KR20060030590A - 평판형광램프용 유리기판의 성형 장치 및 방법 - Google Patents

평판형광램프용 유리기판의 성형 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

평판형광램프용 유리기판의 성형장치 및 방법에 관한 것으로서, 상기 장치는 지지부재에 지지되어 유입되는 유리기판을 제1온도로 가열하는 가열부를 포함한다. 상기 가열부와 인접 배치되고, 상기 지지부재에 의해 유입되는 가열된 유리기판을 제2온도에서 성형하는 성형부 및 성형된 유리기판을 제3온도에서부터 서냉하는 서냉부를 포함하다. 상기 서냉부와 인접 배치되고, 상기 지지부재 상에 위치한 냉각된 유리기판을 언로딩시키는 언로딩부 및 상기 언로딩부와 로딩부가 서로 연결되도록 배치되고, 상기 유리기판의 언로딩 공정이 수행된 지지부재를 상기 로딩부로 제공하는 순환부를 포함한다. 상술한 구성을 갖는 성형 장치는 평판형광램프용 유리 기판을 연속적으로 성형할 수 있다.

Description

평판형광램프용 유리기판의 성형 장치 및 방법{apparatus and method of forming glass substrate for flat fluorescent lamp}
도 1은 종래의 평판형광램프용 유리기판의 제조방법을 나타내는 공정흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평판형광램프용 유리기판을 연속적으로 성형하는 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 평판형광램프용 유리 기판의 성형 방법을 나타내는 공정흐름도이다.
도 4 내지 7은 본 발명에 따른 평판형광램프용 유리 기판의 성형 방법을 나타내는 공정단면도이다.
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
110 : 로딩부 120 : 가열부
130 : 성형부 140 : 서냉부
150 : 언로딩부 160 : 순환부
S : 지지부재
본 발명은 평판형 램프에 적용되는 유리기판의 성형장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정 디스플레이(LCD)등과 같은 평판 표시장치의 백라이트 또는 기타 면광원으로 사용하기 적합한 평판형광램프용 유리기판의 성형장치 및 방법에 관한 것이다.
액정디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)는 발광형 디스플레이인 음극선관(CRT), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display) 또는 발광다이오드(LED)등과는 달리 수광(비발광)형으로 어두운 곳에서는 사용이 불가능하다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 LCD 후면에 빛을 발생하는 백라이트를 설치하여 빛을 조사함으로서 어두운 곳에서도 화면을 표시할 수 있다. 종래의 LCD용 백라이트는 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)를 세관형태로 만들어 발광원으로 사용하였다. LCD 면광원으로 CCFL를 적용하는데 있어서 다수의 CCFL을 액정패널 밑에 장착하고 CCFL과 액정패널 사이에 확산판을 설치한 직하형(Direct Light)방식과, 투명한 도광판(Light Guide Panel)을 이용하여 액정패널의 측면에 설치한 CCFL로부터 출사되는 광을 LCD화면 전체에 분포되도록 하는 사이드형(Edge Light)방식이 주로 사용되었다.
그러나 종래의 백라이트는 광손실이 많고 광 이용효율이 낮으며 전체구조가 복잡하여 생산비가 높을 뿐 아니라 휘도의 균일성 확보를 위해 여러 가지의 광학시트를 사용해야 하며 복잡한 구조로 조립이 용이하지 않고 LCD의 장점인 경량, 박형화에 큰 장애 요소가 되고 있다.
최근, 유리기판을 성형하여 기존에 냉음극 형광램프가 갖는 방전공간을 확보한 제 1 및 제 2 유리 기판 내부에 형성된 방전공간에 형광체를 코팅, 방전가스와 소량의 수은(Hg)을 주입한 후 방전공간의 외부 또는 내부에 방전전극을 설치하여 양전극간에 전압을 인가하여 발광시키는 면광원에 대한 연구가 진행되고 있다.
이때 면광원의 생산에서 가장 중요한 방전 공간을 갖는 제 1 유리기판은 평판 유리기판을 가열, 성형 및 서냉 공정을 수행하여 제조하는 것이 일반적이다.
도 1은 종래의 평판형광램프용 유리기판의 제조방법을 나타내는 공정흐름도이다.
도 1을 참조하면, 평판형광램프용 유리기판의 성형방법은 먼저 지지부재(S)에 지지된 평판 유리기판을 가열로(도시되지 않음)에서 성형 가능한 온도(glass softening point)를 갖도록 가열한다(단계 S10).
이어서, 상기 가열된 평판 유리기판을 성형로로 이동시킨 이후 성형부 내에 구비된 금형을 이용하여 상기 가열된 평판 유리기판을 진공 흡착함으로서 상기 평판 유리기판을 성형한다(단계 S20).
이어서, 상기 금형에 진공 흡착된 유리기판을 금형으로부터 분리한 후 상기 금형으로부터 분리된 유리기판을 서서히 냉각시켜 변형이 발생되지 않는 완전한 유리기판을 형성한다(단계 S30, S40).
그러나, 상술한 유리기판의 성형 방법은 상기 유리기판을 완성한 이후 작업자가 상기 유리기판을 지지하는 지지부재를 회수한 후 다시 처음공정인 가열공정으로 투입시켜야 하기 때문에 공정의 연속성이 없다. 즉, 상기 유리기판을 성형하는 장치에서 균일한 특성을 갖는 유리기판을 연속적으로 생산할 수 없는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서 보다 빠른 시간 내에 평판형광램프에 적용되는 유리기판을 연속적으로 성형할 수 있는 평판형광램프용 유리기판의 성형장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 평판형광램프에 적용되는 균일한 품질을 갖는 유리기판을 연속적으로 성형할 수 있는 평판형광램프용 유리기판의 성형방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형광램프용 유리기판의 성형장치에 있어서, 상기 장치는 지지부재 상에 유리기판을 로딩시키는 로딩부를 포함한다. 상기 로딩부와 인접되고, 상기 지지부재에 의해 유입되는 유리기판을 제1온도로 가열하는 가열부를 포함한다. 상기 가열부와 인접되고, 상기 지지부재에 지지되어 유입되는 가열된 유리기판을 제2온도에서 성형하는 성형부를 포함한다. 상기 성형부와 인접되고, 상기 지지부재에 지지되어 유입되는 유리기판을 제3온도에서부터 서냉하는 서냉부를 포함한다. 상기 서냉부와 인접되고, 상기 지지부재 상에 위치한 서냉된 유리기판을 언로딩시키는 언로딩부를 포함한다. 상기 언로딩부와 로딩부가 연결하고, 상기 유리기판의 언로딩 공정이 수행된 지지부재를 상기 로딩부로 제공하는 순환부를 포함한다. 따라서, 상술한 구성으로 이루어진 평 판형광램프용 유리기판의 성형장치는 균일한 품질을 갖는 상기 유리기판을 연속적으로 성형할 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 평판형광램프용 유리기판의 성형방법에 있어서, 먼저 순환부에 의해 이송된 지지부재 상에 유리기판을 로딩한다. 이어서, 상기 지지부재를 가열부로 이송시켜 상기 유리기판을제1온도로 가열한다. 이어서, 상기 지지부재를 성형부로 이송시켜서, 상기 가열된 유리 기판을 제2온도에서 성형한다. 이어서, 상기 지지부재를 서냉부로 이송시켜서, 상기 성형된 유리기판을 제3온도에서부터 서냉한다. 그리고, 상기 서냉된 유리기판을 상기 지지부재로부터 언로딩 시킴과 동시에 상기 지지부재를 순환부로 유입하여 유리기판을 완성한다.
상기 가열부, 성형부, 서냉부로 각각 유입되는 지지부재는 70 내지 100㎝/S의 속도 즉, 상기 지지부재의 정지시 상기 지지부재에 안착된 유리기판이 이탈되지 않는 최대의 속도를 갖는 것이 바람직하다.
상술한 본 발명의 평판형광램프용 유리기판의 성형 방법은 평판 유리기판을 끊김 없이 균일한 품질을 갖는 상기 유리기판으로 연속적으로 형성할 수 있다. 이로 인해, 상기 면광원의 대량 생산할 수 있을 뿐만 아니라 가격 경쟁력을 상승시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
실시예 1
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 평판형광램프용 유리기판을 연속적으로 성 형하는 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 유리기판 성형장치는 로딩부(110), 가열부(120), 성형부(130), 서냉부(140), 언로딩부(150) 및 상기 로딩부와 언로딩부를 연결하는 순환부(160)를 포함한다.
로딩부(110)는 가열부(120)와 순환부(160) 사이에 배치되고, 평판형광램프용 유리기판을 제조하기 위해 사용되는 평판 유리기판(도시되지 않음)을 지지부재(Setter; S) 상에 로딩한다. 여기서, 상기 로딩부(110)에는 제1기판 이송암(도시되지 않음)이 구비되어있다. 상기 로딩부에 구비된 제1기판 이송암은 평판 유리기판을 파지하여 상기 순환부(160)에 의해 상기 로딩부(110)로 제공되는 지지부재(S) 상에 평판 유리기판을 안착시킨다.
또한, 상기 지지부재는 평탄도가 유지된 기판으로서 그 표면에 이형물질이 코팅되어 있어 상기 유리기판과 이형성을 유지한다. 상기 이형물질의 예로는 예컨대 BN, MoS2, 흑연(graphite), WS2등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
가열부(120)는 지지부재 상에 평판 유리기판을 로딩시키는 로딩부(110)와 인접 배치되고, 상기 지지부재(S)에 의해 지지되어 유입되는 평판 유리기판을 성형이 가능한 제1온도로 가열하는 히터(도시하지 않음)를 포함한다.
여기서, 가열온도인 제1온도가 600℃ 미만이면, 금형을 이용한 평판 유리기판의 성형 공정시 성형의 불량으로 균일한 방전공간을 갖는 유리기판을 형성하기가 어렵고, 800℃를 초과하면, 유리의 수축과 성형시 금형에 달라붙게 되어 유리기판을 성형하기 어렵다. 따라서, 상기 제1온도는 600 내지 800℃이고, 바람직하게는 740 내지 800℃이다.
성형부(130)는 상기 평판 유리기판을 가열하는 가열부(120)와 인접 배치되고, 상기 지지부재(S)에 지지되어 유입되는 가열된 평판 유리기판을 제2온도로 유지하는 히터 및 상기 평판 유리기판을 방전 공간을 갖는 유리기판으로 성형하는 금형(도시되지 않음)을 포함한다. 상기 금형은 평판형광램프의 방전 공간을 형성할 수 있는 유리기판을 형성하기 위한 성형틀이고, 가열된 평판 유리기판을 진공 흡착 또는 성형된 유리기판을 금형으로 분리될 수 있도록 공기 흡입공, 공기 주입공이 형성되어 있다. 또한, 상기 금형은 고온에서 산화방지 및 상기 가열된 평판 유리기판의 이형성을 유지하기 위해 상기 가열된 평판 유리기판과 면접하는 그 표면에 텅스텐 니켈 또는 크롬막이 형성되어 있다.
여기서, 성형 온도인 제2온도가 550℃ 미만이면, 가열부(110)에서 가열된 유리기판의 성형시 상기 유리기판이 급격하게 식게 되어 균일한 방전 공간을 갖는 유리기판을 형성하기 어렵고, 650℃를 초과하면 상기 가열된 평판 유리기판이 금형에 달라붙게 되어 유리기판을 형성하기 어렵다. 따라서, 상기 제2온도는 550 내지 650℃이고, 바람직하게는 600 내지 640℃이다.
또한, 바람직하게 성형부(130)는 ±10℃ 이하의 온도편차를 갖기 위해 가열된 평면유리기판을 제공받은 후 밀폐되는 것이 바람직하다. 이는 상기 20인치 이상의 유리기판을 성형할 경우 상기 금형에서 ±10℃ 이상의 온도편차가 발생할 성형 된 유리 기판의 방전공간 높이에서 편차가 발생하기 때문이다.
서냉부(140)는 상기 성형부(130)와 인접 배치되고, 상기 지지부재(S)에 지지되어 유입되는 유리기판을 제3온도에서부터 상온까지 서서히 냉각시키는 유닛이다. 이때 상기 서냉부(130) 내부의 도입영역에 해당하는 온도는 제3온도이고, 상기 제3온도는 히터에서 제공된 열에 의해 유지된다.
상기 도입영역의 온도인 제3온도가 550℃ 미만이면, 상기 성형된 유리기판이 급속히 냉각되기 때문에 유리기판의 평탄도를 컨트롤하기가 어렵고, 650℃를 초과하면, 냉각시간이 길어지기 때문에 유리기판의 제조시간이 길어진다. 따라서, 상기 제3온도는 550 내지 650℃이고, 바람직하게는 600 내지 640℃이다.
언로딩부(150)는 상기 서냉부(140)와 인접 배치되고, 상기 지지부재(S) 상에 위치한 서냉된 유리기판을 상기 지지부재로부터 언로딩시키는 제2기판 이송암(도시되지 않음)을 포함한다. 상기 제2기판 이송암은 서냉된 유리기판을 파지한 후 상기 유리 기판을 성형장치 밖으로 이송한다.
순환부(160)는 상기 언로딩부와 로딩부가 서로 연결되도록 배치되고, 상기 유리기판의 언로딩 공정이 수행된 지지부재를 상기 로딩부로 제공하는 유닛이다. 상기 순환부로 인해 상기 평판형광램프용 유리기판의 성형장치는 상기 지지부재가 로딩부, 가열부, 성형부, 서냉부 및 로딩부를 순환되는 구조를 갖기 때문에 상기 평판 유리기판의 연속적인 성형이 가능하여 상기 유리기판을 대량생산 할 수 있다.
실시예 2
도 3은 본 발명에 따른 평판형광램프용 유리 기판의 성형 방법을 나타내는 공정흐름도이고, 도 4 내지 7은 본 발명에 따른 평판형광램프용 유리 기판의 성형 방법을 나타내는 공정단면도이다.
도 3 내지 도7을 참조하면, 지지부재(S)는 먼저 순환부(160)에 의해 언로딩부(150)에서 로딩부(110)로 이송됨과 동시에 지지부재(S)상에 평판 유리기판을 로딩한다(단계 S100, S110).
이를 구체적으로 설명하면, 언로딩부에서 순환부로 유입된 지지부재는 순환부에 의해 상기 로딩부로 유입된다. 이후 상기 로딩부(110)에 구비된 제1기판 이송암(도시되지 않음)이 상기 순환부(160)에 의해 상기 로딩부(110)로 이송되는 지지부재(S) 상에 평판 유리기판을 안착한다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 지지부재(S) 상에 지지되어 가열부(120)로 유입되는 상기 평판 유리기판을 제1온도를 갖도록 가열한다(단계S120).
이를 구체적으로 설명하면, 먼저 상기 평판 유리기판이 안착된 지지부재를 롤러의 회전을 이용하여 로딩부(110)와 인접 배치된 가열부(120) 내부로 70 내지 100㎝/S의 속도로 유입한다. 그리고, 가열부 내부로 유입된 평판 유리기판을 상기 가열부내에 구비된 히터를 이용하여 성형이 가능한 제1온도로 가열한다. 여기서, 가열된 유리 기판의 온도인 제1온도가 600℃ 미만이면, 금형을 이용한 평판 유리기판의 성형 공정시 성형의 불량으로 균일한 방전공간을 갖는 유리기판을 성형하기가 어렵고, 800℃를 초과하면, 유리의 수축과 성형시 금형에 달라붙게 되어 유리기판을 성형하기 어렵다. 따라서, 상기 제1온도는 600 내지 800℃이고, 바람직하게는 740 내지 800℃이다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 지지부재(S)에 지지되어 성형부(130)로 유입되는 상기 가열된 유리 기판을 제2온도에서 성형한다(단계 S130).
이를 구체적으로 설명하면, 먼저 가열된 평판 유리기판이 안착된 지지부재(S)를 롤러의 회전을 이용하여 가열부(120)와 인접 배치된 성형부 내부로 70 내지 100㎝/S의 속도로 유입한다.
이후, 도 5에 도시된 바와 같이 히터에 의해 제2온도로 유지된 평판 유리기판을 금(10)형을 이용하여 진공 흡착한다. 이어서, 상기 가열된 평판 유리기판을 진공 흡착하여 평판형광램프의 방전공간을 형성할 수 있는 유리기판으로 성형한다.
이후, 도 6에 도시된 바와 같이 유리기판이 흡착되는 금형 내부로 더운 공기를 주입하여 상기 유리기판을 금형(10)으로부터 분리(취출)하여 상기 지지부재 상에 안착한다. 이때, 상기 금형의 표면에는 텅스텐 니켈 또는 크롬막이 형성되어 있어 상기 금형이 고온에서 산화되는 것을 방지될 뿐만 아니라 상기 가열된 평판 유리기판과 이형성을 갖는다. 여기서, 유리기판의 성형 온도인 제2온도가 550℃ 미만이면, 가열된 유리기판은 성형시 그 온도가 급격하게 식게되어 균일한 방전된 공간을 갖는 유리기판의 성형이 어렵고, 650℃를 초과하면 상기 가열된 평판 유리기판이 금형(10)에 달라붙게 되어 유리기판을 형성하기 어렵다. 따라서, 상기 제2온도는 550 내지 650℃를 갖고, 바람직하게는 600 내지 640℃의 온도를 갖는다.
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 지지부재에 지지되어 서냉부(140)로 유입되는 유리기판을 제3온도에서부터 서냉하여 완전한 유리기판(20)을 성형한다(단계 S140).
이를 구체적으로 설명하면, 먼저 성형된 유리기판이 안착된 지지부재(S)를 롤러의 회전을 이용하여 성형부(130)와 인접 배치된 서냉부 배부의 도입영역으로 70 내지 100㎝/S의 속도로 유입한다. 이어서, 상기 서냉부의 도입영역으로 유입된 유리기판을 제3온도에서 평탄도를 유지시키면서 상온까지 서서히 냉각한다.
여기서, 상기 도입영역의 온도인 제3온도가 550℃ 미만이면, 상기 성형된 유리기판이 급속히 냉각되기 때문에 유리기판의 평탄도를 조정하기 어렵고, 650℃를 초과하면, 냉각시간이 길어지기 때문에 유리기판의 제조시간이 길어진다. 따라서, 상기 제3온도는 550 내지 650℃이고, 바람직하게는 600 내지 640℃이다.
이어서, 상기 서냉된 유리기판을 상기 지지부재로부터 언로딩 시킴과 동시에 상기 지지부재를 순환부로 유입한다(단계 S150, S160).
상기 로딩부, 가열부, 성형부, 서냉부를 연결하면서, 상기 가열부, 성형부, 서냉부 내부로 지지부재를 유입시키는 롤러는 상기 지지부재는 70 내지 100㎝/S의 속도 즉, 상기 지지부재의 정지시 상기 지지부재에 안착된 유리기판이 이탈되지 않는 최대의 속도를 갖도록 회전하는 것이 바람직하다.
순환부(160)는 상기 언로딩부와 로딩부가 서로 연결되도록 배치되고, 상기 유리기판의 언로딩 공정이 수행된 지지부재를 상기 로딩부로 제공하는 유닛이다.
따라서, 상술한 구성요소를 갖는 평판형광램프용 유리기판의 성형장치는 상기 지지부재가 로딩부, 가열부, 성형부, 서냉부 및 로딩부를 순환되는 구조를 갖기 때문에 상기 평판 유리기판의 연속적인 성형이 가능하여 상기 유리기판을 생산 할 수 있다.
본 발명의 성형 장치는 가열, 성형, 서냉으로 구분되는 유리기판의 제조 공정 이후 유리기판을 지지하는 지지부재를 다시 회수하여 공정의 초기에 해당하는 가열공정의 위치로 다시 이송시키는 순환부를 채용하고 있다. 따라서, 평판 유리기판을 끊김 없이 균일한 품질을 갖는 상기 유리기판으로 연속적으로 성형할 수 있다. 이로 인해, 상기 면광원을 대량 생산할 수 있을 뿐만 아니라 가격 경쟁력을 상승시킬 수 있다.
상기에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 지지부재 상에 유리기판을 로딩시키는 로딩부;
    상기 로딩부와 인접되고, 상기 지지부재에 의해 유입되는 상기 유리기판을 제1온도로 가열하는 가열부;
    상기 가열부와 인접되고, 상기 지지부재에 지지되어 유입되는 가열된 유리기판을 제2온도에서 성형하는 성형부;
    상기 성형부와 인접되고, 상기 지지부재에 지지되어 유입되는 성형된 유리기판을 제3온도에서부터 서냉하는 서냉부;
    상기 서냉부와 인접되고, 상기 지지부재 상에 위치한 서냉된 유리기판을 언로딩시키는 언로딩부; 및
    상기 언로딩부와 상기 로딩부를 연결하고, 상기 유리기판의 언로딩 공정이 수행된 상기 지지부재를 상기 로딩부로 이송하는 순환부를 포함하는 평판형광램프용 유리기판의 성형장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유리기판과 면접하는 상기 지지부재의 상면에 이형제가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 평판형광램프용 유리기판의 성형장치
  3. 제1항에 있어서, 상기 성형부는 이형제가 코팅되고, 상기 가열된 유리기판을 진공 흡착하는 금형을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 형광램프용 유리기판의 성 형장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 순환부는 컨베이어 또는 이송암인 것을 특징으로 하는 평판형광램프용 유리기판의 성형장치
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1온도는 700 내지 800℃이고, 상기 제2온도는 550 내지 650℃이고, 상기 제3온도는 550 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 평판형광램프용 유리기판의 성형장치
  6. (a) 순환부에 의해 이송된 지지부재 상에 유리기판을 로딩하는 단계;
    (b) 상기 지지부재를 가열부로 이송시켜 상기 유리기판을 제1온도로 가열하는 단계;
    (c) 상기 지지부재를 성형부로 이송시켜서, 상기 가열된 유리 기판을 제2온도에서 성형하는 단계;
    (d) 상기 지지부재를 서냉부로 이송시켜서, 상기 성형된 유리기판을 제3온도에서부터 서냉하는 단계; 및
    (e) 상기 서냉된 유리기판을 상기 지지부재로부터 언로딩 시킴과 동시에 상기 지지부재를 순환부로 유입하는 단계를 포함하는 평판형광램프용 유리기판의 성형방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 상기 유리기판을 제1온도인 700 내지 800℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 평판형광램프용 유리 기판의 성형방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 (c) 단계는
    상기 제2온도인 550 내지 650℃에서, 방전공간을 형성하기 위한 홈이 형성되어 있는 금형을 이용하여 상기 가열된 유리 기판을 진공으로 흡착 성형하는 단계; 및
    상기 금형에 흡착 성형된 유리기판을 상기 지지부재로 취출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형광램프용 유리기판의 성형방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 제3온도인 550 내지 700℃에서 서냉하는 것을 특징으로 하는 평판형광램프용 유리기판의 성형방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 가열부, 성형부 및 서냉부로 각각 유입되는 지지부재는 70 내지 100㎝/S의 속도로 유입되는 것을 특징으로 하는 평판형광램프용 유리기판의 성형방법.
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