KR20070097633A - 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 증착 장치 내부에 구비되며 기판과 대향되는 선형 증발원의 개구홀이 외측에서 중심으로 갈수록 높이 차가 점증적으로 커짐에 따라 상기 개구홀의 높낮이 조절에 의해 박막 균일도 확보 및 증착 물질의 효율을 향상시키는 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 증착 장치의 구성을, 선형 증발원이 내부에 구비되는 증착 장치에 있어서, 상기 선형 증발원의 내부에 구비되며, 길이 방향으로 연장되는 형상으로 내부에 유기 물질이 충진되는 도가니; 및 상기 도가니 상부에 구비되고 표면에 다수개의 개구홀이 형성되는 덮개부재; 를 포함하며, 상기 덮개부재에 형성된 개구홀은, 그 각각이 상기 선형 증발원에서 상방으로 이격되고 평행하게 설치된 기판과의 수직선상 거리가 서로 다른 것을 특징으로 한다.
증착 장치, 유기물, 금속 재료, 선형 증발원, 덮개부재, 개구홀, 단차, 증착 균일성

Description

증착 장치{DEPOSITION APPARATUS}
도 1은 종래의 증착 장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 종래의 증착 장치의 선형 증발원을 도시한 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 증착 장치의 선형 증발원을 도시한 사시도이다.
도 4는 상기 선형 증발원의 정단면도이다.
도 5는 상기 선형 증발원에 구비되는 덮개부재의 개구홀 형상을 부분 도시한 확대도이다.
도 6은 상기 개구홀에 가이드 부재가 구비된 상태를 부분 도시한 확대도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 증착 장치의 선형 증발원을 도시한 사시도이다.
도 8은 상기 선형 증발원의 정단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 증착 장치의 선형 증발원을 도시한 정단면도이다.
도 10은 상기 개구홀의 형상을 부분 도시한 확대도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 증착 장치의 선형 증발원을 도시 한 정단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
120, 220, 320, 420: 선형 증발원 124, 224, 324, 424: 덮개부재
124a, 224a, 324b, 424b: 개구홀 126, 226, 326, 426: 차단판
128: 가이드 부재 324a, 424a: 돌출부
본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 증착 장치 내부에 구비되며 기판과 대향되는 선형 증발원의 개구홀이 외측에서 중심으로 갈수록 높이 차가 점증적으로 커짐에 따라 상기 개구홀의 높낮이 조절에 의해 박막 균일도 확보 및 증착 물질의 효율을 향상시키는 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로, EL(Electro luminecence)소자는 자발 발광형 표시소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시소자로써 주목받고 있다. EL소자는 발광층(emitting layer) 형성용 물질에 따라 무기EL소자와 유기EL소자로 구분되며, 유기El소자는 무기EL소자에 비하여 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점이 있다.
최근 정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로서 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. 이러한 평판표시소자 로는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다.
그중에 유기발광소자(OLED)는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없으므로 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.
이러한, 유기발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 입혀서 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 자 발광하는 원리이다. 즉, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도판트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 컬러(full color)의 구현이 가능하다.
유기발광소자의 자세한 구조는 기판상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 수송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 수송층(eletron transfer layer), 전자 주입층(eletron injection layer), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다. 여기에서 양극으로는 면 저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)이 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층의 다층으로 구성되며, 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m- MTDATA, TCTA 등이다. 또한, 음극으로는 LiF-Al 금속막이 사용된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 최상부에 형성된다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광소자의 구동은 다음과 같이 이루어진다. 우선 상기 선택된 양극 및 음극 간에 전압을 인가하면 선택된 양극으로부터 정공 주입층에서 주입된 정공은 정공 수송층을 경유하여 발광층에 이동한다. 한편, 음극으로부터 전자 주입층에서 주입된 전자는 전자 수송층을 경유하여 발광층에 주입되고, 상기 발광층 영역에서 캐리어들이 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 변화되고, 이로 인하여 발광층이 형성된 분자가 발광함으로써 화상이 형성된다.
상술한 바와 같이 구성되어 작동되는 유기발광소자는 제작시에 적, 청, 녹의 3색의 컬러를 구현하기 위하여 금속의 증착 마스크를 이용하여 기판의 상면에 상술한 전극층과 유기 박막층을 각 화소별로 증착하고 있다.
종래의 증착 장치는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 진공 상태로 내부 상측에 기판(S)이 구비되는 증착 챔버(1)와 증착 물질을 열원에 의해 기화시켜 상기 기판(S)에 공급할 수 있도록 이동하는 선형 증발원(2)으로 크게 구성된다.
여기서, 상기 증착 챔버(1)는 내부에서 기판(S)에 증착을 실시하면서 대기압 상태와 진공 상태가 순환되는 장소로 상기 증착 챔버(1)내 저면 모서리부에 진공펌프(도면에 미도시)를 마련하여 이 증착 챔버(1)의 내부 압력을 낮춘다.
즉, 기판(S)의 표면에 순수한 유기물 또는 금속 재료를 증착시키기 위해서는 증착 챔버(1) 내부의 불순물이 제거된 상태에서 유기물 또는 금속 재료를 증착하여야하므로 증착하기 전에 증착 챔버(1) 내부의 기체를 흡입하여 제거한다.
그리고 상기 선형 증발원(2)은 중공 형성된 몸체(12)의 내부에 한 쌍으로 구비되며 이 한 쌍이 호스트 물질이 담긴 호스트 증발원과 도펀트 물질이 담긴 도펀트 증발원으로 구성된다. 특히, 상기 호스트 증발원과 도펀트 증발원은 일정 각도로 중심을 향해 경사지도록 위치시킨 상태에서 상기 두 증발원을 이동시키거나 기판(S)과 마스크(도면에 미도시)를 함께 이동하는 과정을 통해 기판(S)을 증착하였다.
그리고 상기 선형 증발원(2)은 길이 방향으로 연장되는 형상으로 그 길이가 기판(S)의 장변 길이보다 더 연장되어야 하며 상면이 개구된 하우징(22)과 상기 하우징(22)의 상면에 안착되되 상면에 다수개의 개구홀(24a)이 일정 간격으로 다수 형성되는 덮개부재(24)로 이루어진다.
더욱이, 길이 방향으로 연장되는 상기 몸체(12)의 상면에는 다수개의 구멍(12a)이 관통 형성되며 이 구멍(12a)을 통해 상기 선형 증발원(2)의 증착 물질이 기판(S)에 공급된다.
여기서, 상기 기판(S)과 소정 간격만큼 이격되는 상기 덮개부재(24)의 개구홀(24a)들은 이 기판(S)과의 높이 차가 모두 동일하다.
그러나 상기 기판(S)의 증착시 증착 균일성이 요구되지만 개구홀(24a)들의 위치별 면적밀도를 동일하게 유지하면 증착을 완료했을 때 이 기판(S)의 모서리부와 중심부의 박막을 보면 두께가 파형 형상으로 형성된다.
더욱이, 외측을 제외한 중심부의 개구홀(24a)과 대향되는 기판(S)의 중심부 두께 파형의 최상점에서 최하점의 높이(a)와, 외측의 개구홀(24a)과 대향되는 기판(S)의 모서리부에 해당되는 두께 파형의 최상점에서 최하점의 높이(b)와의 합이 증착 균일도 범위(a+b)가 되는 것이다.
결국, 상기 기판(S) 증착시 외측의 박막 두께가 중심부보다 상대적으로 얇게 증착되어 증착 균일성이 저하되고 증착 물질의 효율성도 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 다른 실시 예로는 도면에는 도시하지 않았지만 다수개의 개구홀로 구성된 구조에 있어서 덮개부재의 개구홀 직경을 증감시켜 외측의 개구홀의 직경은 확대시키고 중심부의 개구홀 직경은 축소시켜 균일성을 확보하려고 시도하였으나 정확한 증발 해석에 의해서 서로 다르게 개구홀의 크기를 결정하기가 난해한 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 증착 장치 내부에 구비되며 기판과 대향되는 선형 증발원의 개구홀이 외측에서 중심으로 갈수록 높이 차가 점증적으로 커짐에 따라 상기 개구홀의 높낮이 조절에 의해 박막 균일도 확보 및 증착 물질의 효율을 향상시킬 수 있게 한 증착 장치를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 선형 증발원이 내부에 구비되는 증착 장치에 있어서, 상기 선형 증발원의 내부에 구비되며, 길이 방향으로 연장되는 형상으로 내부에 유기 물질이 충진되는 도가니; 및 상기 도가니 상부에 구비되고 표면에 다수개의 개구홀이 형성되는 덮개부재; 를 포함하며, 상기 덮개부재에 형성된 개구홀은, 그 각각이 상기 선형 증발원에서 상방으로 이격되고 평행하게 설치된 기판과의 수직선상 거리가 서로 다르게 함으로써, 기판 증착시 박막 두께의 균일성을 확보할 수 있으므로 바람직하다.
이하, 본 발명의 증착 장치를 첨부도면을 참조하여 실시 예들을 들어 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 증착 장치는 도면에는 도시하지 않았지만 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명을 생략한다. 다만, 선형 증발원이 종래의 그것과 상이하므로 상기 선형 증발원에 대해서만 설명한다.
더욱이, 상기 증착 장치는 상기 선형 증발원(120) 또는 기판 중 선택되는 어느 하나의 이동에 의해 대형 기판의 증착시에도 균일성이 확보된다.
상기 선형 증발원(120)은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 상측에 위치되는 기판(도면에 미도시)의 장변 길이보다 더 연장되며 하우징(122)과 덮개부재(124)와 도가니(130) 및 가열수단(도면에 미도시)을 포함하여 세부적으로 구성된다. 그리고 상기 선형 증발원(120)은 가이드(도면에 미도시)를 따라 수평 방향을 향해 일률적으로 이동된다.
상기 하우징(122)은 내부가 중공 형성되되 상단이 개구되며 직육면체 형상으로 형성된다.
상기 덮개부재(124)는 일체형으로 상기 하우징(122)의 상부에 안착되되 높이가 외측에서 중심으로 갈수록 점증적으로 낮아지는 좌우 대칭형인 단차 형상으로 형성되며 표면에 다수개가 등 간격으로 구비됨과 동시에 각각의 면적이 동일한 개구홀(124a)이 형성된다. 그러나 상기 덮개부재(124)는 계단형 이외에 상면이 오목한 아치형으로도 형성될 수 있다.
즉, 상기 개구홀(124a)은 각각이 상기 선형 증발원(120)에서 상방으로 소정 거리만큼 이격되면서 평행하게 설치된 기판과의 수직선상 거리가 내측으로 갈수록 증대되는 것이다.
더욱이, 상기 개구홀(124a)의 형성 개수는 본 실시 예에서 6개로 한정하였으나 증감에 따른 변경 실시가 가능하다. 그리고 상기 개구홀(124a)의 형상은 상단과 하단의 직경이 동일한 원기둥 형상으로 형성된다.
그리고 상기 덮개부재(124)의 상측 즉, 기판과 유사한 높이에 적어도 하나의 개구홀(124a)에서 분사되는 증착 물질을 검출하는 두께 제어용 센서인 검출수단(도면에 미도시)이 더 구비되어 선형 증발원(120)에서 공급되는 증착 물질의 공급량과 밀도 등을 감지하고 이 감지된 신호를 제어부(도면에 미도시)에서 제어하여 증착 물질의 증발률 조절에 의한 박막 두께를 조절할 수 있다.
그리고 상기 개구홀(124a)의 하측에는 증착 물질의 기화시 간섭하지 않으면서 기판에 공급되는 증착 물질의 응축을 방지하는 보조 가열수단(도면에 미도시)이 더 구비된다.
그리고 상기 개구홀(124a)의 하측에는 증착 물질이 기판에 튀어 손상되는 것을 방지하는 기능을 하되 이 개구홀(124a)의 면적과 동일하거나 좀 더 확장되는 차단판(126)이 구비되며, 상기 차단판(126)의 고정은 한 예로 상기 개구홀(124a)의 둘레인 덮개부재(124)에 이격되도록 고리 등에 의해 실시할 수 있다.
그리고 상기 개구홀(124a)의 형상은 도 5에 도시된 바와 같이 상단이 면적이 하단의 면적보다 확대되어 구배진 상태로 형성될 수도 있으며 형성 각도(θ)가 120∼150°범위로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고 상기 개구홀(124a)이 원통 형상으로 형성될 경우에 이 개구홀(124a)에 가이드 부재(128)가 삽입되며, 상기 가이드 부재(128)는 증착 물질이 기판을 향해 수직 방향으로 분사되는 것을 유도하는 기능을 하고 내부가 중공 형성된 원통 또는 다각통 중 선택되는 어느 하나로 형성된다. (도 6 참조)
한편, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 선형 증발원(120)은 내측을 중심으로 경사진 한 쌍이 대향된 상태로 구비되는바, 각각의 선형 증발원(120)의 각도를 조절할 수 있으므로 증착 물질의 공급 방향 조절이 가능하다.
상기 도가니(crucible: 130)는 도 4에 도시된 바와 같이 주로 파우더 형태의 증착 물질을 충진하는 기능을 하며 내부에 증착 물질이 충진될 수 있도록 길이 방향으로 연장되면서 상단이 개구된 형상으로 형성된다.
상기 가열수단은 상기 도가니(130)의 하측 둘레 면을 따라 근접되게 고정되어 인가 전원에 의해 이 도가니(130)에 열원을 제공하는 기능을 하며 일 예로 열선 (filament)이다.
그러므로 본 발명의 증착 장치의 선형 증발원에 의해 반입된 기판에 유기물 또는 금속 재료를 기화시켜 증착하는 과정은 도 4에 도시된 바와 같이 상기 도가니(130)에 충진된 증착 물질이 가열수단의 열원에 의해 기화되면서 상기 기판에 공급되며 이때 이 기판의 하측에 구비되는 선형 증발원(120)의 덮개부재(124)는 그 외측과 중심부위와의 높이 차가 형성되므로 개구홀(124a) 또한 높이 차가 형성된다. 그리고 상술한 증착 물질은 유기물 또는 금속 재료이다.
즉, 상기 덮개부재(124)의 외측에 형성되는 개구홀(124a)이 중심부에 형성되는 개구홀(124a)보다 기판과 근접된 위치에서 점증적으로 낮은 위치에 형성되므로 상대적으로 중심부에 형성된 개구홀(124a)을 통한 증착 물질의 공급을 외측에 형성된 개구홀(124a)과 동일하게 하여 증착시 박막 두께가 균일한 결과를 얻을 수 있다.
결국, 증착시 상기 덮개부재(124)의 개구홀(124a) 중 양단 외측에서 증착률이 저하되므로 외측에 형성되는 개구홀(124a)의 높이를 상승시키고 중심으로 갈수록 점증적으로 낮게 위치시켜 두께가 파형 형상으로 증착되는 박막에 있어 개구홀(124a)의 중심에서 수직선상 위치인 두께 파형의 최상점과 이웃한 개구홀(124a)의 사이 중심을 기준으로 수직선상 위치인 두께 파형의 최하점의 높이(a')가 증착 균일도 범위가 되는 것이다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 선형 증발원(220)은 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 상측에 위치되는 기판(도면에 미도시)의 장변 길이보다 더 연장되며 하우징(222)과 덮개부재(224)와 도가니(230) 및 가열수단(도면에 미도시)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 하우징(222)과 도가니(230) 및 가열수단은 앞선 실시 예의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략하며, 상기 덮개부재(224)가 결합형인 것이 상이하다.
상기 덮개부재(224)는 높이마다 분리된 상태로 구비되되 서로 연결하여 배치한 결합형으로 상기 하우징(222)의 상부에 안착되되 높이가 외측에서 중심으로 갈수록 점증적으로 낮아지는 좌우 대칭형인 단차 형상으로 형성되며 표면마다 다수개가 등 간격으로 구비됨과 동시에 각각의 면적이 동일한 개구홀(224a)이 형성된다. 그러나 상기 덮개부재(224)는 결합된 형상이 계단형으로 형성되거나 결합된 상면이 오목한 아치형으로도 형성될 수 있다.
즉, 상기 개구홀(224a)은 각각이 상기 선형 증발원(220)에서 상방으로 소정 거리만큼 이격되면서 평행하게 설치된 기판과의 수직선상 거리가 내측으로 갈수록 증대되는 것이다.
그리고 중심부에 구비되는 덮개부재(224)는 개구홀(224a)마다 개별형으로 분리될 수 있다.
더욱이, 상기 개구홀(224a)의 형성 개수는 본 실시 예에서 6개로 한정하였으나 증감에 따른 변경 실시가 가능하며 개수가 증가하면 덮개부재(224)의 길이도 증 가된다. 그리고 상기 개구홀(224a)의 형상은 상단과 하단의 직경이 동일한 원기둥 형상으로 형성된다.
그리고 상기 덮개부재(224)의 상측 즉, 기판과 유사한 높이에 적어도 하나의 개구홀(224a)에서 분사되는 증착 물질을 검출하는 두께 제어용 센서인 검출수단(도면에 미도시)이 더 구비되어 선형 증발원(220)에서 공급되는 증착 물질의 공급량과 밀도 등을 감지하고 이 감지된 신호를 제어부(도면에 미도시)에서 제어하여 증착 물질의 증발률 조절에 의한 박막 두께를 조절할 수 있다.
그리고 상기 개구홀(224a)의 하측에는 앞선 실시 예에서와 같이 보조 가열수단(도면에 미도시)이 더 구비된다.
그리고 상기 개구홀(224a)의 하측에는 증착 물질이 기판에 튀어 손상되는 것을 방지하는 기능을 하되 이 개구홀(224a)의 면적과 동일하거나 좀 더 확장되는 차단판(226)이 구비되며, 상기 차단판(226)의 고정은 앞선 실시 예의 방식과 동일하다.
그리고 상기 개구홀(224a)의 형상은 앞선 실시 예에서와 같이 상단이 면적이 하단의 면적보다 확대되어 구배진 상태로 형성될 수도 있으며 형성 각도(θ)가 120∼150°범위로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고 도면에는 도시하지 않았지만 상기 개구홀(224a)이 원통 형상으로 형성될 경우에 이 개구홀(224a)에 가이드 부재(도면에 미도시)가 삽입되며, 상기 가이드 부재는 증착 물질이 기판을 향해 수직 방향으로 분사되는 것을 유도하는 기능을 하고 내부가 중공 형성된 원통 또는 다각통 중 선택되는 어느 하나로 형성된다.
한편, 도면에는 도시하지 않았지만 앞선 실시 예에서와 같이 상기 선형 증발원(220)은 내측을 중심으로 경사진 한 쌍이 대향된 상태로 구비되는바, 각각의 선형 증발원(220)의 각도를 조절할 수 있으므로 증착 물질의 공급 방향의 조절이 가능하다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 선형 증발원(320)은 도 9에 도시된 바와 같이 상측에 위치되는 기판(도면에 미도시)의 장변 길이보다 더 연장되며 하우징(322)과 덮개부재(324)와 도가니(330) 및 가열수단(도면에 미도시)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 하우징(322)과 도가니(330) 및 가열수단은 앞선 실시 예의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략하며, 상기 덮개부재(324)가 일체형으로 형성되면서 후술할 덮개부재(324)의 개구홀(324b) 주위에 돌출부(324a)가 일체로 형성되는 것이 상이하다.
상기 덮개부재(324)는 상기 하우징(322)의 상부에 안착되되 높이가 외측에서 중심으로 갈수록 점증적으로 낮아지는 좌우 대칭형인 단차 형상으로 형성되되 표면에 다수개가 등 간격으로 구비되는 돌출부(324a)가 일체로 형성되고 상기 돌출부(324a)마다 면적이 동일하면서 관통 형성되는 개구홀(324b)이 구비된다. 그러나 상기 덮개부재(324)는 계단형 이외에 상면이 오목한 아치형으로도 형성될 수 있다.
즉, 상기 개구홀(324b)은 각각이 상기 선형 증발원(320)에서 상방으로 소정 거리만큼 이격되면서 평행하게 설치된 기판과의 수직선상 거리가 내측으로 갈수록 증대되는 것이다.
더욱이, 상기 개구홀(324b)의 형성 개수는 본 실시 예에서 6개로 한정하였으나 증감에 따른 변경 실시가 가능하다. 그리고 상기 개구홀(324b)의 형상은 상단과 하단의 직경이 동일한 원기둥 형상으로 형성된다.
그리고 상기 덮개부재(324)의 상측에는 앞선 실시 예에서의 그것처럼 검출수단(도면에 미도시)이 더 구비되어 선형 증발원(320)에서 공급되는 증착 물질의 공급량과 밀도 등을 감지하고 이 감지된 신호를 제어부(도면에 미도시)에서 제어하여 증착 물질의 증발률 조절에 의한 박막 두께를 조절할 수 있다.
그리고 상기 개구홀(324b)의 하측에는 증착 물질의 기화시 간섭하지 않으면서 기판에 공급되는 증착 물질의 응축을 방지하는 보조 가열수단(도면에 미도시)이 더 구비된다.
그리고 상기 개구홀(324b)의 하측에는 증착 물질이 기판에 튀어 손상되는 것을 방지하는 기능을 하되 이 개구홀(324b)의 면적과 동일하거나 좀 더 확장되는 차단판(326)이 구비되며, 상기 차단판(326)의 고정은 한 예로 상기 개구홀(324b)의 둘레인 덮개부재(324)에 이격되도록 고리 등에 의해 실시할 수 있다.
그리고 상기 개구홀(324b)의 형상은 도 10에 도시된 바와 같이 상단이 면적이 하단의 면적보다 확대되어 구배진 상태로 형성될 수도 있으며 형성 각도(θ)가 120∼150°범위로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고 도면에는 도시하지 않았지만 상기 개구홀(324b)에 가이드 부재(도면에 미도시)가 앞선 실시 예에서와 같이 삽입될 수 있고, 상기 선형 증발원(320)의 각도 조절이 가능하다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 선형 증발원(420)은 도 11에 도시된 바와 같이 상측에 위치되는 기판(도면에 미도시)의 장변 길이보다 더 연장되며 하우징(422)과 덮개부재(424)와 도가니(430) 및 가열수단(도면에 미도시)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 하우징(422)과 도가니(430) 및 가열수단은 앞선 실시 예의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략하며, 상기 덮개부재(424)가 결합형인 것이 상이하다.
상기 덮개부재(424)는 높이마다 분리된 상태로 구비되되 서로 연결하여 배치하는 결합형으로 상기 하우징(422)의 상부에 안착되되 높이가 외측에서 중심으로 갈수록 점증적으로 낮아지는 좌우 대칭형인 단차 형상으로 형성되되 표면에 다수개가 등 간격으로 구비되는 돌출부(424a)가 일체로 형성되고 상기 돌출부(424a)마다 면적이 동일하면서 관통 형성되는 개구홀(424b)이 구비된다. 그러나 상기 덮개부재(424)는 계단형 이외에 상면이 오목한 아치형으로도 형성될 수 있다.
즉, 상기 개구홀(424b)은 각각이 상기 선형 증발원(420)에서 상방으로 소정 거리만큼 이격되면서 평행하게 설치된 기판과의 수직선상 거리가 내측으로 갈수록 증대되는 것이다.
그리고 중심부에 구비되는 덮개부재(424)는 개구홀(424a)마다 개별형으로 분리될 수 있다.
더욱이, 상기 개구홀(424b)의 형성 개수는 본 실시 예에서 6개로 한정하였으나 증감에 따른 변경 실시가 가능하며 개수가 증가하면 덮개부재(424)의 길이도 증가된다. 그리고 상기 개구홀(424b)의 형상은 상단과 하단의 직경이 동일한 원기둥 형상으로 형성된다.
그리고 상기 덮개부재(424)의 상측 즉, 기판과 유사한 높이에 적어도 하나의 개구홀(424b)에서 분사되는 증착 물질을 검출하는 두께 제어용 센서인 검출수단(도면에 미도시)이 더 구비되어 선형 증발원(420)에서 공급되는 증착 물질의 공급량과 밀도 등을 감지하고 이 감지된 신호를 제어부(도면에 미도시)에서 제어하여 증착 물질의 증발률 조절에 의한 박막 두께를 조절할 수 있다.
그리고 상기 개구홀(424b)의 하측에는 증착 물질의 기화시 간섭하지 않으면서 기판에 공급되는 증착 물질의 응축을 방지하는 보조 가열수단(도면에 미도시)이 더 구비된다.
그리고 상기 개구홀(424b)의 하측에는 증착 물질이 기판에 튀어 손상되는 것을 방지하는 기능을 하되 이 개구홀(424b)의 면적과 동일하거나 좀 더 확장되는 차단판(426)이 구비되며, 상기 차단판(426)의 고정은 앞선 실시 예의 방식과 동일하다.
그리고 상기 개구홀(424b)의 형상은 앞선 실시 예에서와 같이 상단이 면적이 하단의 면적보다 확대되어 구배진 상태로 형성될 수도 있으며 형성 각도(θ)가 120∼150°범위로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고 도면에는 도시하지 않았지만 상기 개구홀(424b)에 가이드 부재(도면 에 미도시)가 앞선 실시 예에서와 같이 삽입될 수 있고, 상기 선형 증발원(420)의 각도 조절이 가능하다.
이와 같은 본 발명의 증착 장치는 상기 증착 장치 내부에 구비되며 기판과 대향되는 선형 증발원의 개구홀이 외측에서 중심으로 갈수록 높이 차가 점증적으로 커짐에 따라 상기 개구홀의 높낮이 조절에 의해 박막 균일도 확보 및 증착 물질의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (15)

  1. 선형 증발원이 내부에 구비되는 증착 장치에 있어서,
    상기 선형 증발원의 내부에 구비되며, 길이 방향으로 연장되는 형상으로 내부에 유기 물질이 충진되는 도가니; 및
    상기 도가니 상부에 구비되고 표면에 다수개의 개구홀이 형성되는 덮개부재; 를 포함하며,
    상기 덮개부재에 형성된 개구홀은, 그 각각이 상기 선형 증발원에서 상방으로 이격되고 평행하게 설치된 기판과의 수직선상 거리가 서로 다른 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 덮개부재는,
    좌우 대칭형으로 외측이 내측보다 점증적으로 높은 위치에 형성되도록 높낮이가 다른 계단형 또는 외측이 내측보다 높은 위치에 형성되면서 오목한 아치형 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 덮개부재는,
    일체형 또는 높이에 따라 개별적인 결합형 중 선택되는 어느 하나로 구비되 는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 덮개부재의 외측에 형성된 개구홀이 상기 덮개부재 내측에 형성된 개구홀보다 점증적으로 높은 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 덮개부재 상측에는 적어도 하나의 개구홀에서 분사되는 증착 물질의 공급량을 검출하는 검출수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 개구홀의 하측에는,
    증착 물질의 기화시 간섭하지 않으면서 증착 물질의 응축을 방지하는 보조 가열수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 개구홀 각각이 동일한 면적을 갖으며 등 간격으로 배열 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 덮개부재의 개구홀의 둘레 면에는 상기 개구홀의 깊이가 연장되도록 상방을 향해 돌출되는 돌출부가 더 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 개구홀은,
    상, 하단의 직경이 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 개구홀은,
    상단의 직경이 하단의 직경보다 확대되도록 구배지는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 개구홀 및 돌출부의 개구홀은,
    120∼150°의 경사각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  12. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 개구홀과 수직선상인 하측에는 증착 물질이 기판에 튀는 것을 방지하는 차단판이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 개구홀에는,
    증착 물질이 수직 방향으로 분사되는 것을 유도하도록 하방으로 연장되는 가이드 부재가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 가이드 부재는,
    내부가 중공 형성된 원통 또는 다각통 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 선형 증발원 또는 기판 중 선택되는 어느 하나의 이동에 의해 증착 균일성이 확보되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100795905B1 (ko) * 2007-02-28 2008-01-21 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
WO2009134041A3 (en) * 2008-04-29 2010-02-04 Sunic System. Ltd. Evaporator and vacuum deposition apparatus having the same
WO2010082755A2 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Snu Precision Co., Ltd Evaporation apparatus, thin film depositing apparatus and method for feeding source material of the same
KR101248314B1 (ko) * 2009-07-21 2013-03-27 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 성막 장치 및 성막 방법
CN103898450A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 北京汉能创昱科技有限公司 一种铜铟镓硒共蒸发线性源装置及其使用方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100795905B1 (ko) * 2007-02-28 2008-01-21 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
WO2009134041A3 (en) * 2008-04-29 2010-02-04 Sunic System. Ltd. Evaporator and vacuum deposition apparatus having the same
WO2010082755A2 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Snu Precision Co., Ltd Evaporation apparatus, thin film depositing apparatus and method for feeding source material of the same
WO2010082755A3 (en) * 2009-01-16 2010-10-14 Snu Precision Co., Ltd Evaporation apparatus, thin film depositing apparatus and method for feeding source material of the same
CN102282648B (zh) * 2009-01-16 2013-09-18 韩商Snu精密股份有限公司 蒸镀装置、薄膜沉积装置及提供原料予其装置的方法
KR101248314B1 (ko) * 2009-07-21 2013-03-27 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 성막 장치 및 성막 방법
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