KR100643667B1 - 단일 전원을 사용하여 다수의 마그네트론에 전력을공급하는 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

복수의 마그네트론 장치들(30,40)에 전력을 공급하는 시스템 및 방법을 제공한다. 상기 시스템은, 제 1 마그네트론 장치와, 제 2 마그네트론 장치와 제 3 마그네트론 장치(100, 200, 300)에 전력을 공급하는 전원장치(DC)를 구비한다. 제어장치는, 상기 제 2 및 제 3 마그네트론 장치에 각각 전류량을 배분한다.
전원장치, 마그네트론 장치, 제어회로, 홀 효과 센서, 비교장치

Description

단일 전원을 사용하여 다수의 마그네트론에 전력을 공급하는 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR POWERING MULTIPLE MAGNETRONS USING A SINGLE POWER SUPPLY}
본 발명은, 단일 전원으로 전력을 공급하는 복수의 마그네트론을 이용 및/또는 제어하는 것에 관한 것이다.
마이크로파 가열은, 열 에너지의 공급을 포함하는 다수의 공정들에서 아주 큰 이점을 가질 수 있는 기술이다. 하나의 이점은, 어떠한 관성도 없을 때 가열전력을 제어할 수 있다는 것이다.
그러나, 하나의 단점은, 마이크로파 장비가 종래의 것보다 종종 더욱 비싸다는 것이다. 이러한 가열장비의 마그네트론은, 상기 장비의 주요 비용을 구성하는 연관 제어 시스템을 갖는 전원부에 의해 구동되어도 된다. 마그네트론의 출력전력이 한정되어 있으므로, 가열장비는 상당한 수의 마그네트론들과, 연관 전원부들과, 제어 시스템이 있으면, 주어진 가열 요구사항을 달성한다.
마그네트론들을 사용하여 무선 주파수(RF) 에너지를 생성한다. 이러한 RF 에 너지는, 가열 항목(즉, 마이크로파 가열) 등의 서로 다른 목적을 위해 사용되거나 또는 플라즈마를 생성하는데 사용되어도 된다. 다음에, 상기 플라즈마는, 박막적층, 다이아몬드 적층 및 반도체 제조 공정들 등의 여러 가지 서로 다른 공정들에서 사용되어도 된다. 또한, RF 에너지를 사용하여 UV광(또는 가시광)을 발생하는 석영 엔벨로프 내측에 플라즈마를 생성하여도 된다. 이에 관하여 중요한 특성들은, 직류전력을 RF 에너지로 변환할 때 이루어진 고효율과, 상기 마그네트론의 구조가 있다. 하나의 단점은, 소정의 전력 출력을 발생하는데 필요한 전압은, 마그네트론마다 변화한다는 것이다. 이러한 전압은, 마그네트론의 내부 구조와 캐비티 내의 자계강도에 의해 주로 결정된다.
일부의 응용에서는, 상기 필요한 RF 에너지를 제공하기 위해 2개 이상의 마그네트론을 필요로 할 수도 있다. 이들의 경우에, 개개의 전원은 마그네트론마다 필요하였다. 2개 이상의 마그네트론은, 전원을 병렬로 결합시켜도 된다. 그러나, 동일한 디자인의 2개의 마그네트론은, 전압 대 전류 특성이 동일하지 않다. 2개의 동일한 마그네트론간의 정규의 제조 허용오차 및 온도차는, 전압 대 전류 특성이 서로 다른 전압을 산출한다. 이 때문에, 각 마그네트론은 전압이 약간씩 다르다. 예를 들면, 마그네트론은, 하나의 마그네트론은 다른 마그네트론보다 높은 전력 출력을 생성하도록 서로 다른 동작곡선들을 갖는다. 보다 높은 출력전력을 갖는 마그네트론은, 다른 것보다 뜨거워지고, 이에 따라 상기 동작곡선은 떨어지고 상기 전원은 보다 낮은 출력전압까지 클램핑되거나 제한될 것이다. 이것에 의해, 하나의 마그네트론만이 고장으로 인해 전체 전력을 생성하여 다른 마그네트론의 어깨 전압 에 이를 때까지 상기 보다 높은 출력을 생성하는 마그네트론의 전력 출력을 더욱 저하시킨다. 이들 문제점이 없는 복수의 마그네트론을 사용하는 것이 바람직하다.
(발명의 개시)
본 발명의 실시예들은, 전류를 공급하는 전원장치와, 상기 전원장치에 의해 전력이 공급되는 적어도 3개의 마그네트론과, 상기 복수의 마그네트론 장치들 각각에 전류량을 배분하는 제어회로를 구비한 시스템을 제공한다.
상기 제어회로는, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 1 마그네트론 장치 사이에 결합된 제 1 홀 효과 센서와, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 2 마그네트론 장치 사이에 결합된 제 2 홀 효과 센서와, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 3 마그네트론 장치 사이에 결합된 제 3 홀 효과 센서를 구비한다.
상기 제 1 마그네트론 장치는 마스터 마그네트론 장치이고, 상기 제 2 마그네트론 장치는 슬레이브 마그네트론 장치이며, 상기 제 3 마그네트론 장치는 슬레이브 마그네트론 장치이다.
상기 제 1 홀 효과 센서는 제 1 마그네트론 장치에서의 전류를 감지하고, 상기 제 2 홀 효과 센서는 제 2 마그네트론 장치에서의 전류를 감지하며, 상기 제 3 홀 효과 센서는 제 3 마그네트론 장치에서의 전류를 감지한다. 제어회로는, 상기 제 1 홀 효과 센서의 출력과 제 2 홀 효과 센서의 출력을 비교하는 제 1 비교장치를 더 구비한다. 제어회로는, 상기 제 1 홀 효과 센서의 출력과 상기 제 3 홀 효과 센서의 출력을 비교하는 제 2 비교장치를 더 구비한다.
본 발명의 실시예들은, 전원장치와, 이 전원장치에 의해 전력이 공급되는 제 1 마그네트론 장치와, 상기 전원장치에 의해 전력이 공급되는 제 2 마그네트론 장치로 이루어진 시스템을 더 구비한다. 제 1 센서장치는, 제 1 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지하고, 제 2 센서장치는 제 2 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지한다. 제 1 비교장치는, 제 1 센서장치의 출력과 제 2 센서장치의 출력을 비교한다. 제 1 기구는, 상기 제 1 비교장치의 비교에 의한 상기 제 2 마그네트론 장치에의 전류를 조정한다. 상기 시스템은, 상기 전원장치에 의해 전력이 공급되는 제 3 마그네트론 장치와, 상기 제 3 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지하는 제 3 센서장치를 더 구비한다. 제 2 비교장치는, 제 1 센서장치의 출력과 제 3 센서장치의 출력을 비교한다. 제 2 기구는, 상기 제 2 비교장치의 비교에 의한 상기 제 3 마그네트론 장치에의 전류를 조정한다.
본 발명의 실시예들은, 적어도 3개의 마그네트론에 전력을 공급하는 방법을 더 제공한다. 상기 방법은, 제 1 신호선을 따라 제 1 마그네트론 장치에 제 1 전류를 제공하는 단계와, 제 2 신호선을 따라 제 2 마그네트론 장치에 제 2 전류를 제공하는 단계와, 제 3 신호선을 따라 제 3 마그네트론 장치에 제 3 전류를 제공하는 단계를 포함한다. 전류는, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 마그네트론 장치 각각에 배분된다.
본 발명의 다른 목적들, 이점들 및 현저한 특징들은, 본 발명의 바람직한 실시예들을 개시한 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 배치 및 실시예들을, 동일한 도면부호는 동일한 요소들을 나타내는 다음의 첨부도면들을 참조하여 설명하겠다:
도 1은 일례의 배치의 회로도,
도 2는 다른 예의 배치의 회로도,
도 3은 본 발명의 예의 실시예의 회로도이다.
본 발명의 배치 및 실시예들은 반도체 전원 및 제어장치를 내장하여 2개 이상의 마그네트론을 동작시키는 시스템을 구비한다. 특히, 본 발명의 실시예들에 의해, 2개 이상의 마그네트론은 단일(즉, 공통) 전원으로 전력을 공급할 수 있다. 2001년 5월 10일에 출원한 미국특허출원번호 09/852,015에는 단일 전원으로 다수의 마그네트론에 전력을 공급하는 배치가 기재되어 있고, 그것의 주요 내용은 여기서 참고문헌으로 포함된다.
도 1은 예시 배치에 따른 단일 전원으로부터 2개의 마그네트론(또는 2개의 마그네트론 장치)에 전력을 공급하는 회로도이다. 또한, 다른 배치들 및 구성들도 가능하다. 특히, 도 1은 고전압 저 리플 직류 전원 등의 전원(10)을 나타낸다. 보다 구체적으로는, 상기 전원(10)은, 4.6KV에서 1.68 앰프 출력이 가능한 반도체 고압 전원을 구비한다. 상기 전원(10)은, 정전류 출력(또는 대략 정전류)을 제공하도 록 설계되어 있다. 다른 전류 및 전력도 가능하다. 전원(10)은, 제 1 신호선(12)은 제 1 방향(즉, 시계방향)으로 홀 효과 전류 트랜스포머(20)를 둘러싸고, 제 2 신호선(14)은 상기 제 1 방향과는 반대인 제 2 방향(즉, 반시계방향)으로 홀 효과 전류 트랜스포머(20)를 둘러싸도록 홀 효과 전류 트랜스포머(20)에 접속된다. 후술하는 것처럼, 상기 홀 효과 전류 트랜스포머(20)는, 상기 신호선(12, 14)을 통과하는 전류를 감지하여, 양쪽의 마그네트론이 전류가 같도록(또는 거의 동일한 전류이도록) 상기 마그네트론 중 하나로 가는 상기 전류를 조정하도록 동작한다. 이에 따라서, 상기 홀 효과 전류 트랜스포머(20)는, 양쪽의 마그네트론에 전류량을 배분한다. 별도로 말하면, 전원(10)은, 상기 홀 효과 전류 트랜스포머(20)에서 감지한 정전류 출력을 공급한다. 종래기술에서 공지된 것처럼, (홀 효과 전류 트랜스포머(20) 등의) 홀 효과 전류 센서는, 홀 효과를 이용하여 자계를 감지하여 비례전압을 출력한다. 상기 홀 효과 전류 트랜스포머(20)의 출력은, 상기 신호선 12와 14간의 전류차에 비례한다.
상기 신호선 12는 마그네트론(400의 음극에 접속되고, 또한 신호선 14는 도 1에 도시된 것과 같은 마그네트론(30)의 음극에 접속된다. 이러한 구성에서, 필라멘트는, 필라멘트를 가열하기 위해 필요한 전류를 제공하는 트랜스포머에 접속된다. 필라멘트 트랜스포머(22, 24)의 1차측은, 상기 신호선(16, 18)을 거쳐 (100-200볼트 등의) AC원으로부터 전력이 공급되어도 된다. 또한, 음극 단자는, 필라멘트 단자들 중 하나와 공유되어도 된다. 이것은, 다른 배치들이 유사하거나 서로 다른 접속을 가짐에 따라 이러한 배치에 특징적이어도 된다.
도 1의 구성에서는, 피드백 루프를 사용하여 마그네트론(40)에서의 전류를 조정한다(또는 전류를 배분한다). 보다 구체적으로는, 홀 효과 전류 트랜스포머(20)는, 신호선(26)에 의해 저항 28과 오차 증폭기(50)에 접속되고, 이 오차 증폭기는 그것의 입력단과 출력단 사이에 접속된 저항 34를 구비한다. 오차 증폭기(50)의 출력은, 신호선(36)을 따라 저항 38에 접속되고, 이 저항 38이 코일 드라이버(60)의 입력단에 접속되고, 이 코일 드라이버는 그것의 입력단과 출력단 사이에 접속된 저항 62를 구비한다. 상기 오차 증폭기(50), 코일 드라이버(60) 및 저항(28,34,38)의 구성 및 동작은, 이들 각 기능을 제공하는 일례일 뿐이다. 다른 저항들 및 증폭기들의 조합 및 구성도 가능하다. 코일 드라이버(60)의 출력은, 신호선(64)을 따라 마그네트론(40)과 연관된 전자마그넷(42)의 시작단자에 인가된다. 상기 전자마그넷(42)의 최종단자에는 도 1에 도시된 것처럼 접지에 접속된다.
변조 입력(70)은, 신호선(72)을 따라 저항(35)을 통해 오차 증폭기(50)의 입력단에 인가된다. 상기 입력(70)에 의해, 마그네트론들간의 전류(전력) 분포를 시변 함수가 될 수 있다. 이것은, 종래의 정류형 무필터링된 전원으로 동작되는 마그네트론들을 모의 실험한다. 일부 형태의 자외선(UV) 전구는, 이러한 형태의 동작에 이롭다.
도 2는 또 다른 예의 배치를 갖는 회로도로, 단일 전원(10)과 2개의 마그네트론(30, 40)을 사용한다. 또한, 다른 배치 및 구성들도 가능하다. 이러한 배치는, 도 1의 배치와 동일하고 상기 전자마그넷 42의 최종단자를 마그네트론(30)과 연관된 전자마그넷 32의 최종단자와 접속시키는 신호선(66)을 또 구비한다. 전자마넷 (32)의 시작단자는 도 2에 도시된 것과 같은 접지에 접속된다. 이러한 형태의 접속은, 소정의 전류방향으로 마그네트론 40의 자계를 증가시키고 마그네트론 30의 자계를 감소시킨다. 이러한 배치에서는, 피드백을 사용하여 상기 마그네트론(30, 40)의 전류를 조정하여도 된다.
전원(10)은, 출력전류를 2개의 마그네트론(30, 40)이 공유하는 정전류를 제공하도록 설계되어 있다. 상기 전류의 공유는, 홀 효과 전류 트랜스포머(20)를 사용하여 가능해진다. 이 홀 효과 전류 트랜스포머(20)는, 상기 신호선(12, 14)에서의 전류를 감지하고, 상기 마그네트론(30, 40) 각각에의 양극전류를 감시하여 상기 전자마그넷 전류를 조정하도록 동작하여, 양쪽의 마그네트론(30, 40)의 전류는 동일하다. 이것은, 오차 증폭기(50)와 코일 드라이버(60)를 구비한 상술한 피드백 루프를 사용하여 상기 홀 효과 전류 트랜스포머(20)의 출력을 강제로 제로로 함으로써 이루어진다. 상기 회로는, 마그네트론(30, 40)에 대해 전류 미러를 제공한다. 또한, 도 2의 배치의 전자마그넷 42와 전자마그넷 32의 사용으로, 한쪽의 마그네트론에서는 자속을 증가시킬 수 있고 나머지 한쪽에서는 자속을 감소시킬 수 있다.
요약하면, 상기 배치는, 적어도 2개의 마그네트론에 전력을 공급하는 단일 전원장치를 갖는 시스템을 제공한다. 이것은, 도면들에 도시된 것과 같은 홀 효과 전류 트랜스포머(20)를 사용하여 각 마그네트론(30,40)의 양극에 인가된 전류를 감지하여 이루어진다. 이러한 구성은, 한 개보다 많은 마그네트론을 갖는 시스템 또는 공정들을 변형시킬 수 있다.
상술한 것처럼, 배치들은, 상기 2개의 마그네트론들 중 하나와 연관된 전자 마그넷 코일을 구비한다. 도 2의 배치에서, 전자마그넷 코일은, 각 마그네트론과 코일 상에서 직렬로 구동된다. 도 1의 배치에서, 코일을 갖는 마그네트론을 통과하는 전류는, 원하는 양으로 조정되고, 사용가능한 전류의 나머지는, 코일없이 마그네트론을 통하여 흐른다. 달리 말하면, 전원으로부터의 전류는, 2개의 마그네트론 사이에 배분된다. 예를 들면, 제 2 마그네트론을 통과하는 전류는, 코일없는 마그네트론을 통과하는 전류와 같도록 조정된다.
본 발명의 실시예들은, 2개보다 많은 마그네트론들에 적용가능하다. 예를 들면, 한쪽의 마그네트론은 코일없는 것인 반면에, 다른쪽의 2개의 마그네트론(또는 2개보다 많은 마그네트론)은 각각 전자기 코일을 갖는다. 코일없는 마그네트론은, 마스터 마그네트론이라고 하고 상기 코일있는 마그네트론은 슬레이브 마그네트론이라고 한다. 상기 슬레이브 마그네트론에서는, 상기 마스터 마그네트론과 관련시켜 전류를 조정한다.
도 3은 본 발명의 예시 실시예에 따른 회로도이다. 상기 회로가 동작하여 마스터 마그네트론과 관련하여 슬레이브 마그네트론에서의 전류를 조정한다(또는 전류를 배분한다). 또한, 다른 실시예들 및 구성들은, 본 발명의 범위 내에 포함된다. 예를 들면, 도 3은 단지 3개의 마그네트론을 나타내지만, 또한, 다른 마그네트론의 수도 본 발명의 범위 내에 포함된다.
도 3은 마스터 마그네트론(100)과 2개의 슬레이브 마그네트론(200, 300)을 나타낸다. 도시된 것처럼, 홀 효과 센서(105)(홀 효과 전류 트랜스포머라고도 함)는, 전원(10)과 마스터 마그네트론(100) 사이에 접속된다. 또한, 홀 효과 센서 205 는, 상기 전원(10)과 상기 슬레이브 마그네트론(200) 사이에 접속되고, 홀 효과 센서 305는 전원(10)과 슬레이브 마그네트론(300) 사이에 접속된다. (홀 효과 센서 등의) 전류감지장치는, 마그네트론 전류가 동일할 때, 그 홀 효과 센서 출력이 거의 제로가 되도록 극성이 반대인 각 마그네트론에서의 전류를 감지한다.
본 발명의 실시예들은, (홀 효과 센서(105,205,305) 등의) 개개의 전류센서들을 사용하고 그들의 출력을 비교장치에 의해 비교한다. 예를 들면, 도 3은 (마스터 마그네트론(100)에 접속된) 홀 효과 센서 105의 출력과 (슬레이브 마그네트론(200)에 접속된) 홀 효과 센서 205의 출력을 비교하는 비교장치(210)를 나타낸다. 또한, 상기 2개의 홀 효과 센서와 하나의 비교장치의 사용으로, 단일 전원에 의해 전력이 공급되는 2개의 마그네트론에 적용가능하다. 즉, 상술한 배치는, 2개의 홀 효과 센서와 하나의 비교장치를 구비하는 도 3과 유사한 구성으로 변형되어도 된다.
상기 비교장치(210)는, 상기 슬레이브 마그네트론(200)에의 전류를 조정하는 슬레이브 마그네트론(200)의 제 1 피드백 루프에 신호들을 출력한다. 이와 마찬가지로, 비교장치(310)는, 상기 슬레이브 마그네트론(300)에의 전류를 조정하는 슬레이브 마그네트론(300)의 제 2 피드백 루프에 신호들을 출력한다.
상기 슬레이브 마그네트론(200)의 제 1 피드백 루프는, 도 1에 대해 상술한 피드백 루프와 동일하다. 예를 들면, 비교장치(210)는, 신호선(26)에 의해 저항 28과 오차 증폭기(50)에 접속되고, 이 오차 증폭기는 그것의 입력단과 출력단 사이에 접속된 저항 34를 구비한다. 상기 오차 증폭기(50)의 출력은, 신호선(36)을 따라 저항 38에 접속되고, 다음에 이 저항 38은 코일 드라이버(60)의 입력단에 접속되며, 이 코일 드라이버는 그것의 입력단과 출력단 사이에 접속된 저항 62를 구비한다. 상기 오차 증폭기(50), 코일 드라이버(60) 및 저항(28,34,38)의 구성 및 동작은, 이들 각각의 기능을 제공하는 일례일 뿐이다. 복수의 저항 및 복수의 증폭기의 다른 조합 및 구성도 가능하다. 상기 코일 드라이버(60)의 출력은, 신호선(64)을 따라 상기 마그네트론(200)과 연관된 전자마그넷(42)의 시작단자에 인가된다. 전자마그넷(42)의 최종단자는, 도 3에 도시된 것처럼 접지에 접속된다. 변조 입력(70)은, 신호선(72)을 따라 가고 저항(35)을 통과하여 오차 증폭기(50)의 입력단에 인가된다. 이러한 입력(70)은, 마그네트론들간의 전류(전력) 분포를 시변 함수가 될 수 있게 한다.
상기 슬레이브 마그네트론(300)의 제 2 피드백 루프는, 도 1에 대해 상술한 피드백 루프와 동일하다. 예를 들면, 비교장치(310)는, 신호선(26)에 의해 저항 28과 오차 증폭기(50)에 접속되고, 이 오차 증폭기는 그것의 입력단과 출력단 사이에 접속된 저항 34를 구비한다. 상기 오차 증폭기(50)의 출력은, 신호선(36)을 따라 저항 38에 접속되고, 다음에 이 저항 38은 코일 드라이버(60)의 입력단에 접속되며, 이 코일 드라이버는 그것의 입력단과 출력단 사이에 접속된 저항 62를 구비한다. 상기 오차 증폭기(50), 코일 드라이버(60) 및 저항(28,34,38)의 구성 및 동작은, 이들 각각의 기능을 제공하는 일례일 뿐이다. 복수의 저항 및 복수의 증폭기의 다른 조합 및 구성도 가능하다. 상기 코일 드라이버(60)의 출력은, 신호선(64)을 따라 상기 마그네트론(300)과 연관된 전자마그넷(42)의 시작단자에 인가된다. 전자마그넷(42)의 최종단자는, 도 3에 도시된 것처럼 접지에 접속된다. 변조 입력(70)은, 신호선(72)을 따라 가고 저항(35)을 통과하여 오차 증폭기(50)의 입력단에 인가된다. 이러한 입력(70)은, 마그네트론들간의 전류(전력) 분포를 시변 함수가 될 수 있게 한다.
도 3은 제 1 피드백 루프와 제 2 피드백 루프를 나타내었지만, 다른 형태의 피드백 루프도 본 발명의 범위 내에 포함된다. 또한, 상기 비교장치 210은 제 1 피드백 루프의 일부라고 생각되고, 상기 비교장치 310은 제 2 피드백 루프의 일부라고 생각될 수 있다. 또한, 2개보다 많은 슬레이브 마그네트론이 설치되는 경우, 추가의 비교장치 및 피드백 루프도 슬레이브 마그네트론(200, 300)의 것에 대응하는 구성으로 설치되어도 된다.
본 발명을 특정 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 특정 실시예들의 설명은 예시일 뿐이고, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로서 해석되어서는 안 된다. 즉, 각 종의 다른 변형 및 변경은, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 당업자라면 할 수도 있다.

Claims (24)

  1. 전류를 공급하는 전원장치와,
    상기 전원장치에 의해 전력이 공급되는 3개의 마그네트론 장치와,
    전류량을 상기 각 3개의 마그네트론 장치에 배분하는 제어회로를 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어회로는, 상기 마그네트론 장치들 중 제 1 마그네트론 장치에 이르는 전류량과 상기 마그네트론 장치들 중 제 2 마그네트론 장치에 이르는 전류량을 제어하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원장치는 정전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어회로는, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 1 마그네트론 장 치 사이에 결합된 제 1 홀 효과 센서와, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 2 마그네트론 장치 사이에 결합된 제 2 홀 효과 센서와, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 3 마그네트론 장치 사이에 결합된 제 3 홀 효과 센서를 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 마그네트론 장치들 중 상기 제 1 마그네트론 장치는 마스터 마그네트론 장치이고, 상기 마그네트론 장치들 중 상기 제 2 마그네트론 장치는 슬레이브 마그네트론 장치이며, 상기 마그네트론 장치들 중 상기 제 3 마그네트론 장치는 슬레이브 마그네트론 장치인 것을 특징으로 하는 시스템.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 홀 효과 센서는 상기 마그네트론 장치들 중 제 1 마그네트론 장치에서의 전류를 감지하고, 상기 제 2 홀 효과 센서는 상기 마그네트론 장치들 중 제 2 마그네트론 장치에서의 전류를 감지하며, 상기 제 3 홀 효과 센서는 상기 마그네트론 장치들 중 제 3 마그네트론 장치에서의 전류를 감지하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어회로는, 상기 제 1 홀 효과 센서의 출력과 상기 제 2 홀 효과 센서의 출력을 비교하는 제 1 비교장치를 더 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어회로는, 상기 제 1 홀 효과 센서의 출력과 상기 제 3 홀 효과 센서의 출력을 비교하는 제 2 비교장치를 더 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  9. 3개의 마그네트론 장치에 전력을 공급하는 전원장치와,
    상기 3개의 전원장치 각각에 전류량을 배분하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 마그네트론 장치들 중 제 1 마그네트론 장치에 이르는 전류량과 상기 마그네트론 장치들 중 제 2 마그네트론 장치에 이르는 전류량을 제어하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 전원장치는 정전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 1 마그네트론 장치 사이에 결합된 제 1 홀 효과 센서와, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 2 마그네트론 장치 사이에 결합된 제 2 홀 효과 센서와, 상기 전원장치와 상기 마그네트론 장치들 중 제 3 마그네트론 장치 사이에 결합된 제 3 홀 효과 센서를 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 마그네트론 장치들 중 상기 제 1 마그네트론 장치는 마스터 마그네트론 장치이고, 상기 마그네트론 장치들 중 상기 제 2 마그네트론 장치는 슬레이브 마그네트론 장치이며, 상기 마그네트론 장치들 중 상기 제 3 마그네트론 장치는 슬레이브 마그네트론 장치인 것을 특징으로 하는 시스템.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 홀 효과 센서는 상기 마그네트론 장치들 중 제 1 마그네트론 장치에서의 전류를 감지하고, 상기 제 2 홀 효과 센서는 상기 마그네트론 장치들 중 제 2 마그네트론 장치에서의 전류를 감지하며, 상기 제 3 홀 효과 센서는 상기 마그네트론 장치들 중 제 3 마그네트론 장치에서의 전류를 감지하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 제 1 홀 효과 센서의 출력과 상기 제 2 홀 효과 센서의 출력을 비교하는 제 1 비교장치를 더 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 제 1 홀 효과 센서의 출력과 상기 제 3 홀 효과 센서의 출력을 비교하는 제 2 비교장치를 더 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  17. 전원장치와,
    상기 전원장치에 의해 전력이 각각 공급되는 제 1 마그네트론 장치 및 제 2 마그네트론 장치와,
    상기 제 1 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지하는 제 1 센서장치와,
    상기 제 2 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지하는 제 2 센서장치와,
    상기 제 1 센서장치의 출력과 상기 제 2 센서장치의 출력을 비교하는 제 1 비교장치와,
    상기 제 1 비교장치의 비교에 의거하여 상기 제 2 마그네트론 장치에의 전류를 조정하는 제 1 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 전원장치에 의해 전력이 공급되는 제 3 마그네트론 장치와,
    상기 제 3 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지하는 제 3 센서장치와,
    상기 제 3 센서장치의 출력과 상기 제 1 센서장치의 출력을 비교하는 제 2 비교장치와,
    상기 제 2 비교장치의 비교에 의거하여 상기 제 3 마그네트론 장치에의 전류를 조정하는 제 2 기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 시스템.
  19. 제 1 신호선을 따라 제 1 마그네트론 장치에 제 1 전류를 제공하는 단계와,
    제 2 신호선을 따라 제 2 마그네트론 장치에 제 2 전류를 제공하는 단계와,
    제 3 신호선을 따라 제 3 마그네트론 장치에 제 3 전류를 제공하는 단계와,
    상기 제 2 및 제 3 마그네트론 장치 각각에 전류량을 배분하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 3개의 마그네트론에 전력을 공급하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 배분단계는, 상기 제 1 전류를 감지하고, 상기 제 2 전류를 감지하고, 상기 제 3 전류를 감지하며, 상기 제 2 마그네트론 장치에의 상기 제 2 전류를 조정하고, 상기 제 3 마그네트론 장치에의 상기 제 3 전류를 조정하는 것을 특징으로 하는 3개의 마그네트론에 전력을 공급하는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 배분단계는, 상기 감지된 제 1 전류와 상기 감지된 제 2 전류를 비교하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 3개의 마그네트론에 전력을 공급하는 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 배분단계는, 상기 감지된 제 1 전류와 상기 감지된 제 3 전류를 비교하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 3개의 마그네트론에 전력을 공급하는 방법.
  23. 제 1 마그네트론 장치에 전력을 공급하는 단계와,
    제 2 마그네트론 장치에 전력을 공급하는 단계와,
    상기 제 1 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지하는 단계와,
    상기 제 2 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지하는 단계와,
    상기 제 1 마그네트론 장치를 통과하여 감지된 전류와 상기 제 2 마그네트론 장치를 통과하여 감지된 전류를 비교하는 단계와,
    상기 제 1 마그네트론 장치를 통과하여 감지된 전류와 상기 제 2 마그네트론 장치를 통과하여 감지된 전류의 비교에 의거하여 상기 제 2 마그네트론 장치에의 전류를 조정하는 단계와,
    제 3 마그네트론 장치에 전력을 공급하는 단계와,
    상기 제 3 마그네트론 장치를 통과하는 전류를 감지하는 단계와,
    상기 제 1 마그네트론 장치를 통과하여 감지된 전류와 상기 제 3 마그네트론 장치를 통과하여 감지된 전류를 비교하는 단계와,
    상기 제 1 마그네트론 장치를 통과하여 감지된 전류와 상기 제 3 마그네트론 장치를 통과하여 감지된 전류의 비교에 의거하여 상기 제 3 마그네트론 장치에의 전류를 조정하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 3개의 마그네트론에 전력을 공급하는 방법.
  24. 삭제
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