KR100686899B1 - 조도계와 이를 사용한 조도계측방법, 및 노광장치 - Google Patents
조도계와 이를 사용한 조도계측방법, 및 노광장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100686899B1 KR100686899B1 KR1020000056750A KR20000056750A KR100686899B1 KR 100686899 B1 KR100686899 B1 KR 100686899B1 KR 1020000056750 A KR1020000056750 A KR 1020000056750A KR 20000056750 A KR20000056750 A KR 20000056750A KR 100686899 B1 KR100686899 B1 KR 100686899B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- illuminometer
- radiation
- holder
- stage
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 132
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 44
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 53
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 137
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 37
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- JUJBNYBVVQSIOU-UHFFFAOYSA-M sodium;4-[2-(4-iodophenyl)-3-(4-nitrophenyl)tetrazol-2-ium-5-yl]benzene-1,3-disulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1N1[N+](C=2C=CC(I)=CC=2)=NC(C=2C(=CC(=CC=2)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)=N1 JUJBNYBVVQSIOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (40)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기판 스테이지에 장착된 기판홀더에 의해 지지된 기판에 조사되는 방사선의 에너지 레벨을 계측하는 조도계로서,상기 기판홀더가 착탈되는 기판 스테이지의 기판홀더 장착부에 장착되는 계기판; 및상기 방사선에 응답하는 상기 계기판에 제공되는 수광 센서를 구비하는 조도계.
- 제 18 항에 있어서,사용된 기판 홀더를 또 다른 기판 홀더와 교체하기 위하여 제공되는 홀더 교환기에 의해 기판 홀더와 호환될 수 있는 조도계.
- 제 19 항에 있어서,상기 홀더 교환기의 홀더 클램핑 유닛과 결합되는 클램핑부가 제공되는 조도계.
- 제 18 항에 있어서,상기 계측판에는 진공 흡착 수단에 의해 기판 스테이지 상에 계기판을 유지하는 지지부가 제공되는 조도계.
- 제 18 항에 있어서,상기 계측판에는 수광 센서에 의해 획득된 상기 방사선에 관련된 에너지 정보를 외부로 발신하는 무선 발신 장치가 제공되는 조도계.
- 제 18 항에 있어서,상기 수광 센서에 의해 결정된 상기 방사선에 관한 에너지 정보를 기억하는 메모리부가 제공되는 조도계.
- 제 18 항에 있어서,상기 수광 센서는 서로 다른 파장을 가지는 복수의 방사선 타입을 검출할 수 있고,상기 조도계에는 상기 복수의 방사선 타입에 관한 에너지 정보를 저장하는 복수의 메모리부가 제공되는 조도계.
- 제 18 항에 있어서,배터리, 및 상기 배터리를 충전하는 광전 변환기가 제공되는 조도계.
- 제 18 항에 있어서,개별 에너지 레벨들이 복수의 노광 장치 사이에서 호환가능하게 되도록 복수의 노광 장치로부터 출사되는 노광광의 개별 에너지 레벨들을 결정하는데 사용되는 조도계.
- 기판 스테이지 상에 장착된 기판 홀더에 의해 지지된 기판을 조사하는 방사선의 에너지 레벨을 계측하는 방법으로서,상기 기판 스테이지로부터 상기 기판 홀더를 착탈하고, 상기 기판 스테이지의 기판 홀더 장착부 상에 조도계를 장착하는 공정; 및상기 조도계에 의해 상기 방사선을 검출하여 상기 방사선에 관련된 에너지 정보를 획득하는 공정을 포함하는 방사선 에너지 레벨의 계측 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 조도계의 위치 지정은 사용된 기판 홀더를 또 다른 기판 홀더로 교환하기 위하여 제공되는 홀더 교환기를 사용함으로써 수행되는 방사선 에너지 레벨의 계측 방법.
- 제 27 항에 있어서,기판 스테이지 상의 조도계를 진공 처킹(vacuum chucking)하는 공정을 더 포함하는 방사선 에너지 레벨의 계측 방법.
- 제 27 항에 있어서,결정된 에너지 정보의 무선 발신 공정을 더 포함하는 방사선 에너지 레벨의 계측 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 조도계는 서로 다른 파장을 가지는 복수의 방사선 타입을 검출할 수 있고, 상기 계측된 방사선 타입에 따라 에너지 정보를 획득하는 계산 파라미터들을 조정하는 방사선 에너지 레벨의 계측 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 조도계는 개별 에너지 레벨들이 복수의 노광 장치 사이에서 호환가능하게 되도록 복수의 노광 장치로부터 출사된 노광광의 개별 에너지 레벨들을 결정하는데 사용되는 방사선 에너지 레벨의 계측 방법.
- 제 27 항에 있어서,방사선의 출사 방향에 대한 위치 정보를 결정하는 공정; 및상기 위치 정보의 결과에 따라 조도계의 위치를 조정하는 공정을 더 포함하는 방사선 에너지 레벨의 계측 방법.
- 마스크의 마스킹 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하도록 기판을 방사선을 이용하여 노광하는 장치로서,기판 스테이지;상기 기판을 지지하도록 상기 기판 스테이지 상에 장착되는 기판 홀더; 및상기 기판 홀더를 상기 기판으로부터 착탈하고, 상기 방사선을 검출하도록 상기 기판 스테이지의 기판 홀더 장착부 상에 조도계를 장착하는 홀더 교환기를 구비하는 장치.
- 마스크의 패턴의 이미지를 기판에 투영하도록 기판 스테이지 상에 장착된 기판 홀더에 의해 지지되는 기판을 방사선을 이용하여 노광하는 방법으로서,상기 기판 홀더를 착탈하고, 상기 방사선의 에너지 레벨을 계측하도록 기판 스테이지 상에 상기 방사선에 응답하는 수광 센서를 가지는 조도계를 장착하는 공정;상기 방사선을 상기 조도계로 검출함으로써 상기 방사선의 에너지 정보를 취득하는 공정;상기 기판 스테이지 상에 상기 기판 홀더를 장착하고 상기 기판 홀더상에 상기 기판을 배치하도록 상기 조도계를 착탈하고, 상기 기판 홀더에 의해 지지되는 상기 기판을 교체하는 공정; 및상기 검출된 에너지 정보에 따라 상기 방사선을 계측하는 센서를 켈리브레이팅하는 공정을 포함하는 노광 방법.
- 제 35 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 기판을 노광하고, 상기 노광된 기판으로부터 반도체 장치들을 생성함으로써 반도체 장치들을 제조하는 방법.
- 기판 스테이지에 의해 지지된 기판 상에 출사되는 방사선의 에너지 레벨을 결정하는 조도계로서,기판 스테이지 상에 진공흡착에 의해 지지되는 계측판; 및상기 계측판 상에 배치되며 상기 방사선을 검출하는 수광 센서를 구비하며,상기 기판은 기판 에지 상의 기판 홀더와 함께 진공 처킹되고,상기 계측판은 상기 기판과 호환가능하게 되도록 상기 기판 홀더 상에 장착되는 조도계.
- 기판 스테이지에 의해 지지되는 기판 상에 방사되는 방사선의 에너지 레벨을 결정하는 조도계로서,기판 스테이지 상에 진공 흡착에 의해 지지되는 계측판; 및상기 계측판 상에 배치되고 상기 방사선을 검출하는 수광 센서를 구비하고,상기 기판은 기판 스테이지 상의 기판 홀더와 함께 진공 처킹되고, 계측판은 상기 기판 홀더와 호환가능하게 되도록 상기 기판 스테이지 상에 장착되는 조도계.
- 기판 스테이지 상에 장착되는 기판 상에 방사되는 방사선의 에너지 레벨을 결정하는 방법으로서,상기 방사선의 에너지 레벨을 결정하도록 진공 흡착에 의해 상기 기판 스테이지 상에 조도계를 유지하는 공정; 및상기 상기 방사선의 에너지 레벨을 상기 조도계로 결정하여 상기 방사선의 에너지 정보를 획득하는 공정을 포함하며,상기 기판은 상기 기판 스테이지 상의 기판 홀더와 함께 진공 처킹되고,계측판은 상기 기판과 호환가능하게 되도록 상기 기판 홀더에 의해 지지되는, 방사선 에너지 레벨의 결정 방법.
- 기판 스테이지 상에 장착되는 기판 상에 방사되는 방사선의 에너지 레벨을 결정하는 방법으로서,진공 흡착에 의해 기판 스테이지 상에 조도계를 유지하여 상기 방사선의 에너지 레벨을 결정하는 공정; 및상기 방사선의 에너지 레벨을 상기 조도계로 결정하여 상기 방사선의 에너지 정보를 획득하는 공정을 포함하고,상기 기판은 상기 기판 스테이지 상의 기판 홀더와 함께 진공 처킹되고,계측판은 상기 기판 홀더와 호환가능하게 되도록 상기 기판 스테이지에 의해 지지되는, 방사선 에너지 레벨의 결정 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27537999 | 1999-09-28 | ||
JP99-275379 | 1999-09-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010030512A KR20010030512A (ko) | 2001-04-16 |
KR100686899B1 true KR100686899B1 (ko) | 2007-02-26 |
Family
ID=17554677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000056750A KR100686899B1 (ko) | 1999-09-28 | 2000-09-27 | 조도계와 이를 사용한 조도계측방법, 및 노광장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6549277B1 (ko) |
KR (1) | KR100686899B1 (ko) |
SG (1) | SG82088A1 (ko) |
TW (1) | TW495833B (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338868A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 照度計測装置及び露光装置 |
US6807503B2 (en) * | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
US7053355B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
JP3846469B2 (ja) * | 2003-10-01 | 2006-11-15 | セイコーエプソン株式会社 | 投写型表示装置および液晶パネル |
TW201738932A (zh) * | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
KR20050078413A (ko) * | 2004-01-29 | 2005-08-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 조도측정장치 |
US7276316B2 (en) * | 2004-02-02 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | Common second level frame exposure methods for making embedded attenuated phase shift masks |
US7327440B2 (en) * | 2004-08-16 | 2008-02-05 | James N. Horn | Distance measuring device |
US7924416B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-04-12 | Nikon Corporation | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7551979B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-06-23 | Strasbaugh | Robot calibration system and method |
US7961291B2 (en) * | 2005-12-23 | 2011-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5534910B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
TWI624862B (zh) * | 2012-06-11 | 2018-05-21 | 應用材料股份有限公司 | 在脈衝式雷射退火中使用紅外線干涉技術之熔化深度測定 |
CN110286565B (zh) * | 2019-07-02 | 2022-03-15 | 芯盟科技有限公司 | Opc建模装置及其形成方法、opc建模方法 |
CN111781220A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-16 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 一种多功能同步辐射干涉曝光实验平台及实验方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4585342A (en) | 1984-06-29 | 1986-04-29 | International Business Machines Corporation | System for real-time monitoring the characteristics, variations and alignment errors of lithography structures |
JPS62298728A (ja) | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Fujitsu Ltd | 照度測定装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5825470A (en) | 1995-03-14 | 1998-10-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JPH09266166A (ja) | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP3136274B2 (ja) | 1996-09-02 | 2001-02-19 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP4029180B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH11275379A (ja) | 1998-01-21 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | ディスプレイ |
JP3968862B2 (ja) | 1998-03-09 | 2007-08-29 | 株式会社ニコン | 照度計、照度計測方法及び露光装置 |
-
2000
- 2000-09-21 US US09/666,425 patent/US6549277B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-26 TW TW089119787A patent/TW495833B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-09-26 SG SG200005493A patent/SG82088A1/en unknown
- 2000-09-27 KR KR1020000056750A patent/KR100686899B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010030512A (ko) | 2001-04-16 |
SG82088A1 (en) | 2001-07-24 |
US6549277B1 (en) | 2003-04-15 |
TW495833B (en) | 2002-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9436102B2 (en) | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
KR100686899B1 (ko) | 조도계와 이를 사용한 조도계측방법, 및 노광장치 | |
US7999918B2 (en) | Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method | |
JP5224071B2 (ja) | 移動体システム、パターン形成装置、露光装置、及び計測装置、並びにデバイス製造方法 | |
TWI547771B (zh) | Mobile body drive system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, component manufacturing method, and method of determining | |
EP2470961B1 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
TWI628519B (zh) | 移動體裝置、曝光裝置、元件製造方法 | |
US8786829B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
US8228482B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
WO1999031462A1 (fr) | Platine et appareil d'exposition | |
JP2004134755A (ja) | 基板ホルダおよびデバイス製造方法 | |
JP4164414B2 (ja) | ステージ装置 | |
KR20080017299A (ko) | 계측 장치 및 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2001093808A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
US6603532B2 (en) | Illuminance measurement apparatus, exposure apparatus, and exposure method | |
JP2002170757A (ja) | 位置計測方法及びその装置、露光方法及びその装置、デバイスの製造方法 | |
JP2001075294A (ja) | 面位置検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置、露光装置の製造方法、半導体デバイス製造方法 | |
JP2002246302A (ja) | 位置検出装置および露光装置 | |
JP2001165768A (ja) | 照度計、照度計測方法、露光装置、露光方法、デバイス製造方法及び基板ホルダ | |
JP5262455B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2007329289A (ja) | 光学部品の製造方法 | |
JP2005158828A (ja) | 光学性能計測方法及び装置、並びに露光装置 | |
JP2009252852A (ja) | 移動体システム、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130201 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140204 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180202 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |