KR100735452B1 - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

발광다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100735452B1
KR100735452B1 KR1020060010639A KR20060010639A KR100735452B1 KR 100735452 B1 KR100735452 B1 KR 100735452B1 KR 1020060010639 A KR1020060010639 A KR 1020060010639A KR 20060010639 A KR20060010639 A KR 20060010639A KR 100735452 B1 KR100735452 B1 KR 100735452B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
mounting area
cavities
diode package
Prior art date
Application number
KR1020060010639A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070013992A (ko
Inventor
엘보비치 작지움 알렉산더
최석문
이성준
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Publication of KR20070013992A publication Critical patent/KR20070013992A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100735452B1 publication Critical patent/KR100735452B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B61—RAILWAYS
    • B61D—BODY DETAILS OR KINDS OF RAILWAY VEHICLES
    • B61D37/00—Other furniture or furnishings
    • B61D37/003—Other furniture or furnishings luggage rack and umbrella-stand for rail vehicles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B61—RAILWAYS
    • B61D—BODY DETAILS OR KINDS OF RAILWAY VEHICLES
    • B61D29/00—Lighting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60Q—ARRANGEMENT OF SIGNALLING OR LIGHTING DEVICES, THE MOUNTING OR SUPPORTING THEREOF OR CIRCUITS THEREFOR, FOR VEHICLES IN GENERAL
    • B60Q3/00—Arrangement of lighting devices for vehicle interiors; Lighting devices specially adapted for vehicle interiors
    • B60Q3/40—Arrangement of lighting devices for vehicle interiors; Lighting devices specially adapted for vehicle interiors specially adapted for specific vehicle types
    • B60Q3/41—Arrangement of lighting devices for vehicle interiors; Lighting devices specially adapted for vehicle interiors specially adapted for specific vehicle types for mass transit vehicles, e.g. buses
    • B60Q3/44—Spotlighting, e.g. reading lamps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60Q—ARRANGEMENT OF SIGNALLING OR LIGHTING DEVICES, THE MOUNTING OR SUPPORTING THEREOF OR CIRCUITS THEREFOR, FOR VEHICLES IN GENERAL
    • B60Q3/00—Arrangement of lighting devices for vehicle interiors; Lighting devices specially adapted for vehicle interiors
    • B60Q3/70—Arrangement of lighting devices for vehicle interiors; Lighting devices specially adapted for vehicle interiors characterised by the purpose
    • B60Q3/76—Arrangement of lighting devices for vehicle interiors; Lighting devices specially adapted for vehicle interiors characterised by the purpose for spotlighting, e.g. reading lamps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60Y—INDEXING SCHEME RELATING TO ASPECTS CROSS-CUTTING VEHICLE TECHNOLOGY
    • B60Y2200/00—Type of vehicle
    • B60Y2200/30—Railway vehicles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 상부를 향해 경사진 측벽을 갖는 실장영역과, 상기 실장영역의 주위에 위치한 제1 및 제2 캐비티와, 상기 실장영역과 상기 제1 및 제2 캐비티 사이에 연장된 제1 및 제2 홈구조가 형성된 상면을 갖는 서브 마운트 기판과; 상기 실장영역의 저면에 형성된 제1 및 제2 범프패드와; 상기 제1 및 상기 제2 캐비티의 저면에 각각 형성된 제1 및 제2 본딩패드와;상기 제1 및 제2 홈구조의 저면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 범프패드와 제1 및 제2 본딩패드를 각각 연결하는 제1 및 제2 도전라인과; 제1 및 제2 범프패드에 접속되도록 상기 실장영역에 탑재된 발광다이오드를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
발광다이오드(light emitting diode), 실리콘 기판(silicon substrate), 패키지(package), 캐비티(cavity)

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
도1a 및 도1b는 각각 종래의 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도 및 평면도이다.
도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 일실시형태에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도 및 평면도이다.
도3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 평면도이다.
도4a 및 도4b는 각각 본 발명의 일실시형태에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도 및 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
20: 발광다이오드 패키지 21: 서브마운트 기판
22: 절연막 23a,23b: 범프패드
24a,24b: 도전라인 25a,25b: 본딩패드
27a,27b: 솔더범프 28: 발광다이오드
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서브마운트 기판의 단차문제로 인한 금속배선불량문제를 해결한 고출력 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드 패키지는 높은 광효율과 우수한 열방출특성이라는 2가지 조건을 만족하는 것이 중요하다. 특히, 주로 조명분야에서 사용되는 고출력 발광다이오드 패키지는 이러한 특성이 매우 중요하다.
발광효율과 열방출특성을 고려하여, 종래의 발광다이오드 패키지는 서브마운트 기판으로서 캐비티를 갖는 실리콘과 같은 반도체 기판을 갖는 패키지가 사용되었다. 이러한 발광다이오드의 일형태가 도1a 및 도1b에 예시되어 있다.
도1a와 같이, 종래의 발광다이오드 패키지(10)는 실장영역을 갖는 실리콘 서브마운트 기판(11)을 포함한다. 상기 서브마운트 기판(11) 상에는 SiO2와 같은 절연층(12)이 형성되며, 그 위에 금속배선구조가 형성된다.
상기 금속배선구조는 도1b에 도시된 바와 같이, 발광다이오드(18)의 각 전극(미도시)이 연결되는 제1 및 제2 범프패드(13a,13b)와 외부 회로와 연결되는 제1 및 제2 본딩패드(15a,15b)와 이를 연결하는 제1 및 제2 도전라인(14a,14b)으로 이루어진다.
서브마운트 기판(11)으로 주로 사용되는 실리콘은 금속에 비해 1/3수준으로 낮은 열전도성을 갖지만, MEMS공정을 통해 얇은 두께로 가공할 수 있으므로, 낮은 열저항을 보장할 수 있다. 또한, 상기 실장영역은 통상의 반도체 가공공정을 통해 상기 캐비티(C)를 형성한 후에, 그 측면에 금속반사층(16)을 적용한 구조를 가질 수 있다. 이러한 금속반사판(16)을 갖는 패키지(10)는 높은 광효율을 보장할 수 있다.
하지만, 종래의 발광다이오드 패키지(10)에서는, 실장영역으로 사용되는 캐비티(C)의 형성으로 인해 배선불량이 야기될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 도전라인(14a,14b)은 캐비티(C)의 경사진 측벽을 따라 형성되므로, 제1 및 제2 범프패드(13a,13b)와 제1 및 제2 본딩패드(15a,15b)에 연결되는 부분("Ⅰ" 및 "Ⅱ"로 표시된 영역)이 단락될 가능성이 매우 높다는 문제가 있다.
이와 같이, 실장영역인 캐비티(C)를 갖는 서브마운트 기판은 광효율을 향상시키는 반사판구조의 형성이 용이하고, 발광다이오드 실장영역의 기판부분을 얇은 두께로 형성함으로써 열방출에 유리한 장점을 제공함에도 불구하고, 캐비티(C)형성으로 인한 단차로 인해 배선단락이 발생되는 치명적인 문제가 있으므로, 높은 신뢰성을 갖는 발광다이오드 패키지를 제조하는데 한계가 있다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 배선이 형성되는 영역에서 단차를 감소시키거나 해소하여 배선구조의 원하지 않는 단락을 방지할 수 있는 새로운 구조를 갖는 발광다이오드 패키지를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은
상부를 향해 경사진 측벽을 갖는 실장영역과, 상기 실장영역의 주위에 위치한 제1 및 제2 캐비티와, 상기 실장영역과 상기 제1 및 제2 캐비티 사이에 연장된 제1 및 제2 홈구조가 형성된 상면을 갖는 서브 마운트 기판과; 상기 실장영역의 저면에 형성된 제1 및 제2 범프패드와; 상기 제1 및 상기 제2 캐비티의 저면에 각각 형성된 제1 및 제2 본딩패드와; 상기 제1 및 제2 홈구조의 저면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 범프패드와 제1 및 제2 본딩패드를 연결하는 제1 및 제2 도전라인과; 제1 및 제2 범프패드에 접속되도록 상기 실장영역에 탑재된 발광다이오드를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명에 따른 패키지는 상기 실장영역의 측벽에 형성된 반사층을 더 포함할 수 있다. 상기 서브마운트 기판은 상면에 절연층이 형성된 실리콘 기판일 수 있다. 이 경우에 절연층은 열산화공정 등에 의해 형성되는 SiO2일 수있다.
바람직하게, 상기 제1 및 제2 캐비티 저면과 상기 실장영역 저면과 상기 제1 및 제2 홈구조의 저면은 실질적으로 서로 동일한 높이를 갖도록 형성될 수 있다. 이로써, 상기 제1 및 제2 도전라인은 실질적으로 서로 동일한 높이를 갖는 상기 저면 들에 의해 이루어지는 평탄한 면을 따라 형성될 수 있다.
구체적인 실시형태에서, 상기 실장영역은 상기 서브마운트 기판 상면의 중앙영역에 위치하며, 상기 제1 및 제2 캐비티는 상기 실장영역의 대향하는 양측에 위치할 수 있다. 본 발명의 특정 실시형태에서는, 상기 제1 및 제2 캐비티, 제1 및 제2 홈구조 및 상기 실장영역은 일정한 폭을 갖는 하나의 캐비티영역으로 일체화되도록 구현할 수 있다.
상기 제1 및 제2 캐비티 중 적어도 하나는 그 일측이 상기 서브마운트 기판의 측면을 통해 개방된 구조를 가질 수 있다. 이 경우에, 제1 및 제2 캐비티에 형성되는 본딩패드와 외부회로의 와이어본딩을 보다 용이하게 실시할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 보다 상세히 설명한다.
도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 일실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(20)를 나타내는 측단면도 및 평면도이다. 도2a는 도2b에 도시된 발광다이오드 패키지(20)를 X-X'방향으로 절개한 단면도를 나타낸다.
도2a에 도시된 발광다이오드 패키지(20)는 주 캐비티(C1)가 형성된 서브마운 트 기판(21)을 포함한다. 상기 서브마운트 기판(21)은 MEMS 가공이 용이한 실리콘과 같은 반도체 기판일 수 있다. 상기 주 캐비티(C1)는 실장영역으로서 제공되며, 상부를 향해 경사진 측벽을 갖는다. 실장영역의 경사진 측벽에는 도2b와 같이 발광다이오드(28)의 광효율을 향상시키기 위해 반사층(26)이 형성될 수 있으며, 상기 반사층물질로는 Al 또는 Ag와 같은 고반사성 금속이 사용될 수 있다.
도2a 및 도2b에 도시된 바와 같이, 상기 실장영역의 주위에 위치한 제1 및 제2 보조캐비티(C2,C3)가 제공된다. 상기 제1 및 제2 보조캐비티(C2,C3)는 본 실시형태와 같이 실장영역의 대향하는 양측에 위치하도록 서브마운트 기판(21)의 양단부에 형성될 수 있다. 또한, 상기 실장영역과 상기 제1 및 제2 보조캐비티(C2,C3)는 제1 및 제2 홈구조(P12,P13)에 의해 연결된다. 바람직하게, 상기 제1 및 제2 보조캐비티(C2,C3)와 실장영역으로 제공되는 주 캐비티(C1)는 서로 평탄한 저면을 갖도록 상기 홈구조(P12,P13)와 동일한 깊이로 형성될 수 있다.
도2b와 같이, 상기 실장영역의 저면에는 제1 및 제2 범프패드(23a,23b)가 형성되며, 상기 제1 및 제2 범프패드(23a,23b) 상에는 발광다이오드(28)의 각 전극(미도시)이 솔더범프(27a,27b)에 의해 연결되어 고정될 수 있다. 상기 제1 및 상기 제2 보조캐비티(C2,C3)의 저면에는 외부회로와의 연결을 위해 제공되는 제1 및 제2 본딩패드(25a,25b)가 형성된다.
또한, 상기 범프패드(23a,23b)와 상기 본딩패드(25a,25b)는 홈구조(P12,P13)의 저면에 형성된 제1 및 제2 도전라인(24a)에 의해 서로 연결된다. 종래의 발광다이오드 패키지(도1a 참조)와 달리, 본딩패드(25a,25b)와 도전라인(24a,24b)가 형성될 영역에 보조 캐비티(C2,C3)와 홈구조(P12,P13)를 추가적으로 형성함으로써, 배선이 형성될 영역에서 단차높이를 저감시킬 수 있다. 특히, 도2b에 도시된 바와 같이, 실장영역의 주 캐비티(C1)와 거의 동일한 깊이로 보조캐비티(C2,C3)와 홈구조(P12,P13)를 형성함으로써 실질적으로 평탄한 면 상에 제1 및 제2 도전라인(24a,24b)을 형성할 수 있다. 이로써, 단차로 인한 배선(특히 도전라인)의 단락문제를 획기적으로 저감시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 본딩패드 및 도전라인이 형성될 영역에 추가적인 식각공정을 적용하여 배선형성영역의 단차를 감소시키거나 해소함으로써 신뢰성이 높은 패키지를 제공하는데 그 고유한 특징이 있다.
이러한 패키지구조는 도2b에 도시된 형태와 달리, 도3에 도시된 바와 같이 배션형성영역을 포함한 단일한 형태의 캐비티영역을 형성하는 형태로 구현될 수 있다.
도3에 도시된 발광다이오드 패키지(30)는, 도2b와 유사하게 절연층(32)이 형성된 실리콘 서브마운트 기판(미도시)을 포함할 수 있다. 서브마운트 기판 상에 형성된 캐비티(C)는 동일한 폭을 갖는 단일한 직사각형태로서 제공된다. 본 실시형태에 채용된 캐비티(C)는 종래와 달리 범프패드형성영역은 물론, 본딩패드 및 도전라 인이 형성될 영역까지 포함하도록 제공된다. 이러한 형태의 캐비티는 도2b에 설명된 제1 및 제2 캐비티, 제1 및 제2 홈구조 및 상기 실장영역을 일체화시킨 것으로 이해할 수 있다. 이러한 실시형태에서도, 제1 및 제2 범프패드(33a,33b), 제1 및 제2 본딩패드(35a,35b) 및 도전라인(34a,34b)은 거의 동일한 평면 상에 형성될 수 있으므로, 단차로 인한 배선단락문제를 해소할 수 있다.
본 실시형태에서 캐비티(C)의 측벽에 제공되는 반사층(36)은 발광다이오드(38)와 인접한 양측벽에만 형성될 수 있으므로, 도2b에 도시된 패키지(20)보다 광효율의 증가효과는 다소 작으나, 보다 간소화된 공정을 통해 제조될 수 있다는 장점이 있다.
도4a 및 도4b는 각각 본 발명의 일실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(40)를 나타내는 측단면도 및 평면도이다.
도4a와 함께 도4b를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(40)는 주 캐비티가 형성된 서브마운트 기판(41)을 포함한다. 상기 캐비티(C)는 실장영역으로서 제공되며, 상기 상부를 향해 경사진 측벽을 갖는다. 상기 실장영역의 측벽에는 광효율 증대를 위해 반사층(46)이 형성될 수 있다.
도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이, 상기 실장영역의 저면에는 제1 및 제2 범프패드(43a,43b)가 형성되며, 상기 제1 및 제2 범프패드(43a,43b) 상에는 발광다이오드(48)의 각 전극(미도시)이 솔더범프(47a,47b)에 의해 연결되어 고정될 수 있 다. 상기 제1 및 제2 캐비티(D1,D2)의 저면에는 외부회로와 연결을 위해 제공되는 제1 및 제2 본딩패드(45a,45b)가 형성된다. 상기 제1 및 제2 캐비티(D1,D2)는 도2b에 도시된 형태와 유사하게 실장영역 캐비티(C)의 양측에 위치하며, 상기 실장영역 캐비티(C)과 상기 제1 및 제2 캐비티(D1,D2)는 제1 및 제2 홈구조(P1,P2)에 의해 연결되지만, 상기 제1 및 제2 캐비티(D1,D2)는 기판(41)의 측면 모서리와 접하는 부분이 모두 개방된 형태를 갖는다. 본 실시형태에 채용되는 캐비티(D1,D2)는 기판 측면 모서리에 접한 부분이 모두 개방된 형태이지만, 본딩될 와이어의 배치에 따라 선택적으로 일 모서리만 개방된 형태일 수 있다.
본 실시형태에 따르면, 반사층(46)이 형성될 수 있는 면적을 도2b에 도시된 형태와 유사한 수준으로 유지할 수 있으면서, 동시에 와이어 본딩공정을 보다 용이하게 구현할 수 있다는 장점을 제공한다.
본 실시형태에서도, 제1 및 제2 캐비티(D1,D2)와 홈구조(P1,P2)를 실장영역의 캐비티(C)와 거의 동일한 깊이로 형성함으로써 도4a에 도시된 바와 같이 실질적으로 평탄한 면 상에 제1 및 제2 도전라인(44a,44b)을 형성할 수 있다. 이로써, 단차로 인한 배선(특히 도전라인)의 단락문제를 획기적으로 저감시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 반사층이 형성하기 위한 측면을 갖는 실장용 캐비티와 함께 본딩패드 및 도전라인이 형성될 영역에 추가적인 식각공정을 적용하여 배선형성영역의 단차를 감소시키거나 해소함으로써 배선의 원하지 않는 단락을 방지할 수 있는, 우수한 신뢰성을 갖는 발광다이오드 패키지를 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. 상부를 향해 경사진 측벽을 갖는 실장영역과, 상기 실장영역의 주위에 위치한 제1 및 제2 캐비티와, 상기 실장영역과 상기 제1 및 제2 캐비티 사이에 연장된 제1 및 제2 홈구조가 형성된 상면을 갖는 서브 마운트 기판;
    상기 실장영역의 저면에 형성된 제1 및 제2 범프패드;
    상기 제1 및 상기 제2 캐비티의 저면에 각각 형성된 제1 및 제2 본딩패드;
    상기 제1 및 제2 홈구조의 저면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 범프패드와 제1 및 제2 본딩패드를 연결하는 제1 및 제2 도전라인; 및
    제1 및 제2 범프패드에 접속되도록 상기 실장영역에 탑재된 발광다이오드를 포함하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실장영역의 측벽에 형성된 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 서브마운트기판은 상면에 절연층이 형성된 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐비티 저면과 상기 실장영역 저면과 상기 제1 및 제2 홈구조의 저면은 서로 동일한 높이를 가지며, 상기 제1 및 제2 도전라인은 서로 동일한 높이를 갖는 상기 저면 들에 의해 이루어지는 평탄한 면을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 실장영역은 상기 서브마운트 기판 상면의 중앙영역에 위치하며, 상기 제1 및 제2 캐비티는 상기 실장영역의 대향하는 양측에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐비티, 제1 및 제2 홈구조 및 상기 실장영역은 일정한 폭을 갖는 하나의 캐비티영역으로 일체화된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐비티 중 적어도 하나는 그 일측이 상기 서브마운트 기판의 측면을 통해 개방된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
KR1020060010639A 2005-07-26 2006-02-03 발광다이오드 패키지 KR100735452B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005123795/28A RU2303833C2 (ru) 2005-07-26 2005-07-26 Осветительное устройство
RU2005123795 2005-07-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070013992A KR20070013992A (ko) 2007-01-31
KR100735452B1 true KR100735452B1 (ko) 2007-07-04

Family

ID=37693350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060010639A KR100735452B1 (ko) 2005-07-26 2006-02-03 발광다이오드 패키지

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7491978B2 (ko)
JP (1) JP4481277B2 (ko)
KR (1) KR100735452B1 (ko)
RU (1) RU2303833C2 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080026068A1 (en) * 2001-08-16 2008-01-31 Baxter Healthcare S.A. Pulmonary delivery of spherical insulin microparticles
US8728525B2 (en) * 2004-05-12 2014-05-20 Baxter International Inc. Protein microspheres retaining pharmacokinetic and pharmacodynamic properties
EP1758558B1 (en) * 2004-05-12 2013-10-16 Baxter International Inc. Oligonucleotide-containing microspheres, their use for the manufacture of a medicament for treating diabetes type 1
DE602005009954D1 (de) * 2004-05-12 2008-11-06 Baxter Int Nukleinsäure-mikrokügelchen, ihre herstellung und abgabe
AU2005244840C1 (en) * 2004-05-12 2012-05-10 Baxter Healthcare S.A. Microspheres comprising protein and showing injectability at high concentrations of said agent
MX2009001226A (es) 2006-08-04 2009-03-20 Baxter Int Composicion basada en microesferas para prevenir y/o revertir la diabetes autoinmune de nuevo inicio.
KR20080092654A (ko) 2007-04-13 2008-10-16 삼성전자주식회사 광대역 무선 접속 시스템에서 상향링크 대역폭 요청 장치및 방법
WO2008131129A2 (en) * 2007-04-17 2008-10-30 Baxter International Inc. Nucleic acid microparticles for pulmonary delivery
RU2503092C2 (ru) * 2008-09-25 2013-12-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство с покрытием и способ нанесения покрытия на него
TWI527260B (zh) * 2008-11-19 2016-03-21 廣鎵光電股份有限公司 發光元件結構及其半導體晶圓結構
JP5655302B2 (ja) * 2009-12-24 2015-01-21 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP2012142410A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
TWI517452B (zh) * 2011-03-02 2016-01-11 建準電機工業股份有限公司 發光晶體之多晶封裝結構
DE102011079708B4 (de) 2011-07-25 2022-08-11 Osram Gmbh Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
WO2013144834A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with wavelength converting side coat
US9064773B2 (en) * 2012-10-26 2015-06-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
RU2549335C1 (ru) * 2013-12-18 2015-04-27 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр НТС Инновации" Светоизлучающий диод
JP6279702B2 (ja) * 2016-12-26 2018-02-14 ローム株式会社 発光素子パッケージおよび照明装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050036693A (ko) * 2003-10-15 2005-04-20 럭스피아 주식회사 측면발광 다이오드 패키지
KR20050045041A (ko) * 2003-11-10 2005-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20050046348A (ko) * 2003-11-14 2005-05-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지
KR20050063264A (ko) * 2003-12-22 2005-06-28 주식회사 티씨오 발광다이오드용 리드프레임
KR20050066103A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 삼성전기주식회사 리드프레임을 갖는 반도체 패키지 제조방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6838689B1 (en) * 2002-02-14 2005-01-04 Finisar Corporation Backside alignment and packaging of opto-electronic devices
TWI236103B (en) * 2003-10-28 2005-07-11 South Epitaxy Corp Flip-chip LED package structure
US6881980B1 (en) * 2004-06-17 2005-04-19 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Package structure of light emitting diode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050036693A (ko) * 2003-10-15 2005-04-20 럭스피아 주식회사 측면발광 다이오드 패키지
KR20050045041A (ko) * 2003-11-10 2005-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20050046348A (ko) * 2003-11-14 2005-05-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지
KR20050063264A (ko) * 2003-12-22 2005-06-28 주식회사 티씨오 발광다이오드용 리드프레임
KR20050066103A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 삼성전기주식회사 리드프레임을 갖는 반도체 패키지 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4481277B2 (ja) 2010-06-16
US7491978B2 (en) 2009-02-17
RU2005123795A (ru) 2007-02-10
US20070023776A1 (en) 2007-02-01
JP2007036253A (ja) 2007-02-08
RU2303833C2 (ru) 2007-07-27
KR20070013992A (ko) 2007-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100735452B1 (ko) 발광다이오드 패키지
US10446730B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100587020B1 (ko) 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP5746076B2 (ja) 半導体発光デバイスパッケージのサブマウント及びそのサブマウントを備える半導体発光デバイスパッケージ
US8674395B2 (en) System and method for LED packaging
US8357552B2 (en) Light emitting diode chip, and methods for manufacturing and packaging the same
US10553757B2 (en) UV LED package
KR100616692B1 (ko) 금속 기판을 이용한 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법
US8907551B2 (en) Light emitting device package
US9159893B2 (en) Light emitting device including lead having terminal part and exposed part, and method for manufacturing the same
TWI395346B (zh) 發光元件的封裝結構
JP4831958B2 (ja) 表面実装型ｌｅｄ
JP2006013324A (ja) 発光装置
KR20070034251A (ko) 발광소자 패키지
KR102471801B1 (ko) 반도체 발광소자
CN220710342U (zh) 一种高密度热电分离贴片式的csp光源
KR102421260B1 (ko) 엘이디 패키지의 리드프레임과 리플렉터의 결합구조
TWI647868B (zh) 改良的發光裝置及其製造方法、改良的發光二極體封裝結構及其製造方法
KR102338179B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR100995688B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR19980078723A (ko) 히트싱크를 갖는 고전력 패키지
KR20220099025A (ko) 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee