JPH10334794A - プラズマ表示素子の隔壁製造方法及びその製造装置 - Google Patents

プラズマ表示素子の隔壁製造方法及びその製造装置

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JPH10334794A JP11471398A JP11471398A JPH10334794A JP H10334794 A JPH10334794 A JP H10334794A JP 11471398 A JP11471398 A JP 11471398A JP 11471398 A JP11471398 A JP 11471398A JP H10334794 A JPH10334794 A JP H10334794A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な工程により隔壁を大量に、かつ容易に
形成できるプラズマ表示素子の隔壁製造方法及びその製
造装置を提供する。 【解決手段】 基板１００及び望みの隔壁パターンと同
じパターンで隔壁形成溝１２１が形成されたブロック１
２０を準備する段階と、前記ブロック１２０上に前記基
板１００を位置させる段階と、前記基板１００の一部が
前記隔壁形成溝１２１に没入して隔壁１３０が形成する
ように前記基板１００を前記ブロック１２０に対して加
圧する段階と、前記ブロック１２０から前記基板１００
を分離する段階とを含む。これにより、複雑な隔壁構造
を有する基板の大量生産が可能であり、隔壁の高さを任
意に調整できる。また、パターンを反復して印刷する従
来の印刷法に比べて不良率を減らし、その工程を短縮で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ表示素子の
放電空間を区画する隔壁を製造する方法及びその製造装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ表示素子は特定ガスを放電させ
て蛍光物質を励起させることによって画像を形成する。
即ち、ガスが充填した密閉された空間内に設けられた二
つの電極間に所定の電圧を印加して放電を起こし、この
時発生する紫外線により所定のパターンに形成された蛍
光体層を励起させて画像を形成する。
【０００３】前述したようなプラズマ表示素子は放電空
間を形成するために上下部基板の間に形成された隔壁を
含み、前記放電空間にはプラズマ表示素子の種類によっ
て主放電または補助放電のための少なくとも一対の電極
を形成する。
【０００４】前記隔壁は一般的に下部基板の上面に形成
するが、従来の印刷法による隔壁形成方法を図５を参照
して説明する。
【０００５】同図に示したように、基板１１の上面に所
定パターンの電極層１２を形成し、その上面に絶縁層の
誘電体層１３を形成する。そして、誘電体層１３の上面
に隔壁のパターンと同じパターンを有するスクリーン１
４を置いた後、隔壁材料を１０乃至１５μｍの厚さで反
復印刷し、これを乾燥及び硬化させて隔壁１５を形成す
る。
【０００６】前記方法では隔壁１５形成のために印刷、
乾燥及び硬化工程を反復する必要があるので、印刷及び
熱処理に伴う隔壁パターンの変形が必然的に発生するだ
けでなく生産性が低下する。特に隔壁を反復して印刷す
るためには、基板とスクリーンを反復整列させる必要が
あるが、この過程で整列不良による隔壁形成の精密性が
低下する恐れがある。
【０００７】図６には下部基板上に隔壁を形成するため
の従来のさらに他の方法が示されている。図６Ａに示し
たように、所定パターンの電極層２１と誘電体層２２が
順次に形成された基板２３の上面に望みの隔壁の高さに
対応する所定厚さで隔壁層２４を形成する。そして図６
Ｂに示したように、前記隔壁層２４の上部にフォトレジ
スターを利用して研磨防止マスク２５を形成する。ここ
で、前記研磨防止マスク２５は高速で衝突するサンド(s
and)により研磨されない材質であれば、いずれも使用可
能である。
【０００８】次いで、図６Ｃに示したように、高圧の空
気または水と共にサンドを前記隔壁層２４の上面に噴射
することによって研磨防止マスク２５が形成されない隔
壁層２４を研磨して放電空間を形成する。この時、研磨
されない隔壁層２４の一部分が隔壁２６になる。しか
し、このような方法は研磨防止マスク２５を形成するた
めの工程が複雑であり、隔壁材が微細な粉末状態に除去
されるので作業環境を汚染させるだけでなく、隔壁材に
付着したサンドを除去するための別の洗浄工程が必要で
ある。また前記方法は隔壁形成に長時間が要される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、簡
単な工程により隔壁を大量に、かつ容易に形成できるプ
ラズマ表示素子の隔壁製造方法及びその製造装置を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、（ａ）基板及び望みの隔
壁パターンと同じパターンで隔壁形成溝が形成されたブ
ロックを準備する段階と、（ｂ）上面に前記ブロックと
の分離を円滑にするコーティング層が形成された基板を
準備する段階と、（ｃ）前記ブロック上に前記基板を位
置させる段階と、（ｄ）前記基板の一部が前記隔壁形成
溝に没入して隔壁を形成するように前記基板を前記ブロ
ックに対して加圧する段階と、（ｅ）前記ブロックから
前記基板を分離する段階と、を含んでなることを特徴と
する。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記（ａ）段階と（ｂ）段階と
の間にブロックに形成された隔壁形成溝に非発光吸収物
質層を形成する段階をさらに含んでなることを特徴とす
る。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記ブロック上に位置した前記
基板を軟化させるために加熱する段階をさらに含むこと
を特徴とする。
【００１３】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記（ｄ）段階は前記基板の一
部が前記隔壁形成溝に容易に没入できるように前記隔壁
形成溝に真空を形成させる段階をさらに含んでなること
を特徴とする。
【００１４】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記（ｅ）段階は前記基板とブ
ロックの分離が容易になるように前記隔壁形成溝に高圧
を提供する段階をさらに含んでなることを特徴とする。
【００１５】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記（ｃ）段階は前記基板を前
記ブロックに対して整列させる段階をさらに含むことを
特徴とする。
【００１６】また、請求項７に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記コーティング層はグラスペ
ーストよりなることを特徴とする。
【００１７】また、請求項８に記載の発明は、（ａ）そ
の上面に隔壁材により隔壁層が形成された基板及び望み
の隔壁パターンと同じパターンで隔壁形成溝が形成され
たブロックを準備する段階と、（ｂ）前記隔壁形成層と
この隔壁形成層の上面にブロックとの分離を円滑にする
コーティング層が設けられた基板を準備する段階と、
（ｃ）前記ブロック上に前記隔壁層が密着するように前
記基板を位置させる段階と、（ｄ）前記隔壁層の一部が
前記隔壁形成溝に没入して隔壁を形成するように前記基
板を前記ブロックに対して加圧する段階と、（ｅ）前記
ブロックから前記基板を分離する段階と、（ｆ）前記隔
壁層を硬化させる段階と、を含んでなることを特徴とす
る。
【００１８】また、請求項９に記載の発明は、請求項８
に記載の発明において、前記（ａ）段階後にブロックの
隔壁形成溝に非発光吸収物質層を形成する段階をさらに
含んでなることを特徴とする。
【００１９】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
８に記載の発明において、前記（ｃ）段階前に前記隔壁
材の上面にブロックとの分離を容易にするコーティング
層を形成する段階をさらに含んでなることを特徴とす
る。
【００２０】また、請求項１１に記載の発明は、請求項
１０に記載の発明において、前記隔壁材は熱可塑性を有
するセラミックとガラス材の混合物よりなることを特徴
とする。
【００２１】また、請求項１２に記載の発明は、請求項
８に記載の発明において、前記ブロック上に位置した前
記基板及び隔壁層を軟化させるために加熱する段階をさ
らに含むことを特徴とする。
【００２２】また、請求項１３に記載の発明は、請求項
８に記載の発明において、前記（ｄ）段階は前記隔壁層
の一部が前記隔壁形成溝に容易に没入できるように前記
隔壁形成溝に真空を形成させる段階をさらに含んでなる
ことを特徴とする。
【００２３】また、請求項１４に記載の発明は、請求項
８に記載の発明において、前記（ｅ）段階は前記基板と
ブロックの分離が容易になるように前記隔壁形成溝に高
圧を提供する段階をさらに含んでなることを特徴とす
る。
【００２４】また、請求項１５に記載の発明は、基板の
一側面に所定パターンの隔壁を形成するプラズマ表示素
子の隔壁製造装置において、前記隔壁のパターンと同じ
パターンの隔壁形成溝と前記隔壁形成溝と連結する連結
通路が形成されたブロックと、前記連結通路に連結して
所定の圧力を加えるポンピングユニットと、前記ブロッ
クの上部に設けられて前記ブロック上に置かれる前記基
板を加圧するプレスと、を含んでなることを特徴とす
る。
【００２５】また、請求項１６に記載の発明は、請求項
１５に記載の発明において、前記ブロック上に置かれる
前記基板を軟化させるために加熱する加熱ユニットをさ
らに含むことを特徴とする。
【００２６】また、請求項１７に記載の発明は、請求項
１５に記載の発明において、前記プレスは下面の平滑な
加圧板と前記加圧板を前記ブロックに対して昇降させる
アクチュエータを含んでなることを特徴とする。
【００２７】また、請求項１８に記載の発明は、請求項
１５に記載の発明において、前記ポンピングユニット
は、前記連結通路と連結する接続管と、前記接続管と連
結された真空ポンプ及び高圧ポンプと、前記真空ポンプ
及び高圧ポンプから前記連結通路への圧力の供給を断続
するように前記接続官に設けられた複数個のバルブを含
むことを特徴とする。
【００２８】また、請求項１９に記載の発明は、請求項
１５に記載の発明において、前記ブロックの上面と隔壁
形成溝の内側面にはセラミックまたはテフロンでコーテ
ィング膜が形成されたことを特徴とする。
【００２９】また、請求項２０に記載の発明は、請求項
１５に記載の発明において、前記基板を前記ブロックに
対して整列させる整列ユニットをさらに含むことを特徴
とする。
【００３０】また、請求項２１に記載の発明は、請求項
２０に記載の発明において、前記整列ユニットは前記基
板に形成されたアドレス電極と前記ブロック間の静電容
量を測定して静電容量の最大点で前記基板を整列させる
静電容量測定機を含んでなることを特徴とする。
【００３１】また、請求項２２に記載の発明は、請求項
１５に記載の発明において、前記ブロックは前記基板と
熱膨張率が同じ材質よりなることを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施形態を説明する。
【００３３】図１Ａに示したように、まず基板１００に
所定パターンのアドレス電極１１１を形成し、その上に
隔壁材を塗布して所定高さの隔壁層１１２を形成する。
ここで前記隔壁層１１２は厚膜印刷、ロールコーティン
グまたはスピンコーティング法により形成できる。
【００３４】次に、図１Ｂに示したように、隔壁層１１
２の上面に後続段階で準備されるブロックとの分離を円
滑にするコーティング層１１３を形成する。前記コーテ
ィング層はグラスペーストを利用して形成することが望
ましい。
【００３５】次に、図１Ｃに示したように、望みの隔壁
パターンと同じパターンで隔壁形成溝１２１が形成され
たブロック１２０を製造する。前記隔壁形成溝１２１は
望みの隔壁の高さと同一に形成することが望ましい。
【００３６】次に、図１Ｄに示したように、前記ブロッ
ク１２０に形成された隔壁形成溝１２１に非発光吸収物
質層１２２を形成する。前記非発光吸収物質層１２２は
コーティング層１１３と同じ材質よりなり、黒色顔料が
混合されたものである。
【００３７】次に、図２Ｅに示したように、前記隔壁層
１１２を前記ブロック１２０上に置いて加熱して軟化さ
せる。前記隔壁層１１２が軟化されると、図２Ｆに示し
たように前記基板１００の上面を力（Ｆ）で押さえて前
記隔壁層１１２の一部分を前記隔壁形成溝１２１に没入
させる。この時、前記ブロックには隔壁形成溝１２１と
連通されるホール（図示せず）を形成して真空圧を加え
ることによって隔壁形成溝１２１に隔壁層１１２を容易
に没入させることが望ましい。
【００３８】次に、図２Ｇに示したように、前記基板１
００及び隔壁層１１２をブロック１２０から分離させる
と隔壁１３０が形成されるが、前記隔壁１３０の上面に
は前記隔壁形成溝１２１に形成されていた非発光吸収物
質層１２２が位置する。前記基板１００とブロック１２
０の分離は基板層の上面に前記コーティング層１１３が
形成されているのでこれにより容易になされるが、前記
隔壁形成溝１２１に所定の空圧を加えて前記隔壁層１１
２が隔壁形成溝１２０からより容易に分離させることが
望ましい。ここで前記非発光吸収物質層はコーティング
層と同じ材質よりなっているので、コーティング層１１
３と相互維持的な関係がなされて前記基板とブロックの
分離時、非発光吸収物質層とコーティング層の分離はな
されなくなる。
【００３９】本方法において、前記隔壁層１１２の材料
に従って硬化工程がさらに含まれうる。例えば、前記隔
壁層１１２が熱可塑性を有するセラミックと有機材の混
合物よりなる場合、隔壁形成が完了した後焼成して硬化
させる。
【００４０】図３に本発明に係わるプラズマ表示素子の
隔壁製造装置を示す。同図に示したように、前記プラズ
マ表示素子の隔壁製造装置は望みの隔壁のパターンと同
じパターンで隔壁形成溝３１が垂直に形成されたブロッ
ク３０を具備する。前記ブロック３０の内部下部には前
記隔壁形成溝３１と連結する連結通路３２が形成され
る。前記ブロック３０に形成された隔壁形成溝３１の配
列は前述した実施形態に限らず、基板１００に形成され
る隔壁のパターンによって多様な形態に変形可能であ
る。前記隔壁形成溝３１は望みの隔壁の高さと同一か、
それより深く形成される。また図面には示されていない
が、隔壁溝の内部には連結通路と連通される微細な貫通
孔が形成された隔板を形成することもできる。また、前
記ブロック３０は隔壁の形成時、基板１００の熱膨張を
補償できるように基板１００と熱膨張率が同じ材質に製
作することが望ましい。
【００４１】また、前記ブロック３０の上面と隔壁形成
溝３１の内側面にはセラミックまたはテフロンでコーテ
ィング膜が形成されて基板１００と製造された隔壁の分
離を容易にさせることが望ましい。
【００４２】前記連結通路３２は前記隔壁形成溝３１に
真空または高圧を加えるポンピングユニット４０と連結
される。このポンピングユニット４０は接続管４３を通
して前記連結通路３２に真空及び高圧を各々提供する真
空ポンプ４１と高圧ポンプ４２を含む。また、前記接続
管４３には前記真空及び高圧ポンプ４１、４２と前記連
結通路３２を相互流通遮断させる第１、２バルブ４４、
４５が各々設けられる。
【００４３】前記ブロック３０にはそのブロック３０の
上部に載置した基板１００を軟化させるための加熱ユニ
ット５０が設けられる。前記加熱ユニット５０はブロッ
ク３０に埋込されたヒータ５１を含む。なお、さらに前
記加熱ユニット５０は基板１００とブロック３０を加熱
するバーナー（図示せず）または基板１００とブロック
３０に熱風を供給する送風器（図示せず）を含み得る。
【００４４】また、前記ブロック３０の上面には基板１
００をブロック３０に対して加圧するプレス６０が設け
られるが、このプレス６０は下面が平滑な加圧板６１
と、フレーム６３に固定されて前記加圧板６１を前記ブ
ロック３０に対して昇降させるアクチュエータ６２を含
む。ここで前記アクチュエータ６２は一般的な空圧また
は油圧シリンダーを使用することが望ましい。
【００４５】本発明のプラズマ表示素子の隔壁製造装置
は前記ブロック３０に対して基板１００を整列させる整
列ユニット７０をさらに具備する。前記基板１００にア
ドレス電極１１１（図１Ａ参照）が形成された場合、そ
のアドレス電極１１１が形成された部分が前記隔壁形成
溝３１の間のブロック３０上に位置するように前記基板
１００は整列ユニット７０により整列される。前記整列
ユニット７０はアドレス電極１１１とブロック３０間の
静電容量を感知することによって基板１００を整列させ
る。前記整列ユニット７０はアドレス電極１１１と接続
する第１リード線７１と、前記ブロック３０と接続する
第２リード線７２と、前記アドレス電極１１１とブロッ
ク３０の間の静電容量を測定する静電容量測定器７３と
を含む。
【００４６】また、図示されなかったが、前記整列ユニ
ット７０は基板１００とブロック３０に形成された整列
用マークを含みうる。
【００４７】前記のように構成された本発明の一実施形
態によるプラズマ表示素子の隔壁製造装置により隔壁を
製造する過程を説明すると次の通りである。
【００４８】まず、前記基板１００をブロック３０上に
載置する。この時に前記ブロック３０に形成された隔壁
形成溝３１には非発光吸収物質層をなす物質が注入でき
る。
【００４９】前記基板１００のアドレス電極１１１が形
成された部分は前記隔壁形成溝３１の間に位置するよう
に前記基板１００が整列ユニット７０により整列され
る。静電容量測定器７３により測定された基板１００と
ブロック３０間の静電容量が最大になる位置、即ち前記
アドレス電極１１１とブロック３０間の間隔が最も近い
位置で前記基板１００が整列される。
【００５０】前記基板１００の整列が完了すると、加熱
ユニット５０を利用してブロック３０と基板１００を加
熱して基板１００を軟化させる。前記基板１００は前記
ブロック３０の上面に位置する前に別の加熱手段により
予備加熱でき、この場合、基板軟化に要する時間が短縮
できる。
【００５１】前記基板１００が軟化すると、前記第１バ
ルブ４４を開いて第２バルブ４５を閉じた状態で真空ポ
ンプ４１を駆動させて、前記各隔壁形成溝３１を真空状
態にする。
【００５２】次に、前記プレス６０のアクチュエータ６
２を作動させて加圧板６１が軟化した基板１００をブロ
ック３０側に加圧するようにする。これによって、前記
軟化した基板１００は変形しながらその下面の一部また
は基板に形成された隔壁層が前記隔壁形成溝３１に没入
して隔壁が形成される。
【００５３】隔壁の形成が完了すると、前記第１バルブ
４４を遮断し、第２バルブ４５を開放した状態で高圧ポ
ンプ４２を稼動させて前記各隔壁形成溝３１に高圧を供
給する。これによって、基板１００の隔壁が前記隔壁形
成溝３１から抜け出ることによって前記基板１００がブ
ロック３０から分離される。分離された基板１００は冷
却された後硬化する。
【００５４】前記と同じ過程で成形される隔壁の高さは
隔壁形成溝３０の深さまたは前記プレス６０の加圧力に
より適切に調節できる。
【００５５】本発明のさらに他の実施形態によるプラズ
マ表示素子隔壁製造装置が図４に示されている。図面を
参照すると、本装置はアドレス電極１１１が形成された
基板１００の隔壁層１１２に隔壁を形成するために、前
記隔壁のパターンと同じパターンの隔壁形成溝８１が形
成されたモールド８０を具備する。
【００５６】前記モールド８０は隔壁形成溝８１に非発
光吸収物質層が形成された状態で隔壁層１１２を加圧す
ることによって隔壁層１１２の一部が変形して前記隔壁
形成溝８１に没入して上面に非発光吸収層が位置した隔
壁が形成される。隔壁が形成された後、前記基板１００
はモールド８０から分離されて硬化する。
【００５７】前記モールドの表面には基板と隔壁層の分
離が容易になるようにセラミックまたはテフロンでコー
ティング膜を形成することが望ましい。
【００５８】また、本実施形態の装置は基板を前記モー
ルドに整列させるための整列ユニット（図示せず）をさ
らに具備できる。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
表示素子の隔壁製造方法及びその装置によると、複雑な
隔壁構造を有する基板の大量生産が可能であり、隔壁の
高さを任意に調整できる。また、パターンを反復して印
刷する従来の印刷法に比べて不良率を減らし、その工程
を短縮できる。
【００６０】なお、本発明は図面に示した実施形態を参
照して説明したが、これは例示的なことに過ぎなく、本
願発明の技術的な範囲内で当業者により多様な実施形態
に変形可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるプラズマ表示素子の製造方法を示
す断面図。
【図２】同じく本発明によるプラズマ表示素子の製造方
法を示す断面図。
【図３】本発明の一実施形態によるプラズマ表示素子の
隔壁製造装置を示す断面図。
【図４】本発明の他の実施形態によるプラズマ表示素子
の隔壁製造装置を示す断面図。
【図５】従来の隔壁製造方法を示す断面図。
【図６】従来のプラズマ表示素子隔壁の製造方法の他の
例を示す断面図。
【符号の説明】
３０ ブロック ３１ 隔壁形成溝 ３２ 連結通路 ４０ ポンピングユニット ４１ 真空ポンプ ４２ 高圧ポンプ ４３ 接続管 ４４ 第１バルブ ４５ 第２バルブ ５０ 加熱ユニット ５１ ヒータ ６０ プレス ６１ 加圧板 ６２ アクチュエータ ６３ フレーム ７０ 整列ユニット ７１ 第１リード線 ７２ 第２リード線 ７３ 静電容量測定器 ８０ モールド ８１ 隔壁形成溝 １００ 基板 １１１ アドレス電極 １１２ 隔壁層 １１３ コーティング層 １２０ ブロック １２１ 隔壁形成溝 １２２ 非発光吸収物質層 １３０ 隔壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 １９９７−３２８２７ (32)優先日 1997年７月15日 (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (72)発明者 宋 滿鎬 大韓民國ソウル特別市瑞草區方背洞988番 地 新東亞アパート２棟1106號

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）基板及び望みの隔壁パターンと同
    じパターンで隔壁形成溝が形成されたブロックを準備す
    る段階と、 （ｂ）上面に前記ブロックとの分離を円滑にするコーテ
    ィング層が形成された基板を準備する段階と、 （ｃ）前記ブロック上に前記基板を位置させる段階と、 （ｄ）前記基板の一部が前記隔壁形成溝に没入して隔壁
    を形成するように前記基板を前記ブロックに対して加圧
    する段階と、 （ｅ）前記ブロックから前記基板を分離する段階と、 を含んでなることを特徴とするプラズマ表示素子の隔壁
    製造方法。
  2. 【請求項２】 前記（ａ）段階と（ｂ）段階との間にブ
    ロックに形成された隔壁形成溝に非発光吸収物質層を形
    成する段階をさらに含んでなることを特徴とする請求項
    １に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造方法。
  3. 【請求項３】 前記ブロック上に位置した前記基板を軟
    化させるために加熱する段階をさらに含むことを特徴と
    する請求項１に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造方
    法。
  4. 【請求項４】 前記（ｄ）段階は前記基板の一部が前記
    隔壁形成溝に容易に没入できるように前記隔壁形成溝に
    真空を形成させる段階をさらに含んでなることを特徴と
    する請求項１に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記（ｅ）段階は前記基板とブロックの
    分離が容易になるように前記隔壁形成溝に高圧を提供す
    る段階をさらに含んでなることを特徴とする請求項１に
    記載のプラズマ表示素子の隔壁製造方法。
  6. 【請求項６】 前記（ｃ）段階は前記基板を前記ブロッ
    クに対して整列させる段階をさらに含むことを特徴とす
    る請求項１に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造方法。
  7. 【請求項７】 前記コーティング層はグラスペーストよ
    りなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ表示
    素子の隔壁製造方法。
  8. 【請求項８】 （ａ）その上面に隔壁材により隔壁層が
    形成された基板及び望みの隔壁パターンと同じパターン
    で隔壁形成溝が形成されたブロックを準備する段階と、 （ｂ）前記隔壁形成層とこの隔壁形成層の上面にブロッ
    クとの分離を円滑にするコーティング層が設けられた基
    板を準備する段階と、 （ｃ）前記ブロック上に前記隔壁層が密着するように前
    記基板を位置させる段階と、 （ｄ）前記隔壁層の一部が前記隔壁形成溝に没入して隔
    壁を形成するように前記基板を前記ブロックに対して加
    圧する段階と、 （ｅ）前記ブロックから前記基板を分離する段階と、 （ｆ）前記隔壁層を硬化させる段階と、 を含んでなることを特徴とするプラズマ表示素子の隔壁
    製造方法。
  9. 【請求項９】 前記（ａ）段階後にブロックの隔壁形成
    溝に非発光吸収物質層を形成する段階をさらに含んでな
    ることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ表示素子
    の隔壁製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記（ｃ）段階前に前記隔壁材の上面
    にブロックとの分離を容易にするコーティング層を形成
    する段階をさらに含んでなることを特徴とする請求項８
    に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記隔壁材は熱可塑性を有するセラミ
    ックとガラス材の混合物よりなることを特徴とする請求
    項１０に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記ブロック上に位置した前記基板及
    び隔壁層を軟化させるために加熱する段階をさらに含む
    ことを特徴とする請求項８に記載のプラズマ表示素子の
    隔壁製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記（ｄ）段階は前記隔壁層の一部が
    前記隔壁形成溝に容易に没入できるように前記隔壁形成
    溝に真空を形成させる段階をさらに含んでなることを特
    徴とする請求項８に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造
    方法。
  14. 【請求項１４】 前記（ｅ）段階は前記基板とブロック
    の分離が容易になるように前記隔壁形成溝に高圧を提供
    する段階をさらに含んでなることを特徴とする請求項８
    に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造方法。
  15. 【請求項１５】 基板の一側面に所定パターンの隔壁を
    形成するプラズマ表示素子の隔壁製造装置において、 前記隔壁のパターンと同じパターンの隔壁形成溝と前記
    隔壁形成溝と連結する連結通路が形成されたブロック
    と、 前記連結通路に連結して所定の圧力を加えるポンピング
    ユニットと、 前記ブロックの上部に設けられて前記ブロック上に置か
    れる前記基板を加圧するプレスと、 を含んでなることを特徴とするプラズマ表示素子の隔壁
    製造装置。
  16. 【請求項１６】 前記ブロック上に置かれる前記基板を
    軟化させるために加熱する加熱ユニットをさらに含むこ
    とを特徴とする請求項１５に記載のプラズマ表示素子の
    隔壁製造装置。
  17. 【請求項１７】 前記プレスは下面の平滑な加圧板と前
    記加圧板を前記ブロックに対して昇降させるアクチュエ
    ータを含んでなることを特徴とする請求項１５に記載の
    プラズマ表示素子の隔壁製造装置。
  18. 【請求項１８】 前記ポンピングユニットは、 前記連結通路と連結する接続管と、 前記接続管と連結された真空ポンプ及び高圧ポンプと、 前記真空ポンプ及び高圧ポンプから前記連結通路への圧
    力の供給を断続するように前記接続官に設けられた複数
    個のバルブを含むことを特徴とする請求項１５に記載の
    プラズマ表示素子の隔壁製造装置。
  19. 【請求項１９】 前記ブロックの上面と隔壁形成溝の内
    側面にはセラミックまたはテフロンでコーティング膜が
    形成されたことを特徴とする請求項１５に記載のプラズ
    マ表示素子の隔壁製造装置。
  20. 【請求項２０】 前記基板を前記ブロックに対して整列
    させる整列ユニットをさらに含むことを特徴とする請求
    項１５に記載のプラズマ表示素子の隔壁製造装置。
  21. 【請求項２１】 前記整列ユニットは前記基板に形成さ
    れたアドレス電極と前記ブロック間の静電容量を測定し
    て静電容量の最大点で前記基板を整列させる静電容量測
    定機を含んでなることを特徴とする請求項２０に記載の
    プラズマ表示素子の隔壁製造装置。
  22. 【請求項２２】 前記ブロックは前記基板と熱膨張率が
    同じ材質よりなることを特徴とする請求項１５に記載の
    プラズマ表示素子の隔壁製造装置。
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