KR100746461B1 - 음극 전착 코팅 조성물 및 그의 이용 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 통상적인 자체 가교성 또는 외부 가교성 필름 형성 결합제, 임의의 가교제, 안료, 증량제, 코팅제에 통상적으로 이용되는 첨가제 및 용매 이외에도, 코팅 조성물의 고체 수지 함량을 기준으로 0.1 내지 5 중량％의 1종 이상의 술폰아미드를 함유하며, 아연도금된 표면상에 코팅시킬 때 핀홀이 거의 없는 코팅을 제공하는 음극 전착 코팅 조성물에 관한 것이다.
음극 전착, 술폰아미드, 핀홀

Description

음극 전착 코팅 조성물 및 그의 이용 방법 {Cathodic Electrodeposition Coating Compositions and Process for Using Same}
본 발명은 전착 코팅 조성물 (즉, 음극 전착 ("CED") 공정으로 도포시킬 수 있는 코팅 조성물) 뿐만 아니라, 아연도금된 표면을 갖는 기판의 CED 코팅 방법에 관한 것이다.
CED는 음극으로서 작용하는 기판에 코팅을 도포하는 방법이다. 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판을 CED 코팅시키는 경우, 표면 결함은 흔히 기판상의 미세 수소 블리스터 (hydrogen blister)의 형성으로 인해 전착된 CED 코팅층 내부에 형성된다. 수소 블리스터는 특히 CED 코팅층을 가온시킨 후에는 핀홀 또는 소위 아연 크레이터 (zinc cratering)로서 가시화된다. 핀홀은 보통 후속 코팅 도포 후에도 여전히 가시적이다. 따라서, CED 코팅층에 있는 개개의 핀홀은 샌딩 (sanding) 또는 적합한 복구 코팅제를 이용하는 후속 코팅과 같은 후속 작업에 의해서만 제거할 수 있다. 이 경우, CED 코팅층의 품질이 저하될 뿐만 아니라, 특히 CED 코팅 공정의 생산성이 저하된다. CED 코팅층이 매우 많은 수의 핀홀을 갖는다면, 후속 가공은 더이상 불가능하다. 결함이 있게 코팅된 기판은 폐기된다.
상기 언급한 핀홀의 문제점은 전착 전압이 증가됨에 따라 보다 현저해지며, 즉 전착 전압 증가에 따라 단위 면적 당 핀홀의 수가 증가된다. 따라서, 핀홀은 높은 전착 전압에서 기판을 코팅시킬 때 상당한 문제점이 된다. 자동차체와 같은 3차원 기판의 CED 코팅은 가능한 최고 균일 전착력 (throwing power)을 달성하기 위해 가능한 최고 전착 전압에서 수행한다. 균일 전착력은 3차원 기판의 공극내에 전착되는 전착 코팅제의 능력을 의미하는 것으로 이해하며, 이는 효과적인 부식 방지를 위해 중요하다. 따라서, 높은 전착 전압에서도 핀홀이 거의 없는 코팅을 형성하는 CED 코팅 조성물이 요구된다.
<발명의 요약>
본 발명은 아연도금된 표면상에 핀홀이 거의 없는 코팅을 제공하며, 조성물 중 수지 고체의 중량을 기준으로 0.1 내지 5 중량％의 1종 이상의 술폰아미드를 포함하는 음극 전착 코팅 조성물을 제공한다.
또다른 측면으로, 본 발명은 본 발명의 음극 전착 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판상에 전착시키는 단계를 포함하는, 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판의 코팅 방법을 제공한다.
또다른 측면으로, 본 발명은 본 발명의 음극 전착 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판의 아연도금된 표면에 도포하는 단계를 포함하는, 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판상에 핀홀이 거의 없는 코팅을 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 CED 코팅 조성물은 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판상에 핀홀이 거의 없는 코팅을 형성한다. "핀홀이 거의 없는"이란 코팅에 있는 핀홀의 수가 최소로 유지되는 것을 의미한다. 그러나, 실시예에서 입증되는 바와 같이, 핀홀의 수는 술폰아미드 함량 및 전착 전압의 함수이다. 따라서, 용어 "핀홀이 거의 없는"은 예를 들어 육안으로 보이는 핀홀이 1 ㎡ 면적 당 5개 이하인 것을 의미하는 것으로 이해해야 한다.
본 발명의 CED 코팅은 고체 함량이 예를 들어 10 내지 30 중량％인 수성 코팅 조성물이다. CED 코팅 조성물의 전체 고체 함량은 수지 고체, 안료, 증량제, 코팅 조성물에 통상적으로 사용되는 다른 첨가제 및 술폰아미드(들)로 구성된다. CED 코팅 조성물 중 수지 고체는 결합제(들) 및 CED 코팅 조성물에 사용되는 임의의 가교성 수지(들)로 구성된다. CED 코팅 조성물에 임의로 함유된 안료 페이스트 수지는 결합제와 함께 포함된다. 결합제는 자체 가교성 또는 외부 가교성일 수 있다. 외부 가교성 결합제를 사용하는 경우에는, CED 코팅 조성물이 가교제도 함유할 것이다.
결합제의 적어도 일부는 양이온성 치환기 및(또는) 양이온기로 전환될 수 있는 치환기를 가질 수 있다. 가교제는 또한 양이온기를 함유할 수 있다. 양이온기의 예로는 염기성기, 바람직하게는 4급 형태로 존재할 수 있는 질소 함유 염기성기가 포함된다. 양이온기 대신 또는 그 외에도 양이온기로 전환될 수 있는 기 ("양이온 전환가능한 기")가 사용될 수 있다. 양이온 전환가능한 기는 중화제, 예컨대 유기산, 예를 들어 포름산, 아세트산, 락트산 또는 메탄 술폰산과 반응하여 양이온기를 형성하는 것이다. 적합한 기의 예로는 1급, 2급 또는 3급 아미노기 및 암모늄기, 예컨대 4급 암모늄, 포스포늄 및(또는) 술포늄기가 포함된다. 양이온 전환 가능한 기는 완전 또는 부분 중화된 형태로 존재할 수 있다.
본 발명에 따른 CED 코팅 조성물은 음극 전착에 의해 전착가능한 결합제, 바람직하게는 1급, 2급 및(또는) 3급 아미노기를 함유하고 아민값이 약 20 내지 250 mg KOH/g인 수지를 함유한다. 결합제의 중량 평균 분자량 (Mw)은 바람직하게는 약 300 내지 10000이다. 수지는 양이온 전환가능한 기의 적어도 일부를 4급화 또는 중화시킨 후 수성상으로 전환시킬 수 있다. 이러한 CED 코팅 결합제의 예로는 아미노에폭시 수지, 말단 이중 결합을 갖는 아미노에폭시 수지, 1급 OH기를 갖는 아미노에폭시 수지, 아미노폴리우레탄 수지, 아미노기 함유 폴리부타디엔 수지 및(또는) 변형 에폭시 수지-이산화탄소-아민 반응 생성물뿐 아니라, 아미노(메트)아크릴 수지가 있다.
CED 코팅 결합제는 화학적으로 가교될 수 있는 관능기, 특히 예를 들어 히드록실값이 30 내지 300, 바람직하게는 50 내지 250 mg KOH/g에 해당하는 히드록실기를 갖는다. CED 코팅 결합제는 자체 가교성일 수 있거나, 또는 공지된 가교제와의 혼합물로 사용된다. 이러한 가교제의 예로는 아미노 수지, 블록킹된 폴리이소시아네이트, 말단 이중 결합을 갖는 가교제, 폴리에폭시 화합물 또는 에스테르 전달기를 함유한 가교제가 있다.
CED 코팅 조성물의 제조를 위해, 양이온성 결합제는 임의로 가교제를 함유할 수 있는 CED 코팅 결합제 분산액으로서 이용될 수 있다. CED 코팅 결합제 분산액은 유기 용매의 존재 또는 부재하에 CED 코팅 결합제를 합성하여, 중화제로 중화시 킨 CED 코팅 결합제를 물로 희석시켜 수분산액으로 전환시킴으로써 제조할 수 있다. CED 코팅 결합제(들)은 1종 이상의 적합한 가교제와의 혼합물로 존재할 수 있고, 상기 가교제와 함께 수분산액으로 전환될 수 있다. 유기 용매 (존재한다면)는 예를 들어 수분산액으로 전환시키기 전 또는 후에 목적하는 함량이 달성될 때까지 진공 증류함으로써 제거할 수 있다.
예를 들어 CED 코팅 결합제를 예를 들어 140℃ 이하의 온도에서 용매 비함유 용융물로서 용매 저함유 또는 용매 비함유 상태에서 중화제로 중화시킨 후, 물을 이용하여 CED 코팅 결합제 분산액으로 전환시키는 경우에는, 용매를 후속 제거할 필요가 없을 수 있다. 마찬가지로, CED 코팅 결합제를 유리 라디칼 중합에 의해 중합될 수 있는 1종 이상의 올레핀성 불포화 단량체 중의 용액으로서 충전시키거나 또는 결합제 합성을 용매로서 유리 라디칼 중합에 의해 중합될 수 있는 1종 이상의 단량체 (예, 스티렌) 중에서 수행한 후, 그 용액을 중화제로 중화시키고 물로 희석하여 수분산액으로 전환시키고, 유리 라디칼 중합에 의해 중합될 수 있는 단량체를 후속 중합시키는 경우에도 유기 용매의 제거가 불필요할 수 있다.
아연도금된 기판 표면상에 음극 전착에 의해 전착된 코팅층 중의 핀홀 방지 첨가제로서 술폰아미드는 수지 고체를 기준으로 0.1 내지 5 중량％, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량％의 양으로 CED 코팅 조성물에 첨가될 수 있다. 핀홀 형성을 억제하는 효과 메카니즘은 명확하지 않다. 아연도금된 기판을 본 발명에 따른 CED 코팅 조성물로부터 양이온 전착에 의해 코팅시킬 때, 수소 가스가 덜 형성되고(되거나) 형성된 수소가 술폰아미드가 결여된 조성물에 비해 보다 미세한 블리스터로서 새어 나오는 것으로 추정된다.
술폰아미드는 바람직하게는 화학식 R1SO2NR2R3의 유기 화합물이다. 상기 식에서, R1은 1 내지 20개, 바람직하게는 6개 이상의 탄소 원자를 갖는 탄화수소 라디칼, 예컨대 알킬 또는 바람직하게는 아릴을 나타내며, 임의로 알킬 치환될 수 있다. 물론, 해당 탄화수소 라디칼은 CED 코팅 조성물의 특성에 나쁜 영향을 미치지 않는 치환기를 가질 수 있다. 라디칼 R2 및 R3은 서로 독립적으로 유기 라디칼, 특히 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, 바람직하게는 수소를 나타낼 수 있다. 바람직한 술폰아미드는 방향족 술폰산으로부터 유래된 것이고, 아미드, 특히 벤젠술폰아미드 및 오르토- 또는 파라-톨루엔술폰아미드의 질소가 비치환된다. 후자의 술폰아미드는 시판되는 것이다.
하기에 보다 상세히 설명하는 바와 같이, 술폰아미드는 상이한 방식으로, 예를 들어 처음부터, CED 코팅 조성물을 제조하는 동안, 또는 후속적으로 예를 들어 CED 코팅을 위해 사용하기 직전에 또는 동안에 CED 코팅 조성물에 첨가될 수 있다.
CED 코팅 조성물은 안료, 증량제, 용매, 및(또는) 코팅제에 통상적으로 사용되는 첨가제도 함유할 수 있다. 안료의 예로는 통상적인 무기 및(또는) 유기 착색 안료 및(또는) 특수 효과 안료, 예컨대 이산화티탄, 산화철 안료, 카본 블랙, 프탈로시아닌 안료, 퀴나크리돈 안료, 금속성 안료 및 간섭성 안료가 있다. 증량제의 예로는 카올린, 활석 및 이산화규소가 있다. 본 발명에 따른 CED 코팅 조성물은 부식 방지성 안료도 함유할 수 있다.
안료 및(또는) 증량제를 결합제의 일부로 분산시킨 다음, 적합한 장치, 예를 들어 펄 밀 (pearl mill)에서 미분시킨 후, 나머지 결합제 부분과 혼합함으로써 완성시킬 수 있다. 다음, 상기 물질을 중화시킨 후 물로 희석하여 CED 코팅 조성물을 제조할 수 있다 (1액성 방법). 별법으로 안료첨가된 CED 코팅 조성물은 CED 코팅 결합제 분산액과 별도 제조된 안료 페이스트를 혼합하여 제조할 수 있다 (2액성 방법). 이를 위해, CED 코팅 결합제 분산액을 예를 들어 물로 추가 희석한 다음, 수성 안료 페이스트를 첨가한다. 수성 안료 페이스트는 당업자에게 공지된 방법에 의해, 바람직하게는 안료 및(또는) 증량제를 통상적으로 당업계에 흔히 사용되는 페이스트 수지에 분산시킴으로써 제조한다.
CED 코팅 조성물에서 (안료 + 증량제):(결합제 + 가교제)의 중량비는 예를 들어 0:1 내지 0.8:1이고, 안료첨가된 코팅제의 경우에는 바람직하게는 0.05:1 내지 0.4:1이다.
추가의 첨가제를 임의로 CED 조성물에 사용할 수 있다. 이러한 첨가제로는 예를 들어 습윤제, 중화제, 평탄화제, 촉매, 부식 억제제, 소포제, 광안정제, 항산화제뿐 아니라, 통상적인 크레이터 방지 첨가제가 있다. 이들 첨가제는 예를 들어 수지 고체를 기준으로 0.1 내지 5 중량％의 양으로 사용될 수 있다. 이들 첨가제는 임의의 방식으로, 예를 들어 결합제 합성 동안, CED 코팅 결합제 분산액 제조 동안, 안료 페이스트와 함께 또는 별도로 CED 조성물에 혼입될 수 있다.
CED 코팅 조성물은 또한 CED 코팅 조성물에 전형적으로 이용되는 양으로 통 상적인 용매를 함유할 수 있다. 이러한 용매로는 예를 들어 글리콜 에테르, 예컨대 부틸 글리콜 및 에톡시프로판올, 및 알콜, 예컨대 부탄올이 있다. CED 코팅 조성물 중 용매 함량은 예를 들어 코팅시킬 준비가 된 CED 코팅조를 기준으로 0 내지 5 중량％이다.
CED 코팅 조성물은 CED 코팅조의 공지된 제조 방법에 의해, 즉 기본적으로 상기 기재된 바와 같은 1액성 방법 및 2액성 방법에 의해 제조될 수 있다.
CED 코팅 조성물은, 고체 술폰아미드의 경우 예를 들어 술폰아미드를 미분쇄된 형태로 또는 수용액 또는 유기 용액으로서, CED 코팅 조성물의 나머지 성분들과 혼합하여 제조할 수 있다. 이 경우, 술폰아미드는 임의의 시점에 CED 코팅 조성물에 첨가될 수 있다. 예를 들어, 술폰아미드를 추가의 성분들과 혼합하기 전에 결합제와 먼저 혼합할 수 있다.
CED 코팅 조성물은, 예를 들어 술폰아미드가 비수성상에 존재하여서 이를 물로 희석하여 (비수성상의 다른 성분들과 함께) 수성상으로 전환시키는 1액성 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 안료 및(또는) 증량제를 결합제 및(또는) 가교제의 일부에 분산시킨 다음, 적합한 장치, 예를 들어 펄 밀에서 분쇄한 후, 결합제 및(또는) 가교제의 나머지 부분과 혼합하여 완성시킬 수 있다. 이 경우, 술폰아미드는 분산 및(또는) 완성을 위해 사용된 결합제 및(또는) 가교제에 함유될 수 있다. 다음, 상기 수득한 물질을 중화시킨 후 물로 희석하여 CED 코팅 조성물 또는 코팅조를 제조할 수 있다.
CED 코팅 조성물은 또한 술폰아미드 및 양이온성 결합제가 비수성상에 존재 하여서 이를 중화시킨 후 물로 희석하여 수성상으로 전환시키는 2액성 방법에 의해 제조할 수 있다. 이 경우, 술폰아미드를 함유하는 CED 코팅 결합제 분산액이 수득된다. 다음, 상기 수득한 CED 코팅 결합제 조성물을 별도의 안료 페이스트와 혼합하여 안료첨가된 CED 코팅 조성물 또는 코팅조를 제조할 수 있다.
별법으로, 2액성 방법을 이용하는 경우, 술폰아미드를 함유하는 수성 안료 페이스트를 CED 코팅 결합제 분산액에 첨가하는 방식으로 작업할 수도 있다. 안료 페이스트는 예를 들어 술폰아미드 함유 결합제 및(또는) 가교제를 안료 및(또는) 증량제를 수성 페이스트 수지에 분산시켜 미리 제조한 안료 페이스트와 혼합하거나 유화시켜 제조할 수 있다.
술폰아미드는 CED 코팅 조성물에 별도 첨가될 수 있다. 예를 들어, 이 경우에는 코팅시킬 준비가 된 CED 코팅조에 조정용 첨가제로서 술폰아미드를 후속적으로 별도 첨가할 수 있다. 이 경우, 술폰아미드는 그 자체로서 또는 수용액 또는 유기 용액으로서 사용될 수 있거나, 또는 필요에 따라 예를 들어 수성 안료 페이스트의 구성 성분으로서, 수희석가능한 결합제 조성물의 구성 성분으로서, 수성 CED 코팅 페이스트 수지의 일부로서 또는 적합한 유화제의 보조제로서 수희석가능한 형태로 먼저 전환될 수 있다.
본 발명에 따른 CED 코팅 조성물로부터 통상적인 방식으로 음극으로서 스위칭된 전기 전도성 기판 또는 전기 전도성 기판 표면상에 예를 들어 10 내지 30 ㎛의 건조 필름 두께로 CED 코팅층을 전착시키고, 예를 들어 150 내지 190℃의 목적 온도에서 베이킹할 수 있다. 본 발명에 따른 효과는 전기 전도성 기판 또는 전기 전도성 기판 표면이 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판 또는 아연도금된 기판 표면인 경우에 달성된다. 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판은 전기 전도성 기판, 특히 표면이 부분적으로 또는 바람직하게는 완전히 아연도금된 금속성 기판이거나, 또는 아연도금된 표면을 갖는 금속성 성분 부품으로 구성된 복합 구조체로 된 기판이다. 아연도금되지 않은 표면을 가지며 아연도금된 부품과 함께 조립되어 복합 구조체를 형성할 수 있는 다른 성분 부품의 예로는 전착에 의해 코팅될 수 있는 플라스틱 부품 및 금속 부품, 특히 예를 들어 강철, 알루미늄 또는 마그네슘 및 플라스틱 부품이 있다. 상기 플라스틱 부품이 전기 전도성이거나 또는 전기 전도성 표면이 구비된 것인 경우, 마찬가지로 음극 전착에 의해 코팅시킬 수 있다. 아연도금된 표면을 갖는 금속성 기판 또는 성분 부품은 바람직하게는 아연도금된 강철 부품이다.
아연도금은 순수한 아연, 아연-니켈 합금 또는 아연-철 합금으로 구성될 수 있으며, 금속성 기판 표면, 특히 강철 표면에, 예를 들어 아연도금에 의해, 고온 아연도금으로서 또는 소위 용융아연도금 아연층으로서 도포될 수 있다. 본 발명의 내용 상, 아연도금된 표면은, 또한 전기 전도성으로 인해 코팅 중에 충분히 높은 아연 분진 안료 함량을 갖는, 기판 표면에 도포된 전기 전도성 코팅을 포함하는 것으로 이해해야 한다.
아연도금된 차체 강철 시트는 자동차 제작에서 더욱더 요구되고 있다. 따라서, 본 발명에 따른 CED 코팅 조성물은 자동차 분야, 예를 들어 자동차체 또는 전체적으로 또는 부분적으로 아연도금된 강철 부품으로 제작되는 자동차체 부품의 부 식 방지 프라이머 처리에 특히 적합하다.
생성된 CED 코팅층에 결함으로서 핀홀이 형성됨이 없이, 본 발명에 따른 CED 코팅 조성물로부터 아연도금된 기판 표면상에 CED 코팅층을 전착시킬 수 있다. 본원에서, 바람직하지 않은 핀홀 형성의 억제는 보다 높은 전착 전압에서도 보장된다.
<실시예 1: 술폰아미드의 제조>
톨루엔술폰아미드 분말 (오르토/파라 이성질체 혼합물) 36 중량부를 수성 페이스트 수지 (미국 특허 제5,905,103호의 실시예 1에 따른 페이스트 수지, 포름산으로 중화시키고 탈이온수로 희석시킴, 고체 함량 40 중량％, 산 함량 50 밀리당량 포름산/100 g 고체) 58 중량부에 첨가하였다. 고체 함량은 탈이온수를 이용하여 60 중량％로 조정하고, 배치를 펄 밀에서 분쇄하였다.
<실시예 2 (비교예)>
CED 코팅 조성물은 CED 코팅 결합제 및 가교제를 함유하는 분산액 (미국 특허 제5,702,581호의 실시예 3c1) 1635 중량부와 수성 안료 페이스트 (휘발성 성분 47 중량％, 이산화티탄 42.5 중량％, 카본 블랙 0.5 중량％ 및 수지 고체 10 중량％, 상기 수지 고체는 미국 특허 제5,905,103호의 실시예 1에 따른 페이스트 수지로부터 유래됨, 산 함량 18 밀리당량 포름산/100 g 고체) 269 중량부를 혼합하여 제조하였다. 탈이온수 및 포름산을 첨가하여 고체 함량 20 중량％ 및 산 함량 38 밀리당량/100 g 고체로 조정하였다. 수득한 CED 코팅 조성물은 안료:결합제의 중 량비가 0.2:1이었다.
<실시예 3>
CED 코팅조의 산 함량을 조정하기 전에, 수지 고체를 기준으로 1.5 중량％의 술폰아미드가 CED 코팅조에 함유되도록 실시예 1에서 제조된 술폰아미드를 CED 코팅조에 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 2를 반복하였다.
<실시예 4>
수지 고체를 기준으로 3 중량％의 술폰아미드가 CED 코팅조에 함유되도록 실시예 1에서 제조된 술폰아미드를 CED 코팅조에 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 3을 반복하였다.
<실시예 5 (비교예)>
CED 코팅조의 산 함량을 조정하기 전에, CED 코팅조의 고체 수지 중 페이스트 수지의 비율이 실시예 4의 CED 코팅조의 수지 고체 중 페이스트 수지의 비율에 상응하도록 하는 양으로 미국 특허 제5,905,103호의 실시예 1에서 제조된 수성 페이스트 수지를 실시예 2의 CED 코팅조에 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 2를 반복하였다.
<시험 결과>
실시예 2 내지 5의 CED 코팅 조성물의 10 리터 조에서, 아연도금된 차체 강철로 된 시험 시트로부터 조립되고 음극으로서 스위칭된 균일 전착 박스를 매 경우 30℃에서 2분 동안 상이한 전착 전압에서 코팅시키고, 탈이온수로 세정한 후 매 경우 180℃ (대상 온도)에서 30분 동안 베이킹하였다.
CED 코팅에 의해 달성된 시험 결과를 하기 표에 나타내었다.
실시예 전착 전압 (볼트) 외측 필름 두께1 (㎛) 부식 길이2 (cm) 핀홀3
2a 220 17 13.5 없음
2b 240 20 16 10 내지 15
2c 260 22 18.5 > 20
3a 220 17 14 없음
3b 240 20 16.5 없음
3c 260 22 18 1 내지 2
4a 220 17 14 없음
4b 240 20 16 없음
4c 260 22 18.5 없음
5a 220 17 14 없음
5b 240 20 16 10 내지 15
5c 260 22 18 > 20
1) 균일 전착 박스의 외측에서 CED 코팅 필름의 두께 2) 부식 길이는 달성된 균일 전착력 측정으로서 VDA [독일 자동차 산업] 권장 621-180에 따라 측정하였다. 주어진 값은 녹이 없는 길이 (cm)를 나타낸다. 부식 시험은 DIN 53 167에 따라 240 시간 스프레이 시험으로서 수행하였다. 3) 음극 전착에 의해 코팅된 면적 1 ㎡ 당 핀홀의 수

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  6. 조성물 중 수지 고체의 중량을 기준으로 0.1 내지 5 중량％의 1종 이상의 술폰아미드를 포함하는 음극 전착 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 아연도금된 표면에 도포하는 단계를 포함하는, 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판의 음극 전착 코팅 방법.
  7. 제6항에 있어서, 적어도 부분적으로 아연도금된 표면을 갖는 기판이 금속성 기판 및 그들의 복합 구조체로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 기판이 아연도금된 강철을 포함하는 방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 기판이 자동차체 및 자동차체 부품으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
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  11. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 술폰아미드가 화학식 R1SO2NR2R3의 유기 화합물 (식 중, R1은 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 탄화수소 라디칼을 나타내고, R2 및 R3은 독립적으로 수소 또는 유기 라디칼을 나타냄)인 방법.
  12. 제11항에 있어서, R2 및 R3이 수소인 방법.
  13. 제11항에 있어서, R1이 아릴 라디칼인 방법.
  14. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 1종 이상의 술폰아미드가 벤젠술폰아미드, 오르토-톨루엔술폰아미드, 파라-톨루엔술폰아미드 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
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