KR100791771B1 - 플라즈마 식각 장치 - Google Patents

플라즈마 식각 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100791771B1
KR100791771B1 KR1020020080256A KR20020080256A KR100791771B1 KR 100791771 B1 KR100791771 B1 KR 100791771B1 KR 1020020080256 A KR1020020080256 A KR 1020020080256A KR 20020080256 A KR20020080256 A KR 20020080256A KR 100791771 B1 KR100791771 B1 KR 100791771B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
quartz tube
plasma
pipe
connection pipe
process chamber
Prior art date
Application number
KR1020020080256A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040053522A (ko
Inventor
황상일
정지호
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020020080256A priority Critical patent/KR100791771B1/ko
Publication of KR20040053522A publication Critical patent/KR20040053522A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100791771B1 publication Critical patent/KR100791771B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마에 의해 석영관의 특정 부위의 반복적 식각을 방지하기 위한 석영관의 주기적 회전 작업시 석영관 및 공정 챔버의 진공 상태를 해제시키지 않고 석영관의 주기적 회전 작업을 수행할 수 있는 플라즈마 식각 장치에 관한 것으로서,
본 발명의 플라즈마 식각 장치는 플라즈마를 이용하여 반도체 기판의 식각 처리를 진행하는 공정 챔버를 구비하는 플라즈마 식각 장치에 있어서, 상기 공정 챔버 내에 공급되는 플라즈마가 유도되는 석영관과, 상기 석영관의 일단과 중첩되어 연결 및 고정되어 있고 상기 석영관과 연결되는 부위의 반대편 일측의 외주면에 숫 나사 가공이 되어 있는 연결관과, 상기 연결관 내부의 일측에 구비되어 상기 석영관 내부의 진공 상태를 제어하기 위한 제 1 밸브와, 상기 연결관의 일단과 중첩되어 연결 및 고정되어 있고 상기 연결관의 숫 나사 가공이 되어 있는 외주면에 상응되는 부위에 암 나사 가공이 되어 있는 가스 도입관과, 상기 가스 도입관 내부의 일측에 구비되어 상기 공급 가스를 제어하는 제 2 밸브와, 상기 제 1 밸브 및 제 2 밸브 사이의 공간 일측에 형성되어 있는 배기구를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
플라즈마, 식각, 석영관

Description

플라즈마 식각 장치{Apparatus for plasma etching}
도 1은 종래 기술에 따른 플라즈마 식각 장치의 구조 단면도.
도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 플라즈마에 의한 석영관의 특정 부위의 식각 상태를 설명하기 위한 도면.
도 3은 종래 기술에 따른 석영관과 가스 도입관의 결착 부위를 구체적으로 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치의 구조 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 석영관과 가스 도입관의 결착 부위를 구체적으로 나타낸 도면.
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치에 있어서 석영관의 회전 작업을 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
400 : 플라즈마 식각 장치 401 : 공정 챔버
402 : 척 403 : 기판
404 : 가스 도입관 405 : 석영관
406 : 마이크로파 발생기 407 : 플라즈마 발생장치
408 : 가스 수송관 411 : 제 1 밸브
412 : 제 2 밸브 413 : 배기구
본 발명은 플라즈마 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마에 의해 석영관의 특정 부위의 반복적 식각을 방지하기 위한 석영관의 주기적 회전 작업시 석영관 및 공정 챔버의 진공 상태를 해제시키지 않고 석영관의 주기적 회전 작업을 수행할 수 있는 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 기판이나 액정표시장치용 유리기판 등에 대해 식각 처리나 애싱(ashing) 처리 등을 실시하기 위한 장치로서 플라즈마 식각 장비가 사용되고 있다. 플라즈마 식각 장비는 공정 챔버(Process chamber)의 내부로 반도체 기판 등을 반입하여 진공 상태에서 처리하는 장치이다.
종래의 플라즈마 식각 장비의 일 예로서는, 공정 챔버와 분리된 플라즈마 발생실에서 공정 가스를 활성화하여 래디컬(radical)을 생성하고, 래디컬을 공정 챔버 내부로 인입하여 반도체 기판 표면에 공급함으로서 래디컬에 의해 반도체 기판 표면의 박막의 식각 처리를 행하는 화학적 건식 식각(Chemical Dry Etching; CDE) 장치가 있다.
종래 기술에 따른 플라즈마 식각 장치를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 1은 종래 기술에 따른 플라즈마 식각 장치의 구조 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 플라즈마 식각 장치(100)는 반도체 기판에 대한 식각 등의 공정이 진행되는 공정 챔버(101)가 구비되어 있으며, 상기 공정 챔버(101) 내에는 도시하지 않았지만 반도체 기판(103)이 장착되는 척(102)과 반도체 기판의 온도를 제어할 수 있는 온도조절장치(도시하지 않음)가 구비되어 있다.
상기 공정 챔버(101)의 상단에는 가스 도입구가 형성되어 있으며, 상기 가스 도입구에는 불소수지로 이루어진 가스 도입관(104)이 장착되어 있다. 상기 가스 도입관(104)에는 석영관(Quartz tube)(105)의 일단이 접속되어 있으며, 상기 석영관(105)의 다른 일단에는 밀봉 부재가 장착되어 있다.
한편, 상기 석영관의 일측에 마이크로파 도파관을 갖춘 플라즈마 발생장치(107)가 석영관(105)을 둘러싸도록 설치되어 있고, 상기 플라즈마 발생장치(107)에 의해 둘러싸인 석영관(105) 내부에 플라즈마 발생실이 형성되어 있다. 상기 마이크로파 도파관에는 마이크로파 발생기(106)가 접속되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 종래 기술에 따른 플라즈마 식각 장치의 동작 원리를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 공정 대상인 반도체 기판을 공정 챔버에 반입하기 전에 공정 챔버 내부를 진공 펌프에 의해 배기하여 진공 상태 즉, 감압 상태로 한다. 이어, 소정의 가스 실린더(도시하지 않음)로부터 플라즈마 발생용 가스를 석영관에 도입한 다음, 플라즈마 발생장치(107)의 마이크로파 도파관을 매개로 마이크로 발생기(106)로부터 플라즈마 발생실로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파가 인가되면 플라즈마 발생실 내부에 글로우 방전(glow discharge)이 생겨 플라즈마(P)가 발생된다.
발생된 플라즈마를 석영관 및 가스 도입관을 매개로 가스도입구로부터 공정 챔버로 공급하여 반도체 기판의 식각 등의 표면 처리를 수행하게 된다.
한편, 상기 플라즈마를 생성시키는 과정에 있어서 발생된 플라즈마에 의해 석영관의 특정 부위가 플라즈마에 의해 식각된다. 석영관의 특정 부위만 반복적으로 식각되는 것을 방지하기 위해 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이, 주기적으로 상기 석영관(105)을 회전시킨다. 이에 따라, 석영관의 수명을 보다 효율적으로 관리할 수 있게 된다.
그러나, 상기 석영관을 회전시키기 위해서는 석영관 양단에 구비되어 있는 배기구를 통해 석영관 내부의 진공 상태를 해제하고 더불어 공정 챔버의 진공 상태까지 해제시켜야만 한다. 따라서, 공정 수율에 있어서 상기와 같은 석영관의 주기적 회전은 악영향을 미칠 수 밖에 없다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 플라즈마에 의해 석영관의 특정 부위의 반복적 식각을 방지하기 위한 석영관의 주기적 회전 작업시 석영관 및 공정 챔버의 진공 상태를 해제시키지 않고 석영관의 주기적 회전 작업을 수행할 수 있는 플라즈마 식각 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 플라즈마 식각 장치는 플라즈마를 이용하여 반도체 기판의 식각 처리를 진행하는 공정 챔버를 구비하는 플라즈 마 식각 장치에 있어서, 상기 공정 챔버 내에 공급되는 플라즈마가 유도되는 석영관과, 상기 석영관의 일단과 중첩되어 연결 및 고정되어 있고 상기 석영관과 연결되는 부위의 반대편 일측의 외주면에 숫 나사 가공이 되어 있는 연결관과, 상기 연결관 내부의 일측에 구비되어 상기 석영관 내부의 진공 상태를 제어하기 위한 제 1 밸브와, 상기 연결관의 일단과 중첩되어 연결 및 고정되어 있고 상기 연결관의 숫 나사 가공이 되어 있는 외주면에 상응되는 부위에 암 나사 가공이 되어 있는 가스 도입관과, 상기 가스 도입관 내부의 일측에 구비되어 상기 공급 가스를 제어하는 제 2 밸브와, 상기 제 1 밸브 및 제 2 밸브 사이의 공간 일측에 형성되어 있는 배기구를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 본 발명의 플라즈마 식각 장치는 상기 연결관과 석영관을 고정하기 위해 상기 석영관 일단의 외주면을 따라 형성되어 있는 제 1 패킹용 마개와, 상기 연결관과 석영관 사이의 미세 틈을 밀봉하기 위한 제 1 오링을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 본 발명의 플라즈마 식각 장치는 상기 가스 도입관과 연결관을 고정하기 위해 상기 연결관 일단의 외주면을 따라 형성되어 있는 제 2 패킹용 마개와, 상기 가스 도입관과 연결관 사이의 미세 틈을 밀봉하기 위한 제 2 오링을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따르면, 상기 석영관과 가스 도입관 사이 정확히는 석영관과 연결 고정되어 있는 연결관 및 가스 도입관 사이에 제 1 밸브 및 제 2 밸브를 구비시켜 석영관 내부 및 공정 챔버 내부의 진공 상태를 해제시키지 않고 석영관의 특정 부위의 반복적 식각을 방지하기 위한 석영관의 회전 작업을 수행할 수 있게 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 식각 장치를 상세히 설명하기로 한다. 도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치의 구조 단면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 식각 장치(400)는 반도체 기판(403)에 대한 식각 등의 공정이 진행되는 공정 챔버(401)가 구비되어 있으며, 상기 공정 챔버(401) 내에는 도시하지 않았지만 반도체 기판(403)이 장착되는 척(402)과 반도체 기판(403)의 온도를 제어할 수 있는 온도조절장치(도시하지 않음)가 구비되어 있다.
상기 공정 챔버(401)의 상단에는 가스 도입구가 형성되어 있으며, 상기 가스 도입구에는 가스 도입관(404)이 장착되어 있다. 상기 가스 도입관(404)에는 석영관(Quartz tube)(405)의 일단이 접속되어 있다.
상기 석영관(405)의 일측에 마이크로파 도파관을 갖춘 플라즈마 발생장치(407)가 석영관(405)을 둘러싸도록 설치되어 있고, 상기 플라즈마 발생장치(407)에 의해 둘러싸인 석영관 내부에 플라즈마 발생실이 형성되어 있다. 상기 마이크로파 도파관에는 마이크로파 발생기(406)가 접속되어 있다.
한편, 상기 가스 도입관(404)과 석영관(405)이 결착되는 부위에는 제 1 및 제 2 밸브(411, 412)가 형성되어 있으며 소정의 배기구(413)가 형성되어 있는 상기 가스 도입관(404)과 석영관(405)이 결착되는 부위를 도 5 및 도 6을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5에 도시한 바와 같이, 상기 석영관(405)과 가스 도입관(404) 사이에는 두 관을 매개하는 연결관(420)이 구비되어 있는데, 상기 연결관(420)은 석영관(405) 일단과 중첩되도록 형성되어 있으며, 상기 연결관(420)과 석영관(405)의 중첩 부위에는 상기 연결관(420)과 석영관(405)의 연결을 고정하기 위한 제 1 패킹용 마개(421)가 상기 석영관(405)의 외곽 둘레를 따라 형성되어 있으며, 상기 제 1 패킹용 마개(421)와 상기 연결관(420) 사이에는 상기 석영관(405)과 연결관(420) 사이의 미세 틈을 밀봉하기 위한 제 1 오링(422)이 형성되어 있다.
한편, 상기 연결관(420)과 가스 도입관(404)은 나사 형태 즉, 볼트와 너트 형태로 결착되어 있어, 플라즈마에 의한 석영관(405) 특정 부위 식각을 방지하기 위해 석영관(405)을 회전시킬 수 있다. 상기 연결관(420)과 가스 도입관(404)은 상기 연결관(420)과 석영관(405)에서처럼 연결관(420)의 일단이 상기 가스 도입관(404)과 일부 중첩되도록 형성되어 있다. 또한, 상기 연결관(420)과 가스 도입관(404)의 중첩 부위에는 제 2 패킹용 마개(423)가 상기 연결관(420)의 일단의 외주면을 따라 형성되어 있어 상기 연결관(420)과 가스 도입관(404)을 고정한다. 그리고, 상기 제 2 패킹용 마개(423)와 가스 도입관(404) 사이에는 제 2 오링(424)이 구비되어 있어 상기 연결관(420)과 가스 도입관(404) 사이의 미세 틈을 밀봉하게 된다.
이와 같은 구성에 더불어, 상기 연결관(420)의 일단 정확히는 상기 석영관(405)과의 연결 부위의 반대편 일측에 제 1 밸브(411)가 형성되어 있으며, 상기 가스 도입관(404) 일측에 제 2 밸브(412)가 형성되어 있다. 상기 제 1 밸브(411)는 상기 석영관(405) 내부의 진공 상태를 조절하기 위한 밸브이다. 상기 제 2 밸브(412) 정확히는 상기 가스 실린더와 연결되는 위치의 제 2 밸브(412)는 상기 가스 실린더로부터 공급되는 공급 가스를 제어하기 위한 밸브이고 상기 공정 챔버와 연결되는 위치의 제 2 밸브(412)는 공급 가스가 공정 챔버로 유입되는 것을 제어하기 위한 밸브이다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 밸브(411,412) 사이의 상기 가스 도입관(404)의 일측에는 상기 제 1 및 제 2 밸브(411,412) 사이공간의 가스를 배기하는 배기구(413)가 형성되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 플라즈마 식각 장치의 동작 원리를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 공정 대상인 반도체 기판을 공정 챔버에 반입하기 전에 배기관 및 배기구(413)를 통해 공정 챔버 내부를 진공 펌프에 의해 배기하여 진공 상태 즉, 감압 상태로 한다. 이어, 소정의 가스 실린더(도시하지 않음)로부터 플라즈마 발생용 가스를 석영관(405)에 도입한 다음, 플라즈마 발생장치의 마이크로파 도파관을 매개로 마이크로 발생기로부터 플라즈마 발생실로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파가 인가되면 플라즈마 발생실 내부에 글로우 방전(glow discharge)이 생겨 플라즈마(P)가 발생된다.
발생된 플라즈마를 석영관(405) 및 가스 도입관(404)을 매개로 가스도입구로부터 공정 챔버로 공급하여 반도체 기판의 식각 등의 표면 처리를 수행하게 된다.
한편, 상기와 같이 플라즈마를 발생시켜 공정 챔버 내의 반도체 기판의 표면처리를 진행하는 과정에 있어서, 플라즈마가 최초 발생되는 석영관(405)은 플라즈마에 의해 석영관(405)의 특정 부위가 반복적으로 식각된다. 이에 따라 상기 석영 관(405)을 주기적으로 회전시켜 특정 부위의 식각을 방지하게 된다.
본 발명에 있어서는, 석영관(405)의 주기적 회전 작업을 수행함에 있어서 상기 석영관(405) 및 공정 챔버의 진공 상태를 해제시키지 않고 작업을 진행하는 것에 특징이 있다.
즉, 도 6에 도시한 바와 같이 석영관(405)의 주기적 회전 작업의 수행시 상기 제 1 및 제 2 밸브(411,412)를 잠근 상태에서 상기 제 1 및 제 2 밸브(411,412) 사이 공간의 진공 상태를 배기구(413)를 통해 해제시킨다. 제 1 및 제 2 밸브(411,412) 사이의 공간의 진공상태를 해제시킨 후에 상기 연결관(420)과 가스 도입관(404)을 고정시키는 제 2 패킹용 마개(423) 및 제 2 오링(424)을 제거한 다음, 상기 제 1 패킹용 마개(421)에 의해 석영관(405)과 연결, 고정되어 있는 연결관(420)을 회전시켜 상기 석영관(405)의 위치를 변경시킬 수 있게 된다.
이와 같이 석영관(405)의 회전 작업을 수행함에 따라 석영관(405) 내부의 진공 상태 및 상기 공정 챔버 내부의 진공 상태를 해제하지 않게 된다.
상술한 바와 같은 본 발명의 플라즈마 식각 장치는 다음과 같은 효과가 있다.
석영관과 가스 도입관 사이 정확히는 석영관과 연결, 고정되어 있는 연결관 및 가스 도입관 사이에 제 1 밸브 및 제 2 밸브를 구비시킴으로써 석영관 내부 및 공정 챔버 내부의 진공 상태를 해제시키지 않고 석영관의 특정 부위의 반복적 식각을 방지하기 위한 석영관의 회전 작업을 수행할 수 있게 된다. 이에 따라 작업 수율의 향상을 기할 수 있는 장점이 있다.

Claims (3)

  1. 플라즈마를 이용하여 반도체 기판의 식각 처리를 진행하는 공정 챔버를 구비하는 플라즈마 식각 장치에 있어서,
    상기 공정 챔버 내에 공급되는 플라즈마가 유도되는 석영관;
    상기 석영관의 일단과 중첩되어 연결 및 고정되어 있고 상기 석영관과 연결되는 부위의 반대편 일측의 외주면에 숫 나사 가공이 되어 있는 연결관;
    상기 연결관 내부의 일측에 구비되어 상기 석영관 내부의 진공 상태를 제어하기 위한 제 1 밸브;
    상기 연결관의 일단과 중첩되어 연결 및 고정되어 있고 상기 연결관의 숫 나사 가공이 되어 있는 외주면에 상응되는 부위에 암 나사 가공이 되어 있는 가스 도입관;
    상기 가스 도입관 내부의 일측에 구비되어 상기 공급 가스를 제어하는 제 2 밸브;
    상기 제 1 밸브 및 제 2 밸브 사이의 공간 일측에 형성되어 있는 배기구를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 연결관과 석영관을 고정하기 위해 상기 석영관 일단의 외주면을 따라 형성되어 있는 제 1 패킹용 마개와;
    상기 연결관과 석영관 사이의 미세 틈을 밀봉하기 위한 제 1 오링을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 도입관과 연결관을 고정하기 위해 상기 연결관 일단의 외주면을 따라 형성되어 있는 제 2 패킹용 마개와,
    상기 가스 도입관과 연결관 사이의 미세 틈을 밀봉하기 위한 제 2 오링을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
KR1020020080256A 2002-12-16 2002-12-16 플라즈마 식각 장치 KR100791771B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020080256A KR100791771B1 (ko) 2002-12-16 2002-12-16 플라즈마 식각 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020080256A KR100791771B1 (ko) 2002-12-16 2002-12-16 플라즈마 식각 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040053522A KR20040053522A (ko) 2004-06-24
KR100791771B1 true KR100791771B1 (ko) 2008-01-03

Family

ID=37346752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020080256A KR100791771B1 (ko) 2002-12-16 2002-12-16 플라즈마 식각 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100791771B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4770682A (en) 1983-06-15 1988-09-13 U.S. Philips Corp. Device for manufacturing optical fiber preforms
JPH07174640A (ja) * 1993-12-16 1995-07-14 Kawasou Denki Kogyo Kk 熱電対装置の製造方法
KR19980023310A (ko) * 1996-09-25 1998-07-06 김광호 반도체설비 석영관의 실링부

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4770682A (en) 1983-06-15 1988-09-13 U.S. Philips Corp. Device for manufacturing optical fiber preforms
JPH07174640A (ja) * 1993-12-16 1995-07-14 Kawasou Denki Kogyo Kk 熱電対装置の製造方法
KR19980023310A (ko) * 1996-09-25 1998-07-06 김광호 반도체설비 석영관의 실링부

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040053522A (ko) 2004-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10141207B2 (en) Operation method of plasma processing apparatus
US4988644A (en) Method for etching semiconductor materials using a remote plasma generator
KR890012367A (ko) 에칭 장치 및 방법
KR100791771B1 (ko) 플라즈마 식각 장치
KR102616693B1 (ko) 기판 처리 장치 및 가스 공급 배관의 퍼지 방법
JPH11158627A (ja) イオンビーム照射装置
JP2715134B2 (ja) 処理方法
JPH03102820A (ja) 真空処理装置
KR100792328B1 (ko) 플라즈마 식각장비의 석영관 장치
EP0980092B1 (en) Vacuum processing method
JP7329130B2 (ja) プラズマ処理装置
TWI837594B (zh) 電漿處理裝置
KR20000019712A (ko) 반도체 식각 장치의 웨이퍼 고정부
KR20220143520A (ko) 원격 플라즈마 소스 분리 밸브 및 이를 이용한 플라즈마 소스 또는 프로세스 가스 공급 방법
JPH01319930A (ja) 気相成長装置
JPH11345801A (ja) 真空処理装置
JPH02202021A (ja) 処理方法
KR100273217B1 (ko) 반도체웨이퍼건식각장치
JPS6394628A (ja) ドライエツチング装置
KR100512161B1 (ko) 반도체소자 제조용 화학기상증착장치의 공정챔버
KR20020088140A (ko) 건식 식각 설비
JP2001049439A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
US20050109459A1 (en) High density plasma apparatus and methods of operating the same
JPH0411727A (ja) エッチング装置およびこれを用いた半導体素子の製造方法
KR20020095750A (ko) 자기장을 이용한 반도체 공정 반응실 고정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee