KR100778326B1 - An apparatus for processing a substrate, a method for processing a substrate and a method for forming a pattern - Google Patents

An apparatus for processing a substrate, a method for processing a substrate and a method for forming a pattern Download PDF

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Abstract

기존보다 감축된 공간에서, 처리 능력이 높고 게다가 균일성이 높은 처리가 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시킨 상태에서 기판을 소정 범위의 경사 각도로 유지하는 기판 유지 수단과, 경사시킨 상태의 기판의 적어도 한 변 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급하여 기판 주표면의 전역에 처리액을 채우는 처리액 공급 수단과, 상기 기판과 상기 처리액 공급 수단을 상대적으로 이동시키는 이동 수단을 구비한다. 상기 기판 유지 수단에 의한 수평 방향에 대한 기판의 경사 각도(α)는 25~80도의 범위이다. 상기 처리액 공급 수단은 기판의 한 변 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능한 노즐로 이루어지고, 상기 이동 수단은 노즐을 상기 한 변 방향과 직교하는 기판 주표면 상을 이동시키는 수단이다. The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing with high processing capacity and high uniformity in a reduced space than before. Substrate holding means for holding the substrate at an inclined angle in a predetermined range in a state in which the substrate main surface is inclined upwardly and obliquely upward, and supplying a processing liquid approximately equally to at least one side direction of the inclined substrate. Processing liquid supply means for filling the processing liquid over the entire surface of the surface; and moving means for relatively moving the substrate and the processing liquid supply means. The inclination angle α of the substrate with respect to the horizontal direction by the substrate holding means is in the range of 25 to 80 degrees. The processing liquid supplying means comprises a nozzle capable of supplying the processing liquid approximately equally to one side direction of the substrate, and the moving means is a means for moving the nozzle on the substrate main surface orthogonal to the one side direction.

현상, 에칭, 기판의 경사, 노즐 Development, etching, substrate inclination, nozzle

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 패턴 형성 방법{An apparatus for processing a substrate, a method for processing a substrate and a method for forming a pattern}An apparatus for processing a substrate, a method for processing a substrate and a method for forming a pattern}

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 나타내는 개략적인 측단면도. 1 is a schematic side cross-sectional view showing one embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서의 처리부의 정면도. 2 is a front view of a processing unit in the substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 3은 노즐의 주사 방법을 설명하기 위한 개략적인 사시도. 3 is a schematic perspective view for explaining a scanning method of a nozzle;

도 4는 노즐을 복수개 가지는 실시예를 나타내는 개략적인 사시도. 4 is a schematic perspective view showing an embodiment having a plurality of nozzles.

도 5는 노즐의 주사 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 사시도. 5 is a schematic perspective view for explaining another example of a scanning method of a nozzle;

도 6은 노즐의 다른 실시예를 나타내는 개략적인 사시도. 6 is a schematic perspective view showing another embodiment of the nozzle;

도 7은 종래의 기판 처리 장치의 일례(비교예)를 나타내는 개략적인 사시도. 7 is a schematic perspective view showing an example (comparative example) of a conventional substrate processing apparatus.

(도면의 주요 부분에 대한 참조 부호의 설명)(Explanation of reference numerals for the main parts of the drawings)

10 기판 처리 장치10 substrate processing unit

11 처리부11 processing unit

12 반송용 굴림대12 rollers for conveyance

15 구동부15 drive

20 기판20 substrates

30 샤워 노즐30 shower nozzle

31, 60 노즐홀31, 60 nozzle hole

40 슬릿 노즐40 slit nozzle

50 반송용 굴림대50 transport rolls

본 발명은 기판의 현상, 에칭 등의 처리를 행하기 위한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 상기 방법을 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이고, 상세하게는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display:이하, LCD라고 함), 플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 함) 등, 이들 제조 공정에서 사용하는 대형 포토마스크 등의 대형 기판을 처리하는 데에 적합한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 상기 방법을 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a pattern forming method using the method for performing development, etching, and the like of a substrate, and in detail, a liquid crystal display (hereinafter referred to as LCD). ), A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a pattern forming method using the method, which are suitable for processing large substrates such as large photomasks used in these manufacturing processes, such as plasma display panels (hereinafter referred to as PDPs). will be.

일반적으로 LCD나 PDP의 제조 공정에서는 포토 리소그래피(Photo Lithography)법을 이용하여 미세 패턴의 형성이 행해지고 있다. 또한 이 미세 패턴의 형성에는 통상 몇 장이나 되는 포토마스크라고 불리는 기판이 사용된다. 이 포토마스크는 일반적으로 투광성의 유리 기판상에, 금속 박막 등으로 이루어지는 차광성의 미세 패턴을 설치한 것으로서, 이 포토마스크의 제조에 있어서도 포토 리소그래피법이 이용되고 있다. Generally, in the manufacturing process of LCD and PDP, the formation of a fine pattern is performed using the photo lithography method. In addition, the board | substrate called several photomasks is used for formation of this fine pattern normally. This photomask is generally provided with a light-shielding fine pattern made of a metal thin film or the like on a light-transmissive glass substrate, and the photolithography method is also used in the production of this photomask.

포토 리소그래피법에 의한 패턴 형성은, 기판 상에 형성된 레지스트막에 대 하여 소망의 패턴 노광을 실시하는 노광 공정과, 소망의 패턴 노광에 따라 상기 레지스트막을 현상하고 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 레지스트 패턴에 따라 상기 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존한 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 가지고 행해진다. 상기 현상 공정에서는 기판상에 형성된 레지스트막에 대하여 소망의 패턴 노광을 실시한 후의 기판 표면에 현상액을 공급하고, 현상액에 가용(可溶)한 레지스트막의 부위를 용해하여 레지스트 패턴을 형성한다. 또한 상기 에칭 공정에서는 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 에칭한다. 상기 기판은 투광성의 유리 기판 상에 예를 들면 크롬 등의 차광성 금속 박막이 형성되어 있고, 기판 표면에 에칭액을 공급하여 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 금속 박막이 노출한 부위를 용해하고, 이에 따라 소망의 패턴을 유리 기판 상에 형성한다. Pattern formation by the photolithography method includes an exposure step of performing a desired pattern exposure on a resist film formed on a substrate, a developing step of developing the resist film and forming a resist pattern in accordance with a desired pattern exposure, and a resist It carries out with the etching process of etching the said board | substrate according to a pattern, and the process of peeling and removing the remaining resist pattern. In the above development step, a developer is supplied to the surface of the substrate after the desired pattern exposure is performed on the resist film formed on the substrate, and a portion of the resist film soluble in the developer is dissolved to form a resist pattern. In the etching step, the substrate is etched using this resist pattern as a mask. The substrate is formed with a light-shielding metal thin film such as chromium on a light-transmissive glass substrate, and supplies an etching solution to the surface of the substrate to dissolve the exposed portions of the metal thin film without a resist pattern. The desired pattern is formed on a glass substrate.

그런데, 상술한 현상 공정이나 에칭 공정의 처리를 행하는 방법으로서, 종래에는 수평으로 배치한 다수의 반송용 굴림대에 의해 기판을 수평 자세로 반송하면서 기판 표면상에 대향 배치된 다수의 노즐로부터 처리액(현상액, 에칭액)을 기판 표면에 뿌리도록 한 것이 일반적이다. By the way, as a method of performing the above-described developing step or etching step, conventionally, a processing liquid is provided from a plurality of nozzles disposed on a surface of a substrate while the substrate is transported in a horizontal posture by a plurality of transport rollers arranged horizontally. It is common to spray (developing liquid, etching liquid) on the surface of a board | substrate.

또한 특개평 11-74248호 공보에는 수평면에 대하여 기판의 경사 각도가 5°~20°의 범위내가 되도록 기판을 유지하고, 이러한 경사 자세로 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급함으로써 기판에 대한 처리액의 치환성을 향상시킨 기판 처리 장치가 기재되어 있다. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-74248 discloses a processing liquid for a substrate by holding the substrate so that the inclination angle of the substrate is in a range of 5 ° to 20 ° with respect to the horizontal plane, and supplying the processing liquid to the substrate held in such an inclined position. The substrate processing apparatus which improved the substitution property of is described.

그러나 최근에는 LCD, PDP 등의 기판의 대형화 및 그것들을 제조하기 위한 포토마스크도 대형화되는 경향이 있다. 따라서 종래의 기판을 수평 자세로 반송하면서 기판 표면에 처리액을 공급하는 방법에서는, 기판의 대형화에 수반하여 처리 장치도 대형화 되어 버린다는 문제점이 있다. 게다가 기판이 수평 자세이기 때문에 기판이 대형화되면 기판 표면에서 처리액이 체류하기 쉽고, 그 결과 기판면 내에서의 처리의 편차가 발생하기 쉬워 진다. 이러한 처리의 편차의 발생을 가능한 한 방지하기 위해서는 기판을 수평 자세인 채로 반송용 굴림대 상에서 좌우로 움직이면서(반송하면서), 모든 노즐로부터 동시에 처리액을 내보낼 필요가 있다. 이 때문에 헛되이 흘리는 처리액이 꽤 많은 양이 되어 비용을 많이 들게 된다. 또한 처리중에 기판을 수평 자세에서 좌우로 요동하기 위하여 기판 사이즈보다도 큰 영역이 필요해 져서, 기판이 대형화 하면 처리 장치의 대형화도 피할 수 없다. However, in recent years, the size of substrates such as LCDs and PDPs and the size of photomasks for manufacturing them tend to be increased. Therefore, in the method of supplying the processing liquid to the surface of the substrate while conveying the substrate in a horizontal posture, there is a problem that the processing apparatus is also enlarged with the enlargement of the substrate. In addition, since the substrate is in a horizontal posture, when the substrate is enlarged, the processing liquid tends to stay on the substrate surface, and as a result, processing variations in the substrate surface tend to occur. In order to prevent the occurrence of such a deviation of the processing as much as possible, it is necessary to simultaneously send out the processing liquid from all the nozzles while moving the substrate from side to side on the conveying roller with the horizontal position. For this reason, the amount of the treatment liquid flowing in vain becomes quite large and costs a lot. In addition, an area larger than the substrate size is required in order to swing the substrate from side to side in the horizontal posture during processing, and if the substrate is enlarged, the enlargement of the processing apparatus is unavoidable.

또한 상기 특개평 11-74248호 공보에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 수평면에 대하여 기판의 경사 각도가 5°~20°의 범위 내가 되도록 기판을 유지하면서 기판에 대하여 처리액을 공급하기 때문에, 기판을 수평 자세로 하는 경우와 비교하면 기판 사이즈 보다도 작은 영역에서 기판 처리를 행할 수 있으므로, 처리 장치의 대형화의 문제를 해결하는 면에서 바람직하다고 할 수 있는데, 최근에는 LCD, PDP의 대형화에 수반하여 기판의 한 변이 예를 들면 300mm 이상인 대형 기판이 다용되고 있고, 이러한 사이즈의 대형 기판의 경우에는 상술한 특개평 11-74248호에 기재된 기판 처리 장치에 의해서도 처리 장치의 대형화의 문제를 충분히 해결할 수는 없었다. Moreover, according to the substrate processing apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 11-74248, since a process liquid is supplied to a board | substrate, holding a board | substrate so that the inclination-angle of a board | substrate may be in the range of 5 degrees-20 degrees with respect to a horizontal plane, Compared to the case of the horizontal posture, since the substrate processing can be performed in an area smaller than the substrate size, it is preferable to solve the problem of the enlargement of the processing apparatus. A large substrate having one side, for example, 300 mm or more is widely used, and in the case of such a large substrate, the substrate processing apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-74248 cannot sufficiently solve the problem of enlargement of the processing apparatus.

또한 기판을 경사 자세로 유지함으로써 기판 표면에 공급된 처리액은 기판의 경사 방향 상류측으로부터 하류측을 향하여 흘러 떨어지는데, 기판의 경사 각도가 상술한 5°~20°와 같이 작으면, 처리액이 흘러 떨어지는 속도가 비교적 느리기 때문에 경사 방향 하류측의 기판 표면에 처리액이 체류하기 쉬워서, 이 때문에 기판의 경사 방향 상류측과 하류측에서는 처리 편차가 발생하기 쉽다는 문제가 있다. In addition, the treatment liquid supplied to the substrate surface by holding the substrate in an inclined attitude flows from the upstream side to the downstream side of the substrate in an inclined direction. When the inclination angle of the substrate is as small as 5 ° to 20 ° described above, the treatment liquid is Since the flow rate is relatively slow, the processing liquid tends to stay on the substrate surface on the downstream side of the inclination direction, and therefore, there is a problem that the processing variation tends to occur on the upstream and downstream sides of the substrate.

또한 기판의 대형화에 수반되는 기판 처리 장치의 대형화의 문제를 해결하기 위해서는 처리중인 기판을 경사 자세로 유지하고, 그 경사 각도를 크게 하는 것이 유리한데, 기판의 경사 각도를 크게 하면 기판의 경사 방향 상류측으로부터 하류측으로 흘러 떨어지는 처리액의 속도가 빨라지기 때문에 처리액이 기판 표면에 거의 체류하지 않은 채로 흘러 떨어져 버린다. 예를 들면 세정 공정에서 사용하는 세정수의 경우는, 기판의 경사 각도를 크게 해도 세정 효과상 특별한 문제는 발생하지 않으나, 현상액이나 에칭액 등의 처리액의 경우에는 세정수 등과는 달리 기판 표면에서 어느 정도의 시간을 체류한 상태(처리액이 위에 놓인 상태)가 아니면 레지스트막의 용해 반응이나 금속 박막(차광성막)의 용해 반응이 진행하기 어렵다. 따라서 처리중인 기판의 경사 각도를 크게 함으로써 처리액이 기판 표면에 거의 체류하지 않은 채로 흘러 떨어져 버리면, 현상 처리나 에칭 처리에 상당히 긴 시간을 요하거나, 그 때문에 기판면 내에서의 처리 편차가 발생하기 쉽다는 문제점이 있다. 또한 상기 특개평 11-74248호 공보에는 기판의 경사 각도가 20°를 넘는 경우, 에칭액의 유하(流下)속도가 너무 빨라져서 에칭액을 충분히 기판에 작용시키는 것이 어렵다는 것이 기재되어 있다. In addition, in order to solve the problem of the enlargement of the substrate processing apparatus associated with the enlargement of the substrate, it is advantageous to keep the substrate being processed in an inclined posture and to increase the inclination angle. Since the speed of the processing liquid flowing from the side to the downstream side is increased, the processing liquid flows off and hardly stays on the substrate surface. For example, in the case of the washing water used in the washing step, even if the inclination angle of the substrate is increased, no particular problem arises in the cleaning effect. It is difficult to dissolve the resist film or to dissolve the metal thin film (light-shielding film) unless the time has stayed in the state (the treatment liquid is placed thereon). Therefore, if the treatment liquid flows away with little retention on the substrate surface by increasing the inclination angle of the substrate being processed, it takes a very long time for the development treatment or the etching treatment, and therefore, processing variation in the substrate surface occurs. There is a problem that it is easy. Further, Japanese Patent Laid-Open No. Hei 11-74248 discloses that when the inclination angle of the substrate exceeds 20 °, the dropping speed of the etching solution is too fast, making it difficult to fully apply the etching solution to the substrate.

이처럼 기판을 경사 자세로 유지하면서 처리액을 공급하여 소정의 처리를 실 시하는 경우, 기판의 경사 각도를 크게 하는 것이 처리 장치의 공간 감축화를 달성하는 면에서는 유리하나, 처리 시간이나 처리 편차의 문제가 발생한다. 한편, 기판의 경사 각도가 작으면 특히 대형 기판에 대하여 처리 장치의 공간 감축화를 도모하는 것이 곤란하고, 또한 기판의 경사 방향 하류측에서의 액체 고임의 문제가 발생한다. As described above, in the case where a predetermined treatment is performed by supplying the treatment liquid while maintaining the substrate in an inclined position, increasing the inclination angle of the substrate is advantageous in achieving space reduction of the processing apparatus. A problem arises. On the other hand, when the inclination angle of the substrate is small, in particular, it is difficult to reduce the space of the processing apparatus for a large substrate, and a problem of liquid pooling on the downstream side of the substrate occurs.

즉 종래의 기술로는, 특히 대형 기판을 처리하는 경우의 공간 감축화를 가능하게 하고, 또한 기판면 내의 처리 편차를 저감할 수 있어 처리 능력을 높인 기판 처리 장치의 실현은 곤란하였다. That is, with the conventional technology, it is difficult to realize the substrate processing apparatus which can reduce the space, especially in the case of processing a large substrate, and can reduce the processing variation in the substrate surface, thereby increasing the processing capacity.

따라서, 본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위해 행해진 것으로서, 하나의 목적은, 기존보다 감축된 공간에서 처리 능력이 높고 게다가 균일성이 높은 처리가 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이고, 또 다른 목적은, 이러한 기판 처리 방법을 적용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been made to solve the conventional problems, and one object is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing having higher processing capacity and higher uniformity in a space reduced than before, Another object is to provide a pattern formation method to which such a substrate processing method is applied.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 이하의 구성을 가진다. In order to solve the said subject, this invention has the following structures.

(구성1) 기판의 주표면에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시킨 상태로 기판을 소정 범위의 경사 각도로 유지하는 기판 유지 수단과, 상기 기판 유지 수단에 의해 경사시킨 상태의 기판의 적어도 한 변 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급하여 기판 주표면의 전역에 처리액을 채우는 처리액 공급 수단과, 상기 기판과 상기 처리액 공급 수단을 상대적으로 이동시키는 이동 수단을 구비한다. (Configuration 1) A substrate processing apparatus in which a processing liquid is supplied to a main surface of a substrate to perform a predetermined process, the substrate holding the substrate at a predetermined range of inclination angles in a state in which the substrate main surface is inclined to face obliquely upward. Holding means and processing liquid supply means for supplying the processing liquid substantially equally to at least one side direction of the substrate in a state inclined by the substrate holding means to fill the processing liquid over the entire main surface of the substrate; A moving means for relatively moving the processing liquid supply means is provided.

(구성2) 상기 기판은 적어도 한 변의 길이가 300mm 이상이다.        (Configuration 2) The substrate has a length of at least one side of 300 mm or more.

(구성3) 상기 기판 유지 수단에 의한 수평 방향에 대한 기판의 경사 각도가 25~80도의 범위이다.        (Configuration 3) The inclination angle of the substrate with respect to the horizontal direction by the substrate holding means is in the range of 25 to 80 degrees.

(구성4) 상기 처리액 공급 수단은 기판의 한 변 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능한 하나 또는 복수의 노즐로 이루어지고, 상기 이동 수단은 상기 노즐을 상기 한 변 방향과 직교하는 기판 주표면 상을 이동시키는 수단이다.        (Configuration 4) The processing liquid supplying means is composed of one or a plurality of nozzles capable of supplying the processing liquid approximately equally to one side direction of the substrate, and the moving means is a substrate main body orthogonal to the one side direction. Means for moving on the surface.

(구성5) 상기 처리액 공급 수단은 현상액을 공급하는 수단과, 에칭액을 공급하는 수단의 쌍방을 가진다.        (Configuration 5) The treatment liquid supplying means has both a means for supplying a developing solution and a means for supplying an etching solution.

(구성6) 기판의 주표면에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시킨 상태로 기판을 소정 범위의 경사 각도로 유지하고, 이 경사시킨 상태의 기판의 한 변 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능한 하나 또는 복수의 노즐을 이용하여 처리액을 공급하면서, 상기 한 변 방향과 직교하는 기판 주표면 상의 방향으로 상기 노즐을 주사하여 기판 주표면의 전역에 처리액을 공급한다.        (Configuration 6) A substrate processing method in which a processing liquid is supplied to a main surface of a substrate to perform a predetermined process, wherein the substrate is held at a predetermined range of inclination angles in a state in which the main surface of the substrate is inclined to face obliquely upward. The nozzle is moved in the direction on the substrate main surface orthogonal to the one side direction while supplying the processing liquid using one or a plurality of nozzles capable of supplying the processing liquid approximately equally to one side direction of the substrate in the inclined state. The scanning liquid is supplied to the entire surface of the main surface of the substrate by scanning.

(구성7) 상기 기판은 적어도 한 변의 길이가 300mm 이상의 기판이다.        (Configuration 7) The substrate is a substrate having a length of at least one side of 300 mm or more.

(구성8) 수평 방향에 대한 기판의 경사 각도가 25~80도의 범위가 되도록 기판을 유지한 상태에서, 처리액을 공급한다.        (Configuration 8) The processing liquid is supplied while the substrate is held so that the inclination angle of the substrate with respect to the horizontal direction is in the range of 25 to 80 degrees.

(구성9) 기판상에 형성된 레지스트막에 대하여, 소망의 패턴 노광을 실시하는 노광 공정과, 상기 소망의 패턴 노광에 따라 상기 레지스트막을 현상하여 레지 스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 상기 레지스트 패턴에 따라 상기 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존한 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 가지고, 상기 현상 공정 및 에칭 공정의 일방 또는 양방의 공정에 있어서, 청구항 6에 기재된 기판 처리 방법을 이용한다.        (Configuration 9) An exposure step of applying a desired pattern exposure to a resist film formed on a substrate, a developing step of developing a resist pattern by developing the resist film in accordance with the desired pattern exposure, and the resist pattern. Therefore, the substrate processing method of Claim 6 is used in the process of one or both of the said image development process and an etching process, with the etching process of etching the said board | substrate, and the process of peeling and removing the remaining resist pattern.

구성 1에서의 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시킨 상태에서 기판을 소정 범위의 경사 각도로 유지하는 기판 유지 수단과, 상기 기판 유지 수단에 의해 경사시킨 상태의 기판의 적어도 한 변 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급하여 기판 주표면의 전역에 처리액을 채우는 처리액 공급 수단과, 상기 기판과 상기 처리액 공급 수단을 상대적으로 이동시키는 수단을 구비하고 있다. The substrate processing apparatus of this invention in the structure 1 is a board | substrate holding means which hold | maintains a board | substrate at the inclination angle of a predetermined range in the state inclined so that a board | substrate main surface might face obliquely upward, And a processing liquid supplying means for supplying the processing liquid almost equally to at least one side direction of the substrate to fill the processing liquid over the entire surface of the substrate, and a means for relatively moving the substrate and the processing liquid supplying means. .

본 발명의 기판 처리 장치는 예를 들면 LCD, PDP 등의 기판, 이들 기판의 제조 공정에서 사용하는 포토마스크 등의 기판의 처리에 사용된다. 또한 이 처리는 예를 들면 포토 리소그래피법에 의한 패턴 형성에서 행하는 현상 처리나 에칭 처리 등을 말한다. The substrate processing apparatus of this invention is used for the process of substrates, such as a board | substrate, such as LCD and PDP, and a photomask used at the manufacturing process of these board | substrates, for example. In addition, this process means the image development process, the etching process, etc. which are performed by the pattern formation by the photolithographic method, for example.

구성 1의 기판 처리 장치에 의하면, 대형 기판에 대해서도 경사 각도를 크게 함으로써 공간 감축화를 도모할 수 있으면서 처리액의 기판 표면에서의 체류를 방지하여 면내의 처리의 편차(처리 얼룩)를 저감할 수 있다. 또한 기판의 경사 각도를 크게 함으로써, 처리액이 흘러 떨어지는 속도가 빨라져도 기판 주표면의 전역에 처리액을 채울수 있음으로써 처리 능력이 높고 균일성이 높은 처리를 행할 수 있다. According to the substrate processing apparatus of the configuration 1, it is possible to reduce the space by increasing the inclination angle even for a large substrate, while preventing the treatment liquid from remaining on the substrate surface, thereby reducing the variation (treatment unevenness) in the surface treatment. have. In addition, by increasing the inclination angle of the substrate, the processing liquid can be filled over the entire surface of the substrate main surface even if the processing liquid flows down quickly, so that processing with high processing capability and high uniformity can be performed.

여기서 기판 주표면의 전역에 처리액이 채워진 상태라는 것은, 기판 주표면 전역에 처리액이 동시에 위에 놓인 상태로서, 처리액을 공급하고 있는 사이에 기판 주표면의 처리액이 부분적으로 건조를 일으키지 않는 상태를 가리킨다. Here, the state in which the processing liquid is filled in the entire surface of the substrate main surface means that the processing liquid is placed on the entire surface of the substrate main surface at the same time so that the processing liquid on the substrate main surface does not partially dry while the processing liquid is being supplied. Indicates status.

또한 구성 2에서의 본 발명의 기판 처리 장치는, 적어도 한 변의 길이가 300mm 이상인 대형 기판의 처리를 행하는 경우에 특히 적합하다. 즉 대형 기판에 대해서도, 기존보다 감축된 공간에서 처리 능력이 높고 균일성이 높은 처리가 가능하다. Moreover, the substrate processing apparatus of this invention in the structure 2 is especially suitable when processing the large board | substrate whose length of at least one side is 300 mm or more. That is, a large substrate can be processed with higher processing capacity and higher uniformity in a reduced space than before.

또한 구성 3에서의 본 발명의 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 수단에 의한 수평 방향에 대한 기판의 경사 각도가 25~80도의 범위인 것이 바람직하고, 45~80도의 범위인 것이 특히 적합하다. 즉 대형 기판에 대해서도 경사 각도를 크게 함으로써 공간 감축화를 도모할 수 있고, 게다가 기판의 경사 각도를 이와 같이 크게 해도 처리 능력이 높고, 또한 균일성이 높은 처리를 행할 수 있다. Moreover, it is preferable that the inclination-angle of the board | substrate with respect to the horizontal direction by the said board | substrate holding means is the range of 25-80 degree | times, and, as for the substrate processing apparatus of this invention in the structure 3, it is especially suitable that it is the range which is 45-80 degree | times. In other words, the space can be reduced by increasing the angle of inclination even on a large substrate. Furthermore, even if the angle of inclination of the substrate is increased in this way, the processing ability is high and the uniformity can be performed.

또한 구성 4에서의 본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 공급 수단은 기판의 한 변 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능한 하나 또는 복수의 노즐로 이루어지고, 상기 이동 수단은 상기 노즐을 상기 한 변 방향과 직교하는 기판 주표면 상을 이동시키는 수단으로 이루어진다. 이에 따라 경사 자세의 대형 기판에 대하여 경사 각도를 크게 해도, 노즐을 고속으로 주사함으로써 기판 주표면의 전역에 대략 균등하게 처리액을 공급하여 기판 주표면의 전역을 처리액으로 채울 수 있어서 균일성이 높은 처리가 가능해진다. Furthermore, in the substrate processing apparatus of this invention in the structure 4, the said process liquid supply means consists of one or several nozzle which can supply a process liquid substantially equally to one side direction of a board | substrate, and the said movement means is the said nozzle Means for moving the substrate main surface perpendicular to the one side direction. As a result, even if the inclination angle is increased with respect to the large substrate having an inclined posture, the nozzle can be scanned at a high speed so that the treatment liquid can be supplied almost evenly to the entire surface of the substrate, and the entire substrate major surface can be filled with the treatment liquid. High processing is possible.

또한 구성 5에서의 본 발명의 기판 처리 장치는, 상기 처리액 공급 수단으로 서 현상액을 공급하는 수단과 에칭액을 공급하는 수단의 쌍방을 가지는 구성으로 할 수 있다. 이에 따라 1대의 기판 처리 장치로 현상 처리와 에칭 처리의 쌍방을 행할 수 있어서, 현상 처리와 에칭 처리를 별개의 처리 장치로 행하는 경우와 비교하면, 장치간의 기판의 반송이 불필요한 것, 공간 감축화가 가능한 것 등을 이점으로 들 수 있고, 이러한 점은 특히 대형 기판의 처리에 있어서는 큰 이점이다. Moreover, the substrate processing apparatus of this invention in the structure 5 can be set as the structure which has both a means which supplies a developing solution as said process liquid supply means, and a means which supplies an etching liquid. As a result, both the development process and the etching process can be performed by one substrate processing apparatus, so that the transfer of the substrates between the devices is unnecessary and the space can be reduced as compared with the case where the development process and the etching process are performed by separate processing apparatuses. These are mentioned as an advantage, and this point is a big advantage especially in the process of a large substrate.

또한 구성 6에서의 본 발명의 기판 처리 방법은, 기판 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시킨 상태에서 기판을 소정 범위의 경사 각도로 유지하고, 이 경사시킨 상태의 기판의 한 변 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능한 하나 또는 복수의 노즐을 이용하여 처리액을 공급하면서, 상기 한 변 방향과 직교하는 기판 주표면상의 방향으로 상기 노즐을 주사하여 기판 주표면의 전역에 처리액을 공급하도록 하고 있다. 이 때문에 대형 기판에 대해서도 경사 각도롤 크게 함으로써 공간 감축화를 도모할 수 있으면서, 처리액의 기판 표면에서의 체류를 방지하여 면내의 처리의 편차(처리 얼룩)를 저감할 수 있다. 또한 기판의 경사 각도를 크게 함으로써 처리액이 흘러 떨어지는 속도가 빨라져도 기판 주표면의 전역에 처리액을 공급할 수 있음으로써 처리 능력이 높고 균일성이 높은 처리를 행할 수 있다. Moreover, the substrate processing method of this invention in the structure 6 maintains a board | substrate at the inclination-angle of a predetermined range in the state which inclined so that a board | substrate main surface might face obliquely upward, and is substantially to one side direction of the board | substrate of this inclined state. While supplying the processing liquid using one or a plurality of nozzles capable of supplying the processing liquid evenly, scanning the nozzle in a direction on the substrate main surface orthogonal to the one side direction to supply the processing liquid throughout the entire substrate main surface. Doing. For this reason, it is possible to reduce the space by increasing the inclination angle of the large substrate, and to prevent the retention of the processing liquid on the substrate surface and to reduce the variation (treatment unevenness) of the in-plane treatment. In addition, by increasing the inclination angle of the substrate, the processing liquid can be supplied to the entire surface of the main surface of the substrate even if the processing liquid flows down quickly, so that processing with high processing ability and high uniformity can be performed.

또한 구성 7에서의 본 발명의 기판 처리 방법은, 적어도 한 변의 길이가 300mm 이상인 대형 기판의 처리를 행하는 경우에 특히 적합하다. 즉 대형 기판에 대해서도, 기존보다 감축된 공간에서 처리 능력이 높고 균일성이 높은 처리가 가능하다. Moreover, the board | substrate processing method of this invention in the structure 7 is especially suitable when processing the large sized board | substrate whose length of at least one side is 300 mm or more. That is, a large substrate can be processed with higher processing capacity and higher uniformity in a reduced space than before.

또한 구성 8에서의 본 발명의 기판 처리 방법은, 수평 방향에 대한 기판의 경사 각도가 25~80도의 범위가 되도록 기판을 유지한 상태에서 처리액을 공급하는 것이 바람직하고, 45~80도의 범위가 특히 적합하다. 즉 대형 기판에 대해서도 경사 각도를 크게 함으로써 공간 감축화를 도모할 수 있고, 게다가 기판의 경사 각도를 이와 같이 크게 해도 처리 능력이 높고, 또한 균일성이 높은 처리를 행할 수 있다. Moreover, in the board | substrate processing method of this invention in the structure 8, it is preferable to supply a process liquid in the state which hold | maintained the board | substrate so that the inclination-angle of the board | substrate with respect to the horizontal direction might be in the range of 25-80 degree, and the range of 45-80 degree is Especially suitable. In other words, the space can be reduced by increasing the angle of inclination even on a large substrate. Furthermore, even if the angle of inclination of the substrate is increased in this way, the processing ability is high and the uniformity can be performed.

또한 구성 9에서의 본 발명의 패턴 형성 방법은, 상기 현상 공정 및 에칭 공정의 일방 또는 양방의 공정에 있어서, 구성 6 내지 8 중 어느 하나에 기재된 기판 처리 방법을 이용함으로써 대형 기판의 경우에도 현상 공정이나 에칭 공정에 있어서 균일성이 높은 처리를 행할 수 있으므로, 그 결과 면내 편차가 양호한(면내 편차가 작은) 패턴을 형성할 수 있다.In addition, the pattern formation method of this invention in the structure 9 is a development process also in the case of a large size board | substrate by using the substrate processing method in any one of the structures 6-8 in the process of the said development process and the etching process, or both. In addition, since a highly uniform process can be performed in an etching process, a pattern with a good in-plane deviation (small in-plane deviation) can be formed as a result.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상술한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예를 나타내는 개략적인 측단면도이다. 도 2는 상기 기판 처리 장치의 처리부의 정면도이다. 도 3은 상기 기판 처리 장치 내의 노즐의 주사 방법을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다. 1 is a schematic side cross-sectional view showing one embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention. 2 is a front view of a processing unit of the substrate processing apparatus. 3 is a schematic perspective view for explaining a scanning method of a nozzle in the substrate processing apparatus.

도 1에 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는, 그 상방에 처리부(11)를, 하방에 구동부(15)를 각각 구비한 구성이 되어 있다. 구동부(15)는 처리부(11)에서의 기판 처리를 실행하기 위한 각종 구동 제어 기구, 및 처리부(11)를 소정의 경사 자세로 유지하기 위한 구동 제어 기구를 가지고 있고, 또한 기판 처리 조건 등을 설정하기 위한 조작반(미도시)을 구비하고 있다. The substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention illustrated in FIG. 1 has a structure in which a processing unit 11 is provided above and a driving unit 15 is provided below. The drive unit 15 has various drive control mechanisms for executing substrate processing in the processing unit 11 and drive control mechanisms for holding the processing unit 11 in a predetermined inclined posture, and also sets substrate processing conditions and the like. An operation panel (not shown) for carrying out the operation is provided.

처리부(11)는 처리된 기판(20)의 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시 킨 상태에서 기판(20)을 소정 범위의 경사 각도로 유지하는 기판 유지 수단과, 상기 기판 유지 수단에 의해 경사시킨 상태의 기판(20)의 주표면의 전역에 처리액을 채우는 처리액 공급 수단과, 상기 처리액 공급 수단을 이동시키는 이동 수단을 구비하고 있다. The processor 11 is inclined by the substrate holding means and the substrate holding means for holding the substrate 20 at an inclined angle in a predetermined range in an inclined state so that the main surface of the processed substrate 20 faces the oblique upward direction. Processing liquid supply means which fills a process liquid in the whole main surface of the board | substrate 20 of the made state, and the movement means which moves the said process liquid supply means are provided.

상기 처리부(11)의 구성을 조금 더 상세하게 설명하면, 전체가 상자 형상을 이루고, 그 정면에는 처리부(11)의 내부를 들여다 볼 수 있도록 투명창(11A)을 가지고 있다. 또한 처리부(11)의 내부에는 그 배면(11B)을 따라서 상하 방향으로 대략 일정한 간격으로 다수의 반송용 굴림대(12)를 배치하고 있다. 각 반송용 굴림대(12)는 상하 방향으로 배치된 유지축(13)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 또한 배면(11B)을 따라서 좌우 방향으로도 동일한 구성으로 다수의 반송용 굴림대(12)를 배치하고 있다. 이에 따라 각 반송용 굴림대(12)는 상기 배면(11B)과 평행한 유지축(13)을 중심으로 회전 가능하게 되어 있다. 이처럼 처리부(11) 내부의 배면(11B)을 따라 배치된 다수의 반송용 굴림대(12) 상에 기판(20)을 올리면, 기판(20)의 후면(주표면과 반대측인 면, 즉 처리액에 의해 처리된 면과 반대측인 면)이 각 반송용 굴림대(12)의 주면(周面)과 접하기 때문에 기판(20)은 처리부로의 좌우 방향으로부터 반입시 또는 처리부로부터 좌우 방향으로의 반출시의 좌우의 방향으로 이동(슬라이드)할 수 있다. 이 경우 기판(20)의 하단은 엣지판(14)에 의해 유지되어 있고, 상기 엣지판(14)이 좌우 방향으로 움직일 수 있게 되어 있다. 또한 엣지판(14) 대신에 상기 배면(11B)와 수직인 방향의 축을 중심으로 회전 가능한 반송용 굴림대를 배치하고, 기판(20)의 하단을 상기 반송용 굴림대의 주면과 접하게 하여 지지함 으로써 상기 반송용 굴림대의 회전에 의해 기판의 좌우의 이동을 한 층 부드럽게 할 수 있다. 또한 상기 유지축(13)에 각 반송용 굴림대(12)를 고정하고, 유지축(13)의 상하를 회전 가능하게 지지시킨 구성으로 해도 무방하다. When the structure of the said processing part 11 is demonstrated in more detail, the whole has a box shape and the front side has 11 A of transparent windows so that the inside of the processing part 11 can be seen. Moreover, inside the process part 11, the several conveyance roller 12 is arrange | positioned at substantially constant space | interval along the back surface 11B in the up-down direction. Each conveyance roller 12 is rotatably supported by the holding shaft 13 arrange | positioned in the up-down direction. Moreover, many conveyance rollers 12 are arrange | positioned with the same structure also in the left-right direction along back surface 11B. Thereby, each conveyance roller 12 is rotatable about the holding shaft 13 parallel to the said back surface 11B. As such, when the substrate 20 is placed on the plurality of conveying rollers 12 arranged along the rear surface 11B inside the processing unit 11, the rear surface (the surface opposite to the main surface of the substrate 20, that is, the processing liquid) The surface opposite to the surface processed by the surface) is in contact with the main surface of each conveying roller 12, so that the substrate 20 is half-loaded from the left or right direction to the processing unit or from the processing unit to the left and right direction. You can move (slide) in the direction of the left and right of the release. In this case, the lower end of the board | substrate 20 is hold | maintained by the edge plate 14, and the said edge plate 14 is able to move to a left-right direction. Furthermore, instead of the edge plate 14, the conveyance roller which can be rotated centering on the axis | shaft perpendicular to the said back surface 11B is arrange | positioned, and the lower end of the board | substrate 20 is contacted with the main surface of the said conveyance roller, and is supported. The left and right movement of the board | substrate can be made one step smooth by rotation of the said conveyance roller. Moreover, it is good also as a structure which fixed each conveyance roller 12 to the said holding shaft 13, and supported the upper and lower sides of the holding shaft 13 rotatably.

또한 상기 처리부(11)의 내부에는 상기 처리액 공급 수단으로서, 기판(20)의 한 변 방향(본 실시예에서는 기판(20)의 경사 방향인 상하(종) 방향)에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능한 샤워 노즐(30;도 2 참조)을 배치하고 있다. 또한 상기 샤워 노즐(30)은 기판(20) 주표면 상에 소정의 간격을 보유하며 평행으로 배치되고, 상기 한 변 방향과 직교하는 기판 주표면 상을, 즉 본 실시예에서는 기판 주표면 상을 좌우 방향(도 2 중에 기재한 화살표 방향)으로 주사(스캔) 동작을 행한다. 이 샤워 노즐(30)은 전체가 관 형상으로 형성되어 있고, 그 표면에는 길이 방향을 따라서 대략 등간격으로 복수의 노즐홀(31;도 1 참조, 또한 도 1에서는 편의상 노즐(30)의 도시는 생략함)을 가지고 있고, 샤워 노즐(30)에 소정의 수압으로 처리액, 예를 들면 현상액을 공급하면 샤워 노즐(30)의 각 노즐홀(31)로부터 현상액이 샤워 형상으로 분출된다. 본 실시예에서는 기판(20)의 상하 방향에 걸쳐 샤워 노즐(30)을 길이 방향이 되도록 배치하고 있으므로, 기판(20)의 상하 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급하는 것이 가능해진다. 그리고 샤워 노즐(30)을, 기판 주표면 상을 좌우 방향으로 주사함으로써 기판 주표면의 전역에 처리액을 대략 균등하게 채울 수 있다.     In addition, inside the processing unit 11, as the processing liquid supplying means, the processing liquid is substantially equal to one side direction of the substrate 20 (up and down (longitudinal) direction, which is the inclined direction of the substrate 20 in this embodiment). The shower nozzle 30 (refer FIG. 2) which can supply is arrange | positioned. In addition, the shower nozzle 30 is disposed in parallel with a predetermined interval on the main surface of the substrate 20, and on the main surface of the substrate orthogonal to the one side direction, that is, on the main surface of the substrate in this embodiment. Scanning (scanning) operation is performed in the left-right direction (arrow direction shown in FIG. 2). The shower nozzle 30 is formed in a tubular shape in its entirety, and a plurality of nozzle holes 31 (see Fig. 1) are shown on the surface of the shower nozzle 30 at substantially equal intervals along the longitudinal direction. If a processing liquid, for example, a developing solution, is supplied to the shower nozzle 30 at a predetermined hydraulic pressure, the developing solution is ejected in a shower shape from each nozzle hole 31 of the shower nozzle 30. In the present embodiment, since the shower nozzle 30 is arranged in the longitudinal direction over the vertical direction of the substrate 20, the processing liquid can be supplied approximately evenly with respect to the vertical direction of the substrate 20. Then, by scanning the shower nozzle 30 on the substrate main surface in the horizontal direction, the processing liquid can be substantially evenly filled in the entire area of the substrate main surface.

또한 여기서 기판의 주표면의 전역을 대략 균등하게 처리액으로 채울 수 있고, 특히 기판의 경사 각도를 크게 해도 기판 주표면 전역에 처리액이 동시에 놓이 는 상태로 하기 위한 노즐 주사 속도가 필요하여, 본 발명에서는 이 관점으로부터 샤워 노즐(30)의 주사 속도는 1개로 주사하는 경우, 예를 들면 10m/분 이상으로 하는 것이 바람직하다. In addition, the entire area of the main surface of the substrate can be filled with the processing liquid almost evenly, and in particular, even if the inclination angle of the substrate is increased, the nozzle scanning speed is required to bring the processing liquid into the entire area of the substrate main surface at the same time. In this invention, when the scanning speed of the shower nozzle 30 scans with one from this viewpoint, it is preferable to set it as 10 m / min or more, for example.

또한 상술한 바와 같이 기판 처리 장치(10)는 상기 처리부(11)의 전체가 수평 방향에 대하여 소정의 경사 자세를 유지하기 위한 도시하지 않은 구동 제어 기구를 상기 구동부(15) 내에 구비하고 있다. 이에 따라 상기 처리부(11)는 수평 방향에 대하여 소정의 경사 각도(α;도 1 참조)를 유지하면서 경사 자세를 취할 수 있다. 따라서 기판(20)은 처리부(11) 내부에서 상기 반송용 굴림대(12)와 엣지판(14)에 의해 기판 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시킨 상태에서, 수평 방향에 대한 기판(20)의 경사 각도가 α가 되도록 유지된다. 본 발명에서는 수평 방향에 대한 기판의 경사 각도가 25~80도의 범위가 바람직하고, 특히 45~80도의 범위인 것이 적합하다. 즉 대형 기판에 대해서도 경사 각도를 크게 함으로써 공간 감축화를 도모할 수 있으면서, 처리액의 기판 표면에서의 체류를 방지하여 면내의 처리의 편차(처리 얼룩)를 저감할 수 있다. 기판의 경사 각도의 상한을 특히 제한할 필요는 없는데, 기판의 안정 유지라는 관점으로부터는 상기와 같이 80도 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한 상기 처리부(11)의 수평 방향에 대한 경사 각도(α)는 상술한 구동 제어 기구에 의해 소정의 범위 내에서 자유롭게 변경할 수 있게 되어 있다. In addition, as described above, the substrate processing apparatus 10 includes a drive control mechanism (not shown) in the drive unit 15 for maintaining the entire tilt of the processing unit 11 in a predetermined tilting position with respect to the horizontal direction. Accordingly, the processor 11 may take an inclined posture while maintaining a predetermined inclination angle α (see FIG. 1) with respect to the horizontal direction. Therefore, the board | substrate 20 is inclined so that the main surface of the board | substrate may be inclined upward by the said conveyance roller 12 and the edge board 14 inside the processing part 11, The board | substrate 20 with respect to a horizontal direction The inclination angle of is maintained to be α. In the present invention, the inclination angle of the substrate with respect to the horizontal direction is preferably in the range of 25 to 80 degrees, particularly preferably in the range of 45 to 80 degrees. In other words, the space can be reduced by increasing the inclination angle of the large-sized substrate, while the retention of the processing liquid on the substrate surface can be prevented and the variation in the in-plane treatment can be reduced. It is not necessary to particularly limit the upper limit of the inclination angle of the substrate, but from the viewpoint of maintaining the stability of the substrate, it is preferable to be 80 degrees or less as described above. Incidentally, the inclination angle α with respect to the horizontal direction of the processing unit 11 can be freely changed within a predetermined range by the above-described drive control mechanism.

본 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 이상과 같이 구성되어 있고, 다음으로 이 기판 처리 장치(10)의 동작에 대하여 설명한다. The substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment is configured as described above. Next, the operation of the substrate processing apparatus 10 will be described.

처리를 실시하는 기판(20)은 처리부(11) 내의 소정 위치에 배치된다. 이 경우 기판(20)은 주표면이 위를 향하도록 반송용 굴림대(12) 상에 놓여지고, 기판(20)의 하단은 엣지판(14)에 의해 유지된 상태로 소정의 위치에 유지된다. 처리부(11)를 소정의 경사 자세가 되도록 구동함으로써 처리부(11) 내에 배치된 된 기판(20)은 소정의 경사 각도(α)로 유지된다. The board | substrate 20 which performs a process is arrange | positioned at the predetermined position in the process part 11. In this case, the substrate 20 is placed on the conveying roller 12 with the main surface facing upward, and the lower end of the substrate 20 is held at a predetermined position while being held by the edge plate 14. . By driving the processing unit 11 to have a predetermined tilting attitude, the substrate 20 disposed in the processing unit 11 is maintained at a predetermined tilting angle α.

다음으로 샤워 노즐(30)에 처리액, 예를 들면 현상액을 공급하면, 샤워 노즐(30)의 각 노즐홀(31)로부터 현상액이 기판(20) 주표면을 향하여 샤워 형상으로 분출되고, 기판(20)의 상하 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급할 수 있다. 그리고 기판(20)의 예를 들면 좌단(정면에서 봤을 때) 측을 샤워 노즐(30)의 주사 기점으로 하는 경우, 이와 같이 경사시킨 상태의 기판의 상하 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능하도록 배치된 샤워 노즐(30)을 이용하여 처리액을 공급하면서, 기판 주표면 상을 도 3에 도시한 바와 같이 우방향(도 3 중에 기재된 화살표 방향)으로 상기 노즐(30)의 주사(스캔) 동작을 행하고, 기판(20)의 우단까지 주사를 마치면 좌방향으로의 주사 동작을 행하고, 이렇게 하여 좌우 방향으로의 주사 동작을 반복함으로써 기판(20)의 주표면의 전역에 처리액을 공급할 수 있다. Next, when a processing liquid, for example a developing solution, is supplied to the shower nozzle 30, the developing solution is ejected in a shower shape from each nozzle hole 31 of the shower nozzle 30 toward the main surface of the substrate 20, and the substrate ( The processing liquid can be supplied approximately equally to the vertical direction of 20). For example, when the left end (as viewed from the front) side of the substrate 20 is the scanning starting point of the shower nozzle 30, the processing liquid can be supplied approximately equally to the vertical direction of the substrate in the inclined state. Scanning (scanning) of the nozzle 30 in the right direction (arrow direction shown in FIG. 3) on the main surface of the substrate while supplying the processing liquid using the shower nozzle 30 arranged so as to be shown in FIG. 3. By performing the operation, and scanning to the right end of the substrate 20 is completed, the scanning operation in the left direction is performed, and the scanning liquid in the left and right directions is repeated in this way, so that the processing liquid can be supplied to the entire main surface of the substrate 20. .

이상과 같이 하여 소정 시간의 처리를 종료하면 처리부(11)로부터 기판(20)을 떼어 낸다. 혹은 기판(20)을 처리부(11) 내에 배치한 채로(경우에 따라서는 기판(20)을 처리부(11) 내의 별도의 소정 위치로 이동 시켜서) 연속해서 다른 기판 처리를 실시해도 무방하다. When the processing for the predetermined time is completed as described above, the substrate 20 is removed from the processing unit 11. Alternatively, other substrate processing may be performed continuously while the substrate 20 is disposed in the processing unit 11 (by moving the substrate 20 to another predetermined position in the processing unit 11 in some cases).

본 발명의 기판 처리 장치는 대형 기판에 대해서도 경사 각도를 크게 함으로 써 공간 감축화를 도모할 수 있으면서, 처리액의 기판 표면에서의 체류를 방지하여 면내의 처리의 편차(처리 얼룩)를 저감할 수 있다. 도 1을 참조하면 알 수 있는 바와 같이 본 실시예의 기판 처리 장치(10)의 경우, 장치의 안길이(D)는 기판 사이즈 보다도 작다. 이러한 관점으로부터 상술한 바와 같이 기판의 경사 각도는 25도 이상, 더욱 바람직하게는 45도 이상으로 하는 것이 특히 대형 기판에 있어서 적합하다. 또한 기판의 경사 각도를 크게함으로써 처리액의 흘러 떨어지는 속도가 빨라져도 기판 주표면의 전역에 처리액을 공급할 수 있음으로써 처리 능력이 높고, 게다가 균일성이 높은 처리를 행할 수 있다. 따라서 본 발명의 기판 처리 장치는 적어도 한 변의 길이가 300mm 이상인 대형 기판의 처리를 행하는 경우에 특히 적합하다. 즉 대형 기판에 대해서도, 기존보다 감축된 공간에서 처리 능력이 높고, 게다가 균일성이 높은 처리가 가능하다. The substrate processing apparatus of the present invention can reduce the space by increasing the inclination angle even for a large substrate, while preventing the treatment liquid from remaining on the substrate surface, thereby reducing the variation (treatment unevenness) in the surface treatment. have. As can be seen with reference to Fig. 1, in the case of the substrate processing apparatus 10 of this embodiment, the depth D of the apparatus is smaller than the substrate size. As described above, the inclination angle of the substrate is 25 degrees or more, more preferably 45 degrees or more, and is particularly suitable for large substrates. In addition, by increasing the inclination angle of the substrate, the processing liquid can be supplied to the entire area of the main surface of the substrate even when the flow rate of the processing liquid flows faster, thereby enabling processing with high processing capacity and high uniformity. Therefore, the substrate processing apparatus of this invention is especially suitable when processing the large board | substrate whose length of at least one side is 300 mm or more. In other words, even a large substrate can be processed with a higher processing capacity and a higher uniformity in a reduced space than before.

또한 본 실시예에서는 노즐 주사에 의해 처리액을 공급하고 있기 때문에 경사 자세의 대형 기판에 대하여 경사 각도를 크게 해도 기판 주표면의 전역을 대략 균등하게 처리액으로 채울 수 있어서 균일성이 높은 처리가 가능해진다. 또한 노즐 주사에 의해 처리액을 공급함으로써, 예를 들면 정지 노즐(노즐 위치를 고정)에 의한 경우와 비교하여 기판에 대한 처리액의 얼룩이 방지되어 균일성이 높은 처리가 가능해진다. 또한 대형 기판에 대하여 예를 들면 복수개의 정지 노즐을 이용하는 경우와 비교하면, 노즐 주사에 의하면 기판에 대한 처리액의 얼룩이 발생하지 않으므로 균일성을 높일 수 있으면서, 처리액의 소비량도 감소시킬 수 있다. In addition, in this embodiment, since the processing liquid is supplied by nozzle scanning, even if the inclination angle is increased with respect to the large substrate having an inclined posture, the entire surface of the substrate main surface can be filled with the processing liquid almost evenly, so that the processing can be performed with high uniformity. Become. In addition, by supplying the processing liquid by nozzle scanning, for example, staining of the processing liquid on the substrate can be prevented as compared with the case of the stationary nozzle (fixing the nozzle position), thereby enabling a highly uniform processing. In addition, compared to the case where a plurality of stationary nozzles are used for a large substrate, for example, the nozzle scanning does not cause staining of the processing liquid on the substrate, so that uniformity can be increased, and the consumption of the processing liquid can also be reduced.

또한 상술한 본 실시예의 샤워 노즐(30)은 복수개 배치해도 무방하다. 도 4 에서는 일례로서 예를 들면 나란히 2개의 샤워 노즐(30A, 30B)을 배치한 경우를 나타내고 있다. 샤워 노즐을 이와 같이 나란히 복수개 배치하여 주사하는 경우, 개수가 증가하면 1개로 주사하는 경우와 비교하여 기판의 주표면 전역에 처리액을 공급하기 위한 주사 속도를 느리게 하는 것도 가능하다. In addition, you may arrange | position multiple shower nozzle 30 of this embodiment mentioned above. In FIG. 4, as an example, the case where two shower nozzles 30A and 30B are arrange | positioned side by side is shown, for example. In the case where the plurality of shower nozzles are scanned in parallel in this manner, it is possible to slow down the scanning speed for supplying the treatment liquid to the entire main surface of the substrate as compared with the case where the number is increased and the scanning is carried out with one.

또한 본 실시예에서는 기판의 상하 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능하도록 배치된 샤워 노즐(30)을 이용하여 처리액을 공급하면서, 기판 주표면 상을 좌우 방향으로 상기 노즐(30)의 주사 동작을 행하는 경우를 설명했는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 도 5에 도시한 바와 같이 기판(20)의 좌우 방향에 대하여 대략 균등하게 처리액을 공급 가능하도록 샤워 노즐(30)을 배치하고 이 샤워 노즐(30)을 기판(20)의 상하 방향으로 주사하도록 해도 무방하다. 또한 처리액을 공급하는 수단으로서 상술한 샤워 노즐(30) 대신에 도 6에 도시한 바와 같이 슬릿 노즐(40)을 이용해도 무방하다. In addition, in the present embodiment, the processing liquid is supplied using the shower nozzle 30 arranged to supply the processing liquid approximately equally to the vertical direction of the substrate, while the nozzle 30 is disposed on the main surface of the substrate in the horizontal direction. Although the case where scanning operation | movement is performed was demonstrated, this invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 5, the shower nozzle 30 is disposed so that the treatment liquid can be supplied approximately equally to the left and right directions of the substrate 20, and the shower nozzle 30 is disposed in the vertical direction of the substrate 20. It may be injected as. As the means for supplying the treatment liquid, the slit nozzle 40 may be used as shown in FIG. 6 instead of the shower nozzle 30 described above.

또한 본 발명의 기판 처리 장치는 상기 처리액 공급 수단으로서, 현상액을 공급하는 수단과, 에칭액을 공급하는 수단의 쌍방을 가지는 구성으로 해도 무방하다. 이러한 구성은 예를 들면 상술한 샤워 노즐을 복수개 배치하는 경우에 현상액 공급용 노즐과 에칭액 공급용 노즐을 별개로 배치함으로써 가능하다. 이에 따라 1대의 기판 처리 장치로 현상 처리와 에칭 처리의 쌍방을 행할 수 있어서, 현상 처리와 에칭 처리를 개별 처리 장치로 행하는 경우와 비교하면, 장치간의 기판의 반송이 불필요하고 공간 감축화가 가능하다. 이러한 점은 특히 대형 기판의 처리에 있어서는 큰 이점이다. In addition, the substrate processing apparatus of the present invention may be configured to include both of the developer supplying means and the etching supplying means as the processing liquid supplying means. Such a configuration can be achieved, for example, by separately arranging the nozzle for supplying the developer and the nozzle for supplying the etching solution when the plurality of shower nozzles described above are disposed. As a result, both the development process and the etching process can be performed by one substrate processing apparatus, so that the transfer of the substrate between the devices is unnecessary and the space can be reduced as compared with the case where the development process and the etching process are performed by the individual processing apparatus. This is a great advantage especially in the processing of large substrates.

다음으로 상술한 기판 처리 장치 내지는 기판 처리 방법을 이용한 본 발명의 패턴 형성 방법을 설명한다. Next, the pattern formation method of this invention using the above-mentioned substrate processing apparatus or substrate processing method is demonstrated.

본 발명의 패턴 형성 방법은 포토 리소그래피법을 이용한 패턴 형성 방법으로서, 기판상에 형성된 레지스트막에 대하여 소망의 패턴 노광을 실시하는 노광 공정과, 상기 소망의 패턴 노광에 따라 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 상기 레지스트 패턴을 따라 상기 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존한 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 가지고 있다. 포토마스크의 경우, 상기 기판은 투광성 유리 기판상에 예를 들면 크롬으로 이루어지는 차광성막이 형성된 포토마스크 블랭크이다. 그리고 상기 현상 공정 및 에칭 공정의 일방 또는 양방의 공정에서, 상술한 본 발명에 따른 기판 처리 장치 내지는 기판 처리 방법을 이용함으로써 대형 기판의 경우에도 현상 공정이나 에칭 공정에 있어서 균일성이 높은 처리를 행할 수 있다. 그 결과, 면내 편차가 양호한(면내 편차가 작은) 패턴을 형성할 수 있다. The pattern formation method of this invention is a pattern formation method using the photolithography method, The exposure process of exposing a desired pattern exposure to the resist film formed on the board | substrate, and developing the said resist film according to the said desired pattern exposure, and developing a resist pattern. And a developing step of etching the substrate along the resist pattern, and a step of peeling and removing the remaining resist pattern. In the case of a photomask, the said board | substrate is a photomask blank in which the light-shielding film which consists of chromium, for example was formed on the transparent glass substrate. In one or both of the above developing and etching processes, by using the above-described substrate processing apparatus or substrate processing method according to the present invention, even in the case of a large substrate, a highly uniform processing can be performed in the developing process and the etching process. Can be. As a result, a pattern with a good in-plane deviation (small in-plane deviation) can be formed.

또한 본 발명의 기판 처리 장치는 상기 샤워 노즐에 순수(純水)를 공급함으로써 상술한 패턴 형성 방법에서의 현상 공정 후의 린스 처리, 에칭 공정 후의 린스 처리에도 이용할 수 있다. 이 경우 현상, 린스, 에칭, 린스라는 일련의 처리를 본 발명의 기판 처리 장치로 연속하여 행할 수 있게 된다. Moreover, the substrate processing apparatus of this invention can be used also for the rinse process after the image development process in the pattern formation method, and the rinse process after an etching process by supplying pure water to the said shower nozzle. In this case, a series of processes such as developing, rinsing, etching, and rinsing can be continuously performed with the substrate processing apparatus of the present invention.

이하 실시예에 따라 본 발명의 실시예를 더욱 구체적으로 설명한다. The embodiment of the present invention will be described in more detail according to the following examples.

(실시예)(Example)

대형 포토마스크용 유리 기판(크기 520mm×800mm×10mm)의 표면에 크롬(Cr) 으로 이루어진 차광성막이 형성된 포토마스크블랭크(박막 부착 기판) 상에 포지티브형 포토 레지스트막을 형성했다. 포토 레지스트막의 형성은 스피너(spinner;회전 도포 장치)를 이용하여 포지티브형 레지스트액을 회전 도포했다. 포지티브형 레지스트로서는 고분자량형 레지스트PBS(폴리부텐-1-술폰(Polybutene-1-sulfon))를 사용하고, 이것을 메틸셀로솔브아세테이트(Methyl Cellosolve Acetate)에 용해한 것을 레지스트 액으로 했다. 또한 상기 레지스트액을 도포 후, 가열 건조 장치를 이용하여 소정의 가열 건조 처리를 행했다.A positive photoresist film was formed on the photomask blank (substrate with a thin film) in which the light shielding film which consists of chromium (Cr) was formed on the surface of the large size photomask glass substrate (size 520mmx800mmx10mm). In the formation of the photoresist film, a positive resist liquid was applied by spin coating using a spinner. As the positive resist, a high molecular weight resist PBS (polybutene-1-sulfon) was used, which was dissolved in methyl cellosolve acetate as a resist liquid. Furthermore, after apply | coating the said resist liquid, the predetermined heat drying process was performed using the heat drying apparatus.

다음으로 포토마스크블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여 레이저 묘화 장치를 이용하여 소망의 패턴 노광을 실시했다. Next, the desired pattern exposure was performed using the laser drawing apparatus with respect to the resist film formed on the photomask blank.

다음으로 상기 소망의 패턴 노광에 따라 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성했다. 현상 처리는 상술한 도 1에 도시한 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 행했다. 상기 포지티브형 포토레지스트용의 수산화 칼륨을 주성분으로 하는 현상액을 넣은 샤워 노즐을 이용하고, 이 노즐을 10m/분의 주사 속도로 포토마스크 블랭크 주표면상을 좌우 방향으로 주사하면서 현상액을 레지스트막에 공급하고, 23℃, 60초의 현상 처리를 행했다. 또한 이 때 포토마스크 블랭크의 수평 방향에 대한 경사 각도(α)는 55도로 했다. Next, the resist film was developed in accordance with the desired pattern exposure to form a resist pattern. The development process was performed using the substrate processing apparatus which concerns on the Example shown in FIG. 1 mentioned above. The developer was supplied to the resist film by using a shower nozzle containing a developer containing potassium hydroxide as a main component for the positive photoresist, and scanning the nozzle on the photomask blank main surface in the left and right directions at a scanning speed of 10 m / min. And the developing process of 23 degreeC and 60 second was performed. In addition, the inclination angle (alpha) with respect to the horizontal direction of the photomask blank at this time was 55 degree | times.

이어서 같은 기판 처리 장치를 이용하여 상기 현상액용의 샤워 노즐에 순수(純水)를 공급하고 현상 후의 린스 처리를 행했다. Subsequently, pure water was supplied to the shower nozzle for developer using the same substrate processing apparatus, and rinsing treatment after development was performed.

다음으로 같은 기판 처리 장치를 이용하여 에칭 처리를 행했다. 에칭액으로서 질산 제2 세륨 암모늄(Cerium ammonium)과 과염소산의 수용액을 넣은 샤워 노즐 을 이용하고, 이 노즐을 10m/분의 주사 속도로 포토마스크 블랭크 주표면 상을 좌우 방향으로 주사하면서 에칭액을 공급하고 약 60초의 에칭 처리를 행했다. 또한 이 때 포토마스크 블랭크의 수평 방향에 대한 경사 각도(α)는 현상 처리시와 같은 55도로 했다. Next, the etching process was performed using the same substrate processing apparatus. As an etching solution, a shower nozzle containing an aqueous solution of cerium ammonium nitrate and perchloric acid was used.The etching solution was supplied while scanning the nozzle on the photomask blank main surface from side to side at a scanning speed of 10 m / min. The etching process for 60 seconds was performed. In addition, the inclination angle (alpha) with respect to the horizontal direction of the photomask blank at this time was set to 55 degree | times similar to the development process.

이렇게 하여, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출한 크롬막을 습식 에칭 처리에 의해 제거하고 기판상에 크롬 차광막을 소정의 패턴 형상으로 형성했다. In this way, using the said resist pattern as a mask, the exposed chromium film was removed by the wet etching process, and the chromium light shielding film was formed in the predetermined pattern shape on the board | substrate.

이어서 같은 기판 처리 장치를 이용하여 상기 에칭액용의 샤워 노즐에 순수를 공급하고 에칭 처리 후의 린스 처리를 행했다. Next, pure water was supplied to the shower nozzle for etching liquid using the same substrate processing apparatus, and the rinse process after the etching process was performed.

마지막으로 잔존한 레지스트 패턴은 열농류산(熱濃硫酸)을 이용하여 박리 제거했다. Finally, the remaining resist pattern was stripped off using a hot concentrated acid.

이상의 공정을 거쳐, 대형 LCD 제조용의 포토마스크를 제조했다. Through the above process, the photomask for large-size LCD manufacture was manufactured.

다음으로 제조한 포토마스크의 면내 편차를 평가했다. 구체적으로는 마스크 표면의 18 군데에서 각각 치수 편차(설계치에 대한 오차)를 구하고, 그 최대치와 최소치의 차를 면내 편차로 했다. 본 실시예에 따라 제조된 포토마스크의 면내 편차를 구한 바, 0.06㎛로서 매우 작고 양호했다. Next, the in-plane variation of the manufactured photomask was evaluated. Specifically, the dimensional deviation (error with respect to the design value) was calculated | required in 18 places of the mask surface, respectively, and the difference between the maximum value and the minimum value was made into in-plane deviation. The in-plane variation of the photomask prepared according to this example was found to be 0.06 µm, which is very small and good.

(비교예)(Comparative Example)

현상, 현상 후의 린스, 에칭, 에칭 후의 린스의 각 처리를 도 7에 도시한 기판 처리 장치를 이용하여 행한 것 이외에는 실시예와 동일하게 하여 포토마스크를 제조했다. 도 7에 도시한 기판 처리 장치는 반송용 굴림대(50)에 의해 기판(20)을 수평 자세로 반송, 유지하고, 상방에 배치한 복수의 샤워 노즐(60;정지 노즐)로부터 처리액을 기판(20)에 공급하도록 한 것이다. 또한 이 기판 처리 장치의 경우, 기판이 수평 자세이기 때문에 처리액이 표면 장력에 의해 체류하기 쉽고 처리 얼룩을 발생시키므로, 처리 얼룩의 발생을 가능한 한 억제하기 위해서는 기판을 수평 자세인 채로 반송용 굴림대 상에서 좌우로 요동하면서 모든 노즐로부터 동시에 처리액을 내보낼 필요가 있다. 이 때문에 헛되이 흘리는 처리액이 꽤 많은 양이 된다. 또한 기판을 수평 자세로 좌우로 요동하기 위하여 기판 사이즈 보다도 큰 영역이 필요해져서 처리 장치가 대형화된다. A photomask was produced in the same manner as in Example, except that the respective processes of development, rinsing after development, etching, and rinsing after etching were performed using the substrate processing apparatus shown in FIG. 7. The substrate processing apparatus shown in FIG. 7 conveys and holds the board | substrate 20 in a horizontal attitude | position by the conveyance roller 50, and transfers a process liquid from several shower nozzles 60 (stop nozzles) arrange | positioned upwards. It was made to supply to (20). In the case of this substrate processing apparatus, since the substrate is in a horizontal posture, the processing liquid easily stays due to the surface tension and generates processing spots. Therefore, in order to suppress the generation of processing spots as much as possible, the transfer roller is placed in the horizontal posture. It is necessary to send out the processing liquid from all the nozzles at the same time while rocking the bed from side to side. For this reason, the amount of the processing liquid flowing in vain becomes quite large. In addition, an area larger than the substrate size is required in order to swing the substrate from side to side in a horizontal posture, thereby increasing the processing apparatus.

제조한 본 비교예의 포토마스크에 대하여 실시예와 동일한 방법으로 면내 편차를 구한 바, 0.1㎛ 이상으로, 편차가 상당히 큰 것이 판명되었다. In-plane deviations were determined in the same manner as in Examples with respect to the prepared photomask of Comparative Example, and it was found that the deviation was considerably large at 0.1 µm or more.

또한 종래의 기판 처리 장치로서, 캐리어에 복수매의 기판을 수평 위치로 배치 하고, 이 캐리어를 회전시키면서 정지 노즐로 처리액을 공급하도록 한 스핀 프로세스 장치도 잘 알려져 있다. 그래서 현상, 현상 후의 린스, 에칭, 에칭 후의 린스의 각 처리를 이 스핀 프로세스 장치를 이용하여 행한 것 이외에는 실시예와 동일하게 하여 포토마스크를 제조한 바, 얻어진 포토마스크의 면내 편차는 0.1㎛ 이상으로 컸다. Also known as a conventional substrate processing apparatus is a spin process apparatus in which a plurality of substrates are arranged in a carrier in a horizontal position, and the processing liquid is supplied to a stationary nozzle while the carrier is rotated. Therefore, photomasks were produced in the same manner as in the examples except that development, rinsing after development, etching, and rinsing after etching were carried out using this spin process apparatus. The in-plane variation of the obtained photomask was 0.1 µm or more. It was great.

이상으로부터 본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 특히 대형 기판에 대하여 균일성이 높고 고정밀도의 기판 처리가 가능한 것을 알 수 있다. As mentioned above, according to the substrate processing apparatus and substrate processing method of this invention, it turns out that especially a large size board | substrate has high uniformity and high precision substrate processing is possible.

본 발명에 따르면, 기존보다 감축된 공간에서 처리 능력이 높고, 게다가 균일성이 높은 처리가 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있으므로, 특히 대형 기판의 처리에 적합하다. 또한 이러한 기판 처리 방법을 적용한 패턴 형성 방법에 따르면, 대형 기판이라도 그 현상 공정이나 에칭 공정에 있어서 균일성이 높은 처리를 행할 수 있으므로 면내 편차가 양호한 패턴을 형성할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing with higher processing capacity and more uniformity in a reduced space than before, and are particularly suitable for processing large substrates. In addition, according to the pattern formation method to which such a substrate processing method is applied, even in a large sized board | substrate, the high uniformity process can be performed in the image development process and the etching process, and the pattern with a good in-plane deviation can be formed.

Claims (13)

기판의 주표면에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus which supplies a process liquid to the main surface of a board | substrate, and performs a predetermined process, 기판 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시킨 상태로 기판을 소정 범위의 경사 각도로 유지하는 기판 유지 수단과, Substrate holding means for holding the substrate at an inclined angle in a predetermined range in a state in which the substrate main surface is inclined so as to face obliquely upward; 상기 기판 유지 수단에 의해 경사시킨 상태의 기판의 한 변 방향에 대하여 균등하게 처리액을 공급 가능한 하나 또는 복수의 노즐을 갖는 처리액 공급 수단과, Processing liquid supply means having one or a plurality of nozzles capable of supplying the processing liquid evenly with respect to one side direction of the substrate in the inclined state by the substrate holding means; 기판 주표면의 전역에 처리액을 채우기 위해 상기 한 변 방향과 직교하는 기판 주표면 상의 방향으로 상기 노즐을 왕복 이동시키는 이동 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And moving means for reciprocating the nozzle in a direction on a substrate main surface orthogonal to the one side direction so as to fill the processing liquid over the entire substrate main surface. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 기판은 적어도 한 변의 길이가 300mm 이상의 기판인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And said substrate is a substrate having a length of at least one side of 300 mm or more. 제1 항 또는 제2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 기판 유지 수단에 의한 수평 방향에 대한 기판의 경사 각도가 25~80도의 범위인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The inclination-angle of the board | substrate with respect to the horizontal direction by the said board | substrate holding means is a range of 25-80 degree | times, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 삭제delete 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 처리액 공급 수단은 현상액을 공급하는 수단과, 에칭액을 공급하는 수단의 쌍방을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The processing liquid supplying means has both a means for supplying a developing solution and a means for supplying an etching solution. 기판의 주표면에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 방법에 있어서, In the substrate processing method of supplying a processing liquid to the main surface of the substrate to perform a predetermined process, 기판 주표면이 비스듬한 상방을 향하도록 경사시킨 상태로 기판을 소정 범위의 경사 각도로 유지하고, The substrate is held at an inclined angle in a predetermined range while being inclined such that the main surface of the substrate faces an oblique upward direction, 이 경사시킨 상태의 기판의 한 변 방향에 대하여 균등하게 처리액을 공급 가능한 하나 또는 복수의 노즐을 이용하여 처리액을 공급하면서, 상기 한 변 방향과 직교하는 기판 주표면 상의 방향으로 상기 노즐을 왕복 이동하여 기판 주표면의 전역에 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The nozzle is reciprocated in a direction on the substrate main surface orthogonal to the one side direction while supplying the processing liquid using one or a plurality of nozzles capable of supplying the processing liquid evenly with respect to one side direction of the inclined substrate. A substrate processing method comprising moving and supplying a processing liquid to the entire surface of the substrate main surface. 제6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 기판은 적어도 한 변의 길이가 300mm 이상의 기판인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. And said substrate is a substrate having a length of at least one side of 300 mm or more. 제6 항 또는 제7 항에 있어서, The method according to claim 6 or 7, 수평 방향에 대한 기판의 경사 각도가 25~80도의 범위가 되도록 기판을 유지한 상태에서, 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. A substrate processing method, wherein the processing liquid is supplied while the substrate is held so that the inclination angle of the substrate with respect to the horizontal direction is in a range of 25 to 80 degrees. 기판상에 형성된 레지스트막에 대하여 소망의 패턴 노광을 실시하는 노광 공정과, 상기 소망의 패턴 노광에 따라 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 상기 레지스트 패턴에 따라 상기 기판을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존한 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 가지고, 상기 현상 공정 및 에칭 공정의 일방 또는 양방의 공정에 있어서, 청구항 6에 기재된 기판 처리 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법. An exposure step of performing a desired pattern exposure on the resist film formed on the substrate, a developing step of developing the resist film by forming the resist pattern in accordance with the desired pattern exposure, and etching the substrate in accordance with the resist pattern It has an etching process and the process of peeling and removing the remaining resist pattern, The pattern formation method of Claim 6 using the substrate processing method of one or both of the said image development process and an etching process. 제6 항 또는 제7 항에 기재된 처리 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.The manufacturing method of the photomask containing the processing method of Claim 6 or 7. 제6 항 또는 제7 항에 있어서, 상기 처리액이 현상액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method according to claim 6 or 7, wherein the processing liquid is a developing solution. 제6 항 또는 제7 항에 있어서, 상기 처리액이 에칭액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method according to claim 6 or 7, wherein the processing liquid is an etching liquid. 제8 항에 기재된 처리 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.The manufacturing method of the photomask containing the processing method of Claim 8.
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