KR102201884B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 일방향으로 기판을 이송가능하고, 이송이 정지된 기판을 지지하는 기판이송부재; 상기 기판이송부재의 상부에 위치하며, 이송되는 기판으로 현상액을 1차 공급하는 제1현상액 공급부재; 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 현상액이 1차 도포된 기판으로 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재; 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 현상액 제거 유체가 공급된 기판으로 현상액을 2차 공급하는 제2현상액 공급부재; 및 상기 현상액이 1차 공급되는 동안 상기 기판이 이동되고, 상기 현상액이 1차 도포된 후 기설정된 처리 시간 동안 상기 기판의 이동이 정지되도록 상기 기판이송부재를 제어하는 제어부재를 포함한다.A substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes a process chamber; A substrate transfer member positioned in the process chamber, capable of transferring a substrate in one direction, and supporting a substrate at which transfer is stopped; A first developer supply member positioned above the substrate transfer member and for primary supplying a developer solution to the transferred substrate; A fluid supply member positioned at the rear of the first developer supply member along the transfer direction of the substrate and supplying a developer removal fluid to the substrate to which the developer is first applied; A second developer supply member positioned at the rear of the first developer supply member along the transfer direction of the substrate and secondly supplying a developer solution to the substrate supplied with the developer removing fluid; And a control member for controlling the substrate transfer member such that the substrate is moved while the developer is first supplied, and the movement of the substrate is stopped for a predetermined processing time after the developer is first applied.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 현상 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs a developing process.

일반적으로 평판 디스플레이 장치는 액정을 이용하는 액정 디스플레이 장치(LCD), 플라즈마를 이용하는 플라즈마 디스플레이 장치(PDP), 유기 발광 소자를 이용하는 유기 발광 디스플레이 장치(OLED) 등을 들 수 있다.In general, flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD) using a liquid crystal, a plasma display device (PDP) using a plasma, an organic light emitting display device (OLED) using an organic light emitting element, and the like.

최근에는 이들 중에서 전력 소모와 부피가 적고, 저전력 구동이 가능한 액정 디스플레이 장치가 널리 사용되고 있다. 액정 디스플레이 장치는 실질적으로 영상을 표시하기 위한 디스플레이 패널을 포함한다. 디스플레이 패널은 통상 유리 재질의 대면적 기판을 이용하여 기판상에 회로 패턴을 형성한다. 이를 위하여 다양한 단위 공정들 예를 들어, 증착 공정, 포토 공정, 현상 공정, 식각 공정, 에칭 공정 등을 반복적으로 수행하여 제조된다.Recently, among them, a liquid crystal display device having low power consumption and volume and capable of low power driving has been widely used. The liquid crystal display device substantially includes a display panel for displaying an image. In general, the display panel uses a large-area substrate made of glass to form a circuit pattern on the substrate. To this end, it is manufactured by repeatedly performing various unit processes, for example, a deposition process, a photo process, a developing process, an etching process, and an etching process.

상술한 공정들 중 현상 공정은 기판에 현상액을 균일하게 도포하고, 처리 시간 동안 퍼들(puddle)을 형성하여 레지스트를 제거한다. 최근 기판상에 형성되는 회로 패턴의 폭이 좁아지고, 높이가 높아짐에 따라 기판 상에 도포된 레지스트의 두께도 두꺼워진다. 때문에 종래의 현상 공정으로는 레지스트를 완전히 제거하지 못한다.Among the above-described processes, the developing process uniformly applies a developer to the substrate and forms a puddle during the processing time to remove the resist. Recently, as the width of the circuit pattern formed on the substrate is narrowed and the height is increased, the thickness of the resist applied on the substrate also increases. Therefore, the resist cannot be completely removed by the conventional developing process.

본 발명은 현상 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of improving development processing efficiency.

또한, 본 발명은 기판에 도포되는 현상액의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a substrate processing apparatus capable of improving the uniformity of a developer applied to a substrate.

또한, 본 발명은 현상 장치의 설비면적을 축소할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.Further, the present invention provides a substrate processing apparatus capable of reducing the installation area of the developing apparatus.

본 발명의 실시예에 따르면, 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 일방향으로 기판을 이송가능하고, 이송이 정지된 기판을 지지하는 기판이송부재; 상기 기판이송부재의 상부에 위치하며, 이송되는 기판으로 현상액을 1차 공급하는 제1현상액 공급부재; 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 현상액이 1차 도포된 기판으로 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재; 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 현상액 제거 유체가 공급된 기판으로 현상액을 2차 공급하는 제2현상액 공급부재; 및 상기 현상액이 1차 공급되는 동안 상기 기판이 이동되고, 상기 현상액이 1차 도포된 후 기설정된 처리 시간 동안 상기 기판의 이동이 정지되도록 상기 기판이송부재를 제어하는 제어부재를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus includes a process chamber; A substrate transfer member positioned in the process chamber, capable of transferring a substrate in one direction, and supporting a substrate at which transfer is stopped; A first developer supply member positioned above the substrate transfer member and for primary supplying a developer solution to the transferred substrate; A fluid supply member located at the rear of the first developer supply member along the transfer direction of the substrate and supplying a developer removal fluid to the substrate to which the developer is first applied; A second developer supply member positioned at the rear of the first developer supply member along the transfer direction of the substrate and secondly supplying a developer solution to the substrate supplied with the developer removing fluid; And a control member for controlling the substrate transfer member such that the substrate is moved while the developer is first supplied, and the movement of the substrate is stopped for a predetermined processing time after the developer is first applied.

또한, 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재를 지지하는 지지부재; 및 상기 기판의 이동경로 상부에서 상기 지지부재를 이동시키는 구동부를 더 포함하며, 상기 구동부는 이송이 정지된 기판의 상부를 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재가 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하도록 상기 지지부재를 이동시킬 수 있다.In addition, a support member for supporting the fluid supply member and the second developer supply member; And a driving unit for moving the support member above the movement path of the substrate, wherein the driving unit moves the fluid supply member and the second developer solution supply member to the upper portion of the substrate on which the transfer is stopped, and the developer removing fluid and The support member may be moved to supply the developer.

또한, 상기 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제2현상액 공급부재의 전방에 위치하며, 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향과 반대방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 동시에 공급할 수 있다.In addition, the fluid supply member is located in front of the second developer supply member along the transport direction of the substrate, the fluid supply member and the second developer supply member move in a direction opposite to the transport direction of the substrate, and the The developer removal fluid and the developer may be simultaneously supplied.

또한, 상기 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제2현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 동시에 공급할 수 있다.In addition, the fluid supply member is located at the rear of the second developer supply member along the transport direction of the substrate, the fluid supply member and the second developer supply member move in the transport direction of the substrate, and the developer removal fluid And the developer can be simultaneously supplied.

또한, 상기 제1현상액 공급부재는 상기 기판의 상면에 대해 제1방향으로 현상액을 공급하는 제1노즐; 및 상기 제1방향과 상이한 제2방향으로 현상액을 상기 기판의 상면에 공급하는 제2노즐을 포함하며, 상기 제2현상액 공급부재는 상기 제1노즐과 동일한 방향으로 상기 기판의 상면으로 현상액을 공급하는 제3노즐; 및 상기 제2노즐과 동일한 방향으로 상기 기판의 상면으로 현상액을 공급하는 제4노즐을 포함할 수 있다.In addition, the first developer supply member may include a first nozzle for supplying a developer solution in a first direction with respect to the upper surface of the substrate; And a second nozzle that supplies a developer to an upper surface of the substrate in a second direction different from the first direction, wherein the second developer supply member supplies a developer to the upper surface of the substrate in the same direction as the first nozzle. A third nozzle; And a fourth nozzle that supplies a developer to the upper surface of the substrate in the same direction as the second nozzle.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 일방향으로 이송되는 기판의 상면으로 현상액을 1차 공급하는 단계; 상기 현상액이 1차 도포된 기판의 이송을 정지시키고, 기 설정된 처리 시간동안 상기 기판을 대기시키는 단계; 및 상기 처리 시간이 경과 후, 상기 현상액이 1차 도포된 기판의 상면으로 현상액 제거 유체를 공급하고, 상기 현상액 제거 유체가 공급된 기판 영역으로 현상액을 2차 공급하는 단계를 포함한다.A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes the steps of first supplying a developer to an upper surface of a substrate transferred in one direction; Stopping the transfer of the substrate to which the developer was first applied, and waiting the substrate for a predetermined processing time; And after the processing time has elapsed, supplying a developer removal fluid to an upper surface of the substrate to which the developer is first applied, and secondly supplying the developer to a region of the substrate to which the developer removal fluid is supplied.

또한, 상기 현상액 제거 유체의 공급과 상기 현상액의 2차 공급은 동시에 진행될 수 있다.In addition, the supply of the developer removing fluid and the secondary supply of the developer may proceed simultaneously.

또한, 상기 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 현상액을 2차 공급하는 현상액 공급부재의 전방에 위치하며, 상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향과 반대방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급할 수 있다.In addition, the fluid supply member for supplying the developer removal fluid is located in front of the developer supply member for secondary supplying the developer along the transfer direction of the substrate, and the fluid supply member and the developer supply member transfer the substrate. It moves in a direction opposite to the direction and may supply the developer removing fluid and the developer.

또한, 상기 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 현상액을 2차 공급하는 현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급할 수 있다.In addition, the fluid supply member for supplying the developer removal fluid is located at the rear of the developer supply member for secondary supplying the developer along the transfer direction of the substrate, and the fluid supply member and the developer supply member transfer the substrate. It moves in the direction and can supply the developer removing fluid and the developer.

또한, 상기 현상액의 1차 공급과 2차 공급은 상기 기판의 상면에 대해 제1방향으로, 그리고 상기 제1방향과 상이한 제2방향으로 동시에 이루어질 수 있다.Further, the first supply and the second supply of the developer may be performed simultaneously in a first direction with respect to the upper surface of the substrate and in a second direction different from the first direction.

또한, 상기 제1방향은 상기 기판의 상면에 수직하고, 상기 제2방향은 상기 기판의 상면에 비스듬히 경사질 수 있다.In addition, the first direction may be perpendicular to the upper surface of the substrate, and the second direction may be obliquely inclined to the upper surface of the substrate.

또한, 상기 현상액 제거 유체는 탈이온수(DI water) 또는 질소가스를 포함할 수 있다.In addition, the developer removing fluid may include DI water or nitrogen gas.

본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 일방향으로 기판을 이송가능하고, 이송이 정지된 기판을 지지하는 기판이송부재; 상기 기판이송부재의 상부에 위치하며, 기판으로 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재; 상기 기판이송부재의 상부에 위치하며, 기판으로 현상액을 공급하는 현상액 공급노즐; 상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재를 지지하는 지지부재; 및 상기 기판의 이동경로 상부에서 상기 지지부재를 이동시키는 구동부를 포함하며, 상기 구동부는 이송이 정지된 기판의 상부를 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재가 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하도록 상기 지지부재를 이동시킨다.A substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention includes a process chamber; A substrate transfer member positioned in the process chamber, capable of transferring a substrate in one direction, and supporting a substrate at which transfer is stopped; A fluid supply member positioned above the substrate transfer member and supplying a developer removing fluid to the substrate; A developer supply nozzle positioned above the substrate transfer member and supplying a developer solution to the substrate; A support member supporting the fluid supply member and the developer supply member; And a driving unit for moving the support member above a movement path of the substrate, wherein the driving unit moves the fluid supply member and the second developer supply member to the upper portion of the substrate at which the transfer is stopped, and the developer removing fluid and the The support member is moved to supply the developer.

본 발명에 의하면, 현상 처리의 2회 실시로 기판상에 도포된 레지스트가 충분히 제거될 수 있다.According to the present invention, the resist applied on the substrate can be sufficiently removed by performing the development treatment twice.

또한, 본 발명에 의하면, 이송으로 인한 기판 처짐 및 진동 발생이 예방되고, 현상액의 유실(drop)이 방지되므로 기판에 도포된 현상액의 균일도가 향상된다.In addition, according to the present invention, since sagging and vibration of the substrate due to transfer are prevented, and drop of the developer is prevented, the uniformity of the developer applied to the substrate is improved.

또한, 본 발명에 의하면, 처리 시간동안 기판이송이 정지되므로 현상 장치의 설비면적이 축소된다. Further, according to the present invention, since the substrate transfer is stopped during the processing time, the installation area of the developing apparatus is reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 현상 장치를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 처리 시간 동안의 공정 과정을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 현상액 제거 유체와 현상액의 2차 공급 과정을 나타내는 도면이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 기판 처리 공정에 따라 레지스터가 제거되는 과정을 순차적으로 보여주는 도며이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상액 제거유체와 현상액 2차 공급과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체 공급부재와 제2현상액 공급노즐 및 이를 이용한 공정 과정을 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상 장치를 나타내는 도면이다.
도 13 내지 도 15는 도 12의 현상 장치를 이용하여 현상 공정을 수행하는 과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
1 is a schematic diagram of a substrate processing system 1 according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram of a developing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing a process process during a treatment time according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a second supply process of a developer removing fluid and a developer according to an embodiment of the present invention.
6 to 8 are diagrams sequentially showing a process in which a resistor is removed according to the substrate processing process of the present invention.
9 and 10 are views sequentially showing a process of supplying a developer removing fluid and a second developer according to another embodiment of the present invention.
11 is a view showing a fluid supply member and a second developer supply nozzle, and a process process using the same according to another embodiment of the present invention.
12 is a view showing a developing apparatus according to another embodiment of the present invention.
13 to 15 are views sequentially illustrating a process of performing a developing process using the developing apparatus of FIG. 12.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)을 간략하게 나타내는 도면이다.1 is a schematic diagram of a substrate processing system 1 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템(1)은 카세트 스테이션(10), 공정 스테이션(20), 그리고 인터페이스 스테이션(30)을 포함한다. 카세트 스테이션(10), 공정 스테이션(20), 그리고 인터페이스 스테이션(30)은 순차적으로 일 방향으로 배치된다. 카세트 스테이션(10)은 기판(Glass, G)들이 수납된 카세트(C)에서 카세트를 인출하여 공정 스테이션(20)으로 제공한다. 공정 스테이션(20)은 포토리소그래피 공정을 수행하는 유닛들이 일렬로 배치되어, 일련의 공정 처리를 수행한다. 인터페이스 스테이션(30)은 기판(G)의 방향을 전환하고, 노광장치(40)로 기판(G)을 전달하며, 노광 처리 후 기판(G)을 공정 스테이션(20)에 제공한다. 이하, 카세트 스테이션(10), 공정 스테이션(20), 그리고 인터페이스 스테이션(30)이 배치된 방향을 제1방향(X), 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직한 방향을 제2방향(Y), 그리고 제1방향(X) 및 제2방향(Y)에 수직한 방향, 즉 상하방향을 제3방향(Z)이라 칭한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a cassette station 10, a process station 20, and an interface station 30. The cassette station 10, the process station 20, and the interface station 30 are sequentially arranged in one direction. The cassette station 10 extracts the cassette from the cassette C in which the substrates (Glass, G) are accommodated, and provides it to the process station 20. In the process station 20, units for performing a photolithography process are arranged in a line to perform a series of process processes. The interface station 30 changes the direction of the substrate G, transfers the substrate G to the exposure apparatus 40, and provides the substrate G to the process station 20 after exposure treatment. Hereinafter, the direction in which the cassette station 10, the process station 20, and the interface station 30 are arranged is indicated in the first direction (X), and when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction (X) is referred to as the second direction. A direction Y, and a direction perpendicular to the first direction X and the second direction Y, that is, the vertical direction is referred to as a third direction Z.

카세트 스테이션(10)은 카세트 스테이지(11)와 반송 장치(12)를 포함한다. The cassette station 10 includes a cassette stage 11 and a conveying device 12.

카세트 스테이지(11)는 복수 개 제공되며, 제2방향(Y)을 따라 일렬로 배치된다. 카세트 스테이지(11)에는 복수 매의 기판(G)들이 상하방향으로 적층 수납된 카세트(C)가 놓인다. 카세트(C)에는 공정처리에 제공될 기판(G) 및 공정 처리가 완료된 기판(G)이 수납된다.A plurality of cassette stages 11 are provided, and are arranged in a row along the second direction Y. A cassette C in which a plurality of substrates G are stacked and accommodated in the vertical direction is placed on the cassette stage 11. The cassette C accommodates the substrate G to be subjected to the process treatment and the substrate G after the process treatment has been completed.

반송 장치(12)는 카세트 스테이지(11)의 후방에 제공된다. 반송 장치(12)에는 카세트(C)에 수납된 기판의 출입을 행하고, 기판(G)을 공정 스테이션(20) 측으로 전달할 수 있는 반송 로봇(13)이 제공된다. 반송 로봇(13)은 기판(G)을 지지할 수 있는 아암(14)을 가지며, 제1 내지 제3방향(X, Y, Z)으로 이동가능하고, 제3방향(Z)을 축으로 회전가능하도록 제공된다.The conveying device 12 is provided at the rear of the cassette stage 11. The transfer device 12 is provided with a transfer robot 13 capable of transferring the substrate G to the process station 20 side by moving in and out of the substrate stored in the cassette C. The transfer robot 13 has an arm 14 capable of supporting the substrate G, is movable in the first to third directions (X, Y, Z), and rotates in the third direction (Z) as an axis. It is provided as possible.

공정 스테이션(20)은 평판 표시 패널의 제조 공정에 있어서 포토리소그래피 공정 중 세정, 레지스트 도포, 프리 베이크, 현상, 포스트 베이크 등 일련의 처리를 행할 수 있도록 제공된다. 공정 스테이션(20)에는 위에서 언급한 공정 처리를 개별적으로 수행할 수 있는 공정 유닛들이 두 개의 공정 라인(20a, 20b)으로 배열된다. 공정 라인(20a, 20b)은 제1방향(X)과 나란하게 제공된다. 제1공정 라인(20a)에는 노광 처리 전 공정을 수행하는 공정 유닛들이 일렬 배열되고, 반송 장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(30) 측으로 기판(G)을 이송한다. 제2공정 라인(20b)은 노광 처리 후공정을 수행하는 공정 유닛들이 일렬 배열되며, 인터페이스 스테이션(30)에서부터 반송 장치(12) 측으로 기판(G)을 이송한다.The process station 20 is provided to perform a series of treatments such as cleaning, resist coating, pre-baking, development, and post-baking during a photolithography process in a manufacturing process of a flat panel display panel. In the process station 20, process units capable of individually performing the above-mentioned process treatment are arranged in two process lines 20a and 20b. The process lines 20a and 20b are provided in parallel with the first direction X. In the first process line 20a, process units that perform a pre-exposure process are arranged in a line, and the substrate G is transferred from the transfer device 12 to the interface station 30 side. In the second process line 20b, process units performing a post-exposure process are arranged in a row, and the substrate G is transferred from the interface station 30 to the transfer device 12 side.

제1공정 라인(20a)에는 반송 장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(20) 측으로 반입 장치(51), 세정 처리부, 제1열 처리부, 도포 처리부, 제2열 처리부가 순차적으로 일렬 배치된다.In the first process line 20a, a carrying device 51, a washing treatment part, a first heat treatment part, a coating treatment part, and a second heat treatment part are sequentially arranged in a row from the conveying device 12 to the interface station 20 side.

반입 장치(51)는 반송 로봇(13)으로부터 미처리 기판(G)을 수취하고, 세정 처리부(52) 측으로 기판(G)을 투입한다. 세정 처리부(52)에는 엑시머 UV 조사유닛(53)과 스크러브 세정유닛(54)이 순차적으로 제공될 수 있다. 제1열 처리부(55)에는 어드히전 유닛(56)과 냉각 처리유닛(57)이 순차적으로 제공될 수 있다. 도포 처리부(58)에는 레지스트 도포 유닛(59)과 상압 건조 유닛(60)이 순차적으로 제공될 수 있다. 제2열 처리부(61)에는 프리 베이크 유닛(62)과 냉각 유닛(63)이 순차적으로 제공될 수 있다. 제2열 처리부(61)의 끝단에는 패스 유닛(64)이 제공된다. 패스 유닛(64)은 제2열 처리부(61)에서 공정 처리가 완료된 기판(G)을 인터페이스 스테이션(30)으로 전달한다. The carry-in device 51 receives the unprocessed substrate G from the transfer robot 13 and puts the substrate G into the cleaning processing unit 52 side. An excimer UV irradiation unit 53 and a scrub cleaning unit 54 may be sequentially provided to the cleaning treatment unit 52. The first heat treatment unit 55 may be sequentially provided with an advisory unit 56 and a cooling treatment unit 57. The resist coating unit 59 and the atmospheric pressure drying unit 60 may be sequentially provided to the coating processing unit 58. The pre-baking unit 62 and the cooling unit 63 may be sequentially provided to the second heat treatment unit 61. A pass unit 64 is provided at the end of the second heat treatment unit 61. The pass unit 64 transfers the substrate G that has been processed by the second heat treatment unit 61 to the interface station 30.

제2공정 라인(20b)에는 현상 유닛(70), 포스트 베이크 유닛(75), 냉각 유닛(76), 검사 유닛(77)이 순차적으로 일렬 배치된다. 제2공정 라인(20b)의 끝단에는 반출 유닛(78)이 제공된다. 반출 유닛(78)은 공정 처리가 완료된 기판(G)을 수취하여 반송 로봇(13)에 전달한다.The developing unit 70, the post-baking unit 75, the cooling unit 76, and the inspection unit 77 are sequentially arranged in a row on the second process line 20b. A carrying unit 78 is provided at the end of the second process line 20b. The carry-out unit 78 receives the substrate G on which the processing has been completed and transfers it to the transfer robot 13.

인터페이스 스테이션(30)은 제1공정 라인(20a) 및 제2공정 라인(20b), 그리고 노광 유닛(40)으로 기판(G)을 전달하는 반송 로봇(81)을 포함한다. 반송 로봇(81)의 주위에는 회전 스테이지(82)와 주변 장치(83)가 배치된다. 회전 스테이지(82)는 기판(G)을 동일 평면 내에서 회전시키며, 주변 장치(83)는, 예컨대 타이틀러(TITLER)나 주변 노광 장치(EE) 등을 제2공정 라인(20b)과 연결한다.
The interface station 30 includes a first process line 20a and a second process line 20b, and a transfer robot 81 that transfers the substrate G to the exposure unit 40. A rotating stage 82 and a peripheral device 83 are arranged around the transfer robot 81. The rotation stage 82 rotates the substrate G in the same plane, and the peripheral device 83 connects, for example, a titler or a peripheral exposure apparatus EE to the second process line 20b. .

이하, 상술한 기판 처리 시스템(1)에서 기판(G)이 공정 처리되는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of processing the substrate G in the substrate processing system 1 described above will be described.

카세트 스테이션(10)의 반송 로봇(13)은 카세트 스테이지(11) 상의 카세트(C)로부터 미처리 기판(G)을 취출하고, 취출한 기판(G)을 공정 스테이션(20)의 제1공정 라인(20a)에 제공된 반입 장치(51)로 전달한다. 기판(G)은 반입 장치(51)로부터 제1공정 라인(20a)의 각 처리부로 투입 및 이송된다.The transfer robot 13 of the cassette station 10 takes out the unprocessed substrate G from the cassette C on the cassette stage 11, and transfers the taken out substrate G to the first process line of the process station 20 ( It is delivered to the carrying-in device 51 provided in 20a). The substrate G is fed and transferred from the carrying device 51 to each processing unit of the first process line 20a.

기판(G)은 세정 처리부(52)의 엑시머 UV 조사유닛(53)과 스크러브 세정유닛(54)을 순차적으로 거치면서 자외선 세정 처리와 스크러빙 세정 처리가 실시된다. 스크러브 세정유닛(54)은 브러시(Brush) 세정이나 블로우(Blow) 세정을 실시하여 기판(G) 표면으로부터 입자 현상의 오염물을 제거하고, 그 후 린스 및 건조 공정을 수행한다. 세정 처리부(52)를 통과한 기판(G)은 제1열 처리부(55)로 이송된다.The substrate G is subjected to ultraviolet cleaning treatment and scrubbing cleaning treatment while sequentially passing through the excimer UV irradiation unit 53 and the scrub cleaning unit 54 of the cleaning treatment unit 52. The scrub cleaning unit 54 removes contaminants of particle development from the surface of the substrate G by performing brush cleaning or blow cleaning, and then performs rinsing and drying processes. The substrate G that has passed through the cleaning treatment unit 52 is transferred to the first heat treatment unit 55.

제1열 처리부(55)의 어드히전 유닛(56)에서 어드히전 처리의 실시로 기판(G)의 피처리면이 소수화된다. 어드히전 처리 후, 기판(G)은 냉각 처리유닛(57)에서 소정 온도까지 냉각된다. 냉각 처리유닛(57)을 통과한 기판(G)은 도포 처리부(58)로 이송된다.The processing target surface of the substrate G is made hydrophobic by performing the advertisement processing in the advertisement unit 56 of the first heat processing unit 55. After the adhering treatment, the substrate G is cooled to a predetermined temperature in the cooling processing unit 57. The substrate G that has passed through the cooling processing unit 57 is transferred to the coating processing unit 58.

도포 처리부(58)의 레지스트 도포 유닛(59)에서 기판(G)의 상면에 포토레지스트가 도포되고, 상압 건조 유닛(60)에서 기판(G)에 도포된 포토레지스트의 건조가 수행된다. 포토레지스트의 건조는 상압 분위기 하에서 수행된다. 도포 처리부(58)를 통과한 기판(G)은 제2열 처리부(61)로 이송된다.The photoresist is applied to the upper surface of the substrate G in the resist application unit 59 of the coating processing unit 58, and the photoresist applied to the substrate G is dried in the atmospheric drying unit 60. Drying of the photoresist is carried out under atmospheric pressure. The substrate G that has passed through the coating treatment unit 58 is transferred to the second heat treatment unit 61.

제2열 처리부(61)의 프리 베이크 유닛(62)은 레스스트 도포 후의 열처리 또는 노광 전의 열처리로서 프리 베이킹을 수행한다. 프리 베이킹 공정으로 기판(G) 상의 레지스트막에 잔류하고 있는 용제가 증발되며, 기판(G)에 대한 레지스트의 밀착성이 향상된다. 프리 베이킹 공정 후 기판(G)은 냉각 유닛(63)에서 소정 온도까지 냉각된다. 이후 기판(G)은 패스 유닛(64)을 거쳐 인터페이스 스테이션(30)의 반송 로봇(81)에 전달된다.The pre-baking unit 62 of the second heat treatment unit 61 performs pre-baking as a heat treatment after applying the rest or a heat treatment before exposure. The solvent remaining in the resist film on the substrate G is evaporated by the pre-baking process, and the adhesion of the resist to the substrate G is improved. After the pre-baking process, the substrate G is cooled to a predetermined temperature in the cooling unit 63. Thereafter, the substrate G is transferred to the transfer robot 81 of the interface station 30 via the pass unit 64.

인터페이스 스테이션(30)으로 전달된 기판(G)은 로타리 스테이지(82)에서 반향 전환, 예컨대 90°로 방향전환되고, 주변 노광 장치(83)로 반입된다. 주변 노광 장치(EE)에서 기판(G)의 주변부에 도포된 레지스트가 노광 처리된 후, 노광 장치(40)에 전달된다.The substrate G transferred to the interface station 30 is reversed by the rotary stage 82, for example, 90°, and is carried into the peripheral exposure apparatus 83. After the resist applied to the peripheral portion of the substrate G in the peripheral exposure apparatus EE is subjected to exposure treatment, it is transferred to the exposure apparatus 40.

노광 장치(40)에서는 기판(G)에 도포된 레지스트에 소정의 회로 패턴을 노광한다. 노광 처리 후, 기판(G)은 인터페이스 스테이션(30)으로 이송되며, 주변 장치(83)의 타이틀러(TITLER)로 반입된다. 타이틀러(TITLER)에서는 기판(G) 상의 일부 영역에 소정의 정보가 기록된다. 이후, 기판(G)은 현상 유닛(71)으로 제공된다.In the exposure apparatus 40, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist applied to the substrate G. After the exposure treatment, the substrate G is transferred to the interface station 30 and carried into a titler of the peripheral device 83. In the titler (TITLER), predetermined information is recorded in a partial area on the substrate G. Thereafter, the substrate G is provided as a developing unit 71.

현상 유닛(70)은 기판(G)이 일 방향으로 이송되는 동안 현상, 린스, 건조 처리를 순차적으로 수행한다. 현상 유닛(70)은 현상 장치(71), 세정 장치(72), 건조 장치(73)가 제2공정 라인(20b)을 따라 일렬로 배치된다. 현상 장치(71)는 현상 공정을, 세정 장치(72)는 린스 공정을, 건조 장치(73)는 건조 공정을 각각 수행한다.The developing unit 70 sequentially performs development, rinsing, and drying processes while the substrate G is transferred in one direction. In the developing unit 70, a developing device 71, a cleaning device 72, and a drying device 73 are arranged in a row along the second process line 20b. The developing apparatus 71 performs a developing process, the cleaning apparatus 72 performs a rinsing process, and the drying apparatus 73 performs a drying process.

현상 유닛(70)을 통과한 기판은 제3열 처리부(74)와 검사 유닛(77)을 순차적으로 통과한다. 제3열 처리부(74)의 포스트 베이크 유닛(75)에서는 현상 처리 후의 열처리로서, 포스트 베이킹 공정을 수행한다. 포스트 베이킹 공정에 의해 레지스트막에 잔류하고 있던 현상액이나 세정액이 증발 및 제거된다. 포스크 베이킹 공정 후, 기판(G)은 냉각 유닛(76)에서 소정 온도로 냉각된다. 검사 유닛(77)에서는 기판(G) 상의 레지스트 패턴에 대해 비접촉 선폭 검사나 막질, 막 두께 등의 검사를 수행한다.The substrate passing through the developing unit 70 sequentially passes through the third heat treatment unit 74 and the inspection unit 77. In the post-baking unit 75 of the third heat treatment unit 74, a post-baking process is performed as a heat treatment after development treatment. The developer or cleaning liquid remaining on the resist film is evaporated and removed by the post-baking process. After the post baking process, the substrate G is cooled to a predetermined temperature in the cooling unit 76. The inspection unit 77 performs non-contact line width inspection, film quality, and film thickness inspection on the resist pattern on the substrate G.

반출 유닛(78)은 제2공정 라인(20b)에서 공정 처리를 마치고 이송된 기판(G)을 수취하며, 카세트 스테이션(20)의 반송 로봇(13)에 전달한다. 반송 로봇(13)은 수취한 기판(G)을 카세트(C)에 수납한다.
The carry-out unit 78 receives the transferred substrate G after completing the process in the second process line 20b, and transfers it to the transfer robot 13 of the cassette station 20. The transfer robot 13 accommodates the received substrate G in the cassette C.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 현상 장치를 간략하게 나타내는 도면이다.2 is a schematic diagram of a developing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 현상 장치(71)는 공정 챔버(110), 기판이송부재(120), 제1현상액 공급부재(130), 유체 공급부재(140), 제2현상액 공급부재(150), 제어부재(161), 지지부재(165), 그리고 구동부(170)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the developing apparatus 71 includes a process chamber 110, a substrate transfer member 120, a first developer supply member 130, a fluid supply member 140, a second developer supply member 150, It includes a control member 161, a support member 165, and a driving unit 170.

공정 챔버(110)는 내부에 공간이 형성되며, 현상 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정 챔버(110)는 길이가 일 방향으로 길게 제공된다. 공정 챔버(110)의 전방과 후방에는 각각 개구(111, 112)가 형성된다. 공정 챔버(110)의 전방에 형성된 개구(111)는 타이틀러(TITLER)에서부터 기판(G)이 반입되는 입구로 제공되고, 공정 챔버(110)의 후방에 형성된 개구(112)는 세정 장치(72)로 기판(G)이 반출되는 출구로 제공된다.The process chamber 110 has a space formed therein, and provides a space in which a developing process is performed. The process chamber 110 is provided with a length in one direction. Openings 111 and 112 are formed in front and rear of the process chamber 110, respectively. The opening 111 formed in front of the process chamber 110 is provided as an inlet through which the substrate G is carried from the TITLER, and the opening 112 formed at the rear of the process chamber 110 is a cleaning device 72 ) Is provided as an outlet through which the substrate G is carried out.

기판이송부재(120)는 공정 챔버(110) 내에 배치된다. 기판이송부재(120)는 공정 챔버(110)의 입구(111)에서 출구(112)를 향하는 방향으로 기판(G)을 이송가능하다. 그리고, 기판이송부재(120)는 기판(G)의 이송을 정지시키고, 기판(G)을 지지할 수 있다. 이하, 공정 챔버(110)내에서 기판(G)이 이송되는 방향을 이송 방향(X2)이라 칭한다. 기판이송부재(120)는 샤프트(121), 롤러(122), 그리고 구동기(미도시)를 포함한다.The substrate transfer member 120 is disposed in the process chamber 110. The substrate transfer member 120 may transfer the substrate G in a direction from the inlet 111 to the outlet 112 of the process chamber 110. In addition, the substrate transfer member 120 may stop the transfer of the substrate G and support the substrate G. Hereinafter, the direction in which the substrate G is transferred in the process chamber 110 is referred to as a transfer direction X2. The substrate transfer member 120 includes a shaft 121, a roller 122, and a driver (not shown).

샤프트(121)는 복수 개 제공되며, 이송 방향(X2)을 따라 나란하게 배치된다. 샤프트(121)들은 서로 간의 간격이 일정하게 유지되도록 배치된다. 샤프트(121)들이 위치한 높이는 입구(111) 및 출구(112)에 대응된다.A plurality of shafts 121 are provided and are arranged side by side along the transport direction X2. The shafts 121 are arranged so that the distance between them is kept constant. The height at which the shafts 121 are located corresponds to the inlet 111 and the outlet 112.

롤러(122)는 복수 개 제공되며, 샤프트(121)들 각각에 결합한다. 롤러(122)들은 그 중심축에 홀이 형성되고, 샤프트(121)가 홀에 강제 끼움된다. 롤러(122)들은 샤프트(121)들 각각에 적어도 2개 이상 결합될 수 있으며, 인전한 롤러(122)와 소정 거리를 유지한다. 롤러(122)들은 샤프트(121)들과 함게 회전한다.A plurality of rollers 122 are provided, and are coupled to each of the shafts 121. The rollers 122 have a hole formed in their central axis, and the shaft 121 is forcibly fitted into the hole. At least two of the rollers 122 may be coupled to each of the shafts 121 and maintain a predetermined distance from the inducted roller 122. The rollers 122 rotate together with the shafts 121.

구동기는 적어도 어느 하나의 샤프트(121)와 연결되며, 샤프트(121)를 회전시킨다. 샤프트(121)의 회전력은 동력 전달 부재(미도시), 예컨대 풀리, 벨트 등을 통해 다른 샤프트(121)들에 전달된다. 샤프트(121)들과 롤러(122)들의 회전으로 기판(G)은 이송 방향(X2)으로 이송될 수 있다.The driver is connected to at least one of the shafts 121 and rotates the shaft 121. The rotational force of the shaft 121 is transmitted to the other shafts 121 through a power transmission member (not shown), such as a pulley or a belt. The substrate G may be transferred in the transfer direction X2 by rotation of the shafts 121 and the rollers 122.

제어부재(161)는 기판이송부재(120)의 구동을 제어한다. 기판이송부재(120)에 기판(G)이 안착되면, 제어부재(161)는 구동기를 구동시켜 기판(G)을 일 방향으로 이송한다. 기판(G)이 이송되는 동안, 제1현상액 공급부재(130)로부터 현상액이 1차 공급된다. 현상액의 1차 도포가 완료되면, 제어부재(161)는 기판이송부재(120)의 구동을 정지시키고, 처리 시간동안 기판(G)을 정지 상태로 유지시킨다. 처리 시간의 경과 후, 현상액 제거 유체의 공급과 현상액의 2차 공급이 수행된다. 현상액 제거 유체와 현상액의 2차 공급이 수행되는 동안, 기판(G)은 정지 상태를 유지한다. 현상액의 2차 도포과 완료되면, 제어부재(161)는 출구(112)측으로 기판(G)이 반출되도록 기판 이송부재(120)를 구동시킨다.The control member 161 controls the driving of the substrate transfer member 120. When the substrate G is seated on the substrate transfer member 120, the control member 161 drives the driver to transfer the substrate G in one direction. While the substrate G is being transferred, the developer is primarily supplied from the first developer supply member 130. When the first application of the developer is completed, the control member 161 stops the driving of the substrate transfer member 120 and maintains the substrate G in a stopped state during the processing time. After the lapse of the treatment time, the supply of the developer removal fluid and the secondary supply of the developer are performed. While the secondary supply of the developer removal fluid and the developer is performed, the substrate G remains stationary. Upon completion of the secondary application of the developer, the control member 161 drives the substrate transfer member 120 such that the substrate G is carried out toward the outlet 112.

제1현상액 공급부재(130)는 기판이송부재(120)의 상부에 위치하며, 이송되는 기판(G)으로 현상액을 1차 공급한다. 제1현상액 공급부재(130)는 입구(111)에 인접하여 위치할 수 있다.The first developer supply member 130 is located above the substrate transfer member 120 and primarily supplies the developer to the transferred substrate G. The first developer supply member 130 may be located adjacent to the inlet 111.

실시예에 의하면, 제1현상액 공급부재(130)는 제1노즐(131)과 제2노즐(132)을 포함한다. 제2노즐(132)은 제1노즐(131)과 입구(111) 사이에 배치된다. 제1노즐(131)은 이송되는 기판(G)의 상면에 대해 제1방향(Z1)으로 배치되고, 제2노즐(132)은 제1방향(Z1)과 상이한 제2방향(Z2)으로 배치된다. 제1방향(Z1)은 기판(G)의 상면에 수직일 수 있으며, 제2방향(Z2)은 기판(G)의 상면에 대해 소정 각도로 경사질 수 있다. 제2방향(Z2)은 기판(G)의 이송방향(X2)을 향해 비스듬히 경사질 수 있다. 제1노즐(131)과 제2노즐(132)은 동시에 기판(G)으로 현상액을 토출한다. 제1노즐(131)과 제2노즐(132)은 기판(G) 상의 동일한 영역으로 현상액을 토출할 수 있다.According to an embodiment, the first developer supply member 130 includes a first nozzle 131 and a second nozzle 132. The second nozzle 132 is disposed between the first nozzle 131 and the inlet 111. The first nozzle 131 is disposed in a first direction Z1 with respect to the upper surface of the substrate G to be transferred, and the second nozzle 132 is disposed in a second direction Z2 different from the first direction Z1 do. The first direction Z1 may be perpendicular to the upper surface of the substrate G, and the second direction Z2 may be inclined at a predetermined angle with respect to the upper surface of the substrate G. The second direction Z2 may be obliquely inclined toward the transfer direction X2 of the substrate G. The first nozzle 131 and the second nozzle 132 simultaneously discharge a developer to the substrate G. The first nozzle 131 and the second nozzle 132 may discharge a developer to the same area on the substrate G.

유체 공급부재(140)는 기판(G)의 이송방향(X2)을 따라 제1현상액 공급부재(130)의 후방에 위치한다. 유체 공급부재(140)는 현상액(d1)이 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급노즐(141)을 포함한다. 유체 공급노즐(141)은 현상액의 1차 도포 후 이송이 정지된 기판(G)으로 현상액 제거 유체를 공급한다. 현상액 제거 유체는 탈이온수(DI water) 또는 불활성 가스, 예컨대 질소 가스(N2)를 포함할 수 있다. 현상액 제거 유체는 기판(G)에 도포된 현상액을 제거한다. 실시예에 의하면, 유체 공급노즐(141)은 기판(G)의 상면에 수직 방향으로 현상액 제거 유체를 공급한다. The fluid supply member 140 is located at the rear of the first developer supply member 130 along the transport direction X2 of the substrate G. The fluid supply member 140 includes a fluid supply nozzle 141 through which the developer d1 supplies a developer removal fluid. The fluid supply nozzle 141 supplies a developer removal fluid to the substrate G where the transfer is stopped after the first application of the developer. The developer removal fluid may include DI water or an inert gas such as nitrogen gas N 2 . The developer removal fluid removes the developer applied to the substrate G. According to the embodiment, the fluid supply nozzle 141 supplies a developer removal fluid in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate G.

제2현상액 공급부재(150)는 기판(G)의 이송방향(X2)을 따라 유체 공급부재(140)의 후방에 위치한다. 제2현상액 공급부재(150)는 현상액 제거 유체가 공급된 기판(G)의 상면으로 현상액을 2차 공급한다. The second developer supply member 150 is located at the rear of the fluid supply member 140 along the transfer direction X2 of the substrate G. The second developer supply member 150 secondaryly supplies the developer to the upper surface of the substrate G supplied with the developer removal fluid.

실시예에 의하면, 제2현상액 공급부재(150)는 제3노즐(151)과 제4노즐(152)을 포함한다. 제3노즐(151)은 제4노즐(152)보다 출구(112)에 인접 배치된다. 제3노즐(151)은 기판(G)의 상면에 대해 제1노즐(131)과 동일한 방향으로 배치되고, 제4노즐(152)은 제2노즐(132)과 동일한 방향으로 배치될 수 있다. 제3노즐(151)과 제4노즐(152)은 동시에 기판(G)으로 현상액을 토출한다. 제3노즐(151)과 제4노즐(152)은 기판(G) 상의 동일한 영역으로 현상액을 토출할 수 있다.According to the embodiment, the second developer supply member 150 includes a third nozzle 151 and a fourth nozzle 152. The third nozzle 151 is disposed closer to the outlet 112 than the fourth nozzle 152. The third nozzle 151 may be disposed in the same direction as the first nozzle 131 with respect to the upper surface of the substrate G, and the fourth nozzle 152 may be disposed in the same direction as the second nozzle 132. The third nozzle 151 and the fourth nozzle 152 simultaneously discharge a developer to the substrate G. The third nozzle 151 and the fourth nozzle 152 may discharge a developer to the same area on the substrate G.

상술한 제1현상액 공급노즐(131, 132), 유체 공급노즐(141), 그리고 제2현상액 공급노즐(151, 152)은 퍼들 나이프(Puddle Knife)가 사용될 수 있다.The first developer supply nozzles 131 and 132, the fluid supply nozzle 141, and the second developer supply nozzles 151 and 152 described above may use a puddle knife.

지지부재(165)는 유체 공급부재(140)와 제2현상액 공급부재(150)를 지지한다. 지지부재(165)는 기판 이송부재(120)의 상부에서, 기판(G)의 이송 경로와 나란한 경로를 따라 전후 방향으로 이동가능하게 제공된다.The support member 165 supports the fluid supply member 140 and the second developer supply member 150. The support member 165 is provided so as to be movable in the front-rear direction along a path parallel to the transfer path of the substrate G, above the substrate transfer member 120.

지지부재(165)를 전후 방향으로 이동시킨다. 구동부(170)의 구동으로, 유체 공급부재(140)와 제2현상액 공급부재(150)는 기판지지부재(120)에서 이동이 정지된 기판(G) 상부를 따라 이동하며 현상액 제거 유체와 현상액을 동시에 공급한다.
The support member 165 is moved in the front-rear direction. With the driving of the driving unit 170, the fluid supply member 140 and the second developer supply member 150 move along the upper portion of the substrate G where the movement is stopped from the substrate support member 120, and transfer the developer removal fluid and the developer. Supply at the same time.

이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus described above will be described.

도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 공정 챔버(110) 내로 반입된 기판(G)은 기판이송부재(120)에 지지된다. 기판이송부재(120)는 기판(G)을 이송방향으로 이송한다.(S10) 기판(G)이 이송되는 동안, 제1노즐(131) 및 제2노즐(132)에서 동시에 현상액이 1차 공급된다.(S20) 기판(G)의 이송으로, 기판(G)의 일단에서부터 타단까지 전면에 현상액(d1)이 도포된다. 2 and 3, the substrate G carried into the process chamber 110 is supported by the substrate transfer member 120. The substrate transfer member 120 transfers the substrate G in the transfer direction. (S10) While the substrate G is transferred, the first and second nozzles 131 and 132 simultaneously supply the developer. (S20) By transferring the substrate G, the developer d1 is applied on the entire surface from one end to the other end of the substrate G.

현상액(d1)의 1차 도포과 완료되면 기판이송부재(120)는 도 4와 같이, 기판(G)의 이송을 정지시킨다.(S30) 기판(G)은 기 설정된 처리 시간동안 대기한다.(S40) 이 시간동안 현상액과 레지스터의 1차 반응이 이루어진다.Upon completion of the first application of the developer d1, the substrate transfer member 120 stops the transfer of the substrate G, as shown in Fig. 4. (S30) The substrate G waits for a preset processing time (S40). ) During this time, the first reaction between the developer and the resistor takes place.

처리 시간 경과 후, 구동부(170)의 구동으로 지지부재(165)는 유체 공급부재(140)와 제2현상액 공급부재(150)를 이동시킨다. 실시예에 의하면, 지지부재(165)는 도 5와 같이 기판(G)의 이송방향(X2)과 반대방향(L1)으로 이동하며, 이 과정에서 유체 공급노즐(141)은 현상액 제거유체를(S50), 제3노즐(151)과 제4노즐(152)은 동시에 현상액을 기판(G) 상면으로 공급한다.(S60) 현상액 제거유체의 공급으로 기판(G)상에 1차 도포된 현상액과 레지스트의 일부가 1차 제거된다. 제3노즐(151)과 제4노즐(152)은 현상액 제거유체가 공급된 기판 영역으로 현상액을 공급하며, 이로 인해 현상액(d2)이 기판(G)에 2차 도포된다.After the processing time has elapsed, the support member 165 moves the fluid supply member 140 and the second developer supply member 150 by the driving of the driving unit 170. According to the embodiment, the support member 165 moves in a direction L1 opposite to the transfer direction X2 of the substrate G, as shown in FIG. 5, and in this process, the fluid supply nozzle 141 supplies the developer removing fluid ( S50), the third nozzle 151 and the fourth nozzle 152 simultaneously supply the developer solution to the upper surface of the substrate G. (S60) The developer solution first applied on the substrate G by supplying the developer removal fluid and Part of the resist is first removed. The third and fourth nozzles 151 and 152 supply a developer to a region of the substrate to which the developer removing fluid is supplied, and thus, the developer d2 is secondarily applied to the substrate G.

현상액(d2)의 2차 도포과 완료되면, 지지부재(165)는 반대방향(L2)으로 이동하여 대기위치에 위치하고, 기판이송부재(120)는 출구(112)측으로 기판(G)을 이송한다. Upon completion of the secondary application of the developer d2, the support member 165 moves in the opposite direction L2 and is positioned at the standby position, and the substrate transfer member 120 transfers the substrate G toward the outlet 112.

기판(G)은 현상 장치(71)로부터 세정 장치(도 1의 72)로 전달되며, 세정 및 건조 공정을 거치며, 레지스트가 완전 제거된다.
The substrate G is transferred from the developing device 71 to the cleaning device (72 in Fig. 1), undergoes cleaning and drying processes, and the resist is completely removed.

도 6 내지 도 8은 본 발명의 기판 처리 공정에 따라 레지스터가 제거되는 과정을 순차적으로 보여주는 도며이다.6 to 8 are diagrams sequentially showing a process in which a resistor is removed according to the substrate processing process of the present invention.

기판(G)상에 도포된 레지스트(R1)는 현상 공정에서 제거된다. 최근 기판(G)상에 형성된 패턴(P)의 폭이 좁아지고 높이가 높아짐에 따라 패턴(P) 사이에 도포된 레지스트(R1)의 두께도 도 6와 같이, 함께 두꺼워진다. 때문에 1회의 현상 처리로 레지스트(R1) 제거가 용이하지 않다. 실시예에 의하면, 현상액(d1)을 1차 공급하고, 처리 시간 경과 후 현상액 제거 유체의 공급으로 레지스트(R1)의 상부가 도 7과 같이 제거된다. 그리고, 현상액(d2)을 2차 공급하고, 처리 시간 경과 후 린스 공정에서 레지스트(R2)의 나머지가 도 8과 같이 제거된다.
The resist R1 applied on the substrate G is removed in the developing process. Recently, as the width of the pattern P formed on the substrate G becomes narrower and the height increases, the thickness of the resist R1 applied between the patterns P also increases as shown in FIG. 6. Therefore, it is not easy to remove the resist R1 in one development treatment. According to the embodiment, the developer d1 is first supplied, and the upper portion of the resist R1 is removed as shown in FIG. 7 by supplying the developer removal fluid after the processing time has elapsed. Then, the developer d2 is secondarily supplied, and the rest of the resist R2 is removed as shown in FIG. 8 in the rinsing process after the processing time has elapsed.

도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상액 제거유체와 현상액 2차 공급과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.9 and 10 are views sequentially showing a process of supplying a developer removing fluid and a second developer according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 지지부재(165)는 유체 공급노즐(141)과 제3노즐(151), 그리고 제4노즐(152)을 기판 이송방향(X2)과 반대방향(L1)으로 이송한다. 지지부재(165)가 이동하는 동안, 유체 공급노즐(141)은 기판(G) 상면으로 현상액 제거유체를 공급한다. 유체 공급노즐(141)은 기판(G)의 후단으로부터 전단으로 이동하며, 기판(G) 전면으로 현상액 제거유체를 공급한다.9, the support member 165 transfers the fluid supply nozzle 141, the third nozzle 151, and the fourth nozzle 152 in a direction L1 opposite to the substrate transfer direction X2. While the support member 165 is moving, the fluid supply nozzle 141 supplies a developer removing fluid to the upper surface of the substrate G. The fluid supply nozzle 141 moves from the rear end of the substrate G to the front end, and supplies the developer removal fluid to the front surface of the substrate G.

현상액 제거유체의 공급이 완료되면, 지지부재(165)는 기판(G)의 후방으로 이동하고, 다시 기판(G)의 이송방향(X2)과 반대방향(L1)으로 기판(G)의 후단으로부터 전단으로 이동한다. 지지부재(165)가 이동하는 동안, 제3노즐(151)과 제4노즐(152)은 기판(G)의 상면으로 현상액을 공급한다. 현상액(d2)은 기판(G)의 전면에 2차 도포된다.
When the supply of the developer removal fluid is completed, the support member 165 moves to the rear of the substrate G, and again from the rear end of the substrate G in a direction L1 opposite to the transfer direction X2 of the substrate G. Go to the shear. While the support member 165 is moving, the third nozzle 151 and the fourth nozzle 152 supply a developer solution to the upper surface of the substrate G. The developer d2 is secondarily applied to the entire surface of the substrate G.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체 공급부재와 제2현상액 공급노즐 및 이를 이용한 공정 과정을 나타내는 도면이다.11 is a view showing a fluid supply member and a second developer supply nozzle, and a process process using the same according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 유체 공급노즐(141)은 기판의 이송방향(X2)을 따라 제3노즐(151) 및 제4노즐(152)의 후방에 배치된다. 현상액의 1차 도포 후 처리 시간이 경과되면, 지지부재(165)는 기판(G)의 전방으로 이동 후 기판(G)의 이송방향(X2)을 따라 이동한다. 지지부재(165)가 기판(G)의 이송방향으로 이동하는 동안 유체 공급노즐(141)은 현상액 제거유체를 기판(G) 상면으로 공급하고, 제3노즐(151)과 제4노즐(152)은 현상액 제거유체가 공급된 기판(G) 영역으로 현상액을 2차 공급한다. 현상액 제거유체의 공급으로 기판(G)상에 1차 도포된 현상액(d1)이 제거되고, 현상액의 2차 공급으로 기판(G)상에 현상액(d2)이 2차 도포된다.
Referring to FIG. 11, the fluid supply nozzle 141 is disposed behind the third nozzle 151 and the fourth nozzle 152 along the transfer direction X2 of the substrate. When the processing time elapses after the first application of the developer, the support member 165 moves to the front of the substrate G and then moves along the transfer direction X2 of the substrate G. While the support member 165 moves in the transport direction of the substrate G, the fluid supply nozzle 141 supplies the developer removing fluid to the upper surface of the substrate G, and the third nozzle 151 and the fourth nozzle 152 The developer is secondarily supplied to the region of the substrate G to which the silver developer removing fluid is supplied. The developer solution d1 first applied on the substrate G is removed by supply of the developer removal fluid, and the developer solution d2 is secondarily applied on the substrate G by the secondary supply of the developer solution.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상 장치를 나타내는 도면이다.12 is a view showing a developing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 현상 장치(71a)는 공정 챔버(210), 기판이송부재(220), 현상액 공급부재(230), 제1유체 공급부재(240), 지지부재(250), 구동부(260), 그리고 제2유체 공급부재(270)를 포함한다.Referring to FIG. 12, the developing apparatus 71a includes a process chamber 210, a substrate transfer member 220, a developer supply member 230, a first fluid supply member 240, a support member 250, and a driving unit 260. ), and a second fluid supply member 270.

공정 챔버(210)의 내부에는 기판이송부재(220)가 제공된다. 기판이송부재(220)는 기판(G)을 일 방향으로 이송가능하며, 정지 상태에서 기판(G)을 지지한다. 제1유체 공급부재(240)와 현상액 공급부재(230)는 기판이송부재(220)의 상부에 위치하며, 지지부재(250)에 지지된다. 구동부(260)는 지지부재(250)를 기판이송부재(220)의 상부에서 이동시킨다. A substrate transfer member 220 is provided inside the process chamber 210. The substrate transfer member 220 can transfer the substrate G in one direction, and supports the substrate G in a stopped state. The first fluid supply member 240 and the developer supply member 230 are positioned above the substrate transfer member 220 and are supported by the support member 250. The driving unit 260 moves the support member 250 above the substrate transfer member 220.

제2유체 공급부재(270)는 기판이송부재(220)의 상부에서 출구(212)에 인접하여 위치하며, 기판(G)으로 현상액 제거 유체를 공급한다.
The second fluid supply member 270 is located above the substrate transfer member 220 and adjacent to the outlet 212 and supplies a developer removing fluid to the substrate G.

이하, 상술한 현상 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of processing a substrate using the above-described developing apparatus will be described.

도 13을 참조하면, 기판(G)은 기판이송부재(220)에 의해 소정 거리 이송되며, 기 설정된 지점에서 정지하여 위치한다. 지지부재(250)는 기판(G)의 전방으로 이동한 후, 기판(G)의 이송방향(X2)과 동일한 방향으로 기판(G)의 전단에서 후단으로 이동한다. 지지부재(250)가 이동하는 동안, 현상액 공급부재(230)는 기판(G)의 상면으로 현상액을 공급한다. 현상액(d1)은 기판(G)의 전단에서 후단으로 순차적으로 기판(G) 전면에 1차 도포된다.Referring to FIG. 13, the substrate G is transferred by a substrate transfer member 220 for a predetermined distance, and is stopped and positioned at a preset point. After moving to the front of the substrate G, the support member 250 moves from the front end to the rear end of the substrate G in the same direction as the transfer direction X2 of the substrate G. While the support member 250 is moving, the developer supply member 230 supplies the developer solution to the upper surface of the substrate G. The developer d1 is first applied to the entire surface of the substrate G sequentially from the front end to the rear end of the substrate G.

현상액의 1차 도포가 완료되면, 지지부재(250)는 처리시간동안 대기한다.When the first application of the developer is completed, the support member 250 waits for a treatment time.

처리시간의 경과 후, 지지부재(250)는 도 14와 같이 기판(G)의 이송방향과 반대방향(L1)으로 이동한다. 지지부재(250)가 이동하는 동안, 제1유체 공급부재(240)는 현상액(d1)이 1차 도포된 기판(G)으로 현상액 제거유체를, 현상액 공급부재(230)는 현상액 제거유체가 공급된 기판(G) 영역으로 현상액(d2)을 2차 공급한다. 현상액의 2차 공급으로, 기판(G)은 현상액(d2)으로 다시 도포된다.After the lapse of the processing time, the support member 250 moves in a direction L1 opposite to the transfer direction of the substrate G as shown in FIG. 14. While the support member 250 is moving, the first fluid supply member 240 supplies the developer removal fluid to the substrate G on which the developer d1 is first applied, and the developer supply member 230 supplies the developer removal fluid. The developer d2 is secondarily supplied to the area of the substrate G. With the secondary supply of the developer, the substrate G is again applied with the developer d2.

현상액(d2)의 2차 도포가 완료되면, 기판(G)은 처리시간 동안 기판지지부재 (220)위에서 대기한다. 그리고 기판(G)은 기판이송부재(220)에 의해 출구(도 12의 212)측으로 이송된다.When the secondary application of the developer d2 is completed, the substrate G waits on the substrate support member 220 for processing time. Then, the substrate G is transferred to the outlet (212 in FIG. 12) by the substrate transfer member 220.

기판(G)이 이송되는 동안, 제2유체 공급부재(270)는 도 15와 같이 기판(G)의 상면으로 현상액 제거 유체를 공급한다. 기판(G) 상에 2차 도포된 현상액(d2)은 현상액 제거 유체에 의해 제거된다. 이후, 기판(G)은 세정 장치(도 1의 72)에 전달된다.
While the substrate G is being transferred, the second fluid supply member 270 supplies the developer removal fluid to the upper surface of the substrate G as shown in FIG. 15. The developer d2 secondly applied on the substrate G is removed by the developer removal fluid. Thereafter, the substrate G is transferred to a cleaning device (72 in Fig. 1).

상술한 실시예들에서, 현상 처리 공정은 현상액의 1차 도포 후 처리 시간동안 기판 이송을 정지한다. 기판 이송이 진행되는 경우와 비교할 때, 기판 이송이 정지될 경우 아래와 같은 장점이 있다.In the above-described embodiments, the developing treatment process stops the transfer of the substrate during the treatment time after the first application of the developer. Compared to the case where the substrate transfer is in progress, the following advantages are obtained when the substrate transfer is stopped.

먼저, 현상액(d1)이 1차 도포된 기판(G)은 이송이 정지된 상태로 대기하므로, 이송에서 발생할 수 있는 문제, 예컨대 기판 처짐 및 진동으로 인한 현상액의 유실(drop)이 방지된다. First, since the substrate G to which the developer d1 is first applied is waiting in a state in which the transfer is stopped, problems that may occur during transfer, such as sagging of the substrate and the drop of the developer due to vibration, are prevented.

그리고 기판(G)이 기판이송부재(120, 220)와 접촉되는 영역에서 진동이 발생되지 않으므로, 현상액 유실이 방지되고, 현상액의 두께 편차발생이 예방되어 현상액의 균일도(uniformity)가 개선될 수 있다.In addition, since vibration does not occur in the region where the substrate G is in contact with the substrate transfer members 120 and 220, loss of the developer is prevented, and the occurrence of deviation in the thickness of the developer is prevented, thereby improving the uniformity of the developer. .

또한, 처리 시간동안 기판(G)이 이송될 경우, 기판(G) 이송을 위한 구간 확보가 필요한다. 이송 구간 확보는 현상 장치(71)의 설비 면적을 증가시킨다. 반면, 기판(G)이 정지 상태로 대기될 경우, 이송을 위한 설비 면적이 불필요하므로 설비 면적이 축소될 수 있다. 실시예에 의하면, 현상 장치(71)의 설비 면적은 최소 40% 축소될 수 있다.
In addition, when the substrate G is transferred during the processing time, it is necessary to secure a section for transferring the substrate G. Securing the transfer section increases the facility area of the developing device 71. On the other hand, when the substrate G is in a stand-by state, the facility area for transfer is unnecessary, so that the facility area may be reduced. According to the embodiment, the facility area of the developing device 71 may be reduced by at least 40%.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

1: 기판 처리 시스템 70: 현상 유닛
71: 현상 장치 72: 세정 장치
73: 건조 장치 110: 공정 챔버
120: 기판이송부재 130: 제1현상액 공급부재
140: 유체 공급부재 150: 제2현상액 공급부재
161: 제어부재 165: 지지부재
170: 구동부 G: 기판
1: substrate processing system 70: developing unit
71 developing device 72 cleaning device
73: drying apparatus 110: process chamber
120: substrate transfer member 130: first developer supply member
140: fluid supply member 150: second developer supply member
161: control member 165: support member
170: driver G: substrate

Claims (13)

공정 챔버;
상기 공정 챔버 내에 위치하며, 일방향으로 기판을 이송가능하고, 이송이 정지된 기판을 지지하는 기판이송부재;
상기 기판이송부재의 상부에 위치하며, 이송되는 기판으로 현상액을 1차 공급하는 제1현상액 공급부재;
상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 현상액이 1차 도포된 기판으로 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재;
상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 현상액 제거 유체가 공급된 기판으로 현상액을 2차 공급하는 제2현상액 공급부재; 및
상기 기판이송부재를 제어하는 제어부재를 포함하고,
상기 제어부재는,
상기 제1현상액 공급부재가 상기 기판 상으로 상기 현상액을 1차 공급하는 동안 상기 기판을 이동시키고,
상기 현상액이 1차 도포된 후 기 설정된 처리 시간 동안 상기 기판의 이동을 정지하고,
상기 기 설정된 처리 시간이 경과한 이후에 상기 유체 공급부재가 상기 현상액이 공급된 상기 기판 상으로 상기 현상액 제거 유체를 공급하는 동안 상기 기판의 이동을 정지하도록 상기 기판이송부재를 제어하고,
상기 기 설정된 처리 시간 동안에는 상기 기판 상에 액 공급이 중지되는 기판 처리 장치.
Process chamber;
A substrate transfer member positioned in the process chamber, capable of transferring a substrate in one direction, and supporting a substrate at which transfer is stopped;
A first developer supply member positioned above the substrate transfer member and for primary supplying a developer solution to the transferred substrate;
A fluid supply member positioned at the rear of the first developer supply member along the transfer direction of the substrate and supplying a developer removal fluid to the substrate to which the developer is first applied;
A second developer supply member positioned at the rear of the first developer supply member along the transfer direction of the substrate and secondly supplying a developer solution to the substrate supplied with the developer removing fluid; And
Including a control member for controlling the substrate transfer member,
The control member,
While the first developer supply member first supplies the developer onto the substrate, the substrate is moved,
After the developer is first applied, the movement of the substrate is stopped for a preset processing time,
Controlling the substrate transfer member to stop movement of the substrate while the fluid supply member supplies the developer removal fluid onto the substrate to which the developer is supplied after the predetermined processing time has elapsed,
A substrate processing apparatus in which liquid supply to the substrate is stopped during the preset processing time.
제 1 항에 있어서,
상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재를 지지하는 지지부재; 및
상기 기판의 이동경로 상부에서 상기 지지부재를 이동시키는 구동부를 더 포함하며,
상기 구동부는 상기 기 설정된 처리 시간이 지난 후에 상기 기판의 상부를 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재가 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하도록 상기 지지부재를 이동시키고,
상기 제어부재는,
상기 유체 공급부재가 상기 현상액 제거 유체를 상기 기판 상으로 공급하고 상기 제2현상액 공급부재가 상기 현상액을 상기 기판 상으로 공급하는 동안 상기 기판의 이동을 정지하도록 상기 기판이송부재를 제어하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
A support member for supporting the fluid supply member and the second developer supply member; And
Further comprising a driving unit for moving the support member above the movement path of the substrate,
The driving unit moves the support member so that the fluid supply member and the second developer supply member move over the upper portion of the substrate after the predetermined processing time has elapsed, and supply the developer removal fluid and the developer,
The control member,
A substrate processing apparatus for controlling the substrate transfer member to stop movement of the substrate while the fluid supply member supplies the developer removal fluid onto the substrate and the second developer supply member supplies the developer onto the substrate .
제 2 항에 있어서,
상기 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제2현상액 공급부재의 전방에 위치하며,
상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향과 반대방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 동시에 토출하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The fluid supply member is located in front of the second developer supply member along the transfer direction of the substrate,
The fluid supply member and the second developer supply member move in a direction opposite to the transfer direction of the substrate and simultaneously discharge the developer removing fluid and the developer.
제 2 항에 있어서,
상기 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제2현상액 공급부재의 후방에 위치하며,
상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 동시에 토출하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
The fluid supply member is located at the rear of the second developer supply member along the transfer direction of the substrate,
The fluid supply member and the second developer supply member move in a transfer direction of the substrate and simultaneously discharge the developer removal fluid and the developer.
제 1 항에 있어서,
상기 제1현상액 공급부재는
상기 기판의 상면에 대해 제1방향으로 현상액을 공급하는 제1노즐; 및
상기 제1방향과 상이한 제2방향으로 현상액을 상기 기판의 상면에 공급하는 제2노즐을 포함하며,
상기 제2현상액 공급부재는
상기 제1노즐과 동일한 방향으로 상기 기판의 상면으로 현상액을 공급하는 제3노즐; 및
상기 제2노즐과 동일한 방향으로 상기 기판의 상면으로 현상액을 공급하는 제4노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The first developer supply member
A first nozzle for supplying a developer in a first direction with respect to the upper surface of the substrate; And
And a second nozzle for supplying a developer to an upper surface of the substrate in a second direction different from the first direction,
The second developer supply member
A third nozzle for supplying a developer to the upper surface of the substrate in the same direction as the first nozzle; And
A substrate processing apparatus comprising a fourth nozzle for supplying a developer to an upper surface of the substrate in the same direction as the second nozzle.
일방향으로 이송되는 기판의 상면으로 현상액을 1차 공급하는 단계;
상기 현상액이 1차 도포된 기판의 이송을 정지시키고, 기 설정된 처리 시간동안 상기 기판 상에 액 공급을 중지시키고 상기 기판을 대기시키는 단계; 및
상기 기 설정된 처리 시간이 경과한 후, 상기 현상액이 1차 도포된 기판의 상면으로 현상액 제거 유체를 공급하고, 상기 현상액 제거 유체가 공급된 기판 영역으로 현상액을 2차 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
First supplying a developer solution to the upper surface of the substrate transferred in one direction;
Stopping the transfer of the substrate to which the developer was first applied, stopping the liquid supply to the substrate for a predetermined processing time, and waiting the substrate; And
After the predetermined processing time has elapsed, substrate processing comprising supplying a developer removal fluid to an upper surface of a substrate on which the developer is first applied, and secondary supplying a developer to a substrate region supplied with the developer removal fluid Way.
제 6 항에 있어서,
상기 현상액 제거 유체의 공급과 상기 현상액의 2차 공급은 동시에 진행되는 기판 처리 방법.
The method of claim 6,
The substrate processing method in which the supply of the developer removal fluid and the secondary supply of the developer proceed simultaneously.
제 6 항에 있어서,
상기 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 현상액을 2차 공급하는 현상액 공급부재의 전방에 위치하며,
상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향과 반대방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하는 기판 처리 방법.
The method of claim 6,
The fluid supply member for supplying the developer removing fluid is located in front of the developer supply member for secondary supplying the developer along the transfer direction of the substrate,
The fluid supply member and the developer supply member move in a direction opposite to the transfer direction of the substrate, and supply the developer removal fluid and the developer.
제 6 항에 있어서,
상기 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 현상액을 2차 공급하는 현상액 공급부재의 후방에 위치하며,
상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하는 기판 처리 방법.
The method of claim 6,
The fluid supply member for supplying the developer removal fluid is located at the rear of the developer supply member for secondary supplying the developer along the transfer direction of the substrate,
The fluid supply member and the developer supply member move in a transfer direction of the substrate and supply the developer removing fluid and the developer.
제 6 항에 있어서,
상기 현상액의 1차 공급과 2차 공급은
상기 기판의 상면에 대해 제1방향으로, 그리고 상기 제1방향과 상이한 제2방향으로 동시에 이루어지는 기판 처리 방법.
The method of claim 6,
The first and second supply of the developer
A substrate processing method performed simultaneously in a first direction with respect to the upper surface of the substrate and in a second direction different from the first direction.
제 10 항에 있어서,
상기 제1방향은 상기 기판의 상면에 수직하고, 상기 제2방향은 상기 기판의 상면에 비스듬히 경사지는 기판 처리 방법.
The method of claim 10,
The first direction is perpendicular to the upper surface of the substrate, and the second direction is obliquely inclined to the upper surface of the substrate.
제 10 항에 있어서,
상기 현상액 제거 유체는 탈이온수(DI water) 또는 질소가스를 포함하는 기판 처리 방법.
The method of claim 10,
The developer removal fluid is a substrate processing method containing DI water or nitrogen gas.
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