KR100770458B1 - 유기박막 증착용 도가니 장치 - Google Patents
유기박막 증착용 도가니 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100770458B1 KR100770458B1 KR1020060010215A KR20060010215A KR100770458B1 KR 100770458 B1 KR100770458 B1 KR 100770458B1 KR 1020060010215 A KR1020060010215 A KR 1020060010215A KR 20060010215 A KR20060010215 A KR 20060010215A KR 100770458 B1 KR100770458 B1 KR 100770458B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- organic thin
- crucible
- organic
- main body
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 10
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 유기박막 증착용 도가니 장치에 관한 것으로서, 유기물을 수용하고 가열하는 본체와, 증기상태의 유기물을 분출시키고 상기 본체의 상부에 결합되는 분출구가 형성된 캡부를 포함하여 이루어지는 유기박막 증착용 도가니 장치에 있어서, 상기 캡부의 상면은 상기 분출구를 중심으로 오목면이 형성되되, 상기 오목면은 라운드지게 형성된다.
본 발명에 따르면, 증발된 유기물의 비산각도 및 비산형태를 제어함으로써 유기물의 소모량을 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한 기판의 중앙부위에 많은 양의 유기물이 집중 증착되는 것을 방지할 수 있는 효과도 있다.
유기박막. 증착. 분출구. 스크린 바(screen bar).
Description
도 1은 종래 도가니 장치의 사용상태를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 도가니 장치의 사시도이다.
도 3은 본 발명에 의한 도가니 장치의 단면도이다.
도 4는 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 실시예의 요부 사시도이다.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
1: 도가니 장치 10: 본체
11: 돌출부 20: 캡부
21: 분출구 22: 오목면
23: 몰입면 30: 스크린 바
31: 지지대 32,32': 스크린
40: 배플 41: 개구부
본 발명은 유기박막 증착용 도가니 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증발된 유기물의 비산각도 및 비산형태를 제어함으로써 유기물의 소모량을 절감할 수 있고, 또한 기판의 중앙부위에 많은 양의 유기물이 집중 증착되는 것을 방지할 수 있는 유기박막 증착용 도가니 장치에 관한 것이다.
최근 정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. 이러한 평판표시소자로는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다.
그 중에서 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초 박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.
이러한 유기발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 입히고, 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다. 즉, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며 남는 여기 에너지가 빛으로 발생하는 것이다. 이때 유기 물질의 도판트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.
유기발광소자의 자세한 구조는 도면에는 도시하지 않았지만 기판상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 운송층(eletron transfer layer), 전자 주입층(eletron injection layer), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다. 여기에서 양극으로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 전자 운송층, 전자 주입층의 다층으로 구성되며, 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이다. 또한, 음극으로는 LiF-Al 금속막이 사용된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 최상부에 형성된다.
한편, 현재까지 개발된 유기박막형성 방법에는 진공증착법(Vacuum Deposition Method), 스퍼터링(sputtering)법, 이온빔 증착(Ion-beam Deposition)법, Pulsed-laser 증착법, 분자선 증착법, 화학기상증착법, 스핀코터(spin coater) 등이 있다. 이 중에서 현재 상용화되어 있는 기술은 진공증착법이다.
여기서, 진공증착법이란 유기물이 수용된 도가니 주위를 가열하여 기화 또는 승화시켜 증기(기체)상태의 유기물을 도가니 상부에 위치한 기판에 증착하는 것이다.
도 1을 참조하여 종래 도가니 장치의 구성을 설명하면, 원통형상의 본체(110) 내부에 유기물을 수용하고, 그 상부에는 증발된 유기물이 분출되는 분출구 (111)가 형성되어 있다.
위와 같이 구성된 종래의 도가니 장치를 이용하여 유기박막 증착과정을 설명하면, 유기물 고체분말(210)을 수용한 도가니 장치가 진공챔버(미도시)의 내부에 마련되고, 그 상부에는 기판(S)이 위치한다. 이 상태에서 히터(미도시)에 의해 도가니 장치를 가열하면 유기물이 증발 또는 승화되어 증기상태로 상기 분출구(111)를 통해 분출된다. 분출된 증기는 기판(S)에 응고되어 유기박막(220)이 형성되는 것이다.
그러나 종래의 도가니 장치는 기판에 증착되지 아니하고 소모되는 유기물이 많다는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점은 비산각도 및 비산형태로부터 기인하는 것이었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 증발된 유기물의 비산각도 및 비산형태를 제어함으로써 유기물의 소모량을 절감할 수 있고, 또한 기판의 중앙부위에 많은 양의 유기물이 집중 증착되는 것을 방지할 수 있는 유기박막 증착용 도가니 장치를 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 유기물을 수용하고 가열하는 본체와, 증기상태의 유기물을 분출시키고 상기 본체의 상부에 결합되는 분출구가 형성 된 캡부를 포함하여 이루어지는 유기박막 증착용 도가니 장치에 있어서, 상기 캡부의 상면은 상기 분출구를 중심으로 오목면이 형성되되, 상기 오목면은 라운드지게 형성된다.
또한 상기 캡부의 내벽은 상기 분출구로부터 하방 외측으로 몰입된 몰입면이 형성되되, 상기 몰입면은 라운드지게 형성되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 의한 도가니 장치는 상기 분출구 상측 또는 하측의 이격된 위치에 스크린이 더 구비되는 것이 더욱 바람직하다.
또한 상기 스크린의 하면은 라운드 또는 경사지게 형성될 수도 있다.
또한 상기 스크린은 여러 형태로 설치될 수 있는데, 상기 본체의 내측에 수직으로 설치된 지지대에 의해 지지되거나 또는 상기 본체 또는 캡부의 내부에 배플을 더 구비하고, 상기 스크린을 상기 배플에 수직으로 설치된 지지대에 의해 지지되도록 함으로써 설치할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 설명한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예는 고체 상태의 유기물(210)을 수용하고 가열하는 본체(10) 및 상기 본체(10)의 상부에 결합되는 캡부(20)로 구성된다.
상기 캡부(20)에는 증발된 유기물이 분출되도록 개구된 분출구(21)가 형성되어 있다. 특히, 상기 캡부(20)의 상면은 상기 분출구(21)를 중심으로 라운드진 오목면(22)이 형성되어 있음을 알 수 있다. 또한 상기 캡부(20)의 내벽은 상기 분출구(21)로부터 하방 외측으로 몰입된 몰입면이 형성되어 있다.
또한 본 실시예에는 스크린 바(screen bar, 30)가 더 구비되어 있는데, 상기 스크린 바(30)는 상기 분출구(21)의 상측에 소정거리만큼 이격된 스크린(32)과, 상기 스크린(32)의 하측으로 연장형성된 지지대(31)로 구성되며, 상기 지지대(31)는 상기 본체(10)의 내측 하면에 수직 설치된다.
상기 본체의 내부에는 상방으로 돌출형성된 돌출부(11)가 더 구비되는데, 이는 본체(10) 내부의 열전달 효율을 향상시키기 위한 구성이며, 상기 지지대(31)의 하단은 상기 돌출부(11)에 나사체결될 수 있다.
도 3을 참조하여 본 실시예의 작용을 설명한다. 본체(10)에서 가열되어 증발된 유기물은 분출구(21)를 통해 비산한 후, 기판(S)에 응고되어 유기박막(220)이 형성되는데, 이 때 비산각도 및 비산형태는 상기 캡부(20)의 상면에 형성된 라운드진 오목면(22)의 영향을 받게된다(화살표 참조). 즉, 상기 라운드진 오목면(22)에 의해 비산각도(퍼짐각도)가 줄어든다. 이러한 비산각도 및 비산형태는 상기 라운드진 오목면(22)의 가공형태에 따라 얼마든지 제어할 수 있는 것이다. 따라서 상기 기판(S)의 면적 및 이격거리 등을 고려하여 다수번의 실험을 통해 기판(S)에 증착되지 아니하고 소모되는 유기물을 최소화 할 수 있는 것이다.
또한 상기 스크린 바(30), 특히, 스크린(32)은 상대적으로 비산거리가 짧아 에너지가 많은 증기상태의 유기물을 반사 또는 굴절시키게 된다. 따라서 기판(S)의 가장자리보다 중앙부위에 많은 양의 유기물이 집중 증착되는 것이 방지된다.
도 4를 참조하면, 도 3에 도시된 실시예와 달리 상기 캡부(20)의 내부에 몰입면이 없음을 알 수 있다. 즉, 상기 캡부(20)는 분출구(21)의 하방으로 그와 동일 한 직경의 홀이 관통형성되어 있음을 알 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 스크린 바(30)의 스크린(32)이 상기 분출구(21)의 하측의 이격된 위치에 형성되어 있음을 알 수 있다. 또한 상기 캡부(20)의 내벽은 상기 분출구(21)로부터 하방 외측으로 몰입된 몰입면(23)이 형성되되, 상기 몰입면(23)이 라운드지게 형성된 것이다. 라운드진 상기 몰입면(23)은 증발된 유기물의 비산형태를 효율적으로 가이드하는 작용을 한다.
도 6을 참조하면, 상기 스크린 바(30)의 스크린(32')의 형태가 변형된 것임을 알 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 상기 스크린(32')의 하면이 라운드지게 형성된다. 이와 같이 형성함으로써 비산거리가 짧아 에너지가 많은 증기상태의 유기물을 굴절시켜 상기 캡부(20)의 라운드진 오목면(22)을 통해 비산시키는 작용을 하는데, 도 4에 도시된 실시예의 스크린의 구조와 비교하여 비산각의 퍼짐각도를 좋게 한다. 물론 이와 달리 상기 스크린의 하면을 경사지게 형성하여도 동일한 작용을 얻을 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 캡부(20)의 내부에는 상기 분출구(21)를 중심으로 그 내측에 공간부(25)가 형성되어 있는 것이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예는 상기 본체(10)와 캡부(20)의 체결부 내부에 배플(40)이 더 구비되어 있고, 상기 스크린 바(30)는 상기 배플(40) 상에 지지되어 있는 것이다. 상기 배플(40)은 유기물이 액체상태로 튀어 올라오는 유기물을 차단하기 위한 구성요소이다. 또한 배플(40)에 의해 도시된 바와 같이, 스크린 바(30)의 설치를 용이하게 할 수 있으며, 배플의 구성만으로도 도 5에 도시된 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도 9를 참조하여 상기 배플(40)의 구성 및 스크린 바(30)의 결합상태를 설명한다.
상기 배플(40)은 원형의 플레이트에 개구부(41)가 형성되어 이루어진다. 따라서 증발된 유기물은 상기 개구부(41)를 통해 비산된다. 또한 상기 스크린 바(30)의 지지대(31)는 상기 배플(40)의 중앙부위의 상면에 지지되어 있다.
본 실시예에서는 상기 배플(40)이 본체(10)의 상부에 장착되지만, 이와 달리 본체 또는 캡부의 내부라면 어느 곳이든 장착 가능하다.
본 발명에 따르면, 증발된 유기물의 비산각도 및 비산형태를 제어함으로써 유기물의 소모량을 절감할 수 있는 효과가 있다. 특히, 캡부의 상면이 상기 분출구를 중심으로 라운드진 오목면이 형성되도록 구성함으로써, 기판의 가장자리보다 중앙부위에 많은 양의 유기물이 집중 증착되는 것을 방지할 수 있는 것이다.
Claims (8)
- 유기물을 수용하고 가열하는 본체와, 증기상태의 유기물을 분출시키고 상기 본체의 상부에 결합되는 분출구가 형성된 캡부를 포함하여 이루어지는 유기박막 증착용 도가니 장치에 있어서,상기 캡부의 상면은 상기 분출구를 중심으로 오목면이 형성되되, 상기 오목면은 라운드지게 형성되며,상기 캡부의 내벽은 상기 분출구로부터 하방 외측으로 몰입된 몰입면이 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막 증착용 도가니 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 몰입면은 라운드지게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착용 도가니 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 도가니 장치는,상기 분출구 상측 또는 하측의 이격된 위치에 스크린이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착용 도가니 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 스크린의 하면은 라운드 또는 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착용 도가니 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 스크린은 상기 본체의 내측에 수직으로 설치된 지지대에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착용 도가니 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 도가니 장치는,상기 본체 또는 캡부의 내부에 배플이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착용 도가니 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 도가니 장치는,상기 배플에 수직으로 설치된 지지대에 의해 지지되는 스크린을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기박막 증착용 도가니 장치.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060010215A KR100770458B1 (ko) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | 유기박막 증착용 도가니 장치 |
| CN2006800473013A CN101331801B (zh) | 2005-12-16 | 2006-12-15 | 用于沉积有机薄膜的坩埚组件 |
| PCT/KR2006/005490 WO2007069865A1 (en) | 2005-12-16 | 2006-12-15 | Crucible assembly for deposition of organic thin film |
| TW95146964A TWI330997B (en) | 2005-12-16 | 2006-12-15 | Crucible assembly for deposition of organic thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060010215A KR100770458B1 (ko) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | 유기박막 증착용 도가니 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070079491A KR20070079491A (ko) | 2007-08-07 |
| KR100770458B1 true KR100770458B1 (ko) | 2007-11-07 |
Family
ID=38600094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060010215A KR100770458B1 (ko) | 2005-12-16 | 2006-02-02 | 유기박막 증착용 도가니 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100770458B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180062673A (ko) | 2016-12-01 | 2018-06-11 | 한국전기연구원 | 승화성물질의 증착장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100900444B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2009-06-02 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100862340B1 (ko) * | 2007-08-16 | 2008-10-13 | 세메스 주식회사 | 유기 발광 소자 박막 제작을 위한 선형 증발원 |
| KR102464191B1 (ko) * | 2020-10-30 | 2022-11-09 | (주)단단 | 진공 증착용 도가니 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0598425A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| KR20040043361A (ko) * | 2002-11-18 | 2004-05-24 | 주식회사 야스 | 증착 공정용 원추형 노즐 증발원 |
| JP2004259634A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネルの製造方法、及びその有機ｅｌパネルの製造方法で用いられる有機層製膜装置 |
| JP2004315898A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Tokki Corp | 蒸着装置における蒸発源 |
-
2006
- 2006-02-02 KR KR1020060010215A patent/KR100770458B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0598425A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| KR20040043361A (ko) * | 2002-11-18 | 2004-05-24 | 주식회사 야스 | 증착 공정용 원추형 노즐 증발원 |
| JP2004259634A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機ｅｌパネルの製造方法、及びその有機ｅｌパネルの製造方法で用いられる有機層製膜装置 |
| JP2004315898A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Tokki Corp | 蒸着装置における蒸発源 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180062673A (ko) | 2016-12-01 | 2018-06-11 | 한국전기연구원 | 승화성물질의 증착장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070079491A (ko) | 2007-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100691025B1 (ko) | 유기박막 증착용 도가니 장치 | |
| KR20070105595A (ko) | 유기박막 증착장치 | |
| KR100770458B1 (ko) | 유기박막 증착용 도가니 장치 | |
| JP5798171B2 (ja) | 量産用蒸発装置および方法 | |
| CN101622372A (zh) | 蒸镀源、蒸镀装置、有机薄膜的成膜方法 | |
| JP2011132596A (ja) | 蒸発源及びそれを用いた蒸着装置 | |
| KR102036597B1 (ko) | 선형증발원, 이를 구비한 증착장치 및 이를 이용하는 증착방법 | |
| CN108203805A (zh) | 蒸镀设备及其磁性固定板 | |
| JP2004307877A (ja) | 薄膜堆積用分子線源とそれを使用した薄膜堆積方法 | |
| KR101633112B1 (ko) | 유기박막 진공 열 증착 장치용 소스 | |
| KR100757798B1 (ko) | 유기박막 증착용 도가니 장치 | |
| KR20070082721A (ko) | 벨트식 면소스를 이용하는 유기소자의 수직식 증착방법 | |
| KR20100053365A (ko) | 하향 증착이 가능한 증착원 | |
| KR100952313B1 (ko) | 원료 공급 유닛과 원료 공급 방법 및 박막 증착 장치 | |
| KR101131599B1 (ko) | 증발 장치 및 이를 구비하는 진공 증착 장치 | |
| KR20150081008A (ko) | 증착원 | |
| KR100830839B1 (ko) | 증발원 | |
| KR20070097633A (ko) | 증착 장치 | |
| KR20060080679A (ko) | 증착시스템의 증착원의 제어방법 | |
| KR20210001040A (ko) | 점 증발원용 도가니 및 점 증발원 | |
| KR20220052190A (ko) | 점 증발원용 도가니 및 점 증발원 | |
| KR20090056194A (ko) | 증착 원료 분사 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 | |
| KR101197271B1 (ko) | 유기박막 증착용 도가니 | |
| KR100786230B1 (ko) | 유기박막 증착용 도가니의 열감지 장치 및 이를 구비한도가니 장치 | |
| KR100748451B1 (ko) | 유기발광소자의 증착장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121102 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131101 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141104 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151028 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161027 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |