KR100771885B1 - 반도체 소자의 디핑 검출 장치, 그 검출 장치를 포함한반도체 소자의 디핑 장비 및 그 검출 장치를 이용한 반도체소자의 디핑 상태 검사방법 - Google Patents

반도체 소자의 디핑 검출 장치, 그 검출 장치를 포함한반도체 소자의 디핑 장비 및 그 검출 장치를 이용한 반도체소자의 디핑 상태 검사방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 디핑 공정 중에 디핑 불량을 검출할 수 있는 반도체 소자의 디핑 검출 장치, 그 디핑 검출 장치를 포함한 반도체 소자의 디핑 장비, 및 그 디핑 검출 장치를 이용한 반도체 소자의 디핑 상태 검사방법을 제공한다. 그 디핑 검출 장치는 반도체 소자를 픽업하여 디핑액에 디핑하는 도전성의 제1 전극용 그립퍼(gripper); 그립퍼 측면으로 형성되고 그립퍼와는 전기적으로 절연된 제2 전극용 도전체; 및 제1 전극용 그립퍼 및 도전체에 연결되어 전원을 인가하고 전류 흐름 여부를 검출하는 전원부;를 포함하고, 반도체 소자의 디핑 공정 시에 전류 흐름 여부를 통해서 반도체 소자의 디핑 상태를 검사한다.

Description

반도체 소자의 디핑 검출 장치, 그 검출 장치를 포함한 반도체 소자의 디핑 장비 및 그 검출 장치를 이용한 반도체 소자의 디핑 상태 검사방법{Dipping detecting device of semiconductor device, dipping equipment of semiconductor device comprising the same detecting device, and method of detecting dipping state of semiconductor device using the same detecting device}
도 1은 본 발명의 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 도 1의 디핑 검출 장치의 전원부에 PLC 모듈을 채용한 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 도 1의 디핑 검출 장치의 전원부에 전원 및 I/O를 채용한 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 도 1의 디핑 검출 장치의 전원부에 커패시터 및 I/O를 채용한 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예 따른 도 1의 디핑 검출 장치를 포함한 반도체 소자의 디핑 장비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 디핑 검출 장치를 이용한 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 방법을 보여주는 흐름도이다.
<도면에 주요 부분에 대한 설명>
100: 제1 전극용 그립퍼 120: 그립퍼 픽업부
200: 제2 전극용 도전체 300: 전원부
310: 전원 장치 320: PLC 모듈
330: I/O 장치 340: 릴레이 스위치
360: 전류 필터 370: 커패시터
400: 절연체 500: 디핑 용기
550: 디핑액 노즐 600: 반도체 패키지
1100: 로딩용 트레이 1120: 언로딩 트레이
1140: 로딩 트레이 1220: 네스트 로딩 트레이
1240: 네스트 무빙 트레이 1260: 네스트 언로딩 트레이
1300: 디핑 용기 1320: 플럭스 디핑 용기
1340: 솔더 디핑 용기 1400: 에어 프리히터
1500: 린스 장치 1600: 핫 드라이 장치
1700: 이동 축 1720: 수직축
1740: 수평 축
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 디핑 공정에서의 불량을 방지할 수 있는 반도체 소자의 디핑 검출 장치 및 그 검출 장치를 포함한 반도체 소자의 디핑 장비 및 그 검출 장치를 이용한 반도체 소자의 디핑 상태 검사방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 조립 공정에 있어서, 제품의 용량 배가를 위해서 패키지 스택(package stacking) 공정을 통해 부품(component) 상태로 조립 및 검사가 완료된 제품을 다시 적층하는 공정이 도입되었다. 이러한 패키지 스택 공정은 탑으로 적층된 패키지의 리드(lead)를 적층에 맞게 다시 성형하는 리폼(reform) 공정, 바텀(bottom) 패키지와 탑 패키지를 에폭시 접착제로 적층하는 스택 앤 택(stack and tack) 공정, 바텀 패키지와 탑 패키지를 전기적으로 연결시키기 위해 두 리드 사이에 솔더(solder)를 입히는 솔더링 공정, 및 솔더 공정에서 사용한 플럭스(flux)에 의한 제품의 오염을 세정하는 포스트(post) 클리닝 공정 등으로 순차적으로 이루어진다.
패키지 스택 공정 중 솔더링 공정은 일반적으로 디핑 방식을 이용하여 수행되는데, 먼저 플럭스에 디핑하고, 프리히팅(preheating) 후, 솔더에 디핑하여 솔더링하는 방식으로 진행된다. 디핑에 대하여 좀더 상세히 설명하면, 디핑 솔더링 장비의 그립퍼(gipper)가 솔더링 할 반도체 패키지들을 픽업하여 플럭스 용기 또는 솔더 용기로 이동하여 일정 위치까지 다운시키면, 용기 내의 노즐을 통해 공급된 플럭스 또는 솔더가 상승함으로써, 반도체 패키지가 플럭스 또는 솔더에 디핑되게 된다.
이러한 솔더링 공정은 반도체 패키지가 플럭스 또는 솔더에 얼마나 정확히 디핑되는가에 따라 반도체 패키지의 품질 양불 문제를 발생시킬 수 있다. 즉, 디핑이 되지 않은 부분의 리드에는 솔더가 불충분하게 입혀지거나 아예 입혀지지 않아 반도체 패키지의 솔더링 불량 문제를 야기한다. 그러나 종래 디핑 솔더링 장비에는 반도체 패키지가 플럭스 또는 솔더에 디핑되는 정도를 체크할 수 있는 장치가 구비되어 있지 않아, 디핑 공정 중에는 디핑 불량 여부, 즉 솔더링 불량 여부를 확인할 수 없었다. 그에 따라, 솔더링 불량 여부는 솔더링 작업이 완료된 반도체 패키지에 대한 비젼 검사 등의 자동 검사(auto inspection) 공정에서 검사되고 있다.
이와 같이 솔더링 불량 여부가 디핑 공정이 끝난 후에 검사되므로, 디핑 공정에서 디핑 불량이 발생되고 있는 경우에도 자동 검사 공정이 진행되어 불량이 발견되기 전까지는 계속적으로 디핑 공정이 진행되고, 그에 따라 다수의 솔더링 불량의 반도체 패키지를 양산되고 있다. 또한, 종래의 자동 검사 장비는 솔더링 불량에 대한 검출 능력이 떨어져, 이러한 반도체 패키지의 솔더링 불량문제는 더욱 심각하다. 심지어는 반도체 패키지의 불량을 확인하지 못하여, 완성품으로 일반 소비자에까지 출하되어 컴플레인(complaint)을 받는 경우도 발생하고 있는 실정이다.
이러한 디핑 불량의 주원인은 일반적으로 플럭스 또는 솔더 용기에서의 플럭스 또는 솔더의 높이 레벨 문제, 즉 플럭스 또는 솔더를 노즐을 통해 적정 레벨 위치까지 공급하는 펌프 계통의 문제가 있거나, 또는 그립퍼의 다운, 즉 디핑 용기 부분에서 그립퍼가 강하되는 깊이가 부족한 경우에 발생한다. 따라서, 디핑 공정 중에 이러한 디핑액 레벨의 문제 또는 그립퍼 강하 불량을 확인하고 보정할 수 있 는 방안이 마련되어야 한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 소자의 디핑 공정 중에 디핑 불량을 검출할 수 있는 반도체 소자의 디핑 검출 장치, 그 디핑 검출 장치를 포함한 반도체 소자의 디핑 장비, 및 그 디핑 검출 장치를 이용한 반도체 소자의 디핑 상태 검사방법을 제공하는 데에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 소자를 픽업하여 디핑액에 디핑하는 도전성의 제1 전극용 그립퍼(gripper); 상기 그립퍼 측면으로 형성되고 상기 그립퍼와는 전기적으로 절연된 제2 전극용 도전체; 및 상기 도전성 그립퍼 및 도전체에 연결되어 전원을 인가하고 전류 흐름 여부를 검출하는 전원부;를 포함하고, 상기 반도체 소자의 디핑 공정 시에 상기 전류 흐름 여부를 통해서 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 전원부는 PLC 모듈(programmable logical controller module)을 포함하거나 또는 직류 또는 교류를 인가하는 전원장치 및 전류 흐름 여부를 검출하는 I/O 장치를 포함할 수 있다. 또한, 상기 전원부는 릴레이 스위치를 포함할 수 있고, 상기 릴레이 스위치는 상기 제2 전극용 도전체와 상기 PLC 모듈 또는 상기 I/O 장치 사이에 연결될 수 있다. 이러한 릴레이 스위치로 인가되는 전압을 일정하게 하기 위하여, 상기 전원부는 상기 릴레이 스위치 및 상기 제2 전극용 도전체 사이에 전류 필터를 포함할 수도 있다.
한편, 상기 전원부는 직류 또는 교류를 인가하는 전원장치, 전류 흐름 여부를 검출하는 I/O 장치 및 상기 전원 장치의 두 전극 사이 및 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 연결된 커패시터를 포함하고, 상기 I/O 장치는 상기 커패시터에 연결될 수 있다. 이와 같은 전원부를 구성한 경우, 상기 전원 장치는 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에는 오픈되고 상기 반도체 소자 디핑 공정이 수행되지 않을 때에는 상기 커패시터를 충전하며, 상기 커패시터는 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 전원을 공급하고 상기 I/O 장치가 상기 커패시터의 전압 강하를 측정하여 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사할 수 있다.
한편, 상기 반도체 소자는 솔더링이 수행되어야 할 반도체 패키지이고 상기 디핑액은 액체 상태의 도전성의 플럭스(Flux) 또는 솔더(solder)일 수 있다. 또한, 상기 도전체의 하부는 상기 반도체 소자의 디핑 시에 상기 반도체 소자의 디핑이 요구되는 부분 전체가 디핑액에 디핑될 때 상기 도전체의 하부가 상기 디핑액에 접촉되도록 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 디핑 검출 장치는 반도체 패키지의 디핑 솔더링 상태를 검출하는 장치일 수 있고, 상기 도전체의 하부는 상기 반도체 패키지의 디핑 시에 상기 반도체 패키지의 탑 리드가 상기 디핑액에 디핑될 때 상기 도전체의 하부가 상기 디핑액에 접촉되도록 형성될 수 있다.
본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 상기 디핑 검출 장치; 디핑 공정이 수행될 반도체 소자를 상기 그립퍼가 픽업할 수 있는 위치로 이동시키는 픽 앤 플레이스(pick and place) 장치; 및 상기 디핑액이 들어 있는 디핑 용기(dipping pot);를 포함하는 반도체 소자의 디핑 장비를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 반도체 소자는 솔더링이 수행되어야 할 반도체 패키지이고, 상기 디핑 장비는 반도체 패키지의 디핑 솔더링 장비이며, 상기 디핑 용기는 액체 상태의 도전성 플럭스가 담겨 있는 플럭스 디핑 용기 및 액체 상태의 솔더가 담겨있는 솔더 디핑 용기를 포함할 수 있다. 또한, 상기 디핑 장비는 상기 그립퍼가 반도체 패키지를 픽업할 수 있도록 반도체 패키지가 로딩되는 다수의 로딩용 트레이(loading tray), 상기 플럭스 디핑 용기와 상기 솔더 디핑 용기 사이에 위치하여 플럭스 디핑이 완료된 반도체 패키지를 에어로 프리히팅하는 에어 프리히터(air preheater), 솔더 디핑이 완료된 반도체 패키지를 세정하는 린스(rinse) 장치, 세정된 반도체 패키지를 건조시키는 핫 드라이(hot dry) 장치, 및 상기 솔더 디핑이 완료된 반도체 패키지를 상기 린스 장치 및 핫 드라이 장치로 이동시키는 리어(rear) 그립퍼를 포함할 수 있다.
한편, 상기 디핑 장비는 상기 검출 장치의 결과에 따라 자동으로 상기 그립퍼의 디핑 깊이를 조정하거나 상기 디핑 용기의 상기 디핑액의 높이 레벨을 조정할 수 있고, 또한, 상기 디핑 장비는 상기 검출 장치에 의해 디핑 이상이 발견된 경우 경보신호를 발생할 수 있는 경보장치를 포함할 수도 있다.
더 나아가 본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 상기 디핑 검출 장치의 상기 그립퍼가 반도체 소자를 픽업하는 단계; 상기 그립퍼가 상기 반도체 소자를 딥핑 용기에 담겨있는 디핑액에 디핑하는 단계; 및 상기 디핑 검출 장치가 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 솔더링 디핑 용기에 디핑하는 단계 이전에 상기 플럭스 디핑이 완료된 상기 반도체 패키지를 에어로 프리히팅하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 디핑 상태 검사 단계에서 상기 전류 흐름 여부를 통해서 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사할 수 있다. 전원부로 커패시터를 이용하는 경우, 상기 커패시터가 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 전원을 공급하고 상기 I/O 장치가 상기 커패시터의 전압 강하를 측정하여 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사할 수 있다.
한편, 상기 디핑 상태를 검사하는 단계에서 디핑 불량인 경우에, 상기 디핑 상태 검사방법은 디핑 공정을 자동으로 보정하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 보정은 상기 디핑 용기의 디핑액의 레벨을 조정하거나 또는 상기 그립퍼에 의한 디핑 깊이를 조정함으로써, 이루어질 수 있다.
본 발명에 의한 디핑 검출 장치 및 그 디핑 검출 장치를 포함한 반도체 소자의 디핑 장비는 그립퍼에 제2 전극용 도전체를 형성하고, 그립퍼를 제1 전극으로, 도전체를 제2 전극으로 하여 전원을 인가함으로써, 디핑 공정 중에 반도체 소자의 디핑 상태를 용이하게 검출할 수 있다. 또한, 불량이 발생한 경우에 자동으로 디핑 공정을 보정, 즉 디핑액의 레벨 또는 그립퍼의 디핑 깊이를 자동 조정함으로써, 디핑 공정을 원활하게 수행하게 할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 설명에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 상부에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 구성 요소의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 구성 요소가 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 구성 요소의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 생략되거나 과장되었고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 한편, 사용되는 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 디핑 검출 장치는 기존의 반도체 소자를 픽업하여 디핑액에 디핑하는 도전성의 제1 전극용 그립퍼(100, gripper), 그립퍼(100) 측면으로 형성된 제2 전극용 도전체(200), 및 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200)로 전원을 인가하는 전원부(300)를 포함한다. 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200)는 절연체(400)에 의해 전기적으로 절연되어 있다.
그립퍼(100) 하부에는 다수의 반도체 소자를 픽업하기 위한 그립퍼 픽업부(120)가 형성되어 있는데, 이러한 그립퍼 픽업부(120) 역시 도전체로 형성되어 있다. 전원부(300)는 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200) 전원을 인가하는데, 교류(AC) 전원 또는 직류(DC) 전원 어느 쪽도 무방하다.
본 발명의 디핑 검출 장치의 작용을 간단히 설명하면, 그립퍼(100)가 반도체 소자를 그립퍼 픽업부(120)를 통해 픽업하여 해당 디핑액에 디핑하게 되면, 전원부(300)에서 전원을 인가하여, 전류 흐름 여부를 통하여 반도체 소자의 디핑 여부를 확인하게 된다. 따라서, 디핑액은 도전성을 띄어야 하며, 제2 전극용 도전 체(200) 하부는 반도체 소자의 디핑 되어야 할 부분이 디핑액에 완전히 잠길 때, 디핑액에 접촉되도록 형성되어야 한다.
예컨대, 솔더링 공정의 경우, 일반적으로 반도체 소자, 즉 반도체 패키지가 플럭스 및 솔더에 디핑되는데, 플럭스는 플럭스 내의 전해질로 인해 도전성을 가지며, 솔더는 자체가 금속이므로 역시 도전성을 가진다. 한편, 솔더링 공정의 경우, 디핑이 반도체 패키지의 탑 리드 부분까지 되어야 하기 때문에, 제2 전극용 도전(200)의 하부는 디핑 공정 시 반도체 패키지의 탑 리드가 완전히 디핑될 수 있는 위치에서 플럭스 또는 솔더에 접촉되도록 형성되어야 한다.
한편, 전원부(300)에는 디핑 공정 시 전류 흐름 여부를 감지할 수 있는 검출부(detecting part)를 포함할 수 있고, 또한 불량, 즉 전류가 통하지 않을 때, 경보할 수 있는 경보 장치를 포함할 수도 있다. 전원부(300)에 대한 내용은 도 2 ~ 도 5의 설명부분에서 좀더 상세히 설명한다.
본 실시예의 디핑 검출 장치는 그립퍼 측면으로 제2 전극용 도전체를 형성하고 그립퍼와 제2 전극용 도전체에 전원을 인가함으로써, 디핑 공정 시에 전류 흐름 여부를 통해 용이하게 디핑 상태를 확인할 수 있다. 따라서, 종전에 디핑 장비에서 발생하던 솔더링 불량과 같은 디핑 불량을 사전에 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 도 1의 디핑 검출 장치의 전원부에 PLC ㅁ모듈(Programmable logical controller module)을 채용한 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 보여주는 도면으로서, 디핑 공정 시에 디핑 검출 장치를 이용하는 모습을 구체적으로 보여주고 있다.
도 2를 참조하면, 디핑 검출 장치는 역시 제1 전극용 그립퍼(100), 제2 전극용 도전체(200) 및 전원부(300)를 포함한다. 그립퍼(100)는 하부의 그립퍼 픽업부(120)를 통해서 다수의 반도체 소자, 예컨대 반도체 패키지(600)를 픽업하여 디핑 용기(500) 부분에서 일정 깊이로 하강하고, 디핑액은 디핑액 노즐(550)을 통해 디핑 용기(500)의 중앙부에서 상승하여 반도체 소자를 디핑하면서, 일정한 액면(A)을 유지한다.
이와 같이 반도체 소자가 디핑되는 순간 제2 전극용 도전체(200)도 역시 액면(A)에 접촉하게 되는데, 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200)에 전원부(300)에 의해 전원이 인가되면 점선의 화살표와 같이 디핑액을 통해 전류가 흐르게 된다.
본 실시예에서 전원부(300)는 PLC 모듈(320), 릴레이 스위치(340) 및 전류 필터(360)를 포함한다. PLC 모듈(320)은 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200)로 전원을 인가하며, 또한 전류 흐름 여부를 검출하는 기능을 한다. 한편, 전원부(300)는 반도체 소자 마다 디핑액이 다르고, 또한 디핑액에 따라 도전율이 다르므로, 정확한 전류 흐름 여부를 검출하기 위하여, 릴레이 스위치(340)와 전류 필터(360)를 포함한다. 전류 필터(360)는 가변 저항을 포함하여 릴레이 스위치(340)로 인가되는 전압을 일정하게 하고 릴레이 스위치(340)는 내부로 코일부 및 스위치부를 포함하여, 전류 흐름 여부에 따라 스위치가 온-오프(On-Off)되어 PLC 모듈(320)로 신호를 보내게 된다.
배선 상태를 간단히 살펴보면, PLC 모듈(320)의 플러스 단자, 예컨대 24V 전압 단자는 그립퍼(100) 및 릴레이 스위치(340)의 스위치부의 일 단자(C)로 연결된 다. 한편, 마이너스 단자, 예컨대 그라운드 단자는 릴레이 스위치(340)의 코일부의 일 단자(A)로 연결된다. 제2 전극용 도전체(200)는 전류 필터(360)를 걸쳐 릴레이 스위치(340)의 코일부의 타단자(B)로 연결되며, 릴레이 스위치(340)의 스위치부의 타단자(D)는 PLC 모듈(320)의 검출부 단자로 연결된다.
이와 같은 배선 상태를 가지고, 디핑 공정 시 반도체 소자의 디핑 상태가 정상적이면, PLC 모듈(320)의 플러스 단자에서 인가된 전류는 디핑액을 통해 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200) 사이로 흐르고, 제2 전극용 도전체(200)로부터 전류 필터(360)를 거쳐 릴레이 스위치(340)의 코일부에 일정 전압을 가지고 인가된다. 릴레이 스위치(340)의 코일부에 일정전압이 인가되면, 전자기 상호작용에 의해 스위치부의 스위치가 턴온되고 PLC 모듈의 검출부가 신호, 즉 전류를 검출한다. 반도체 소자의 디핑 상태가 정상이 아니면, PLC 모듈(320)의 검출부로의 전류가 흐르지 않게 되고 그에 따라 디핑 상태 불량임을 확인된다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 도 1의 디핑 검출 장치의 전원부에 전원 및 I/O를 채용한 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예의 디핑 검출 장치는 도 2의 디핑 검출 장치와 유사하게 구성되나, 전원부를 이루는 구성요소에서 약간의 차이를 보인다. 즉 전원부(300a)는 전원을 독립적으로 인가하는 전원 장치(310) 및 신호 검출을 위한 I/O 장치(330)를 포함한다. 정확한 전류 흐름 여부를 위해 전류 필터(360) 및 릴레이 스위치(340) 또한 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 도 2의 PLC 모듈(320)의 전압 인가 역할을 전원 장치(310) 가 독립적으로 수행한다. 여기서 전원 장치(310)는 교류 또는 직류 전원 장치 어느 것도 무방하다. 배선 상태는 도 2와 동일하나 PLC 모듈(320)에서 전원 단자 대신에 전원 장치(310)를 사용하여 전원을 인가하고, PLC 모듈(320)의 검출부 대신에 독립적인 I/O 장치(330)를 통해 전류를 검출한다는 점에서 다르다.
도 2 또는 도 3에서 PLC 모듈이나 전원 및 I/O 장치가 이용되었지만, 다른 종류의 전류 컨트롤 장치가 이용될 수도 있음은 물론이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 도 1의 디핑 검출 장치의 전원부에 커패시터 및 I/O를 채용한 반도체 소자의 디핑 검출 장치를 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예의 디핑 검출 장치는 그립퍼(100) 및 제2 전극용 도전체(200)의 구성에 있어서는 도 2 또는 도 3과 유사하나, 전원부를 이루는 구성요소에서는 상당한 차이를 보인다. 즉, 전원부(300b)는 도 2 또는 도 3에서와 같은 릴레이 스위치 및 전류 필터가 존재하지 않고, 전원 장치(310), I/O 장치(330) 및 커패시터(370)를 포함한다.
본 실시예의 전원부(300b)는 도 2 또는 도 3과는 다른 원리로 전류 흐름 여부를 검출한다. 좀더 상세히 설명하면, 전원을 인가하는 전원 장치(310)의 플러스 단자는 스위치(B)를 통해서 커패시터(370)의 일 단자 및 그립퍼(100)로 연결되고, 그라운드 단자는 커패시터(370)의 타단자 및 제2 전극용 도전체(200)로 연결된다. 한편, 커패시터(370)의 일 단자는 전류 흐름 여부를 검출하는 I/O 장치(330)로 연결된다.
위와 같은 배선을 가진 디핑 검출 장치의 작용을 간단히 설명하면, 디핑 공 정이 진행되지 않을 때에는 스위치(B)가 턴온 상태이고 그에 따라 커패시터(370)로 전하가 충전되어 커패시터(370)는 소정 전압을 가진다. 이때, 디핑 공정이 진행되지 않으므로 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200)는 오픈 상태이다. 한편, I/O 장치(330)는 커패시터(370)에 바로 연결될 수도 있지만, 충전을 효율적으로 진행하기 위해서, 스위치를 두어 커패시터(370) 충전 동안에는 오픈 상태로 유지하는 것이 바람직하다.
디핑 공정이 진행되면 스위치(B)는 오픈 되고 커패시터(370)에 의해 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200)로 전원이 인가된다. 만약 디핑 상태가 정상적이면, 전류가 흐르게 되고, 커패시터(370)의 전압은 점차 강하하게 된다. 이러한 커패시터(370)의 전압 강하를 I/O 장치(330)가 검출하게 되면, 정상적인 디핑 공정이 진행되고 있음이 확인된다. 만약 디핑 공정 중에도 커패시터(370)의 전압 강하가 없으면, 그립퍼(100)와 제2 전극용 도전체(200) 사이에 전류가 차단된 상태로서, 이는 반도체 소자의 비정상적인 디핑 상태를 확인할 수 있게 한다.
본 실시예에서는 전원 장치와 신호 검출 장치를 개별적으로 설치하였으나, 적절한 배선을 가지고 PLC 모듈을 이용할 수 있음은 물론이며, 다른 종류의 전류 컨트롤 장치가 이용될 수도 있다. 또한, 도 2 또는 도 3과 같은 릴레이 스위치 및 전류 필터가 포함되어도 무방하다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예 따른 도 1의 디핑 검출 장치를 포함한 반도체 소자의 디핑 장비를 개략적으로 보여주는 도면으로서, 특히 반도체 소자의 디핑 솔더링 장비를 개략적으로 보여준다.
도 5를 참조하면, 반도체 소자 디핑 솔더링 장비는 전술한 디핑 검출장치(미도시), 디핑 공정이 수행될 반도체 소자를 상기 그립퍼가 픽업할 수 있는 위치로 이동시키는 픽 앤 플레이스(pick and place) 장치(미도시), 디핑액이 들어 있는 디핑 용기(1300, dipping pot), 솔더 디핑이 완료된 반도체 패키지를 세정하는 린스(rinse) 장치(1500), 세정된 반도체 패키지를 건조시키는 핫 드라이(hot dry) 장치(1600), 및 상기 솔더 디핑 완료된 반도체 패키지를 상기 린스 장치(1500)와 핫 드라이 장치(1600)로 이동시키는 리어(rear) 그립퍼(미도시)를 포함한다.
픽 앤 플레이스 장치는 로딩 트레이(1240)에서 반도체 패키지를 집어서 네스트(nest) 로딩 트레이(1220)에 로딩하고 네스트 로딩 트레이(1220)가 적정 위치로 이동하면, 디핑 검출 장치의 그립퍼가 반도체 패키지를 픽업하여 디핑액이 담겨있는 디핑 용기(1300)로 이동하여, 반도체 패키지를 디핑액에 디핑한다. 디핑 용기(1300)는 플럭스가 들어있는 플럭스 디핑 용기(1320) 및 솔더 디핑 용기(1340)를 포함하는데, 반도체 패키지는 먼저 플럭스의 디핑이 수행된 뒤, 솔더 디핑이 수행된다.
한편, 플럭스 디핑 용기(1320)와 솔더 디핑 용기(1340) 사이에는 에어 프리히터(1400, air preheater)가 위치하여, 플럭스 디핑 공정이 끝난 반도체 패키지를 에어로 프리 히팅할 수 있다.
플럭스 디핑 또는 솔더 디핑 공정 중에는 도 2 ~ 도 4에서 설명한 바와 같은 디핑 검출 장치를 통해 디핑 상태 검사가 실시간으로 수행된다. 따라서, 본 실시예의 솔더링 장비는 종래 솔더링 장비의 디핑 공정 중에 디핑 불량을 검출할 수 없었 던 문제를 해결할 수 있다.
한편, 본 실시예의 솔더링 장비에는 디핑 불량이 발생한 경우, 자동으로 보정하는 기능을 수행할 수 있다. 즉, 디핑 불량이 발생한 경우, 디핑액의 높이 레벨 및 그립퍼의 강하 깊이를 측정하여, 자동으로 벗어난 만큼의 치수를 보정하고 계속적으로 디핑 공정을 수행하도록 한다. 그에 따라, 디핑 불량이 발생한 경우에도 디핑 장비 전체의 작동 중단 없이 신속하게 공정을 수행할 수 있으므로, 반도체 소자의 불량률을 낮추면서도 획기적으로 양산성을 증가시킬 수 있다.
솔더링 공정이 완료된 반도체 패키지들은 네스트 무빙 트레이(1240)에 로딩되어 리어 그립퍼 위치로 이동하고, 리어 그립퍼는 반도체 패키지를 픽업하여, 반도체 패키지를 세정하는 린스 장치(1500) 및 핫 드라이 장치(1600)로 이동시켜 반도체 패키지의 세정 작업 및 건조 작업이 수행되도록 한다.
세정 작업 및 건조 작업이 완료된 반도체 패키지가 네스트 언로딩 트레이(1260)에 로딩되어 적정 위치로 이동되면 픽 앤 플레이스 장치 반도체 패키지를 픽업하여 언로딩 트레이(1120)로 이동시켜 솔더링 공정을 완료한다. 한편, 디핑 검출 장치의 그립퍼 및 리어 그립퍼는 이동 축(1700)인 수직 축(1720) 및 수평 축(1740)을 통해 반도체 패키지를 이동시킨다.
본 실시예에서 디핑 솔더링 장비를 예를 들어 설명하였지만, 본 발명의 디핑 검출 장치를 포함한 디핑 장비는 도전성 디핑액을 이용하여 디핑 공정이 수행되는 모든 종류의 반도체 소자의 디핑 장비에 적용될 수 있음은 물론이다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 디핑 검출 장치를 이용한 반도 체 소자의 디핑 상태 검사하는 방법을 보여주는 흐름도로서, 특히, 반도체 패키지의 디핑 솔더링 공정의 디핑 상태를 검사하는 방법을 보여준다. 이하에서는 도 2 ~ 도 5를 참조하여 설명한다.
도 6을 참조하면, 먼저 디핑 검출 장치의 그립퍼(100)가 반도체 패키지(600)를 픽업하고(S100), 플럭스 디핑 용기(1320)의 플럭스에 디핑한다(S120). 플럭스 디핑 공정 중에 반도체 패키지의 플럭스 디핑 상태를 검사하고(S130), 플럭스 디핑 상태가 정상인가를 판단한다(S140). 이때의 디핑 상태 검사는 전술한 바와 같이 전류 흐름 여부로 판단한다. 디핑 상태가 불량인 경우, 즉 전류가 흐르지 않는 경우, 플럭스 디핑 공정을 보정하고(S145), 다시 플럭스 디핑 용기(1320)에 반도체 패키지를 디핑한다(S120). 이때, 디핑 공정의 보정은 전술한 바와 같이 디핑액의 높이 레벨을 상승시키거나 그립퍼(100)의 디핑 깊이를 증가시키는 것에 의해 이루어질 수 있다.
디핑 상태가 양호한 경우, 즉 전류 흐름이 디텍팅된 경우, 솔더 디핑 용기(1340)에 반도체 패키지를 디핑한다(S150). 한편, 솔더 디핑 전에 에어 프리히터(1400)를 통해 반도체 패키지를 프리 히팅할 수도 있다. 솔더 디핑 공정 중에 디핑 검출 장치에 의해 솔더 디핑 상태를 검사하고(S160), 솔더 디핑 상태가 정상인지 판단한다(S170). 불량인 경우, 솔더 디핑 공정을 보정하고(S175), 다시 솔더 디핑 공정을 수행한다(S150). 솔더 디핑 상태가 정상인 경우, 세정 및 건조 공정을 진행하여(S180), 솔더링 공정을 완료한다.
본 발명의 디핑 검사 방법은 디핑 검출 장치를 이용하여, 디핑 공정 중에 디 핑 불량 여부, 예컨대 솔더링 불량 여부를 판단하고, 불량이 발생한 경우 즉시 보정하여 솔더링 공정을 계속하여 진행하게 함으로써, 종래 솔더링 장비에서 발생하였던 솔더링 불량 문제를 근본적으로 해결할 수 있다. 그에 따라, 반도체 패키지의 솔더링 불량을 줄이고 또한, 반도체 패키지의 양산성을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 이와 같은 디핑 검사방법은 솔더링 공정뿐만 아니라 도전성 디핑액을 사용하는 어떠한 반도체 디핑 공정에도 적용할 수 있음은 물론이다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 소자의 디핑 검출 장치는 그립퍼 측면으로 제2 전극용 도전체를 형성하고 디핑 공정 중에 그립퍼 및 제2 전극용 도전체에 전원을 인가함으로써, 전류 흐름 여부를 통해 디핑 공정 중에 바로 반도체 소자의 디핑 불량을 검출할 수 있고, 그에 따라 디핑 불량에 따른 반도체 소자의 품질 저하 문제나 양산성 저하 문제를 해결할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 디핑 검출 장치를 포함한 반도체 소자의 디핑 장비는 상기의 디핑 검출 장치를 이용함으로써, 디핑 공정 중에 실시간으로 반도체 소자의 디핑 불량 여부를 검출할 수 있고, 디핑 불량인 경우 자동으로 공정 에러를 보정함 으로써, 디핑 불량이 발생한 경우에도 장비의 작동 중단없이 디핑 공정을 진행함으로써, 반도체 소자의 양산성을 더욱 획기적으로 증가시킬 수 있다.

Claims (31)

  1. 반도체 소자를 픽업(pick-up)하여 디핑액에 디핑하는 도전성의 제1 전극용 그립퍼(gripper);
    상기 그립퍼 측면으로 형성되고 상기 그립퍼와는 전기적으로 절연된 제2 전극용 도전체; 및
    상기 제1 전극용 그립퍼 및 도전체에 연결되어 전원을 인가하고 전류 흐름 여부를 검출하는 전원부;를 포함하고,
    상기 반도체 소자의 디핑 공정 시에 상기 전류 흐름 여부를 통해서 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 전원부는 PLC 모듈(programmable logical controller module)을 포함하거나 또는 직류 또는 교류를 인가하는 전원장치 및 전류 흐름 여부를 검출하는 I/O(input-output) 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 전원부는 릴레이(relay) 스위치를 포함하고,
    상기 릴레이 스위치는 상기 제2 전극용 도전체와 상기 PLC 모듈 또는 상기 I/O 장치 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 릴레이 스위치로 인가되는 전압을 일정하게 하기 위하여,
    상기 전원부는 상기 릴레이 스위치 및 상기 제2 전극용 도전체 사이에 전류 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 전원부는 직류 또는 교류를 인가하는 전원장치, 전류 흐름 여부를 검출하는 I/O 장치 및 상기 전원 장치의 두 전극 사이 및 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 연결된 커패시터를 포함하고,
    상기 I/O 장치는 상기 커패시터에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 전원 장치는 스위치를 통해 상기 커패시터에 연결되고, 상기 스위치를 온-오프(on-off)하여, 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에는 상기 전원 장치로부터 상기 커패시터로 전원 공급을 차단하며, 상기 반도체 소자 디핑 공정이 수행되지 않을 때는 상기 전원 장치가 전원을 공급하여 상기 커패시터를 충전하며,
    상기 커패시터는 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 전원을 공급하고 상기 I/O 장치가 상기 커패시터의 전압 강하를 측정하여 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 솔더링(soldering)이 수행되어야 할 반도체 패키지이고
    상기 디핑액은 액체 상태의 도전성의 플럭스(Flux) 또는 솔더(solder)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 도전체의 하부는 상기 반도체 소자의 디핑 시에 상기 반도체 소자의 디핑이 요구되는 부분 전체가 디핑액에 디핑될 때 상기 도전체의 하부가 상기 디핑액에 접촉되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 디핑 검출 장치는 반도체 패키지의 디핑 솔더링 상태를 검출하는 장치이고,
    상기 도전체의 하부는 상기 반도체 패키지의 디핑 시에 상기 반도체 패키지의 탑 리드(top lead)가 상기 디핑액에 디핑될 때 상기 도전체의 하부가 상기 디핑액에 접촉되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 검출 장치.
  10. 제1 항의 디핑 검출장치;
    디핑 공정이 수행될 반도체 소자를 상기 그립퍼가 픽업할 수 있는 위치로 이 동시키는 픽 앤 플레이스(pick and place) 장치; 및
    상기 디핑액이 들어 있는 디핑 용기(dipping pot);를 포함하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 솔더링이 수행되어야 할 반도체 패키지이고,
    상기 디핑 장비는 반도체 패키지의 디핑 솔더링 장비인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 디핑 용기는 액체 상태의 도전성 플럭스가 담겨 있는 플럭스 디핑 용기 및 액체 상태의 솔더가 담겨있는 솔더 디핑 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 디핑 장비는 상기 그립퍼가 반도체 패키지를 픽업할 수 있도록 반도체 패키지가 로딩되는 다수의 로딩용 트레이(loading tray), 상기 플럭스 디핑 용기와 상기 솔더 디핑 용기 사이에 위치하여 플럭스 디핑이 완료된 반도체 패키지를 에어로 프리히팅(preheating)하는 에어 프리히터(air preheater), 솔더 디핑이 완료된 반도체 패키지를 세정하는 린스(rinse) 장치, 세정된 반도체 패키지를 건조시키는 핫 드라이(hot dry) 장치, 및 상기 솔더 디핑이 완료된 반도체 패키지를 상기 린스 장치 및 핫 드라이 장치로 이동시키는 리어(rear) 그립퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 다수의 로딩용 트레이는 상기 그립퍼가 픽업할 수 있도록 상기 픽 앤 플레이스에 의해 반도체 패키지가 로딩되는 네스트(nest) 로딩 트레이;
    솔더 디핑이 완료된 반도체 패키지가 로딩되고 상기 리어 그립퍼가 픽업할 수 있도록 이동시키는 네스트 무빙(moving) 트레이; 및
    상기 린스 및 건조 공정이 완료된 반도체 패키지가 로딩되고 상기 픽 앤 플레이스에 의해 언로딩(unloading)되는 네스트 언로딩 트레이;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 디핑 장비.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 전원부는 PLC 모듈을 포함하거나, 또는 직류 또는 교류를 인가하는 전원장치 및 전류 흐름 여부를 검출하는 I/O 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 전원부는 릴레이 스위치를 포함하고,
    상기 릴레이 스위치는 상기 제2 전극용 도전체와 상기 PLC 모듈 또는 상기 I/O 장치 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 릴레이 스위치로 인가되는 전압을 일정하게 하기 위하여,
    상기 전원부는 상기 릴레이 스위치 및 상기 제2 전극용 도전체 사이에 전류 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  18. 제10 항에 있어서,
    상기 전원부는 직류 또는 교류를 인가하는 전원장치, 전류 흐름 여부를 검출하는 I/O 장치 및 상기 전원 장치의 두 전극 사이 및 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 연결된 커패시터를 포함하고,
    상기 I/O 장치는 상기 커패시터에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 전원 장치는 스위치를 통해 상기 커패시터에 연결되고, 상기 스위치를 온-오프(on-off)하여, 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에는 상기 전원 장치로부터 상기 커패시터로 전원 공급을 차단하며, 상기 반도체 소자 디핑 공정이 수행되지 않을 때는 상기 전원 장치가 전원을 공급하여 상기 커패시터를 충전하며,
    상기 커패시터는 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 전원을 공급하고 상기 I/O 장치가 상기 커패시터의 전압 강하를 측정하여 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  20. 제10 항에 있어서,
    상기 도전체의 하부는 상기 반도체 소자의 디핑 시에 상기 반도체 소자의 디핑이 요구되는 부분 전체가 디핑액에 디핑될 때 상기 도전체의 하부가 상기 디핑액에 접촉되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 디핑 검출 장치는 반도체 패키지의 디핑 솔더링 상태를 검출하는 장치이고,
    상기 도전체의 하부는 상기 반도체 패키지의 디핑 시에 디핑되는 상기 반도체 패키지의 탑 리드가 상기 디핑액에 디핑될 때 상기 도전체의 하부가 상기 디핑액에 접촉되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  22. 제10 항에 있어서,
    상기 디핑 장비는 상기 검출 장치의 결과에 따라 자동으로 상기 그립퍼의 디핑 깊이를 조정하거나 상기 디핑 용기의 상기 디핑액의 높이 레벨을 조정할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 장비.
  23. 제10 항에 있어서,
    상기 디핑 장비는 상기 검출 장치에 의해 디핑 이상이 발견된 경우 경보신호를 발생할 수 있는 경보장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 디핑 장비.
  24. 제1 항의 디핑 검출 장치의 상기 그립퍼가 반도체 소자를 픽업하는 단계;
    상기 그립퍼가 상기 반도체 소자를 디핑 용기에 담겨있는 디핑액에 디핑하는 단계; 및
    상기 디핑 검출 장치가 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사방법.
  25. 제24 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 디핑 솔더링이 수행되어야 할 반도체 패키지이고,
    상기 디핑액은 도전성 플럭스이며,
    상기 디핑 상태 검사 방법은 상기 디핑 상태 검사 단계 이후에,
    상기 플럭스 디핑이 완료된 반도체 패키지를 상기 그립퍼에 의해 솔더링 디핑 용기에 담겨있는 액상의 솔더에 디핑하는 단계; 및
    상기 디핑 검출 장치가 상기 반도체 패키지의 솔더 디핑 상태를 검사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사방법.
  26. 제25 항에 있어서,
    상기 솔더에 디핑하는 단계 이전에 상기 플럭스 디핑 완료된 상기 반도체 패키지를 에어로 프리히팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사방법.
  27. 제24 항에 있어서,
    상기 전원부는 PLC 모듈을 포함하거나 또는 직류 또는 교류를 인가하는 전원장치 및 전류 흐름 여부를 검출하는 I/O 장치를 포함하여,
    상기 디핑 상태 검사 단계에서 상기 전류 흐름 여부를 통해서 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사 방법.
  28. 제24 항에 있어서,
    상기 전원부는 직류 또는 교류를 인가하는 전원장치, 전류의 흐름 여부를 검출하는 I/O 장치 및 상기 전원 장치의 두 전극 사이 및 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 연결된 커패시터를 포함하고, 상기 I/O 장치는 상기 커패시터에 연결되며,
    상기 전원 장치는 스위치를 통해 상기 커패시터에 연결되고, 상기 스위치를 온-오프(on-off)하여, 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에는 상기 전원 장치로부터 상기 커패시터로 전원 공급을 차단하며, 상기 반도체 소자 디핑 공정이 수행되지 않을 때는 상기 전원 장치가 전원을 공급하여 상기 커패시터를 충전하며,
    상기 커패시터는 상기 반도체 소자 디핑 공정 시에 상기 그립퍼와 상기 도전체 사이에 전원을 공급하고 상기 I/O 장치가 상기 커패시터의 전압 강하를 측정하여 상기 반도체 소자의 디핑 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사 방법.
  29. 제24 항에 있어서,
    상기 도전체의 하부는 상기 반도체 소자의 디핑 시에 상기 반도체 소자의 디핑이 요구되는 부분 전체가 디핑액에 디핑될 때 상기 도전체의 하부가 상기 디핑액에 접촉되도록 형성되어 있고,
    상기 디핑 상태를 검사하는 단계에서 상기 디핑이 요구되는 부분 전체가 디핑되었는지의 검사는 상기 도전체 하부가 상기 디핑액에 접촉하여 전류가 흐르는지를 검사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사 방법.
  30. 제24 항에 있어서,
    상기 디핑 상태를 검사하는 단계에서 디핑 불량인 경우에,
    디핑 공정을 자동으로 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사 방법.
  31. 제30 항에 있어서,
    상기 보정은 상기 디핑 용기의 디핑액의 레벨을 조정하거나 또는 상기 그립퍼에 의한 디핑 깊이를 조정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 디핑 상태 검사 방법.
KR1020060091693A 2006-09-21 2006-09-21 반도체 소자의 디핑 검출 장치, 그 검출 장치를 포함한반도체 소자의 디핑 장비 및 그 검출 장치를 이용한 반도체소자의 디핑 상태 검사방법 KR100771885B1 (ko)

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KR1020060091693A KR100771885B1 (ko) 2006-09-21 2006-09-21 반도체 소자의 디핑 검출 장치, 그 검출 장치를 포함한반도체 소자의 디핑 장비 및 그 검출 장치를 이용한 반도체소자의 디핑 상태 검사방법
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