KR20020095750A - 자기장을 이용한 반도체 공정 반응실 고정 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정에 이용되는 반응실(Chamber)에 관한 것으로, 특히 반응실 일측의 상기 반응실 몸체와 커버 사이에 설치되어 있는 차폐판과, 상기 반응실의 다른 일측에 설치되어 상기 반응실의 몸체와 커버에 소정의 전압을 인가하고, 상기 인가된 전압에 의해서 상기 몸체와 커버 사이에 자기장을 형성시키는 전원 공급부를 포함하는 반응실에서 반도체 공정을 수행함으로써 반응실의 몸체와 커버를 견고하게 잡아주어 공정 진행 중에 가스 유출을 막을 수 있는 효과가 있다.

Description

자기장을 이용한 반도체 공정 반응실 고정 장치{APPARATUS FOR FIXING PROCESS CHAMBER BY USING MAGNETIC FIELD}

본 발명은 반응실에 관한 것으로서, 특히 반도체 공정을 수행함에 있어서 진공 상태로 되어 있는 반응실의 몸체와 커버를 고정시키는 자기장을 이용한 반도체 공정 반응실 고정 장치에 관한 것이다.

반도체 공정을 수행함에 있어서, 진공 상태로 되어 있는 반응실에서 공정을 진행하는 부분이 많이 있다.

반도체 공정의 진행을 위해서 진공 상태가 될 반응실은 이상 발생 시의 유지 보수를 위해서 그 상부는 커버 형식으로 만들어져 있고, 문제 발생 및 유지 보수가 요구될 때, 반응실 상부의 커버를 열어 반응실 내부를 점검한다.

도 1 은 반도체 제조 공정에서 일반적으로 사용되는 반응실을 나타내는 단면도이다.

반응실은 반응실 커버를 고정시키는 고리 형식의 클램프(Clamp)(1)와, 가스 유입로를 통해 유입되는 반응 가스가 흐르는 가스 흐름관(3)과, 가스 흐름관(3)을 통하여 유입되는 가스를 믹스시키는 가스 믹스부(8)와, 공정을 진행하기 위한 웨이퍼를 고정시키는 척(Chuck)과 히터(Heater)를 구비하는 히터부(7)와, 반응실 내부(5), 반응실 몸체(6) 및 클램프(1)에 의해서 고정되고, 반응실의 유지 보수와 문제 발생 시에 내부를 점검할 수 있도록 개폐 가능하도록 만들어진 반응실 커버(4)로 구성된다.

히터부(7)의 상부에 고정된 웨이퍼가 반응실 내부(5)에서 높은 내부 압력(예를 들면, 700 torr)과 고온에서 공정이 진행될 때, 고리 형식의 클램프(1)는 공정 진행 중에 클램프(1)가 잡아당기는 힘에 의해서 반응실 커버(4)를 고정시킨다.

반응실 내부(5)의 압력이 고 진공 상태에서 이루지는 공정은 외부와의 압력 차이가 커 반응실 커버(4)가 열리지 않으나 저 진공 상태에서는 외부와의 압력 차이가 거의 없어 공정 진행 중에 반응실 커버(4)가 미세하게 열리는 위험이 있다.

이와 같이 압력 차이가 거의 없는 공정에서 반응실 커버(4)가 열리는 것을 방지하기 위하여 클램프(1)가 반응실 커버(4)를 잡고 있으나 잦은 사용으로 인하여 반응실 커버(4)를 고정시키는 클램프(1)의 인장 강도가 낮아지거나, 반응실 커버(4)가 제대로 고정되지 않을 경우에, 반응실 내부(5)에 유입되는 가스가 밖으로 유출될 가능성이 커 안전 및 환경 오염의 문제점이 있다.

본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반응실 커버와 몸체 사이에 소정의 전압을 인가하여 자기장의 힘으로 반응실의 커버와 몸체를 고정시키는 자기장을 이용한 반도체 공정 반응실 고정 장치를 제공하고자 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반응실 일측의 상기 반응실 몸체와 커버 사이에 설치되어 있는 차폐판과, 상기 반응실의 다른 일측에 설치되어 상기 반응실의 몸체와 커버에 소정의 전압을 인가하고, 상기 인가된 전압에 의해서 상기 몸체와 커버 사이에 자기장을 형성시키는 전원 공급부를 포함한다.

도 1은 반도체 제조 공정에 일반적으로 이용되는 반응실을 나타내는 단면도이다.

도 2는 본 발명에 따른 반응실을 나타내는 단면도이다.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞

1 : 클램프 3, 20 : 가스 흐름관

4, 70 : 반응실 커버 5, 50 : 반응실 내부

6, 60 : 반응실 몸체 7, 40 : 히터부

8, 30 : 가스 믹스부 80 : 전원 공급부

90 : 차폐판

본 발명의 실시 예는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 기술 분야의 숙련자라면 이 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 잘 이해할 수 있을 것이다.

도 2는 본 발명에 따른 반응실을 나타내는 단면도이다.

이에 도시된 바와 같이, 반응실은 가스 유입로를 통해서 유입되는 반응 가스가 흐르는 가스 흐름관(20)과, 가스 흐름관(20)을 통하여 유입되는 가스를 믹스시키는 가스 믹스부(30)와, 공정을 진행하기 위한 웨이퍼를 고정시키는 척(Chuck)과 히터(Heater)를 구비하는 히터부(40)와, 반응실 내부(50), 반응실 몸체(60), 반응실 커버(70), 반응실 커버(70)와 몸체(60)에 전원을 공급하여 반도체 커버(70)와 몸체(60) 사이에 자기장을 형성시키는 전원 공급부(80) 및 반응실 커버(70)와 몸체(60) 사이에 테프론 재질로 된 차폐판(90)으로 구성된다.

전원 공급부(80)는 반응실에 직류 전원을 공급하는 장치로써 100V 이상의 직류 전원(81)과, 반응실 몸체(60)와 커버(70)에 공급되는 전원을 온 또는 오프 시키는 스위치(82)로 구성된다.

또한, 전원 공급부(80)는 반응실의 일측에 설치되어 반응실 몸체(60)에 + 전압을 인가하고, 반응실 커버(70)에 - 전압을 인가하여 반응실 몸체(60)와 커버(70) 사이에 자기장을 형성시킨다.

반응실 몸체(60)와 커버(70) 사이에 발생하는 자기장의 힘은 반도체 공정 진행 중에 반응실 커버(70)와 반응실 몸체(60)를 고정시킨다.

전원 공급부(80)의 스위치(82)는 반응실의 유지 보수 및 반응실의 정비를 위하여 반응실 커버(70)의 개폐 시에 전원 공급을 차단시키기 위한 것이다.

차폐판(90)은 반응실 몸체(60)와 반응실 커버(70)의 사이에 설치되어 반응실 몸체(60)에 인가되는 + 전원과, 반응실 커버(70)에 인가되는 - 전원의 교차를 방지한다.

이상 설명한 바와 같이, 반응실의 몸체와 커버 사이에 설치되어 전원 공급부로부터 공급되는 전압의 교차를 방지하는 차폐판과, 반응실의 일측에 설치되어 반응실의 몸체와 커버에 소정의 전압을 인가하고, 인가된 전압에 의해서 반응실 몸체와 커버 사이에 자기장을 형성시키는 전압 공급부를 포함하는 반응실에서 반도체 공정을 수행함으로써 반응실의 몸체와 커버를 견고하게 잡아주어 공정 진행 중에 가스 유출을 막을 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 반응실 일측의 상기 반응실 몸체와 커버 사이에 설치되어 있는 차폐판과,

   상기 반응실의 다른 일측에 설치되어 상기 반응실의 몸체와 커버에 소정의 전압을 인가하고, 상기 인가된 전압에 의해서 상기 몸체와 커버 사이에 자기장을 형성시키는 전원 공급부로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기장을 이용한 반도체 공정 반응실 고정 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 전원 공급부는,

   상기 반응실의 몸체와 커버에 공급되는 전원을 온 또는 오프 시키는 스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기장을 이용한 반도체 공정 반응실 고정 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 차폐판은,

   테프론 재질로 된 것을 특징으로 하는 자기장을 이용한 반도체 공정 반응실 고정 장치.