to prevent the semiconductor device on the upper surface from being moved at a transfer process.

Description

반도체 소자 로딩 모듈 및 이를 이용한 반도체 소자 열처리 시스템{Module for Loading Semiconductor Device and System for Heat Treatment of Semiconductor Device Using the Same}Semiconductor device loading module and semiconductor device heat treatment system using same {Module for Loading Semiconductor Device and System for Heat Treatment of Semiconductor Device Using the Same}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈의 사시도이다.1 is a perspective view of a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A-A에 대한 부분단면도이다.FIG. 2 is a partial cross-sectional view of A-A of FIG. 1.

도 3은 도 1의 B-B에 대한 부분단면도이다.3 is a partial cross-sectional view of B-B of FIG.

도 4는 도 1의 서스셉터에 대한 평면도이다.4 is a plan view of the susceptor of FIG. 1.

도 5a는 도 1의 캐리어에 대한 평면도이다.5A is a top view of the carrier of FIG. 1.

도 5b는 도 1의 캐리어에 대한 측면도이다.5B is a side view of the carrier of FIG. 1.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈이 적용되는 열처리 시스템의 구성도이다.6 is a configuration diagram of a heat treatment system to which a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention is applied.

도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈의 작용을 나타내는 개략도이다.7A to 7E are schematic views illustrating the operation of a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

a - 반도체 소자 10 - 하우징a-semiconductor element 10-housing

12 - 롤러 20 - 서스셉터12-Roller 20-Susceptor

22 - 배기홀 23 - 배기홈22-Exhaust Hole 23-Exhaust Groove

30 - 캐리어 38 - 스토퍼30-Carrier 38-Stopper

40 - 소자 이송유닛 50 - 캐리어 이송유닛40-element transfer unit 50-carrier transfer unit

60 - 서스셉터 이송유닛 70 - 진공유닛60-susceptor transfer unit 70-vacuum unit

본 발명은 반도체 소자 로딩 모듈 및 이를 이용한 반도체 소자 열처리 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자의 열처리를 위하여 반도체 소자를 로딩하는 과정에서 반도체 소자의 플로팅을 방지하여 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있는 반도체 소자 로딩 모듈과 이를 이용한 반도체 소자의 열처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device loading module and a semiconductor device heat treatment system using the same, and more particularly, to prevent the semiconductor device from being floated in the process of loading the semiconductor device for heat treatment of the semiconductor device, thereby preventing damage to the semiconductor device. The present invention relates to a semiconductor device loading module and a heat treatment system for a semiconductor device using the same.

평판디스플레이 장치 중에서 액정표시장치(Liquid Crystal Display) 또는 유기발광디스플레이(Organic Light Emitting Display)는 활성소자로서 유리기판의 표면에 형성되는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)를 포함하여 형성된다. 이러한 박막트랜지스터는 일반적으로 투명한 유리기판 또는 석영기판의 표면에 비정질실리콘 박막을 증착 시킨 후 이를 결정실리콘 박막으로 결정화시키고 여기에 필요한 도펀트를 주입하여 활성화시켜 형성하게 된다. Among the flat panel display devices, a liquid crystal display or an organic light emitting display is formed by including a thin film transistor formed on the surface of a glass substrate as an active element. Such a thin film transistor is generally formed by depositing an amorphous silicon thin film on the surface of a transparent glass substrate or a quartz substrate, crystallizing it into a crystalline silicon thin film, and injecting a dopant necessary thereto to activate the thin film transistor.

이러한 유리기판에 형성된 비정질 실리콘 박막은 일반적으로 화학증착법(Chemical Vapor Deposition Method : CVD)에 의하여 형성되며, 소정의 열처리 과정에 의하여 다결정실리콘 박막으로 결정화되며, 필요한 도펀트가 주입되어 활성 화된다.An amorphous silicon thin film formed on such a glass substrate is generally formed by chemical vapor deposition method (CVD), crystallized into a polysilicon thin film by a predetermined heat treatment process, and necessary dopants are injected and activated.

비정질실리콘 박막을 결정화하는 방법은 기존에 여러 가지 방법이 제시되고 있으며, 고상 결정화 방법(Solid Phase Crystallization: SPC), 금속유도 결정화 방법(Metal Induced Crystallization: MIC), 엑사이머 레이저 결정화 방법(Excimer Laser Crystallization: ELC) 등이 있다. 고상 결정화 방법은 소정온도에서 열처리를 통하여 결정화를 하는 방법으로 일반적으로 비정질실리콘 박막이 형성된 유리기판을 600℃이상에서 열처리하여 결정화하는 방법이다. 금속유도 결정화 방법은 비정질실리콘 박막에 소정의 금속원소를 첨가하여 측면 결정성장을 유도하는 방법으로 500℃ 이상에서 열처리 공정이 필요하게 된다. 엑사이머 레이저 결정화 방법은 유리기판 상의 비정질실리콘 박막에 고 에너지의 레이저를 조사하여 비정질실리콘을 순간적으로 용융(melting)시키며, 용융된 실리콘 박막이 다시 냉각되면서 결정화되도록 하는 방법이다. A number of methods for crystallizing amorphous silicon thin films have been proposed.Solid phase crystallization (SPC), metal induced crystallization (MIC), excimer laser crystallization (Excimer Laser) Crystallization: ELC). The solid phase crystallization method is a method of crystallizing through heat treatment at a predetermined temperature is a method of crystallizing the glass substrate on which an amorphous silicon thin film is generally formed by heat treatment at 600 ℃ or more. The metal induction crystallization method is a method of inducing lateral crystal growth by adding a predetermined metal element to an amorphous silicon thin film and requires a heat treatment process at 500 ° C or higher. The excimer laser crystallization method is a method of irradiating an amorphous silicon thin film on a glass substrate with a high energy laser to instantaneously melt the amorphous silicon, and the molten silicon thin film is cooled again to crystallize.

또한, 다결정실리콘 박막을 이용하는 박막 트랜지스터는 상기와 같은 결정화 공정 후에 소스 영역 및 드레인 영역에 소정의 금속원소를 도펀트로 주입하고 활성화하는 공정이 추가적으로 진행된다. 상기 박막 트랜지스터의 활성화 공정은 비정질실리콘 박막의 결정화 방법과 유사하게, 엑사이머 레이저 어닐링(Excimer Laser Anneals: ELA)방법, 순간고온 어닐링(Rapid Thermal Anneals: RTA)방법 또는 로 어닐링(Furnace annealing : FA)방법 등이 사용될 수 있다.In addition, in the thin film transistor using the polysilicon thin film, a process of injecting and activating a predetermined metal element with a dopant in the source region and the drain region is further performed after the crystallization process as described above. The activation process of the thin film transistor is similar to the method of crystallization of an amorphous silicon thin film, an excimer laser annealing (ELA) method, rapid thermal annealing (RTA) method or furnace annealing (Furnace annealing: FA) Method may be used.

한편, 상기 반도체 소자를 로(furnace)와 같은 열처리 시스템에서 열처리하는 경우에, 반도체 소자를 구성하는 유리기판은 온도가 급격하게 변화되면 열 충격 에 의하여 변형이나 손상을 입게 된다. 또한, 상기 유리기판은 열처리 과정 또는 활성화 공정에서 가열될 때 국부적으로 온도편차가 발생되면 변형이나 손상이 더욱 심하게 된다. 따라서, 상기 유리기판을 구비하는 반도체 소자는 열처리 온도인 대략 600℃정도로 유지되는 열처리 시스템에 장입될 때 먼저 상대적으로 낮은 온도인 100℃ 내지 200℃로 예열을 하고, 점차적으로 온도를 증가시켜 열처리 온도로 상승시키게 된다. On the other hand, when the semiconductor device is heat-treated in a heat treatment system such as a furnace (furnace), the glass substrate constituting the semiconductor device is deformed or damaged by thermal shock when the temperature is rapidly changed. In addition, when the glass substrate is locally heated during the heat treatment or activation process, deformation or damage is more severe. Therefore, when the semiconductor device having the glass substrate is charged into a heat treatment system maintained at about 600 ° C., the preheating is performed at a temperature of 100 ° C. to 200 ° C., which is a relatively low temperature, and the temperature is gradually increased by gradually increasing the temperature. Will be raised.

상기 반도체 소자의 열처리에 사용되는 열처리 시스템은 수평 연속로와 수직 관상로가 있다. 상기 수평 연속로는 일반적으로 수십 미터에 달하는 긴 로의 내부로 컨베이어 또는 롤러를 사용하여 유리기판을 이송하며 열처리하는 장치이다. 상기 수평 연속로는 유리기판의 손상과 변형을 방지하기 위해서 유리기판의 온도를 완만하게 상승 및 하강시키면서 열처리하게 되므로, 열처리 시스템의 길이가 전체적으로 길어지게 된다. 상기 수직 관상로는 수직 형상의 로 내부에 설치되는 석영(quartz) 또는 실리콘 카바이드(SiC) 틀에 유리기판을 수직방향으로 여러 장 장착하고 온도를 상승시키면서 열처리하는 장치이다. 상기 수평연속로는 열처리 공정 시간이 길어지게 되므로 효율이 떨어지게 된다. 또한, 상기 수평연속로는 유리기판의 변형 문제 때문에 열처리 온도를 높이는데 한계가 있다. The heat treatment system used for heat treatment of the semiconductor device includes a horizontal continuous furnace and a vertical tubular furnace. The horizontal continuous furnace is a device that transfers and heat-treats a glass substrate using a conveyor or a roller into a long furnace that generally has several tens of meters. The horizontal continuous furnace is heat treated while gently raising and lowering the temperature of the glass substrate in order to prevent damage and deformation of the glass substrate, thereby lengthening the length of the heat treatment system as a whole. The vertical tubular furnace is a device in which a plurality of glass substrates are mounted in a vertical direction in a quartz or silicon carbide (SiC) mold installed inside a vertical furnace and heat treated while raising the temperature. Since the horizontal continuous furnace becomes longer in the heat treatment process time, the efficiency is lowered. In addition, the horizontal continuous path has a limit in increasing the heat treatment temperature due to the deformation problem of the glass substrate.

최근에는 상기 수평연속로 대신에 여러 개의 챔버가 수평으로 연결되어 단계적으로 열처리 온도까지 상승시킬 수 있는 열처리 시스템이 개발되고 있다. 상기 열처리 시스템은 열처리 온도까지를 여러 단계로 나누어 설정하고 각 챔버의 온도를 설정된 단계의 온도로 유지하도록 형성된다. 따라서, 상기 열처리 시스템은 반 도체 소자를 각 챔버로 순차적으로 이동시키면서 열처리 온도까지 온도를 증가시켜 열처리를 하게 되어 열처리시간을 상대적으로 감소시킬 수 있다. 다만, 상기 열처리 시스템은 반도체 소자를 각 챔버로 순차적으로 이동시킬 때 반도체 소자가 변형되지 않도록 하는 것이 중요하게 된다. Recently, a heat treatment system has been developed in which several chambers are connected in a horizontal manner instead of the horizontal continuous furnace so as to increase the heat treatment temperature in stages. The heat treatment system is configured to divide the heat treatment temperature into several stages and maintain the temperature of each chamber at the temperature of the set stage. Therefore, the heat treatment system may increase the temperature to the heat treatment temperature while sequentially moving the semiconductor elements to the respective chambers, thereby performing heat treatment to relatively reduce the heat treatment time. However, in the heat treatment system, it is important that the semiconductor device is not deformed when the semiconductor device is sequentially moved to each chamber.

또한, 상기 열처리 시스템은 열처리시간을 단축시키기 위하여 대기 중에서 반도체 소자의 변형이 유발되지 않는 온도인 대략 150℃ 내지 200℃의 온도로 예비 가열한 후에 각 챔버로 이송하게 된다. 상기 열처리 시스템은 반도체 소자를 챔버로 이송하기 위한 로딩 모듈을 구비하며, 로딩 모듈은 반도체 소자가 안착되는 서스셉터와 캐리어를 구비하게 된다. 상기 로딩 모듈은 반도체 소자의 온도를 예비 가열온도까지 증가시키기 위하여 서스셉터를 150℃이상으로 항상 유지하게 된다. 또한, 상기 캐리어는 서스셉터로부터 전달되는 열에 의하여 50℃이상을 유지하게 된다. 따라서, 상기 반도체 소자는 캐리어 위에 안착될 때 캐리어 상부의 더워진 공기에 의하여 미끄러지는 플로팅 현상이 발생하게 된다. 상기 반도체 소자는 플로팅 되는 경우에 캐리어의 상면에 형성되는 스토퍼와 같은 부분에 충돌되어 손상되거나, 캐리어 외측으로 밀려나게 되어 각 챔버로 이송되는 과정에서 손상되는 문제가 발생된다. In addition, the heat treatment system is preheated to a temperature of approximately 150 ℃ to 200 ℃, which does not cause deformation of the semiconductor element in the air in order to shorten the heat treatment time is transferred to each chamber. The heat treatment system includes a loading module for transferring a semiconductor device to a chamber, and the loading module includes a susceptor and a carrier on which the semiconductor device is seated. The loading module always maintains the susceptor above 150 ° C. in order to increase the temperature of the semiconductor element to the preheating temperature. In addition, the carrier is maintained above 50 ℃ by the heat transferred from the susceptor. Thus, when the semiconductor device is seated on the carrier, a floating phenomenon occurs due to the warmed air on the upper part of the carrier. When the semiconductor device is floated, it is damaged by colliding with a part such as a stopper formed on the upper surface of the carrier or being pushed out of the carrier to be damaged in the process of being transferred to each chamber.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 도체 소자의 열처리를 위하여 반도체 소자를 로딩하는 과정에서 반도체 소자의 플로팅을 방지하여 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있는 반도체 소자 로딩 모듈과 이를 이용한 반도체 소자 열 처리 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention for solving the above problems is to prevent the damage of the semiconductor device by preventing the floating of the semiconductor device in the process of loading the semiconductor device for the heat treatment of the conductor device semiconductor device loading module and semiconductor device heat using the same It is an object to provide a treatment system.

상기와 같은 과제를 해결하기 위해서 안출된 본 발명의 반도체 소자 로딩 모듈은 상면이 평면인 판상으로 형성되며, 내부 또는 하부에 구비되는 가열수단과, 상부에서 하부로 관통되는 배기홀과, 상면에 트렌치 형상으로 형성되며 상기 배기홀과 연결되는 배기홈과, 상부에서 하부로 관통되는 제1관통홀 및 제2관통홀을 구비하는 서스셉터와; 판상으로 형성되고, 상기 배기홈과 연결되도록 상부에서 하부로 관통되어 형성되는 캐리어 진공홀과, 상기 제1관통홀과 연결되도록 상부에서 하부로 관통되는 캐리어 관통홀을 구비하는 캐리어; 상기 제1관통홀과 캐리어 관통홀을 관통하여 상기 캐리어의 상면에 안착되는 반도체 소자를 지지하는 소자 이송핀을 구비하며, 상기 반도체 소자를 상하로 이송하는 소자 이송유닛; 상기 제2관통홀을 관통하여 상기 캐리어의 하면을 지지하는 캐리어 이송핀을 구비하며, 상기 캐리어를 상하로 이송하는 캐리어 이송유닛; 상기 배기홀에 연결되는 진공라인을 구비하며, 상기 배기홀과 배기홈의 공기를 배기하는 진공유닛 및 상부가 개방된 박스 형상으로 형성되며, 내부에 상기 서스셉터가 수용되고, 상기 서스셉터의 양측을 따라 회전 가능하게 배열되어 상기 캐리어의 하면을 일시적으로 지지하는 롤러를 구비하는 하우징을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 반도체 소자 로딩 모듈은 상기 서스셉터의 하부에 결합되는 서스셉터 이송바를 구비하며, 상기 서스셉터를 상하로 이송하는 서스셉터 이송유닛을 더 구비하며, 상기 서스셉터는 상기 롤러가 삽입되도록 상면의 양측을 따라 배열되는 다수의 롤러홈을 구비하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 배기홀은 상기 서스셉터의 중앙에 형성되며, 상기 배기홈은 상기 배기홀로부터 전후측과 좌우측으로 연장되어 형성되며, 상기 제1관통홀은 상기 캐리어의 상면에 안착되는 반도체 소자의 외곽영역에 대응되는 영역에 형성되며, 상기 제2관통홀은 상기 반도체 소자의 중앙영역 또는 외곽영역에 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐리어는 상기 반도체 소자가 안착되는 영역을 포함하도록 상기 캐리어의 모서리 영역에서 각 모서리의 각 변에 적어도 1개씩 형성되어 2개가 한 쌍으로 형성되며, 상기 캐리어의 상면에서 상부로 돌출되는 바 형상으로 형성되는 소자 스토퍼를 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 소자 스토퍼는 상기 반도체 소자의 측면으로부터 1 ∼ 5mm로 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 하우징은 판상으로 형성되어 수직방향으로 지지되는 롤러 지지수단과, 상기 롤러 지지수단에 지지되어 상기 롤러를 회전 가능하게 지지하는 윤활수단을 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 서스셉터는 전측에 홈 형상으로 형성되는 전방 스토퍼 홈과 후측에 홈 형상으로 형성되는 후방 스토퍼 홈을 구비하며, 상기 하우징은 블록 형상으로 형성되는 전방 지지블록과, 상기 하우징에 지지되며 상기 전방 지지블럭을 상하로 이송하는 전방 상하이송수단을 구비하며, 상기 전방 지지블록은 상기 전방 스토퍼 홈에 삽입되도록 상하로 이송되는 전방 스토퍼 및 블록 형상으로 형성되는 후방 지지블록과, 상기 하우징에 지지되며 상기 후방 지지블럭을 상하로 이송하는 후방 상하이송수단과 상기 후방 상하이송수단에 지지되며 상기 지지블록을 전후로 이송하는 후방 전후이송수단을 구비하며, 상기 후방 지지블록은 상기 후방 스토퍼 홈에 삽입되도록 상하로 이송되는 후방 스토퍼를 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 전 방 지지블록은 탄성체로 형성되어 상기 전방 지지블록의 상부 또는 단부에 결합되어 상기 캐리어의 전면에 접촉되는 전방 탄성체를 구비하며, 상기 후방 지지블록은 탄성체로 형성되어 상기 후방 지지블럭의 상부 또는 단부에 결합되어 상기 캐리어의 전면에 접촉되는 후방 탄성체를 구비하여 형성될 수 있다. In order to solve the above problems, the semiconductor device loading module of the present invention is formed in a plate shape having a flat upper surface, and a heating means provided inside or below, an exhaust hole penetrating from the top to the bottom, and a trench on the upper surface. A susceptor formed in a shape and having an exhaust groove connected to the exhaust hole, and having a first through hole and a second through hole penetrating from the upper portion to the lower portion; A carrier having a plate shape and having a carrier vacuum hole penetrating from an upper portion to a lower portion so as to be connected to the exhaust groove, and a carrier through hole penetrating from an upper portion to a lower portion so as to be connected to the first through hole; An element transfer pin configured to penetrate the first through hole and the carrier through hole to support a semiconductor element seated on an upper surface of the carrier, and to transfer the semiconductor element up and down; A carrier conveying unit having a carrier conveying pin through the second through hole to support a lower surface of the carrier and conveying the carrier up and down; It has a vacuum line connected to the exhaust hole, the vacuum unit for exhausting the air of the exhaust hole and the exhaust groove and formed in a box shape of the upper opening, the susceptor is accommodated therein, both sides of the susceptor And a housing rotatably arranged along the side, the housing including a roller for temporarily supporting a lower surface of the carrier. The semiconductor device loading module may further include a susceptor transfer bar coupled to a lower portion of the susceptor, and further include a susceptor transfer unit configured to transfer the susceptor up and down, wherein the susceptor has an upper surface to insert the roller. It may be formed with a plurality of roller grooves arranged along both sides of the. In this case, the exhaust hole is formed in the center of the susceptor, the exhaust groove is formed to extend in front and rear and left and right from the exhaust hole, the first through hole is the outer surface of the semiconductor element seated on the upper surface of the carrier The second through hole may be formed in a region corresponding to the region, and the second through hole may be formed in a central region or an outer region of the semiconductor device. In addition, at least one carrier is formed at each side of each corner in the corner region of the carrier so that the carrier includes a region in which the semiconductor element is seated, and two carriers are formed in pair, and protrudes upward from the upper surface of the carrier. The device may further include an element stopper formed in a shape. In addition, the device stopper may be formed spaced apart by 1 to 5mm from the side surface of the semiconductor device. In addition, the housing may be formed by further comprising a roller support means formed in a plate shape is supported in the vertical direction, and lubrication means supported by the roller support means to rotatably support the roller. In addition, the susceptor has a front stopper groove formed in a groove shape on the front side and a rear stopper groove formed in a groove shape on the rear side, and the housing is a front support block formed in a block shape, supported by the housing and the And a forward and forward conveying means for conveying the front support block up and down, wherein the front support block is supported by the housing and the rear support block formed in the shape of a front stopper and a block that is transported up and down to be inserted into the front stopper groove, And a rear forward and backward transport means for transporting the rear support block up and down and the rear forward and backward transport means for transporting the support block forward and backward, wherein the rear support block is inserted into the rear stopper groove. It may be formed further comprising a rear stopper to be transferred to. In addition, the front support block is formed of an elastic body is coupled to the upper or end of the front support block having a front elastic body in contact with the front of the carrier, the rear support block is formed of an elastic body of the rear support block It may be formed with a rear elastic body is coupled to the top or the end in contact with the front of the carrier.

또한, 본 발명에 따른 반도체 열처리 시스템은 상기에서 기술한 반도체 소자 로딩 모듈을 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 반도체 소자 열처리 시스템은 열처리 온도까지 단계적으로 유지 온도가 각각 설정되어 독립적으로 제어되는 적어도 두 개의 가열로를 포함하며, 상기 반도체 소자 로딩 모듈에서 이송되는 상기 반도체 소자를 소정의 열처리 온도로 가열하는 가열부와; 열처리 온도부터 소정의 냉각온도까지 단계적으로 유지 온도가 각각 설정되어 독립적으로 제어되는 적어도 두 개의 가열로를 포함하며, 열처리 공정이 수행되어 상기 가열부로부터 이송되는 상기 반도체 소자를 소정의 냉각 온도까지 냉각하는 냉각부 및 소정의 냉각온도까지 냉각된 상기 반도체 소자가 배출되는 배출부를 더 구비하여 형성될 수 있다.In addition, the semiconductor heat treatment system according to the present invention may be formed including the semiconductor device loading module described above. In this case, the semiconductor device heat treatment system includes at least two heating furnaces, each of which is independently controlled by setting a holding temperature step by step to a heat treatment temperature, and heats the semiconductor device transferred from the semiconductor device loading module to a predetermined heat treatment temperature. A heating unit; And at least two heating furnaces, each of which is independently controlled by setting a holding temperature step by step from a heat treatment temperature to a predetermined cooling temperature, and the heat treatment process is performed to cool the semiconductor element transferred from the heating unit to a predetermined cooling temperature. And a discharge part through which the semiconductor device cooled to a predetermined cooling temperature is discharged.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 먼저 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈에 대하여 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. First, a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈의 사시도를 나타낸다. 도 2는 도 1의 A-A에 대한 부분단면도를 나타낸다. 도 3은 도 1의 B-B에 대한 부분단면도를 나타낸다. 도 4는 도 1의 서스셉터에 대한 평면도를 나타낸다. 도 5a 는 도 1의 캐리어에 대한 평면도를 나타낸다. 도 5b는 도 1의 캐리어에 대한 측면도를 나타낸다. 1 is a perspective view of a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a partial cross-sectional view of A-A of FIG. 1. 3 shows a partial cross-sectional view of B-B of FIG. 1. 4 shows a top view of the susceptor of FIG. 1. 5A shows a top view of the carrier of FIG. 1. 5B shows a side view of the carrier of FIG. 1.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈은, 도 1 내지 도 5b를 참조하면, 하우징(10)과 서스셉터(20)와 캐리어(30)와 소자 이송유닛(40)과 캐리어 이송유닛(50) 및 진공유닛(70)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 반도체 소자 로딩 모듈은 서스셉터 이송유닛(60)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 반도체 소자 로딩모듈은 전방 스토퍼(80)와 후방 스토퍼(90)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 반도체 소자 로딩 모듈은 반도체 소자(a)가 안착된 캐리어가 서스셉터에 안착될 때 음압에 의하여 반도체 소자(a)를 캐리어에 밀착시킴으로써 반도체 소자(a)가 플로팅되어 이동되는 것을 방지하게 된다. 여기서, 상기 반도체 소자(a)는 열처리가 필요한 다양한 반도체 소자를 의미하며, 특히 상부에 비정질실리콘 박막이 형성된 유리기판, 다결정실리콘 TFT가 형성된 유리기판을 포함한다. 따라서, 상기 반도체 소자(a)는 LCD, OLED와 같은 평판디스플레이 장치에 사용되는 유리기판으로 사용될 수 있다. 또한, 상기 반도체 소자(a)는 상면에 비정질 실리콘 박막을 형성하기 위하여 예비수축(pre-compaction)이 수행되는 유리기판을 포함한다. 한편, 상기 반도체 소자(a)의 유리기판은 비정질실리콘 박막이 형성되는 중앙영역(a1)과 중앙영역(a1)의 주변으로 형성되는 외곽영역(a2)으로 구분될 수 있다. 상기 외곽영역(a2)은 비정질실리콘 박막이 형성되지 않는 영역으로 일반적으로 각 변으로부터 5 내지 10mm로 형성된다. 상기 반도체 소자(a)의 중앙영역(a1)은 비정질실리콘 박막 또는 소자가 형성되는 영역으로 흠집이 형성되면 안되므로 주로 외곽 영역(a2)을 지지하여 반도체 소자(a)를 핸들링하게 된다.In the semiconductor device loading module according to the embodiment of the present invention, referring to FIGS. 1 to 5B, the housing 10, the susceptor 20, the carrier 30, the element transfer unit 40, and the carrier transfer unit 50 are described. And a vacuum unit 70 is formed. In addition, the semiconductor device loading module may further include a susceptor transfer unit 60. In addition, the semiconductor device loading module may further include a front stopper 80 and a rear stopper 90. The semiconductor device loading module prevents the semiconductor device a from being floated and moved by bringing the semiconductor device a into close contact with the carrier by sound pressure when the carrier on which the semiconductor device a is mounted is seated on the susceptor. Here, the semiconductor device (a) refers to various semiconductor devices that require heat treatment, and in particular, includes a glass substrate on which an amorphous silicon thin film is formed and a glass substrate on which a polysilicon TFT is formed. Therefore, the semiconductor device (a) may be used as a glass substrate used in flat panel display devices such as LCDs and OLEDs. In addition, the semiconductor device (a) includes a glass substrate on which pre-compaction is performed to form an amorphous silicon thin film on an upper surface thereof. The glass substrate of the semiconductor device a may be divided into a central region a1 where an amorphous silicon thin film is formed and an outer region a2 formed around the central region a1. The outer region a2 is a region where an amorphous silicon thin film is not formed and is generally formed in 5 to 10 mm from each side. Since the center region a1 of the semiconductor device a is a region where an amorphous silicon thin film or an element is formed, no scratches are formed, mainly the outer region a2 is handled to handle the semiconductor device a.

상기 하우징(10)은 상부와 하부가 개방된 박스 형상으로 반도체 소자 로딩 모듈의 전체적인 외관을 형성하게 된다. 보다 상세하게는, 상기 하우징(10)은 평면 형상이 서스셉터(20)의 외관 형상에 대응되는 형상을 갖도록 외벽(10a)에 의하여 대략 박스 형상의 외관을 이루게 된다. 다만, 여기서, 상기 하우징(10)의 외관 형상을 한정하는 것은 아니며, 하우징(10)은 다양한 형상의 외관을 이루도록 형성될 수 있다. The housing 10 has a box shape in which upper and lower portions are open to form an overall appearance of the semiconductor device loading module. In more detail, the housing 10 has an approximately box-shaped appearance by the outer wall 10a so that the planar shape has a shape corresponding to the appearance of the susceptor 20. However, the shape of the housing 10 is not limited thereto, and the housing 10 may be formed to have various shapes.

상기 하우징(10)은 내부에 서스셉터(20) 및 각 이송유닛(40, 50, 60)이 수용된다. 또한, 상기 하우징(10)은 서스셉터(20)의 양측으로 형성되는 롤러 지지수단(11)과 롤러(12)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 롤러 지지수단(11)과 롤러(12)는 반도체 소자(a)가 안착되는 캐리어(30)를 이송하게 된다.The housing 10 has a susceptor 20 and each transfer unit 40, 50, 60 is accommodated therein. In addition, the housing 10 may further include a roller support means 11 and a roller 12 formed on both sides of the susceptor 20. The roller supporting means 11 and the roller 12 transport the carrier 30 on which the semiconductor device a is seated.

상기 롤러 지지수단(11)은 대략 판상으로 형성되어 외벽(10a)으로부터 내측으로 이격되어 수직방향으로 하우징(10)에 지지되는 지지벽 형상으로 형성될 수 있다. 상기 롤러 지지수단(11)은 롤러(12)가 지지되는 위치에 베어링 또는 부쉬와 같은 윤활수단(13)이 형성된다. 상기 롤러 지지수단(11)은 판상 외에도 윤활수단(13)과 롤러(12)를 지지하기에 적정한 블록 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다.The roller support means 11 may be formed in a substantially plate shape and spaced apart from the outer wall 10a inwardly to have a support wall shape supported by the housing 10 in the vertical direction. The roller supporting means 11 is formed with a lubrication means 13 such as a bearing or a bush at a position where the roller 12 is supported. The roller support means 11 may be formed in various shapes such as a block shape suitable for supporting the lubrication means 13 and the roller 12 in addition to the plate shape.

상기 롤러(12)는 대략 원기둥 형상으로 형성되며, 일측이 윤활수단(13)을 통하여 롤러 지지수단(11)에 회전 가능하게 지지된다. 또한, 상기 롤러(12)는 타측이 서스셉터(20)의 양측에 형성되는 롤러홈에 회전 가능하게 삽입된다. 상기 롤러(12)는 서스셉터(20)의 양측을 따라 일정 간격으로 형성되어 캐리어(30)의 양측을 전체 적으로 지지하게 된다. 또한, 상기 롤러(12)는 모터와 벨트, 베벨기어 또는 웜기어를 이용한 별도의 회전구동수단(도면에 도시하지 않음)에 의하여 회전하면서 상부에 안착되는 캐리어(30)를 전후 방향으로 이송하게 된다. 상기 롤러(12)는 바람직하게는 캐리어(30)를 이송하는 과정에서 마모 입자와 같은 오염물이 발생되지 않도록 수정(Quartz)과 같은 재질로 형성된다. 다만, 여기서 상기 롤러의 재질을 한정하는 것은 아니며, 스테인레스 스틸, 철 합금, 알루미늄 합금을 포함하는 금속, 엔지니어링 플라스틱과 같은 유기재료로 형성될 수 있다. 한편, 상기 회전구동수단은 모터와 벨트로 구성되거나, 모터와 기어가 형성된 회전축을 포함하여 형성될 수 있다.The roller 12 is formed in a substantially cylindrical shape, one side is rotatably supported by the roller support means 11 through the lubrication means (13). In addition, the roller 12 is rotatably inserted into roller grooves whose other sides are formed on both sides of the susceptor 20. The roller 12 is formed at regular intervals along both sides of the susceptor 20 to support both sides of the carrier 30 as a whole. In addition, the roller 12 is rotated by a separate rotation driving means (not shown) using a motor, a belt, a bevel gear or a worm gear to convey the carrier 30 seated on the upper part in the front-rear direction. The roller 12 is preferably formed of a material such as quartz so that no contaminants such as wear particles are generated in the process of transporting the carrier 30. However, the material of the roller is not limited thereto, but may be formed of an organic material such as stainless steel, an iron alloy, a metal including an aluminum alloy, or an engineering plastic. On the other hand, the rotary drive means may be formed of a motor and a belt, or may be formed including a rotating shaft formed with the motor and gear.

상기 서스셉터(20)는 수평면이 대략 사각형상이며, 상면(20a)과 하면(20b)을 구비하는 판상형상으로 형성된다. 상기 서스셉터(20)는 알루미늄 또는 스테인레스 스틸과 같이 내부식성과 열전도성이 좋은 재질로 형성된다. 상기 서스셉터(20)는 가열수단(21)과 배기홀(22)과 배기홈(23)과 제1관통홀(24) 및 제2관통홀(26)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 서스셉터(20)는 롤러 홈(28)과 전방 스토퍼 홈(29a)과 후방 스토퍼 홈(29b)을 포함하여 형성될 수 있다.The susceptor 20 has a horizontal plane in a substantially rectangular shape and is formed in a plate shape having an upper surface 20a and a lower surface 20b. The susceptor 20 is formed of a material having good corrosion resistance and thermal conductivity, such as aluminum or stainless steel. The susceptor 20 includes a heating means 21, an exhaust hole 22, an exhaust groove 23, a first through hole 24, and a second through hole 26. In addition, the susceptor 20 may include a roller groove 28, a front stopper groove 29a, and a rear stopper groove 29b.

상기 가열수단(21)은 서스셉터(20)의 하부 또는 내부에 형성되어, 서스셉터(20)를 예열온도인 150 내지 200℃로 가열하게 된다. 상기 가열수단(21)은 열선 또는 석영관으로 구성되는 히터로 이루어질 수 있다. 다만, 여기서 상기 가열수단(21)을 구성하는 히터의 종류를 한정하는 것이 아니며, 서스셉터(20)를 150 내지 200℃로 가열할 수 있는 다양한 가열수단으로 형성될 수 있다. The heating means 21 is formed below or inside the susceptor 20, thereby heating the susceptor 20 to 150 to 200 ° C., which is a preheating temperature. The heating means 21 may be made of a heater consisting of a hot wire or a quartz tube. However, the type of the heater constituting the heating means 21 is not limited thereto, but may be formed of various heating means capable of heating the susceptor 20 to 150 to 200 ° C.

상기 배기홀(22)은 서스셉터(20)의 중앙영역에서 상면(20a)과 하면(20b)을 관통하는 홀 형상으로 형성된다. 또한, 상기 배기홈(23a, 23b, 23)은 서스셉터(20)의 상면(20a)에서 배기홀(22)로부터 전후측과 좌우측으로 연장되어 형성된다. 다만, 상기 배기홈은 도면에 도시된 형태 외에도 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 전후좌우 외에도 대각선 방향 또는 격자 형상으로도 형성될 수 있다. 상기 배기홀(22)은 배기홈(23)과 연결되며 배기홈(23) 내부의 공기를 배기하게 된다. 따라서, 상기 배기홀(22)은 배기홈(23)의 공기를 빠른 시간에 배기할 수 있도록 적정한 크기의 직경으로 형성된다. 한편, 상기 배기홈(23)은 단면 형상이 사각형 또는 반원형과 같은 형상을 이루도록 소정 깊이로 형성된다. 또한, 상기 배기홈(23)은 바람직하게는 캐리어(30)의 상면에 안착되는 반도체 소자(a)의 외곽영역(a2)에 대응되는 영역까지 연장되어 될 수 있다. 다만, 상기 배기홈(23)은 캐리어(30)의 측단으로 노출되지 않도록 형성된다. 따라서, 상기 배기홈(23)의 길이는 서스셉터(20)의 상면(20a)에 안착되는 캐리어(30)와 캐리어(30)의 상면(30a)에 안착되는 반도체 소자(a)의 크기에 따라 결정된다. 한편, 상기 배기홀(22)은 별도의 배기 라인(60) 및 진공펌프(도면에 표시하지 않음)에 연결된다.The exhaust hole 22 is formed in a hole shape penetrating the upper surface 20a and the lower surface 20b in the central region of the susceptor 20. In addition, the exhaust grooves 23a, 23b, and 23 extend from front and rear sides and left and right sides from the exhaust hole 22 on the upper surface 20a of the susceptor 20. However, the exhaust groove may be formed in various shapes in addition to the shape shown in the drawings, in addition to the front, rear, left and right may also be formed in a diagonal direction or a grid shape. The exhaust hole 22 is connected to the exhaust groove 23 to exhaust the air in the exhaust groove 23. Therefore, the exhaust hole 22 is formed to a diameter of an appropriate size so that the air in the exhaust groove 23 can be exhausted in a short time. On the other hand, the exhaust groove 23 is formed to a predetermined depth so that the cross-sectional shape to form a square or semi-circular shape. In addition, the exhaust groove 23 may extend to a region corresponding to the outer region a2 of the semiconductor device a, which is preferably mounted on the upper surface of the carrier 30. However, the exhaust groove 23 is formed so as not to be exposed to the side end of the carrier (30). Accordingly, the length of the exhaust groove 23 depends on the size of the carrier 30 seated on the top surface 20a of the susceptor 20 and the semiconductor element a seated on the top surface 30a of the carrier 30. Is determined. On the other hand, the exhaust hole 22 is connected to a separate exhaust line 60 and a vacuum pump (not shown).

상기 배기홀(22)과 배기홈(23)은 배기 라인(60)을 통하여 배기홀(22)과 배기홈(23)의 내부에 존재하는 공기를 배기하게 된다. 따라서, 상기 서스셉터(20)의 상면에 (20a)에 캐리어(30)와 반도체 소자(a)가 안착되는 경우에 배기홀(22)과 배기홈(23)은 내부가 저진공 상태를 유지하게 된다. The exhaust hole 22 and the exhaust groove 23 exhaust the air existing in the exhaust hole 22 and the exhaust groove 23 through the exhaust line 60. Therefore, when the carrier 30 and the semiconductor element a are seated on the upper surface of the susceptor 20 at 20a, the exhaust hole 22 and the exhaust groove 23 maintain the inside of the low vacuum state. do.

상기 제1관통홀(24)과 제2관통홀(26)은 서스셉터(20)의 상면(20a)과 하 면(20b)을 관통하여 홀 형상으로 형성된다. 상기 제1관통홀(24)과 제2관통홀(26)은 각각 서스셉터(20)의 하부에 위치하는 소자 이송유닛(40)과 캐리어 이송유닛(50)의 이동 통로를 제공하게 된다. 따라서, 상기 소자 이송유닛(40)과 캐리어 이송유닛(50)은 각각 캐리어(30)의 상면(30a)에 안착되는 반도체 소자(a)와 서스셉터(20)의 상면(20a)에 안착되는 캐리어(30)를 각각 독립적으로 상하 이송시키게 된다.The first through hole 24 and the second through hole 26 penetrate through the upper surface 20a and the lower surface 20b of the susceptor 20 to have a hole shape. The first through hole 24 and the second through hole 26 respectively provide a movement passage of the element transfer unit 40 and the carrier transfer unit 50 positioned below the susceptor 20. Accordingly, the element transfer unit 40 and the carrier transfer unit 50 are respectively mounted on the upper surface 20a of the semiconductor element a and the susceptor 20 seated on the upper surface 30a of the carrier 30. Each 30 is independently moved up and down.

상기 제1관통홀(24)은 캐리어(30)의 상면(30a)에 안착되는 반도체 소자(a)의 외곽영역(a2)에 대응되는 영역에 형성되며, 바람직하게는 외곽영역(a2)의 각 변에서 중앙 부분에 형성된다. 예를 들면, 상기 제1관통홀(24)은, 도 4에서 도시된 바와 같이, 전후측 방향으로 형성되는 배기홈(23a)의 종단부로부터 각각 전후측으로 이격되면서 배기홈(23a)을 중심으로 좌우 대칭으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1관통홀(24)은 좌우측 방향으로 형성되는 배기홈(23b)의 종단부에서 각각 이격되어 형성될 수 있다. 상기 제1관통홀(24)은 캐리어(30)의 상면에 안착되는 반도체 소자(a)를 수직방향으로 이송시키는 소자 이송유닛(40)의 이동 통로를 형성하게 된다. 즉, 상기 소자 이송유닛(40)은 제1관통홀(24)을 통하여 캐리어(30)의 상부로 돌출된다. 또한, 상기 소자 이송유닛(40)은 제1관통홀(24)을 통하여 상부로 이동하며, 다시 캐리어(30)에 형성되는 홀을 통과하여 반도체 소자(a)의 외곽영역(a2)을 지지하며 반도체 소자(a)를 상하로 이송하게 된다. The first through hole 24 is formed in a region corresponding to the outer region a2 of the semiconductor device a that is seated on the upper surface 30a of the carrier 30, preferably in each of the outer regions a2. It is formed in the center part from the side. For example, as illustrated in FIG. 4, the first through hole 24 is spaced apart from the end portion of the exhaust groove 23a formed in the front-rear direction, and is separated from the front-rear side with respect to the exhaust groove 23a. It may be formed symmetrically. In addition, the first through holes 24 may be formed to be spaced apart from the end portions of the exhaust grooves 23b formed in the left and right directions. The first through hole 24 forms a movement passage of the element transfer unit 40 for transferring the semiconductor element a mounted on the upper surface of the carrier 30 in the vertical direction. That is, the element transfer unit 40 protrudes upwardly of the carrier 30 through the first through hole 24. In addition, the device transfer unit 40 moves upward through the first through hole 24 and passes through a hole formed in the carrier 30 to support the outer region a2 of the semiconductor device a. The semiconductor element a is transferred up and down.

상기 제2관통홀(26)은 제1관통홀(24) 사이의 영역에서 반도체 소자(a)의 중앙영역(a1) 또는 외곽영역(a2)에 대응되는 영역에 형성된다. 상기 제2관통홀(26)은 캐리어(30)를 지지하기에 적정한 수로 형성된다. 예를 들면, 상기 제2관통홀(26) 은, 도 4에서 도시된 바와 같이, 제1관통홀(24) 사이의 영역에 각각 두 개씩 형성된다. 상기 제2관통홀(26)은 캐리어(30)를 수직방향으로 이송시키는 캐리어 이송유닛(50)의 이동 통로를 형성하게 된다. 즉, 또한, 상기 캐리어 이송유닛(50)은 제1관통홀(24)과 제2관통홀(26)을 통하여 서스셉터(20)의 상부로 돌출된다. 따라서, 상기 제2관통홀(26)을 통하여 상하로 이동하는 캐리어 이송유닛(50)은 지지하는 캐리어(30)를 지지하여 상하로 이송하게 된다.The second through hole 26 is formed in a region corresponding to the central region a1 or the outer region a2 of the semiconductor device a in the region between the first through holes 24. The second through hole 26 is formed in an appropriate number to support the carrier 30. For example, as illustrated in FIG. 4, two second through holes 26 are formed in the area between the first through holes 24. The second through hole 26 forms a movement passage of the carrier transfer unit 50 for transferring the carrier 30 in the vertical direction. In other words, the carrier transfer unit 50 protrudes upward from the susceptor 20 through the first through hole 24 and the second through hole 26. Therefore, the carrier transfer unit 50 moving up and down through the second through hole 26 supports the carrier 30 to support and transfers it up and down.

상기 롤러 홈(28)은 서스셉터(20)의 상면에서 양측부를 따라 홈 형상으로 형성되며, 하우징(10)에 지지되는 롤러(13)의 위치에 대응되는 위치에 롤러(13)의 수에 대응되는 수로 형성된다. 따라서, 상기 롤러 홈(28)은 서스셉터(20)가 상승하는 경우에 롤러(13)를 수용하게 되어 서스셉터(20)의 상면이 평면을 이루도록 한다. 따라서, 상기 서스셉터(20)와 캐리어(30)가 서로 밀착되어 보다 빠르게 캐리어(30)와 반도체 소자(a)가 예열되도록 한다. 이때는 상기 서스셉터(20)가 별도의 서스셉터 상하이송수단(60)에 의하여 상부로 이송되어 롤러 홈(28)에 롤러(13)가 수용될 수 있도록 한다. 한편, 상기 롤러 홈(28)은 롤러(13)가 서스셉터(20)의 상면에서 미세하게 돌출되도록 형성될 수 있으며, 이러한 경우에는 서스셉터(20)를 상하로 이송하는 별도의 상하이송유닛이 필요 없게 된다. The roller groove 28 is formed in a groove shape along both sides of the upper surface of the susceptor 20 and corresponds to the number of rollers 13 at a position corresponding to the position of the roller 13 supported by the housing 10. It is formed by the number. Therefore, the roller groove 28 accommodates the roller 13 when the susceptor 20 is raised so that the top surface of the susceptor 20 forms a flat surface. Therefore, the susceptor 20 and the carrier 30 are in close contact with each other so that the carrier 30 and the semiconductor device a may be preheated more quickly. In this case, the susceptor 20 is transferred upward by a separate susceptor shanghai conveying means 60 so that the roller 13 can be accommodated in the roller groove 28. On the other hand, the roller groove 28 may be formed so that the roller 13 protrudes finely from the upper surface of the susceptor 20, in this case a separate shanghai conveying unit for transporting the susceptor 20 up and down It is not necessary.

또한, 상기 전방 스토퍼 홈(29a)은 서스셉터(20)의 전측에 전방 스토퍼에 대응되는 형상으로 형성되어 전방 스토퍼(80)를 수용하게 된다. 상기 전방 스토퍼 홈(29a)은, 도 1을 참조하면, 전방 스토퍼의 형상에 대응되도록 서스셉터(20)의 상면에서 전측면으로부터 내부로 형성되는 두 개의 홈으로 형성된다. 또한, 상기 후 방 스토퍼 홈(29b)은 전방 스토퍼 홈(29a)과 반대측인 후측에 후방 스토퍼(80)에 대응되는 형상으로 형성되어 후방 스토퍼(80)를 수용하게 된다. 상기 후방 스토퍼 홈(29b)은, 도 1을 참조하면, 후방 스토퍼(80)의 형상에 대응되도록 서스셉터(20)의 상면에서 후측단으로부터 내부로 형성되는 두 개의 홈으로 형성된다. 한편, 상기 전방 스토퍼 홈(29a)과 후방 스토퍼 홈(29b)은 전방 스토퍼 또는 후방 스토퍼의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 전방 스토퍼와 후방 스토퍼가 각각 하나의 바 형상으로 형성되는 경우에 하나의 홈으로 형성된다. In addition, the front stopper groove 29a is formed in a shape corresponding to the front stopper on the front side of the susceptor 20 to accommodate the front stopper 80. Referring to FIG. 1, the front stopper groove 29a is formed of two grooves formed inward from the front surface of the susceptor 20 so as to correspond to the shape of the front stopper. In addition, the rear stopper groove 29b is formed in a shape corresponding to the rear stopper 80 on the rear side opposite to the front stopper groove 29a to accommodate the rear stopper 80. Referring to FIG. 1, the rear stopper groove 29b is formed of two grooves formed inward from the rear end at an upper surface of the susceptor 20 so as to correspond to the shape of the rear stopper 80. Meanwhile, the front stopper groove 29a and the rear stopper groove 29b may be formed in various shapes according to the shape of the front stopper or the rear stopper. For example, when the front stopper and the rear stopper are each formed in one bar shape, they are formed as one groove.

한편, 상기 서스셉터(20)는 일측과 타측에 형성되는 양측 스토퍼(도면에 도시하지 않음)가 수용되는 양측 스토퍼 홈(도면에 도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the susceptor 20 may further include both side stopper grooves (not shown) in which both side stoppers (not shown) formed on one side and the other side are accommodated.

상기 캐리어(30)는 대략 판상으로 형성되며, 상면에 안착되는 반도체 소자(a)보다 큰 면적을 갖도록 형성된다. 상기 캐리어(30)는 캐리어 진공홀(32)과, 캐리어 관통홀(34)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 캐리어(30)는 소자 스토퍼(38)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 캐리어(30)는 상면에 반도체 소자(a)가 안착된 상태에서 서스셉터(20)의 상면에 안착되어 반도체 소자(a)가 예비 가열되도록 하며, 예비 가열이 종료된 후에 반도체 소자(a)와 함께 이송된다. The carrier 30 is formed in a substantially plate shape and has a larger area than the semiconductor device a that is seated on the upper surface. The carrier 30 includes a carrier vacuum hole 32 and a carrier through hole 34. In addition, the carrier 30 may further include an element stopper 38. The carrier 30 is seated on the top surface of the susceptor 20 in a state where the semiconductor device a is seated on the top surface to allow the semiconductor device a to be preheated, and after the preheating is completed, the semiconductor device a Is transported with.

상기 캐리어(30)는 바람직하게는 온도 변화에 따른 체적의 변화가 적고 이송도중에 마모 분말이 생성되지 않는 수정(quartz)으로 형성된다. 다만, 여기서 상기 캐리어(30)의 재질을 한정하는 것은 아니며, 캐리어(30)는 스테인레스 스틸, 알루 미늄 금속과 같이 금속으로 형성될 수 있다. The carrier 30 is preferably formed of a quartz in which the volume change due to the temperature change is small and no wear powder is generated during transportation. However, the material of the carrier 30 is not limited thereto, and the carrier 30 may be formed of a metal such as stainless steel and aluminum metal.

상기 캐리어 진공홀(32)은 캐리어(30)의 상면(30a)과 하면(30b)을 관통하는 홀 형상으로 형성된다. 상기 캐리어 진공홀(32)은 캐리어(30) 상면에 안착되는 반도체 소자(a)를 고정할 수 있도록 전후측에 각각 형성된다. 또한, 상기 캐리어 진공홀(32)은 캐리어(30)의 좌우측에도 형성될 수 있다. 상기 캐리어 진공홀(32)은 반도체 소자(a)가 안착되는 영역 내에 형성되며, 바람직하게는 상면에 안착되는 반도체 소자(a)의 외곽영역(a2)에 대응되는 영역에 형성된다. 또한, 상기 캐리어 진공홀(32)은 서스셉터(20)의 배기홈(23)에 공간적으로 연결되도록 형성된다. 즉, 상기 캐리어 진공홀(32)은 서스셉터(20)의 배기홈(23)의 종단부 영역에 대응되는 위치에 형성된다. 따라서, 상기 캐리어 진공홀(32)은 캐리어(30)의 상면(30a)에 안착되는 반도체 소자(a)에 의하여 상부가 차폐되며, 하부가 배기홈(23)에 연결된다. 상기 캐리어 진공홀(32)은 내부의 공기가 배기홈(23)을 통하여 배기되면서 내부가 저진공 상태를 유지하게 된다. 따라서, 상기 캐리어(30)는 캐리어 진공홀(32)의 내부에 형성되는 저진공 상태의 음압에 의하여 상면에 안착된 반도체 소자(a)가 이동되지 않도록 고정하게 된다. 한편, 상기 캐리어 진공홀(32)은 음압에 의하여 반도체 소자(a)를 고정할 때 반도체 소자(a)의 표면에 결함을 유발할 수 있다. 그러나, 상기 캐리어 진공홀(32)은 반도체 소자(a)의 외곽영역(a2)에 대응되는 영역에 형성되므로 반도체 소자(a)에 실질적으로 손상을 주지 않게 된다.The carrier vacuum hole 32 is formed in a hole shape penetrating the upper surface 30a and the lower surface 30b of the carrier 30. The carrier vacuum holes 32 are respectively formed in front and rear sides to fix the semiconductor device a mounted on the upper surface of the carrier 30. In addition, the carrier vacuum hole 32 may be formed on the left and right sides of the carrier 30. The carrier vacuum hole 32 is formed in a region in which the semiconductor element a is seated, and is preferably formed in a region corresponding to the outer region a2 of the semiconductor element a seated on the upper surface. In addition, the carrier vacuum hole 32 is formed to be spatially connected to the exhaust groove 23 of the susceptor 20. That is, the carrier vacuum hole 32 is formed at a position corresponding to the end region of the exhaust groove 23 of the susceptor 20. Therefore, the upper part of the carrier vacuum hole 32 is shielded by the semiconductor element a seated on the upper surface 30a of the carrier 30, and the lower part of the carrier vacuum hole 32 is connected to the exhaust groove 23. The carrier vacuum hole 32 maintains a low vacuum while the air inside is exhausted through the exhaust groove 23. Therefore, the carrier 30 is fixed so that the semiconductor element a mounted on the upper surface of the carrier 30 is not moved by the negative pressure in the low vacuum state formed in the carrier vacuum hole 32. On the other hand, the carrier vacuum hole 32 may cause a defect on the surface of the semiconductor element (a) when fixing the semiconductor element (a) by the negative pressure. However, since the carrier vacuum hole 32 is formed in a region corresponding to the outer region a2 of the semiconductor element a, the carrier vacuum hole 32 does not substantially damage the semiconductor element a.

상기 캐리어 관통홀(34)은 캐리어(30)의 상면(30a)과 하면(30b)을 관통하는 홀 형상으로 형성되며, 바람직하게는 캐리어(30)의 전후 좌우측에 각각 형성되어 소자 이송유닛(40)이 반도체 소자(a)를 안정적으로 지지하며 상하로 이송할 수 있도록 한다. 상기 캐리어 관통홀(34)은 반도체 소자(a)가 안착되는 영역 내에 형성되며, 바람직하게는 캐리어(30)의 상면에 안착되는 반도체 소자(a)의 외곽영역(a2)에 대응되는 영역에 형성된다. 또한, 상기 캐리어 관통홀(34)은 서스셉터(20)의 제1관통홀(24)과 관통되도록 제1관통홀(24)에 대응되는 위치에 형성된다. 따라서, 상기 캐리어 관통홀(34)은 서스셉터(20)의 제1관통홀(24)을 통과한 소자 이송유닛(40)이 통과되어 캐리어(30)의 상면에 안착된 반도체 소자(a)를 상하로 이송할 수 있도록 해준다. 한편, 상기 소자 이송유닛(40)은 반도체 소자(a)를 지지할 때 반도체 소자(a)의 표면에 결함을 유발할 수 있다. 그러나, 상기 캐리어 관통홀(34)이 반도체 소자(a)의 외곽영역(a2)에 대응되는 영역에 형성되어 소자 이송유닛(40)이 반도체 소자(a)의 외곽영역(a2)에 접촉하게 되므로 반도체 소자(a)에서 실질적으로 소자가 형성되는 영역인 중앙영역(a1)에 실질적으로 손상을 주지 않게 된다. The carrier through hole 34 is formed in a hole shape penetrating the upper surface 30a and the lower surface 30b of the carrier 30. Preferably, the carrier through hole 34 is formed on the front, rear, left, and right sides of the carrier 30, respectively, and the element transfer unit 40. ) Stably supports the semiconductor element a and can be transported up and down. The carrier through hole 34 is formed in an area in which the semiconductor device a is seated, and preferably in an area corresponding to an outer area a2 of the semiconductor device a, which is seated on an upper surface of the carrier 30. do. In addition, the carrier through hole 34 is formed at a position corresponding to the first through hole 24 so as to penetrate through the first through hole 24 of the susceptor 20. Accordingly, the carrier through hole 34 passes through the device transfer unit 40 passing through the first through hole 24 of the susceptor 20 to allow the semiconductor device a to be seated on the upper surface of the carrier 30. Allows to move up and down. On the other hand, the element transfer unit 40 may cause a defect on the surface of the semiconductor element (a) when supporting the semiconductor element (a). However, since the carrier through hole 34 is formed in an area corresponding to the outer area a2 of the semiconductor device a, the device transfer unit 40 is in contact with the outer area a2 of the semiconductor device a. In the semiconductor device a, substantially no damage is caused to the central area a1, which is an area where the device is formed.

상기 소자 스토퍼(38)는 캐리어(30)의 상면(30a)의 각 모서리 영역에 돌출되는 바 형상으로 형성되며, 상면(30a)에 안착되는 반도체 소자(a)가 이송 도중에 이동되는 것을 방지하게 된다. 상기 소자 스토퍼(38)는 별도의 바가 캐리어(30)에 결합되어 형성될 수 있다. 상기 소자 스토퍼(38)는 캐리어(30)의 상면에서 반도체 소자(a)가 안착되는 영역을 포함하도록 캐리어(30)의 모서리 영역에 형성된다. 상기 소자 스토퍼(38)는 각 모서리의 각 변에 적어도 1개씩 형성되어 2개가 한 쌍으로 형성된다. 따라서, 상기 소자 스토퍼(38)는 캐리어(38)의 상면에 안착되는 반도체 소자의 각 모서리에서 서로 이웃하는 측면을 지지하게 되므로 반도체 소자가 이송 중에 캐리어(30)의 상면으로부터 이탈되는 것을 방지하게 된다. The device stopper 38 is formed in a bar shape protruding in each corner region of the upper surface 30a of the carrier 30, and prevents the semiconductor element a seated on the upper surface 30a from being moved during the transfer. . The device stopper 38 may be formed by a separate bar coupled to the carrier 30. The device stopper 38 is formed in the corner region of the carrier 30 to include a region where the semiconductor device a is seated on the upper surface of the carrier 30. At least one element stopper 38 is formed at each side of each corner, and two element stoppers 38 are formed in pairs. Accordingly, the device stopper 38 supports side surfaces adjacent to each other at each corner of the semiconductor device seated on the top surface of the carrier 38, thereby preventing the semiconductor device from being separated from the top surface of the carrier 30 during transportation. .

상기 소자 스토퍼(38)는 반도체 소자(a)의 각 측면과의 이격거리가 1 ∼ 5mm로 되도록 형성되어 반도체 소자(a)가 캐리어(30)의 상면에서 이동되는 경우에 손상이 최소화되도록 한다. 상기 이격거리가 너무 작게 되면 반도체 소자(a)를 캐리어(30)의 상면에 안착시킬 때 정확하게 위치시켜야 하는 문제가 있으며, 안착위치를 맞추지 못하는 경우에 반도체 소자(a)의 하면에 손상을 줄 수가 있다. 또한, 상기 이격거리가 5mm를 초과하게 되면 반도체 소자(a)의 이동시 이동거리에 따른 속도 증가로 반도체 소자(a)의 측면에 손상을 주는 문제가 있을 수 있다.The device stopper 38 is formed to have a distance of 1 to 5 mm from each side of the semiconductor device a so that damage is minimized when the semiconductor device a is moved from the top surface of the carrier 30. If the separation distance is too small, there is a problem in that the semiconductor device (a) must be accurately positioned when seated on the upper surface of the carrier 30, and if the mounting position is not aligned, damage to the lower surface of the semiconductor device (a) may occur. have. In addition, when the separation distance exceeds 5mm, there may be a problem of damaging the side surface of the semiconductor device (a) by increasing the speed according to the movement distance during the movement of the semiconductor device (a).

상기 소자 이송유닛(40)은 서스셉터(20)의 하부에 설치되며 반도체 소자(a)의 하면을 지지하여 반도체 소자(a)를 상하로 이송하게 된다. 상기 소자 이송유닛(40)은 소자 이송핀(40a) 및 소자 이송핀(40a)과 결합되어 소자 이송핀(40a)을 상하로 이송하는 소자 이송수단(도면에 구체적으로 도시하지 않음)을 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 소자 이송유닛(40)은 파워베이스와 같은 평형수단을 더 포함하여 형성될 수 있다.The element transfer unit 40 is installed below the susceptor 20 and supports the lower surface of the semiconductor element a to transfer the semiconductor element a up and down. The element transfer unit 40 is coupled to the element transfer pin 40a and the element transfer pin 40a, including an element transfer means (not shown in the drawings) for transferring the element transfer pin 40a up and down. Can be formed. On the other hand, the element transfer unit 40 may be formed by further comprising a balancing means such as a power base.

상기 소자 이송핀(40a)은 핀 형상으로 형성되며 서스셉터(20)의 제1관통홀(24) 및 캐리어(30)의 캐리어 관통홀(34)의 내경보다 작은 외경을 갖도록 형성된다. 상기 소자 이송핀(40a)은 서스셉터(20)의 제1관통홀(24) 및 캐리어(30)의 캐리어 관통홀(34)을 통하여 반도체 소자(a)의 하면을 지지하면서 반도체 소자(a)를 상하로 이송하게 된다. 상기 소자 이송핀(40a)은 스테인레스 스틸 또는 알루미늄과 같은 내부식성이 있는 금속재질, 수정, 엔지니어링 플라스틱 또는 테프론 같은 내열성이 있는 유기재질로 형성될 수 있다.The element transfer pin 40a is formed in a pin shape and has an outer diameter smaller than an inner diameter of the first through hole 24 of the susceptor 20 and the carrier through hole 34 of the carrier 30. The device transfer pin 40a supports the lower surface of the semiconductor device a through the first through hole 24 of the susceptor 20 and the carrier through hole 34 of the carrier 30, while supporting the lower surface of the semiconductor device a. Will be transported up and down. The element transfer pin 40a may be formed of a metal material having corrosion resistance such as stainless steel or aluminum, a heat resistant organic material such as quartz, engineering plastic or Teflon.

또한, 상기 소자 이송핀(40a)은 상면에 탄성체(도면에 도시하지 않음)가 형성되어 반도체 소자(a)와 접촉 시 반도체 소자(a)의 손상이 최소화되도록 형성될 수 있다. 상기 탄성체는 내열성이 있는 고무 재질, 테프론, 엔지니어링 플라스틱과 같은 재질로 형성될 수 있다. 한편, 상기 탄성체는 소자 이송핀(40a)이 유기재료로 형성되는 경우에 소자 이송핀(40a)에 형성되지 않을 수 있음은 물론이다. In addition, the element transfer pin 40a may be formed such that an elastic body (not shown) is formed on an upper surface thereof to minimize damage of the semiconductor element a when contacting the semiconductor element a. The elastic body may be formed of a material such as a rubber material having heat resistance, Teflon, engineering plastics. On the other hand, the elastic body may not be formed on the element transfer pin 40a when the element transfer pin 40a is formed of an organic material.

상기 소자 이송수단은 도면에 구체적으로 도시하지는 않았지만 다양한 이송수단으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 소자 이송수단은 소자 이송핀(40a)에 결합되는 공압실린더를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 공압실린더는 외관을 형성하는 실린더와 실린더에 일측이 삽입되어 왕복운동을 하며 소자 이송핀(40a)에 결합되는 피스톤 로드를 포함하여 형성되며, 일반적인 공압실린더가 사용되므로 여기서 상세한 설명은 생략한다. 상기 공압실린더는 공압이 공급되는 공압펌프에 연결되어 작동된다. 또한, 상기 소자 이송수단은 공압실린더 외에도 물체를 상하로 이송할 수 있는 워엄 및 워엄기어와 같은 기어류, 볼스크류와 LM가이드, 유압실린더와 같은 이송수단이 사용될 수 있음은 물론이다. 상기 소자 이송수단이 공압실린더, 기어 및 모터 등으로 형성될 때, 소자 이송핀(40a)과 소자 이송수단의 결합방법은 일반적으로 많이 알려져 있으므로 여기서 상세한 설명은 생략한다. The element transfer means may be formed of various transfer means although not specifically illustrated in the drawings. For example, the element transfer means may be formed to include a pneumatic cylinder coupled to the element transfer pin (40a). The pneumatic cylinder is formed including a cylinder forming the appearance and one side is inserted into the cylinder reciprocating movement and a piston rod coupled to the element transfer pin 40a, a general pneumatic cylinder is used, so a detailed description thereof will be omitted. The pneumatic cylinder is connected to the pneumatic pump supplied with pneumatic operation. In addition, the element transfer means may be used in addition to the pneumatic cylinder gears, such as worms and worm gears that can transfer the object up and down, ball screw and LM guide, a transfer means such as a hydraulic cylinder can be used. When the element transfer means is formed of a pneumatic cylinder, a gear, a motor, or the like, a method of coupling the element transfer pin 40a and the element transfer means is generally known, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 파워 베이스(Power Base)는 하부가 별도의 지지 베이스(도면에 도시하지 않음)에 지지되고 상부가 별도의 소자 이송핀 지지판(도면에 도시하지 않음)에 결합되며, 소자 이송수단의 구동에 연동되어 작동된다. 따라서, 상기 파워 베이스가 사용되는 경우에 소자 이송수단은 소자 이송핀에 직접 연결되지 않으며 소자 이송핀 지지판에 연결된다. 상기 파워 베이스는 소자 이송핀 지지판이 소자 이송수단의 구동에 따라 수직으로 이동될 때 함께 작동되어 소자 이송핀 지지판이 상하로 수직 이송되는 과정에서 위치별로 상하로 불균일하게 이송되는 것을 방지하여 소자 이송핀 지지판이 평면도를 유지할 수 있도록 한다. 상기 파워 베이스는 랙 기어와 피니언 기어가 조합된 기어박스를 포함하는 기계요소로서 물건을 수직으로 이송하는 장치에서 물건이 수직으로 이송되는 도중에 좌우 전후로 흔들리지 않도록 가이드하게 된다. 따라서, 여기서는 상기 파워 베이스에 대한 상세한 설명은 생략하지만, 파워 베이스는 규격화되어 많이 사용되는 요소이므로 본원 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 기술을 가진 자는 파워 베이스를 적용할 수 있을 것이다.The power base has a lower portion supported by a separate support base (not shown) and an upper portion coupled to a separate element transfer pin support plate (not shown), and interlocked with driving of the element transfer means. It works. Therefore, when the power base is used, the element transfer means is not directly connected to the element transfer pin but is connected to the element transfer pin support plate. The power base is operated together when the element transfer pin support plate is vertically moved according to the driving of the element transfer means, thereby preventing the element transfer pin support plate from being transferred unevenly up and down by position in the process of vertical transfer up and down. Ensure that the support plate maintains the top view. The power base is a mechanical element including a gearbox in which a rack gear and a pinion gear are combined to guide the product so that it does not move from side to side back and forth while the object is vertically transferred. Therefore, the detailed description of the power base is omitted here, but since the power base is a standardized and widely used element, a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs may apply the power base.

상기 캐리어 이송유닛(50)은 서스셉터(20)의 하부에 설치되며 캐리어(30)의 하면을 지지하여 상하로 이송하게 된다. 상기 캐리어 이송유닛(50)은 캐리어 이송핀(50a) 및 캐리어 이송핀(50a)과 결합되어 캐리어 이송핀(50a)을 상하로 이송하는 캐리어 이송수단(도면에 구체적으로 도시하지 않음)을 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 캐리어 이송유닛(50)은 파워베이스와 같은 평형수단을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 파워베이스는 상기에서 설명한 바 있으므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.The carrier transfer unit 50 is installed at the lower portion of the susceptor 20 to support the lower surface of the carrier 30 to be transported up and down. The carrier transfer unit 50 is combined with a carrier transfer pin 50a and a carrier transfer pin 50a to include a carrier transfer means (not specifically shown in the drawings) for transferring the carrier transfer pin 50a up and down. Can be formed. On the other hand, the carrier transfer unit 50 may be formed further comprising a balancing means such as a power base. Since the power base has been described above, a detailed description thereof will be omitted.

상기 캐리어 이송핀(50a)은 핀 형상으로 형성되며 서스셉터(20)의 제2관통 홀(26)의 내경보다 작은 외경을 갖도록 형성된다. 상기 캐리어 이송핀(50a)은 서스셉터(20)의 제2관통홀(26)을 통하여 캐리어(30)의 하면을 지지하면서 캐리어(30)를 상하로 이송하게 된다. 상기 캐리어 이송핀(50a)은 스테인레스 스틸 또는 알루미늄과 같은 내부식성이 있는 금속재질, 수정, 엔지니어링 플라스틱 또는 테프론 같은 내열성이 있는 유기재질로 형성될 수 있다.The carrier transport pin 50a is formed in a pin shape and has an outer diameter smaller than the inner diameter of the second through hole 26 of the susceptor 20. The carrier transport pin 50a transports the carrier 30 up and down while supporting the lower surface of the carrier 30 through the second through hole 26 of the susceptor 20. The carrier transfer pin 50a may be formed of a metal material having corrosion resistance such as stainless steel or aluminum, a heat resistant organic material such as quartz, engineering plastic or Teflon.

또한, 상기 캐리어 이송핀(50a)은 상면에 탄성체(도면에 도시하지 않음)가 형성되어 캐리어(30)와 접촉 시 캐리어(30)의 손상이 최소화되도록 형성될 수 있다. 상기 탄성체는 내열성이 있는 고무 재질, 테프론, 엔지니어링 플라스틱과 같은 재질로 형성될 수 있다. 한편, 상기 탄성체는 캐리어 이송핀(50a)이 유기재료로 형성되는 경우에 캐리어 이송핀(50a)에 형성되지 않을 수 있음은 물론이다. In addition, the carrier transfer pin 50a may be formed to have an elastic body (not shown) formed on an upper surface thereof to minimize damage to the carrier 30 when contacting the carrier 30. The elastic body may be formed of a material such as a rubber material having heat resistance, Teflon, engineering plastics. On the other hand, the elastic body may not be formed on the carrier transfer pin 50a when the carrier transfer pin 50a is formed of an organic material.

상기 캐리어 이송수단은 도면에 구체적으로 도시하지는 않았지만 다양한 이송수단으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 캐리어 이송수단은 캐리어 이송핀(50a)에 결합되는 공압실린더를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 공압실린더는 외관을 형성하는 실린더와 실린더에 일측이 삽입되어 왕복운동을 하며 캐리어 이송핀(50a)에 결합되는 피스톤 로드를 포함하여 형성되며, 일반적인 공압실린더가 사용되므로 여기서 상세한 설명은 생략한다. 상기 공압실린더는 공압이 공급되는 공압펌프에 연결되어 작동된다. 또한, 상기 캐리어 이송수단은 공압실린더 외에도 물체를 상하로 이송할 수 있는 워엄 및 워엄기어와 같은 기어류, 볼스크류와 LM가이드, 유압실린더와 같은 이송수단이 사용될 수 있음은 물론이다. 상기 캐리어 이송수단이 공압실린더, 기어 및 모터 등으로 형성될 때, 캐리어 이송핀(50a)과 캐리어 이송수단의 결합방법은 일반적으로 많이 알려져 있으므로 여기서 상세한 설명은 생략한다. Although not specifically illustrated in the drawings, the carrier transport means may be formed of various transport means. For example, the carrier transfer means may be formed to include a pneumatic cylinder coupled to the carrier transfer pin (50a). The pneumatic cylinder is formed to include a cylinder forming the appearance and a piston rod is reciprocated by one side is inserted into the cylinder and coupled to the carrier transfer pin 50a, a general pneumatic cylinder is used, so a detailed description thereof will be omitted. The pneumatic cylinder is connected to the pneumatic pump supplied with pneumatic operation. In addition, the carrier conveying means may be used in addition to the pneumatic cylinder, gears such as worms and worm gears that can convey the object up and down, ball screw and LM guide, a conveying means such as a hydraulic cylinder. When the carrier conveying means is formed of a pneumatic cylinder, a gear, a motor, or the like, a method of coupling the carrier conveying pin 50a and the carrier conveying means is generally known, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 서스셉터 이송유닛(60)은 서스셉터(20)의 하부에 설치되며 서스셉터(20)의 하면을 지지하여 상하로 이송하게 된다. 상기 서스셉터 이송유닛(60)은 서스셉터 이송바(60a) 및 서스셉터 이송바(60a)와 결합되어 서스셉터 이송바(60a)를 상하로 이송하는 서스셉터 이송수단(도면에 구체적으로 도시하지 않음)을 포함하여 형성될 수 있다. The susceptor transfer unit 60 is installed at the lower portion of the susceptor 20 to support the lower surface of the susceptor 20 to move up and down. The susceptor transfer unit 60 is coupled with the susceptor transfer bar 60a and the susceptor transfer bar 60a to susceptor transfer means for transferring the susceptor transfer bar 60a up and down (not shown in the drawings in detail). May be formed).

상기 서스셉터 이송바(60a)는 바 형상 또는 핀 형상으로 형성된다. 상기 서스셉터 이송바(60a)는 서스셉터(20)의 하면에 결합되어 서스셉터(20)를 상하로 이송하게 된다. 상기 서스셉터 이송핀(60a)은 스테인레스 스틸 또는 알루미늄과 같은 내부식성이 있는 금속재질, 수정, 엔지니어링 플라스틱 또는 테프론 같은 내열성이 있는 유기재질로 형성될 수 있다.The susceptor transfer bar 60a is formed in a bar shape or a pin shape. The susceptor transfer bar 60a is coupled to the lower surface of the susceptor 20 to transfer the susceptor 20 up and down. The susceptor transfer pin 60a may be formed of a metal material having corrosion resistance such as stainless steel or aluminum, a heat resistant organic material such as quartz, engineering plastic or Teflon.

상기 서스셉터 이송수단은 도면에 구체적으로 도시하지는 않았지만 다양한 이송수단으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 서스셉터 이송수단은 서스셉터 이송바(60a)에 결합되는 공압실린더를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 공압실린더는 외관을 형성하는 실린더와 실린더에 일측이 삽입되어 왕복운동을 하며 서스셉터 이송핀(60a)에 결합되는 피스톤 로드를 포함하여 형성된다. 상기 공압실린더는 일반적인 공압실린더가 사용되므로 여기서 상세한 설명은 생략한다. 상기 공압실린더는 공압이 공급되는 공압펌프에 연결되어 작동된다. 또한, 상기 서스셉터 이송수단은 공압실린더 외에도 물체를 상하로 이송할 수 있는 워엄 및 워엄기어와 같은 기어류, 볼스크류와 LM가이드, 유압실린더와 같은 이송수단이 사용될 수 있음은 물론이다. 상기 서스셉터 이송수단이 공압실린더, 기어 및 모터 등으로 형성될 때, 서스셉터 이송핀(60a)과 서스셉터이송수단의 결합방법은 일반적으로 많이 알려져 있으므로 여기서 상세한 설명은 생략한다. The susceptor conveying means may be formed of various conveying means although not specifically illustrated in the drawings. For example, the susceptor transfer means may be formed to include a pneumatic cylinder coupled to the susceptor transfer bar (60a). The pneumatic cylinder is formed to include a cylinder and the piston rod is coupled to the susceptor feed pin (60a) is reciprocated by one side is inserted into the cylinder forming the appearance. Since the pneumatic cylinder is a general pneumatic cylinder is used, a detailed description thereof will be omitted. The pneumatic cylinder is connected to the pneumatic pump supplied with pneumatic operation. In addition, the susceptor transfer means may be used in addition to the pneumatic cylinder, gears such as worms and worm gears that can transfer the object up and down, transfer means such as ball screw and LM guide, hydraulic cylinder. When the susceptor conveying means is formed of a pneumatic cylinder, a gear, a motor, or the like, since the coupling method of the susceptor conveying pin 60a and the susceptor conveying means is generally known, a detailed description thereof will be omitted.

상기 진공유닛(70)은 일측이 배기홀(22)에 결합되고 타측은 별도의 진공수단(도면에 도시하지 않음)에 연결되는 진공라인(70a)을 포함하여 형성된다. 상기 진공라인(70a)은 진공수단이 작동되면 배기홀(22)과 배기홈(23) 및 캐리어 진공홀(32)의 내부 공기를 강제로 배기하게 된다. 따라서, 상기 캐리어(30)의 상면에 반도체 소자(a)가 안착되고 진공수단이 작동되면, 배기홀(22)과 배기홈(23) 및 캐리어 진공홀(32)은 내부의 공기가 배기되면서 저진공상태를 유지하게 된다. 이때, 상기 캐리어(30)의 상면에 안착된 반도체 소자(a)에는 음압이 인가되면서 캐리어(30)의 상면에 일시적으로 고정된다. 한다. 상기 진공수단은 일반적으로 사용되는 진공펌프, 예를 들면, 로터리 펌프 및 부스터 펌프와 같은 저진공 펌프, 확산 펌프(diffusion pump) 및 터보 분자 펌프(TMP)와 같은 고진공 펌프가 사용될 수 있다. 다만, 상기 반도체 소자 로딩 모듈은 고진공을 필요로 하지 않으며 일시에 많은 공기를 배기하는 것이 필요하므로 진공수단으로 저진공용 펌프를 사용하는 것이 바람직하다.The vacuum unit 70 is formed to include a vacuum line 70a, one side of which is coupled to the exhaust hole 22 and the other side of which is connected to a separate vacuum means (not shown). When the vacuum means is operated, the vacuum line 70a forcibly evacuates the air inside the exhaust hole 22, the exhaust groove 23, and the carrier vacuum hole 32. Therefore, when the semiconductor device (a) is seated on the upper surface of the carrier 30 and the vacuum means is operated, the exhaust hole 22, the exhaust groove 23, and the carrier vacuum hole 32 are exhausted while the air inside is exhausted. Maintain a vacuum. At this time, while the negative pressure is applied to the semiconductor device (a) mounted on the upper surface of the carrier 30 is temporarily fixed to the upper surface of the carrier (30). do. The vacuum means may be a vacuum pump generally used, for example, a low vacuum pump such as a rotary pump and a booster pump, a high vacuum pump such as a diffusion pump and a turbo molecular pump (TMP). However, since the semiconductor device loading module does not require high vacuum and needs to exhaust a lot of air at one time, it is preferable to use a low vacuum pump as the vacuum means.

상기 전방 스토퍼(80)는 전방 지지블록(82)과 전방 탄성체(84) 및 전방 상하이송수단(86)을 포함하여 형성된다. 상기 전방 스토퍼(80)는 전방 상하이송수단(86)이 하우징의 전측에 결합되어 지지된다. 상기 전방 지지블록(82)은 전방 상하이송수단에 결합되어 상하로 이송되며 서스셉터의 상면에 안착되는 캐리어(30)의 안착위치를 가이드하게 된다. 상기 전방 지지블록(82)은 전방 상하이송수단에 의하여 상하로 이송되며, 상부로 이송되면 서스셉터(20)의 상면보다 높은 위치에 위치하게 되고, 하부로 이송되면 전방 스토퍼 홈(29a)에 수용된다. 상기 전방 스토퍼(80)는 서스셉터(20)의 상면(20a)에 캐리어(30)가 안착되는 경우에 전방 상하이송수단의 작동에 의하여 전방 지지블록(82)이 전방 스토퍼 홈(29a)으로부터 상승되어 캐리어(30)의 안착위치를 가이드 하게된다. 즉, 상기 전방 지지블록(82)은 서스셉터(20)의 상면에서 캐리어(30)의 측면에 대응되는 위치로 상승되며, 캐리어(30)가 안착되는 전측의 기준 위치를 가이드하게 된다. 한편, 상기 전방 스토퍼(80)는 상기 캐리어(30)가 전측으로 이송되어야 하는 경우에 다시 전방 상하이송수단에 의하여 전방 지지블록(82)이 전방 스토퍼 홈(29a)으로 수용되어 캐리어(30)의 이송에 장애가 되지 않도록 한다. The front stopper 80 is formed to include a front support block 82, the front elastic body 84 and the front shank conveying means (86). The front stopper 80 is supported by the front shank conveying means 86 is coupled to the front side of the housing. The front support block 82 is coupled to the front shanghai conveying means to be transported up and down to guide the seating position of the carrier 30 seated on the upper surface of the susceptor. The front support block 82 is transported up and down by the forward shank conveying means, when the upper support block 82 is positioned at a position higher than the upper surface of the susceptor 20, the lower support block 82 is accommodated in the front stopper groove (29a) do. When the carrier 30 is seated on the top surface 20a of the susceptor 20, the front stopper 80 is lifted from the front stopper groove 29a by the operation of the front shank transport means. Guide the seating position of the carrier (30). That is, the front support block 82 is raised to a position corresponding to the side of the carrier 30 on the upper surface of the susceptor 20, and guides the reference position of the front side on which the carrier 30 is seated. On the other hand, the front stopper 80 is the front support block 82 is received as a front stopper groove (29a) by the front shanghai conveying means again when the carrier 30 is to be transported to the front side of the carrier 30 Do not disturb the transfer.

상기 전방 지지블록(82)은, 도 1을 참조하면, 'ㄷ' 형상의 블록으로 형성되며 각 단부가 캐리어(30)의 측면에 접촉되도록 형성된다. 다만, 여기서 상기 전방 지지블럭(82)의 형상을 한정하는 것은 아니며, 직선 형태의 블록과 같이 다양한 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다. 상기 전방 지지블럭(82)은 스테인레스 스틸 또는 알루미늄과 같은 내부식성이 있는 금속재질, 수정, 엔지니어링 플라스틱 또는 테프론 같은 내열성이 있는 유기재질로 형성될 수 있다.The front support block 82, referring to Figure 1, is formed of a block '' 'is formed so that each end is in contact with the side of the carrier (30). However, the shape of the front support block 82 is not limited thereto, but may be formed in various shapes such as a linear block. The front support block 82 may be formed of a corrosion-resistant metal material such as stainless steel or aluminum, a quartz, an engineering plastic or a heat-resistant organic material such as Teflon.

상기 전방 탄성체(84)는 내열성이 있는 고무 재질, 테프론, 엔지니어링 플라스틱과 같은 재질로 형성된다. 상기 전방 탄성체(84)는 전방 지지블럭(82)의 상부 또는 단부에 결합되어 전방 지지블록(82)이 서스셉터(20)의 상부로 이송된 상태에서 이송될 때 캐리어(30)의 측면에 접촉하게 되어 캐리어(30)가 충격을 받지 않도록 한다. The front elastic body 84 is formed of a material such as a rubber material, heat resistant rubber, Teflon, engineering plastics. The front elastic body 84 is coupled to the top or end of the front support block 82 to contact the side of the carrier 30 when the front support block 82 is transported in the state transferred to the top of the susceptor 20 The carrier 30 will not be impacted.

상기 후방 스토퍼(90)는 후방 지지블록(92)과 후방 탄성체(94)와 후방 상하이송수단(96) 및 후방 전후이송수단(98)을 포함하여 형성된다. 상기 후방 스토퍼(90)는 후방 상하이송수단(96)이 하우징의 전측에 지지되어 결합된다. 상기 후방 지지블록(92)은 후방 상하이송수단(96) 및 후방 전후이송수단(98)에 의하여 상하 및 전후로 이송되며 서스셉터(20)의 상면에서의 캐리어(30)의 안착위치를 가이드하게 된다. 상기 후방 지지블록(92)은 서스셉터(20)의 후방 상하이송수단에 의하여 상하로 이송되며, 상부로 이송되면 후방 스토퍼 홈(29b)으로부터 서스셉터(20)의 상면보다 높은 위치에 위치하게 되고, 하부로 이송되면 후방 스토퍼 홈(29b)에 수용된다. 또한, 상기 후방 지지블록(92)은 후방 전후이송수단(98)에 의하여 전후로 이송된다. 상기 후방 스토퍼(90)는 서스셉터(20)의 상면(20a)에 캐리어(30)가 안착되는 경우에 후방 상하이송수단(96)과 후방 전후이송수단(98)의 작동에 의하여 전방 지지블록(82)이 전방 스토퍼 홈(29a)으로부터 상승되어 캐리어(30)의 안착위치를 가이드 하게된다. 즉, 상기 후방 지지블록(82)은 캐리어(30)가 서스셉터(20)의 상면에 안착되면 캐리어(30)의 측면에 대응되는 높이로 상승하여 전측 방향으로 이송되면서, 캐리어(30)의 후측면에 접촉되어 캐리어(30)를 전측방향으로 밀게 된다. 따라서, 상기 캐리어(30)는 전측면이 전방 지지블록(82)에 접촉될 때까지 이송되어 항상 일정한 위치에 안착된다. 그리고, 상기 후방 스토퍼(90)는 안착 위치를 가이드한 후에 다시 후방 스토퍼 홈(29b)으로 수용되어 캐리어(30)의 이송에 장애가 되지 않도록 한다.The rear stopper 90 includes a rear support block 92, a rear elastic body 94, a rearward shank conveying means 96, and a rearward forward and rearward conveying means 98. The rear stopper 90 is coupled to the rear shank means 96 is supported on the front side of the housing. The rear support block 92 is transported up and down and back and forth by the rearward shank transport means 96 and the rear forward and backward transport means 98 to guide the seating position of the carrier 30 on the upper surface of the susceptor 20. . The rear support block 92 is moved up and down by the rear shank conveying means of the susceptor 20, the upper support block 92 is located at a position higher than the upper surface of the susceptor 20 from the rear stopper groove (29b) When it is transferred to the lower side, it is accommodated in the rear stopper groove 29b. In addition, the rear support block 92 is conveyed back and forth by the rear back and forth transfer means 98. The rear stopper (90) is a front support block (10) by the operation of the rear shank transport means 96 and the rear forward and backward transport means (98) when the carrier 30 is seated on the upper surface (20a) of the susceptor (20) 82 is raised from the front stopper groove (29a) to guide the seating position of the carrier (30). That is, the rear support block 82 is raised to a height corresponding to the side of the carrier 30 when the carrier 30 is seated on the upper surface of the susceptor 20 and transported in the front direction, after the carrier 30 In contact with the side to push the carrier 30 in the front direction. Thus, the carrier 30 is transported until the front side is in contact with the front support block 82 is always seated in a constant position. Then, the rear stopper 90 is accommodated in the rear stopper groove 29b again after guiding the seating position so that the transfer of the carrier 30 is not impeded.

상기 후방 지지블록(92)은, 도 1을 참조하면, 'ㄷ' 형상의 블록으로 형성되며, 각 단부가 캐리어(30)의 측면에 접촉되도록 형성된다. 다만, 여기서 상기 후방 지지블럭(92)의 형상을 한정하는 것은 아니며, 직선 형태의 블록과 같이 다양한 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다. 상기 후방 지지블럭(92)은 스테인레스 스틸 또는 알루미늄과 같은 내부식성이 있는 금속재질, 수정, 엔지니어링 플라스틱 또는 테프론 같은 내열성이 있는 유기재질로 형성될 수 있다.The rear support block 92, referring to Figure 1, is formed of a 'c' shaped block, each end is formed to be in contact with the side of the carrier (30). However, the shape of the rear support block 92 is not limited thereto, but may be formed in various shapes such as a linear block. The rear support block 92 may be formed of a metal material having corrosion resistance such as stainless steel or aluminum, a heat resistant organic material such as quartz, engineering plastic or Teflon.

상기 후방 탄성체(94)는 내열성이 있는 고무 재질, 테프론, 엔지니어링 플라스틱과 같은 재질로 형성되며, 후방 지지블럭(92)의 상부 또는 단부에 결합되어 후방 지지블록(92)이 캐리어(30)에 접촉될 때 캐리어(30)가 충격을 받지 않도록 한다.The rear elastic body 94 is formed of a heat resistant rubber material, such as Teflon, engineering plastics, is coupled to the upper or end of the rear support block 92, the rear support block 92 is in contact with the carrier 30 When the carrier 30 is not impacted.

상기 후방 상하이송수단(96)은 공압실린더로 이루어지며, 하우징의 외벽에 고정되어 후방 전후이송수단(98)을 상하로 이송하게 된다. 즉, 상기 후방 상하이송수단(96)은 공압실린더의 실린더를 포함하는 본체가 하우징(10)에 고정되며 실린더 로드가 상하로 이동하게 된다. 상기 실린더 로드의 단부에는 후방 전후이송수 단(98)이 결합되어 상하로 이송된다. 상기 후방 상하이송수단(96)은 별도의 공압공급라인으로부터 공급되는 공압에 의하여 작동하게 된다. 상기 공압실린더는 일반적으로 사용되는 공압실린더로 이루어지며, 여기서 상세한 설명은 생략한다. The rear shanghai conveying means 96 is made of a pneumatic cylinder, and is fixed to the outer wall of the housing to convey the rear forward and backward conveying means 98 up and down. That is, the rear shanghai conveying means 96 is a main body including the cylinder of the pneumatic cylinder is fixed to the housing 10 and the cylinder rod is moved up and down. The front and rear transport stage 98 is coupled to the end of the cylinder rod and is conveyed up and down. The rear shanghai conveying means 96 is operated by the pneumatic pressure supplied from a separate pneumatic supply line. The pneumatic cylinder is made of a commonly used pneumatic cylinder, a detailed description thereof will be omitted.

상기 후방 전후이송수단(98)은 공압실린더로 이루어지며, 후방 상하이송수단(96)에 결합되어 상하로 이송되도록 형성된다. 상기 후방 전후이송수단(98)은 공압실린더의 실린더를 포함하는 본체가 후방 상하이송수단(96)에 고정되어 상하로 이송되며, 실린더 로드가 전후로 이동하게 된다. 상기 실린더 로드의 단부에는 후방 지지블록(92)이 결합되어 전후로 이송된다. 상기 후방 전후이송수단(98)은 별도의 공압공급라인으로부터 공급되는 공압에 의하여 작동하게 된다. 상기 공압실린더는 일반적으로 사용되는 공압실린더로 이루어지며, 여기서 상세한 설명은 생략한다. The rear front and rear conveying means 98 is made of a pneumatic cylinder, is coupled to the rear shank conveying means 96 is formed to be conveyed up and down. The rear front and rear conveying means 98 is a main body including a cylinder of the pneumatic cylinder is fixed to the rear shank conveying means 96 is transported up and down, the cylinder rod is moved back and forth. The rear support block 92 is coupled to the end of the cylinder rod is conveyed back and forth. The rear front and rear conveying means 98 is operated by pneumatic pressure supplied from a separate pneumatic supply line. The pneumatic cylinder is made of a commonly used pneumatic cylinder, a detailed description thereof will be omitted.

다음은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈을 이용한 반도체 소자 열처리 시스템에 대하여 설명한다. Next, a semiconductor device heat treatment system using a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈이 적용되는 열처리 시스템의 구성도이다.6 is a configuration diagram of a heat treatment system to which a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention is applied.

이하에서 설명하는 반도체 소자 열처리 시스템은 반도체 소자의 열처리에 사용되는 열처리 시스템에 대한 하나의 예시적인 시스템이며, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈이 적용될 수 있는 열처리 시스템을 한정하는 것은 아니다. 이하에서 설명되는 열처리 시스템의 각 구성요소에 대하여는 본 발명의 출원인 이 출원한 특허출원인 특허출원번호 10-2005-0017003, 10-2005-0017004, 10-2005-0017005에 상세히 설명되어 있으므로 상세한 설명은 생략한다. The semiconductor device heat treatment system described below is one exemplary system for the heat treatment system used for heat treatment of the semiconductor device, and does not limit the heat treatment system to which the semiconductor device loading module according to the embodiment of the present invention can be applied. Each component of the heat treatment system described below is described in detail in the patent applications No. 10-2005-0017003, 10-2005-0017004, 10-2005-0017005 filed by the applicant of the present invention, detailed description thereof will be omitted. do.

상기 열처리 시스템은 장입부(100)와 가열부(200)와 냉각부(400) 및 배출부(500)를 포함하여 형성된다. 또한, 상기 열처리 시스템은 공정부(300)를 더 포함하여 형성된다. 상기 공정부(300)는 반도체 소자의 열처리 조건 즉, 열처리 온도와 열처리 온도까지의 상승 속도에 따라 열처리 시스템에 포함되지 않을 수 있다. 상기 열처리 시스템은 바람직하게는 장입부(100)부터 배출부(500)가 서로 접하여 연속적으로 설치되어 가열부(200)와 공정부(300)와 냉각부(400)내의 열처리 공간에 외부의 공기가 유입되는 것을 방지하게 된다. 또한, 상기 열처리 시스템은 각 구성부가 독립적으로 제어되는 온도 제어 모듈과 독립적으로 구동되는 수평이송수단을 구비하여 형성되므로 각 단계별로 온도를 올리거나 내리면서 열처리를 수행할 수 있다. 또한, 상기 반도체 소자의 열처리 시스템은 열처리되는 반도체 소자의 변형이 발생되지 않도록 반도체 소자를 별도의 지지판(setter)에 안착시켜 이송하면서 열처리를 수행하게 된다. 따라서, 상기 반도체 소자의 열처리 시스템은 단계적으로 반도체 소자의 온도를 상승시키면서 반도체 소자의 변형 또는 손상을 방지할 수 있게 되므로 보다 빠른 시간 내에 반도체 소자의 열처리를 수행할 수 있게 된다. 또한, 상기 반도체 소자의 열처리 시스템은 반도체 소자의 변형을 방지하면서 빠른 시간 내에 열처리를 수행하게 되므로 보다 높은 온도, 즉 600℃이상의 온도에서도 유리기판을 포함하는 반도체 소자의 열처리가 가능하게 된다.The heat treatment system includes a charging unit 100, a heating unit 200, a cooling unit 400, and a discharge unit 500. In addition, the heat treatment system is further formed by including a process unit 300. The process unit 300 may not be included in the heat treatment system according to the heat treatment conditions of the semiconductor device, that is, the rising speed up to the heat treatment temperature and the heat treatment temperature. In the heat treatment system, preferably, the charging unit 100 to the discharge unit 500 are continuously installed in contact with each other so that external air is provided in the heat treatment space in the heating unit 200, the processing unit 300, and the cooling unit 400. It will prevent the inflow. In addition, the heat treatment system is formed with a horizontal transfer means that is driven independently of the temperature control module that each component is independently controlled, so that the heat treatment can be performed while raising or lowering the temperature in each step. In addition, the heat treatment system of the semiconductor device performs heat treatment while the semiconductor device is seated on a separate setter so as not to be deformed. Accordingly, the heat treatment system of the semiconductor device may prevent deformation or damage of the semiconductor device while gradually increasing the temperature of the semiconductor device, thereby performing heat treatment of the semiconductor device in a shorter time. In addition, since the heat treatment system of the semiconductor device performs heat treatment within a short time while preventing deformation of the semiconductor device, heat treatment of the semiconductor device including the glass substrate is possible even at a higher temperature, that is, a temperature of 600 ° C. or higher.

상기 장입부(100)는 열처리되는 반도체 소자를 소정 온도로 예열 하여 상기 가열부(200)로 이송하게 된다. 상기 장입부(100)는 반도체 소자 즉, 비정질실리콘 박막이 형성된 유리기판이 변형되지 않도록 지지하면서 소정온도(예를 들면 200℃)까지 균일하게 예열 하게 된다. 상기 장입부(100)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈로 이루어지게 된다.The charging unit 100 preheats the semiconductor element to be heated to a predetermined temperature and transfers it to the heating unit 200. The charging unit 100 is uniformly preheated to a predetermined temperature (for example, 200 ° C.) while supporting the semiconductor device, that is, the glass substrate on which the amorphous silicon thin film is formed so as not to be deformed. The charging unit 100 is made of a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention.

상기 가열부(200)는 이송되는 반도체 소자를 소정의 온도로 가열하여 상기 공정부(300)로 이송하게 된다. 상기 가열부(200)는 독립적으로 온도가 제어되는 적어도 1개의 가열로(furnace)로 구성되며, 열처리 온도로의 상승속도를 고려하여 적정한 수로 구성된다. 즉, 상기 가열부(200)는 열처리하고자 하는 반도체 소자의 손상 방지를 위하여 열처리 온도의 상승속도를 낮추는 것이 필요한 경우에 보다 많은 수의 가열로로 이루어질 수 있다. 상기 가열부(200)는 각 가열로가 각각 단계별로 적정한 온도로 설정되어 유지되며, 바람직하게는 마지막 가열로는 설정온도를 열처리 온도로 설정하여 가열부(200)에서 열처리의 전부가 진행되거나 열처리의 일부가 진행될 수 있도록 한다. 예를 들면, 반도체 소자의 열처리 온도가 600℃이면, 상기 가열부(200)는 바람직하게는 3개의 가열로를 포함하여 구성되며, 상기 장입부(100)에 연결된 첫 번째 가열로는 장입부(100)의 예열온도를 고려하여 300℃이상으로 유지되며, 두 번째 로와 세 번째 로는 열처리 온도인 600℃이상으로 유지하게 된다. 즉, 반도체 소자는 저온에서는 빠르게 가열온도를 상승시켜도 변형이 방지될 수 있으나, 고온에서는 변형이 발생할 가능성이 있으므로 서서히 가열온도를 상승시키는 것이 바람직하게 된다. 따라서, 상기 가열부(200)는 가열로의 유지 온도를 저온에서는 빠르게 가열되고, 고온에서는 서서히 가열되도록 설정하는 것이 바람직하게 된다.The heating unit 200 heats the transferred semiconductor element to a predetermined temperature and transfers the same to the process unit 300. The heating unit 200 is composed of at least one furnace (furnace) that is independently temperature controlled, it is composed of an appropriate number in consideration of the rising rate to the heat treatment temperature. That is, the heating unit 200 may be formed of a greater number of heating furnaces when it is necessary to lower the rising rate of the heat treatment temperature in order to prevent damage to the semiconductor device to be heat treated. The heating unit 200 is maintained in each heating furnace is set to the appropriate temperature step by step, preferably, the last heating furnace by setting the set temperature to the heat treatment temperature, all of the heat treatment in the heating unit 200 proceeds or heat treatment Allow part of the process to proceed. For example, when the heat treatment temperature of the semiconductor device is 600 ° C, the heating unit 200 preferably includes three heating furnaces, and the first heating furnace connected to the charging unit 100 is charged with a charging unit ( In consideration of the preheating temperature of 100), it is maintained above 300 ℃, and the second furnace and the third furnace are maintained above 600 ℃. That is, the deformation of the semiconductor device can be prevented even if the heating temperature is rapidly increased at low temperatures. However, since the deformation may occur at high temperatures, it is preferable to gradually increase the heating temperature. Therefore, it is preferable that the heating unit 200 is set such that the holding temperature of the heating furnace is rapidly heated at low temperatures and gradually heated at high temperatures.

상기 공정부(300)는 이송된 반도체 소자를 소정의 열처리 온도에서 열처리하게 되며, 열처리가 종료되면 소정 온도로 유지되는 상기 냉각부(400)로 이송하게 된다. 상기 공정부(300)는 상기 가열부(200)에 접하여 설치되는 가열로를 포함하며, 상기 가열부(200)에서 전송되는 반도체 소자를 순간적으로 높은 온도로 가열하게 된다. 따라서, 상기 공정부(300)는 반도체 소자를 순간적으로 높은 온도로 가열할 수 있도록 가열수단을 구비하며, 바람직하게는 유도가열(induction heating)방식 가열수단을 포함한다. The process unit 300 heat-processes the transferred semiconductor element at a predetermined heat treatment temperature, and transfers the transferred semiconductor element to the cooling unit 400 maintained at a predetermined temperature when the heat treatment is completed. The process unit 300 includes a heating furnace installed in contact with the heating unit 200 and heats the semiconductor element transmitted from the heating unit 200 to an instantaneously high temperature. Therefore, the process unit 300 includes heating means for heating the semiconductor device to a high temperature instantaneously, and preferably includes an induction heating type heating means.

상기 냉각부(400)는 이송된 반도체 소자를 단계별로 소정 온도로 냉각시킨 후 상기 배출부(500)로 이송하게 된다. 상기 냉각부(400)는, 가열부(200)와 마찬가지로, 독립적으로 온도가 제어되는 적어도 2개의 로(furnace)로 구성되며, 열처리 온도를 고려하여 적정한 수로 구성된다. 예를 들면, 반도체 소자의 열처리 온도가 600℃이면, 상기 냉각부(400)는 바람직하게는 3개의 로를 포함하여 구성되며, 상기 공정부(300)에 연결된 첫 번째 로는 공정부(300)의 열처리 온도로 유지되며, 두 번째 로는 500℃정도로 유지하며, 세 번째 로는 배출 온도를 고려하여 300℃이하로 유지하게 된다. 따라서, 상기 냉각부(400)는 보다 빠른 시간 내에 반도체 소자를 냉각시키는 것이 가능하게 된다.The cooling unit 400 cools the transferred semiconductor element to a predetermined temperature step by step and then transfers it to the discharge unit 500. The cooling unit 400, like the heating unit 200, is composed of at least two furnaces (furnace) independently controlled temperature, is composed of an appropriate number in consideration of the heat treatment temperature. For example, if the heat treatment temperature of the semiconductor device is 600 ℃, the cooling unit 400 is preferably configured to include three furnaces, the first furnace connected to the process unit 300 of the process unit 300 It is maintained at the heat treatment temperature, the second furnace is maintained at about 500 ℃, the third furnace is kept below 300 ℃ considering the discharge temperature. Therefore, the cooling unit 400 can cool the semiconductor device within a faster time.

상기 배출부(500)는 이송된 반도체 소자의 변형이 발생되지 않는 소정 온도까지 반도체 소자가 변형되지 않도록 균일하게 냉각시켜 다음 공정으로 이송하게 된다. 따라서, 상기 냉각부(400)는 이송되는 반도체 소자가 균일하게 냉각될 수 있 도록 하는 다양한 냉각수단을 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 배출부(500)는 반도체 소자의 균일한 냉각을 위하여 반도체 소자를 가열할 수 있는 가열수단을 구비할 수 있다.The discharge part 500 uniformly cools the semiconductor device so that the semiconductor device is not deformed to a predetermined temperature at which deformation of the transferred semiconductor device does not occur and is transferred to the next process. Thus, the cooling unit 400 may be formed to include a variety of cooling means to ensure that the semiconductor element to be transferred is uniformly cooled. In addition, the discharge unit 500 may be provided with a heating means for heating the semiconductor element for uniform cooling of the semiconductor element.

다음은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈의 작용에 대하여 설명한다. 도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 로딩 모듈의 작용을 나타내는 개략도이다.Next, the operation of the semiconductor device loading module according to the embodiment of the present invention will be described. 7A to 7E are schematic views illustrating the operation of a semiconductor device loading module according to an embodiment of the present invention.

상기 반도체 로딩 모듈은 서스셉터(20)가 서스셉터 이송유닛(60)에 의하여 상부로 상승되고 하우징(10)에 고정되어 있는 롤러(12)가 서스셉터(20)의 롤러 홈(28)에 삽입되면서 서스셉터(20)의 상면은 평면을 이루게 된다. 이때, 상기 서스셉터(20)는 가열수단(21)에 의하여 캐리어(30)와 반도체 소자(a)를 예열하기 위하여 필요한 온도로 미리 가열된 상태를 유지하게 된다. In the semiconductor loading module, the susceptor 20 is lifted upward by the susceptor transfer unit 60 and the roller 12 fixed to the housing 10 is inserted into the roller groove 28 of the susceptor 20. While the upper surface of the susceptor 20 is a plane. At this time, the susceptor 20 is maintained in a pre-heated state to a temperature necessary for preheating the carrier 30 and the semiconductor element (a) by the heating means 21.

상기 반도체 소자 로딩모듈은, 도 7a를 참조하면, 캐리어 이송유닛(50)의 캐리어 이송핀(50a)이 서스셉터(20)의 제2관통홀(26)을 통하여 서스셉터(20)의 상부로 돌출되도록 이송된다. 상기 캐리어(30)는 서스셉터(20)의 상부로 이송되어 캐리어 이송핀(30a)에 지지되도록 안착되며, 서스셉터(20)의 상면과 이격되어 캐리어 이송핀(30a)에 지지된다. 한편, 상기 캐리어(30)를 이송하는 별도의 로봇 이송기구(도면에 도시하지 않음)는 서스셉터(20)의 상면과 캐리어(30)의 하면 사이에서 이동이 가능하게 된다. 상기 캐리어(30)는 전방 스토퍼(80)와 후방 스토퍼(90)에 의하여 안착위치가 일정하게 조정된다. 따라서, 상기 캐리어(30)는 서스셉터(20)의 상면에서 일정한 위치에 안착되며, 캐리어(30)의 캐리어 진공홀(32)은 서스셉터(20)의 배기홈(23)의 단부 영역에서 서로 연결된다. 또한, 상기 캐리어(30)의 캐리어 관통홀(34)은 서스셉터(20)의 제1관통홀(24)과 연결된다.In the semiconductor device loading module, referring to FIG. 7A, the carrier transfer pin 50a of the carrier transfer unit 50 moves upward through the second through hole 26 of the susceptor 20. Conveyed to protrude. The carrier 30 is transported to the upper portion of the susceptor 20 to be seated to be supported by the carrier transport pin 30a, and is spaced apart from the upper surface of the susceptor 20 to be supported by the carrier transport pin 30a. On the other hand, a separate robot transport mechanism (not shown) for transporting the carrier 30 is enabled to move between the upper surface of the susceptor 20 and the lower surface of the carrier 30. The mounting position of the carrier 30 is constantly adjusted by the front stopper 80 and the rear stopper 90. Thus, the carrier 30 is seated at a predetermined position on the upper surface of the susceptor 20, the carrier vacuum hole 32 of the carrier 30 is mutually at the end region of the exhaust groove 23 of the susceptor 20 Connected. In addition, the carrier through hole 34 of the carrier 30 is connected to the first through hole 24 of the susceptor 20.

다음으로, 상기 반도체 소자 로딩모듈은, 도 7b를 참조하면, 소자 이송 유닛(40)의 소자 이송핀(40a)이 서스셉터(20)의 제1관통홀(24)과 캐리어(30)의 캐리어 관통홀(34)을 통하여 캐리어(30)의 상면으로 돌출되도록 소자 이송수단에 의하여 상승하게 된다. 상기 반도체 소자(a)는 캐리어(30)의 상부로 이송되어 소자 이송핀(40a)에 지지되도록 안착되며, 캐리어(30)의 상면과 이격되어 소자 이송핀(40a)에 지지된다. 이때, 상기 반도체 소자(a)는 캐리어(30)의 상면에 형성되어 있는 소자 스토퍼(38)의 내부 영역에 안착되어 이송 도중에 이동되는 것이 방지된다. 한편, 상기 반도체 소자(a)를 이송하는 별도의 로봇 이송기구(도면에 도시하지 않음)는 캐리어(30)의 상면과 반도체 소자(a)의 하면 사이에서 이동이 가능하게 된다.Next, referring to FIG. 7B, in the semiconductor device loading module, the device transport pin 40a of the device transport unit 40 may include the first through hole 24 of the susceptor 20 and the carrier of the carrier 30. Ascending by the element transfer means so as to project to the upper surface of the carrier 30 through the through hole 34. The semiconductor device a is transported to the upper portion of the carrier 30 to be seated to be supported by the device transport pin 40a, and is spaced apart from the upper surface of the carrier 30 to be supported by the device transport pin 40a. At this time, the semiconductor element (a) is prevented from being moved in the middle of the transfer is seated on the inner region of the element stopper 38 formed on the upper surface of the carrier (30). On the other hand, a separate robot transfer mechanism (not shown) for transferring the semiconductor element (a) can be moved between the upper surface of the carrier 30 and the lower surface of the semiconductor element (a).

다음으로, 상기 반도체 소자 로딩모듈은, 도 7c를 참조하면, 진공라인(70)에 연결된 진공수단이 작동되며, 진공라인(70)이 서스셉터(20)의 배기홀(22)을 통하여 공기를 배기하게 된다. 상기 캐리어(30)와 반도체 소자(a)는 소자 이송유닛(40)과 캐리어 이송유닛(50)의 작동에 의하여 캐리어 이송핀(30a)과 소자 이송핀(40a)이 하강하면서 함께 하강을 하게 된다. 먼저, 상기 캐리어(30)가 서스셉터(20)의 상면 에 안착되며 캐리어 이송유닛(50)의 작동이 중지된다. 상기 캐리어(30)가 서스셉터(20)의 상면에 안착되면 캐리어(30)의 캐리어 진공홀(32)은 서스셉터(20)의 배기홈(23)과 연결된다. 따라서, 상기 캐리어 진공홀(32)은 서스셉터(20)의 배기홈(23)과 배기홀(22)과 순차적으로 연결되어 캐리어(30) 상부의 공기를 배기하게 된다.Next, in the semiconductor device loading module, referring to FIG. 7C, a vacuum means connected to the vacuum line 70 is operated, and the vacuum line 70 supplies air through the exhaust hole 22 of the susceptor 20. Will be exhausted. The carrier 30 and the semiconductor element (a) are lowered while the carrier transfer pin 30a and the element transfer pin 40a are lowered by the operation of the element transfer unit 40 and the carrier transfer unit 50. . First, the carrier 30 is seated on the upper surface of the susceptor 20 and the operation of the carrier transfer unit 50 is stopped. When the carrier 30 is seated on the top surface of the susceptor 20, the carrier vacuum hole 32 of the carrier 30 is connected to the exhaust groove 23 of the susceptor 20. Therefore, the carrier vacuum hole 32 is sequentially connected to the exhaust groove 23 and the exhaust hole 22 of the susceptor 20 to exhaust the air above the carrier 30.

다음으로, 상기 반도체 소자 로딩모듈은, 도 7d를 참조하면, 반도체 소자(a)가 소자 이송유닛(40)의 소자 이송핀(40a)의 하강과 함께 하강되어 캐리어(30)의 상면에 안착되도록 작동된다. 이때, 상기 반도체 소자(a)는 캐리어(30)의 상면에 접촉되면서 캐리어(30)의 캐리어 진공홀(32)을 차폐하게 되므로 캐리어 진공홀(32)에 음압이 형성되도록 한다. 따라서, 상기 반도체 소자(a)는 캐리어(30)의 상면에 접촉되었을 때 캐리어 진공홀(32)에 형성되는 음압에 의하여 캐리어(30)의 상면에 밀착되어 고정되며 이송 중에 이동되지 않게 된다. 상기 반도체 소자(a)는 소자가 형성되지 않은 외곽 영역(a2)에서 캐리어 진공홀(32)과 접촉되므로 소자가 형성되는 영역인 중앙 영역(a1)에는 음압이 형성되는데 따른 손상을 주지 않게 된다. 상기 반도체 소자(a)와 캐리어(30)는 서스셉터(20)의 상면에 안착된 상태에서 정해진 소정 온도로 예열되며, 대략 150 ∼ 200℃까지 예열될 수 있다. Next, referring to FIG. 7D, the semiconductor device loading module is lowered with the lowering of the element transfer pin 40a of the element transfer unit 40 to be seated on the upper surface of the carrier 30. It works. At this time, the semiconductor device (a) is in contact with the upper surface of the carrier 30 to shield the carrier vacuum hole 32 of the carrier 30 so that a negative pressure is formed in the carrier vacuum hole (32). Therefore, when the semiconductor device (a) is in contact with the upper surface of the carrier 30, the semiconductor element (a) is in close contact with the upper surface of the carrier 30 by the negative pressure formed in the carrier vacuum hole 32 is fixed and does not move during transportation. Since the semiconductor device a is in contact with the carrier vacuum hole 32 in the outer region a2 where the device is not formed, the semiconductor device a does not cause damage due to the negative pressure being formed in the central region a1 where the device is formed. The semiconductor device a and the carrier 30 may be preheated to a predetermined temperature in a state of being seated on an upper surface of the susceptor 20, and may be preheated to about 150 ° C. to 200 ° C. FIG.

다음으로, 상기 반도체 소자 로딩모듈은, 도 7e를 참조하면, 반도체 소자(a)와 캐리어(30)의 예열이 완료되면, 서스셉터(20)가 서스셉터 이송유닛에 의하여 하강하게 되면서 서스셉터(20)의 롤러 홈(28)에 삽입되어 있던 롤러(12)와 캐리어 이송핀(30a)이 서스셉터(20)의 상부로 노출된다. 따라서, 상기 캐리어(30)는 하면이 롤러(12)와 캐리어 이송핀(30a)에 의하여 지지된다. 상기 롤러(12)는 회전구동수단 의 회전에 따라 회전하게 되며, 캐리어(30)와 반도체 소자(a)는 롤러(12)의 회전방향으로 이송되면서 반도체 로딩모듈이 포함되어 있는 열처리 시스템에서 가열부로 이송된다. Next, referring to FIG. 7E, when the preheating of the semiconductor device a and the carrier 30 is completed, the susceptor 20 is lowered by the susceptor transfer unit while the susceptor ( The roller 12 and the carrier feed pin 30a inserted into the roller groove 28 of the 20 are exposed to the upper portion of the susceptor 20. Therefore, the carrier 30 has a lower surface supported by the roller 12 and the carrier transfer pin 30a. The roller 12 is rotated in accordance with the rotation of the rotary drive means, the carrier 30 and the semiconductor element (a) is transferred to the heating portion in the heat treatment system containing the semiconductor loading module while being transferred in the rotation direction of the roller 12 Transferred.

한편, 상기 반도체 소자 로딩 모듈이 열처리 시스템에 장착되지 않은 경우에는 별도의 로봇 이송기구에 의하여 다른 곳으로 이송될 수 있다. 상기 반도체 소자(a)와 캐리어(30)의 예열이 완료되면, 캐리어 이송유닛의 캐리어 이송핀(30a)이 상승하게 되며 캐리어(30)를 서스셉터(20)의 하면으로 분리하게 된다. 상기 로봇 이송기구는 캐리어(30)와 서스셉터(20)의 사이로 이송되어 캐리어(30)의 하면을 지지하여 캐리어(30)를 이송하게 된다. On the other hand, when the semiconductor device loading module is not mounted in the heat treatment system, it may be transferred to another place by a separate robot transfer mechanism. When the preheating of the semiconductor device a and the carrier 30 is completed, the carrier transfer pin 30a of the carrier transfer unit is raised to separate the carrier 30 into the lower surface of the susceptor 20. The robot transport mechanism is transported between the carrier 30 and the susceptor 20 to support the lower surface of the carrier 30 to transport the carrier 30.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 특허청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.As described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and any person having ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Various modifications are possible, of course, and such changes are within the scope of the claims.

본 발명에 따른 반도체 소자 로딩 모듈은 서스셉터의 상면에 안착되는 캐리어가 플로팅 되는 것을 방지하여 캐리어가 서스셉터의 외측으로 이탈되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. The semiconductor device loading module according to the present invention has an effect of preventing the carrier from being floated on the upper surface of the susceptor to prevent the carrier from being separated out of the susceptor.

또한, 본 발명에 의하면 반도체 소자가 캐리어 상면에 안착되는 과정에서 플 로팅 되는 것을 방지하게 되어 반도체 소자가 스토퍼에 충돌되어 손상되거나, 캐리어의 외부로 이탈되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. Further, according to the present invention, the semiconductor device is prevented from being floated in the process of being seated on the upper surface of the carrier, thereby preventing the semiconductor device from colliding with the stopper or being separated from the outside of the carrier.

또한, 본 발명에 의하면 캐리어를 사용하여 반도체 소자를 전체적으로 지지하면서 균일하게 예열을 하게 되므로 예열과정에서 유리기판의 변형 또는 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the carrier is used to uniformly preheat the semiconductor device as a whole, the glass substrate may be deformed or damaged during the preheating process.

또한, 본 발명에 의하면 반도체 소자가 소정 온도로 예열되어 열처리 시스템의 가열로로 이송하게 되므로 반도체 소자가 열 충격에 의하여 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the semiconductor element is preheated to a predetermined temperature and transferred to the heating furnace of the heat treatment system, the semiconductor element can be prevented from being damaged by thermal shock.

Claims (10)

상면이 평면인 판상으로 형성되며, 내부 또는 하부에 구비되는 가열수단과, 상부에서 하부로 관통되는 배기홀과, 상면에 트렌치 형상으로 형성되며 상기 배기홀과 연결되는 배기홈과, 상부에서 하부로 관통되는 제1관통홀 및 제2관통홀을 구비하는 서스셉터;The upper surface is formed in a flat plate shape, the heating means provided in the inner or lower portion, the exhaust hole penetrating from the upper to the lower, the exhaust groove formed in a trench shape on the upper surface and connected to the exhaust hole, from the upper to the lower A susceptor having a first through hole and a second through hole therethrough; 판상으로 형성되고, 상기 배기홈과 연결되도록 상부에서 하부로 관통되어 형성되는 캐리어 진공홀과, 상기 제1관통홀과 연결되도록 상부에서 하부로 관통되는 캐리어 관통홀을 구비하는 캐리어;A carrier having a plate shape and having a carrier vacuum hole penetrating from an upper portion to a lower portion so as to be connected to the exhaust groove, and a carrier through hole penetrating from an upper portion to a lower portion so as to be connected to the first through hole; 상기 제1관통홀과 캐리어 관통홀을 관통하여 상기 캐리어의 상면에 안착되는 반도체 소자를 지지하는 소자 이송핀을 구비하며, 상기 반도체 소자를 상하로 이송하는 소자 이송유닛;An element transfer pin configured to penetrate the first through hole and the carrier through hole to support a semiconductor element seated on an upper surface of the carrier, and to transfer the semiconductor element up and down; 상기 제2관통홀을 관통하여 상기 캐리어의 하면을 지지하는 캐리어 이송핀을 구비하며, 상기 캐리어를 상하로 이송하는 캐리어 이송유닛;A carrier conveying unit having a carrier conveying pin through the second through hole to support a lower surface of the carrier and conveying the carrier up and down; 상기 배기홀에 연결되는 진공라인을 구비하며, 상기 배기홀과 배기홈의 공기를 배기하는 진공유닛 및 A vacuum unit connected to the exhaust hole, the vacuum unit configured to exhaust air from the exhaust hole and the exhaust groove; 상부가 개방된 박스 형상으로 형성되며, 내부에 상기 서스셉터가 수용되고, 상기 서스셉터의 양측을 따라 회전 가능하게 배열되어 상기 캐리어의 하면을 일시적으로 지지하는 롤러를 구비하는 하우징을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 로딩 모듈.An upper box is formed in an open box shape, the susceptor is accommodated therein, and is formed to include a housing having a roller that is rotatably arranged along both sides of the susceptor to temporarily support a lower surface of the carrier. Semiconductor device loading module, characterized in that. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서스셉터의 하부에 결합되는 서스셉터 이송바를 구비하며, 상기 서스셉터를 상하로 이송하는 서스셉터 이송유닛을 더 구비하며,It further comprises a susceptor transfer bar coupled to the lower portion of the susceptor, and further comprising a susceptor transfer unit for transferring the susceptor up and down, 상기 서스셉터는 상기 롤러가 삽입되도록 상면의 양측을 따라 배열되는 다수의 롤러홈을 구비하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 로딩 모듈.The susceptor is a semiconductor device loading module, characterized in that it is provided with a plurality of roller grooves are arranged along both sides of the upper surface so that the roller is inserted. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배기홀은 상기 서스셉터의 중앙에 형성되며, 상기 배기홈은 상기 배기홀로부터 전후측과 좌우측으로 연장되어 형성되며, 상기 제1관통홀은 상기 캐리어의 상면에 안착되는 반도체 소자의 외곽영역에 대응되는 영역에 형성되며,The exhaust hole is formed in the center of the susceptor, the exhaust groove is formed extending from the exhaust hole to the front and rear and left and right, the first through hole in the outer region of the semiconductor element seated on the upper surface of the carrier Is formed in the corresponding area, 상기 제2관통홀은 상기 반도체 소자의 중앙영역 또는 외곽영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 로딩 모듈.The second through hole is a semiconductor device loading module, characterized in that formed in the central region or the outer region of the semiconductor device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐리어는 상기 반도체 소자가 안착되는 영역을 포함하도록 상기 캐리어의 모서리 영역에서 각 모서리의 각 변에 적어도 1개씩 형성되어 2개가 한 쌍으로 형성되며, At least one carrier is formed at each side of each corner in the corner region of the carrier to include a region in which the semiconductor device is seated, and two carriers are formed in pair. 상기 캐리어의 상면에서 상부로 돌출되는 바 형상으로 형성되는 소자 스토퍼를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 로딩 모듈.And a device stopper formed in a bar shape protruding upward from the upper surface of the carrier. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 소자 스토퍼는 상기 반도체 소자의 측면으로부터 1 ∼ 5mm로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 로딩 모듈.The device stopper is a semiconductor device loading module, characterized in that formed from 1 to 5mm spaced apart from the side of the semiconductor device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하우징은 판상으로 형성되어 수직방향으로 지지되는 롤러 지지수단과, 상기 롤러 지지수단에 지지되어 상기 롤러를 회전 가능하게 지지하는 윤활수단을 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 로딩 모듈.The housing is a semiconductor device loading module, characterized in that it further comprises a roller support means formed in a plate shape supported in the vertical direction, and lubrication means supported by the roller support means to rotatably support the roller. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서스셉터는 전측에 홈 형상으로 형성되는 전방 스토퍼 홈과 후측에 홈 형상으로 형성되는 후방 스토퍼 홈을 구비하며,The susceptor has a front stopper groove formed in a groove shape on the front side and a rear stopper groove formed in a groove shape on the rear side, 상기 하우징은 The housing is 블록 형상으로 형성되는 전방 지지블록과, 상기 하우징에 지지되며 상기 전방 지지블럭을 상하로 이송하는 전방 상하이송수단을 구비하며, 상기 전방 지지블록은 상기 전방 스토퍼 홈에 삽입되도록 상하로 이송되는 전방 스토퍼 및 A front support block formed in a block shape, and a front shank conveying means supported by the housing and conveying the front support block up and down, wherein the front support block is transported up and down to be inserted into the front stopper groove; And 블록 형상으로 형성되는 후방 지지블록과, 상기 하우징에 지지되며 상기 후방 지지블럭을 상하로 이송하는 후방 상하이송수단과 상기 후방 상하이송수단에 지지되며 상기 지지블록을 전후로 이송하는 후방 전후이송수단을 구비하며,A rear support block formed in a block shape, and a rear shank conveying means supported by the housing and conveying the rear support block up and down, and a rear forward and backward conveying means supported by the rear shank conveying means and conveying the support block back and forth; , 상기 후방 지지블록은 상기 후방 스토퍼 홈에 삽입되도록 상하로 이송되는 후방 스토퍼를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 로딩 모듈.The rear support block is a semiconductor device loading module, characterized in that it further comprises a rear stopper is transported up and down to be inserted into the rear stopper groove. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 전방 지지블록은 탄성체로 형성되어 상기 전방 지지블록의 상부 또는 단부에 결합되어 상기 캐리어의 전면에 접촉되는 전방 탄성체를 구비하며, The front support block is formed of an elastic body is coupled to the upper or end of the front support block having a front elastic body in contact with the front of the carrier, 상기 후방 지지블록은 탄성체로 형성되어 상기 후방 지지블럭의 상부 또는 단부에 결합되어 상기 캐리어의 전면에 접촉되는 후방 탄성체를 구비하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 로딩 모듈.The rear support block is formed of an elastic body is coupled to the upper or end of the rear support block is a semiconductor device loading module, characterized in that it is provided with a rear elastic body in contact with the front of the carrier. 제 1항 내지 제 8항중 어느 하나의 항에 따른 반도체 소자 로딩 모듈을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열처리 시스템.A semiconductor device heat treatment system, comprising the semiconductor device loading module according to any one of claims 1 to 8. 제 9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 반도체 소자 열처리 시스템은The semiconductor device heat treatment system 열처리 온도까지 단계적으로 유지 온도가 각각 설정되어 독립적으로 제어되는 적어도 두 개의 가열로를 포함하며, 상기 반도체 소자 로딩 모듈에서 이송되는 상기 반도체 소자를 소정의 열처리 온도로 가열하는 가열부; A heating unit for heating the semiconductor element transferred from the semiconductor element loading module to a predetermined heat treatment temperature, the heating unit including at least two heating furnaces each having a holding temperature set in stages up to a heat treatment temperature and independently controlled; 열처리 온도부터 소정의 냉각온도까지 단계적으로 유지 온도가 각각 설정되어 독립적으로 제어되는 적어도 두 개의 가열로를 포함하며, 열처리 공정이 수행되 어 상기 가열부로부터 이송되는 상기 반도체 소자를 소정의 냉각 온도까지 냉각하는 냉각부 및A holding temperature is set step by step from a heat treatment temperature to a predetermined cooling temperature, respectively, and includes at least two heating furnaces which are independently controlled. The heat treatment process is performed to transfer the semiconductor element transferred from the heating unit to a predetermined cooling temperature. Cooling Cooling Unit And 소정의 냉각온도까지 냉각된 상기 반도체 소자가 배출되는 배출부를 더 구비하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 열처리 시스템.And a discharge part through which the semiconductor device cooled to a predetermined cooling temperature is discharged.
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