CN1210355A - 制造等离子体显示器隔壁的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

制造等离子体显示器隔壁的方法包括下面的步骤:(a)提供基片和其上形成具有与隔壁相同的图案的隔壁形成槽的底块;(b)把基片定位在底块上;(c)将基片压在底块上,使得基片的一部分嵌入隔壁形成槽中,从而形成隔壁;以及(d)将基片与底块分离。

Description

制造等离子体显示器隔壁的方法和装置
本发明涉及制作用来分割等离子体显示器放电空间的隔壁的方法和装置。
等离子体显示器使特定的气体放电并激发荧光材料来形成图像。即，通过在空间上相互靠近并充有所述气体的两个电极之间施加预定的电压来实现放电。通过由所述气体产生的紫外线激发按预定图案形成的荧光层来构成图像。
等离子体显示器在上基片和下基片之间含有隔壁以形成放电空间。此外，按照等离子体显示器的种类，在放电空间中至少形成一对主放电或辅助放电的电极。所述隔壁通常是被形成在下基片的上表面。下面将参考图1说明按照传统的印刷方法制作隔壁的方法。
如图1所示，在基片11的上表面形成具有预定图案的电极层12，并且在所述上表面形成作为绝缘层的介质层13。通过在介质层13的上表面放置与隔壁有相同图案的屏幕14、按照10至15μm的厚度反复印刷上隔壁材料、并对所述材料进行烘干和固化，来形成隔壁15。
在上述方法中，由于通过反复地印刷、烘干和固化过程来构成隔壁，所以必然会出现隔壁图案的变形。尤其是必须反复地对准基片和屏幕来重复地印刷隔壁。在这过程中，可能由于未对准而降低了制作隔壁的精度。
另外一种在下基片上制作隔壁的传统方法如图2A至图2C所示。如图2A所示，在顺序地形成具有预定图案的电极层21和介质层22的基片23的上表面形成具有与隔壁高度对应的预定厚度的隔壁层24。如图2B所示，在隔壁层24上利用光致抗蚀法形成防磨掩模25。任何不会被与其碰撞的高速度沙粒磨损的材料都可以用来作为防磨掩模25。
然后，如图2C所示，将沙粒与空气或水一起以高速度冲击隔壁层24的上表面，磨掉没有形成防磨掩模25的部分，从而在其中形成放电空间。
这时，隔壁层24中没有被磨掉的部分成为隔壁26。然而，用这种方法，形成防磨掩模25的过程很复杂。同时，由于隔壁的材料以细小的粉末状掉下，所以工作环境有污染，并且需要额外的冲洗处理以去掉附着在隔壁材料上的沙粒。同时，用上述方法，形成隔壁很费时。
本发明的目的是提供一种制作等离子体显示器的隔壁的方法和装置，使用这种方法，通过简单的处理和装置就可以形成大量的隔壁。
为了实现上述目的，本发明所提供的制作等离子体显示器隔壁的方法包括下面的步骤：
(a)提供基片和在其上形成具有与隔壁相同的图案的隔壁形成槽的底块；
(b)提供基片，在它上面形成用来使基片容易与所述底块分离的镀层；
(c)把基片定位在底块上；
(d)将基片压在底块上，使得基片的一部分嵌入隔壁形成槽中，从而形成隔壁；
(e)将基片与底块分离。
按照本发明的另外一个方面，本发明所提供的制作等离子体显示器隔壁的方法包括下面的步骤：
(a)提供在其上用隔壁材料形成隔壁层的基片和在其上形成具有与隔壁相同的图案的隔壁形成槽的底块；
(b)提供具有隔壁形成层和在隔壁形成层上用来使隔壁形成层容易与底块分离的镀层的基片；
(c)把基片定位在所述底块上，使得隔壁层与所述底块接触；
(d)将基片压在底块上，使得隔壁层的一部分嵌入隔壁形成槽中，从而形成隔壁；
(e)将基片从所述底块上分离；
(f)使所述隔壁层固化。
按照本发明的另一个方面，提供用来制作等离子体显示器中基片的隔壁的装置，所述装置包括：
底块，在所述底块上形成具有与隔壁的相同的图案的隔壁形成槽，以及连接到隔壁形成槽的连接通路；
连接到所述连接通路、用来施加预定压力的泵装置；
安装在所述底块上的、用来将基片压在所述底块上的压力机。
通过参考附图对本发明的最佳实施例进行详细的描述，本发明的上述目的和优点将更加显而易见：
图1是说明制造隔壁的传统方法的剖面图；
图2A至图2C是说明制造隔壁的传统方法的另一个例子的剖面图；
图3A至图3G说明按照本发明的制造等离子体显示器的方法；
图4是说明按照本发明最佳实施例制造等离子体显示器的装置的剖面图；
图5是说明按照本发明的另一个实施例制造等离子体显示器的隔壁的装置的剖面图。
如图3A所示，按照本发明最佳实施例的隔壁制造方法，在基片100上形成具有预定图案的地址电极111，然后隔壁材料被镀在上面，形成具有预定高度的隔壁层112。在这里，可以利用厚膜印刷法或滚涂法、或旋涂法形成隔壁层112。此外，如图3B所示，在隔壁层12上形成用来使隔壁层112容易与在以下步骤中将形成的底块分离的镀层113。所述镀层最好是利用玻璃胶(glass paste)来形成。如图3C所示那样形成具有和所需要的隔壁的相同的图案的隔壁形成槽的底块120。最好这样形成隔壁形成槽121，使得它具有与所需要的隔壁相等的高度。
如图3D所示，非发射吸收材料层122被形成在底块120上的隔壁形成槽121中。所述非发射吸收材料层122是用和镀层相同的材料做成的。黑色的颜料与非发射吸收材料相混合。
如图3E所示，隔壁层112被涂覆于底块120上，并被加热软化。当隔壁层112完全软化后，通过在基片110上表面施加如图3F所示的力“F”，使所述隔壁层112的一部分嵌入隔壁形成槽。这时，最好通过底块上与隔壁形成槽121连接的洞(图中没有显示)在隔壁形成槽121上施加真空压力、以促进隔壁层112嵌入槽121中。
然后，如图3G所示，将基片100与隔壁层112从底块儿20上分离，形成隔壁130。在隔壁形成槽121上形成的非发射吸收材料层122被定位在隔壁130上。由于镀层113被形成在基片上，所以底块很容易与基片100分开。然而，最好是在隔壁形成槽121中施加预定的空气压力，以帮助隔壁层112分开。由于非发射吸收材料层是由与镀层相同的材料构成的，所以当底块与基片分开时，吸收材料层不会与镀层分开。
在本发明中，还包括根据隔壁层112的材料的固化过程。例如，在隔壁层112是由陶瓷和有机材料的热塑性混合物构成的情况下，隔壁层112被塑性固化处理。
图4显示按照本发明的另一方面制造等离子体显示器的隔壁的装置。如图4所示，制造等离子体显示器的隔壁的装置包括底块30，后者具有以与隔壁相同的图案垂直地形成在其中的隔壁形成槽。在底块30内部的下部形成通向隔壁形成槽31的连接通路32。在底块30上形成的隔壁形成槽31的排列不限于上述实施例，它可以根据要制造的隔壁的图案而变化。隔壁形成槽31是这样形成的、使得它具有等于或大于所需要的隔壁的高度的深度。虽然在图中没有显示出来，但是可以在隔壁形成槽中形成带有与连接通路相连的细小通孔的隔板。此外，底块30最好由具有与基片100的材料相同的热膨胀率的材料制成，以便能够补偿基片100的热膨胀。
最好是在底块30的上表面以及在隔壁形成槽31的内表面上涂覆陶瓷或聚四氟乙烯镀膜，这样使得做出的隔壁可以很容易地与基片100分离。
为了在隔壁形成槽31上施加真空或高压力，连接通路32与泵装置40连接。泵装置40包括真空泵41和高压泵42，用来分别通过连接管43向连接通路32提供真空和高压。第一和第二阀门44和45用来在真空泵和高压泵41和42，以及连接通路32之间进行连接或断开。
用来软化设置在底块30上部的基片100的加热装置50安装在底块30上。加热装置50包括嵌在底块30中的加热器51。另外，加热装置50可以包括用来加热基片100和底块30的火炉(未示出)，或者用来向基片100和底块30提供热空气的送风机。
此外，在底块30上安装了用来把基片100压在底块30上的压力机60。压力机60包括底面为平面的压板61和固定在框架63上用来相对于底块30提升和降低压板61的执行机构62。一般使用空气或液压缸来作为执行机构62。
根据本发明制造等离子体显示器隔壁的装置还包括用来把基片100与底块30对准的对准装置70。在地址电极111(见图3)被形成在基片100上的情况下，通过对准装置70对准基片100，使得形成地址电极111的部分位于底块30上隔壁形成槽31之间。对准装置70通过测量地址电极111和底块30之间的电容来装配基片100。对准装置70包括连接到地址电极111上的第一引线71，连接到底块30上的第二引线72和用来测量地址电极111与底块30之间的电容的电容测量仪73。虽然没有显示，但是对准装置可以包括形成在基片100和底块30上的用来对准的对准标记。
下面将描述根据上述本发明的实施例利用所述装置制造隔壁的工艺过程。
首先，基片100被放置在底块30上，这时，形成非发射吸收材料层的材料可以被注入到底块30上的隔壁形成槽31内。通过对准装置70来装配基片100，使得形成地址电极111的部分位于隔壁形成槽31之间。基片100位于通过电容测量仪73所测量到的基片100与底块30之间电容为最大点的地方，换句话说，地址电极111与底块30之间的距离为最小的地方。
当装配好基片100之后，使用加热装置50加热底块30和基片100使基片100软化。基片100在被装配到底块30之前可以通过其它加热装置预热。在这种情况下，可以缩短软化基片所需的时间。
当基片100被软化后，真空泵41在第一阀门44开启和第二阀的关闭的情况下启动，在隔壁形成槽31内产生真空。然后，压力机60的执行机构62工作，使得压板61把软化的基片100在压底块30上。于是，基片100的一部分或在基片100上形成的隔壁层被嵌入到隔壁形成槽31中，随着被软化的基片100的变形而形成隔壁。
当隔壁形成之后，在第一阀44关闭、第二阀45打开的同时，驱动高压泵，向隔壁形成槽31提供高压。于是，基片100的隔壁从隔壁形成槽31中突出，使得基片100与底块30分离。被分离的基片100被冷却并固化。
在上述工艺过程中，可通过对隔壁形成槽30的深度或对压板60的压力的控制来适当地控制隔壁的高度。
根据本发明的另一最佳实施例的隔壁制造装置如图5所示。参考图5，为了在做有地址电极111的基片100的隔壁层112上形成隔壁，所述装置包括具有与隔壁有相同的图案的隔壁形成槽81的模具80。当所述模具80在隔壁形成槽81上形成了非发射吸收材料层的情况下压向隔壁层112时，隔壁层112的一部分将变形，并嵌入到隔壁形成槽81中，这样就在非发射吸收材料层的位置上形成了隔壁。在隔壁被形成之后，基片100将与模具80分离，并被固化。
最好是在底块30的上表面以及在隔壁形成槽31的内表面上涂覆陶瓷或聚四氟乙烯镀膜，使得形成的隔壁可以很容易地与基片100分离。此外，本实施例的装置还可以包括用来把基片装配到所述模具中的对准装置(图中没有显示)。
根据本发明制造等离子体显示器隔壁的方法和装置，有可能批量生产具有隔壁复杂结构的基片并随意地控制所述隔壁的高度。此外，与传统的、图案被反复印刷的印刷方法相比较，其次品率和制造步骤将被减少。
本发明并不仅限于上述实施例，对于本专业的技术人员来说在本发明的精神和范围之能够对其进行很多的改变。

Claims (22)

1．一种制造等离子体显示器隔壁的方法，其特征在于包括下面的步骤：
(a)提供基片和其上形成具有与隔壁相同的图案的隔壁形成槽的底块；
(b)提供基片，在它上面形成用来使基片容易与所述底块分离的镀层；
(c)把基片定位在底块上；
(d)将基片压在底块上，使得基片的一部分嵌入隔壁形成槽中，从而形成隔壁；
(e)将基片与底块分离。
2．根据权利要求1的方法，其特征在于还包括在步骤(a)和(b)之间，在形成于底块上的隔壁形成槽中形成非发射吸收材料层的步骤。
3．根据权利要求1的方法，其特征在于还包括加热底块上的基片使其软化的步骤。
4．根据权利要求1的方法，其特点在于步骤(d)还包括在隔壁形成槽中产生真空、使得基片的一部分可以容易地嵌入到隔壁形成槽中的步骤。
5．根据权利要求1的方法，其特点在于步骤(e)还包括向隔壁形成槽施加高压，使得基片容易与底块分离的步骤。
6．根据权利要求1的方法，其特点在于步骤(c)还包括使基片相对于底块对准的步骤。
7．根据权利要求1的方法，其特点在于：所述镀层是由玻璃胶形成的。
8．一种制作等离子体显示器隔壁的方法，其特征在于包括下面的步骤：
(a)提供在其上用隔壁材料形成隔壁层的基片和在其上形成具有与隔壁相同的图案的隔壁形成槽的底块；
(b)提供具有隔壁形成层和在隔壁形成层上用来使隔壁形成层容易与底块分离的镀层的基片；
(c)把基片定位在所述底块上，使得隔壁层与所述底块接触；
(d)将基片压在底块上，使得所述隔壁层的一部分嵌入隔壁形成槽中，从而形成隔壁；
(e)将基片从所述底块上分离；
(f)使所述隔壁层固化。
9．根据权利要求8的方法，其特点在于：在步骤(a)之后，非发射吸收材料层被形成在底块的隔壁形成槽中。
10．根据权利要求8的方法，其特征在于还包括在步骤C之前、在隔壁上形成用来使隔壁容易与底块分离的镀层的步骤。
11．根据权利要求10的方法，其特点在于：所述隔壁材料是陶瓷和有机材料的热塑性混合物。
12．根据权利要求8的方法，其特点在于还包括将定位在底块上基片和隔壁层加热使其软化的步骤。
13．根据权利要求8的方法，其特点在于步骤(d)还包括在隔壁形成槽中产生真空、使得基片的一部分可以容易地嵌入到隔壁形成槽中的步骤。
14．根据权利要求8的方法，其特点在于步骤(e)还包括向隔壁形成槽施加高压，使得基片容易与底块分离的步骤。
15．一种用来制造等离子体显示器中基片的隔壁的装置，其特征在于包括：
底块，在所述底块上形成具有与隔壁的相同的图案的隔壁形成槽以及连接到隔壁形成槽的连接通路；
连接到所述连接通路、用来施加预定压力的泵装置；
安装在所述底块上的、用来将基片压在所述底块上的压力机。
16．根据权利要求15的装置，其特征在于还包括用来加热定位在所述底块上的基片，使所述基片软化的加热装置。
17．根据权利要求15的装置，其特点在于：所述压力机包括底面为平面的压板和相对于底块提升或降低压板的执行机构。
18．根据权利要求15的装置，其特点在于所述泵装置包括：
与连接通路相连的连接管道；
与连接管道相连接的真空泵和高压泵；
若干个安装在连接管道上的阀门，以便控制从真空泵和高压泵加到连接通路的压力。
19．根据权利要求15的装置，其特点在于：在底块的上表面和隔壁形成槽的内表面上形成陶瓷或聚四氟乙烯镀膜。
20．根据权利要求15的装置，其特征在于还包括用来相对于所述底块装配所述基片的对准装置。
21．根据权利要求20的装置，其特点在于：所述对准装置包括电容测量仪，用来测量形成在基片上的地址电极和底块之间的电容，以便将所述基片对准到电容为最大的位置。
22．根据权利要求15的装置，其特点在于：所述底块的材料与基片的材料具有相同的热膨胀率。
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