KR100708519B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법 Download PDF

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Abstract

주사 전극과 상기 유지 전극 사이에 교번(交番) 전압 성분을 포함하는 전압을 인가하여 에이징(aging) 방전을 실행하는 에이징 공정에 있어서, 에이징 방전에 부수되어 발생하는 소거 방전을 억제하기 위한 전압을 주사 전극, 유지 전극, 또는 데이터 전극 중 적어도 하나의 전극에 인가하는 것을 요지로 한다. 또한, 교대로 반복되는 에이징 방전에 부수되어 발생하는 소거 방전 중, 한쪽의 소거 방전만을 억제한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법{METHOD FOR AGING PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 AC형 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징(aging) 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP 또는 패널이라고 약기함)은 대화면, 박형, 경량인 것을 특징으로 하는 시인성이 우수한 표시 장치이다. PDP의 방전방식으로서는 AC형과 DC형이 있으며, 전극 구조로서는 3전극 면방전형과 대향 방전형이 있다. 그러나, 현재는 고선명화에 적합하고, 게다가 제조가 용이하기 때문에, AC형 또한 면방전형인 AC형 3전극 PDP가 주류로 되고 있다.
AC형 3전극 PDP는, 일반적으로, 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판 사이에 다수의 방전 셀을 형성하여 이루어진다. 전면 기판은 표시 전극으로서의 주사 전극과 유지 전극이 전면 유리판상에 서로 평행하게 복수쌍 형성되고, 그들 표시 전극을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성된다. 배면 기판은 배면 유리판상에 데이터 전극이 서로 평행하게 복수개 형성되고, 그것들을 덮도록 유전체층이 형성된다. 그리고, 이 유전체층상에 데이터 전극과 평행하게 격벽이 복수개 형성되고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성된다. 그리고, 표시 전극과 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면 기판과 배면 기판을 대향시켜 밀봉하고, 그 내부의 방전 공간에 방전 가스를 봉입한다. 이렇게 하여 패널의 조립이 완료한다.
그러나, 조립만 된 패널은 일반적으로 방전 개시 전압이 높아 방전 자체도 불안정하기 때문에, 패널 제조 공정에서 에이징을 실행하여 방전 특성을 균일화 또한 안정화시키고 있다.
이러한 에이징 방법으로서는, 표시 전극간, 즉 주사 전극과 유지 전극간에 교번(交番) 전압 성분을 포함하는 전압으로서 역위상의 직사각형파를 장시간에 걸쳐서 인가하는 방법이 취해져 왔지만, 에이징 시간을 단축하기 위해서, 예를 들면 인덕터를 거쳐서 직사각형파를 패널의 전극에 인가하는 방법(예를 들면, 일본 특허 공개 평성 제7-226162호 공보 참조)이나, 주사 전극과 유지 전극간에 극성이 상이한 펄스 형상의 전압을 인가하는 면방전 에이징 후에, 연속해서, 주사 전극 및 유지 전극과 데이터 전극간에 극성이 상이한 펄스 형상의 전압을 인가하여 대향 방전하는 방법(예를 들면, 일본 특허 공개 제2002-231141호 공보 참조) 등이 제안되고 있다.
그러나, 상술한 에이징 방법에서도 방전을 안정시킬 때까지에는 10시간 정도 필요로 하고 있었다. 따라서, 에이징 공정의 소비 전력이 방대해져 PDP 제조시의 운전 비용의 증가의 주요 요인의 하나로 되고 있었다. 또한, 에이징 공정이 장시간 계속되기 때문에, 공장의 부지 면적의 문제, 또는 공조 설비 등의 제조시의 환 경 등, 여러 가지의 문제가 있었다. 부가하여 금후의 PDP의 대화면화, 생산량 증대에 따라 이 문제가 금후 한층 더 커질 것은 명백하다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 에이징 시간을 대폭 단축하고, 또한 전력 효율이 양호한 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법을 제공하는 것이다.
발명의 개시
이 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법은, 주사 전극, 유지 전극, 데이터 전극을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 적어도 주사 전극과 유지 전극 사이에 교번 전압 성분을 포함하는 전압을 인가하여 에이징 방전을 실행하는 에이징 공정에 있어서, 에이징 방전에 부수되어 발생하는 소거 방전을 억제하는 전압을 주사 전극, 유지 전극, 데이터 전극 중 적어도 하나의 전극에 인가하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에서 에이징해야 할 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도,
도 2는 동(同)패널의 전극 배열도,
도 3은 본 발명의 실시예 1의 에이징 방법에서의 전극의 인가 전압 파형을 나타내는 도면,
도 4는 종래의 에이징 방법에서의 전극의 인가 전압 파형, 전극 단자부에서의 전압 파형 및 패널의 발광 파형을 나타내는 도면,
도 5는 본 발명의 실시예 2의 에이징 방법에서의 전극의 인가 전압 파형을 나타내는 도면,
도 6은 소거 방전이 발생하는 기구를 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 발명의 실시예 3의 에이징 방법에서의 전극의 인가 전압 파형을 나타내는 도면,
도 8은 본 발명의 실시예 1~3에서의 에이징 방법에 근거하여 패널의 에이징을 실행하는 에이징 장치의 구성을 나타내는 블럭도,
도 9(a)는 본 발명의 실시예 1~3에서의 에이징 방법에 근거하여 패널의 에이징을 실행하는 에이징 장치의 인가 전압 파형 설정부 외관도,
도 9(b)는 동(同)인가 전압 파형 설정부의 설정 항목을 본 발명의 실시예 3에서 설명한 인가 전압 파형을 예로서 나타낸 도면,
도 10은 실시예 3의 에이징 방법에서의 에이징 시간을 종래의 에이징 방법과 비교한 도면이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명의 실시예에서 에이징해야 할 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 패널(1)은, 대향하여 배치된 전면 기판(2)과 배면 기판(3)을 갖고 있다. 전면 기판(2)은 전면 유리판(4)상에 주사 전극(5)과 유지 전극(6)이 서로 평행하게 쌍을 이루어 복수쌍 형성되어 있다. 그리고, 이들 주사 전극(5)과 유지 전극(6)을 덮도록 유전체층(7)이 형성되고, 이 유전체층(7)의 표면을 덮도록 보호층(8)이 형성되어 있다. 배면 기판(3)은 배면 유리판(9)상에 데이터 전극(10)이 서로 평행하게 복수개 형성되고, 이 데이터 전극(10)을 덮도록 유전체층(11)이 형성되어 있다. 그리고, 이 유전체층(11)상에 데이터 전극(10)과 평행하게 격벽(12)이 복수개 형성되고, 유전체층(11)의 표면과 격벽(12)의 측면에 형광체층(13)이 형성되어 있다. 또한, 전면 기판(2)과 배면 기판(3)에 끼워진 방전 공간(14)에는 방전 가스가 봉입되어 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에서의 패널(1)의 전극 배열도이다. 열방향으로 m열의 데이터 전극(1O1~10m)(도 1의 데이터 전극(1O))이 배열되고, 행방향으로 n행의 주사 전극(51~5n)(도 1의 주사 전극(5))과 n행의 유지 전극(61~6n )(도 1의 유지 전극(6))이 교대로 배열되어 있다. 그리고, 1쌍의 주사 전극(5i), 유지 전극(6i)(i=1~n)과 하나의 데이터 전극(10j)(j=1~m)을 포함하는 방전 셀(18)이 방전 공간내에 m ×n개 형성되어 있다. 그리고, 각 주사 전극(5i)은 패널 주변부에 마련된 각 주사 전극 단자부(15i)에 접속되어 있다. 마찬가지로 유지 전극(6i)은 유지 전극 단자부(16i)에, 데이터 전극(10j)은 데이터 전극 단자부(17j)에 접속되어 있다. 여기서, 각 방전 셀(18)에 대하여 주사 전극(5)과 유지 전극(6)이 만드는 갭을 방전 갭(20)이라고 부르고, 방전 셀간의 갭, 즉 주사 전극(5i)과 하나 옆의 방전 셀에 속하는 유지 전극(6i-1)이 만드는 갭을 인접간 갭(21)이라고 부른다.
도 3은 본 발명의 실시예 1의 에이징 방법에서의 전극으로의 인가 전압 파형을 나타내는 도면으로서, 도 3(a), (b), (c)는 각각 주사 전극(5), 유지 전극(6), 데이터 전극(10)으로의 인가 전압 파형을 나타내고 있다. 이렇게 본 실시예의 에이징 방법에서의 주사 전극(5) 및 유지 전극(6)으로의 인가 전압 파형은 단순한 직사각형파의 반복이 아니라, 전압의 상승 후, 시간 간격 td 늦은 타이밍에서 또 한번 작은 상승을 갖는 파형이다. 실험의 결과, 도 3에서 V1=200V, V2=100V, td=3㎲(반복 주기는 25㎲ 일정)로 설정했을 때, 종래의 에이징 방법의 약 반분(半分)의 시간으로 에이징을 끝마칠 수 있었다.
물론 이들 전압값 V1, V2, 시간 간격 td의 최적값은 전극의 형상이나 치수, 또는 패널에 이용되는 재료, 또는 에이징 회로의 인덕턴스 등에 의존하는 것이기 때문에, 패널의 설계 등을 변경한 경우는 다시 설정하여 고칠 필요가 있다.
다음에, 본 발명의 실시예에서의 에이징 방법에 의해서 에이징 시간을 단축할 수 있는 이유에 대해서 설명한다. 도 4(a), (b)는 종래의 에이징 방법에서의 주사 전극(5), 유지 전극(6)의 인가 전압 파형을 나타내고 있다. 또한, 도 4(c), (d)는 이 때의 패널의 주사 전극 단자부(15) 및 유지 전극 단자부(16)에서의 전압 파형을 모식적으로 나타내고 있다. 이렇게 인가 전압 파형으로서 작성한 파형은 직사각형이더라도, 패널의 주사 전극 단자부(15) 및 유지 전극 단자부(16)에서는, 도 4(c), (d)에 나타내는 바와 같이 링잉(ringing)이 중첩되어 있다. 이것은 종래의 기술에서 설명한 바와 같이, 에이징 회로로 인덕터를 삽입한 경우는 물론이지만, 인덕터를 이용하지 않더라도 배선이 갖는 부유 인덕턴스와 패널의 용량과의 공진에 의해서도 발생한다. 이와 같이, 전극 단부에서의 전압 파형에 링잉이 중첩하는 것은 일반적으로 피할 수 없다.
도 4(e)는 패널의 발광을 포토센서로 검출한 발광 파형을 모식적으로 나타내는 도면으로서, 각각의 발광은 각각의 방전에 대응하고 있다. 여기서, 큰 에이징 방전(1)에 이어지는 작은 방전(2)은 전압의 복귀 타이밍에서 발생하는 방전으로서, 벽전하를 소거하는 이른바 소거 방전인 것을 알 수 있었다. 이 소거 방전은 전력을 소비함에도 관계없이 에이징의 효과가 작고, 또한, 벽전하를 약하게 하기 때문에 다음 방전을 발생시키는데 큰 전압을 필요로 하며, 결과적으로 에이징 효율을 저하시키는 것을 알 수 있었다. 또한, 소거 방전의 강도는 방전 셀의 특성에 크게 의존하고, 소거 방전이 일어나기 쉬운 방전 셀의 에이징이 진행하기 어려워, 모든 방전 셀에 대하여 충분한 에이징을 실행하기 위해서는, 보다 긴 에이징 시간이 필요하게 된다고 하는 부작용이 있는 것도 명백해졌다.
본 발명의 실시예 1에서의 에이징 방법은 자기 소거가 발생하는 타이밍에서 에이징 방전에 부수되어 발생하는 소거 방전을 억제하기 위한 전압을 주사 전극 (5), 유지 전극(6)의 양쪽에 중첩 인가하여 자기 소거를 억제하는 것으로서, 그 결과, 효율이 양호한 에이징이 가능해진다. 실제, 이 때의 패널의 발광을 포토센서로 검출하면 소거 방전에 따르는 발광이 작아지고 있는 것이 관측되었다.
또한, 본 실시예에서의 에이징 방법의 전극 인가 전압 파형은 주사 전극(5), 유지 전극(6)의 각각에 소거 방전을 억제하는 전압으로서, 도 3(a), (b)에 나타내는 바와 같이 전압의 상승으로부터 시간 간격 td의 후, 또 한번 작은 상승을 갖는 파형으로 하였다. 그러나, 도 3(d), (e)에 나타내는 바와 같이 유지 전극(6)측은 직사각형 파형으로 하고, 주사 전극(5)에 인가하는 전압 파형의 상승 및 하강 타이밍의 후에 소거 방전을 억제하는 전압을 인가해도 무방하고, 도시하지 않지만, 반대로 주사 전극(5)측은 직사각형 파형으로 하고, 유지 전극(6)측에만 소거 방전을 억제하는 전압을 인가해도 무방하다.
(실시예 2)
도 5는 본 발명의 실시예 2의 에이징 방법에서의 전극의 인가 전압 파형을 나타내는 도면이다. 도 5(a), (b)는 주사 전극(5), 유지 전극(6)의 인가 전압 파형을 나타내고 있고, 교번 전압 성분을 포함하는 전압으로서 단순한 직사각형파의 반복이 인가되고 있다. 도 5(c)는 데이터 전극(10)에 인가되는 전압 파형을 나타내고 있다. 본 실시예에서의 에이징 방법이 실시예 1과 상이한 부분은, 소거 방전을 억제하는 전압이 주사 전극(5), 유지 전극(6)이 아니라 데이터 전극(10)에 인가되어 있는 점이다. 데이터 전극(10)에는 큰 방전 전류가 흐르지 않기 때문에 소비 전력이 작고 또한 회로가 간단하게 된다고 하는 이점도 있다.
다음에, 상술한 전압 파형을 데이터 전극(10)에 인가하는 것에 의해서 소거 방전을 억제할 수 있는 이유에 대해서 설명한다. 도 6(a)~(d)는 소거 방전이 발생하는 메카니즘을 설명하기 위한 도면으로서, 각 전극의 벽전하의 움직임을 예상한 것이다. 도 6(a)는 주사 전극(5)에 정(正)의 전압이 인가되어 큰 에이징 방전이 종료한 직후의 벽전하의 배치를 나타내고 있으며, 주사 전극(5)측에는 부(負)의 전하, 유지 전극(6)측에는 정의 전하가 축적해 있다. 다음에, 링잉에 의한 전위 강하가 발생한 경우, 그 크기가 주사 전극(5)과 유지 전극(6)간의 방전을 발생하지 않을 정도의 전위 강하이더라도, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 주사 전극(5)과 데이터 전극(10)간의 방전 개시 전압이 낮기 때문에, 주사 전극(5)과 데이터 전극(10)간의 방전이 유발된다. 그렇게 하면, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 여기서 발생한 종화(種火) 방전의 효과에 의해 주사 전극(5)과 유지 전극(6)간의 방전 개시 전압이 실질적으로 저하하여, 주사 전극(5)과 유지 전극(6)간의 방전이 유발되고, 이것이 소거 방전으로 된다.
즉, 소거 방전은 원래 주사 전극(5)과 유지 전극(6)간에서 직접 방전하는 것이 아니라, 일단 주사 전극(5)과 데이터 전극(10)간에서 초기 방전이 개시되고, 이를 계기로 하여 주사 전극(5)과 유지 전극(6)간의 소거 방전이 발생하는 것을 알 수 있었다.
도 6(d)는 소거 방전이 종료한 후의 벽전하의 배치를 나타낸다. 이렇게 벽전하의 양이 소거 방전에 의해서 감소하고 있기 때문에, 다음 방전을 발생시키기 위해서는 큰 전압이 필요하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 주사 전극(5)과 데이터 전극(10)간의 초기 방전을 억제하는 것에 의해서 주사 전극(5)과 유지 전극(6)간의 소거 방전을 억제할 수 있다. 따라서, 링잉에 의해서 부 방향의 전압이 주사 전극(5)에 인가되는 타이밍에서, 데이터 전극(10)에도 부의 전압을 인가하는 것에 의해 초기 방전이 억제되고, 그 결과, 소거 방전을 억제할 수 있는 것을 알 수 있었다.
또한, AC형 PDP의 각 전극은 유전체층에 둘러싸여 있어 방전 공간과 절연되어 있기 때문에, 직류 성분은 방전 그 자체에는 조금도 기여하지 않는다. 따라서, 자기 소거를 포함하는 타이밍에서 데이터 전극에 부의 전압을 인가하는 것과, 자기 소거 이외의 타이밍에서 데이터 전극에 정의 전압을 인가하는 것은 동일한 효과를 부여한다. 그 때문에, 데이터 전극에 인가되는 전압은 도 5(d)에 나타내는 전압 파형이더라도 도 5(c)에 나타내는 전압 파형과 마차가지의 효과를 얻을 수 있다.
(실시예 3)
도 7은 본 발명의 실시예 3의 에이징 방법에서의 전극의 인가 전압 파형을 나타내는 도면이다. 도 7(a), (b)는 주사 전극(5), 유지 전극(6)의 인가 전압 파형을 나타내고 있고, 교번 전압 성분을 포함하는 전압으로서 단순한 직사각형파의 반복이 인가되어 있다. 도 7(c)는 데이터 전극(10)에 인가하는 전압 파형을 나타내고 있다. 본 실시예에서의 에이징 방법이 실시예 2와 상이한 부분은, 소거 방전 중 한쪽만을 억제하도록 데이터 전극(10)에 전압을 인가하고 있는 점이다. 특히, 주사 전극(5)에 인가하는 전압의 증가 또는 유지 전극(6)에 인가하는 전압의 감소에 따라 발생하는 에이징 방전에 부수되어 발생하는 소거 방전, 즉, 주사 전극(5)이 유지 전극(6)에 대하여 고전압측으로 되는 타이밍에서의 자기 소거만을 억제하고 있다. 따라서, 다음 방전, 즉 주사 전극(5)에 인가하는 전압의 감소 또는 유지 전극(6)에 인가하는 전압의 증가에 따라 발생하는 에이징 방전, 또는 동일한 것이지만 주사 전극(5)이 유지 전극(6)에 대하여 저전압측으로 되는 때의 에이징 방전이 강조된다. 주사 전극(5)이 저전압측으로 되는 타이밍의 방전에서는, 방전 공간내를 주사 전극(5)측을 향하는 정이온에 기인하는 주사 전극(5)측의 이온 스퍼터가 실행된다. 따라서, 데이터 전극(10)에 도 7(c)에 나타내는 전압 파형을 인가하는 것에 의해서, 주사 전극(5)측의 에이징이 유지 전극(6)측보다도 가속되는 것으로 된다.
초기화 방전, 기입 방전, 유지 방전과 일련의 3전극 PDP의 실구동에서, 동작 전압과 관계하는 것은 기록 방전과 유지 방전이다. 일반적으로, 유지 방전은 주사 전극(5)과 유지 전극(6)간에 직사각형 전압 펄스로 방전을 발생시키기 때문에, 각각의 전극부에서의 방전 갭(20) 근방이 관여한다. 한편, 기입 방전은 주사 전극(5)과 데이터 전극(10)간의 방전이 주된 방전이기 때문에, 주사 전극(5)측에 대해서는 데이터 전극(10)에 대향하는 거의 전극면 전면에서 방전이 발생한다. 따라서, 실구동에서의 안정 동작을 목적으로 실행하는 에이징은, 주사 전극(5), 유지 전극(6)을 동등하게 에이징하기 보다는, 유지 전극(6)측보다도 주사 전극(5)측에 대해서 전극면 전면의 에이징을 가속하면 효율적이다. 실제, 발명자들은 데이터 전극(10)에 도 7(c)에 나타내는 전압 파형을 인가하는 것에 의해서 주사 전극(5)측의 에이징을 가속할 수 있어, 한층 더 에이징 효율이 오르는 것을 발견하였다.
또한, 이 경우에도 도 7(c)에 나타내는 전압 파형 이외에 도 7(d), (e)의 전압 파형이더라도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 이들 파형은 주사 전극(5)에 인가하는 전압의 증가 또는 유지 전극(6)에 인가하는 전압의 감소에 따라 에이징 방전이 발생하는 타이밍(즉, 타이밍(1))에서 데이터 전극(10)에 인가되고 있는 전압이, 계속되는 소거 방전이 발생하는 타이밍(타이밍(2))에서 데이터 전극(10)에 인가되고 있는 전압보다도 높은 것에 특징이 있다. 이하에, 이들 전압 파형이 도 7(c)에 나타내는 전압 파형과 마찬가지의 효과를 얻을 수 있는 이유에 대해서 설명한다.
에이징 방전(타이밍(1)에서 발생)과 같은 강한 방전에서는, 방전 셀 내부의 전계를 완화할 때까지 벽전하의 재배치가 실행된다고 생각하면 된다. 그리고, 계속되는 소거 방전(타이밍(2)에서 발생)은 에이징 방전에서 재배치된 벽전하에 대하여 링잉에 의한 전위 강하분이 가산되어 발생한다. 따라서, 소거 방전을 억제하기 위해서 데이터 전극에 인가되는 전압은 에이징 방전 발생시의 전압에 대하여 그 변화분만이 유효하게 작용하는 것으로 된다. 반대로 말하면, 에이징 방전 발생시의 전위와 계속되는 소거 방전 발생시의 전위가 동일하면, 소거 방전을 억제하는 효과는 없는 것으로 된다. 본 실시예에서는 주사 전극(5)이 유지 전극(6)에 대하여 저전압측으로 되는 타이밍에서의 소거 방전은 억제하지 않기 때문에, 도 7(d)에 나타내는 바와 같이 (3)와 (4)의 타이밍에서의 전압이 일정하면 전위 그 자체의 값은 어떤 것이더라도 무방하다. 따라서, 도 7(e)의 전압 파형과, 도 7(c), (d)의 전압 파형은 동등의 효과를 나타내는 것으로 된다.
도 8은 본 발명의 실시예 1~3에서의 에이징 방법에 근거하여 패널의 에이징을 실행하는 에이징 장치의 구성을 나타내는 블럭도이다. 에이징 장치(110)는 전력을 공급하는 전원부(120), 각 전극에 대한 인가 전압 파형을 발생하는 인가 전압 파형 발생부(130), 각 전극에 대한 인가 전압 파형을 설정하기 위한 인가 전압 파형 설정부(140), 에이징해야 할 패널(100)을 얹는 패널 설치대(도시하지 않음)를 갖는다. 패널(100)의 복수의 주사 전극 단자부(151~15n)는 단락 바(115)에 의해 단락되고 케이블로 인가 전압 파형 발생부(130)의 주사 전극용 출력부에 접속되어 있다. 유지 전극 단자부(161~16n), 데이터 전극 단자부(171~17m)에 대해서도 마찬가지로 각각 단락 바(116, 117)에 의해 단락되고 인가 전압 파형 발생부(130)에 접속되어 있다. 인가 전압 파형 발생부(130)는 실시예 1~3에서 설명한 각 전극에 대응하는 소정의 인가 전압 파형을 발생하여, 패널(100)의 주사 전극(5), 유지 전극(6), 데이터 전극(10)의 각각에 공급함으로써 에이징이 실행된다. 인가 전압 파형 설정부(14O)는 인가 전압 파형의 반복 주기, 전압을 인가하는 타이밍, 각 타이밍에서의 전압값 등을 에이징하는 패널(100)에 따라서 최적의 값으로 설정하기 위한 것이다.
도 9(a)는 상기 에이징 장치의 인가 전압 파형 설정부(140)의 외관도의 일례이고, 도 9(b)는 인가 전압 파형 설정부(140)의 설정 항목을, 본 발명의 실시예 3에서 설명한 인가 전압 파형을 예로서 나타낸 도면이다. 이와 같이, 도 9에 예시 한 인가 전압 파형 설정부(140)에서는, 에이징 시간 T, 주사 전극 및 유지 전극으로 인가하는 교번 전압 파형의 전압값 Vs, 반복 주파수 f, 데이터 전극으로 인가하는 펄스 전압 파형의 전압값 Vd, 펄스폭 tw, 시간 간격 tc를 각각 독립적으로 설정할 수 있다. 여기서, 펄스 전압 파형의 시간 간격 tc에 대해서는 특별히 언급하지 않았지만, 조정 가능하게 해 두는 것이 바람직하다. 이것은, 다품종의 패널(100)의 에이징에 대응하는 경우에 유용하고, 또한, 패널(100)을 반송하기 위해서 이용하는 파레트의 배선 길이에 의존하는 인덕턴스 등, 설비상의 격차를 조정하기 위해서도 마련해 두는 것이 바람직하다.
도 10은 본 발명의 실시예 3의 에이징 방법에서의 에이징 시간을 종래의 에이징 방법과 비교한 도면이다. 도 10에서, 가로축은 에이징 시간, 세로축은 주사 전극과 유지 전극간의 방전 개시 전압으로서, 방전 개시 전압이 소정의 전압까지 저하한 시점에서 에이징이 종료한다. 종래의 에이징 방법에서는 방전 개시 전압이 저하하는 속도가 느려 10시간 정도의 에이징이 필요했지만, 본 발명의 실시예 3에서의 에이징 방법에 의하면 방전 개시 전압이 급속하게 저하하여 안정화하기 때문에, 종래의 약 1/3의 시간으로 에이징을 종료할 수 있었다.
이렇게 본 발명의 에이징 방법에 의하면, 에이징 시간의 대폭적인 단축 및 전력 효율이 양호한 에이징 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법은 에이징 시간을 대폭 단축하고, 또한 전력 효율이 양호한 에이징 방법을 제공할 수 있고, AC형 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정의 에이징 방법 등에 유용하다.

Claims (4)

  1. 주사 전극, 유지 전극, 데이터 전극을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 적어도 상기 주사 전극과 상기 유지 전극 사이에 교번(交番) 전압 성분(an alternating voltage component)을 포함하는 전압을 인가하여 에이징(aging) 방전을 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법에 있어서,
    상기 에이징 방전에 부수하여 발생하는 소거 방전을 억제하는 전압을, 상기 주사 전극과 상기 유지 전극 사이에 인가되는 교번 전압 성분을 포함하는 전압의 상승으로부터 소정 시간 후, 상기 주사 전극, 상기 유지 전극, 상기 데이터 전극 중 적어도 하나의 전극에 인가하는 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 소거 방전을 억제하는 전압은 상기 데이터 전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 소거 방전을 억제하는 전압은,
    상기 주사 전극에 인가하는 전압의 증가 또는 상기 유지 전극에 인가하는 전 압의 감소에 따라 발생하는 에이징 방전에 부수되어 발생하는 소거 방전을 억제하기 위한 전압인 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 소거 방전을 억제하는 전압은 상기 데이터 전극에 인가되는 전압으로서, 상기 주사 전극에 인가하는 전압의 증가 또는 상기 유지 전극에 인가하는 전압의 감소에 따르는 에이징 방전이 발생하는 타이밍에 인가되는 전압은, 상기 주사 전극에 인가하는 전압의 증가 또는 상기 유지 전극에 인가하는 전압의 감소에 따라 발생하는 에이징 방전에 부수되는 소거 방전이 발생하는 타이밍에 인가되는 전압보다도 높은 것
    을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에이징 방법.
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