KR100719447B1 - 평판형 형광램프용 상판 성형 방법 및 장치 - Google Patents

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조도영
손이근
박종리
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Abstract

본 발명은 램프에서 발생되는 적외선의 복사열을 이용하여 판 형상의 기판을 가열함은 물론, 상기 기판과 금형체의 접촉면에 반사막을 형성하여 금형체의 온도 상승을 방지하고 반사열을 이용하여 기판을 가열할 수 있는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법 및 장치에 관한 것으로서, 글라스를 가열할 수 있는 파장을 갖는 적외선 램프의 복사열을 이용하여 평판형 형광램프용 상판을 신속하게 가열할 수 있게 되므로 상판의 성형시간을 단축하게 됨은 물론, 금형체와 접촉되는 기판의 표면에 형성된 반사막에 의해서 금형체로 전달되는 복사열이 차단되어 금형체의 온도 상승으로 인한 기판의 가열시간 지연을 방지함은 물론, 상기 반사막에 의해서 반사되는 복사열에 의해서 기판이 가열되므로 기판의 가열시간을 단축하여, 기판의 성형 시간을 단축할 수 있는 것이다.
형광램프, 성형, 예열, 냉각, 복사열

Description

평판형 형광램프용 상판 성형 방법 및 장치{top glass forming method and the apparatus for flat type fluorescent lamp}
도1은 일반적인 평판형 형광램프의 평면도.
도2는 도1의 A - A선 단면도.
도3은 본 발명에 따른 상판 성형 방법을 나타낸 흐름도.
도4는 본 발명에 따른 상판 성형 장치를 나타낸 정면도.
도5는 도4의 A - A 선 단면도.
도6은 본 발명에 따른 다른 실시예의 상판 성형 방법을 나타낸 흐름도.
도7은 본 발명에 따른 다른 실시예의 상판 성형 장치를 나타낸 정면도.
도8은 도7의 B - B 선 단면도.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※
10 : 기판 20 : 이동수단
30, 30a : 금형체 31, 31a : 제1흡착홀
33, 33a : 성형홈 32, 32a : 제2흡착홀
40, 40a : 진공 수단 50, 50a : 가열수단
51, 51a : 램프 60 : 반사막
70 : 반사막 형성수단 80 : 예열수단
90 : 안착수단
본 발명은 평판형 형광램프용 상판 성형 방법 및 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 램프에서 발생되는 적외선의 복사열을 이용하여 판 형상의 상판을 신속하게 가열함은 물론, 상기 상판과 금형체의 접촉면에 반사막을 형성하여 금형체의 온도 상승을 방지하고 반사열에 의한 상판의 가열 시간을 단축할 수 있는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로 엘시디 패널의 후면조명으로 사용되는 백라이트장치에는 평판형 형광램프를 사용하여 고휘도 및 고휘도 균일도를 얻고 있다. 평판형 형광램프는 설펀틴 형태의 형광램프로서 내부공간이 설펀틴 형태로 형성된 상판과 평판형태인 하판을 상하 결합시키고, 결합된 내부공간에 형광체를 도포한 것으로서, 도 1 및 도 2를 참고하여 설명한다.
도 1은 일반적인 평판형 형광램프의 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A선 단면도로서, 형광램프(100)는 상하로 분리되는 상판(101)과 하판(102)으로 구성되어 있다. 상판은 설펀틴(serpentine) 형상을 가지고 있으며 양단부에는 한 쌍의 전극(103)이 설치된다. 한편 하판(102)은 직사각형의 평판형태를 갖는다. 상기 상판(101)과 하판(102)은 실런트(sealant)에 의하여 상하 결합하여 하나의 형광램프(100)를 구성한다. 상기 형광램프(100)의 내부에는 상판(101)과 하판(102)의 결 합에 의한 채널(104)이 형성되어 있으며 형광체가 도포되어 있다.
실런트와 형광체는 통상 가열에 의하여 소성되는데, 실런트의 소성이 수행되고 후에 형광체의 소성이 소정시간동안 수행된다(또는 형광램프의 제조 공정상 선후가 변경될 수 있다). 이와 같이 소성이 완료된 후 상판(101)과 하판(102)을 접합시킨 후에 형광램프(100)의 내부를 진공상태로 만들고 그 형광램프(100)의 내부에 가스 및 수은을 충입한 후 주입구를 봉지(밀폐)하고 전극(103)을 부착하면 형광램프(100)의 제조가 완료된다.
이와 같이 형광램프(100)를 제조하기 위해서는 상판(101)을 설펀틴 형상으로 성형하여야 하는 것이며, 종래에는 소정의 길이를 갖는 이동수단을 이용하여 상판(101)의 소재인 판형상의 글라스를 이동시킨 후 성형수단의 내부에서 가열 및 성형작업을 수행하고 있다.
그리고 이와 같이 성형된 상판(101)은 또 다른 이동수단을 이용하여 이동시키면서 냉각시킨 후 하판(102)과 결합 및 후 공정을 수행하면서 형광램프(100)를 제조하게 되는 것이다.
그러나 이러한 종래의 장치는 상판(101)의 소재인 판형상의 글라스를 성형할 때에는 상기 판형상의 글라스를 성형수단의 내부로 이동시킨 상태에서 성형수단의 내부 전체 온도를 상승시켜야 하므로 온도를 상승시키기 에너지의 소비가 증가하게 됨은 물론 판형상의 글라스를 성형 가능온도를 상승시키기 위한 가열시간이 증가하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 그 목적은 적외선을 제공하는 가열수단을 이용하여 판 형상의 글라스 기판을 신속하게 가열하여 기판의 성형시간을 단축시킬 수 있는 평판형 형광램프용 상판 포밍 방법 및 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판을 소정의 형상으로 성형하는 금형체와 상기 기판의 접촉면에 반사막을 형성하여 반사막에 의해서 반사되는 적외선으로 기판의 가열시간을 단축함은 물론 금형체의 온도가 상승되는 것을 방지할 수 있는 평판형 형광램프용 상판 포밍 방법 및 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징적인 구성을 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 평판형 형광램프용 상판 성형 방법은 기판을 그 이동수단에 의해 금형체의 아래로 이송하는 단계, 상기 금형체에 형성된 제1흡착홀에 전달되는 흡입력에 의해 상기 기판을 흡착하여 고정시키는 단계, 상기 기판에 적외선을 제공하는 가열수단으로 상기 기판을 유리성형가능온도로 가열하는 단계, 상기 금형체에 형성된 제2흡착홀에 전달되는 흡입력에 의해 상기 가열된 기판이 진공으로 흡착함으로써 상기 기판에 채널을 포함하도록 성형하는 단계 및 상기 기판을 기판배출가능온도 이하로 냉각한 후 배출하는 단계를 포함하여서 된 것이다.
또한 본 발명의 평판형 형광램프용 상판 성형 방법의 다른 실시예는 기판을 그 이동수단에 의해 금형체 위로 이동시키는 단계, 상기 기판을 상기 금형체 위로 안착시키는 단계, 상기 금형체에 형성된 제1흡착홀에 전달되는 흡입력에 의해 상기 기판을 흡착하여 고정시키는 단계, 상기 기판에 적외선을 제공하는 가열수단에 의해 상기 기판을 성형가능온도 이상으로 가열하는 단계, 상기 금형체에 형성된 제2흡착홀에 전달되는 흡입력에 의해 상기 가열된 기판에 채널을 포함하도록 성형하는 단계 및 상기 기판을 기판배출가능온도 이하로 냉각 후 기판을 배출하는 단계를 포함하여서 된 것이다.
또한 본 발명의 평판형 형광램프용 상판 성형 장치는 판 형상의 기판을 이동시키는 이동수단과, 상기 기판을 흡착하여 고정시키는 제1흡착홀과, 상기 기판에 채널을 성형하는 성형홈과, 상기 성형홈에 형성되며 상기 기판의 성형시 상기 기판을 진공으로 흡착하는 제2흡착홀을 포함하는 금형체와, 상기 제1흡착홀 및 제2흡착홀에 각각 연결되어 상기 기판을 흡착하는 진공 수단 및 상기 기판에 적외선을 제공하여 상기 기판을 유리성형가능온도로 가열하는 가열수단을 포함하여서 된 것이다.
이와 같은 특징을 갖는 본 발명을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도3은 본 발명에 따른 상판 성형 방법을 나타낸 흐름도이고, 도4는 본 발명에 따른 상판 성형 장치를 나타낸 정면도이며, 도5는 도4의 A - A 선 단면도이고, 도6은 본 발명에 따른 다른 실시예의 상판 성형 방법을 나타낸 흐름도이며, 도7은 본 발명에 따른 다른 실시예의 상판 성형 장치를 나타낸 정면도이고, 도8은 도7의 B - B 선 단면도이다.
여기에서 참조되는 바와 같이 본 발명은 평판형 형광램프용 상판(101)에 복 수개의 채널이 형성되도록 성형할 때 상기 상판(101)을 복사열에 의하여 급속 가열한 후 금형체에 진공 흡착하여 신속하고 간편하게 채널을 성형할 수 있는 것이다.
상기 상판(101)을 성형하는 금형체의 위치에 따라서, 상기 상판(101)을 상부로 흡입 고정하는 방법 및 장치와, 상판(101)을 하부로 흡입 고정하는 방법 및 장치로 크게 구분된다.
먼저, 상기 기판(10)을 상부로 흡입 고정하는 방법 및 장치에 따른 실시예를 설명하면 다음과 같다.
[실시예1]
소정의 두께 및 크기를 갖도록 판 형상으로 이루어진 기판(10)은 이동수단(20)에 의해서 이동되는 것이고, 기판(10)이 금형체(30)의 직 하방으로 이동되면, 상기 이동수단(20)이 정지한 후 금형체(30)의 저면과 기판(10)의 상면이 근접되도록 상기 금형체(30)를 하부로 이동시킨다.
이러한 상태에서 진공 수단(40)을 작동시키고 고정용 진공호스(41)에 설치된 밸브(42)를 개방하면 상기 진공 수단(40)에서 발생된 진공압은 고정용 진공호스(41) 및 제1흡착홀(31)로 전달되므로 기판(10)을 금형체(30)의 저면에 긴밀히 접촉시킨다.
상기 기판(10)이 접촉된 후 금형체(30)가 초기상태로 복원되도록 상부로 이동킨 후 가열 수단(50)에 설치된 램프(51)가 기판(10)의 저면에 위치되도록 회전암(52)을 작동시킨다.
상기 램프(51)는 복사열에 의해서 유리를 가열할 수 있는 파장을 갖는 적외 선이 발생되는 할로겐램프를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 회전암(52)에 설치된 램프(51)가 기판(10)의 저면으로 이동된 후 램프(51)를 점등시키면, 상기 기판(10)은 램프(51)에서는 복사열에 의해서 성형 가능온도(T1)로 가열되는 것이다.
상기 성형 가능온도(T1)는 650℃ ~ 750℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 650℃이하로 가열하면, 기판(10)의 변형율이 감소되어 기판(10)이 불안정하게 성형되고, 750℃상으로 가열하면, 기판(10)의 변형율이 증가되어 기판(10)이 파손되게 된다.
상기와 같이 기판(10)의 가열이 완료된 후 성형용 진공호스(43)에 설치된 밸브(44)를 개방하면 상기 진공 수단(40)에서 발생된 진공압은 성형용 진공호스(43) 및 제2흡착(32)로 전달되므로 기판(10)이 금형체(30)에 형성된 성형홈(33)에 긴밀히 접촉되면서 기판(10)에 채널이 성형되는 것이다.
한편, 상기 기판(10)의 성형이 완료되면, 기판(10)의 온도가 배출 가능온도(T2)로 냉각되도록 램프(51)를 소등한 후 초기 상태로 복원 시키는 것이다.
상기 배출 가능온도(T2)는 450℃ ~ 550℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 450℃이하로 냉각하면, 기판(10)의 연성이 감소되어 충격에 의해서 파손되고, 550℃이상으로 냉각하면, 기판(10)이 이동 중 변형된다.
상기와 같이 기판(10)의 냉각이 완료되면, 금형체(30)를 하부로 이동시킨 후 진공수단(40)을 정지하면, 제1흡착홀(31) 및 제2흡착홀(32)에 흡입력이 차단되므로 기판(10)은 이동수단(20)의 상면에 안착되는 것이다.
이때 이동수단(20)을 작동시키면, 성형 완료된 기판(10)은 후 공정으로 이동되고, 판 형상의 다른 기판(10)은 금형체(30)의 직 하방으로 이동되므로 상술한 과정을 반복하면서 연속적으로 기판(10)을 성형하는 것이다.
[실시예2]
소정의 크기를 갖는 기판(10)을 반사막 형성수단(70)의 내부로 이동시켜 상기 기판(10)의 표면 즉, 금형체(30)에 접촉되는 일면에 반사막(60)을 형성하게 된다.
상기 반사막(60)을 형성하는 이유는 이후에 설명할 램프(51)에서 발생되는 적외선을 반사시켜, 금형체(30)의 온도가 상승되는 것을 방지함과 동시에 기판(10)의 가열시간을 단축시키기 위함이다.
또한, 상기 반사막(60)은 상기 자외선의 금형체(30)에 전달되어 금형체가 가열되는 것을 방지함으로써, 기판(10)의 성형 후 냉각될 때 더 빨리 기판이 기판배출가능온도(T2)로 도달할 수 있게 하여 기판의 성형시간을 단축할 수 있다.
상기 반사막(60)을 형성할 때에는 기판(10)을 고정시킨 상태에서 무기화합물과 유기용제의 혼합물을 기판(10)의 표면에 분사하는 스프레이 코팅방법, 상기 기판(10)을 회전시키면서 기판(10)의 표면에 무기화합물과 유기용제의 혼합물을 기판(10)의 표면에 주입하는 스핀 코팅방법, 및 상기 기판(10)을 고정시킨 상태에서 무기화합물과 유기용제를 기판(10)의 표면에 인쇄하는 스크린 프린팅방법 중 어느 하나를 사용하여도 무방하다.
상기 반사막(60)은 분말 형태의 무기화합물과 액체 형태의 유기용제를 혼합 하는 것으로서, 상기 무기화합물은 MgO, Al2O3, TiO2, ZnO, ZrO, BaTiO3, SrTiO3 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상을 혼합한 것이고, 상기 유기용제는 물, 에텔-알콜류, 에스텔류, 케톤류 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상 혼합한 것이다.
상기와 같이 기판(10)의 표면에 반사막(60)을 형성한 후 기판(10)을 예열수단(80)의 내부로 이동시킨 상태에서 기판(10)을 이물질 제거온도(T3)로 예열 한다.
상기 기판(10)을 예열 하는 이유는 반사막(60)에 포함된 유기용제를 제거함과 동시에 기판(10)을 성형 온도로 가열하는 시간을 단축하기 위함이다.
상기 이물질 제거온도(T3)는 300℃ ~ 350℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 300℃이하로 예열하면 반사막(60)에 포함된 유기용제가 잔존하게 되고 350℃이상으로 예열하면, 예열을 위한 비용이 증가하기 때문이다.
상기한 바와 같이 예열 완료된 기판(10)은 이동수단(20)에 의해서 이동되는 것이고, 기판(10)이 금형체(30)의 직 하방으로 이동되면, 상기 이동수단(20)이 정지한 후 금형체(30)의 저면과 기판(10)의 상면이 근접되도록 상기 금형체(30)를 하부로 이동시킨다.
이러한 상태에서 진공 수단(40)을 작동시키고 고정용 진공호스(41)에 설치된 밸브(42)를 개방하면 상기 진공 수단(40)에서 발생된 진공압은 고정용 진공호스(41) 및 제1흡착홀(31)로 전달되므로 기판(10)을 금형체(30)의 저면에 긴밀히 접촉시킨다.
상기 기판(10)이 접촉된 후 금형체(30)가 초기상태로 복원되도록 상부로 이동시킨 후 가열 수단(50)에 설치된 램프(51)가 기판(10)의 저면에 위치되도록 회전 암(52)을 작동시킨다.
상기 램프(51)는 복사열에 의해서 유리를 가열할 수 있는 파장을 갖는 적외선이 발생되는 할로겐램프를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 회전암(52)에 설치된 램프(51)가 기판(10)의 저면으로 이동된 후 램프(51)를 점등시키면, 상기 기판(10)은 램프(51)에서는 복사열에 의해서 성형 가능온도(T1)로 가열되는 것이다.
상기 성형 가능온도(T1)는 650℃ ~ 750℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 650℃이하로 가열하면, 기판(10)의 변형율이 감소되어 기판(10)이 불안정하게 성형되고, 750℃이상으로 가열하면, 기판(10)의 변형율이 증가되어 기판(10)이 파손되게 된다.
상기와 같이 기판(10)의 가열이 완료된 후 성형용 진공호스(43)에 설치된 밸브(44)를 개방하면 상기 진공 수단(40)에서 발생된 진공압은 성형용 진공호스(43) 및 제2흡착홀(32)로 전달되므로 기판(10)이 금형체(30)에 형성된 성형홈(33)에 긴밀히 접촉되면서 기판(10)에 채널이 성형되는 것이다.
한편, 상기 기판(10)의 성형이 완료되면, 기판(10)의 온도가 배출 가능온도(T2)로 냉각되도록 램프(51)를 소등시킨 후 초기 상태로 복원 시키는 것이다.
상기 배출 가능온도(T2)는 450℃ ~ 550℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 450℃이하로 냉각하면, 기판(10)의 연성이 감소되어 충격에 의해서 파손되고, 550℃이상으로 냉각하면, 기판(10)이 이동 중 변형된다.
상기와 같이 기판(10)의 냉각이 완료되면, 금형체(30)를 하부로 이동시킨 후 진공수단(40)을 정지하면, 제1흡착홀(31) 및 제2흡착홀(32)에 흡입력이 차단되므로 기판(10)은 이동수단(20)의 상면에 안착되는 것이다.
이때 이동수단(20)을 작동시키면, 성형 완료된 기판(10)은 후 공정으로 이동되고, 판 형상의 다른 기판(10)은 금형체(30)의 직 하방으로 이동되므로 상술한 과정을 반복하면서 연속적으로 기판(10)을 성형하는 것이다.
한편, 상기 기판(10)을 하부로 흡입 고정하는 방법 및 장치에 따른 실시예를 설명하면 다음과 같다.
[실시예3]
소정의 두께 및 크기를 갖도록 판 형상으로 이루어진 기판(10)은 이동수단(20)에 의해서 이동되는 것이고, 기판(10)이 금형체(30a)의 일 측면으로 이동되면, 상기 이동수단(20)이 정지한 후 안착수단(90)을 작동시켜 기판(10)을 금형체(30a)의 상면에 안착시킨 후 상기 안착수단(90)을 초기상태로 복원시킨다.
이러한 상태에서 진공 수단(40a)을 작동시키고 고정용 진공호스(41a)에 설치된 밸브(42a)를 개방하면 상기 진공 수단(40a)에서 발생된 진공압은 고정용 진공호스(41a) 및 제1흡착홀(31a)로 전달되므로 기판(10)을 금형체(30a)의 상면에 긴밀히 접촉시킨다.
상기 기판(10)이 접촉된 후 가열 수단(50a)에 설치된 램프(51a)를 점등하면, 상기 기판(10)이 가열되는 것이다.
상기 램프(51a)는 복사열에 의해서 유리를 가열할 수 있는 파장을 갖는 적외선이 발생되는 할로겐램프를 사용하는 것이 바람직하다.
이때 상기 기판(10)은 램프(51a)에서는 복사열에 의해서 성형 가능온도(T1)로 가열되는 것이다.
상기 성형 가능온도(T1)는 650℃ ~ 750℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 650℃이하로 가열하면, 기판(10)의 변형율이 감소되어 기판(10)이 불안정하게 성형되고, 750℃이상으로 가열하면, 기판(10)의 변형율이 증가되어 기판(10)이 파손되게 된다.
상기와 같이 기판(10)의 가열이 완료된 후 성형용 진공호스(43a)에 설치된 밸브(44a)를 개방하면 상기 진공 수단(40a)에서 발생된 진공압은 성형용 진공호스(43a) 및 제2흡착홀(32a)로 전달되므로 기판(10)이 금형체(30a)에 형성된 성형홈(33a)에 긴밀히 접촉되면서 기판(10)에 채널이 성형되는 것이다.
한편, 상기 기판(10)의 성형이 완료되면, 기판(10)의 온도가 배출 가능온도(T2)로 냉각되도록 램프(51a)를 소등 시키는 것이다.
상기 배출 가능온도(T2)는 450℃ ~ 550℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 450℃이하로 냉각하면, 기판(10)의 연성이 감소되어 충격에 의해서 파손되고, 550℃이상으로 냉각하면, 기판(10)이 이동 중 변형된다.
상기와 같이 기판(10)의 냉각이 완료되면, 진공수단(40a)을 정지한 후 안착수단(90)을 작동시켜 성형 완료된 기판(10)을 이동수단(20)의 상면에 안착시킨다.
이때 이동수단(20)을 작동시키면, 성형 완료된 기판(10)은 후 공정으로 이동되고, 판 형상의 다른 기판(10)은 금형체(30a)의 직 하방으로 이동되므로 상술한 과정을 반복하면서 연속적으로 기판(10)을 성형하는 것이다.
[실시예4]
소정의 크기를 갖는 기판(10)을 반사막 형성수단(70)의 내부로 이동시켜 상기 기판(10)의 표면 즉, 금형체(30a)에 접촉되는 일면에 반사막(60)을 형성하게 된다.
상기 반사막(60)을 형성하는 이유는 이후에 설명할 램프(51a)에서 발생되는 적외선을 반사시켜, 금형체(30)의 온도가 상승되는 것을 방지함과 동시에 기판(10)의 가열시간을 단축시키기 위함이다.
상기 반사막(60)을 형성할 때에는 기판(10)을 고정시킨 상태에서 무기화합물과 유기용제의 혼합물을 기판(10)의 표면에 분사하는 스프레이 코팅방법, 상기 상판(10)을 회전시키면서 기판(10)의 표면에 무기화합물과 유기용제의 혼합물을 기판(10)의 표면에 주입하는 스핀 코팅방법, 및 상기 기판(10)을 고정시킨 상태에서 무기화합물과 유기용제를 기판(10)의 표면에 인쇄하는 스크린 프린팅방법 중 어느 하나를 사용하여도 무방하다.
상기 반사막(60)은 분말 형태의 무기화합물과 액체 형태의 유기용제를 혼합하는 것으로서, 상기 무기화합물은 MgO, Al2O3, TiO2, ZnO, ZrO, BaTiO3, SrTiO3 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상을 혼합한 것이고, 상기 유기용제는 물, 에텔-알콜류, 에스텔류, 케톤류 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상 혼합한 것이다.
상기와 같이 기판(10)의 표면에 반사막(60)을 형성한 후 기판(10)을 예열수단(80)의 내부로 이동시킨 상태에서 기판(10)을 이물질 제거온도(T3)로 예열 한다.
상기 기판(10)을 예열 하는 이유는 반사막(60)에 포함된 유기용제를 제거함 과 동시에 기판(10)을 성형 온도로 가열하는 시간을 단축하기 위함이다.
상기 이물질 제거온도(T3)는 300℃ ~ 350℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 300℃이하로 예열하면 반사막(60)에 포함된 유기용제가 잔존하게 되고 350℃이상으로 예열하면, 예열을 위한 비용이 증가하기 때문이다.
상기한 바와 같이 예열 완료된 기판(10)은 이동수단(20)에 의해서 이동되는 것이고, 상기 기판(10)이 금형체(30a)의 일 측면으로 이동되면, 상기 이동수단(20)이 정지한 후 안착수단(90)을 작동시켜 기판(10)을 금형체(30a)의 상면에 안착시킨 후 상기 안착수단(90)을 초기상태로 복원시킨다.
이러한 상태에서 진공 수단(40a)을 작동시키고 고정용 진공호스(41a)에 설치된 밸브(42a)를 개방하면 상기 진공 수단(40a)에서 발생된 진공압은 고정용 진공호스(41a) 및 제1흡착홀(31a)로 전달되므로 기판(10)을 금형체(30a)의 상면에 긴밀히 접촉시킨다.
상기 기판(10)이 접촉된 후 가열수단(50a)에 설치된 램프(51a)를 점등하면, 상기 기판(10)이 가열되는 것이다.
상기 램프(51a)는 복사열에 의해서 유리를 가열할 수 있는 파장을 갖는 적외선이 발생되는 할로겐램프를 사용하는 것이 바람직하다.
이때 상기 기판(10)은 램프(51a)에서는 복사열에 의해서 성형 가능온도(T1)로 가열되는 것이다.
상기 성형 가능온도(T1)는 650℃ ~ 750℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 650℃이하로 가열하면, 기판(10)의 변형율이 감소되어 기판(10)이 불안정하 게 성형되고, 750℃이상으로 가열하면, 기판(10)의 변형율이 증가되어 기판(10)이 파손되게 된다.
상기와 같이 기판(10)의 가열이 완료된 후 성형용 진공호스(43a)에 설치된 밸브(44a)를 개방하면 상기 진공 수단(40a)에서 발생된 진공압은 성형용 진공호스(43a) 및 제2흡착홀(32a)로 전달되므로 기판(10)이 금형체(30a)에 형성된 성형홈(33a)에 긴밀히 접촉되면서 기판(10)에 채널이 성형되는 것이다.
한편, 상기 기판(10)의 성형이 완료되면, 기판(10)의 온도가 배출 가능온도(T2)로 냉각되도록 램프(51a)를 소등 시키는 것이다.
상기 배출 가능온도(T2)는 450℃ ~ 550℃로 유지하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 450℃이하로 냉각하면, 기판(10)의 연성이 감소되어 충격에 의해서 파손되고, 550℃이상으로 냉각하면, 기판(10)이 이동 중 변형된다.
상기와 같이 기판(10)의 냉각이 완료되면, 진공수단(40a)을 정지한 후 안착수단(90)을 작동시켜 성형 완료된 기판(10)을 이동수단(20)의 상면에 안착시킨다.
이때 이동수단(20)을 작동시키면, 성형 완료된 기판(10)은 후 공정으로 이동되고, 판 형상의 다른 기판(10)은 금형체(30a)의 직 하방으로 이동되므로 상술한 과정을 반복하면서 연속적으로 기판(10)을 성형하는 것이다.
이와 같이 본 발명은 글라스를 가열할 수 있는 파장을 갖는 적외선 램프의 복사열을 이용하여 평판형 형광램프용 상판을 신속하게 가열할 수 있게되므로 상판의 성형시간을 단축할 수 있는 특유의 효과가 있다.
또한 본 발명은 금형체와 접촉되는 글라스의 표면에 형성된 반사막에 의해서 금형체로 전달되는 복사열이 차단되어 금형체의 온도 상승으로 인한 상판의 가열시간 지연을 방지함은 물론, 상기 반사막에 의해서 반사되는 복사열에 의해서 상판이 가열되므로 상판의 가열시간을 단축시킬 수 있는 특유의 효과가 있다.

Claims (21)

  1. 기판을 그 이동수단에 의해 금형체의 아래로 이송하는 단계,
    상기 금형체에 형성된 제1흡착홀에 전달되는 흡입력에 의해 상기 기판을 흡착하여 고정시키는 단계,
    상기 기판에 적외선을 제공하는 가열수단으로 상기 기판을 유리성형가능온도(T1)로 가열하는 단계,
    상기 금형체에 형성된 제2흡착홀에 전달되는 흡입력에 의해 상기 가열된 기판을 진공으로 흡착함으로써 상기 기판이 채널을 포함하도록 성형하는 단계 및
    상기 기판을 기판배출가능온도(T2)이하로 냉각한 후 배출하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  2. 기판을 그 이동수단에 의해 금형체 위로 이동시키는 단계,
    상기 기판을 상기 금형체 위로 안착시키는 단계,
    상기 금형체에 형성된 제1흡착홀에 전달되는 흡입력에 의해 상기 기판을 흡착하여 고정시키는 단계,
    상기 기판에 적외선을 제공하는 가열수단에 의해 상기 기판을 성형가능온도(T1)이상으로 가열하는 단계,
    상기 금형체에 형성된 제2흡착홀에 전달되는 흡입력에 의해 상기 가열된 기판에 채널을 포함하도록 성형하는 단계 및
    상기 기판을 기판배출가능온도(T2) 이하로 냉각 후 기판을 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 가열수단은 할로겐램프인 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  4. 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 유리성형가능온도(T1)는 650℃~ 750℃임을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  5. 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 기판배출가능온도(T2)는 450℃~ 550℃임을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  6. 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 기판이 상기 이동수단에 의해 상기 금형체 로 이동하기 전, 상기 기판의 표면에 반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반사막을 이물질 제거온도(T3)로 가열하여 상기 반사막에 포함된 이물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반사막은 분말 형태의 무기화합물과 액체 형태의 유기용제가 혼합됨을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 무기화합물은 MgO, Al2O3, TiO2, ZnO, ZrO, BaTiO3, SrTiO3 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상이 혼합되고, 유기용제는 물, 에텔-알콜류, 에스텔류, 케톤류 중 어느 하나 또는 적어도 2개 이상 혼합됨을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 반사막은 스프레이방식의 코팅방법, 스핀 코팅방법 및 스크린 프린팅 방법중 어느 하나에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 기판(10)이 배출된 후, 상기 반사막(60)을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 이물질 제거온도(T3)는 300℃~ 350℃임을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 방법.
  13. 판 형상의 기판을 이동시키는 이동수단과,
    상기 기판을 흡착하여 고정시키는 제1흡착홀과, 상기 기판에 채널을 성형하 는 성형홈과, 상기 성형홈에 형성되며 상기 기판의 성형시 상기 기판을 진공으로 흡착하는 제2흡착홀을 포함하는 금형체와,
    상기 제1흡착홀 및 제2흡착홀에 각각 연결되어 상기 기판을 흡착/성형하는 진공 수단 및
    상기 기판에 적외선을 제공하여 상기 기판을 유리성형가능온도(T1)로 가열하는 가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프용 상판 성형 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 금형체는 상기 이동수단의 상부에 설치되는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프 상판 성형 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 금형체는 상기 이동수단의 하부에 설치되는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프 상판 성형 장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 가열수단은 적외선을 제공하는 할로겐램프인 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프 상판 성형 장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 가열수단으로부터 발생하는 적외선이 상기 금형체로 전달되는 것을 방지하도록 금형체에 접촉되는 기판의 표면에 반사막을 형성하는 반사막 형성수단과, 상기 반사막을 소정 온도로 가열함으로써 상기 반사막에 포함되는 이물질을 제거하는 예열수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램 프 상판 성형 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 가열수단은 상기 금형체와 상기 이동수단 사이로 출입이 가능한 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프 상판 성형 장치.
  19. 제15항에 있어서, 상기 이동수단과 상기 금형체 사이에서 상기 기판을 이동시키는 안착수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프 상판 성형 장치.
  20. 제13항에 있어서, 상기 가열수단은 상기 기판의 성형가능온도(T1)인 650℃~ 750℃로 상기 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프 상판 성형 장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 반사막에 의해 상기 기판과 상기 금형체는 서로 다른 속도로 가열되거나 냉각되는 것을 특징으로 하는 평판형 형광램프 상판 성형 장치.
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