KR100737383B1 - 절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 제조방법 - Google Patents

절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 제조방법 Download PDF

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KR100737383B1
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백규하
유인규
강승열
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Abstract

본 발명은 유기고분자에 무기물을 첨가하여 절연특성을 향상시킨 절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 비닐중합체 및 무기재료를 포함하는 유기박막 트랜지스터용 절연막을 제공한다. 이 때, 비닐중합체와 무기재료의 중량비는 1: 0.0001 내지 1 : 0.5 인 것이 바람직하다. 이로써, 저온상에서 박막형성이 가능하며, 절연막 형성시 미리 형성된 트랜지스터의 다른 층에 미치는 영향을 최소화하면서, 고유전율을 가진 절연막을 형성할 수 있다.
유기박막 트랜지스터, 절연막, 게이트 절연막, 무기재료

Description

절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 제조방법{Insulation layer, Organic thin film transistor using the same and Manufacturing method }
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 인버티드 스태거드(Inverted Staggered)구조의 유기박막 트랜지스터의 단면도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 코플레나(Coplanar)구조의 유기박막 트랜지스터의 단면도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일실시예에 따른 인버티드 스태거드 구조의 유기박막 트랜지스터의 제조공정을 순차적으로 도시하는 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 게이트전극
120 : 게이트 절연막 130 : 유기반도체층
140 : 소스/드레인 전극 200 : 기판
210 : 유기반도체층 220 : 게이트 절연막
230 : 게이트 전극 240 : 층간절연막
250, 250' : 소스/드레인 전극
본 발명은 유기박막 트랜지스터에 사용되는 절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기고분자에 무기물을 첨가하여 절연특성을 향상시킨 절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기박막 트랜지스터는 유기물을 활성층으로 사용하는 소자로서, 1980년대 이후에 연구가 시작되어, 최근에는 전세계적으로 많은 연구가 진행되고 있다. 유기박막 트랜지스터는 실리콘 박막 트랜지스터(Si-TFT)와 구조적으로는 거의 유사하지만, 활성반도체 영역에 실리콘(Si)대신 유기물을 사용하는 차이가 있다. 또한, 박막트랜지스터에 사용되는 절연막도 유기물로 사용할 수 있는 차이가 있다.
이러한 유기박막 트랜지스터는 종래 실리콘 박막을 형성하는 방법과 달리, 상압의 습식공정, 예컨데, 프린팅 코팅(printing coating), 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating)등의 방법으로 박막을 형성할 수 있고, 더 롤 투 롤(Roll to Roll)방법으로 연속적으로 제조될 수 있어 저가로 박막 트랜지스터를 공급할 수 있는 장점이 있다.
한편, 유기박막 트랜지스터의 성능은 유기박막 트랜지스터의 성능은 유기활성막의 결정화도, 유기절연막과 유기활성막 계면의 전하특성, 유기절연막의 박막특성, 소스/드레인 전극과 유기활성막 계면의 캐리어 주입능력등에 영향을 받으며 이러한 특성을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있다.
특히, 유기절연막에 대해서는 높은 구동전압을 요구하는 소자에 사용되기 위해서, 고 유전율의 가진 특성을 재료 및 이를 제조하는 공정에 대한 개발이 요구된다.
본 발명은 상기한 요청을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 종래의 절연막 재료를 변경하여 절연특성이 향상된 절연막, 이를 구비한 유기박막 트랜지스터, 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제 1 측면은 비닐중합체 및 무기재료를 포함하는 유기박막 트랜지스터용 절연막을 제공한다. 이 때, 비닐중합체와 무기재료의 중량비는 1: 0.0001 내지 1 : 0.5 인 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 측면은 제 1 층과 제 2 층 사이에 위치하는 절연막을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 있어서, 상기 절연막은 비닐중합체 및 무기재료를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3 측면은 제 1 층과 제 2 층 사이에 위치하는 절연막을 포함하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 층 상에 비닐 모노머 및 무기재료를 포함하는 절연성 용액을 코팅하는 코팅단계; 및 상기 제 1 층 상에 코팅된 상기 절연성 용액을 중합하는 중합단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 도면을 참조하면서 본발명의 일실시예에 따른 절연막 및 유기박막 트랜지스터를 설명한다. 도 1은 인버티드 스태거드 구조(inverted staggered structure)의 유기박막 트랜지스터의 단면을 도시한다.
도 1의 인버티드 스태거드 구조의 유기박막 트랜지스터의 경우, 게이트전극(110)은 기판(100)상의 일 영역에 구비되고, 게이트절연막(120)은 게이트전극(110) 및 기판(100)상에 구비되며, 유기반도체층(130)은 게이트절연막(110)의 일영역 상의 유기반도체층(130)과 대응되는 위치에 구비되며, 소스/드레인 전극(140, 140')은 각각 적어도 일부분이 유기반도체층(130) 상에 구비된다.
이 때, 게이트 절연막(110)은 비닐중합체 및 무기재료를 포함하며, 비닐중합체와 상기 무기재료의 중량비는 1: 0.0001 내지 1 : 0.5인 것이 바람직하다. 무기재료의 중량비가 0.0001미만인 경우 특성을 발현하기가 어려우며, 0.5초과인 경우 표면특성이 나빠지기 때문이다. 비닐중합체는 아크릴계 비닐 모노머, 방향족 비닐 모노머, 아크릴로 나트릴계 비닐 모노머, 클로라이드계 비닐 모노머, 비닐스테아레이트 모노머, 또는 비닐프로피오네이트 모노머를 적어도 하나 이상 포함하여 사용할 수 있다.
아크릴계 비닐 모노머는 트리에티로프로판 트라이아크릴레이트 (Triethylopropane triacrylate, TMPTA), 트라이프로필렌 글라이콜 다이아크릴레이트 (Tri(propylene glycol) Diacrylate, TPGDA), 펜타리스리톨 트라이아크릴레이트 (Penthaerithritol Triacrylate, PETA), 트라이메티롤프로판 에톡시레이트 트라이아크릴레이트 (Trimethylolpropane Ethoxylate Triacrylate, TMPEOTA), 메틸메스아 크릴레이트 (Methyl methacrylate, MMA), 메스아크릴레이트 (Methacrylate, MA), 트라이프로필렌 글라이콜 글리세로레이트 다이아크릴레이트 (Tri(propylene glycol) Glycerolate Diacrylate, TPGGDA), 비닐 아크릴레이트 (Vinylacrylate, VA), 벤질 메스아크릴레이트 (Benzyl methacrylate, BA), 아이소보닐 아크릴레이트 (Isobornyl acrylate, IA) 또는 글리시딜 메스아크릴레이트 (Glycidyl methacrylate, GA)를 적어도 하나 이상 포함하여 사용할 수 있다.
방향족계 비닐 모노머는 스타이렌 (Styrene) 또는 디비닐벤젠 (Divinyl benzene)을 사용할 수 있다.
클로라이드계 비닐 모노머는 비닐리덴 크로라이더 (Vinylidene chloride) 또는 비닐벤젠 크로라이드 (Vinyl benzene chloride)를 사용할 수 있다.
한편, 절연막은 중합반응 중에 포함되는 올리고머의 중합 생성물을 더 포함할 수 있다. 올리고머 중합 생성물은 전체 절연막의 중량의 1 내지 80wt%로 포함되고, 올리고머의 분자량은 300 내지 20000의 범위인 것이 바람직하다.
1wt% 미만인 경우 특성이 발현되지 않으며, 80wt%초과인 경우 광패턴이 진행되지 않기때문이다.
올리고머는 우레탄 아크릴레이트 (Urethane acrylate)올리고머, 아크릴레이트 올리고머, 에테르 아크릴레이트 (ether acrylate)올리고머 또는 에폭시 아크릴레이트 (epoxy acrylate) 올리고머 또는 그 혼합물들로 구성될 수 있다.
무기재료는 BaTiO3, SrTiO3, TiO2, SiO2, ITO, 알루미늄 틴 옥사이 드(Aluminium Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), 또는 Ag로 구성할 수 있고, 무기재료의 직경은 0.01 내지 1.0㎛의 범위인 것이 바람직하다. 0.01㎛ 미만으로는 무기재료의 크기를 형성하기 어려우며, 1.0㎛를 초과하여 마이크로단위의 크기가 되면 박막화가 어려워 응용성이 제한되기 때문이다.
도 2는 코플레나(Coplanar structure)구조의 유기박막 트랜지스터의 단면을 도시한다. 이에 따르면, 유기반도체층(210)은 기판(100)의 일영역 상에 구비되며, 게이트절연막(220)은 유기반도체층(210) 상에 구비되며, 게이트전극(230)은 게이트절연막(220)의 일영역 상에 유기반도체층(210)과 대응되는 위치에 구비되며, 게이트전극(230) 상에는 층간절연층(240)이 더 구비되고, 소스/드레인 전극(250, 250')은 각각 층간절연층(240)상에 형성되며 유기반도체층(210)의 소정 영역이 노출되도록 형성된 콘택홀을 통해 유기반도체층(210)과 접촉하고 있다.
이 때, 게이트 절연막(220) 및 층간절연막(240)은 비닐중합체 및 무기재료를 포함하며, 비닐중합체와 상기 무기재료의 중량비는 1: 0.0001 내지 1 : 0.5인 것이 바람직하다. 무기재료의 중량비가 0.0001미만인 경우 특성을 발현하기가 어려우며, 0.5초과인 경우 표면특성이 나빠지기 때문이다.
코플레나 구조에서의 사용되는 절연막인 게이트절연막(220) 및 층간절연막은 전술한 인버티드 스태거드 구조에서의 게이트 절연막과 동일한 형태로 조성될 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
다음에는 본 발명의 일실시예에 따라 유기박막 트랜지스터의 제조방법을 설명한다.
도 3a 내지 도 3d는 일예로 인버티드 스태거드 구조의 유기박막 트랜지스터의 제조공정을 순차적으로 도시하는 단면도로서, 이에 따르면 제조공정은 제조공정은 기판상에 게이트 전극을 형성하는 게이트전극 형성단계, 게이트 절연층 형성단계, 절연층상에 유기반도체로 층을 형성하는 유기반도체층 형성단계, 그리고 유기반도체층 상부에 불순물로 도핑된 무기물로 구성되는 전극 형성단계를 포함한다. 다만, 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 게이트절연층 형성단계를 제외한 나머지 단계에 대해서는 간략히 설명한다.
게이트전극 형성단계는 기판(100)상에 에칭법, 리프트 오프법등을 사용하여 게이트 전극(110)을 형성하는 단계이다.(도 3a),
다음으로, 게이트 절연층 형성단계는 게이트전극(110)을 상부층과 절연하는 게이트 절연층(120)을 형성하는 단계로서(도 3b), 게이트 절연층(120)을 구성하는 전술한 유기재료를 스핀 코팅, 바 코팅, 스프레딩(spreading), 침지(deeping)등의 방법으로 게이트전극(110) 상부 및 기판(100)상에 도포한다.
이 때, 도포되는 게이트 절연층(120)을 구성하는 유기재료는 액상의 단분자 또는 올리고머가 더 포함된 상태로서, 도포된 후 중합되는데, 중합개시제로서 열개시제, 광개시제, 산화환원반응을 이용한 개시제가 사용될 수 있다.
이 때, 열개시제로는 벤조일 퍼옥사이드(Benzoyl peroxide, BP), 아세틸 퍼옥사이드(Acetyl peroxide, AP), 다이아우릴 퍼옥사이드(Diauryl peroxide, DP), 다이-터셔리-뷰틸 퍼옥사이드(di-tert-butyl peroxide, t-BTP), 큐밀 하이드로퍼옥사이드(Cumyl hydroperoxide, CHP), 하이드로젼 퍼옥사이드(Hydrogen peroxide, HP), 포타슘 퍼옥사이드(Potassium peroxide, PP), 2,2'아조비스아이소뷰틸로나이트릴(2,2'Azobisisobutyronitrile, AIBN), 또는 아조화합물 개시제(Azocompound), 알킬은(Silver alkyls)가 사용될 수 있다. 열개시제가 중합개시제로 사용될 경우에는 유기재료의 도포 후 열처리를 하여 유기고분자막으로 형성한다.
또한, 광개시제로는 1-하이드록시-사이크로헥실-펜틸-키톤(1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, Irgacure 907), 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모포리노프로판-1-원(2-Methyl-1[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropane-1-one, Irgacure 184C), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-원(1-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one, Darocur 1173), 이라가큐어 184(Irgacure 184C) 50 wt%와 벤조페논 (Benzophenone) 50 wt%가 혼합된 개시제 (Irgacure 500), 이라가큐어 184가 20 wt%와 이라가큐어 1173이 80 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 1000), 2-하이드록시-1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로파논(2-Hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1propanone, Irgacure 2959), 메틸벤조일포메이트(Methylbenzoylformate, Darocur MBF), 알파, 알파-다이메톡시-알파-페닐아세토페논(Alpha, alpha-dimethoxy-alpha-phenylacetophenone, Irgacure 651), 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모포리닐) 페닐]-1-부타논 (2-Benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(morpholinyl) phenyl]-1-butanone, Irgacure 369), 이라가큐어 369가 30 wt%와 이라가큐어 651이 70 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 1300), 다이페닐 (2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드 (Diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide, Darocur TPO), 다로큐어 TPO 50 wt%와 다로큐 어 1173이 50 wt% 혼합된 개시제 (Darocur 4265), 포스핀 옥사이드, 페닐 비스(2,4,6,-트리메틸 벤조일)(Phosphine oxide, phenyl bis(2,4,6-trimethyl benzoyl, Irgacure 819), 이라가큐어 819가 5 wt%와 다로큐어 1173이 95 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 2005), 이라가큐어 819가 10 wt%와 다로큐어 1173이 90 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 2010), 이라가큐어 819가 20 wt%와 다로큐어 1173이 80 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 2020), 비스 (에타5-2,4,-사이크로페타디엔-1-일) 비스[2,6-다이프루오르-3-(1H-피롤-1-일)페닐] 티타늄 (Bis(.eta.5-2,4-cyclopentadien-1-yl) bis[2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl]titanium, Irgacure 784),또는 벤조페논이 함유된 혼합 개시제(HSP 188, SK CYTEC사, 대한민국)가 사용될 수 있다. 광개시제가 중합개시제로 사용될 경우에는 유기재료의 도포 후 광을 조사하여 유기고분자막으로 형성한다.
또한, 산화환원반응을 이용한 개시제로는 퍼설페이트(K2S2O8) 또는 레독스 개시제(Redox initiator)가 사용될 수 있다.
유기반도체층 형성단계는 프린팅 코팅(printing coating), 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating)dm로 소스전극과 드레인 전극을 연결하는 채널을 이루는 유기반도체층(210)을 형성하는 단계이다(도 3c).
전극 형성단계는 유기반도체층(210)의 양단에 소스/드레인 전극(140, 140')을 형성하는 단계로서, 소스/드레인 전극을 패터닝함으로써 유기박막트랜지스터가 완성된다.(도 3d)
한편, 본 발명에 따른 게이트 절연층의 유전특성을 살펴보기 위한 실험을 실시하여, 용량-주파수(Capacitance-frequency)곡선을 조사하고 이 때 얻어진 결과로부터 계산된 절연막의 유전상수와 유전 손실의 값을 표 1 과 표 2에 나타내었다.
TIO2 무기 입자가 도핑된 poly(vinyl alcohol)의 전기적 특성
TiO2무기입자의농도(wt%) 두께(Å) 유전상수(@1MHz)
0 3720 4.4
3 4120 5.1
5 4230 5.7
7 4310 6.0
BaTiO3 무기 입자가 도핑된 poly(vinyl alcohol)의 전기적 특성
BaTiO3 무기입자의농도(wt%) 두께(Å) 유전상수(@1MHz)
0 3720 4.4
5 5210 6.0
10 4850 9.1
이에 따르면, TiO2, 및 BaTiO3의 첨가량이 증가함에 따라서, 절연막의 유전상수가 증가함을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들을 기준으로 주로 설명되어졌으나, 발명의 요지와 범위를 벗어나지 않고 많은 다른 가능한 수정과 변형이 이루어 질 수 있다. 예컨데, 바텀게이트나 탑게이트 등의 구조에 구애됨 없이 다양한 형태의 박막트랜지스터 구조에 적용가능할 것이다.
본 발명에 따른 유기박막 트랜지스터용 절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 비닐중합체에 무기재료를 혼합하여 구성함으로써, 저온상에서 박막형성이 가능하며, 절연막 형성시 미리 형성된 트랜지스터의 다른 층에 미치는 영향을 최소화하면서, 고유전율을 가진 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 다양한 형상의 박막트랜지스터에 적용될 수 있으며, 습식공정을 이용하여 절연막이 형성되므로 대면적 기판상에 유기박막 트랜지스터를 제조할 수 있는 효과가 있다.
전술한 발명에 대한 권리범위는 이하의 청구범위에서 정해지는 것으로써, 명세서 본문의 기재에 구속되지 않으며, 청구범위의 균등범위에 속하는 변형과 변경은 모두 본 발명의 범위에 속할 것이다.

Claims (26)

  1. 비닐중합체 및 무기재료를 포함하는 유기박막 트랜지스터용 절연막.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 비닐중합체와 상기 무기재료의 중량비는 1: 0.0001 내지 1 : 0.5 인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터용 절연막.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 비닐중합체는 아크릴계 비닐 모노머, 방향족 비닐 모노머, 아크릴로 나트릴계 비닐 모노머, 클로라이드계 비닐 모노머, 비닐스테아레이트 모노머, 및 비닐프로피오네이트 모노머로 구성되는 군에서 선택되는 하나의 모노머의 중합체인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터용 절연막.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연막은 올리고머 중합 생성물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터용 절연막.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기재료는 BaTiO3, SrTiO3, TiO2, SiO2, ITO, 알루미늄 틴 옥사이드(Aluminium Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), 및 Ag로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터용 절연막.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기재료는 직경 0.01 내지 1.0㎛의 범위의 입자인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터용 절연막.
  7. 제 1 층과 제 2 층 사이에 위치하는 절연막을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 있어서,
    상기 절연막은 비닐중합체 및 무기재료를 포함하는 유기박막 트랜지스터.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 비닐중합체와 상기 무기재료의 중량비는 1: 0.0001 내지 1 : 0.5 인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 비닐중합체는 아크릴계 비닐 모노머, 방향족 비닐 모노머, 아크릴로 나트릴계 비닐 모노머, 클로라이드계 비닐 모노머, 비닐스테아레이트 모노머, 및 비 닐프로피오네이트 모노머로 구성되는 군에서 선택되는 하나의 모노머의 중합체인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 아크릴계 비닐 모노머는 트리에티로프로판 트라이아크릴레이트 (Triethylopropane triacrylate, TMPTA), 트라이프로필렌 글라이콜 다이아크릴레이트 (Tri(propylene glycol) Diacrylate, TPGDA), 펜타리스리톨 트라이아크릴레이트 (Penthaerithritol Triacrylate, PETA), 트라이메티롤프로판 에톡시레이트 트라이아크릴레이트 (Trimethylolpropane Ethoxylate Triacrylate, TMPEOTA), 메틸메스아크릴레이트 (Methyl methacrylate, MMA), 메스아크릴레이트 (Methacrylate, MA), 트라이프로필렌 글라이콜 글리세로레이트 다이아크릴레이트 (Tri(propylene glycol) Glycerolate Diacrylate, TPGGDA), 비닐 아크릴레이트 (Vinylacrylate, VA), 벤질 메스아크릴레이트 (Benzyl methacrylate, BA), 아이소보닐 아크릴레이트 (Isobornyl acrylate, IA) 및 글리시딜 메스아크릴레이트 (Glycidyl methacrylate, GA)로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 방향족계 비닐 모노머는 스타이렌 (Styrene) 또는 디비닐벤젠 (Divinyl benzene)인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 클로라이드계 비닐 모노머는 비닐리덴 클로라이더 (Vinylidene chloride) 또는 비닐벤젠 클로라이드 (Vinyl benzene chloride)인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 절연막은 올리고머 중합 생성물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 올리고머 중합 생성물은 전체 절연막의 중량의 1 내지 80wt%로 포함되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 올리고머의 분자량은 300 내지 20000의 범위인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 올리고머는 우레탄 아크릴레이트 (Urethane acrylate)올리고머, 아크릴 레이트 올리고머, 에테르 아크릴레이트 (ether acrylate)올리고머 및 에폭시 아크릴레이트 (epoxy acrylate) 올리고머로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  17. 제 7 항에 있어서,
    상기 무기재료는 BaTiO3, SrTiO3, TiO2, SiO2, ITO, 알루미늄 틴 옥사이드(Aluminium Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), 및 Ag로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  18. 제 7 항에 있어서,
    상기 무기재료는 직경 0.01 내지 1.0㎛의 범위의 입자인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터.
  19. 제 1 층과 제 2 층 사이에 위치하는 절연막을 포함하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서,
    상기 제 1 층 상에 비닐 모노머 및 무기재료를 포함하는 절연성 용액을 코팅하는 코팅단계; 및
    상기 제 1 층 상에 코팅된 상기 절연성 용액을 중합하는 중합단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 코팅단계에서 상기 절연성 용액에 반응성 올리고머를 더 첨가해서 사용하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 중합단계에서 중합은 광개시제를 사용하며, 상기 절연성 용액에 광이 조사되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    광개시제는 1-하이드록시-사이크로헥실-펜틸-키톤(1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, Irgacure 907), 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모포리노프로판-1-원(2-Methyl-1[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropane-1-one, Irgacure 184C), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-원(1-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one, Darocur 1173), 이라가큐어 184(Irgacure 184C) 50 wt%와 벤조페논 (Benzophenone) 50 wt%가 혼합된 개시제 (Irgacure 500), 이라가큐어 184가 20 wt%와 이라가큐어 1173이 80 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 1000), 2-하이드록시-1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로파논(2-Hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1propanone, Irgacure 2959), 메틸벤조일포메이트(Methylbenzoylformate, Darocur MBF), 알파, 알파-다이메톡시-알파-페닐아세토 페논(Alpha, alpha-dimethoxy-alpha-phenylacetophenone, Irgacure 651), 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모포리닐) 페닐]-1-부타논 (2-Benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(morpholinyl) phenyl]-1-butanone, Irgacure 369), 이라가큐어 369가 30 wt%와 이라가큐어 651이 70 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 1300), 다이페닐 (2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드 (Diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide, Darocur TPO), 다로큐어 TPO 50 wt%와 다로큐어 1173이 50 wt% 혼합된 개시제 (Darocur 4265), 포스핀 옥사이드, 페닐 비스(2,4,6,-트리메틸 벤조일)(Phosphine oxide, phenyl bis(2,4,6-trimethyl benzoyl, Irgacure 819), 이라가큐어 819가 5 wt%와 다로큐어 1173이 95 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 2005), 이라가큐어 819가 10 wt%와 다로큐어 1173이 90 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 2010), 이라가큐어 819가 20 wt%와 다로큐어 1173이 80 wt% 혼합된 개시제 (Irgacure 2020), 비스 (에타5-2,4,-사이크로페타디엔-1-일) 비스[2,6-다이프루오르-3-(1H-피롤-1-일)페닐] 티타늄 (Bis(.eta.5-2,4-cyclopentadien-1-yl) bis[2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl]titanium, Irgacure 784), 및 벤조페논이 함유된 혼합 개시제(HSP 188, SK CYTEC사, 대한민국)로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 중합단계에서 중합은 열개시제를 사용하며, 상기 절연성 용액에 열이 가해지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    열개시제는 벤조일 퍼옥사이드(Benzoyl peroxide, BP), 아세틸 퍼옥사이드(Acetyl peroxide, AP), 다이아우릴 퍼옥사이드(Diauryl peroxide, DP), 다이-터셔리-뷰틸 퍼옥사이드(di-tert-butyl peroxide, t-BTP), 큐밀 하이드로퍼옥사이드(Cumyl hydroperoxide, CHP), 하이드로젼 퍼옥사이드(Hydrogen peroxide, HP), 포타슘 퍼옥사이드(Potassium peroxide, PP), 2,2'아조비스아이소뷰틸로나이트릴(2,2'Azobisisobutyronitrile, AIBN), 및 아조화합물 개시제(Azocompound), 알킬은(Silver alkyls)로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 중합단계에서 중합은 산화환원반응을 이용한 개시제를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 산화환원반응을 이용한 개시제는 퍼설페이트(K2S2O8) 또는 레독스 개시제(Redox initiator)인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101056599B1 (ko) 2010-05-04 2011-08-11 경희대학교 산학협력단 유기박막트랜지스터의 유기-무기 복합형 게이트 절연막 형성방법 및 이로부터 형성된 유기박막트랜지스터의 유기-무기 복합형 게이트 절연막

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7659138B2 (en) * 2003-12-26 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
TWI446609B (zh) 2011-11-15 2014-07-21 Ind Tech Res Inst 染料敏化太陽能電池
TWI523073B (zh) 2012-07-31 2016-02-21 財團法人工業技術研究院 氧化物薄膜的圖案化製程

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
KR20050004565A (ko) * 2003-07-03 2005-01-12 삼성전자주식회사 다층구조의 게이트 절연막을 포함한 유기 박막 트랜지스터
KR20050123332A (ko) * 2004-06-24 2005-12-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR20060082076A (ko) * 2003-09-09 2006-07-14 제이에스알 가부시끼가이샤 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6107117A (en) 1996-12-20 2000-08-22 Lucent Technologies Inc. Method of making an organic thin film transistor
KR100303934B1 (ko) 1997-03-25 2001-09-29 포만 제프리 엘 낮은작동전압을필요로하는유기반도체를갖는박막전장효과트랜지스터
KR100336895B1 (ko) 1998-12-30 2003-06-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고개구율및고투과율액정표시장치및그제조방법
KR100396370B1 (ko) 2001-04-30 2003-09-02 주식회사 엘지화학 Ｔｆｔ-ｌｃｄ의 게이트 절연막용 유무기 복합재료, 이를포함하는 게이트 절연막 및, 그의 제조방법
JP3891257B2 (ja) * 2001-06-25 2007-03-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
KR100428002B1 (ko) 2001-08-23 2004-04-30 (주)그라쎌 유기 고분자 게이트 절연막을 구비하는 유기 반도체트랜지스터의 제조 방법
US6946676B2 (en) * 2001-11-05 2005-09-20 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with polymeric interface
WO2003080732A1 (fr) 2002-03-26 2003-10-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Materiau semi-conducteur organique, structure semi-conductrice organique et dispositif semi-conducteur organique
KR100524552B1 (ko) 2002-09-28 2005-10-28 삼성전자주식회사 유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
WO2004081111A1 (en) * 2003-03-11 2004-09-23 Dow Global Technologies Inc. High dielectric constant composites
CA2436246C (en) * 2003-07-30 2009-03-24 Deere & Company Measuring device for measuring harvested crop throughput
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
KR100606655B1 (ko) * 2004-09-22 2006-08-01 한국전자통신연구원 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를이용한 유기박막 트랜지스터
KR100683685B1 (ko) 2004-10-28 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 유기박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치 및그의 제조방법
KR100593300B1 (ko) * 2004-11-10 2006-06-26 한국전자통신연구원 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
KR101130404B1 (ko) * 2005-02-16 2012-03-27 삼성전자주식회사 고차가지형 고분자에 분산된 고유전율 절연체를 포함하는유기 절연체 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
WO2006124670A2 (en) * 2005-05-12 2006-11-23 Georgia Tech Research Corporation Coated metal oxide nanoparticles and methods for producing same
KR100696195B1 (ko) * 2005-09-13 2007-03-20 한국전자통신연구원 저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 적용한 유기박막 트랜지스터
JP4424341B2 (ja) * 2005-12-02 2010-03-03 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器
US8012564B2 (en) * 2006-07-24 2011-09-06 Alcatel Lucent Nanoparticle dispersions with low aggregation levels
US7879688B2 (en) * 2007-06-29 2011-02-01 3M Innovative Properties Company Methods for making electronic devices with a solution deposited gate dielectric

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
KR20050004565A (ko) * 2003-07-03 2005-01-12 삼성전자주식회사 다층구조의 게이트 절연막을 포함한 유기 박막 트랜지스터
KR20060082076A (ko) * 2003-09-09 2006-07-14 제이에스알 가부시끼가이샤 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물
KR20050123332A (ko) * 2004-06-24 2005-12-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101056599B1 (ko) 2010-05-04 2011-08-11 경희대학교 산학협력단 유기박막트랜지스터의 유기-무기 복합형 게이트 절연막 형성방법 및 이로부터 형성된 유기박막트랜지스터의 유기-무기 복합형 게이트 절연막

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