KR100823471B1

KR100823471B1 - 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머 제조용 화합물의 제조방법

Info

Publication number: KR100823471B1
Application number: KR1020060107424A
Authority: KR
Inventors: 이해원; 장유진; 권기진
Original assignee: 한양대학교 산학협력단
Priority date: 2006-11-01
Filing date: 2006-11-01
Publication date: 2008-04-21

Abstract

본 발명은 종래에 비해 획기적으로 합성단계가 감소되어 순도 및 수득율이 우수한 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머의 제조용 단량체의 제조방법과, 상기 단량체를 라디칼 중합하여 제조된 유기용매에 대한 용해성이 우수한 신규의 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입되어 광, 전자빔, 원자빔현미경 리소그래피 적용이 유용한 호모폴리머에 관한 것이다.

플루오로알킬술폰늄염, 광산발생기, 호모폴리머

Description

플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머 제조용 화합물의 제조방법{Synthesis of novel polymer containing Photoacid Generator}

도 1은 본 발명에 따라 실시예 2에서 합성한 호모폴리머의 ¹H-NMR(nuclear magnetic resonance) 분석결과를 나타낸 것이다.

도 2는 본 발명에 따라 실시예 2에서 합성한 호모폴리머의 TGA(thermal gravimetric analysis) 분석결과를 나타낸 것이다.

도 3은 비교예 2에서 합성한 코폴리머의 ¹H-NMR(nuclear magnetic resonance) 분석결과를 나타낸 것이다.

도 4는 비교예 2에서 합성한 코폴리머의 TGA(thermal gravimetric analysis) 분석결과를 나타낸 것이다.

도 5는 본 발명에 따라 실시예 1의 1단계 제조방법으로 합성한 단량체의 GC-MASS (Gas Chromatography Mass spectrum) 분석결과를 나타낸 것이다.

도 6은 비교예 1의 3단계 제조방법으로 합성한 단량체의 GC-MASS(Gas Chromatography Mass spectrum)분석결과를 나타낸 것이다.

도 7은 본 발명에 따라 실시예 2에서 합성한 호모폴리머와 비교예 2에서 합성한 코폴리머의 광리소그래피 결과를 나타낸 것이다.

도 8은 본 발명에 따라 실시예 2에서 합성한 호모폴리머와 비교예 3에서 합성한 코폴리머의 전자빔리소그래피 결과를 나타낸 것이다.

도 9는 본 발명에 따라 실시예 2에서 합성한 호모폴리머와 비교예 2에서 합성한 코폴리머의 원자빔현미경(AFM) 리소그래피 결과를 나타낸 것이다.

본 발명은 종래에 비해 획기적으로 합성단계가 감소되어 순도 및 수득율이 우수한 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머의 제조용 단량체의 제조방법과, 상기 단량체를 라디칼 중합하여 제조된 유기용매에 대한 용해성이 우수한 신규의 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입되어 광, 전자빔, 원자빔현미경(AFM) 리소그래피 적용이 유용한 호모폴리머에 관한 것이다.

기존의 AFM 리소그래피의 경우는 유기물 레지스트를 이용하여 자기조립 단분자막을 제조하여 패턴을 형성하는 경우가 대부분이었다[Jpn. J. Appl. Phys., 37, 7148, 1998, Kim J. C., J. Kor. Phys. Soc., 35, 1013, 1999, Kim, J. C., Adv. Mater., 12, 6, 424, 2000, Rivka M.].

AFM을 이용한 산화패턴의 형성기술을 기술하면, 실리콘 기판 위에 일정 두께 의 유기박막을 도포하고 AFM의 팁을 통하여 국부적으로 수 볼트의 전압을 가해 주어 산화패턴을 형성시킨다. 이때, 형성된 산화 실리콘의 구조물은 그 구조가 매우 엉성하며 식각 시 다른 부분보다 식각 속도가 매우 빠르게 된다. 또한, 전압이 가해지지 않은 부분의 남겨진 유기박막이 레지스트로 작용하여 식각 시 원하는 포지티브 패턴을 제조할 수 있다. 그러나, 실제 공정상 기판과 박막간의 화학적 결합이 너무 강해서 패턴 후, 박막을 완전히 제거하는데 상당한 어려움이 있었다.

AFM 리소그래피에서 중요하게 작용하는 요소는 인가되는 전압과 흐르는 전류, 주사속도, 습도와 고성능 레지스트 등이다[Vac. Sci. Technol., 1223, 1996, Sugimura, A., J. Vac. Sci. Technol., 2912, 1997, Birkelund K., J. Appl. Phys. Lett., 285, 1997, Avouris P.].

따라서, 최적 조건이 아닌 상태에서 리소그래피를 진행하면 선폭이 일정하지 않고 선이 끊기는 패턴이 형성됨을 알 수 있다. 보다 좋은 패턴 형성을 위해서는 우선 고성능 레지스트의 개발이 필요하고, 또 인가되는 전압과 주사속도와 습도 등을 최적 조건으로 잘 조절하는 것이 필요하다.

한편, 일반적으로 술포늄 염은 폴리머 중합에 있어서 광산개시제 또는 라디칼 광개시제로 사용되거나 유기화합물의 탈보호화 반응을 진행하는데 산촉매 발생제로 사용된다. 특정영역의 자외선 빛에 감응하여 양이온 광산개시제를 발생시키는 술포늄 염은 종래의 라디칼 경화에서 얻을 수 없는 여러 가지 종류의 용도가 개발되어 왔고, 또한 최근의 전자공학의 발달과 더불어 극소전 자(microelectronics)공학에서 미세패턴 형성용으로 사용되어지고 있다. 이러한 양이온 광개시제인 술포늄 염은 빛을 쪼였을 때 강산이 생성되어 광중합 반응의 효율이 좋은 점이 있으나 유기용매에 대한 용해성이 좋지 않은 단점이 있다.

이러한 단점을 보완하고자 비이온성 광개시제를 사용하여 빛을 쪼였을 때 산을 발생시키는 방법과 더불어 유기용매에 대한 용해성이 향상되었다고 보고되었다[Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol. 13, No. 2(2000), pp 223~230]. 그러나, 비이온성 광개시제에서 발생되는 산은 강산인 트리플루오로메탄술폰산이 아니라 메틸술폰산, 프로필술폰산 및 캄포술폰산이 발생되기 때문에 상대적으로 산의 세기가 낮은 문제를 가지고 있다.

한편, 본 발명자에 의해 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 치환된 화합물과 이를 중합한 공중합체의 제조방법이 개시한 바 있다[한국 공개특허 제2006-91911호]. 그러나 작업공정이 복잡하게 되고, 상당한 노력을 필요로 할 뿐 아니라 제조단가가 높으며, 특히 3단계의 반응공정을 거치는 동안 출발물질이 남아있게 된다. 또한, 단량체의 제조에 10일 이상의 반응 시간이 소요되며 정제과정에서 완벽하게 단량체만 분리되지 않고 이전 단계의 반응물이 40 % 가량 잔류하여 호모폴리머를 만드는데 있어서는 방해요인으로 작용하는 문제가 있다.

이에 본 발명자들은 종래에 비해 간단한 공정으로 플루오로알킬술폰염의 광산발생기가 측쇄기에 도입된 호모폴리머를 제조하기 위하여 연구 노력하였다. 그 결과, 특정의 아크릴로일페닐과 디페닐 술폭사이드을 이용한 단일 공정으로 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머 제조용 단량체를 제조하고, 상기 단량체를 라디칼 중합하여 신규의 공중합체가 유기용매에 대하여 우수하며, 특히 반응 공정이 단순하여 경제적이며, 순도 및 수율이 우수하다는 것을 알게되어 본 발명을 완성하게 되었다.

따라서, 본 발명은 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머 제조용 단량체의 제조방법과 이로부터 제조된 호모폴리머를 제공하는 데 그 목적이 있다.

본 발명은 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입되어 있는 다음 화학식 1로 표시되는 호모폴리머에 그 특징이 있다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서,

R₁와 R₂는 각각 C₁ ∼ C₆의 알킬카르보닐기, 알데하이드기, 시아노기, 니트로 기 및 페닐기 중에서 선택된 전자공여성기 또는 전자흡인성기이고; R₃은 수소원자 또는 C₁ ∼ C₆의 직쇄상, 측쇄상 또는 고리형의 알킬기이며; n은 0 ∼ 20의 정수이고; m은 10 ∼ 500의 정수를 나타낸다.

이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머에 관한 것으로, 상기 호모폴리머는 특정영역의 자외선 빛에 감응하여 양이온 개시제를 발생시켜 광산개시제, 라디칼개시제 및 유기화합물의 탈 보호화 반응의 진행 시 산 촉매 발생제 등으로 사용된다

이러한 호모폴리머는 코폴리머에 비해 산 발생이 활발하여 빛에 의한 민감도가 뛰어나 포토리소그래피와 전자빔리소그래피에 보다 효과적으로 적용될 수 있다. 또한 AFM 리소그래피에서 전자를 받아들이는 성질을 지닌 광산발생제의 비율이 높아짐으로서 보다 효과적으로 적용될 수 있다.

본 발명은 이러한 특정의 호모폴리머를 제조하기 위하여 종래에 비해 간단한 1단계 공정을 수행하여 다음 화학식 2로 표시되는 호모폴리머 제조용 단량체를 제조하고, 이를 라디칼 중합하여 상기 호모폴리머를 얻는다.

[화학식 2]

상기 화학식 2에서, R₁, R₂, R₃ 및 n은 상기에서 정의된 바와 같다.

본 발명의 호모폴리머 제조용 단량체는 다음 화학식 3로 표시되는 아크릴로일페닐, 디페닐 술폭사이드 및 다음 화학식 4로 표시되는 화합물을 -90 ∼ -60 ℃에서 혼합한 후, 10 ∼ 35 ℃ 범위에서 반응을 수행한다.

상기 식에서, 상기 화학식 2에서, R₁, R₂, R₃ 및 n은 상기에서 정의된 바와 같다.

상기 혼합 시 온도가 -90 ℃ 미만이면 반응이 진행되지 않으며 -60 ℃를 초과하는 경우에는 부과반응이 많이 가는 문제가 발생하는바 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다. 이때, 다음 화학식 4로 표시되는 화합물은 반응시 열의 발생으로 폭발의 위험이 있는 바, 반드시 상기의 낮은 온도에서 서서히 적가하는 것이 좋다. 이후에 상기 온도에서 1 ∼ 2시간 반응한 후 온도를 서서히 상온 구체적으로 10 ∼ 35 ℃로 승온시키면서 반응을 수행하고, 이 반응용액을 탄산수소나트륨 포화용액과 증류수로 차례로 세척한다. 이후에 무수 황산마그네슘으로 건조시켜서 통상적인 감압 조건하에서 용매를 제거한 후, 컬럼크로마토그래피법에 의하여 분리 정제하여 목적으로 하는 단량체를 제조한다.

이러한 단량체의 합성공정은 본 발명자들에 의하여 한국 공개특허 제2006-91911호에서 공지한 바 있다. 이의 공정은 구체적으로 디페닐 술폭사이드로부 터 알킬술포늄 트리플레이트 합성하는 1단계, 할로겐이 치환된 알킬술포늄 트리플레이트 합성하는 2 단계 및 알킬아크리로옥시 알킬술포늄 트리플레이트 합성하는 3 단계 합성과정으로 구성된다. 그러나, 본 발명은 이러한 3단계 공정 대신에 1단계 공정으로 제조하는 방법에 기술구성상에 특징이 있다.

즉, 3 단계의 공정 수행을 인한 불순물을 최소화하여 순도 및 수득율을 개선할 수 있을 뿐만 아니라 반응시간이 획기적으로 단축되어 경제적으로도 매우 유용하다.

상기에서 제조된 상기 화학식 2로 표시되는 호모폴리머 제조용 단량체를 라디칼 중합하여 상기 화학식 1로 표시되는 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머를 제조한다. 상기 라디칼 반응 시 개시제는 당 분야에서 일반적으로 사용되는 것으로 특별히 한정하지는 않으나, 아조비스이소부티로니트릴 등을 사용하는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명을 다음의 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명하겠는 바, 본 발명 이 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.

실시예 1 : 광산발생기가 치환된 호모폴리머 제조용 단량체의 합성(단일공정)

다음 반응식은 본 발명에 따른 신규한 광산발생기가 치환된 화합물을 합성하는 일례로 4-메타아크릴로일옥시페닐 디페닐술포늄 트리플레이트를 합성하였으나, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다.

4-메타아크릴로일옥시페닐 디페닐술포늄 트리플레이트의 합성

디페닐 술폭사이드 10 g(49.4 mmol)과 메타아크릴로일페닐 8.7 g(49.4 mmol)을 디클로메탄 500 mL에 용해시킨 후 아세톤-드라이아이스 중탕을 이용하여 반응기 온도를 -78 ℃ 정도로 맞춘 다음, 트리플릭 언하이드라이드 16.72 g(59.28 mmol)를 서서히 적가 하였다. 첨가가 끝난 후 1시간동안 같은 온도에서 교반한 후에 실온까지 서서히 온도를 높이면서 30분 동안 교반하여 준 후, 반응 용액을 탄산수소나트륨 포화 용액과 증류수로 차례로 씻어 준 후 무수 황산마그네슘 상에서 건조시킨 다음 회전 증발기로 용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피법으로 분리 정제하여 60%의 수율로 4-메타아크릴로일옥시페닐 디페닐술포늄 트리플레이트을 얻었다.

상기에서 얻어진 4-메타아크릴로일옥시페닐 디페닐술포늄 트리플레이트의 구조를 확인하기 위하여 ¹H-NMR을 측정하고 그 결과를 다음에 나타내었다.

¹H-NMR(CDCl₃, ppm): 1.97(s, 1H, C-CH₃), 5.28(2H, O-CH₃), 5.64(1H, CH₂=), 6.66(1H, CH₂=), 7.70(14H, phenyl)

비교예 1 : 광산발생기가 치환된 호모폴리머 제조용 단량체의 합성(3 단계)

(1) 4-메틸페틸 디페닐술포늄 트리플레이트의 합성

디페닐 술폭사이드 10 g(49.4 mmol)과 톨루엔 5.1 g(49.4 mmol)을 디클로메탄 500 mL에 용해시킨 후 아세톤-드라이아이스 중탕을 이용하여 반응기 온도를 -78 ℃ 정도로 맞춘 다음, 트리플릭 언하이드라이드 14.8 g(49.4 mmol)을 서서히 적가 하였다. 첨가가 끝난 후 1시간동안 같은 온도에서 교반한 후에 실온까지 서서히 온도를 높이고 30분 동안 교반하여 준 후, 반응 용액을 탄산수소나트륨 포화 용액과 증류수로 차례로 씻어 준 후 무수 황산마그네슘 상에서 건조시킨 다음 회전 증발기로 용매를 제거하고 뜨거운 에틸아세테이트 용매 하에서 재결정하여 정제하여 50%의 수율로 4-메틸페틸 디페닐술포늄 트리플레이트을 얻었다.

상기 얻어진 합성물을 ¹H-NMR(Nuclear Magnetic Resonance)과 ¹⁹F-NMR 분광 분석법으로 분석하여 구조를 확인하였다.

¹H-NMR(CDCl₃, ppm): 2.48(s, 3H), 7.46(d, 2H phenyl), 7.60(d, 2H phenyl), 7.70(m, 10H phenyl)

(2) 4-브로모메틸페닐 디페닐술포늄 트리플레이트의 합성

상기 (1)에서 합성된 술포늄염 화합물 5 g(11.7 mmol)과 N-브로모숙신이미드5.5 g(30.9 mmol)을 혼합용매(이황화탄소 30 mL, 사염화탄소 30 mL, 디클로로메탄 40 mL)에 용해시킨 후 벤조일퍼옥사이드 0.3 g(1.2 mmol)을 넣어 준 다음 가열 환류 하면서 10일간 교반하였다. 반응용액을 감압 하에 용매를 제거하고 디클로 로메탄 100 mL에 용해시킨 후 증류수로 두 차례 씻어 준 다음 무수 황산 마그네슘 상에서 건조시킨 후, 회전 증발기로 용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피법에 의하여 분리 정제하여 60%의 수율로 4-브로모메틸페닐 디페닐술포늄 트리플레이트를 얻었다.

상기에서 얻어진 화합물을 ¹H-NMR 분석법으로 구조를 확인하였다.

¹H-NMR(CDCl₃, ppm): 4.51(s, 2H), 7.30(m, 14H phenyl)

(3) 4-메타아크릴로일옥시페닐 디페닐술포늄 트리플레이트의 합성

상기 (2)에서 합성된 화합물 22 g(3.9 mmol), 나트륨 메타아크릴레이트 0.47 g(4.3 mmol), 요오드화 나트륨 60 mg(0.4 mmol), 테트라에틸암모늄 브로마이드 84 mg(0.4 mmol)와 소량의 디히드록시퀴논을 아세토니트릴 20 mL에 녹인 후, 가열 환류 하에 1시간 30분간 교반하였다. 반응용액을 감압 하에 용매를 제거하고 증류수 30 mL에 녹여 디클로로메탄으로 얻어진 화합물을 추출하여 무수황산 마그네슘하에 건조시킨 후, 회전 증발기로 용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피법으로 분리 정제하여 93%의 수율로 4-메타아크릴로일옥시페닐 디페닐술포늄 트리플레이트을 얻었다.

상기 실시예 1과 비교예 1은 동일한 단량체를 제조하는 방법이나, 실시예 1은 1 단계 제조공정을 수행되어 반응시간이 단축되었으며, 이로 인하여 불순물의 생성이 적어 순도 및 수득율이 우수하다는 것을 확인할 수 있었다.

실시예 2 : 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머의 합성

다음 반응식은 본 발명에 따른 광산발생기가 측쇄에 도입된 호모폴리머를 합성하는 일례로 폴리(4-디페닐술포늄트리플레이트벤질메타아크릴레이트)를 합성하였으나, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다.

상기 실시예 1에서 합성된 화합물 3.45 g(6.75 mmol)을 정제된 아세토나이트릴 300 mL에 용해시킨 후, 아조비스이소부티로니트릴 22 mg(0.27 mmol)을 넣어 준 다음 가열 환류하면서 24시간 교반하였다. 이 반응 용액을 이소프로필용액에 서서히 부어 침전시키고 침전물을 여과하여 진공 건조 시켜서 폴리(4-디페닐술포늄트리플레이트벤질메타아크릴레이트)(m=1)를 78%의 수율로 얻었다.

상기에서 얻어진 화합물을 ¹H-NMR과 열 안정성을 TGA(thermal gravimetric analysis)로 분석하여 그 결과를 다음 도 1과 도 2에 나타내었다. 이때, 중간평균 분자량은 약 83,979이었다.

비교예 2 : 광산발생기가 측쇄에 도입된 코폴리머의 합성

메틸메타아크릴레이트 1.35 g(13.5 mmol)과 상기 실시예 1에서 합성된 화합물 3.45 g(6.75 mmol)을 정제된 아세토나이트릴 300 mL에 용해시킨 후, 아조비스이소부티로니트릴 22 mg(0.27 mmol)을 넣어 준 다음 가열 환류하면서 19시간 교반하였다. 이 반응 용액을 이소프로필 용액에 서서히 부어 침전시키고 침전물을 여과하여 진공 건조 시켜서 폴리(메틸메타아크릴레이트-코-4-디페닐술포늄트리플레이트벤질메타아크릴레이트)를 87%의 수율로 얻었다.

상기에서 얻어진 화합물을 ¹H-NMR과 열 안정성을 TGA(thermal gravimetric analysis)로 분석하여 그 결과를 다음 도 3와 도 4에 나타내었다. 상기 ¹H-NMR로 확인한 결과, x : y가 1.8 : 1의 비율로 존재하였으며, 중간평균 분자량은 약 191,381이었다.

비교예 3 : 광산발생기가 측쇄에 도입된 코폴리머의 합성

메틸메타아크릴레이트 1.35 g(13.5 mmol)과 상기 비교예 1에서 합성된 화합물 3.45 g(6.75 mmol)을 정제된 아세토나이트릴 300 mL에 용해시킨 후, 아조비스이 소부티로니트릴 22 mg(0.27 mmol)을 넣어 준 다음 가열 환류하면서 24시간 교반하였다. 이 반응 용액을 이소프로필과 노르말헥산 7 : 3 용액에 서서히 부어 침전시키고 침전물을 여과하여 진공 건조 시켜서 폴리(메틸메타아크릴레이트-코-4-디페닐술포늄트리플레이트벤질메타아크릴레이트)를 50%의 수율로 얻었다.

상기 ¹H-NMR로 확인한 결과, x : y가 1.92 : 1의 비율로 존재하였으며, 중간평균 분자량은 약 4,500이었다.

실험예 1

상기 실시예 1의 단량체와 비교예 1의 단량체의 GC-MASS 상을 측정하여 다음 도 5와 도 6에 나타내었다. 그 결과, 도 6에는 출발물질이 잔존하고 있음을 확인할 수 있었다. 즉, 실시예 1의 단량체의 순도가 상대적으로 높으며, 이로 인하여 이와 같은 폴리머를 이용하여 산화패턴을 형성하는 경우 선폭의 일정성과 연속성 등이 보다 우수하다는 것을 확인할 수 있었다.

실험예 2

상기 실시예 2에서 합성한 호모폴리머와 비교예 2에서 합성한 코폴리머의 광리소그래피의 결과를 도 7에 나타내었다.

도 7에서 나타낸 바와 같이, 비교예 2의 경우 현상과정에서 패턴형성이 거의 되지 않았으나, 실시예 2의 현상과정에서 빛을 받은 부분과 빛을 받지 않은 부분의 경계가 명확하게 나타났다. 이는 호모폴리머의 경우에 빛에 의한 민감성이 월등하다는 것을 확인할 수 있었다.

실험예 3

상기 실시예 2에서 합성한 호모폴리머와 상기 비교예 3에서 합성한 코폴리머의 전자빔 리소그래피의 대비곡선(E-beam lithography contrast curve)를 측정하여 그 결과를 다음 도 8에 나타내었다. 도 8에 나타낸 바와 같이 비교예 2의 경우, 분자량 상승으로 인한 대비곡선에서 감마값을 확인할 수 있었으며, 전자빔을 받은 부분과 전자빔을 받지 않은 부분간의 용해도 차이가 확연하게 드러났음을 확인했다.

실험예 4

상기 실시예 2에서 합성한 호모폴리머와 비교예 2에서 합성한 코폴리머의 AFM 리소그래피를 측정하여 그 결과를 다음 도 9에 나타내었다. 도 9에 나타낸 바과 같이, 상기 실시예 2의 경우가 비교예 2의 경우보다 면비(aspect ratio)가 월등히 좋음을 확인했다. 즉, 호모폴리머를 합성함으로서 AFM 리소그래피에 있어 전자를 잘 받아들이는 광산발생제의 비율을 월등히 높일 수 있었으며, 도표 9에서 보듯이 패턴 형성에 있어서도 유용함을 보이고 있다.

상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 개량된 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 치환된 신규의 단량체로부터 중합하여 제조된 호모폴리머는 유기용매에 대한 용해성 및 도포성능이 우수하며, 간단한 합성공정으로 반응시간 및 순도와 수율을 개선되어 호모폴리머의 분자량 조절이 용이하고 패턴 제작에 있어 광산발생기만의 독립된 테스트 및 리소그래피 공정을 통해 보다 향상된 패턴 형성이 가능하다.

Claims

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다음 화학식 3로 표시되는 아크릴로일페닐, 다음 화학식 4로 표시되는 디페닐 술폭사이드 및 다음 화학식 5로 표시되는 화합물을 -90 ∼ -60 ℃에서 혼합한 후, 10 ∼ 35 ℃ 범위에서 반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 다음 화학식 2로 표시되는 단량체의 제조방법 :

상기 식에서,

R₁와 R₂는 각각 C₁ ∼ C₆의 알킬카르보닐기, 알데하이드기, 시아노기, 니트로기 및 페닐기 중에서 선택된 전자공여성기 또는 전자흡인성기이고;

R₃은 수소원자 또는 C₁ ∼ C₆의 직쇄상, 측쇄상 또는 고리형의 알킬기이며;

n은 0 ∼ 20의 정수를 나타낸다.