JPH0411727A - エッチング装置およびこれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、対向電極間にプラズマを発生させ、被エツ
チ、グ体を工・ソチング処理するエツチング装置および
これを用いた半導体素子の製造方法に関するものである
１つ 〔従来の技術〕 第２図は従来のプラズマ処理装置の全体構成を示す一部
を断面とした概略図であり、第３図は、第２図のＡ部分
の詳細を示す拡大断面図である。

第２図において、１は上部電極、２はこの上部電極１に
対向して配置された下部電極、３は被エツチ、グ体で、
例えば半導体基板である。４は前記上２下部電極１，２
を収納し、真空を構成するための容話、５は前記上、下
部電極１，２と容習４に各々ボッＬ１・にて接合されて
いる真空シール管、６は前記容器４内を真空とするため
の真空ポツプ、７は高周波発生電源、８はこの高周波発
生電源７からの電圧を下部電極２に伝える給電板、９は
エツチングガスを上部電極１に導入するための配管、１
０はエツチングガス中の塵を除去するフィルタ、１１は
前記容器４内へのエッチングガス流量を制御するための
バルブ、１２はエツチングガスを導入または遮断するた
めのバルブ、１３はエッチ。

グガスを収納するボンベである。

また、第３図において、１４は前記真空シールｖ；５に
収納され、真空を保持するためのゴムリノグ、１５．１
６．１７は前記上部電極１に収納され、ボンベ１３より
導入されたエッチングガスを拡散させるための拡散板、
１８はエツチングガスの流れを示す矢印である。

次に動作について説明する。

被エツチング体３に目標のエッチングを行うため、下部
電極２に彼エツチング体３を載置し、容器４内を真空ポ
ジプロで真空状態にする。次に、エツチングガスをボン
ベ１３よりバルブ１２，１１゜フィルタ１０．配管９を
介し上部電極１のガス導入系より拡散板１５，１６，１
７を通して容器４内に導入する。以上の操作後、下部電
極２に給電板８を介し高周波電源７より電圧を印加し、
上部電極１と下部電極２の間で放電を行わせてプラズマ
を発生させ、エツチングガスと放電の作用で被エツチ、
グ体３をエッチングする。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のエッチング装置においては、エッチングガスのガ
ス導入系は第３図に示すように構成されている。したが
って、上部電極１内のエッチングガスのガス導入系は配
管９が拡散板１７まてまっすぐに近接した状態となり、
この状態でエッチ。

グガスが拡散板１５〜１７によって拡散されるため、エ
ツチングガスが上部電極１内で均一に拡散されず、中央
付近のみしかエツチングガスが流れ込まないため、被エ
ッチング体３へのガス濃度が全面均一でなく、エツチン
グが均一にできないという問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、上部電極のガス導入部を改善し、エッチン
グガスの均一な拡散を実現し、均一なエツチングができ
るエッチング装置およびこれを用いたエッチレグ方法を
得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明の請求項（１）に係るエッチノブ装置は、ガス
導入系から導入されるエツチングガスが拡散板に対し徐
々に拡散して拡がり、被エツチング体の全面に供給され
る形状のガス導入部をガス導入系に備えたものである。

また、請求項（２）に係る半導体素子の製造方法は、上
部電極と下部電極間に高電圧を印加してプラズマを発生
させ、上部電極のガス導入系から下部電極上に載置され
た被エツチング体の全面にエツチングガスを導入し、被
エツチング体に所望のエツチングを施すものである。

〔作用〕

この発明の請求項（１）に記載の発明においては、エツ
チングガスをその導入部から拡散板に向かい徐々に拡散
して拡がって導入されるガス導入部を備えたことから、
エッチ、ゲガスは、上部電極内で均一に拡散される。

また、請求項（２）においては、被工・フチジグ体全面
にエッチングガスが供給されることがら、被エツチング
体は均一にエツチングされる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。

第１図はこの発明による上部電極の断面構造図である。

この図で、第２図、第３図と同一符号は同一構成部分を
示し、９ａは前記配管９と連通し、上部電極１内てエッ
チングガスが徐々に拡散して、すなオ）ら拡散板１５〜
１７に対して徐々に拡散して拡がり全面に供給されるよ
うに略円錐状に形成したガス導入部である。

この動作は、ボンベ１３よりバルブ１２，１１゜７　イ
／Ｌり１０を介して上部電極１の入口に導入されたエツ
チングガスは、上部電極１のガス導入系内では円錐状に
徐々に拡散されながら拡がり、拡散板１５〜１７でさら
に拡散され全面に拡がるため、エツチングガスは第１図
のように、拡散板１５〜１７の全面より均一に容器４内
の下部電極２の被エツチング体３へ流れる。

なお、ガス導入部９ａは円錐状に限らず角錐状でもよく
、要は錘状てあればよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明の請求項（１）に記載の
発明は、ガス導入系から導入されるエツチングガスが拡
散板に対し徐々に拡散して拡がり、被エツチング体の全
面に供給される形状のガス導入部をガス導入系に備えた
ので、エツチングガスが全体に拡がり、被工・ソチング
体全面に均一に流れ込み、目標のエツチングが均一に、
かつ安定して実現できる工・ソチング装置が得られる効
果がある。

また、請求項（２）に記載の発明は、請求項（１）に記
載のエツチング装置を用いることから、被エツチング体
には全面に均一してエツチングガスが供給され、所望の
エッチングが均一に、かつ安定して行える効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す上部電極の詳細断面
図、第２図は従来の工・ソチシグ装置の全体構成を示す
図、第３図は、第２図のＡ部分の詳細を示す拡大断面図
である。 図において、１は上部電極、２は下部電極、３は被工・
ソ千しグ体、４は容器、５ば真空シール管、９ａはガス
導入部、１５，１６．１７は拡散板、１８はエツチング
ガスの流れる方向を示す矢印である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）上部電極と下部電極間に高電圧を印加してプラズ
   マを発生させ、前記上部電極のガス導入系からエッチン
   グガスを導入し、このエッチングガスを前記上部電極内
   の複数の拡散板で拡散し、前記下部電極上に載置された
   被エッチング体上に供給して前記被エッチング体をエッ
   チングするエッチング装置において、前記ガス導入系か
   ら導入されるエッチングガスが前記拡散板に対し徐々に
   拡散して拡がり、前記被エッチング体の全面に供給され
   る錘状のガス導入部を前記ガス導入系に備えたことを特
   徴とするエッチング装置。
2. （２）請求項（１）に記載のエッチング装置を用い、上
   部電極と下部電極間に高電圧を印加してプラズマを発生
   させ、前記上部電極のガス導入系のガス導入部から前記
   下部電極上に載置された半導体素子の全面にエッチング
   ガスを導入し、前記半導体素子に所望のエッチングを施
   すことを特徴とする請求項（１）に記載のエッチング装
   置を用いた半導体素子の製造方法。