KR100818997B1 - 게이트 형성용 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 포토마스크 기판;상기 포토마스크 기판 상에 형성되어 반도체 기판에 구비된 하나 이상의 활성영역을 가로지르며 서로 평행하게 배열되는 다수의 게이트라인을 정의하는 다수의 주 게이트 형성용 마스크 패턴들;상기 각각의 주 게이트 형성용 마스크 패턴들의 양측 변에 위치하는 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들; 및상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들과 인접한 다른 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들의 사이에 형성되고, 절단 영역이 구비된 연결부들을 포함하는 포토마스크.
- 제1항에 있어서,상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들은 상기 활성영역과 소자분리영역의 경계부에 배열된 포토마스크.
- 제1항에 있어서,상기 연결부들은 상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들과 함께 또는 단독으로 홀을 정의하는 포토마스크.
- 제3항에 있어서,상기 홀은 사각형, 원, 타원, 마름모 또는 삼각형 모양으로 이루어진 포토마스크.
- 제1항에 있어서,상기 절단 영역은 빛의 단위 파장의 길이 이하 크기인 포토마스크.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 투명기판이고, 상기 주 게이트 형성용 마스크 패턴들 및 상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들은 차광패턴인 포토마스크.
- 제1항에 있어서,상기 주 게이트 형성용 마스크 패턴들, 상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들 또는 연결부들 중 어느 하나 이상이 상기 기판을 투과한 빛과 위상차를 갖는 포토마스크.
- 소자 분리 영역에 의해 활성 영역이 정의된 반도체 기판을 제공하고,상기 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 게이트 형성용 도전막을 형성하고,상기 게이트 형성용 도전막의 상부에 포토레지스트막을 형성하고,포토리소그래피 공정으로 상기 게이트 형성용 도전막 상에 게이트 라인을 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성하되,상기 포토레지스트 패턴은,포토마스크 기판;상기 포토마스크 기판 상에 형성되어 반도체 기판에 구비된 하나 이상의 활성영역을 가로지르며 서로 평행하게 배열되는 다수의 게이트라인을 정의하는 다수의 주 게이트 형성용 마스크 패턴들;상기 각각의 주 게이트 형성용 마스크 패턴들의 양측 변에 위치하는 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들; 및상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들과 인접한 다른 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들의 사이에 형성되고, 절단 영역이 구비된 연결부들을 포함하는 포토마스크를 이용하여 형성되고,상기 게이트 형성용 도전막을 패터닝하여 게이트 라인을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들은 상기 활성영역과 소자분리영역의 경계부에 배열된 반도체 소자의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 연결부들은 상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들과 함께 또는 단독으로 홀을 정의하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 홀은 사각형, 원, 타원, 마름모 또는 삼각형 모양으로 이루어진 반도체 소자의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 절단 영역은 빛의 단위 파장의 길이 이하 크기인 반도체 소자의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 기판은 투명기판이고, 상기 주 게이트 형성용 마스크 패턴 및 상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴은 차광패턴인 반도체 소자의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 주 게이트 형성용 마스크 패턴들, 상기 게이트 탭 형성용 마스크 패턴들 또는 연결부들 중 어느 하나 이상이 상기 투명 기판을 투과한 빛과 위상차를 갖는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 포토레지스트막을 형성하기 전에 상기 게이트 형성용 도전막 상에 하드마스크용 절연막을 형성하고,상기 포토레지스트 패턴 형성 후 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 상기 하드마스크용 절연막을 패터닝하여 게이트 라인을 정의하는 하드 마스크를 형성하고,상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 더 포함하고,상기 게이트 라인 형성시 상기 하드 마스크를 식각마스크로 하여 상기 게이트 형성용 도전막을 패터닝하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제8항 내지 제15항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 반도체 소자.
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