KR100658173B1 - 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로 - Google Patents

프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100658173B1
KR100658173B1 KR1020050129446A KR20050129446A KR100658173B1 KR 100658173 B1 KR100658173 B1 KR 100658173B1 KR 1020050129446 A KR1020050129446 A KR 1020050129446A KR 20050129446 A KR20050129446 A KR 20050129446A KR 100658173 B1 KR100658173 B1 KR 100658173B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
variable resistor
nonvolatile memory
pass filter
band pass
resistance value
Prior art date
Application number
KR1020050129446A
Other languages
English (en)
Inventor
정용철
Original Assignee
매그나칩 반도체 유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매그나칩 반도체 유한회사 filed Critical 매그나칩 반도체 유한회사
Priority to KR1020050129446A priority Critical patent/KR100658173B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100658173B1 publication Critical patent/KR100658173B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/04—Frequency selective two-port networks
    • H03H11/12—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/04—Frequency selective two-port networks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters

Abstract

본 발명은 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로에 관한 것으로, 가변저항부를 구비하여, 그 가변저항부의 저항값에 따라 중심주파수가 결정되는 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로에 있어서, 상기 가변저항부는 프로그램 상태에서 저항으로 동작하는 상호 병렬연결되는 다수의 비휘발성 메모리셀과, 각 비휘발성 메모리셀을 선택하는 디코더를 포함하여 구성된다. 이와 같이 구성된 본 발명은 프로그램된 셀이 저항으로 작용하는 비휘발성 메모리를 가변저항으로 이용함으로써, 전압의 공급을 제어하여 저항값을 변경시켜, 패키지 후에도 밴드 패스 필터 회로의 프로그램이 가능한 효과가 있다.
안티퓨즈, 밴드패스필터, 가변저항

Description

프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로{Programmable circuit for band pass filter}
도 1은 일반적인 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로도이다.
도 2는 종래 밴드 패스 필터 회로에 사용하는 가변저항부의 회로도이다.
도 3은 본 발명에 따른 밴드 패스 필터 회로에 사용하는 가변저항부의 회로도이다.
도 4는 상기 본 발명에 따른 가변저항부를 프로그램하는 과정의 설명을 위한 회로도이다.
도 5는 상기 본 발명에 따른 가변저항부의 읽기 동작을 설명하기 위한 회로도이다.
도 6은 본 발명의 가변저항부에 사용되는 비휘발성 메모리셀의 프로그램되지 않은 상태의 등가회로도이다.
도 7은 본 발명의 가변저항부에 사용되는 비휘발성 메모리셀의 프로그램 상태의 등가회로도이다.
도 8은 상기 비휘발성 메모리셀의 전압대 전류특성 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 가변저항부 11,12,13,14 : 비휘발성 메모리셀
15 : 디코더
본 발명은 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로에 관한 것으로, 특히 비휘발성 메모리를 이용하여 밴드 패스 필터의 입력저항을 변경하여, 이득과 대역폭은 일정하면서 중심 주파수를 변경할 수 있는 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로에 관한 것이다.
일반적으로, 밴드 패스 필터 회로는 가변저항을 이용하여 중심주파수를 변경하는 것이며, 그 가변저항을 구현하기 위하여 여러 개의 저항을 웨이퍼 상에 구현하고, 레이저를 이용하여 선택적으로 도선을 절단하는 방법 또는 칩 외부에서 소자를 연결하는 방법을 사용하였으며, 이와 같은 종래의 가변 저항을 이용한 밴드 패스 필터 회로를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 밴드 패스 필터 회로도이다.
이를 참조하면, 일단에 입력전압(Vin)이 공급되는 제 1저항(R1)과, 상기 제 1저항(R1)의 타단에 일단이 접속되고, 타단은 접지되는 가변저항(R3)과, 상기 제 1저항(R1)과 가변저항(R3)의 접점을 증폭부(AMP)의 음입력단에 연결하는 제 1커패시터(C1), 상기 증폭부(AMP)의 출력단과 상기 음입력단을 연결하는 제 2저항(R2)과, 상기 제 1저항(R1)과 가변저항(R3)의 접점을 증폭부(AMP)의 출력단에 연결하는 제 2 커패시터(C2)와, 상기 증폭부(AMP)의 출력단과 접지 사이에 연결되어 출력전압(Vout)을 출력하는 출력저항(Rout)을 포함한다.
다음에 설명할 수학식 1은 상기와 같이 구성된 밴드 패스 필터의 중심주파수(fo)와 그 중심주파수에서의 이득(AV) 및 대역폭(??f)을 나타낸 것이다.
Figure 112005076098290-pat00001
상기 수학식 1에 나타난 바와 같이, 상기와 같이 구성된 밴드 패스 필터 회로는 상기 가변저항(R3)의 저항값에 따라 중심주파수(fo)만 변화하며, 대역폭(??f) 및 중심주파수에서의 이득(AV)은 변하지 않는다.
그러나, 종래와 같이 레이저를 이용하여 저항값을 변화시키는 방법은 저항값의 오차를 늘릴 뿐 아니라, 레이저의 사용으로 기판을 손상시킬 수 있는 문제점이 있었다.
또한, 상기와 같은 기판 손상을 방지하기 위해 일정 공간을 이격시켜 제조하는 경우에는 상대적으로 많은 면적을 필요로 하므로, 집적도를 현저하게 저하시킬 수 있으며, 패키징 후에는 이러한 방법을 사용할 수 없는 문제점이 있었다.
아울러, 칩 외부에 소자를 연결하여 저항값을 변화시키는 방법은, 모든 시스템을 하나의 칩에 구현하기가 매우 용이하지 않은 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 전기적인 신호의 공급으로 저항값을 변경할 수 있는 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로를 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 가변저항부를 구비하여, 그 가변저항부의 저항값에 따라 중심주파수가 결정되는 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로에 있어서, 상기 가변저항부는 프로그램 상태에서 저항으로 동작하는 상호 병렬연결되는 다수의 비휘발성 메모리셀과, 각 비휘발성 메모리셀을 선택하는 디코더를 포함하여 구성된다.
이하 상기와 같이 구성된 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 가변저항부(10)의 회로도이다.
이를 참조하면, 본 발명에 따른 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로는 상기 제1저항(R1)과 접지 사이에서 상호 병렬연결되는 비휘발성 메모리셀(11,12,13,14)과, 그 비휘발성 메모리셀(11,12,13,14)의 억세스를 제어하는 디코더(15)를 포함하여 구성된다.
상기 비휘발성 메모리셀(11,12,13,14)은 선택적으로 프로그램이 가능하며, 프로그램된 메모리셀의 저항과 프로그램되지 않은 메모리셀의 저항차이를 이용하여 가변저항부(10)로 사용이 가능하다.
도 4는 상기 본 발명에 따른 가변저항부(10)를 프로그램하는 과정의 설명을 위한 회로도이다.
이를 참조하면 디코더(15)로부터 선택전압(Vst)을 인가받은 비휘발성 메모리셀(11,12)에 구비된 억세스 트랜지스터(ANM1,ANM2)는 턴온되며, 상기 제1저항(R1)과의 접점에서 공급되는 프로그램 전압(Vpp)에 의해 프로그램된다.
즉, 상기 디코더(15)는 가변저항부(10)의 저항값에 따라 적정한 수의 비휘발성 메모리셀을 턴온시켜, 프로그램되도록 한다.
상기 프로그램의 의미는 안티퓨즈 원 타임 프로그램(antifuse one time program) 메모리와 같이 두 도전체 사이의 절연막을 파괴하여 그 두 도전체 사이에 전류가 흐르도록 하는 것이며, 프로그램되지 않은 셀은 두 도전체 사이에 전류가 흐르지 못하도록 차단하는 것이다.
상기 도 4에서는 비휘발성 메모리셀(11,12)이 프로그램된 상태이며, 비휘발성 메모리셀(13,14)는 프로그램되지 않은 상태이다.
도 5는 상기 도 4에서 프로그램된 비휘발성 메모리셀들이 가변저항부(10)로 이용되는 과정의 설명을 위한 회로도이다.
이를 참조하면, 본 발명에 따른 프로그램 가능한 밴드 패스 필터가 동작할 때 가변저항부(10)의 각 비휘발성 메모리셀(11,12,13,14)의 억세스 트랜지스터(ANM1~ANM4)의 게이트에는 비휘발성 메모리셀의 데이터를 읽는 읽기전압(Vdd)이 공급된다.
이때, 상기 프로그램된 비휘발성 메모리셀(11,12)은 저항으로 작용하며, 프로그램되지 않은 비휘발성 메모리셀(13,14)은 커패시터로 작용한다.
상기 커패시터로 작용하는 비휘발성 메모리셀(13,14)은 직류전류를 차단하여 단선된 것과 같은 효과를 나타낸다.
도 6은 프로그램이 되지 않은 비휘발성 메모리셀의 등가회로도이고, 도 7은 프로그램된 비휘발성 메모리셀의 등가회로도이다.
즉, 상기 프로그램된 비휘발성 메모리셀(11,12)은 절연막이 파괴되어 저항성 분을 가지며 전류를 흐르게 하는 것이나, 프로그램되지 않은 비휘발성 메모리셀은 절연막이 파괴되지 않아 전류가 흐르지 못하도록 차단하는 역할을 한다.
도 8은 상기 비휘발성 메모리셀의 전압대 전류특성 그래프이다.
이를 참조하면, 프로그램되지 않은 오프 스태이트 상태의 셀은 워드라인 전압의 증가에도 변화하지 않는 0의 전류값을 나타낸다.
그러나, 프로그램된 온 스태이트 상태의 셀은 워드라인전압의 증가에 따라 선형으로 변화하는 전류값을 나타내며, 이는 저항으로 동작하고 있음을 나타내는 것이다.
이처럼 외부의 레이저 등 물리적인 커팅수단을 사용하지 않고, 전압의 공급에 의해 프로그램하여 사용할 수 있게 됨으로써, 패키지 후에도 프로그램이 가능하다.
이와 같이 비휘발성 메모리를 가변저항으로 이용하여 밴드 패스 필터의 중심주파수를 용이하게 변경할 수 있다. 이때 비휘발성 메모리인 가변저항부(10)에 의하여 밴드 패스 필터의 중심 주파수가 변경되나 이득과 대역폭은 변화되지 않는다.
또한, 상기 가변저항부(10)는 비휘발성 메모리를 이용한 고정저항으로 사용 할 수 있으며, 그 고정저항으로 상용되는 비휘발성 메모리와 상기 비휘발성 메모리를 이용한 가변저항부(10)를 병렬로 연결하여 원하는 저항값을 보다 용이하게 구현할 수 있다.
그리고, 상기 가변저항부(10)는 반도체 장치의 제조과정과 동시에 형성할 수 있으며, 별도의 제조공정의 증가 없이 가변저항으로의 동작이 가능한 가변저항부(10)를 제조할 수 있다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다.
상기한 바와 같이 본 발명 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로는 프로그램된 셀이 저항으로 작용하는 비휘발성 메모리를 가변저항으로 이용함으로써, 전압의 공급을 제어하여 저항값을 변경시켜, 패키지 후에도 밴드 패스 필터 회로의 프로그램이 가능한 효과가 있다.
또한, 전기적인 신호를 이용하여 프로그램이 가능함으로써, 외부에서 레이저를 이용하여 저항을 커팅하는 방식에 비하여 집적도를 향상시킬 수 있게 된다.

Claims (7)

  1. 가변저항부를 구비하여, 그 가변저항부의 저항값에 따라 중심주파수가 결정되는 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로에 있어서,
    상기 가변저항부는 프로그램 상태에서 저항으로 동작하는 상호 병렬연결되는 다수의 비휘발성 메모리셀과, 각 비휘발성 메모리셀을 선택하는 디코더를 포함하는 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가변저항부 저항값의 변화에 따라 중심주파수가 변화되며, 대역폭과 이득은 변화되지 않는 것을 특징으로 하는 밴드 패스 필터 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리는 프로그램 상태에서 절연막이 파괴되어 두 전극 간에 전류가 흐르도록 하며, 프로그램되지 않은 상태에서는 절연막에 의해 전류가 흐르지 못하도록 차단하는 안티퓨즈 원 타임 프로그램 메모리인 것을 특징으로 하는 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리의 프로그램 상태에서 절연막의 파괴 및 프로그램되지 않은 상태에서의 절연막 유지는 비휘발성 메모리의 메모리셀에 선택적인 전압의 공급에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 밴드 패스 필터 회로.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리는 패키지를 수행하기 전 또는 패키지를 수행한 후에 이루어지는 것을 특징으로 하는 밴드 패스 필터 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가변저항부는 다른 반도체 장치와 동일 기판에 제조되며, 그 다른 반도체 장치의 제조공정을 이용하여 동시에 제조된 것을 특징으로 하는 밴드 패스 필터 회로.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    상기 가변저항부는 고정저항과 병렬로 연결되어 저항값을 변경하는 것을 특 징으로 하는 밴드 패스 필터 회로.
KR1020050129446A 2005-12-26 2005-12-26 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로 KR100658173B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050129446A KR100658173B1 (ko) 2005-12-26 2005-12-26 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050129446A KR100658173B1 (ko) 2005-12-26 2005-12-26 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100658173B1 true KR100658173B1 (ko) 2006-12-15

Family

ID=37733480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050129446A KR100658173B1 (ko) 2005-12-26 2005-12-26 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100658173B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950006882A (ko) * 1993-08-18 1995-03-21 김광호 프로그램어블 가변저항기 및 조정방법
JPH1174776A (ja) 1997-09-01 1999-03-16 Toshiba Corp プログラマブル・インピーダンス回路
KR20050066554A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 매그나칩 반도체 유한회사 프로그래머블 가변 저항기를 이용한 밴드패스 필터회로의구현방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950006882A (ko) * 1993-08-18 1995-03-21 김광호 프로그램어블 가변저항기 및 조정방법
JPH1174776A (ja) 1997-09-01 1999-03-16 Toshiba Corp プログラマブル・インピーダンス回路
KR20050066554A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 매그나칩 반도체 유한회사 프로그래머블 가변 저항기를 이용한 밴드패스 필터회로의구현방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6927997B2 (en) 3-transistor OTP ROM using CMOS gate oxide antifuse
US9502424B2 (en) Integrated circuit device featuring an antifuse and method of making same
JP4940144B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI583177B (zh) 非揮發性記憶體裝置
US9502132B2 (en) Multi level antifuse memory device and method of operating the same
US20030155961A1 (en) Redundant antifuse segments for improved programming efficiency
US20100157659A1 (en) Digital potentiometer using third dimensional memory
EP1354359A1 (en) System and method for one-time programmed memory
JP2006236511A (ja) 半導体集積回路装置
KR20060006071A (ko) 퓨즈 및 형성 방법
US9514839B2 (en) Nonvolatile memory, nonvolatile programmable logic switch including nonvolatile memory, and nonvolatile programmable logic circuit
CN103943624A (zh) 存储元件、半导体器件和写入方法
US20120195091A1 (en) Method and System for Split Threshold Voltage Programmable Bitcells
US20150279479A1 (en) Anti-fuse one-time programmable resistive random access memories
US20130279282A1 (en) E-fuse array circuit
KR20020077035A (ko) 어드레스 발생 회로
US11785766B2 (en) E-fuse
CN111445943B (zh) 一种片上一次可编程电路
JP2014179481A (ja) 半導体装置および電子機器
KR100658173B1 (ko) 프로그램 가능한 밴드 패스 필터 회로
US9672907B2 (en) Controlling both current and voltage of resistive random access memory device
JP2005285225A (ja) 不揮発性メモリ回路及び半導体装置
CN109903802B (zh) 一次性可编程非易失性熔丝存储单元
KR100363888B1 (ko) 오프셋 트리밍용 퓨징셀과, 오프셋 트리밍회로
US7805687B2 (en) One-time programmable (OTP) memory cell

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121121

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131118

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141119

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171117

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181120

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191119

Year of fee payment: 14