KR100718358B1 - 집적 회로 및 집적 회로의 제조 방법 - Google Patents

집적 회로 및 집적 회로의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 반도체, 특히 유전체 층을 구비하고 있는 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET)를 포함하는 집적 회로에 관한 것이다. 상기 집적 회로는 a) 하나 이상의 가교결합성 베이스(base) 중합체 100부, b) 하나 이상의 친전자성 가교결합 성분 10 내지 20부, c) 100 내지 150℃의 온도에서 활성 양성자를 발생시키는, 하기 용매 d) 중에 용해된 하나 이상의 열 산 촉매 1 내지 10부, 및 d) 하나 이상의 용매로 이루어진 중합체 배합물에 의해 제조된다. 또한, 본 발명은 유전체 층을 포함하는 집적 회로를 제조할 수 있는, 집적 회로의 제조 방법, 특히 저온에서의 OFET의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

집적 회로 및 집적 회로의 제조 방법{INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN INTEGRATED CIRCUIT}
본 발명은 청구 범위 제 1 항에 따른 집적 회로, 및 청구 범위 제 8 항에서 청구한 바와 같은 유기 반도체를 포함하는 집적 회로의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전계 효과 트랜지스터(OFET)를 기본으로 한 집적 회로를 포함하는 시스템은 경제 전자 공학의 대규모적 적용 분야에서 유망한 기술을 형성한다. 전계 효과 트랜지스터는 반도체 층이 유기 물질로 제조되는 경우, 특히 유기 전계 효과 트랜지스터로 간주된다.
OFET를 사용하는 복합 회로를 적층시키는 것이 가능하기 때문에, 많은 용도가 가능하다. 따라서, 예를 들어 상기 기술을 기본으로 한 RF-ID(무선 주파수 식별) 시스템의 도입은, 장애가 생길 수 있고 직접적으로 스캐너에 시각적으로 접촉시켜야만 사용될 수 있는 바코드에 대한 효과적인 대체물로서 간주된다.
특히, 롤-투-롤(roll-to-roll) 공정에서 대량으로 제조될 수 있는 가요성 기판 상의 회로는 본원의 대상이 된다.
대부분의 적합한 경제적 기판(예, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN))의 열 변형 때문에, 상기 가요성 기판의 제조를 위해서는 130 내지 150℃의 온도 상한이 존재한다. 특정 전제 조건, 예컨대 기판의 열적 예비처리 하에, 상기 온도 상한은 200℃로 증가될 수 있지만, 이러한 한정으로 기판의 변형이 감소되더라도 방지되는 것은 아니다.
전자 부품의 경우, 중요한 공정 단계는 OFET의 유전체 층, 특히 게이트(gate) 유전체 층의 증착이다. OFET에서의 유전체의 품질은 열적, 화학적, 기계적 및 전기적 성질에 대한 매우 높은 필요요건을 만족시켜야 한다.
반도체 기술에서의 광범위한 유용성을 기본으로 할 때, 이산화 규소(SiO2)가 현재 가장 빈번하게 사용되는 OFET에서의 게이트 유전체이다. 따라서, 도핑된 규소 웨이퍼(wafer)가 게이트 전극으로서 작용하고, 그 위에 성장한 열적 SiO2가 게이트 유전체를 형성하는 트랜지스터 구조가 기재되어 있다. 이러한 SiO2는 약 800 내지 1000℃의 온도에서 제조된다. 또한, 다양한 기판 상에 SiO2를 증착시키기 위한 다른 공정(예, CVD)은 400℃ 초과의 온도에서 작동한다. 펜스테이트(PennState) 대학의 한 그룹이 80℃의 공정 온도에서 높은 품질의 SiO2를 증착시킬 수 있는 공정(이온 빔 스퍼터링(ion beam sputtering))을 개발하였다. 이는 문헌[C.D. Sheraw, J.A. Nichols, D.J. Gundlach, J.R. Huang, C.C. Kuo, H. Klauk, T.N. Jackson, M.G. Kane, J. Campi, F.P. Cuomo and B.K. Greening, Techn. Dig. -lot. Electron Devices Meet., 619 (2000), and C.D. Sheraw, L. Zhou, J.R. Huang, D.J. Gundlach, T.N. Jackson, M.G. Kane, I.G. Hili, M.S. Hammond, J. Campi, B.K. Greening, J. Francl and J. West, Appl. Phys. Lett. 80, 1088(2002)]에 기재되어 있다.
그러나, 대량으로 제조되는 제품에 있어서 높은 공정 비용 및 낮은 생산량은 불리하다. 또한, 무기 질화물, 예컨대 SiNx', TaNx가 사용될 수 있음이 공지되어 있다. 무기 산화물의 제조와 유사하게, 무기 질화물의 증착은 고온 또는 높은 공정 비용을 필요로 한다. 예를 들어, 이는 문헌[B.K. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, R.W. Filas, Y.Y. Lin, Z. Bao, J.H. O'Neill, W. Li and H.E. Katz, J. Appl. Phys. 89, 5125(2001)]에 기재되어 있다.
또한, 혼성 용액(스핀 온 글래스(spin on glass))이 사용될 수 있음이 공지되어 있다. 용액으로부터 제조될 수 있고 열적 전환에 의해 "유리-같은" 층으로 전환될 수 있는 유기 실록세인이 기재되어 있다. SiO2로의 전환은 고온(약 400℃)에서 실시되거나 또는 오직 부분적으로만 일어나서 트랜지스터의 품질을 저하시킨다(이러한 점은 문헌[Z. Bao, V. Kuck, J.A. Rogers and M.A. Paczkowski, Adv. Funct. Mater., 12, 526(2002)]을 참고로 한다).
또한, 유기 중합체, 예컨대 폴리-4-비닐페놀(PVP), 폴리-4-비닐페놀-코-2-하이드록시에틸 메타크릴레이트 또는 폴리이미드(PI)는 이미 사용되고 있다. 이러한 중합체는 비교적 단순한 이들의 가공성을 특징으로 한다. 따라서, 이들은 예를 들 어 스핀 코팅 또는 프린팅을 위해 용액으로부터 사용될 수 있다. 상기 물질의 뛰어난 유전체 성질은 이미 증명되어 있다(문헌[H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik and W. Weber, vol. 92, no. 10으로 인쇄되기로 예정되어 있는 J. Appl. Phys.(2002년 11월)]을 참고).
또한, IC의 적용, 이들의 구조화를 위해 요구되는 유전체 층의 화학적 및 기계적 안정성, 및 중합체의 가교결합에 의해 달성된 연이은 소스-드레인(source-drain) 층의 구조화를 입증하는 것이 가능하다(문헌[M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, T. Kriem, G. Schmid and W. Radlik, Appl. Phys. Lett., 81, 289(2002)]을 참고).
그러나, 가교결합은 200℃의 온도에서 실시되고, 이는 넓은 면적을 갖는 가요성 기판의 제조에 있어서 문제가 된다.
본 발명의 목적은, 유기 반도체를 포함하는 집적 회로 및 저온에서 가능한 OFET의 유전체 층의 제조 방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 청구 범위 제 1 항의 특징을 갖는 집적 회로에 의해 본 발명에 따라 달성된다.
본 발명에 따라서, 유기 반도체를 포함하는 집적 회로는 하기 a) 내지 d)로 이루어진 중합체 배합물로부터 제조될 수 있다:
(a) 하나 이상의 가교결합성 베이스(base) 중합체 100부,
(b) 하나 이상의 친전자성 가교결합 성분 10 내지 20부,
(c) 100 내지 150℃의 온도에서 활성 양성자를 발생시키는, 하나 이상의 열 산 촉 매 1 내지 10부, 및
(d) 하나 이상의 용매.
특히, 본 발명에 따른 집적 회로는 뛰어난 유전체 성질을 갖는 유기 층을 지닌 OFET이다. 사용된 특정 중합체 배합물로 인해, 집적 회로는 저온(150℃ 이하)에서 단순한 방식으로 제조될 수 있다. 또한, 이러한 중합체 배합물은 다른 전자 부품과 함께 기본적으로 사용될 수 있다.
하나 이상의 베이스 중합체가 페놀-함유 중합체 또는 공중합체, 특히 폴리-4-비닐페놀, 폴리-4-비닐페놀-코-2-하이드록시에틸 메타크릴레이트 또는 폴리-4-비닐페놀-코-메틸 메타크릴레이트인 것이 유리하다.
유리하게는, 하나 이상의 친전자성 가교결합 성분은 다이- 또는 트라이벤질 알콜 화합물, 특히 4-하이드록시메틸벤질 알콜이다.
하나 이상의 가교결합 성분이 하기 구조 중 하나를 가지는 것이 유리하다:
Figure 112006014271005-pct00001
상기 식에서,
R1은 -O-, -S-, -SO2-, -S2-, -(CH2)x-(이때, x는 1 내지 10), 및 부가적으로
Figure 112006014271005-pct00002
이다.
유리하게는, 사용된 열 산 촉매는, 150℃ 보다 낮은 온도에서 양성자를 벤질 알콜의 하이드록실 기로 전달할 수 있는 하나 이상의 설폰산, 특히 4-톨루엔설폰산이다.
유리한 용매는 알콜, 특히 n-뷰탄올, 프로필렌 글라이콜 모노메틸 에틸 아세테이트(PGMEA), 다이옥세인, N-메틸피롤리돈(NMP), γ-뷰티로락톤, 자일렌 또는 혼합물이다.
우수한 가공성을 위해, 베이스 중합체, 가교결합 성분 및 산 발생제의 비율이 5 내지 20질량%인 것이 유리하다.
또한, 상기 목적은 청구 범위 제 1 항의 특징을 갖는, 집적 회로, 특히 유전 체 층을 갖는 OFET의 제조 방법에 의해 달성된다. 본 발명에 따라서, a) 청구 범위 제 1 항에서 기재된 중합체 배합물이 기판, 특히 예비구조화된 게이트 전극을 갖는 기판에 적용된 후, b) 게이트 유전체 층의 형성을 위해 가교결합 반응이 100 내지 150℃에서 수행된다.
그 후, OFET의 제조에 있어서, OFET를 제조하기 위한 하나 이상의 추가의 구조화가 유리하게 수행된다.
유리하게는, 중합체 배합물은 스핀 코팅, 프린팅 또는 분무에 의해 적용된다.
유리하게는, 가교결합 반응은 비활성 기체 대기, 특히 N2 대기하에 실시된다.
중합체 배합물의 적용 및 중합체 필름의 제조 후에, 특히 100℃에서 건조를 수행하는 것이 유리하다.
그 후, OFET의 제조를 위해, 소스-드레인 층을 게이트 유전체 층으로 적용하는 것이 유리하다.
최종적으로, 특히 반도체 펜타센을 포함하는 OFET의 형성을 위한 활성 층을 소스-드레인 층에 적용하는 것이 유리하다. 부동태 층이 유리하게는 활성 층에 배치된다.
본 발명은 하기 도면을 참고로 하여 다수의 실시양태에 대해 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 유기 전계 효과 트랜지스터의 개략도를 도시하고 있다.
도 2는 가교결합제로서 4-하이드록시메틸벤질 알콜 및 PVP를 포함하는 중합체 게이트 유전체의 가교결합 반응의 예를 도시하고 있다.
도 3a는 친전자적으로 가교결합된 게이트 유전체를 포함하는 OFET의 출력 특성 군을 도시하고 있다.
도 3b는 친전자적으로 가교결합된 게이트 유전체를 포함하는 OFET의 전송 특성 군을 도시하고 있다.
도 4는 오실로스코프(oscilloscope) 상의 자취를 도시하고 있다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 기판
2 게이트 전극
3 게이트 유전체 층
4a 드레인 층
4b 소스 층
5 활성 층
6 부동태 층
OFET는 개개의 층의 연결에 의한 집적 회로를 생성시키기 위해 모두 구조화된 다수의 층으로 이루어진 전자 부품이다.
도 1은 바닥 접촉 구조에서의 상기 트랜지스터의 기본 구조를 도시하고 있다.
게이트 유전체 층(3)에 의해 덮여지는 게이트 전극(2)은 기판(1) 상에 배치되어 있다. 하기 설명되는 바와 같이, 본 발명에 따른 공정의 실시양태에서 이미 기판 상에 배치된 게이트 전극(2)을 지닌 기판(1)은 그 위에 게이트 유전체 층(3)이 적용되는 개시 물질을 형성한다. 드레인 층(4a) 및 소스 층(4b)은 모두 활성 반도체 층(5)에 연결되어 있으며, 게이트 유전체 층(3) 상에 배치되어 있다. 부동태 층(6)은 활성 층(5) 상에 배치되어 있다.
게이트 유전체 층(3)의 증착 및 가공은 본원에 기재된 본 발명의 실시양태에 있어 결정적인 것이다.
본 발명에 따른 회로 및 이의 제조로 게이트 유전체 층, 특히 낮은 공정 온도와 함께 뛰어난 기계적, 화학적 및 전기적 성질을 갖는 유기 IC를 지닌 OFET의 구비 문제를 해결한다.
OFET는 기본적으로 4가지 성분, 즉, 베이스 중합체, 가교결합 성분, 열 산 발생제 및 용매를 포함하는 혼합물(중합체 배합물)로부터 제조될 수 있는 유전체 층을 가진다. 실시예에 의해 본원에서 언급되는 본 발명에 따른 회로의 실시양태는 하기 a) 내지 d)의 성분을 포함하는 중합체 배합물을 가진다:
a) 가교결합성 베이스 중합체로서 PVP,
b) 친전자성 가교결합 성분으로서 4-하이드록시메틸벤질 알콜,
c) 산 촉매로서 100 내지 150℃의 온도에서 활성 양성자를 발생시키는 4-톨루엔-설폰산, 및
d) 용매로서 예컨대, 알콜, PGMEA.
이러한 중합체 배합물은 상응하여 제조된 기판(1)에 적용된다(게이트 구조(2)는 이미 기판(1) 상에 한정되어 있다). 예를 들어, 중합체 배합물은 프린팅, 스핀 코팅 또는 분무 코팅에 의해 적용될 수 있다. 알맞은 온도(약 100℃)에서 후속 건조함으로써, 중합체 배합물은 기판 상에 고정되고, 연이어 열 가교결합 단계에서 최종 구조로 전환된다.
도 2는 150℃의 온도에서 물을 제거하면서 어떻게 PVP가 4-하이드록시메틸벤질 알콜과 가교결합되는지를 계략적으로 도시하고 있다. 다르게는, 하기 도시된 화합물은 또한 친전자성 가교결합제로서 사용될 수 있다:
Figure 112006014271005-pct00003
상기 식에서,
R1은 -O-, -S-, -SO2-, -S2-, -(CH2)x-(이때, x는 1 내지 10), 및 부가적으로
Figure 112006014271005-pct00004
이되, 이때 R2는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 아릴이다.
이 경우, 필요한 성질을 지닌 게이트 유전체 층(3)의 제조를 위한 결정적인 단계는, 기판에 대해서는 중요하지 않는 온도에서 상기 가교결합 반응 및 이의 개시이다. 이는 20℃ 내지 최대 150℃의 온도이다.
상기 공정을 사용함으로써, 요구되는 가교결합 온도를 지금까지 공지된 방법(할리크(Halik) 등에 의한 2002년 문헌을 참고)과 비교하여 50℃ 초과로 감소시킨다.
베이스 중합체는 게이트 유전체 층(3)의 기본 성질을 결정한다. 적합한 베이스 중합체는 기본적으로 모든 페놀-함유 중합체 및 이들의 공중합체, 예컨대 폴리-4-비닐페놀, 폴리-4-비닐페놀-코-2-하이드록시에틸메타크릴레이트 또는 폴리-4-비닐페놀-코-메틸메타크릴레이트이다.
중합체 배합물에서 가교결합 성분 및 이들의 농도를 선택함으로써, 중합체 층의 기계적 성질 및 내화학성이 결정적으로 조절될 수 있다.
열 산 촉매를 선택함으로써, 가교결합 반응의 개시를 위한 온도는 조절될 수 있다.
용매의 선택으로 배합물의 필름 형성 성질을 결정한다.
오직 가교결합제의 비율만이 상이한 두 개의 중합체 배합물이 실시예로서 하기에 기재되어 있다.
배합물 1은 프로필렌 글라이콜 모노메틸 에터 아세테이트(PGMEA)에서 10% 강도의 용액이다. 베이스 중합체 100부, 가교결합제 10부 및 산 발생제 2.5부가 존재한다.
베이스 중합체로서 PVP 2g(분자량: 약 20,000) 및 가교결합제로서 4-하이드록시메틸벤질 알콜 200mg의 혼합물을 진탕 장치에서 용매로서 PGMEA 20.5g 중에 용해시켰다(약 3시간).
그 후에, 산 발생제로서 4-톨루엔 설폰산 50mg을 첨가하고 전체 용액을 추가의 시간 동안 진탕시켰다. 사용하기 전에, 중합체 용액을 0.2㎛ 필터를 통해 여과시켰다.
배합물 2는 PGMEA에서 10% 강도의 용액이다. 베이스 중합체 100부, 가교결 합제 20부 및 산 발생제 2.5부가 존재한다. 따라서, 가교결합제의 비율이 배합물 1의 두 배만큼 크다.
베이스 중합체로서 PVP 2g(분자량: 약 20,000) 및 가교결합제로서 4-하이드록시메틸벤질 알콜 400mg의 혼합물을 진탕 장치에서 용매로서 PGMEA 20.5g 중에 용해시켰다(약 3시간). 그 후에, 산 발생제로서 4-톨루엔-설폰산 50mg을 첨가하고 전체 용액을 추가의 시간 동안 진탕시켰다. 사용하기 전에, 중합체 용액을 0.2㎛ 필터를 통해 여과시켰다.
필름 제조:
22초 동안 4000rpm에서 스핀 코터(coater)에 의해, 2ml의 배합물 1을 제조된 기판(Ti 게이트 구조를 갖는 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트))에 적용시켰다. 그 후에, 고열판에서 2분 동안 100℃에서 건조시켰다. 가교결합 반응을 400mbar N2 대기하에 오븐에서 150℃의 온도에서 실시하였다. 배합물 2에 대한 필름 제조를 유사하게 실시하였다.
게이트 유전체 층의 구조화:
포토레지스트를 가교결합된 중합체 층(게이트 유전체 층(3))(S 1813; 3000rpm; 30초)에 적용시키고, 100℃에서 2분 동안 건조시켰다. 그 후, 후속의 연결 구멍(contact hole)은 포토레지스트의 노광 및 현상으로 한정시켰다. 연결 구멍의 개방은 산소 플라즈마에 의해 실시하였다(100W에서 45초 동안 2회).
그 후, 소스-드레인 층(4)을 표준 방법(기상 증착, 포토리쏘그래피 구조화 및 I2/KI 용액을 사용한 습식 화학적 에칭에 의해 열적으로 30nm Au를 적용함)에 의해 증착 및 구조화하였다.
게이트 유전체 층(2)의 층 두께는 배합물 1에 있어서 210nm이다. 층의 조면화는 50㎛ 상에서 0.5nm이다.
게이트 유전체 층의 층 두께는 배합물 2에 있어서 230nm이다. 층의 조면화는 50㎛ 상에서 0.6nm이다.
트랜지스터 또는 회로는 열적으로 기상 증착에 의해 활성 성분(5)(이 경우 펜타센)을 적용시켜 완성시켰다. 부동태 층(6)을 제외하고, 도 1에 따른 OFET의 구조를 이렇게 제조하였다.
본원에서는, OFET를 기본으로 한 집적 회로에서 사용하기 위한 중합체 배합물 및 저온에서 게이트 유전체 층(3)을 제조하기 위한 중합체 배합물의 용도에 대한 실시양태를 기재하고 있다. 이러한 게이트 유전체 층(3)은 뛰어난 열적, 화학적, 기계적 및 전기적 성질 외에도 이들의 제조를 위한 낮은 가공 온도를 특징으로 한다.
도 3a는 친전자적으로 가교결합된 게이트 유전체를 포함하는 펜타센 OFET의 출력 특성 군을 도시하고 있다. 도 3b는, 같은 구조에 있어서 OFET의 전송 특성(μ=0.5cm2/Vs, 온/오프 비율=104)을 도시하고 있다. 도 4에서는, 오실로스코프 도표의 자취를 재현하고 있다. 5-단계의 링 오실레이터(ring oscillator)의 특성이 도시되어 있고, 이때 링 오실레이터는 단계 마다 120마이크로초의 신호 랙(lag)으 로 작동한다.
본 발명은 전술한 바람직한 실시양태에 대한 실시로 제한되지 않는다. 오히려, 본 발명에 따른 장치를 사용하는 수많은 변형물 및 기본적으로 상이한 유형으로 변형된 본 발명에 따른 방법이 고려될 수 있다.

Claims (15)

  1. a) 페놀 함유 중합체 또는 공중합체인 하나 이상의 가교결합성 베이스(base) 중합체 100부,
    b) 다이- 또는 트라이벤질 알콜 화합물인 하나 이상의 친전자성 가교결합 성분 10 내지 20부,
    c) 100 내지 150℃의 온도에서 활성 양성자를 발생시키는, 하기 용매 d) 중에 용해된 하나 이상의 설폰산 열 산 촉매 1 내지 10부, 및
    d) 하나 이상의 용매로 이루어진 중합체 배합물에 의해 제조될 수 있는, 유기 반도체, 특히 유전체 층을 갖는 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET)를 포함하는 집적 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 베이스 중합체가 폴리-4-비닐페놀, 폴리-4-비닐페놀-코-2-하이드록시에틸 메타크릴레이트 또는 폴리-4-비닐페놀-코-메틸 메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    하나 이상의 열 산 촉매가 4-톨루엔설폰산인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    하나 이상의 친전자성 가교결합 성분이 4-하이드록시메틸벤질 알콜인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    하나 이상의 친전자성 가교결합 성분이 하기 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 집적 회로:
    Figure 112007010937326-pct00013
    상기 식에서,
    R1은 -O-, -S-, -SO2-, -S2-, -(CH2)x-(이때, x는 1 내지 10), 및 부가적으로
    Figure 112007010937326-pct00014
    이되, 이때 R2는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 아릴이다.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    하나 이상의 용매가 알콜, 특히 n-뷰탄올, 프로필렌 글라이콜 모노메틸 에터 아세테이트(PGMEA), 다이옥세인, N-메틸피롤리돈(NMP), γ-뷰티로락톤, 자일렌 또는 혼합물인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    베이스 중합체, 가교결합 성분 및 산 촉매의 비율이 5 내지 20질량%인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  8. a) 제 1 항에 기재된 중합체 배합물이 기판(1), 특히 예비구조화된 게이트 전극(2)을 갖는 기판에 적용되고, b) 게이트 유전체 층(3)의 형성을 위해 가교결합 반응이 100 내지 150℃에서 실시되는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체, 특히 유전체 층을 갖는 OFET를 포함하는 집적 회로의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    a) 및 b)를 실시한 후에, OFET를 제조하기 위한 하나 이상의 추가의 구조화를 실시하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    중합체 배합물이 스핀 코팅, 프린팅 또는 분무에 의해 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    가교결합 반응이 비활성 기체 대기, 특히 N2 대기하에 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    중합체 배합물의 적용 후, 특히 100℃에서 건조하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    소스-드레인(source-drain) 층(4a, 4b)이 게이트 유전체 층(3)에 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    특히 펜타센을 포함하는 OFET의 형성을 위한 활성 층(5)이 소스-드레인 층(4a, 4b)에 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    부동태 층(6)이 활성 층(5) 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
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