KR100714596B1 - 임베디드 캐패시터용 접착 조성물을 이용한 표면처리 방법및 이로부터 제조된 임베디드 캐패시터 - Google Patents
임베디드 캐패시터용 접착 조성물을 이용한 표면처리 방법및 이로부터 제조된 임베디드 캐패시터 Download PDFInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 5
- 125000004966 cyanoalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 2
- 125000005385 peroxodisulfate group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 silane compound Chemical class 0.000 description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 7
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000135309 Processus Species 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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Abstract
본 발명에 따라, 다음 화학식 1을 갖는 실란 커플링제와 용매로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터용 접착 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
SiX3Y (상기 식에서, X는 할로겐 원자, 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Y는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기, 비닐기, 알릴기, 시아노 알킬기, -(CH2)m-NH-CO-NH2, -(CH2)m-O-C(CH3)=CH2, -(CH2)m-NH2, -(CH2)m-SH, -(CH2)m-Cl, -(CH2)m-N-(CH2)n-NH2, 및 
로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, m 및 n은 1 내지 5의 정수이다.) 또한, 임베디드 캐패시터 상부 전극과 폴리머 기판 사이에 방청 처리 대신 염기 화합물로 처리한 다음, 접착 조성물을 코팅 처리함으로서 상부 전극과 폴리머 기판의 접착력을 향상시킨다.
임베디드 캐패시터, 접착 조성물, 실란 커플링제, 염기 화합물
Description
도 1은 본 발명에 따라 표면처리된 임베디드 캐패시터의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 박리 강도 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 박리 강도 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예 3에 따른 박리 강도 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예 4에 따른 박리 강도 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예 5에 따른 박리 강도 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예 6에 따른 박리 강도 그래프이다.
도 8은 본 발명의 비교예 1에 따른 박리 강도 그래프이다.
도 9은 본 발명의 비교예 2에 따른 박리 강도 그래프이다.
도 10은 본 발명의 비교예 3에 따른 박리 강도 그래프이다.
본 발명은 임베디드 캐패시터용 접착 조성물, 이를 이용한 표면처리 방법 및 이로부터 제조된 임베디드 캐패시터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 임베디드 캐패시터의 상부전극과 기판인 폴리머 층과의 접착력을 향상시키는 조성물, 이를 이용한 임베디드 캐패시터의 표면 처리방법 및 이로부터 제조된 임베디드 캐패시터에 관한 것이다.
최근 적층형 회로 기판의 소형화 및 고주파화로 인하여, 종래 인쇄회로기판에 탑재되어 배치되는 수동(passive) 소자들이 소형화의 장애요소로 작용하고 있다. 특히, 반도체의 급격한 임베디드 경향과 I/O수의 증가로 인하여 액티브 칩 주위에 수많은 수동소자들의 배치 공간확보가 어렵게 되었다. 이러한 소형화 및 고주파화의 요구에 따라 칩을 기판의 액티브 칩 바로 아래에 내장하는 방법이나 칩의 인덕턴스 값을 줄이기 위한 방법들이 제안되어 저 ESL MLCC가 개발되고 있는 등 다양한 접근법이 시도되고 있다.
상기 문제를 극복하기 위한 다른 해결방안으로 임베디드 캐패시터가 제안되었다. 임베디드 캐패시터는 PCB에서 능동 칩 아래의 하나의 층을 유전체층으로 형성하여 이루어진 캐패시터를 말한다. 미국특허 5,079,069, 5,162,977, 5,155,655 및 5,161,086호 등의 Sanmina 특허에서는, 임베디드 캐패시터가 능동칩의 입력 단자로부터 가장 근접한 위치에 배치되므로 캐패시터와 연결되는 도선의 길이를 최소화하여 고주파에 따른 유도 인덕턴스를 최소화하는 방식이 개시되어 있다. 이러한 임베디드 캐패시터를 구현하기 위한 캐패시터용 유전체로는 종래 PCB 부재로 사용되던 FR4로 알려진 유리섬유강화 에폭시 수지를 이용하는 경우에도 특성이 구현되는 것으로 알려져 있다. 또한, 정전용량을 구현하기 위하여 고유전율의 강유전체 분말인 BaTiO3 필러가 에폭시 수지에 분산된 복합재료가 사용될 수 있는 것으로 알려져 있다.
상기된 폴리머 기반의 복합체 재질을 이용한 디커플링 캐패시터를 적용할 경우 현재까지는 정전용량의 한계로 인하여 패키지 수준의 소형 크기에 임베디드할 수 없는 문제점이 있다. 이에 따라, 전자산업에 요구되는 대부분의 디커플링 캐패시터를 임베디드 시키기 위하여 유전율을 향상시키고 유전체 층의 두께를 줄이는 박막화 기술이 개발 중에 있다. 그러나 유전층의 두께가 얇아지게 되면 상부전극 또한 얇아질 수 밖에 없고 이 상부전극이 얇아지면 상부전극에 충분한 조도를 형성할 수 없으므로 기판으로 사용되는 폴리머 층과의 접착력을 확보할 수 없다. 이에 본 발명에서는 상부전극에 조도를 주지 않으면서 얇은 상부전극과 폴리머 층과의 접착력을 향상시킬 수 있는 방법을 제공하고자 한다.
종래의 방식은 유전층 상의 금속 전극에 돌기상 처리 공정을 실시하는 것이다. 이 돌기상 처리 공정은 '블랙 옥사이드(black oxide) 처리'라 불리는 산화동 처리인데 이 공정은 산화동 분말을 이용하여 동박의 표면상에 돌기상을 형성하여 동박과 폴리머와의 표면적을 증대시킴으로써 동박과 폴리머의 접착력을 향상시키는 공정이다. 그러나, 이러한 산화동 처리는 상부전극과 폴리머와의 접착력은 향상시키지만 강알칼리성 용액과 함께 고온에서 사용해야 하므로 작업자의 건강 및 안전성면에서 바람직하지 못할 뿐 아니라 산화동 처리로 얻어진 동박 표면에 검은 반점, 먼지 등과 같은 이물질이 잔류하며, 표면 평활성이 불량해지는 문제가 발생할 수 있다. 또한 산화동 처리는 금속 전극의 표면에 조도를 형성시키므로 전극층이 얇을 경우 그 조도로 인하여 BDV(breakdown voltage)가 낮아지거나 쇼트(short)가 발생할 가능성이 있을 뿐 아니라 가장 심각한 문제로 산화동 처리에 사용되는 강알칼리성 용액이 세라믹인 유전층의 조성물에 손상을 줄 수 있으므로 사용자체가 불가능하다.
이에 본 발명의 목적은 임베디드 캐패시터의 상부전극과 폴리머 기판의 접착력을 향상시키는 접착 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 종래 산화동 처리로 조도를 형성하는 방법 대신 임베디드 캐패시터 상부전극의 표면에 염기로 수산기(-OH기)를 도입한 다음 실란 커플링제로 코팅처리를 하여 박막 임베디드 캐패시터의 상부 전극과 폴리머 기판을 적층하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 다음 화학식 1을 갖는 실란 커플링제와 용매로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터용 접착 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
SiX3Y
(상기 식에서, X는 할로겐 원자, 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Y는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기, 비닐기, 알릴기, 시아노 알킬기, -(CH2)m-NH-CO-NH2, -(CH2)m-O-C(CH3)=CH2, -(CH2)m-NH2, -(CH2)m-SH, -(CH2)m-Cl, -(CH2)m-N-(CH2)n-NH2, 및 
로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, m 및 n은 1에서 5의 정수이다.)
또한, 본 발명에 따라
폴리머 기판 위에 박막으로 하부전극을 형성한 후 세라믹 유전층을 형성하고 그 위에 상부 전극을 박막으로 형성하는 단계;
상기 상부 전극을 염기로 처리하는 단계;
상기 염기 처리된 표면 위에 본 발명에 따른 접착 조성물을 코팅 및 열처리하는 단계를 포함하며,
이때, 상기 접착 조성물은 다음 화학식 1을 갖는 실란 커플링제 및 용매로 이루어지는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터의 상부 전극 표면처리 방법을 제공한다.
[화학식 1]
SiX3Y
(상기 식에서, X는 할로겐 원자, 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Y는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기, 비닐기, 알릴기, 시아노 알킬기, -(CH2)m-NH-CO-NH2, -(CH2)m-O-C(CH3)=CH2, -(CH2)m-NH2, -(CH2)m-SH, -(CH2)m-Cl, -(CH2)m-N-(CH2)n-NH2 및 
로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며, m 및 n은 1 내지 5의 정수이다.)
나아가, 상기 표면처리 방법에 따라 임베디드 캐패시터의 상부 전극과 폴리머 기판의 접착력이 향상된 임베디드 캐패시터가 제공된다.
이하 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명하고자 한다.
본 발명은 임베디드 캐패시터의 상부전극과 폴리머 기판의 접착력을 향상시키는 방법을 제공하며, 상부 전극과 폴리머 기판의 접착력 향상을 위하여 종래의 산화동 처리로 조도를 형성하는 방법 대신 상부전극의 표면에 염기로 처리하여 -OH 기를 형성한 다음, 실란 커플링제로 코팅처리를 하고 폴리머와 적층하는 방법을 이용하였다.
본 발명에서 사용되는 실란 커플링제는 SiX3Y (상기 식에서, X는 할로겐 원자, 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Y는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기, 비닐기, 알릴기, 시아노 알킬기, -(CH2)m-NH-CO-NH2, -(CH2)m-O-C(CH3)=CH2, -(CH2)m-NH2, -(CH2)m-SH, -(CH2)m-Cl, -(CH2)m-N-(CH2)n-NH2, 및 
로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며, m 및 n은 1 내지 5의 정수이다.) 의 화학식을 갖는 것이 바람직하며, 또한, 실란커플링제의 혼합물도 사용가능하다. 상기 실란 커플링제는 용매에 용해시켜 사용하는데 바람직한 용매로는 이에 제한하는 것은 아니나, 물, 에탄올, 메탄올, 메틸에틸케톤 및 벤젠 등의 용매를 단독으로 사용하거나 이들을 혼합하여 사용한다. 이때 실란 커플링제는 용매 대비 0.01~5wt%로 혼합되는 것이 바람직하며, 0.01wt% 이하로 첨가되는 경우에는 접착성이 떨어지며, 5wt% 이상으로 첨가되는 경우에는 원가가 상승되어 비경제적이며, 그 이상 첨가되어도 접착성 효과는 동일하다.
본 발명에 따른 임베디드 캐패시터 상부 전극의 처리 방법은 먼저, 폴리머 기판 위에 박막으로 하부전극을 형성한 후 세라믹 유전층을 형성하고 그 위에 상부 전극을 박막으로 형성하는 단계; 상기 상부 전극을 염기로 처리하는 단계; 상기 염기 처리된 표면 위에 본 발명에 따른 접착 조성물을 코팅 및 열처리하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구현에 있어서, 하부 전극과 상부 전극은 모두 저온에서 형성 가능한 스퍼터법, 증발법, 무전해 도금에 의한 방법이 쉽게 적용 가능하며 전극물질로는 Cu, Ni, Al, Pt, Ta, 및 Ag 등이 사용 가능하다. 유전체 층은 높은 유전율을 나타내는 세라믹 조성물이 바람직하며, 이로써 한정하는 것은 아니나, 예를 들어, BZN, Al2O3, PZT, PLZT, PT, PMN, PMN-PT, BaTiO3, HfO2,및 SrTiO3 등이 유전층으로 사용가능하다. 상기 유전층의 형성은 PLD, CVD, 스퍼터링 등의 다양한 박막 형성법이 사용 가능하다. 또한, 박막 임베디드 캐패시터의 기판으로 사용되는 폴리머로는 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 다작용성 에폭시 수지, 노볼락 타입 에폭시 수지, 폴리이미드, 시아네이트 에스터 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
이와 같이 형성된 상부전극의 표면을 염기로 처리한다. 처리 방법은 특별히 제한되지는 않으나, 본 발명에서는 상부전극까지 형성된 기판을 염기 함유 용액에 침적시킴으로써 상부전극에 수산기를 형성시킨다. 이와 같이 형성된 수산기는 이후에 처리되는 실란 커플링제와 결합되어 접착력을 향상시키는 역할을 한다. 본 발명 에서 사용되는 염기로는 NaOH, KOH 또는 CH3ONa, C2H5ONa, C2H5OLi와 같은 알콕사이드 종류도 가능하다. 한편, 상부 전극이 구리인 경우에, Cu 이온에 수산기를 더욱 안정하게 결합시키기 위해서는 촉매를 사용하는 것이 바람직하며, 사용되는 촉매로는 클로라이트, 하이포클로라이트, 퍼옥소디술페이트를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용되는 염기 화합물의 농도는 실란 화합물을 기준으로 0.5~5wt%가 바람직하고, 촉매의 농도는 촉매의 종류에 따라 다양하며, 실란 화합물을 기준으로 0.5~50wt%로 사용될 수 있다.
상기와 같이, 염기 화합물에 의해 수산기가 형성된 기판을 탈이온수로 세척한 후 건조시키고, 실란 커플링제를 코팅 및 열처리한다. 상기 실란 커플링제 접착 조성물의 코팅 방법은 특별히 제한되지 않는다. 코팅 방법은 이에 제한하는 것은 아니나, 침적법, 스프레이법, 전기화학적인 도포법, 스핀코팅법, 롤러를 이용한 도포법이 바람직하며, 이 중 스핀 코팅법이 가장 간단한 방법이고 균일하게 코팅이 되므로 스핀 코팅법을 이용하는 것이 바람직하다.
상부 전극에 코팅되는 실란 접착 조성물의 농도는 실란 접착 조성물 용액 총중량을 기준으로 0.01-5wt%를 사용하고 스핀 코팅법으로 코팅한 후 70-200℃의 온도에서 열처리하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명에 따라 제공되는 임베디드 캐패시터의 상부 전극과 폴리머 기판 사이에 처리되는 접착 조성물은 박막의 전극에 산화동 처리에 의해 발생되는 BDV 감소나 쇼트 문제 없이 염기 처리 후에 실란커플링제로 코팅함으로써 전극과 폴리머 기판과의 접착력을 매우 향상시킬 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 하며, 이로써 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
<실시예 1>
폴리머 기판(ABF SH-9K)위에 Cu 도금으로 35㎛의 하부전극을 형성한 후 BiZnNb계 산화물로 유전층을 형성한다. 그 후 Cu 무전해 도금으로 10 ㎛의 상부전극을 형성한 후 소디움 하이포클로라이트 49.4%, 소디움 하이드록사이드 1.2%, 물 49.4%를 함유하는 용액에 3분동안 디핑하여 전극의 표면에 수산기를 형성시킨다. 수산기가 형성된 기판을 수세 및 건조한 후 이 전극에 2wt% (용매: 탈이온수)농도의 3-글리시독시 프로필트리메톡시실란을 2000rpm의 속도로 20초간 스핀코팅하였다. 실란 화합물이 코팅된 기판을 150℃에서 30분간 열처리한 후 폴리머 (ABF, SH-9K)를 170℃, 30 kgf/cm2으로 적층한 후 상부 전극층과 유전층을 분리시켜 박리 강도를 측정하였다. 그 결과를 도 2에 나타내며, 박리 강도는 0.51 kN/m의 값을 보였다.
<실시예 2>
염기 용액으로 포타슘 퍼옥소디술페이트 1.6%, 소디움 하이드록사이드 3.2%, 물 95.2%를 함유하는 용액을 사용하는 것을 제외하고는 <실시예 1>과 동일한 방법으로 기판을 제조하였다. 그 결과를 도 3에 나타내며, 박리 강도는 0.48 kN/m의 값을 보였다.
<실시예 3>
실란 화합물로 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 대신 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란을 2wt%의 농도로 사용하고 150℃에서 30분간 열처리한 것을 제외하고는 <실시예 1>과 동일한 방법으로 기판을 제조하였다. 그 결과를 도 4에 나타내며, 박리 강도는 0.47 kN/m의 값을 보였다.
<실시예 4>
실란 화합물로 3-글리시독시프로필트리메톡시 실란 대신 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란을 2wt%의 농도로 사용하고 150℃에서 30분간 열처리한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 기판을 제조하였다. 그 결과를 도 5에 나타내며, 박리 강도는 0.45 kN/m의 값을 보였다.
<실시예 5>
실란 화합물로 3-글리시독시프로필트리메톡시 실란을 단독으로 사용하는 대신 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란 1wt%, 3-글리시독시프로필트리메톡시 실란 1wt%의 농도로 혼합하여 사용하고 150℃에서 30분간 열처리한 것을 제외하고는 <실시예 1>와 동일한 방법으로 기판을 제조하였다. 그 결과를 도 6에 나타내며, 박리 강도는 0.63 kN/m의 값을 보였다.
<실시예 6>
실란 화합물로 3-글리시독시프로필트리메톡시 실란을 단독으로 사용하는 대신 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란 1wt%, 3-글리시독시프로필트리메톡시 실란 1wt%의 농도로 혼합하여 사용하고 150℃에서 30분간 열처리한 것을 제외하고는 <실시예 2>와 동일한 방법으로 기판을 제조하였다. 그 결과를 도 7에 나타내며, 박리 강도는 0.58 kN/m의 값을 보였다.
<비교예 1>
염기 처리와 실란 화합물을 처리하지 않은 것을 제외하고는 <실시예 1>과 같은 방법으로 기판을 제조하였다. 그 결과를 도 8에 나타내며, 박리 강도는 0.21 kN/m의 값을 보였다.
<비교예 2>
염기 처리하지 않은 것을 제외하고는 <실시예 1>과 같은 방법으로 기판을 제 조하였다. 그 결과를 도 9에 나타내며, 박리 강도는 0.21 kN/m의 값을 보였다.
<비교예 3>
실시예 1에서 실란 화합물을 처리하지 않은 것을 제외하고는 같은 방법으로 기판을 제조하였다. 그 결과를 도 10에 나타내며, 박리 강도는 0.22 kN/m의 값을 보였다.
상기 실시예와 비교예를 보면 염기 처리를 하지 않고 실란 커플링제를 코팅하지 않은 <비교예 1>과 염기 처리없이 실란 커플링제를 코팅한 <비교예 2>, 염기처리하고 실란 커플링제를 코팅하지 않은 <비교예 3>의 경우 0.21, 0.21, 0.22 kN/m의 매우 낮은 박리 강도를 보였다. 그러나, 염기처리 후 2 wt%의 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 수용액 수용액을 전극에 코팅하고 150℃에서 30분 동안 열처리한 <실시예 1>의 경우 0.51 kN/m, 전극에 안정한 수산기를 형성시키는 촉매를 소디움 하이포클로라이트 대신 포타슘 퍼옥소디술페이트를 사용한 <실시예 2>의 경우에는 0.48 kN/m, 염기 처리는 <실시예 1>과 동일하게 하고 실란 커플링를 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란을 2 wt%의 농도로 코팅하고 150℃에서 30분간 열처리한 <실시예 3>의 경우에는 0.47 kN/m, 염기 처리는 <실시예 2>과 동일하게 하고 실란 커플링제만 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란을 2 wt%의 농도로 코팅하고 150℃에서 30분간 열처리한 <실시예 4>의 경우에는 0.45 kN/m로 높은 값을 보였다. 한편, 실시예 1 내지 실시예 4와 같이 실란 커플링제를 단독으로 사용한 경우에도 접착력 향상 효과가 나타나지만 실시예 5 및 실시예 6에서와 같이 실란 커플링제 두종류를 혼합하여 사용한 경우에는 그 향상 효과가 더 뛰어남을 알 수 있다. 이로부터 금속 전극에 염기와 실란 커플링제를 모두 처리하는 경우, 특히 실란 커플링제를 두종류 이상 혼합하여 처리하는 경우, 전극과 폴리머층과의 접착력이 향상된다는 사실을 확인할 수 있었으며 이 두 처리가 모두 되어야만 그 향상 효과가 나타남도 확인할 수 있었다.
본 발명에서는 임베디드 캐패시터 상부 전극과 폴리머 기판 사이를 염기처리한 후 실란 커플링제로 코팅함으로써 전극과 폴리머 기판과의 접착력을 향상시킬 수 있으며, 이는 종래기술에서와 같이 산화동 처리에 의한 BDV 감소나 쇼트 문제가 전혀 발생하지 않는 것이다.
Claims (7)
- 폴리머 기판 위에 박막으로 하부전극을 형성한 후 세라믹 유전층을 형성하고 그 위에 상부 전극을 박막으로 형성하는 단계;상기 상부 전극에 염기 처리를 하는 단계;상기 염기 처리된 표면 위에 실란 커플링제로 이루어진 접착 조성물을 코팅 및 열처리하는 단계를 포함하며,이 때 상기 실란 커플링제는 다음 화학식 1[화학식 1]SiX3Y(상기 식에서, X는 할로겐 원자, 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며, Y는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기나 알콕시기, 비닐기, 알릴기, 시아노 알킬기, -(CH2)m-NH-CO-NH2, -(CH2)m-O-C(CH3)=CH2, -(CH2)m-NH2, -(CH2)m-SH, -(CH2)m-Cl, -(CH2)m-N-(CH2)n-NH2, 및로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, m 및 n은 1내지 5의 정수이다.) 을 갖는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터의 전극 표면처리 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 상부 전극은 Cu, Ni, Al, Pt, Ta, 및 Ag로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터의 전극 표면 처리방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 염기는 NaOH, KOH, CH3ONa, C2H5ONa, C2H5OLi로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터 전극 표면 처리 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 염기 처리에 사용되는 촉매는 클로라이트, 하이포클로라이트, 및 퍼옥소디술페이트로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터 전극의 표면 처리방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 폴리머 기판은 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 다작용성 에폭시 수지, 노볼락 타입 에폭시 수지, 폴리이미드, 시아네이트 에스터 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터 전극 표면처리 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 상부 전극에 코팅되는 실란 접착조성물의 농도는 용액 총중량을 기준으로 실란 접착 조성 혼합물이 0.01-5wt%이며, 스핀 코팅법으로 코팅한 후 70-200℃의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 임베디드 캐패시터 전극 표면처리 방법.
- 청구항 제 1항에 따라 제공되는 박막 임베디드 캐패시터.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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|---|---|
| KR20070044674A KR20070044674A (ko) | 2007-04-30 |
| KR100714596B1 true KR100714596B1 (ko) | 2007-05-07 |
Family
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR100714596B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2005
- 2005-10-25 KR KR1020050100857A patent/KR100714596B1/ko not_active IP Right Cessation
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