JPH06226444A - 半田ディップ装置 - Google Patents
半田ディップ装置Info
- Publication number
- JPH06226444A JPH06226444A JP1310893A JP1310893A JPH06226444A JP H06226444 A JPH06226444 A JP H06226444A JP 1310893 A JP1310893 A JP 1310893A JP 1310893 A JP1310893 A JP 1310893A JP H06226444 A JPH06226444 A JP H06226444A
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- Japan
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- solder
- molten solder
- clamper
- lead
- liquid surface
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶融半田（４）の液面（Ｌ）の変動による電
子部品（３）の位置決め不良を解決し、リード（２）の
表面に被着形成される半田被膜の位置ずれを減少させ
る。 【構成】 溶融半田（４）の貯槽（６）と、その上方に
上下動機構（８）を介して昇降可能に支持されたクラン
パ支持アーム（９）と、このクランパ支持アーム（９）
に、リード（２）を下向きにした電子部品（３）の位置
決め固定部材として装着されたクランパ（１０）とを具
えた半田ディップ装置（２０）において、上記クランパ
（１０）の水平方向両端に、溶融半田（４）の液面検出
用の導通センサ（１５）を２個一組で対設する。
子部品（３）の位置決め不良を解決し、リード（２）の
表面に被着形成される半田被膜の位置ずれを減少させ
る。 【構成】 溶融半田（４）の貯槽（６）と、その上方に
上下動機構（８）を介して昇降可能に支持されたクラン
パ支持アーム（９）と、このクランパ支持アーム（９）
に、リード（２）を下向きにした電子部品（３）の位置
決め固定部材として装着されたクランパ（１０）とを具
えた半田ディップ装置（２０）において、上記クランパ
（１０）の水平方向両端に、溶融半田（４）の液面検出
用の導通センサ（１５）を２個一組で対設する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半田ディップ装置に関す
るものであり、詳細には、電子部品、例えば半導体装置
の樹脂モールド層から延びるリードに半田ディップ処理
を施す際に使用する溶融半田液面の検出装置に関するも
のである。
るものであり、詳細には、電子部品、例えば半導体装置
の樹脂モールド層から延びるリードに半田ディップ処理
を施す際に使用する溶融半田液面の検出装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図３および図４を参照しながら電子部
品、例えば、樹脂モールド層（１）から延びるリード
（２）を有する半導体装置（３）に溶融半田（４）のデ
ィップ処理を施す従来例を説明する。半田ディップ装置
（５）は、上面を開口構造とした溶融半田（４）の貯槽
（６）と、この貯槽（６）の上方に、ガイド（７）およ
び上下動機構（８）を介して昇降可能に支持されたクラ
ンパ支持アーム（９）と、このクランパ支持アーム
（９）にリード（２）を下向きにした複数個の半導体装
置（３）の位置決め固定部材として装着されたクランパ
（１０）とによって構成されている。
品、例えば、樹脂モールド層（１）から延びるリード
（２）を有する半導体装置（３）に溶融半田（４）のデ
ィップ処理を施す従来例を説明する。半田ディップ装置
（５）は、上面を開口構造とした溶融半田（４）の貯槽
（６）と、この貯槽（６）の上方に、ガイド（７）およ
び上下動機構（８）を介して昇降可能に支持されたクラ
ンパ支持アーム（９）と、このクランパ支持アーム
（９）にリード（２）を下向きにした複数個の半導体装
置（３）の位置決め固定部材として装着されたクランパ
（１０）とによって構成されている。
【０００３】クランパ（１０）によって位置決め固定さ
れた半導体装置（３）は、上下動機構（８）を起動する
ことによってそれぞれのリード（２）を下向きにした状
態で溶融半田（４）の液面に向って下降し、リード
（２）を所定の深さ迄溶融半田（４）内に浸漬させるこ
とによって、リード（２）の表面に半田被膜を形成す
る。
れた半導体装置（３）は、上下動機構（８）を起動する
ことによってそれぞれのリード（２）を下向きにした状
態で溶融半田（４）の液面に向って下降し、リード
（２）を所定の深さ迄溶融半田（４）内に浸漬させるこ
とによって、リード（２）の表面に半田被膜を形成す
る。
【０００４】この際、図４に拡大して図示するように、
樹脂モールド層（１）の下端から突出しているリード
（２）の全長に亘って均一な半田被膜（４Ａ）が形成さ
れるように、クランパ支持アーム（９）の下降距離が調
整されている。より詳細に説明すると、従来装置（５）
においては、半導体装置（３）の下向き移動経路にリー
ド（２）の高さ検出センサ（１１）を設け、この高さ検
出センサ（１１）でリード（２）の下端を検出すること
によって、クランパ支持アーム（９）の下降運動の開始
点を規正している。また、半田ディップ処理を繰返すこ
とによって溶融半田（４）の消費量が経時的に増大し、
溶融半田（４）の液面（Ｌ）が変動するので、これを防
止するため、貯槽（６）の一部を隔壁（１４）で仕切
り、この隔壁（１４）で仕切られた区画で液面（Ｌ）の
上方に、溶融半田（４）の液面の変化を検出するための
センサ（１２）と、半田補充装置（１３）を設けてい
る。
樹脂モールド層（１）の下端から突出しているリード
（２）の全長に亘って均一な半田被膜（４Ａ）が形成さ
れるように、クランパ支持アーム（９）の下降距離が調
整されている。より詳細に説明すると、従来装置（５）
においては、半導体装置（３）の下向き移動経路にリー
ド（２）の高さ検出センサ（１１）を設け、この高さ検
出センサ（１１）でリード（２）の下端を検出すること
によって、クランパ支持アーム（９）の下降運動の開始
点を規正している。また、半田ディップ処理を繰返すこ
とによって溶融半田（４）の消費量が経時的に増大し、
溶融半田（４）の液面（Ｌ）が変動するので、これを防
止するため、貯槽（６）の一部を隔壁（１４）で仕切
り、この隔壁（１４）で仕切られた区画で液面（Ｌ）の
上方に、溶融半田（４）の液面の変化を検出するための
センサ（１２）と、半田補充装置（１３）を設けてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半田ディップ装
置（５）においては、溶融半田（４）の液面（Ｌ）のコ
ントロールを、液面センサ（１２）と半田補充装置（１
３）によって行っているが、半田補充の前後で液面
（Ｌ）の高さの差が大きいことと、リード（２）を浸漬
したときに溶融半田（４）の液面（Ｌ）がリード（２）
の浸漬部分の体積相当分だけ高くなることが影響し、リ
ード（２）が実際に浸漬されるときの溶融半田（４）の
液面（Ｌ）の高さを一定にコントロールすることは実際
問題として極めて困難であった。また、リード（２）の
高さ検出用のセンサ（１１）と上記液面センサ（１２）
を連動させてリード（２）の下降距離のコントールと溶
融半田（４）の液面（Ｌ）の高さのコントロールを同調
させることも試みられているが、この方式においても、
繰返しディッピングによる溶融半田（４）の消耗と液面
（Ｌ）の変動を防止することは困難で、センサ（１１）
で半導体装置（３）の下降量が正確に規正されていると
仮定しても図４に拡大して図示するように樹脂モールド
層（１）の下面から延びるリード（２）の基端部には、
溶融半田（４）の付着不良部分（Δｌ）が残ることにな
る。
置（５）においては、溶融半田（４）の液面（Ｌ）のコ
ントロールを、液面センサ（１２）と半田補充装置（１
３）によって行っているが、半田補充の前後で液面
（Ｌ）の高さの差が大きいことと、リード（２）を浸漬
したときに溶融半田（４）の液面（Ｌ）がリード（２）
の浸漬部分の体積相当分だけ高くなることが影響し、リ
ード（２）が実際に浸漬されるときの溶融半田（４）の
液面（Ｌ）の高さを一定にコントロールすることは実際
問題として極めて困難であった。また、リード（２）の
高さ検出用のセンサ（１１）と上記液面センサ（１２）
を連動させてリード（２）の下降距離のコントールと溶
融半田（４）の液面（Ｌ）の高さのコントロールを同調
させることも試みられているが、この方式においても、
繰返しディッピングによる溶融半田（４）の消耗と液面
（Ｌ）の変動を防止することは困難で、センサ（１１）
で半導体装置（３）の下降量が正確に規正されていると
仮定しても図４に拡大して図示するように樹脂モールド
層（１）の下面から延びるリード（２）の基端部には、
溶融半田（４）の付着不良部分（Δｌ）が残ることにな
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決手段とし
て本発明は、溶融半田の貯槽と、この溶融半田の貯槽の
上方に上下動機構を介して昇降可能に支持されたクラン
パ支持アームと、このアームにリードを下向きにした電
子部品の位置決め固定部材として装着されたクランパと
を具えた半田ディップ装置において、上記クランパの水
平方向両端に、上記溶融半田の液面検出用の２個の導通
センサを対設したことを特徴とする半田ディップ装置を
提供するものである。
て本発明は、溶融半田の貯槽と、この溶融半田の貯槽の
上方に上下動機構を介して昇降可能に支持されたクラン
パ支持アームと、このアームにリードを下向きにした電
子部品の位置決め固定部材として装着されたクランパと
を具えた半田ディップ装置において、上記クランパの水
平方向両端に、上記溶融半田の液面検出用の２個の導通
センサを対設したことを特徴とする半田ディップ装置を
提供するものである。
【０００７】更に本発明は、上記半田ディップ装置の変
形例として請求項１に記載の半田ディップ装置におい
て、上記溶融半田の液面に、耐腐食性材料からなるフロ
ートを浮かせ、このフロート内に上記導通センサと対向
状態で溶融半田の液面検出用の電極を対設したことを特
徴とする半田ディップ装置を提供するものである。
形例として請求項１に記載の半田ディップ装置におい
て、上記溶融半田の液面に、耐腐食性材料からなるフロ
ートを浮かせ、このフロート内に上記導通センサと対向
状態で溶融半田の液面検出用の電極を対設したことを特
徴とする半田ディップ装置を提供するものである。
【０００８】
【作用】請求項１に記載の半田ディップ装置において
は、クランパ支持アームの下降によってクランパと電子
部品が下向きに移動したとき、クランパに対設された２
個の導通センサが溶融半田の液面に接触することによっ
て、クランパ支持アームの上下動機構用の駆動制御回路
に液面検出信号が送出される。この液面検出信号によっ
て電子部品は、下降距離を規正され、浸漬時の液面高さ
に対応した位置で停止してそのリードに半田ディップ処
理を施される。
は、クランパ支持アームの下降によってクランパと電子
部品が下向きに移動したとき、クランパに対設された２
個の導通センサが溶融半田の液面に接触することによっ
て、クランパ支持アームの上下動機構用の駆動制御回路
に液面検出信号が送出される。この液面検出信号によっ
て電子部品は、下降距離を規正され、浸漬時の液面高さ
に対応した位置で停止してそのリードに半田ディップ処
理を施される。
【０００９】また、請求項２に記載の半田ディップ装置
においては、クランパ支持アームの下降によってクラン
パと電子部品が下向きに移動したとき、クランパに対設
された２個の導電センサが溶融半田の液面に浮いている
フロート内に対設された電極と接触することによって、
クランパ支持アームの上下動機構用の駆動制御回路に液
面検出信号が送出される。この液面検出信号によって電
子部品は、下降距離を規正され、浸漬時の液面高さに対
応した位置で停止してそのリードに半田ディップ処理を
施される。
においては、クランパ支持アームの下降によってクラン
パと電子部品が下向きに移動したとき、クランパに対設
された２個の導電センサが溶融半田の液面に浮いている
フロート内に対設された電極と接触することによって、
クランパ支持アームの上下動機構用の駆動制御回路に液
面検出信号が送出される。この液面検出信号によって電
子部品は、下降距離を規正され、浸漬時の液面高さに対
応した位置で停止してそのリードに半田ディップ処理を
施される。
【００１０】
【実施例】以下、図１を参照しながら本発明の第１の実
施例を説明する。尚、以下の記述において、従来装置
（５）を示す図３および図４と同一の構成部材は、同一
の参照番号で表示し、重複事項に関しては説明を省略す
る。
施例を説明する。尚、以下の記述において、従来装置
（５）を示す図３および図４と同一の構成部材は、同一
の参照番号で表示し、重複事項に関しては説明を省略す
る。
【００１１】この半田ディップ装置（２０）において
は、クランパ（１０）の水平方向両端に、逆Ｌ字状の２
個一組の導通センサ（１５）（１５）を対設することに
よって、溶融半田（４）の液面（Ｌ）の検出手段を構成
している。
は、クランパ（１０）の水平方向両端に、逆Ｌ字状の２
個一組の導通センサ（１５）（１５）を対設することに
よって、溶融半田（４）の液面（Ｌ）の検出手段を構成
している。
【００１２】クランパ支持アーム（９）が上方の電子部
品（３）の受入れ位置から所定の速度で下降したとき、
クランパ（１０）に対設された２個の導通センサ（１
５）のそれぞれの下端が溶融半田（４）の液面（Ｌ）に
接触する。これによって導通センサ（１５）（１５）間
が導通し、クランパ（１０）およびクランパ支持アーム
（９）の上下動機構（７）（８）用の駆動制御回路（図
示省略）に液面検出信号が送出される。この液面検出信
号によって、クランパ（１０）およびこのクランパに固
着されている複数個の電子部品、例えば半導体装置
（３）は、その下降速度と下降距離を規正されながら低
速で下降し、この後上記電子部品（３）は、溶融半田
（４）の液面（Ｌ）の高さが変動している場合でも、リ
ード（２）浸漬時の液面（Ｌ）の高さに対応した所定の
位置で停止し、リード（２）の長さ方向全長（Ｈ）を溶
融半田（４）内に浸漬させる。これによって、リード
（２）の表面には半田被膜が被着形成される。
品（３）の受入れ位置から所定の速度で下降したとき、
クランパ（１０）に対設された２個の導通センサ（１
５）のそれぞれの下端が溶融半田（４）の液面（Ｌ）に
接触する。これによって導通センサ（１５）（１５）間
が導通し、クランパ（１０）およびクランパ支持アーム
（９）の上下動機構（７）（８）用の駆動制御回路（図
示省略）に液面検出信号が送出される。この液面検出信
号によって、クランパ（１０）およびこのクランパに固
着されている複数個の電子部品、例えば半導体装置
（３）は、その下降速度と下降距離を規正されながら低
速で下降し、この後上記電子部品（３）は、溶融半田
（４）の液面（Ｌ）の高さが変動している場合でも、リ
ード（２）浸漬時の液面（Ｌ）の高さに対応した所定の
位置で停止し、リード（２）の長さ方向全長（Ｈ）を溶
融半田（４）内に浸漬させる。これによって、リード
（２）の表面には半田被膜が被着形成される。
【００１３】一方、図２に示す半田ディップ装置（２
１）においては、溶融半田（４）の付着による導通セン
サ（１５）の腐食を防止するため、クランパ（１０）の
水平方向両端に、上記第１の実施例と同様の逆Ｌ字状の
導通センサ（１５）（１５）を対設すると共に、２個一
組のこの導通センサ（１５）（１５）の下方の溶融半田
（４）の液面（Ｌ）に耐腐食性材料から成形されたフロ
ート（１６）を浮かせ、このフロート（１６）内に上記
導通センサ（１５）の下端と対向状態で溶融半田（４）
の液面（Ｌ）検出用の電極（１７）（１７）を２個一組
で対設している。クランパ支持アーム（９）が上方の電
子部品（３）の受入れ位置から所定の速度で下降したと
き、２個の導通センサ（１５）のそれぞれの下端が、フ
ロート（１６）内に取付けられている液面（Ｌ）検出用
の電極（１７）（１７）に接触する。これによって導通
センサ（１５）（１５）間が導通し、クランパ（１０）
およびクランパ支持アーム（９）の上下動機構（７）
（８）用の駆動制御回路（図示省略）に液面検出信号が
送出される。この液面検出信号によって、クランパ（１
０）およびこのクランパに固着されている複数個の電子
部品、例えば、半導体装置（３）は、その下降速度と下
降距離を規正されながら低速で下降し、この後、上記電
子部品（３）は、溶融半田（４）の液面（Ｌ）の高さが
変動している場合でもリード（２）の浸漬時の液面
（Ｌ）の高さに対応した所定の位置で停止し、リード
（２）の長さ方向全長（Ｈ）を溶融半田（４）内に浸漬
させる。これによって、リード（３）の表面には半田被
膜が被着形成される。
１）においては、溶融半田（４）の付着による導通セン
サ（１５）の腐食を防止するため、クランパ（１０）の
水平方向両端に、上記第１の実施例と同様の逆Ｌ字状の
導通センサ（１５）（１５）を対設すると共に、２個一
組のこの導通センサ（１５）（１５）の下方の溶融半田
（４）の液面（Ｌ）に耐腐食性材料から成形されたフロ
ート（１６）を浮かせ、このフロート（１６）内に上記
導通センサ（１５）の下端と対向状態で溶融半田（４）
の液面（Ｌ）検出用の電極（１７）（１７）を２個一組
で対設している。クランパ支持アーム（９）が上方の電
子部品（３）の受入れ位置から所定の速度で下降したと
き、２個の導通センサ（１５）のそれぞれの下端が、フ
ロート（１６）内に取付けられている液面（Ｌ）検出用
の電極（１７）（１７）に接触する。これによって導通
センサ（１５）（１５）間が導通し、クランパ（１０）
およびクランパ支持アーム（９）の上下動機構（７）
（８）用の駆動制御回路（図示省略）に液面検出信号が
送出される。この液面検出信号によって、クランパ（１
０）およびこのクランパに固着されている複数個の電子
部品、例えば、半導体装置（３）は、その下降速度と下
降距離を規正されながら低速で下降し、この後、上記電
子部品（３）は、溶融半田（４）の液面（Ｌ）の高さが
変動している場合でもリード（２）の浸漬時の液面
（Ｌ）の高さに対応した所定の位置で停止し、リード
（２）の長さ方向全長（Ｈ）を溶融半田（４）内に浸漬
させる。これによって、リード（３）の表面には半田被
膜が被着形成される。
【００１４】
【発明の効果】本発明の第１の実施例においては、導通
センサ（１５）を溶融半田の液面（Ｌ）の検出手段とし
て使用することによってディッピングを繰返すこと、あ
るいは溶融半田（４）の補充によって液面（Ｌ）の高さ
が変動している場合でも、電子部品（３）の下降距離を
正確にコントロールすることが可能となる。従って、電
子部品（３）の位置決め精度が向上し、リード（２）の
表面全域に溶融半田（４）の液面（Ｌ）の変化とは無関
係に半田被膜が被着形成される。
センサ（１５）を溶融半田の液面（Ｌ）の検出手段とし
て使用することによってディッピングを繰返すこと、あ
るいは溶融半田（４）の補充によって液面（Ｌ）の高さ
が変動している場合でも、電子部品（３）の下降距離を
正確にコントロールすることが可能となる。従って、電
子部品（３）の位置決め精度が向上し、リード（２）の
表面全域に溶融半田（４）の液面（Ｌ）の変化とは無関
係に半田被膜が被着形成される。
【００１５】また、本発明の第２の実施例においては、
上記の効果に加えて、液面検出用の導通センサ（１５）
と腐食性の高い溶融半田（４）との間に、耐腐食性材料
からなるフロート（１６）および電極（１７）を介在さ
せることによって耐腐食性に優れた半田ディップ装置
（２１）を構成することができる。
上記の効果に加えて、液面検出用の導通センサ（１５）
と腐食性の高い溶融半田（４）との間に、耐腐食性材料
からなるフロート（１６）および電極（１７）を介在さ
せることによって耐腐食性に優れた半田ディップ装置
（２１）を構成することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す半田ディップ装置
の正面図。
の正面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す半田ディップ装置
の正面図。
の正面図。
【図３】半田ディップ装置の従来例を示す正面図。
【図４】クランパ支持アームとクランパによって支持さ
れたリード付き電子部品の側面図。
れたリード付き電子部品の側面図。
２ リード ３ 電子部品（半導体装置） ４ 溶融半田 ６ 溶融半田の貯槽 ７ ガイド ８ 上下動機構 ９ クランパ支持アーム １０ クランパ １５ 液面検出用の導通センサ １６ フロート １７ 液面検出用の電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/48 Ｋ // Ｈ０１Ｒ 43/02 Ａ 7250−5Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 溶融半田の貯槽と、この溶融半田の貯槽
の上方に上下動機構を介して昇降可能に支持されたクラ
ンパ支持アームと、このアームにリードを下向きにした
電子部品の位置決め固定部材として装着されたクランパ
とを具えた半田ディップ装置において、上記クランパの
水平方向両端に、上記溶融半田の液面検出用の２個の導
通センサを対設したことを特徴とする半田ディップ装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半田ディップ装置にお
いて、上記溶融半田の液面に、耐腐食性材料からなるフ
ロートを浮かせ、このフロート内に上記導通センサと対
向状態で溶融半田の液面検出用の電極を対設したことを
特徴とする半田ディップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310893A JPH06226444A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半田ディップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310893A JPH06226444A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半田ディップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06226444A true JPH06226444A (ja) | 1994-08-16 |
Family
ID=11823960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1310893A Withdrawn JPH06226444A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半田ディップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06226444A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100771885B1 (ko) * | 2006-09-21 | 2007-11-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 디핑 검출 장치, 그 검출 장치를 포함한반도체 소자의 디핑 장비 및 그 검출 장치를 이용한 반도체소자의 디핑 상태 검사방법 |
| JP2009208130A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujikura Ltd | ワーク浸漬処理加工方法及びその装置、並びに前記ワーク浸漬処理加工装置で使用される液面検知センサ |
| CN104148769A (zh) * | 2014-08-04 | 2014-11-19 | 苏州博众精工科技有限公司 | 一种沾锡机构 |
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