KR100817415B1 - 반도체 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로서,
반도체 기판 위에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토 레지스트 패턴의 결함 여부를 검사하는 단계, 상기 포토 레지스트 패턴이 결함이 있는 경우, 결함이 있는 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계, 상기 반도체 기판을 플라즈마 처리하는 단계 및, 상기 플라즈마 처리된 반도체 기판에 다시 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성되어,
결함 있는 포토레지스트 패턴을 제거한 후 플라즈마 처리함으로써, 제거된 포토레지스트 패턴의 하부층 표면을 개질하여 밀착력을 높여서 포토레지스트 패턴 재형성시에 생길 수 있는 패턴의 결함을 방지하여 반도체 소자의 제조 비용과 제조 시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자 및 그 제조 방법{Semiconductor device and the Fabricating Method thereof}
도 1은 포토레지스트 패턴의 결함을 개념적으로 도시한 도,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법을 도시한 순서도,
도 3은 플라즈마 처리 전의 하부 금속층 표면과 물방울을 이용하여 밀착력을 검사한 도,
도 4는 플라즈마 처리 후의 하부 금속층 표면과 물방울을 이용하여 밀착력을 검사한 도이다.
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 공정은 많은 단위 공정을 거쳐서 한 개의 반도체 소자가 만들어지고 있다. 수 많은 반도체 공정 중 포토레지스트 필름을 사용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정을 이른바 포토 공정이라 한다.
상기 포토 공정은 실리콘 기판, 산화막, 질화막, 층간 절연막 등의 하부층 위에 포토레지스트 필름을 도포하고, 이를 노광기로 노광한 후, 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 것이다.
상기 포토레지스트 패턴은 이온 주입 마스크, 식각 마스크 등 여러 가지 용도의 마스크로 사용되고 있고, 미세한 크기로 진행되는 반도체 공정에 있어서 이러한 포토 공정은 매우 중요하다.
이러한 포토 공정에서 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 패턴 결함 검사 장치를 이용해서 패턴의 결함 여부를 검사하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(P)이 쓰러지거나 기울어지는 등의 결함이 검출되면 결함이 있는 포토레지스트 패턴을 모두 제거하고 다시 포토 공정을 진행해야 한다.
이때, 결함 있는 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정을 이른바 "리워크(Rework)" 공정이라 하는 데, 이 리워크 공정은 다량의 산소를 이용하므로 리워크 공정 후에 그 하부 층의 표면은 많은 손상을 입게 된다.
이로 인해, 리워크 공정 후에 다시 포토레지스트 패턴을 진행해도 다시 결함 있는 포토레지스트 패턴이 형성되는 경우가 많으며, 따라서, 반도체 소자 제조 비용이나 제조 시간이 불필요하게 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 결함 있는 포토레지스트 패턴을 제거한 후 플라즈마 처리함으로써, 제거된 포토레지스트 패턴의 하부층 표면을 개질하여 밀착력을 높여서 포토레지스트 패턴 재형성시에 생길 수 있는 패턴의 결함을 방지하여 반도체 소자의 제조 비용과 제조 시간을 줄일 수 있는 반도체 소자 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법은,
반도체 기판 위에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토 레지스트 패턴의 결함 여부를 검사하는 단계;
상기 포토 레지스트 패턴이 결함이 있는 경우, 결함이 있는 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및,
상기 결함이 있는 포토 레지스트 패턴이 제거된 부분의 반도체 기판을 플라즈마 처리하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 플라즈마 처리하는 단계는 불소(F) 계열의 가스를 사용한다.
또한, 상기 플라즈마 처리하는 단계는 불화 탄소(CxFy), 불화 질소(NxFy), 또는 CxFyHz 계열의 가스 중 적어도 어느 하나의 가스를 사용한다.
또한, 상기 플라즈마 처리하는 단계는 CF4, C2F6, NF3, CF2H2 중 적어도 어느 하나의 가스를 사용한다.
또한, 상기 플라즈마 처리하는 단계는 유도 결합형 플라즈마 발생장치를 사용한다.
또한, 상기 플라즈마 처리하는 단계는 유도 결합형 플라즈마 발생장치를 사용하며, 진공 챔버 내에 설치된 하부 전극은 플라즈마의 안정화를 위해 3초 내지 5초 동안 작동시킨 후, 상부 전극을 사용하여 플라즈마 처리한다.
또한, 상기 플라즈마 처리된 반도체 기판에 다시 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 우선, 도면들 중 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 한 동일한 참조부호를 나타내고 있음에 유의해야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하게 하지 않기 위해 생략한다.
또한, 본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on/above/over/upper)"에 또는 "아래(down/below/under/lower)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 그 의미는 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들에 접촉되어 형성되는 경우로 해석될 수도 있으며, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 패드, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 그 사이에 추가적으로 형성되는 경우로 해석될 수도 있다. 따라서, 그 의미는 발명의 기술적 사상에 의하여 판단되어야 한다.
도 1은 포토레지스트 패턴의 결함을 개념적으로 도시한 도, 도 2는 본 발명 에 따른 반도체 소자 제조 방법을 도시한 순서도, 도 3은 플라즈마 처리 전의 하부 금속층 표면과 물방울을 이용하여 밀착력을 검사한 도, 도 4는 플라즈마 처리 후의 하부 금속층 표면과 물방울을 이용하여 밀착력을 검사한 도이다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법은 다음과 같다.
먼저, 반도체 기판 위에 포토 레지스트 필름을 도포한다. 이는 주로 웨이퍼의 회전력을 이용한 스핀(Spin) 방식을 사용한다. 여기서, 상기 반도체 기판은 N형 또는 P형 불순물 이온이 도핑된 실리콘 기판뿐만 아니라, 상기 실리콘 기판 위에 형성되는 금속층 등 여러 종류의 막을 포함하여 지칭한다.
그 다음, 약 90 내지 120℃의 낮은 온도 열판을 이용하여 상기 도포된 포토레지스트 필름 내부의 용제 및 수분을 증발시켜, 액체 상태의 포토 레지스트 필름을 고체 상태로 변환시킨 후, 노광 장치로 투입한다.
그 다음, 상기 포토레지스트 필름을 스텝퍼(stepper)와 같은 노광 장비를 사용하여 상기 포토레지스트 상에 포토레지스트 패턴을 축소투영 노광시킨 후, 현상(developing)하여 소정 영역에 포토레지스트 패턴을 형성한다.(S1)
그 다음, 약 100 내지 130℃에서 가열하여 형성된 포토레지스트 패턴을 강하게 해주고, 밀착력을 증가시켜준 후, 웨이퍼 검사 장치를 사용하여 상기 포토레지스트 패턴의 결함 여부를 검사하여(S2) 결함이 있는지를 판단한다.(S3) 이때, 검사 결과 결함이 없으면 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 삼아 에칭 또는 이온 주입과 같은 후속 공정을 진행한다.(S7)
그러나, 상기 패턴이 쓰러지거나 기울어지는 등의 결함이 검출되면 후속 공 정을 진행하지 않고 상기 결함 있는 패턴을 제거하는 리워크(Rework) 공정을 진행한다.(S4) 이때, 상기 리워크 공정은 산소 가스를 주로 사용하여 결함 있는 포토레지스트 패턴을 제거하는데, 이 과정에서 상기 포토레지스트 패턴의 하부에 있는 각종 막, 또는 하부 금속층을 포함하는 반도체 기판은 산소에 의해 표면에 손상이 발생한다.
그 다음, 상기 표면이 손상된 반도체 기판을 플라즈마 처리한다.(S5) 이때, 플라즈마 처리를 위해 사용되는 가스는, 플라즈마 점화(Plasma Ignition)을 위한 아르곤(Ar) 가스와 제거된 포토레지스트 패턴의 하부층 표면 개질을 위한 불소 계열의 가스를 사용한다. 상기 불소 계열의 가스는 불화 탄소(CxFy), 불화 질소(NxFy), 또는 CxFyHz 계열의 가스 중 적어도 어느 하나의 가스를 사용한다. 또한, 상기 불소 계열의 가스는 CF4, C2F6, NF3, CF2H2 중 적어도 어느 하나의 가스를 사용한다.
플라즈마 발생장치는 유도 결합형 플라즈마 발생장치(Inductively Coupled Plasma; ICP)를 사용한다. 진공 챔버 내에 상기 아르곤 가스와 불소 계열의 가스- 예를 들면, NF3-를 주입하고, 상기 진공 챔버 내에 설치된 하부 전극은 플라즈마의 안정화를 위해 3초 내지 5초 동안 작동시킨 후, 상부 전극을 사용하여 플라즈마 처리한다. 이때, 포토레지스트 필름의 두께와 하부층의 두께를 고려하여 상부전극의 전력을 조정한 후, 55초 내지 65초 동안 진행한다. 이렇게 플라즈마 처리 공정을 진행하는 동안, 불소 계열의 가스는 다양한 라디칼(Radical)-예를 들어, 가스가 NH3 인 경우, NF2 +, NF2 + 등-을 형성하며, 형성된 라디칼들은 하부층의 표면과 결합 및 분해가 연속적으로 발생하여 표면 성질을 변화시키게 된다.
도 3에는 플라즈마 처리 전의 하부 금속층 표면과 물방울을 이용하여 밀착력을 검사한 도면이 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 리워크 공정 후 하부 금속층(10)의 표면(11)은 산소가 다량 함유되어 있고, 물방울(W1)을 떨어뜨려 밀착력을 검사해 본 결과, A부분에 도시된 바와 같이, 접촉각(a)이 상대적으로 크므로 소수성(hydrophobic)으로써, 밀착력(adhension)이 작음을 알 수 있다.
도 4는 플라즈마 처리 후의 하부 금속층 표면과 물방울을 이용하여 밀착력을 검사한 도면이 도시되어 있다. 도 4를 참조하면, 상기 NH3 가스에 의해 생성된 다양한 라디칼들이 하부 금속층(10)의 표면(12)과 결합하여 산소가 제거되어 하부 금속층의 표면에는 상대적으로 불소(F)가 다량 함유되어 있다. 물방울(W2)을 떨어뜨려 밀착력을 검사해 본 결과, B부분에 도시된 바와 같이, 접촉각(b)이 상대적으로 작으므로 친수성(hydrophilic)으로써, 밀착력(adhension)이 커진 것임을 알 수 있다.
상기와 같이 플라즈마 처리로 밀착력이 커지는 이유는 불소 계열의 가스를 이용하여 하부 금속층 표면을 플라즈마 처리함으로써, 그 표면의 거칠기(roughness)가 증가하여 상대적으로 전체 접촉 면적이 증가하기 때문이고, 또한 산소와 불소 계열의 가스로부터 생긴 다양한 라디칼(Radical)이 반응하여 하부 금속층 표면에서 산소의 함량이 줄어들기 때문이다.
그 다음, 상기와 같이 반도체 기판을 플라즈마 처리하여 그 표면을 개질한 후, 다시 포토 레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토 공정을 진행하여 포토 레지스트 패턴을 형성하고(S6), 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 삼아 에칭 또는 이온 주입과 같은 후속 공정을 진행하여 반도체 소자를 제조한다.(S7)
이상과 같이 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법을 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상 범위내에서 당업자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 물론이다.
상기한 바와 같은 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법에 의하면,
결함 있는 포토레지스트 패턴을 제거한 후 플라즈마 처리함으로써, 제거된 포토레지스트 패턴의 하부층 표면을 개질하여 밀착력을 높여서 포토레지스트 패턴 재형성시에 생길 수 있는 패턴의 결함을 방지하여 반도체 소자의 제조 비용과 제조 시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 반도체 기판 위에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토 레지스트 패턴의 결함 여부를 검사하는 단계;
    상기 포토 레지스트 패턴이 결함이 있는 경우, 결함이 있는 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및,
    상기 반도체 기판을 플라즈마 처리하는 단계
    를 포함하는 반도체 소자 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계는 불소(F) 계열의 가스를 사용하는 반도체 소자 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계는 불화 탄소(CxFy), 불화 질소(NxFy), 또는 CxFyHz 계열의 가스 중 적어도 어느 하나의 가스를 사용하는 반도체 소자 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계는 CF4, C2F6, NF3, CF2H2 중 적어도 어느 하나의 가스를 사용하는 반도체 소자 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계는 유도 결합형 플라즈마 발생장치를 사용하는 반도체 소자 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계는 유도 결합형 플라즈마 발생장치를 사용하며, 진공 챔버 내에 설치된 하부 전극은 플라즈마의 안정화를 위해 3초 내지 5초 동안 작동시킨 후, 상부 전극을 사용하여 플라즈마 처리하는 반도체 소자 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리된 반도체 기판에 다시 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR950004434A (ko) * 1993-07-19 1995-02-18 가나이 쓰토무 이물제거 방법 및 장치
KR20030002370A (ko) * 2001-06-29 2003-01-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 마스크 형성 방법

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