KR100679907B1 - 증착용 마스크, 이를 이용한 성막방법 및 이를 이용한성막장치 - Google Patents

증착용 마스크, 이를 이용한 성막방법 및 이를 이용한성막장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100679907B1
KR100679907B1 KR1020040058160A KR20040058160A KR100679907B1 KR 100679907 B1 KR100679907 B1 KR 100679907B1 KR 1020040058160 A KR1020040058160 A KR 1020040058160A KR 20040058160 A KR20040058160 A KR 20040058160A KR 100679907 B1 KR100679907 B1 KR 100679907B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
deposition
substrate
opening
mask body
Prior art date
Application number
KR1020040058160A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050013934A (ko
Inventor
야마모또가쯔야
Original Assignee
가부시키가이샤 도요다 지도숏키
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 filed Critical 가부시키가이샤 도요다 지도숏키
Publication of KR20050013934A publication Critical patent/KR20050013934A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100679907B1 publication Critical patent/KR100679907B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

마스크는 증착을 위해 증착원과 기판 사이에 개재된다. 마스크는 증착원으로부터 방출된 증착 재료가 통과하게 하고 기판 상에 소망하는 패턴의 증착층을 형성하는 개구부를 가진다. 마스크는 마스크 본체 및 가열부를 포함한다. 마스크 본체는 개구부를 가진다. 가열부는 증착 중에 가열되고 증착원에 면하는 마스크 본체의 일 측에 배치된다. 가열부는 마스크 본체의 개구부에 실질적으로 대응하는 개구부를 가진다.
마스크, 마스크 본체, 가열부, 개구부, 증착, 패턴

Description

증착용 마스크, 이를 이용한 성막방법 및 이를 이용한 성막장치{MASK FOR DEPOSITION, FILM FORMATION METHOD USING THE SAME AND FILM FORMATION EQUIPMENT USING THE SAME}
신규한 본 발명의 특징은 첨부된 청구범위에서 상세히 설명된다. 본 발명의 목적 및 이점과 더불어, 본 발명은 첨부된 도면과 함께 현재의 바람직한 실시형태에 대한 다음의 상세한 설명을 참조하여 가장 잘 이해될 수 있다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 도시하는 개략적 단면도.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 성막장치를 도시하는 개략적 사시도.
도 3 은 본 발명의 제 1 실시형태에 따라, 부분적으로 잘려진 성막장치를 도시하는 측면도.
도 4 는 본 발명의 제 1 실시형태에 따라, 부분적으로 잘려진 증착용 마스크의 구조를 도시하는 측면도.
도 5 는 본 발명의 제 1 실시형태에 따라, 부분적으로 잘려지고 접촉부를 갖는 증착용 마스크를 도시하는 부분 측면도.
도 6 은 본 발명의 제 2 실시형태에 따라, 부분적으로 잘려진 증착용 마스크의 구조를 도시하는 측면도.
도 7 은 본 발명의 제 2 실시형태의 제 1 변경 예에 따라, 부분적으로 잘려진 증착용 마스크의 구조를 도시하는 측면도.
도 8 은 본 발명의 제 2 실시형태의 제 2 변경 예에 따라, 부분적으로 잘려진 증착용 마스크의 구조를 도시하는 측면도.
도 9 는 본 발명의 제 3 실시형태에 따라, 부분적으로 잘려진 증착용 마스크의 구조를 도시하는 측면도.
도 10 A는 부분적으로 잘려진 종래 기술의 성막장치를 도시하는 평면도.
도 10B는 도 10A 에서의 라인 A-A로부터 관측된 종래 기술의 성막장치를 도시하는 단면도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 유기 EL 소자 11: 유리 기판
12: 양극 13: 유기층
14: 음극 15: 성막장치
17: 증착원 18: 증착원 하우징
19: 배출구 20: 쉴드
21: 공간 22, 30, 32, 34, 40: 마스크
22a, 40b: 마스크 본체 22b, 40b: 냉각부
22c: 단열부 22d, 40c: 가열부
23, 31, 33, 35, 41: 개구부 24: 접촉부
본 발명은 증착용 마스크, 그 마스크를 이용하는 성막방법 및 그 마스크를 이용하는 성막장치에 관한 것이다.
양극과 음극으로 구성되고 기판 상에 제공되는 한 쌍의 전극, 및 발광 유기 재료를 포함하고 한 쌍의 전극 사이에 형성된 유기층을 포함하는 유기 전계발광 (EL) 소자는 그 전극 사이에 전류를 통과시킴으로써 유기층으로부터 광을 방출할 수 있는 소자로서 알려져 왔다. 통상적으로, 유기 EL 소자의 유기층은 복수의 기능층들 (정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 버퍼층 및 캐리어 블로킹층 등) 을 포함하고, 이러한 기능층의 조합 및 배열 등을 통해 소망하는 성능을 달성한다.
상술한 구성을 갖는 유기 EL 소자 중 저분자 재료의 유기 EL 소자에 대해, 진공 증착 프로세스를 이용하여 유기 재료가 기판 상에 증착되어 유기층을 형성하는 것이 통상적이다.
진공 증착 프로세스에서, 유기층을 형성하는 유기 재료는 배출구를 갖는 증착원에 놓여지고, 증착원은 진공이 소정의 값으로 유지되는 챔버에서 가열되어 배출구를 통해 증발된 유기 재료를 방출하며, 방출된 유기 재료는 증착원으로부터 떨어져 기판 상에 증착된다.
일반적으로, 상이한 기능층들이 상이한 챔버에서 형성된다. 이러한 이유는 다른 기능층들을 구성하는 재료들이 중요한 기능층과 혼합될 때 유기 EL 소자에 의해 달성되는 성능은 열화되고 이러한 현상은 방지되어야 하기 때문이다.
이러한 유기 EL 소자의 제조에서, 소망하는 패턴을 갖는 유기층들은 많은 경우에 기판 상에 형성되며 마스크를 이용하는 소위 쉐도우 (shadow) 마스크 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 미심사된 일본 특허 공개 제 2001-247959 호, 페이지 2-3 및 도 1 참조).
예를 들어, 도 10A 및 10B 에 도시된 마스크 (50) 은 쉐도우 마스크 방법에서 이용되고, 미도시된 챔버에서 증착원 (51) 과 기판 (52) 사이에 배치되며, 이러한 마스크 (50) 은 통상적으로 패턴에 대응하는 복수의 개구부 (50a) 를 가진다.
이 경우에, 증착원 (51) 은 기판 (52) 아래에 위치되고, 증착 시에 마스크 (50) 및 기판 (52) 에 대해 상대적으로 왕복하며, 기판 (52) 상에 유기층이 형성될 때까지 유기 재료는 증착원 (51) 으로부터 계속 방출된다.
따라서, 증착원 (51) 으로부터 방출되는 유기 재료는 개구부 (50a) 를 통과하고 통과한 유기 재료는 기판 (52) 상에 증착되어 기판 (52) 상의 패턴에 대응하는 유기층을 형성한다.
유기 EL 소자의 유기층들을 형성하기 위한 마스크 (50) 는 일반적으로 약 0.2 mm 두께를 가지며 금속으로 구성된다.
그러나, 상술한 종래의 마스크는 다음의 문제점들을 포함한다.
즉, 증착원으로부터 방출된 증착 재료로서 유기 재료의 상당량이 마스크 상 에 증착되었다.
증착이 반복될 때, 마스크 상에 증착되는 증착 재료의 두께는 마스크의 두께에 비해 무시될 수 없고, 결과적으로 증착층의 질에 나쁜 효과를 가져온다. 따라서, 마스크는 자주 교체되어야 한다.
또한, 예를 들어 유기 EL 소자의 유기층들이 복수의 기능층들로 구성될 경우, 마스크는 기능층들의 각각이 형성될 때 교체되어야 한다.
또한, 마스크는 증착 재료로부터의 열 및 증착원으로부터 방출된 열을 받아서 열 팽창을 겪고, 잠재적으로는 기판 상의 증착층의 치수의(dimensional) 정확도를 감소시킨다.
특히, 기판이 사이즈 면에서 더 커짐에 따라, 마스크의 열 팽창으로 야기되는 치수의 변화는 기판의 외연 근방에서 더욱 두드러지고, 몇몇 경우에는 증착층의 치수의 정확도가 또한 감소된다.
이러한 문제점은 기판의 사이즈가 클 때뿐만 아니라 유기층들이 증착될 기판의 영역이 작을 때에도 발생한다.
또한, 증착 재료는 기판의 소정의 영역 (마스크의 개구부에 대응하는 영역) 이외의 영역 상에도 증착되며, 따라서 증착 재료의 이용 효율은 낮다.
본 발명은 증착용 마스크, 그 마스크를 이용하는 성막방법 및 그 마스크를 이용하는 성막장치에 관한 것으로서, 마스크를 이용하여 기판 상에 증착층을 형성하는 동안에 마스크 상에 증착 재료가 증착되는 것이 억제되고, 높은 치수의 정확도를 가지고 기판 상에 증착층이 형성되고, 증착 재료의 이용 효율이 향상된다.
본 발명은 증착원과 증착용 기판 사이에 개재되는 마스크를 제공한다. 마스크는 증착원으로부터 방출된 증착 재료가 통과하게 하고 기판 상에 소망하는 패턴의 증착층을 형성하는 개구부를 가진다. 마스크는 마스크 본체 및 가열부를 포함한다. 마스크 본체는 개구부를 가진다. 가열부는 증착되는 동안 가열되고 증착원에 면하는 마스크 본체의 일 측에 배치된다. 가열부는 마스크 본체의 개구부에 실질적으로 대응하는 개구부를 가진다.
본 발명은 기판 상에 소망하는 패턴의 증착층을 형성하기 위해 마스크를 이용하는 성막방법을 제공한다. 마스크는 마스크 본체 및 가열부를 포함한다. 이 방법은 마스크 본체가 기판에 면하도록 기판 및 마스크를 고정하는 단계, 가열부에 대응하는 마스크의 일 측에 면하도록 증착 재료를 방출하는 증착원을 제공하는 단계, 및 기판 상에 증착 재료를 증착하는 동안 마스크의 가열부를 가열하는 단계를 포함한다.
본 발명은 기판 상에 증착층을 형성하는 성막장치를 제공한다. 성막장치는 증착원 및 마스크를 포함한다. 증착원은 기판을 향해 증착 재료를 방출한다. 마스크는 기판 상에 소망하는 패턴의 증착층을 형성하기 위해 기판과 증착원 사이에 개재된다. 마스크는 마스크 본체, 및 증착원에 면하는 마스크 본체의 일 측 상에 배치되는 가열부를 포함한다.
본 발명의 다른 양태들 및 이점들은 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 원 리를 예로서 설명하는 다음의 상세한 설명으로부터 자명할 것이다.
본 발명의 제 1 실시형태가 도 1 내지 4를 참조하여 이하 설명된다.
제 1 실시형태는 유기 EL 소자 내의 유기층들의 증착에 본 발명을 적용함으로써 구현된다.
먼저, 유기 EL 소자가 설명된다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 유기 EL 소자 (10) 는 본질적으로 유리 기판 (11), 양극 (12), 유기층 (13) 및 음극 (14) 을 포함한다.
유기 기판 (11) 는 가시광선이 통과하도록 하며, 유리 기판 (11) 의 일 표면상에 형성되는 투명 도체층으로서 양극 (12) 를 가진다. 양극 (12) 은 ITO (인듐 주석 산화물) 또는 이와 유사한 것으로 구성되며, 예를 들어 스퍼터링 (sputtering) 에 의해 형성된다.
그 후, 도 1 에 도시된 바와 같이, 이 실시형태에서는, 정공 주입층 (13a), 정공 수송층 (13b), 발광층 (13c), 전자 수송층 (13d), 및 전자 주입층 (13e) 이 이 순서대로 양극 (12) 상에 적층된다. 이 실시형태에서, 이러한 기능층들의 조합은 전체로서 유기층 (13) 으로 불린다.
모든 층들 (13a 내지 13e) 는 타입이 서로 상이한 유기 재료들로 구성되며 진공 증착 프로세스에 의해 증착 재료로서 유기 재료를 증착함으로써 층들로 형성된다.
여기서 사용되는 용어 "기판"은, 양극 (12) 이 형성되어 있고 유기 재료와 같은 증착 재료가 증발되는 유리 기판 (11) 과 같은 플레이트부를 적어도 포함한다.
예를 들어, 유리 기판 상에 단지 양극 (12) 만이 형성된 유리 기판 (11), 및 유리 기판 상에 정공 주입층 (13a), 정공 수송층 (13b), 발광층 (13c), 전자 수송층 (13d) 및 양극 (12) 이 형성된 유리 기판 (11) 은 여기서 사용되는 개념적 표현 "기판"에 포함된다.
또한, 음극 (14) 은 유기층 (13) 상에 형성되고 전자 주입층 (13e) 으로 전자들을 주입하는 전극이며, 통상적으로 증착 기술에 의해 전자 주입층 (13e) 상에 증착된다.
따라서, 구성된 유기 EL 소자 (10) 는 직류가 양극 (12) 및 음극 (14) 에 인가되어 양극 (12) 으로부터 발광층 (13c) 으로 정공들을 주입하고 동시에 음극 (14) 으로부터 발광층 (13c) 으로 전자들을 주입하도록 동작된다.
그 후, 전자들 및 정공들은 재결합되어 발광층 (13c) 에서 여기 상태가 되며, 여기 상태의 에너지는 발광층 (13c) 으로부터 방출되는 광으로 변환된다.
유기 EL 소자 (10) 의 유기층 (13) 을 형성하기 위한 성막장치 (15) 가 이하 설명된다.
도 2 에 도시된 성막장치 (15) 는 소정의 진공 레벨을 유지할 수 있는 챔버 (미도시) 를 포함한다.
기판이 실장되는 실장 테이블 (16) 이 챔버에서 제공된다.
기판 방향으로 유기 재료를 방출할 수 있는 증착원 (17) 이 실장 테이블 (16) 위에 배치되고, 증착원 (17) 과 기판 사이에 마스크 (22) 가 개재된다.
증착원 (17) 의 설명이 다음과 같이 주어진다. 즉, 기판의 폭보다 더 큰 폭을 가지도록 설정된 연장된 증착원 하우징 (deposition source housing ; 18) 은, 증착원 하우징 (18) 으로 하여금 그 하우징 (18) 의 세로 방향에 수직인 방향으로 선형 왕복하고 수평으로는 전후 동작으로 선형 왕복하게 하는 왕복 수단 (미도시됨) 에 의해 지지된다.
증착원 하우징 (18) 은 증착 재료로서 유기 재료를 포함할 수 있고, 또한 기판에 면하도록 그 증착원 하우징 (18) 의 세로 방향을 따르는 라인에서 제공되는 복수의 배출구 (19) 를 가진다.
또한, 증착원 하우징 (18) 은 가열되도록 설계되며, 증착원 하우징 (18) 을 가열함으로써 유기 재료는 기화되거나 또는 승화되고, 기화되거나 또는 승화된 유기 재료는 배출구 (19) 를 통해 방출된다.
또한, 프레임-형상 쉴드 (shield ; 20) 는 배출구 (19) 들을 갖는 증착원 하우징 (18) 아래의 공간을 측 방향으로 둘러싸도록 하방으로 연재하면서 증착원 하우징 (18) 에 부착된다. 쉴드 (20) 의 길이는 증착원 하우징 (18) 과 마스크 (22) 의 가열부 (22d) 사이의 거리와 실질적으로 동일한 길이이며, 이하 설명된다.
이런 식으로 구성된 증착원 (17) 은 왕복 수단의 도움으로 선형으로 왕복할 수 있고, 또한 유기 재료의 커튼 플로우 (curtain flow) 가 방출되는 것처럼 배출구 (19) 를 통해 기판 (11) 방향으로, 기화되거나 또는 승화된 유기 재료를 스트립 (strip) 의 형상으로 방출할 수 있다.
마스크 (22) 의 설명이 이하 주어진다.
도 2 및 도 3 에 도시된 마스크 (22) 는 유리 기판 (11) 과 실질적으로 같은 사이즈이며 기판에 대해 마스크의 위치가 변하지 않도록 마스크 지지 수단 (미도시) 을 통해 기판에 고정된다.
이 실시형태에서의 마스크 (22) 는 소망하는 패턴으로 증착층들을 형성하도록 제공되는 복수의 개구부 (23) 들을 가지며, 또한 도 4 에 도시된 바와 같이 상/하 방향으로 적층된 층들로 구성된 다층 구조를 가진다.
마스크 (22) 는 유리 기판 (11) 에 가장 근접한 마스크 본체 (22a), 마스크 본체 (22a) 상에 제공되는 냉각부 (22b), 냉각부 (22b) 상에 제공되는 단열부 (22c), 및 증착원 (17) 에 가장 근접하여 위치되고 단열부 (22c) 상에 제공되는 가열부 (22d) 를 포함한다.
마스크 본체 (22a) 의 가장 낮은 층은 통상적으로 두께 약 0.2 mm 인 얇은 금속 플레이트이며, 유기 층 (13) 을 소망하는 패턴으로 형성하기 위한 복수의 개구부 (23a) 들을 가진다.
또한, 마스크 본체 (22a) 의 개구부 (23a) 의 폭은 개구부 (23a) 의 일 측이 2 inch가 되도록 설정될 수 있다.
마스크 본체 (22a) 상에 형성되는 냉각부 (22b) 가 제공되어 마스크 본체 (22a) 를 냉각시켜 마스크 본체 (22a) 가 가열되는 것을 방지한다.
이 실시형태의 냉각부 (22b) 는 약 5 mm의 두께를 가지며, 작은 직경을 갖는 파이프 (미도시) 가 냉각부 (22b) 에 삽입되고, 냉각 매체 (cooling medium) 는 파이프를 통해 흐르는 동안 열을 받으며, 나중에 마스크 (22) 외부에서 제공되는 라디에이터 (미도시) 에서 냉각된다. 라디에이터를 떠난 후에, 냉각된 냉각 매체는 냉각부 (22b) 로 돌아간다.
냉각부 (22b) 상에 제공되는 단열부 (22c) 는 열이 마스크 본체 (22a) 로 전달되지 않도록 이하 설명하는 가열부 (22d) 로부터 열을 블로킹하도록 기능하며, 이 실시형태에서는 약 3 mm 두께를 갖는 유리 섬유로 형성된다.
단열부 (22c) 상에 형성되는 가열부 (22d) 는 마스크 (22) 상의 증착원 (17) 으로부터 방출되는 유기 재료의 증착을 방지하도록 기능한다.
이 실시형태의 가열부 (22d) 는 약 0.5 mm 두께 및 높은 저항률을 갖는 얇은 금속 플레이트이다. 미도시된 전력 공급 장치는 전류가 가열부의 일 부분으로부터 가열부의 다른 부분으로 통과하도록 배선 (미도시) 을 통해 가열부에 연결된다. 증착 시에, 전류가 가열부 (22d) 를 통해 통과하도록 전류는 배선을 통해 전력 공급 장치로부터 공급되어, 가열부 (22d) 가 유기 재료의 기화 온도 또는 승화 온도 보다 더 높은 온도까지 가열되게 한다.
따라서, 가열부 (22d) 가 가열되고 있을 때 그리고 증착원 (17) 으로부터 방출된 유기 재료가 가열부 (22d) 에 부착될 때도, 유기 재료는 결코 가열부 (22d) 상에 증착되지 않으며, 재료가 가열부로부터 반사되는 것처럼 가열부 (22d) 로부터 방출된다.
이 실시형태에서, 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 각각은 마스크 본체 (22a) 에서 제공되는 복수의 개구부 (23a) 들과 정렬된 복수의 개구부 (23b, 23c, 23d ) 를 가지며, 이러한 개구부 (23a 내지 23d) 들이 마스크 (22) 의 개구부 (23) 을 형성한다.
다음으로, 유기 재료가 성막장치 (15) 에 의해 기판 상에 증착되는 방식이 설명된다.
유기층 (13) 의 일 부분으로서 정공 주입층 (13a) 이 기판 상에 형성된 양극 (12) 을 갖는 유리 기판 (11) 상에 형성되는 예가 이하 설명된다.
먼저, 유리 기판 상에 형성되는 양극 (12) 을 갖는 유리 기판 (11) 및 마스크 (22) 는 마스크 본체 (22a) 가 기판에 면하도록 고정된다. 그 후, 유리 기판 및 마스크는 소정의 진공 레벨이 유지되는 챔버로 로딩된다.
그 후, 냉각 매체가 마스크 (22) 의 냉각부 (22b) 의 작은 직경 파이프를 통해 통과하여 마스크 본체 (22a) 의 과열을 막는 동안, 증착원 (17) 의 증착원 하우징 (18) 이 가열되고, 정공 주입층 (13a) 을 위한 유기 재료가 배출구 (19) 를 통해 방출된다.
그 후, 왕복 수단을 활성화함으로써, 증착원 (17) 은 선형적으로 그리고 수평으로 마스크 (22) 의 상부 표면을 따라 이동한다. 증착원 (17) 이 마스크 (22) 의 개구부 (23) 위를 통과할 때, 증착원 (17) 으로부터의 유기 재료는 배출구 (19) 를 통해 안내되어 유리 기판 (11) 방향으로 스트립의 형상으로 방출된다.
방출된 유기 재료는 마스크 (22) 의 개구부 (23) 을 통과하고 통과한 유기 재료는 유리 기판 (11) 상에 증착된다.
증착원 (17) 이 마스크 (22) 의 상부 표면 전체에 걸쳐 이동하기 때문에, 증착원 (17) 은 개구부 (23) 에 대응하는 유리 기판 (11) 의 모든 부분 위로 통과한다. 이는 유기재료가 유리 기판 (11) 에 실질적으로 수직인 방향으로부터 개구부 (23) 에 대응하는 유리 기판 (11) 의 모든 부분들로 방출되게 한다.
이러한 점에서, 증착원 (17) 으로부터 방출된 유기 재료의 일 부분이 유리 기판 (11) 상에 증착되지 않고 마스크 (22) 의 가열부 (22d) 상으로 방출되더라도, 방출된 유기 재료에 포함된 열 및 증착원 하우징 (18) 으로부터 방출된 열은 가열부 (22d) 가 유기 재료의 기화 온도 또는 승화 온도 보다 더 높은 온도까지 가열되도록 가열부 (22d) 로 인가된다. 따라서, 유기 재료가 가열부 (22d) 에 부착될 때에도, 유기 재료는 가열부 상에 증착되지 않으며, 가열부 (22d) 로부터 즉시 방출된다.
가열부 (22d) 가 열을 받도록 위치되더라도, 가열부 (22d) 로부터의 열은 단열부 (22c) 에 의해 블로킹되며 또한 냉각부 (22b) 에 의해 냉각되고, 그렇게 함으로써 마스크 본체 (22a) 가 가열되어 열 팽창하는 것을 막는다.
증착원 (17) 이 가열부 (22d) 에 면할 때, 증착원 하우징 (18), 쉴드 (20) 및 가열부 (22d) 는 도 4 에 도시된 바와 같이 거의 완전히 둘러싸인 공간 (21) 을 형성한다, 즉 증착원 (17) 의 일 부분에 의존하여 유리 기판 (11) 과 결합된 이러한 구성요소들은 거의 완전히 둘러싸인 공간 (21) 을 형성한다.
가열부 (22d) 는 방출된 유기 재료에 포함된 열 및 증착원 (17) 으로부터 방출된 열에 의해 유기 재료의 기화 온도 또는 승화 온도보다 더 높은 온도까지 가열되기 때문에, 배출구 (19) 를 통해 증착원 (17) 으로부터 방출된 유기 재료는 가열부 (22d) 에 부착될 때에도 즉시 공간 (21) 으로 재방출된다.
그 후, 공간 (21) 은 거의 완전히 증착원 하우징 (18), 쉴드 (20) 및 가열부 (22d) 에 의해 둘러싸이기 때문에, 공간 (21) 으로 방출된 거의 모든 유기 재료는 공간 (21) 에 남아 있으며, 증착원 (17) 이 이동하여 다음 개구부 (23) 에 면할 때, 유리 기판 (11) 상에 유기 재료가 증착될 확률은 더 높아진다. 이와 같이, 반복적으로 기판 상에 유기 재료를 증착하는 동안 마스크 (22) 위에서 증착원 (17) 을 선형으로 왕복하는 것은 소정의 두께를 갖는 정공 주입층 (13a) 이 유리 기판 (11) 상에 소망하는 패턴으로 형성되게 한다.
증착에 의해 형성될 유기 재료 (13) 는 상이한 재료들로 이루어진 복수의 층들 (13a 내지 13e) 로 구성되어 있으며, 따라서 상이한 유기 재료들은 순차적으로 증착되기 때문에, 통상적으로, 성막장치 (15) 에 의해 증착이 수행되었던 기판은 많은 경우에 또 다른 성막장치로 전달된다.
이 경우에, 증착이 수행되었던 기판만이 일반적으로 상이한 마스크를 이용하여 상이한 유기 재료가 증착되는 다음의 성막장치로 전달되나, 이 실시형태에서는 유기 재료가 마스크 (22) 상에 거의 증착되지 않으며, 따라서 하나의 성막장치 (15) 에서 증착에 사용된 마스크 (22) 는 기판과 함께 다음의 성막장치로 전달될 수 있다.
증착이 수행된 유리 기판 (11) 만이 다음의 성막장치로 전달되고 도 5에서 도시된 바와 같이 다음의 성막장치에서 상이한 마스크를 사용하여 상이한 유기 재료가 증착되는 경우에, 성막장치 (15) 의 증착원 (17) 이 마스크 (22) 에 면하는 동안 준비된 상태로 대기할 수 있도록 접촉부 (contacting member ; 24) 가, 마스크 (22) 의 주변에서 쉴드 (20) 와 접촉하도록 또는 거의 접촉하도록 제공될 수 있다.
바람직하게, 접촉부 (24) 는 접촉부 (24) 가 쉴드 (20) 과 접촉할 만큼의 높 이를 가진다, 즉 쉴드 (20) 는 가열부 (22d) 에 접근할 수 있는 것보다 더욱 가까이 접촉부 (24) 에 접근할 수 있다. 또한, 바람직하게 접촉부 (24) 는 가열부 (22d) 가 가열되는 것처럼 가열된다.
따라서, 공간 (25) 은 공간 (21) 이 증착원 하우징 (18), 쉴드 (20) 및 가열부 (22) 등에 의해 둘러싸이는 것 이상의 정도로 증착원 하우징 (18), 쉴드 (20) 및 접촉부 (24) 에 의해 둘러싸인다, 즉 공간 (25) 는 실질적으로 완전히 둘러싸인다.
증착원 (17) 이 준비된 상태로 대기할 수 있는 마스크 (22) 의 주변의 특정 위치에 접촉부 (24) 를 제공함으로써, 증착원 (17) 으로부터 방출된 유기 재료가 공간 (25) 내에 실질적으로 한정되게 되며, 동시에, 모든 방향으로의 유기 재료의 확산은 유리 기판 (11) 이 증착 받기를 대기하는 할 때 금지된다.
이 실시형태에 따른 마스크 (22), 마스크 (22) 를 이용하는 성막방법 및 성막장치 (15) 는 다음의 유리한 효과를 가져온다.
(1) 가열부 (22d) 가 마스크 (22) 의 마스크 본체 (22a) 위에서 제공되고, 유기 재료가 가열부 (22d) 에 의해 재기화되거나 또는 재승화되기 때문에, 마스크 (22) 상에 유기 재료가 증착되는 것을 막을 수 있다. 또한, 가열부 (22d) 를 통과하는 전류는 가열부 (22d) 의 자기-발열을 야기하기 때문에, 가열부 (22d) 의 온도는 상대적으로 쉽게 제어될 수 있고 또한 통과하는 전류의 양을 제어함으로써 안정화될 수 있다.
(2) 마스크 (22) 는 다층 구조를 가지며, 이 구조의 두께가 증가될 때, 마스크 (22) 의 강도는 향상된다. 이러한 이유로, 마스크 (22) 의 벤딩 (bending) 으로 야기되는 유기층 (13) 의 치수 정확도의 감소를 막을 수 있으며, 또한 마스크 (22) 의 내구성이 개선되면서, 마스크 (22) 를 다루기는 용이해진다.
(3) 마스크 (22) 내에 단열부 (22c) 및 냉각부 (22b) 의 제공은 마스크 본체 (22a) 및 유리 기판 (11) 의 열 팽창을 막으며, 그렇게 함으로써 열 팽창으로 야기되는 유기층 (13) 의 치수 정확도의 감소를 막는다.
(4) 유리 기판이 실장 테이블 (16) 상에 실장되고 그 후 유기 재료가 유리 기판 (11) 위에서부터 증착되기 때문에, 유리 기판의 무게로 인한 유리 기판 (11) 의 벤딩은 결코 발생하지 않으며, 이는 유리 기판 (11) 의 벤딩으로 인한 유기층 (13) 의 치수 정확도의 감소를 막는다.
(5) 증착원 (17) 이 선형으로 이동하고, 유기 재료가 유기 재료의 커튼 플로우처럼 증착원 (17) 으로부터 스트립의 형태로 방출되고, 유기재료가 실질적으로 기판에 수직인 방향으로부터 방출되기 때문에, 유기 재료는 마스크 (22) 의 두께 부분으로 인한 쉐도우의 영향을 거의 받지 않는다. 이는 유리 기판 (11) 상에 유기층 (13) 의 균일한 형성을 가능하게 하고 또한 유기층 (13) 의 치수 정확도의 감소를 막는다.
(6) 증착원 (17) 이 준비 상태로 대기할 수 있는 마스크 (22) 의 특정 위치에 접촉부 (24) 를 제공함으로써, 증착원 하우징 (18), 쉴드 (20) 및 접촉부 (24) 에 의해 둘러싸인 공간 (25) 이 형성되고 또한 증착원 (17) 으로부터 방출된 유기 재료가 공간 (25) 에 실질적으로 한정되며, 따라서 유리 기판 (11) 이 증착 받기를 대기할 때, 증착원 (17) 으로부터 방출된 유기 재료는 결코 낭비되지 않는다. 또한, 증착이 개시될 때, 공간 (25) 에 한정된 유기 재료는 즉시 유리 기판 (11) 상의 증착에 이용될 수 있다.
(7) 쉴드 (20) 가 증착원 하우징 (18) 에 실장되기 때문에, 배출구 (19) 로부터 방출된 유기 재료는 쉴드 (20) 를 따라 인도될 수 있으며, 유기 재료는 증착원 (17) 으로부터 스트립의 형태로 방출될 수 있다. 이는 유기 재료의 증착에 의해 형성된 증착층이 유리 기판 위에서 더욱 균일하게 한다.
(8) 증착원 (17) 이 가열부 (22d) 에 면할 때, 증착원 하우징 (18), 쉴드 (20) 및 가열부 (22d) 는 도 4에서 도시된 바와 같이 거의 완전히 둘러싸인 공간 (21) 을 형성한다, 즉 증착원 (17) 의 위치에 의존하여 유리 기판 (11) 과 결합된 이러한 구성요소들은 거의 완전히 둘러싸인 공간 (21) 을 형성한다. 가열부 (22d) 는 방출된 유기 재료의 열 및 증착원 (17) 으로부터 방출된 열에 의해 유기 재료의 기화 온도 또는 승화 온도 보다 더 높은 온도까지 가열되며, 따라서 유기 재료가 가열부 (22d) 에 부착될 때에도 배출구 (19) 를 통해 증착원 (17) 으로부터 방출된 유기 재료는 공간 (21) 으로 즉시 재방출된다. 이러한 이유로, 유기 재료는 개구부 (23) 에 대응하는 부분 외의 기판의 부분 상에 증착되지 않으며, 따라서 유기 재료의 이용 효율이 개선될 수 있다.
(9) 유기 재료는 마스크 (22) 상에 거의 증착되지 않는다. 이러한 이유로, 증착 동작이 반복될 때에도, 마스크 (22) 의 두께는 거의 변하지 않는 것처럼 보이며, 그렇게 함으로써 일정 조건 하에서 증착이 항상 수행되게 한다. 또한, 마스크가 유기 재료에 의해 오염될 확률이 매우 낮기 때문에, 또한 상이한 유기 재료들이 상이한 챔버에서 동일한 마스크를 이용하여 증착될 수 있다.
이후, 제 2 실시형태에 따른 마스크 (30) 를 도 6을 참조하여 설명한다.
이 실시형태에서, 마스크 (30) 의 개구부 (31) 들은 제 1 실시형태에서의 개구부와는 상이하다.
이 실시형태에서는, 설명의 편의를 위해, 제 1 실시형태에서 사용된 도면 부호의 몇몇이 공통으로 사용되며, 제 1 실시형태에 공통되거나 또는 유사한 구성의 설명은 생략된다.
도 6에서 도시된 바와 같이, 마스크 (30) 는 바닥에서부터 위로, 마스크 본체 (22a), 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 를 포함하며, 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 의 개구부 (31b, 31c, 31d) 모두가 실질적으로 마스크 본체 (22a) 의 개구부 (31a) 에 대응한다.
이 실시형태에서, 개구부 (31b 내지 31d) 가 실질적으로 개구부 (31a) 에 대응한다는 표현은 개구부 (31a) 와 개구부 (31b 내지 31d) 가 서로 유사하거나 실질적으로 유사하고, 또한 개구부 (31a 내지 31d) 의 치수가 서로 근사하다는 것을 의미한다.
이러한 개구부들 (31a 내지 31d) 에 대한 설명이 이후 상세히 주어진다. 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 의 개구부들 (31b 내지 31d) 은 마스크 본체 (22a) 의 개구부 (31a) 보다 더 크도록 설정되고, 단열부 (22c) 의 개구부 (31c) 는 냉각부 (22b) 의 개구부 (31b) 보다 더 크게 되도록 설정되며, 또한 가열부 (22d) 의 개구부 (31d) 는 단열부 (22c) 의 개구부 (31c) 보다 더 크도록 설정된다.
이러한 이유는 마스크 (30) 의 두께 부분으로 인한 쉐도우의 영향이 더욱 안전하게 제거될 필요가 있고, 기판 상에 증착될 유기층 (13) 의 치수 정확도의 감소가 예방될 필요가 있기 때문이다.
이 실시형태에서, 마스크 (30) 의 개구부 (31) 은 가열부 (22d) 로부터 마스크 본체 (22a) 방향으로 순차적으로 형성되는 경사진 표면에 의해 형성된다.
그 후, 이 실시형태의 마스크 (30) 을 이용하여, 유기 재료는 제 1 실시형태와 유사한 방식으로 기판 상에 증착되고, 이 경우 유기 재료는 제 1 실시형태의 마스크 (22) 의 두께의 영향 보다 마스크 (30) 의 두께의 영향을 덜 받는다.
이 실시형태에 따른 마스크 (30), 마스크 (30) 를 이용한 성막방법 및 성막장치 (15) 는 제 1 실시형태에 의해 얻을 수 있는 효과 (1) 내지 (9) 에 더불어 다음의 유리한 효과를 가져온다.
(10) 개구부 (31) 는 가열부 (22d) 로부터 마스크 본체 (22a) 방향으로 순차적으로 형성된 경사진 표면에 의해 마스크 (30) 에 형성되기 때문에, 증착원 (17) 으로부터 방출되는 유기 재료는 마스크 (30) 의 두께의 영향을 거의 받지 않는다. 따라서, 유리 기판 (11) 상에 유기 재료를 증착함으로써 형성되는 유기층 (13) 의 치수 정확도가 증가된다.
제 2 실시형태에 따른 마스크 (30) 의 제 1 변경 예가 도 7을 참조하여 이하 설명된다.
앞서 설명한 마스크 (30) 과 유사하게, 제 1 변경 예에 따른 마스크 (32) 는 마스크 본체 (22a), 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 를 포함한다.
또한, 마스크 (32) 에서, 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 의 개구부들 (33b, 33c, 33d) 은 마스크 본체 (22a) 의 개구부 (33a) 보다 더 크도록 설계되지만, 마스크 본체 (22a), 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 의 개개의 개구부들 (33a 내지 33d) 은 개개의 구성요소 (22a 내지 22d) 의 평면에 수직하게 형성된다.
또한, 마스크 본체 (22a) 의 개구부 (33a) 이외의 개구부 (33) 의 개구부 (33b 내지 33d) 는 개구부 (33b), 개구부 (33c) 및 개구부 (33d) 의 순서대로 더 크게 설정된다.
따라서, 마스크 (32) 의 개구부 (33) 는 개개의 구성요소 (22a 내지 22d) 의 개구부 (33a 내지 33d) 로 구성되며 개구부 (33a 내지 33d) 가 함께 계단식 개구부를 형성한다.
마스크 (32) 를 사용할 때, 증착은 마스크 (32) 의 두께에 의해 영향을 받지 않으며, 유리 기판 (11) 상의 유기층 (13) 의 치수 정확도의 감소를 막을 수 있다.
또한, 마스크 본체 (22a), 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 의 개개의 개구부 (33a 내지 33d) 는 개개의 구성요소 (22a 내지 22d) 의 평면에 수직으로 형성되기 때문에, 개개의 구성요소 (22a 내지 22d) 에서 개구부 (33a 내지 33d) 들을 형성하는 것과 같은 프로세싱은 비교적 단순화되고, 또한 예를 들어 개구부 (33a 내지 33d) 가 개개의 구성요소 (22a 내지 22d) 에 독립적으로 형성되기 때문에 마스크 (32) 의 제조가 용이해진다.
제 2 변경 예에 따른 마스크 (34) 가 도 8을 참조하여 이하 설명된다.
마스크 (30) 과 유사하게, 제 2 변경 예에 따른 마스크 (34) 에서는, 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 의 개구부들 (35b 내지 35d) 은 마스크 본체 (22a) 의 개구부 (35a) 보다 더 크게 설정된다.
마스크 (34) 에서는, 냉각부 (22b), 단열부 (22c) 및 가열부 (22d) 가 개개의 개구부들 (35b 내지 35d) 가 개개의 구성요소 (22b 내지 22d) 가 갖는 경사진 표면에 의해 형성되고 개개의 구성요소 (22b 내지 22d) 의 경사진 표면이 동일 평면상에 있지 않도록 구성된다.
그 결과, 개개의 구성요소 (22b 내지 22d) 가 개구부 (33b 내지 33d ) 를 형성하는 경사진 표면을 가지지만, 단면으로 이러한 개구부들을 볼 때 개구부 (35) 는 다단계 구성을 갖는 것처럼 보인다.
제 2 변경 예에 따른 마스크 (34) 는 유리 기판 (11) 상의 유기층 (13) 의 질이 변화는 것을 막을 수 있다는 점에서 마스크 (30, 32) 을 사용한 실시형태의 효과와 유사한 유리한 효과를 가져온다.
제 3 실시형태에 따른 마스크 (40) 가 도 9를 참조하여 설명된다.
이 실시형태에 따른 마스크 (40) 은 마스크 본체 (40a), 마스크 본체 (40a) 상에 제공되는 냉각부 (40b) 및 냉각부 (40b) 상에 제공되는 가열부 (40c)를 포함한다.
상술한 실시형태와 유사하게, 이 실시형태에서, 마스크 본체 (40a) 의 개구부 (41a) 에 실질적으로 대응하는 개구부 (41b, 41c) 는 냉각부 (40b) 및 가열부 (40c) 에서 각각 제공되며, 또한 마스크 (40) 의 두께 부분으로 인한 쉐도우의 영향을 막는다. 서로 조합하여, 개구부 (41b, 41c) 는 공통 경사 표면을 형성하고 마스크 (40) 의 개구부 (41) 를 형성한다.
이 실시형태에 따른 마스크 (40)에서, 냉각부 (40b) 는 전류 통과시 냉각 기능을 갖는 열전기 소자를 포함한다.
더욱 상세하게, 이 실시형태는 원재료로서 창연 (bismuth : Bi)/안티몬 (antimony : Sb)/텔루르 (tellurium : Te) 를 포함하는 P 형 열전기 반도체 및 N 형 반도체로 구성되는 펠티어 (Peltier) 소자를 이용하며, 펠티어 소자에서는 냉각부 (40b) 로부터 회수된 열이 가열부 (40c) 로 전달되어 마스크 본체 (40a) 를 냉각한다.
따라서, 마스크 (40) 의 가열부 (40c) 가 증착시 가열될 때에도, 냉각부 (40b) 의 펠티어 소자를 통해 전류가 통과함으로써 마스크 본체 (40a) 는 냉각되며, 반면 가열부 (40c) 로부터의 열은 냉각부 (40b) 에 의해 블로킹되고, 그렇게 함으로써 마스크 본체 (40a) 의 열 팽창의 발생을 막는다.
또한, 냉각부 (40b) 가 받은 열은 가열부 (40c) 로 전달되기 때문에, 가열부 (40c) 는 효과적으로 가열될 수 있다.
이 실시형태에 따라, 다음의 부가적인 유리한 효과를 가져올 수 있다.
(11) 냉각부 (40b) 가 받은 열은 가열부 (40c) 로 전달되기 때문에, 기판의 냉각 및 가열부 (40c) 의 가열이 효과적으로 수행된다.
(12) 마스크 (40) 에서의 열 절연층의 형성은 생략될 수 있기 때문에, 마스크 (40) 의 두께가 매우 커지는 것을 막을 수 있으며, 그렇게 함으로써 마스크 (40) 의 두께의 영향이 더욱 감소되도록 한다.
(13) 냉각부 (40b) 의 열전기 소자를 통과하는 전류의 제어는 마스크 본체 (40a) 의 냉각이 상황에 따라 안정하게 수행되도록 한다.
본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않으며 본 발명의 원리를 벗어나지 않고서 여러 방법으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 다음의 변경이 가능하다.
제 1 실시형태 내지 제 3 실시형태에서, 마스크가 기판 상에 배치되고 또한 마스크 위의 증착원으로부터 방출된 유기 재료가 기판의 상부 표면상에 증착되지만, 마스크는 예를 들어 기판의 아래에 배치될 수 있고, 증착원으로부터 방출된 유기 재료를 기판의 하부 표면상에 증착시키기 위해 증착원은 마스크 아래에 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 마스크가 증착원 위에 배치될 때, 마스크는 그것의 무게에 의해 벤딩되며, 그 결과 증착될 증착 재료의 치수의 정확도를 감소시키는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명에 따른 마스크는 종래 마스크 보다 더 큰 강도 (rigidity) 를 가지기 때문에, 마스크가 그것의 무게로 인해 벤딩하는 정도는 더 작으며, 또한 증착될 증착 재료의 치수의 정확도가 향상된다.
또한, 더욱 일반적으로, 마스크가 기판과 증착원 사이에 위치되고 마스크의 가열부가 증착원에 면하도록 위치되는 한, 기판, 마스크 및 증착원은 수직 방향 또는 측 방향과 같이 어느 방향으로도 배치될 수 있다.
제 1 실시형태 내지 제 3 실시형태에서, 증착원은 상대적으로 기판 상에 마스크를 병합하는 기판으로 이동하도록 구성되고 실장 테이블 상에 위치되지만, 마 스크 및 기판은 증착원이 고정되어 있는 동안은 함께 이동하도록 구성될 수도 있다. 즉, 기판 상에 마스크를 병합하는 기판 및 증착원은 서로 반대 방향으로 이동하도록 구성될 수도 있다.
제 1 실시형태 내지 제 3 실시형태에서, 증착원으부터 방출된 증착 재료는 유기 EL 소자 용 유기 재료이지만, 유기 EL 소자 용 유기 재료에 한정되지 않으며, 예를 들어, 금속 재료 또는 금속 재료 외의 무기 재료일 수 있다.
제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에서, 마스크의 단열부의 재료는 유리 섬유이지만, 대신에 예를 들어 송진, 세라믹 재료 등일 수도 있고 마스크 본체로의 열 전달을 막을 수 있는 임의의 재료일 수 있다.
제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에서, 마스크의 가열부는 가열부를 통과하는 전류에 의해 자기-발열 (self-heating) 하도록 구성되지만, 가열부는 예를 들어, 가열부 상에 또는 가열부 내에 제공되는 니크롬선과 같은 가열 수단을 부가적으로 포함하도록 구성될 수도 있다.
또한, 가열부는 증착원으로부터 방출된 증착 재료의 열 및 증착원으로부터 방출된 열에 의해 가열되도록 구성될 수도 있다. 이 경우에, 부가적으로 가열 수단을 제공할 필요가 제거된다.
제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에서, 마스크는 단열부 및 냉각부를 포함하지만, 마스크는 예를 들어 가열부, 단열부 및 마스크 본체를 포함하도록 구성될 수 있다. 이 경우에, 가열부로부터의 열이 마스크로 전달되는 것을 막기 위해, 바람직하게는 매우 효과적인 열-블로킹 능력을 갖는 재료가 이용된다. 이는 마스 크 본체의 열 팽창을 막으며, 또한 마스크의 두께가 매우 커지는 것을 막는다.
따라서, 본 예들 및 실시형태들은 예시적일 뿐 제한적으로 간주되어서는 안되며, 본 발명은 여기서 주어진 상세 사항에 한정되어서는 안되며 변경될 수 있다.
본 발명은 증착 마스크, 마스크를 이용하는 성막방법 및 마스크를 이용하는 성막장치에 관한 것으로서, 기판 상에 증착 재료의 증착이 마스크를 이용하여 기판 상에 증착층을 형성하는 동안에 억제되고, 높은 치수의 정확도를 가지고 기판 상에 증착층이 형성되고, 증착 재료의 이용 효율이 향상된다.

Claims (15)

  1. 증착을 위해 증착원 및 기판 사이에 개재되고, 상기 증착원으로부터 방출된 증착 재료를 통과하게 하여 상기 기판 상에 소망하는 패턴의 증착층을 형성하기 위한 개구부를 갖는 마스크로서,
    상기 개구부를 갖는 마스크 본체; 및
    증착 중에 가열되고, 상기 증착원에 면하는 상기 마스크 본체의 일 측에 배치되며, 상기 마스크 본체의 개구부에 대응하는 개구부를 갖는 가열부를 포함하는, 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 증착원 및 상기 증착 재료로부터의 열에 의해 가열되는, 마스크.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부는 자기-발열 수단을 갖는, 마스크.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부의 개구부는 상기 마스크 본체의 개구부보다 더 크게 설계되는, 마스크.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착층은 유기 EL 소자 용 유기층인, 마스크.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부와 상기 마스크 본체 사이에 개재되는 단열부를 더 포함하며,
    상기 단열부는 상기 마스크 본체의 개구부 및 상기 가열부의 개구부에 대응하는 개구부를 갖는, 마스크.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 단열부의 개구부는 상기 마스크 본체의 개구부보다 더 크게 설계되는, 마스크.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크 본체를 냉각하기 위해 상기 마스크 본체에 접촉하는 냉각부를 더 포함하며,
    상기 냉각부는 상기 증착원에 면하는 상기 마스크 본체의 일 측 상에 배치되고, 상기 마스크 본체의 개구부에 대응하는 개구부를 갖는, 마스크.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 냉각부의 개구부는 상기 마스크 본체의 개구부보다 더 크게 설계되는, 마스크.
  10. 기판 상에 소망하는 패턴의 증착층을 형성하기 위해, 마스크 본체 및 가열부를 구비하는 마스크를 이용한 성막방법으로서,
    상기 마스크 본체가 상기 기판에 면하도록 상기 기판 및 상기 마스크를 고정하는 단계;
    상기 가열부에 대응하는 상기 마스크의 일 측에 면하도록 증착 재료를 방출하는 증착원을 제공하는 단계; 및
    상기 기판 상에 상기 증착 재료를 증착하는 동안 상기 마스크의 상기 가열부를 가열하는 단계를 포함하는, 성막방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 마스크는 냉각부를 더 구비하고,
    상기 성막방법은,
    상기 기판 상에 상기 증착 재료를 증착하는 동안, 상기 냉각부를 이용하여 상기 마스크 본체를 냉각하는 단계를 더 포함하는, 성막방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 증착 재료를 증착하는 동안, 상기 기판 및 상기 증착 원을 상대적으로 이동시키는 단계를 더 포함하는, 성막방법.
  13. 기판 상에 증착층을 형성하는 성막장치로서,
    상기 기판 쪽으로 증착 재료를 방출하는 증착원; 및
    상기 기판 상에 소망하는 패턴의 증착층을 형성하기 위해, 상기 기판과 상기 증착원 사이에 개재되는 마스크를 포함하며,
    상기 마스크는,
    마스크 본체, 및
    상기 증착원에 면하는 상기 마스크 본체의 일 측 상에 배치되는 가열부를 포함하는, 성막장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 증착원으로부터 상기 마스크 쪽으로 연재하는 쉴드를 더 포함하며,
    상기 쉴드의 길이는 상기 증착원과 상기 가열부 사이의 거리와 실질적으로 동일한, 성막장치.
  15. 제 13 항에 있어서.
    상기 기판 및 상기 증착원을 상대적으로 이동시키는 수단을 더 포함하는, 성막장치.
KR1020040058160A 2003-07-28 2004-07-26 증착용 마스크, 이를 이용한 성막방법 및 이를 이용한성막장치 KR100679907B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00202146 2003-07-28
JP2003202146A JP2005044592A (ja) 2003-07-28 2003-07-28 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050013934A KR20050013934A (ko) 2005-02-05
KR100679907B1 true KR100679907B1 (ko) 2007-02-07

Family

ID=34131371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040058160A KR100679907B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 증착용 마스크, 이를 이용한 성막방법 및 이를 이용한성막장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050037136A1 (ko)
JP (1) JP2005044592A (ko)
KR (1) KR100679907B1 (ko)
TW (1) TWI250217B (ko)

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5064810B2 (ja) * 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
TWI475124B (zh) 2009-05-22 2015-03-01 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101097311B1 (ko) 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
KR20110014442A (ko) 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
KR101127575B1 (ko) 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
JP5676175B2 (ja) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101127578B1 (ko) 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
JP5746871B2 (ja) * 2011-01-21 2015-07-08 株式会社アルバック 成膜装置及び薄膜の形成方法
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
WO2012164546A2 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Microheater-based in situ self-cleaning dynamic stencil lithography
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
DE102012200180A1 (de) * 2012-01-09 2013-07-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung optoelektronischer organischer Bauteile, Vorrichtung hierfür und optoelektronisches organisches Bauteil
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101493983B1 (ko) * 2013-11-14 2015-02-17 주식회사 선익시스템 유기 태양전지 기판의 가열 장치
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
WO2016204022A1 (ja) * 2015-06-16 2016-12-22 株式会社アルバック 成膜方法及び成膜装置
JP6345899B2 (ja) * 2016-02-23 2018-06-20 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機el表示装置の製造方法
DE102017120529A1 (de) * 2017-09-06 2019-03-07 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat unter Verwendung einer Maske
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
KR20220056914A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치
KR20240067445A (ko) 2022-11-09 2024-05-17 (주)코앤코 냉각 기능이 강화된 열차단필름 제조용 스퍼터링 마스크

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3241519A (en) * 1962-04-05 1966-03-22 Western Electric Co Tensioned and cooled mask
US3683847A (en) * 1971-02-19 1972-08-15 Du Pont Apparatus for vacuum metallizing
US20040086639A1 (en) * 2002-09-24 2004-05-06 Grantham Daniel Harrison Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly

Also Published As

Publication number Publication date
TW200523381A (en) 2005-07-16
JP2005044592A (ja) 2005-02-17
US20050037136A1 (en) 2005-02-17
KR20050013934A (ko) 2005-02-05
TWI250217B (en) 2006-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100679907B1 (ko) 증착용 마스크, 이를 이용한 성막방법 및 이를 이용한성막장치
JP5324010B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法
KR100826743B1 (ko) 유기 박막의 제조장치
US9249493B2 (en) Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US7785663B2 (en) Successive vapour deposition system, vapour deposition system, and vapour deposition process
JP5710734B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
KR20130015144A (ko) 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
US20050244580A1 (en) Deposition apparatus for temperature sensitive materials
JP2007186787A (ja) 蒸着坩堝並びにこれを備えた薄膜形成装置、及び表示装置の製造方法
JP2007227086A (ja) 成膜装置および発光素子の製造方法
KR20070009990A (ko) Oled용 감온성 물질의 기화
KR100666575B1 (ko) 증발원 및 이를 이용한 증착 장치
US20050211172A1 (en) Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures
JP4442558B2 (ja) 蒸発源の加熱制御方法,蒸発源の冷却制御方法および蒸発源の制御方法
KR102201121B1 (ko) 고진공 oled 증착 공급원 및 시스템
JP3175733B2 (ja) 有機el素子の製造方法
KR20140019579A (ko) 증착 장치
JP2004269948A (ja) 成膜装置、成膜方法および表示装置の製造方法
KR100666573B1 (ko) 증발원 및 이를 이용한 증착 장치
KR100830302B1 (ko) 증발원
JP2009531550A (ja) 金属および有機材料の均一な蒸発
KR102054477B1 (ko) 박막 증착 장치
JP4026449B2 (ja) 有機電界発光素子の製造装置
KR20190134367A (ko) 증착용 각도제한판 및 이를 포함하는 증착장치
KR102222875B1 (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee