KR100759947B1 - 신규의 다이시아프발렌계 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료를 이용한 염료감응 태양전지 - Google Patents

신규의 다이시아프발렌계 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료를 이용한 염료감응 태양전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다이시아프발렌계(Dithiafuvalenes) 신규 화합물인 하기 화학식 1의 화합물을 개시한다. 상기 화합물을 포함하는 염료를 금속 산화물층에 흡착시켜 황색을 나타낼 수 있는 염료감응 태양전지를 형성할 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112007027133276-pat00001
염료감응 태양전지, 다이시아프발렌계 화합물

Description

신규의 다이시아프발렌계 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 염료를 이용한 염료감응 태양전지{Novel Dithiafuvalenes compounds, methods of preparing the compounds, and dye-sensitized solar cells using dyes comprising the compounds}
도 1은 본 발명에 따른 염료감응 태양전지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 전기적 특성을 나타낸 그래프이다.
** 도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명 **
10: 반도체 전극, 12: 제1 전도성 기판,
14: 염료가 흡착된 나노입자 TiO2층, 20: 대향 전극,
22: 제2 전도성 기판, 24: 백금층,
26: 미세 구멍, 30: 전해질 용액,
40: 고분자층.
본 발명은 신규한 다이시아프발렌계 화합물과 이를 염료로 사용한 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
염료감응 태양전지는 실리콘 태양전지와는 달리 감광성 염료분자와 전이금속 산화물을 구성 재료로 하는 광전기화학적 태양전지이다. 상세하게 상기 감광성 염료분자는 가시광선을 흡수하여 전자-홀 쌍(electron-hole pair)을 생성하고, 상기 생성된 전자가 상기 전이금속 산화물에 의해 기판으로 전달되어 광전기화학적 특성을 갖는다.
지금까지 알려진 염료감응 태양전지 중 대표적인 예가 스위스의 그라첼(Gratzel) 등에 의하여 발표된 염료감응 태양전지가 있다(미국 특허 제4,927,721호 및 동 제 5,350,644호). 일반적으로 그라첼 등에 의한 염료감응 태양전지들은 염료분자가 입혀진 나노입자 이산화티탄(TiO2)으로 이루어지는 반도체 전극, 백금 전극, 그리고 이들 사이에 채워진 전해질 용액으로 구성되어 있다. 상기와 같은 염료감응 태양전지는 실리콘 태양전지에 비해 전력당 제조 원가가 저렴하기 때문에 태양전지로 유용성이 있다는 점에서 주목받아 왔다.
한편, 종래 염료감응 태양전지에서 사용한 염료는 Ru(II)-polypyridyl 화합물을 연결시킨 Ru(dcb)(bpy)2 2+가 주요 염료로 알려져 있다(미국특허 제5,350,644호 참조). 또한 Ru, Os, Cu, Zn 등의 전이 금속에 질소를 포함하는 다양한 리간드를 포함하는 염료 등이 있다(미국특허, 제 6,350,946호, 미국특허 제 6,291,763, 미국특허 제 6,310, 262, 일본특허 특개2000-294306). 상기 염료들 중에서 나노입자 염 료감응 태양전지의 Ru계 염료로 붉은 주홍색과 진한 청색을 나타내는 하기 화학식의 화합물들이(상표명: 'N719', 'N3' 등) 고효율의 염료감응 태양전지의 염료로 가장 널리 사용되고 있다. 그러나, 염료감응 태양전지의 상용화 및 응용성 확대를 위하여 다양한 색상의 염료 개발이 매우 중요하며 것으로 인식되고 있다.
Figure 112006010439524-pat00002
Figure 112006010439524-pat00003
<N719> <N3>
따라서 본 발명의 목적은 신규한 화합물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 신규한 화합물의 제조 방법을 제공하는 것이다.
아울러, 본 발명의 다른 목적은 신규한 화합물을 포함하는 염료를 이용하여염료감응 태양전지의 상용화 및 응용성을 확대할 수 있는 염료감응 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 포함한다. 상기 화학식 1 화합물은 황(S)을 포함하는 다이시아프발렌계(Dithiafuvalenes) 리간드 화합물이다.
<화학식 1>
Figure 112006010439524-pat00004
R1 = (a)
Figure 112006010439524-pat00005
, (b)
Figure 112006010439524-pat00006
,
(c)
Figure 112006010439524-pat00007
, (d)
Figure 112006010439524-pat00008
x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
R2, R3 = 각각 -CH3 또는 -CH2CH3
구체적으로 화학식 1 화합물은 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 화학식 5 화합물들로 나타낼 수 있다.
<화학식 2> <화학식 3>
Figure 112006010439524-pat00009
Figure 112006010439524-pat00010
<화학식 4>
Figure 112006010439524-pat00011
x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
<화학식 5>
Figure 112006010439524-pat00012
또한 본 발명은 상기 화학식 1의 화합물 제조 방법을 포함한다. 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 하기 반응식 1 또는 반응식 2에 의해 상기 화학식 1 화합물을 제조할 수 있다.
상기 반응식 1은 하기 화학식 6 화합물과 화학식 7 화합물을 반응시켜 상기 화학식 1 화합물을 제조할 수 있다. 바람직하게는, 상기 화학식 7 화합물에서 R1이
Figure 112007027133276-pat00013
일 때 하기 반응식 1에 의해 R1이
Figure 112007027133276-pat00014
인 화학식 1 화합물을 제조할 수 있다. 상기 화학식 6 및 화학식 7 화합물들을 트리메칠 인산(Trimethyl phosphate)를 포함하는 톨루엔(Toluene) 등의 용매에 넣고 70 내지 160℃ 온도에서 교반하는 것이 바람직하다.
<반응식 1>
Figure 112006010439524-pat00015
Figure 112006010439524-pat00016
<화학식 6> <화학식 7> <화학식 1>
R1= (a)
Figure 112006010439524-pat00017
, (b)
Figure 112006010439524-pat00018
,
(c)
Figure 112006010439524-pat00019
, (d)
Figure 112006010439524-pat00020
x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
R2, R3 = 각각 -CH3 또는 -CH2CH3
하기 반응식 2는 하기 화학식 8 화합물과 화학식 7 화합물을 반응시켜 화학식 1 화합물을 제조할 수 있다. 바람직하게는, R1이
Figure 112006010439524-pat00021
또는
Figure 112006010439524-pat00022
인 화학식 7 화합물을 반응시켜 R1이
Figure 112006010439524-pat00023
또는
Figure 112006010439524-pat00024
화학식 1 화합물을 제조할 수 있다. 이 때 상기 화학식 8 및 화학식 7 화합물들을 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran)에 넣고 -50 내지 -100℃에서 교반하여 R1이
Figure 112006010439524-pat00025
또는
Figure 112006010439524-pat00026
인 화학식 1 화합물을 제조하는 것이 바람직하다.
<반응식 2>
Figure 112006010439524-pat00027
Figure 112006010439524-pat00028
<화학식 8> <화학식 7> <화학식 1>
R1= (a)
Figure 112006010439524-pat00029
, (b)
Figure 112006010439524-pat00030
,
(c)
Figure 112006010439524-pat00031
, (d)
Figure 112006010439524-pat00032
x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
R2, R3 = 각각 -CH3 또는 -CH2CH3
아울러, 본 발명은 상기 화학식 1의 화합물을 흡착시킨 금속 산화물층을 포함하는 반도체 전극과 대향 전극, 및 이들 사이의 전해질 용액을 포함하는 염료감응 태양전지를 포함한다.
상기 반도체 전극은 전도성 기판과 상기 전도성 기판상에 형성된 금속 산화물층을 포함하고, 상기 금속 산화물층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 염료를 흡착시킨 것이다. 상기 화학식 1 화합물은 다이시아프발렌계 리간드 화합물로서, 이를 포함하는 다이시아프발렌계 염료는 황색을 나타낼 수 있다. 따라서 상기 염료를 이용한 염료감응 태양전지는 황색을 나타내어 다양한 분야에 이용될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 신규 화합물 및 이의 제조 방법을 설명한다. 상기 실시예에들에 의해 본 발명은 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다.
아래 실시예에서 제조하기 위해 사용된 반응물들 중 시스-디클로로비스(2,2'-비피리딘)루세늄(II) 디하이드레이트 (cis-Dichlorobis(2,2'-bipyridine)ruthenium(II) dehydrate)는 Arcros에서 그 외의 모든 시약은 Aldrich에서 구입하여 정제 없이 사용하였다.
실시예 1: 화학식 2 화합물의 제조
9-플로레논(9-Fluorenone) 300mg 와 트리메칠 인산(Trimethyl phosphate) 2ml를 톨루엔(Toluene) 9ml 에 넣은 후 110℃에서 1시간동안 교반하였다. 상기 용액에 다이메칠 2-티옥소-1,3-디티올-4,5-디카르복실산(Dimethyl 2-thioxo-1,3-dithiole- 4,5-dicarboxylate) 832mg을 넣고 톨루엔(Toluene) 9ml를 더해준 다음 12시간 동안 가열 반응시켰다. 반응 후, 결과물을 물을 이용하여 추출하였으며, 관크로마토그래피로 메칠렌 클로라이드: 헥산(Methylene chloride :Hexane)=3:1로 해서 불순물, 및 다른 생성물과 분리한 후 메칠렌 클로라이드: 헥산으로 재결정하면 화학식 2 화합물을 수득률 14%로 얻을 수 있다(반응식 3 참조).
<반응식 3>
Figure 112006010439524-pat00033
mp : 203 ~ 204℃
1H NMR(CDCl3- d1) 3.85(s, 12H)
13C NMR(CDCl3- d1) 159.54, 131.92, 109.68, 53.46
1H NMR(CDCl3- d1) 7.81(d, 2H), 7.73(d, 2H) 7.40(m, 2H), 7,34(m, 2H), 3,95(s, 6H)
13C NMR(CDCl3- d1) 159.71, 138.34, 136.64, 133.17, 131.52, 127.06, 126.23, 123.10, 121.83, 119.79, 53.64
실시예 2: 화학식 3 화합물의 제조
트라이뷰틸포스핀(Tributylphosphine) 5.15ml와 카본 다이설파이드(Carbon disulfide) 1.204ml를 -72℃ 유지하면서 다이에틸에테르(Diethyl Ether) 50ml에 넣은 다음, 용액의 색깔이 빨간색으로 짙어지면 풀루오로붕산 에테르(Fluoroboric acid etherate) 3.03ml 와 다이메칠아세틸렌다이카르복실산(Dimethylacetylenedicarboxylate) 2.48ml 혼합물을 넣었다. 1시간 정도 교반(직접 손으로)하면 아이보리색의 점착성의 고체가 생성되었다. 상기 고체를 용액으로부터 분리한 다음 아세토니트릴-에테르(Acetonitrile-Ether)로 재결정하여 72% 수득률의 화학식 8 화합물을 제조하였다(반응식 4 참조).
<반응식 4>
Figure 112006010439524-pat00034
mp: 124 ~ 125℃
1H NMR(CDCl3- d1) 6.15 (s, 1H), 3.84(s, 6H) 2.41(m, 6H), 1.64(m, 6H), 1.52(m, 6H), 0.97(t,9H).
4,5-다이아조-9-온(4,5-Diazo-9-one) 400mg과 상기 화학식 8 화합물을 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran) 20ml 용매에 넣었다. -78℃ 에서 1.6M의 뷰틸리튬(Buthyl Lithium) 1.6ml을 천천히 첨가하였다. 3시간 동안 -78℃에서 교반한 후, 물을 2ml 넣고 에탄올로 씻어 수득률 66%의 화학식 2 화합물을 제조하였다(반응식 5 참조).
<반응식 5>
Figure 112006010439524-pat00035
1H NMR(CDCl3- d1) 8.69(q, 2H), 8.00(q, 2H), 7.36(q, 2H), 3.97(s, 6H)
실시예 3: 화학식 4 화합물의 제조
에탄올(ethanol) 10ml에 화학식 3 화합물 50mg 을 넣고 시스-디클로로비스(2,2'-비피리딘)루세늄(II) 디하이드레이트 (cis-Dichlorobis(2,2'-bipyridine)ruthenium(II) dehydrate; RuCl2(bpy)2) 68mg을 넣은 다음 질소 가스에서 5시간 동안 가열 반응시켰다. 반응이 끝난 후, 온도를 서서히 상온으로 내리고 NH4PF6 101.4mg을 넣어주면 결정이 떨어진다. 떨어진 결정을 거른 후 그 고체를 모아 건조시켜 수득률 80%의 화학식 4 화합물을 제조하였다(반응식 6 참조).
<반응식 6>
Figure 112006010439524-pat00036
1H NMR(acetone- d6) 8.80(m, 2H), 8.41(m, 1H), 8.28(m, 1H), 8.20(m, 3H), 7.79(m, 1H), 7.69(m, 1H), 7.57(m, 2H) 4.43(q, 2H), 1.38(t, 3H)
실시예 4: 화학식 5 화합물의 제조
1-파이렌-카르복사알데히드(1-Pyrene-carboxaldehyde) 100mg을 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran; THF) 5ml 에 넣어 녹였다. 또 다른 플라스크에 화학식 4 화합물을 테트라하이드로퓨란 10ml에 녹였다. 화학식 3 화합물을 포함하는 플라스크에 1.6M의 뷰틸리늄(Butyl lithium) 0.3ml 를 넣고 -78℃에서 2시간 동안 교반하였다. 1-파이렌-카르복사알데히드(1-Pyrene-carboxaldehyde)을 포함하는 용액을 화학식 4 화합물이 포함된 용액속으로 옮긴 후, -78℃에서 30분 동안 교반 하였다. 그리고 서서히 온도를 올려 상온에서 1시간 동안 교반하였다. 결과물에 물과 클로로폼(Chloroform)을 넣어 추출하였다. 클로로폼 층을 모아 클로로폼을 증발시키고 재결정(MC-HEX)을 하여 수득률 69%의 화학식 5 화합물을 제조하였다(반응식 7 참조).
<반응식 7>
Figure 112006010439524-pat00037
mp 177 ~ 180℃
1H NMR(CDCl3- d1) 8.14(m, 5H), 8.01(m, 4H), 3.89(s, 3H), 3.79(s, 3H)
13C NMR(CDCl3- d1) 160.19, 159.88, 133.15, 131.36, 131.02, 130.88, 130.59, 130.55, 129.17, 127.74, 127.65, 127.49, 127.29, 126.09, 125.38, 125.23, 124.87, 124.73, 124.68, 123.84, 123.09, 113.70, 53.37, 53.18
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 다음에 설명하는 본 발명의 실시예들은 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면에서, 층 및 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 염료감응 태양전지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 반도체 전극(10)과, 대향 전극(20)과, 이들 사이에 개재되어 있는 전해질 용액(30)을 포함한다.
상기 반도체 전극(10)은 전도성 유리 기판(12), 예를 들면 ITO(indium tin oxide) 또는 SnO2가 코팅되어 있는 투명한 전도성 유리 기판 위에 나노입자 금속산화물층(14)이 코팅되어 있는 구성을 가진다.
상기 나노입자 산화물층(14)은 약 5 ～ 30 ㎚의 나노사이즈를 가지는 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)으로 이루어질 수 있다. 상기 나노입자 산화물층(14)에는 상기 화학식 1 화합물로 이루어지는 다이시아프발렌계 염료가 화학적으로 흡착되어 있다. 상기 나노입자 산화물층(14)은 충분한 양의 상기 화합물이 화학적으로 흡착될 수 있도록 약 5 ∼ 15 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 대향 전극(20)은 전도성 유리 기판(22), 예를 들면 ITO 또는 SnO2가 코팅되어 있는 투명한 전도성 유리 기판위에 백금층(24)이 코팅되어 있는 구성을 가진다. 상기 대향 전극(20)의 백금층(24)은 상기 반도체 전극(10)의 나노입자산화물층(14)과 대향하도록 배치되어 있다.
상기 반도체 전극(10)과 상기 대향 전극(20) 사이의 공간에 채워져 있는 상기 전해질 용액으로서 0.8M의 1-비닐-3-메칠-이미다졸륨 아이오다이드 (1-vinyl-3-methyl-imidazolium iodide)와 40mM의 I2 (iodine)을 3-메톡시프로피오니트릴 (3-methoxypropionitrile)에 용해시킨 I3 -/I-의 전해질 용액을 사용할 수 있다.
상기와 같은 염료감응 태양전지는 황색을 나타낼 수 있다.
도 1에 예시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 작동 을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 반도체 전극(10)의 투명 기판(12)을 투과한 태양 빛이 나노입자 산화물층(14)에 흡착된 화학식 1 화합물의 염료 분자에 의하여 흡수되면, 여기 상태로 들뜨게 된 염료 분자는 전자를 나노입자 산화물층(14)의 전도대로 주입하게 된다. 나노입자 산화물층(14)으로 주입된 전자는 입자간 계면을 통하여 나노입자 산화물층(14)에 접하고 있는 전도성 박막(12)에 전달되고 외부 전선 (미도시)을 통하여 대향 전극(20)으로 이동된다.
전자 전이의 결과로 산화된 염료 분자는 전해질 용액(30) 내의 요오드 이온의 산화 환원 작용(3I- → I3 - + 2e-)에 의하여 제공되는 전자를 받아 다시 환원되며 산화된 요오드 이온(I3 -)은 대향 전극(20)에 도달한 전자에 의해 다시 환원되어 염료감응 태양전지의 작동 과정이 완성된다.
도 2는 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 전기적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 예에 따라 합성된 화학식 3 화합물을 포함하는 다이시아프발렌계 염료로 제작된 태양전지의 광전류-전압특성을 보여주고 있다. 즉, 황색의 염료감응 태양전지가 성공적으로 작동됨을 알 수 있다.
본 발명은 황색을 나타내는 염료의 원료로서 다이시아프발렌계 신규 화합물 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 신규 화합물을 포함하는 염료를 이용하여 염료감응 태양전지를 제조함으로써 Ru계 염료와는 다른 색상의 염료감응 태양전지를 제조할 수 있다. 이러한 색상의 다양화는 유비쿼터스 사회의 정보통신 전자 장비 등 소형 전원을 필요로 하는 제품의 자가 발전 태양전지로 사용가능하며, 특히 다양한 색상을 가능하게 하여 기존 태양전지의 디자인을 다양하게 구성할 수 있어 산업적 응용가치가 매우 높을 것을 예측된다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1의 화합물.
    <화학식 1>
    Figure 112006010439524-pat00038
    R1 = (a)
    Figure 112006010439524-pat00039
    , (b)
    Figure 112006010439524-pat00040
    ,
    (c)
    Figure 112006010439524-pat00041
    , (d)
    Figure 112006010439524-pat00042
    x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
    R2, R3 = 각각 -CH3 또는 -CH2CH3
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 및 화학식 5 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화합물.
    <화학식 2> <화학식 3>
    Figure 112006010439524-pat00043
    Figure 112006010439524-pat00044
    <화학식 4>
    Figure 112006010439524-pat00045
    x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
    <화학식 5>
    Figure 112006010439524-pat00046
  3. 하기 화학식 6 화합물과 하기 화학식 7 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1 화합물의 제조 방법.
    <반응식 1>
    Figure 112006010439524-pat00047
    Figure 112006010439524-pat00048
    <화학식 6> <화학식 7> <화학식 1>
    R1= (a)
    Figure 112006010439524-pat00049
    , (b)
    Figure 112006010439524-pat00050
    ,
    (c)
    Figure 112006010439524-pat00051
    , (d)
    Figure 112006010439524-pat00052
    x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
    R2, R3 = 각각 -CH3 또는 -CH2CH3
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 화학식 6 화합물과 R1이
    Figure 112006010439524-pat00053
    인 상기 화학식 7 화합물을 반응시켜 R1이
    Figure 112006010439524-pat00054
    인 화학식 1 화합물의 제조 방법.
  5. 하기 화학식 8 화합물과 하기 화학식 7 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1 화합물의 제조 방법.
    <반응식 2>
    Figure 112006010439524-pat00055
    Figure 112006010439524-pat00056
    <화학식 8> <화학식 7> <화학식 1>
    R1= (a)
    Figure 112006010439524-pat00057
    , (b)
    Figure 112006010439524-pat00058
    ,
    (c)
    Figure 112006010439524-pat00059
    , (d)
    Figure 112006010439524-pat00060
    x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
    R2, R3 = 각각 -CH3 또는 -CH2CH3
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 화학식 8 화합물과 R1이
    Figure 112006010439524-pat00061
    또는
    Figure 112006010439524-pat00062
    인 상기 화학식 7 화합물을 반응시켜 R1이
    Figure 112006010439524-pat00063
    또는
    Figure 112006010439524-pat00064
    인 화학식 1 화합물의 제조 방법.
  7. 전도성 기판과, 상기 전도성 기판상에 형성되고 하기 화학식 1 화합물을 포함하는 염료가 흡착된 금속 산화물층을 포함하는 반도체 전극,
    대향 전극, 및
    상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이를 채우는 전해질 용액을 포함하는 염료감응 태양전지.
    <화학식 1>
    Figure 112006010439524-pat00065
    R1 = (a)
    Figure 112006010439524-pat00066
    , (b)
    Figure 112006010439524-pat00067
    ,
    (c)
    Figure 112006010439524-pat00068
    , (d)
    Figure 112006010439524-pat00069
    x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
    R2, R3 = 각각 -CH3 또는 -CH2CH3
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 2, 화학식 3, 화학식 4, 및 화확식 5 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
    <화학식 2> <화학식 3>
    Figure 112006010439524-pat00070
    Figure 112006010439524-pat00071
    <화학식 4>
    Figure 112006010439524-pat00072
    x= Ru,Rh,Pd,전이금속,란탄족 금속
    <화학식 5>
    Figure 112006010439524-pat00073
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