KR100631449B1 - 센서시스템,그제조방법및셀프테스트방법 - Google Patents
센서시스템,그제조방법및셀프테스트방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100631449B1 KR100631449B1 KR1019980032918A KR19980032918A KR100631449B1 KR 100631449 B1 KR100631449 B1 KR 100631449B1 KR 1019980032918 A KR1019980032918 A KR 1019980032918A KR 19980032918 A KR19980032918 A KR 19980032918A KR 100631449 B1 KR100631449 B1 KR 100631449B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- sensor
- sensor system
- sensor element
- signal
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000010998 test method Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007937 lozenge Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0035—Testing
- B81C99/0045—End test of the packaged device
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/026—Control of working procedures of a pyrometer, other than calibration; Bandwidth calculation; Gain control
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/061—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling the temperature of the apparatus or parts thereof, e.g. using cooling means or thermostats
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J5/22—Electrical features thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/064—Ambient temperature sensor; Housing temperature sensor; Constructional details thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
본 발명은, 기판(15), 및 상기 기판(15) 상의 다수의 센서 소자(10)를 포함하는, 열 복사를 검출하기 위한 센서 소자에 관한 것이다. 이러한 센서 시스템에서, 하나 이상의 센서 소자(10)를 가열시킬 수 있는 열을 발생시키기 위한 적어도 하나의 셀프 테스트 장치(53)가 제공된다. 셀프 테스트 동안, 센서 소자(10)가 전형적인 시간 패턴에 따라 가열된다. 본 발명은 또한 상기 센서 시스템의 바람직한 제조 방법, 및 신호 처리 장치를 포함하는 전체 시스템의 바람직한 실시예에 관한 것이다.
Description
본 발명은, 독립항의 전문에 따른 센서 시스템, 그 제조 방법 및 셀프 테스트 방법에 관한 것이다. 이러한 센서 시스템은 열 복사를 검출하기 위해 사용된다. 열 복사, 특히 적외선 복사를 검출하기 위해, 여러 가지 장치가 공지되어 있다. 도 1은 개략적인 구성을 나타낸다. 기판(15) 상에는 2개(또는 다수의) 센서 소자(10)가 제공된다. 열 복사 소오스(19)로부터 방출되는 열 복사 또는 IR 복사는 예컨대 렌즈(14)를 통해 센서 소자(10)의 검출 표면상에 이미지화된다. 복사가 상기 장치를 통해 다수의 센서 소자(10) 중 하나상에 이미지화됨으로써, 센서 소자(10)의 수에 따라 상이한 입체각에 따른 분해가 가능해진다.
이러한 센서 시스템은 개별 센서 소자(10) 사이의 열 전도로 인한 방해를 받을 수 있다는 단점을 갖는다. 즉, (광학 장치에 의해 이미지화된) 적외선 복사를 받지 않은 센서 소자(10)가 열 복사를 받은 센서 소자(10)로부터 열을 수신함으로써, 신호를 출력할 수 있다. 이 경우, 센서 소자는 예컨대 수 십분의 일 정도 가열될 수 있다. 열은 열 복사를 받지 않은 인접한 소자로 퍼지고 거기서 출력 신호를 야기시킨다. 이로 인해, 센서 시스템의 콘트라스트가 나쁘게 된다. 또한, 지금까지는 (모든 개별 센서 소자(10)를 포함하는) 센서 시스템의 기능이 작동 동안 간단한 방식으로 체크될 수 없었다.
미국 특허 제 3 801 949호에는 기판에서 에칭 리세스 위에 고정된 나쁜 열 전도성을 가진 지지체 부재 상에 열전열대을 제공하는 것이 공지되어 있다. 에칭 리세스는 센서 소자(10)를 기판(15)에 대해 열 절연함으로써 센서 시스템의 감도를 높이기 위해 사용된다. 그러나, 이러한 구성에서도 열 전도로 인한 방해가 검출되므로, 개별 센서 소자 사이의 열 절연이 충분치 않다. 또한, 기판 표면의 비교적 작은 부분만이 센서 소자(10)에 의해 실제로 커버되는데, 그 이유는 기판 후면으로부터 형성된 에칭 리세스가 수직 벽을 갖지 않고 이에 의해 기판 정면에 제공된 개별 센서 소자의 큰 이격을 필요로 하기 때문이다. 이로 인해, 검출 감도가 낮고, 보다 작은 포인트 소오스가 렌즈를 통한 이미지화에 의해 센서 소자 사이의 장소에 이미지화됨으로써, 그것이 검출될 수 없고 그에 따라 센서 시스템이 불확실하게 동작한다.
도 2는 선행 기술에 공지된 바와 같은 구조물의 개략적인 단면도 및 평면도이다. 도 2a에서 센서 소자(10)는 경사진 벽을 가진 에칭 리세스(24) 위에 배치된다. 경사진 벽은 기판(15)에서 결정 배향에 의한 공지된 제조방법의 영향으로 인해 나타난다. 이로 인해, 센서 소자(10)가 서로 넓게 이격됨으로써, 표면 충전 밀도가 낮고 검출 신뢰도가 만족스럽지 못하다. 도 2b에는 에칭 리세스(25)가 두께 방향으로 수직벽을 가진 마름모꼴 윤곽을 갖는 실시예를 나타낸다. 이 실시예에서 마름모꼴 윤곽은 마찬가지로 결정 배향에 의한 에칭 방법의 영향으로 인해 생긴다. 도 2c는 에칭 방법에 의해 기판 정면으로부터 홈(26)이 형성되는 실시예를 나타낸다. 상기 홈(26)도 경사 벽(21)을 가지므로, 센서 소자(10) 자체가 비교적 넓게 서로 이격된다. 도 2d는 먼저 희생층이 제공되고 센서소자(10)의 형성 후에 상기 희생층이 다시 제거되는 방식으로, 센서 소자(10)와 기판(15) 사이에 갭(23)이 형성되는 실시예를 나타낸다. 작은 간격으로 인해 기판(15)에 대한 센서 소자의 열 절연이 나쁘기 때문에, 센서 시스템의 신호 진폭 및 감도가 낮다. 희생층의 사용을 기초로 하는 방법은 예컨대 독일 특허 공개 제 19 539 696 A1호 또는 유럽 제 0 534 768호 또는 PCT/EP89/01082호에 공지되어 있다. 결정의 비등방성 에칭 특성을 사용하는 방법은 유럽 특허 공개 제 0 640 815 A1호 또는 PCT/AU91/00162호에 공지되어 있다. 비등방성 에칭 방법에서 얻어질 수 있는 패킹 밀도는 결정 구조에 의해 제한된다. 희생층 방법에 의해 높은 패킹 밀도 및 낮은 열전도 방해가 얻어지기는 하지만, 기술적 문제로 인해 벽 또는 공동부의 깊이가 단지 수 ㎛이기 때문에, 전체적으로 센서 소자(10)의 열 절연 및 신호 진폭이 만족스럽지 못하다.
본 발명의 목적은 확실하게 동작하고 질적으로 높은 신호 검출을 가능하게 하는 센서 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 그 기능이 간단히 체크될 수 있는 센서 시스템, 및 그것에 대한 테스트 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 구성면에서 작고 저렴하게 제조되는 센서 시스템을 제공하는 것이다.
상기 목적은 청구범위 독립항의 특징에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 청구범위 종속항에 제시된다.
첨부된 도면을 참고로 본 발명의 실시예를 설명하면 하기와 같다.
개별적으로 또는 조합해서 제공될 수 있는 본 발명의 특징을 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 센서 시스템이 적어도 다수의 센서 소자(10) 및 기판(15)을 포함하는 실시예를 나타낸다. 센서 시스템은 통상적으로 이미지 장치(14)와 상호작용한다. 이러한 이미지 장치는 렌즈, 렌즈 시스템, 적합한 거울 장치 등일 수 있으며, 열 복사를 센서 소자(10) 중 하나에 이미지화 한다.
센서 소자(10)는 바람직하게는 열전 검출기, 예컨대 열전대열-센서인데, 그 이유는 이것이 동일한 감광성을 가지며 간단한 신호 처리를 가능하게 하기 때문이다. 그러나, 센서 소자(10)는 다른 열 검출기, 예컨대 열 복사의 변동시에만 신호를 전달하는 파이로 전기 검출기, 또는 볼로미터일 수 있다. 또한, 열 복사에 비례해서 신호를 전달하는 다른 센서소자가 사용될 수도 있다.
도 4를 참고로 열전쌍열을 기초로 하는 센서소자의 구성을 보다 구체적으로 설명한다. 도 4에는 기판(15), 열 절연장치(46), 상이한 적합한 재료로 이루어진 층(41 및 42), 및 열 흡수층(43)이 도시된다. 도시된 장치는 "따뜻한 단부" (44) 및 "차가운 단부" (45)를 갖는다. 따뜻한 단부(44)는 열 절연장치(46) 위에 그리고 흡수층(43) 아래 놓인다. 이로 인해, 따뜻한 단부가 적외선 복사에 의해 가열된다. 차가운 단부(45)는 도시된 실시예에서 히트 싱크로서 사용되는 기판(15) 위에 놓인 "좌우측" 브랜치를 갖는다. 전술한 배치에 의해, 따뜻한 단부(44)가 적외선 복사로 인해 흡수층(43)에 의해 지지되고 열 절연장치(46)를 가열하는 한편, 차가운 단부(45) 또는 그것의 2개의 브랜치는 히트 싱크로서 사용되는 기판(15)의 온도를 유지시킨다. 따뜻한 단부(44)와 차가운 단부(45) 사이의 온도 차에 의해 차가운 단부(45)의 2개의 브랜치에서 인출될 수 있는 전압이 생긴다. 전압의 크기 및 극성은 층(41 및 42)의 재료 선택, 및 따뜻한 단부 및 차가운 단부 사이의 절연 질에 의존한다. 효과를 높이기 위해, 도 4에 도시된 다수의 장치가 직렬로 접속될 수 있다. 그 경우, 한 재료로 이루어진 차가운 단부(45)의 브랜치는 다른 재료로 이루어진 차가운 단부(45)의 브랜치에 접속될 것이다. 이로 인해, 각각의 신호 전압이 가산됨으로써, 보다 큰 효과가 얻어질 수 있다. 본 출원의 의미에서 경우에 따라 직렬로 접속된 도 4에 따른 구조물은 단 하나의 신호 전압을 전달하는 하나의 센서 소자를 형성한다. 센서 소자는 경우에 따라 직렬로 접속된 다수의, 도 4에 따른 구조물의 따뜻한 단부(44) 및 차가운 단부(45) 전체를 포함한다. 센서 소자의 고유 검출표면은 흡수층(43)이 차지하는 기본 표면에 상응하는데, 그 이유는 이 영역에서 신호를 야기시키는 가열이 이루어지기 때문이다. 따라서, 흡수층(43)은 바람직하게는 열 절연장치(46)에 의해 주어진 기판(15)의 기본 표면 내부에만 놓이도록 형성된다. 층(41 및 42)의 두 재료의 접촉점은 흡수층(43) 하부에 놓인다. 흡수층(43)의 표면이 신호를 발생시키는 영역을 한정하기 때문에, 흡수층(43)이 차지하는 영역은 센서 소자(10)의 센서 영역(43)으로도 표시된다. 이것과 관련해서 고유의 층(43)이 필수적으로 제공될 필요는 없다. 열 절연장치(46) 위의 층(41, 42)의 콘택 영역에서 상기 층(41, 42)의 적합한 표면 처리에 의해 흡수층(43)에 대해 동일한 작용을 하는 영역을 만드는 것도 가능하다. 차가운 단부(45)가 도 4에 도시된 것과는 달리, 기판(15) 상에 직접 나란히 배치될 수 있으며, 이 경우 층(41, 42)은 열 절연장치(46)에 대해 대략 평행하게 흡수층(43) 하부에 연장된다.
센서 소자(10)는 기판 또는 지지체(15) 상에 제공된다. 바람직하게는 기판(15)이 실리콘을 포함한다. 센서 소자(10)는 라인으로 또는 2차원의 필드로 기판 상에 제공되거나, 또는 궤도를 따라, 또는 렌즈(14)에 의해 모니터링될 구간 및 영역의 이미지에 상응하는 표면상에 제공될 수 있다. 예컨대, 15개의 센서 소자(10)가 3x5 필드에 배치될 수 있다. 적합한 접촉(도면에 도시되지 않음)에 의해 그것의 출력신호가 전달됨으로써, 그것들이 개별적으로 개별 센서 소자에 대해 문의되거나 평가될 수 있다. 훨씬 더 큰 센서 필드도 가능하다. 필요에 따라 예컨대 10x10 필드 또는 100x100 필드가 형성될 수 있다. 이 경우, 센서 소자는 보다 높은 분해도를 갖는다.
기판(15)은 각각의 센서 소자(10) 하부에 리세스(33, 35, 54)를 갖는다. 인접한 센서 소자(10) 사이의 사이 공간 하부에는 바람직하게는 스트립(32)이 배치될 수 있다. 리세스(33, 35, 54)는 도 4에서 열 절연장치(46)로 사용된다.
일반적인 실시예에서 센서 시스템의 하나 또는 다수의 센서 소자(10) 하부에 하나의 리세스(33, 35, 54)가 배치된다. 바람직한 실시예에서는 센서 시스템의 각각의 센서 소자(10) 하부에 하나의 리세스(33, 35, 54)가 제공된다.
리세스(33, 34, 54)는 -센서 시스템의 내부에서도- 상이하게 형성될 수 있고 상이한 제조 방법에 의해 제조될 수 있다:
- 바람직하게는 기판 후면으로부터 기판(15)에 형성되는 홀(33)(도 3a)이 도시된다. 기판 전면 상에서 홀 가장자리는 센서 소자(10)가 부분적으로 특히 경우에 따라 그것의 차가운 단부(45)가 홀의 가장자리에 놓이도록 설계된다. 도 5는 센서 소자(10)가 기판에 고정될 수 있는 다른 실시예를 나타내는데, 이것은 후술된다.
- 도 3b는 기판 전면으로부터 홈(35)이 기판에 형성되는, 리세스의 실시예를 나타낸다. 상기 홈(35)의 치수는 센서 소자(10)가 홈(35)의 가장자리에 놓여 그것에 고정될 수 있도록 설계된다. 여기서도 도 5에 따른 기판에 대한 고정이 이루어질 수 있다.
센서 소자(10) 하부의 리세스(33, 34, 54)에 대한 특히 바람직한 제조 방법은 하기와 같다:
- 벌크 마이크로메카닉의 반응성 이온 에칭. 이 방법은 DRIE(= deep reactive ion etching)이라고도 한다. 여기서, 홀은 바람직하게는 기판 후면으로부터 기판을 통해 형성된다. 플라즈마 에칭 방법이 사용되는데, 이 방법에 의해 곧은 벽 및 정확한 치수의 홀이 제조될 수 있다. 비교적 얇고, 긴 홀이 형성된다. 따라서, 개별 홀이 기판 상의 작은 장소를 필요로 하므로, 기판 면적 당 보다 많은 센서 소자 또는 기판 면적 당 보다 큰 센서 표면으로 인해, 분해도, 표면 충전률 및 감도가 높아질 수 있다. 이것과 관련해서, 도 1 내지 도 5가 척도에 맞지 않게 도시되어 있다. 도 1 내지 도 5는 각각의 실시예를 실질적으로만 나타낸다. 반응성 이온 에칭에 의해 도 3a에 따른 홀(33)이 형성될 수 있다. 이러한 기술에 의해 예컨대 기판(15)으로 사용되는 500㎛ 두께의 웨이퍼에 임의의 직경을 가진, 특히 50 내지 200㎛의 직경을 가진 홀이 규칙적으로 이격되어 형성될 수 있다. 홀은 웨이퍼 두께에 상응하는 깊이를 가지므로, 따뜻한 단부가 양호하게 절연되고 센서 소자의 감도가 향상된다. 거의 수직 벽으로 인해, 단지 얇은 스트립(32)만이 남아 있으므로, 높은 패킹 밀도가 얻어진다. 바람직한 실시예에서는 홀의 90 내지 99%가 반응성 이온 에칭에 의해 형성된다. 그리고 나서, 등방성 또는 비등방성 에칭 방법에 의해 홀이 최종 깊이(100%)까지 형성된다.
- 다공성 실리콘의 제조 및 후속 처리: 이 경우에는, 기판 전면으로부터 마이크로 메카닉적으로 가공된다. 제 1 단계에서 다공성 실리콘은 나중에 리세스(33, 35, 54)가 놓여야 하는 기판(15)의 표면에 형성된다. 이것을 위해 전기-화학적 방법이 사용된다. 그리고 나서, 고유의 리세스가 형성됨으로써, 도 3b에 따른 홈(35)이 생긴다. 바람직하게는 이전에 센서 소자(10)가 다공성 실리콘 또는 기판(15)에 형성된 후에야 비로소 홈(35)이 다공성 실리콘의 제거에 의해 형성된다. 그 경우, 표면으로부터 다공성 실리콘이 에칭된다. 이렇게 함으로써, 100㎛ 이상의 깊이를 가진 홈이 형성될 수 있다. 홀(33) 대신에 홈(35)을 사용하는 경우에는 그것의 형성 후에 기판 또는 전체 구성이 보다 높은 기계적 안정성을 갖는다. 이 방법은 웨이퍼 두께와 무관하고 양호한 감도와 더불어 높은 패킹 밀도가 얻어질 수 있다는 장점을 갖는다.
전술한 2개의 방법은 기판내의 결정 배향에 의해 영향을 받지 않기 때문에 패킹 밀도에 부정적 영향을 주는 경계 조건이 주어지지 않는다는 장점을 갖는다.
도 5는 열전도 방해를 방지할 수 있는 다수의 실시예의 조합을 나타낸다. 긴 트렌치(54)가 리세스로서 기판(15)에 제공된다. 트렌치(54)는 전술한 방법 중 하나에 의해 기판 전면으로부터 또는 기판 후면으로부터 형성될 수 있다. 다수의 센서 소자를 가진 다수의 트렌치가 바람직하게는 서로 평행하게 제공될 수 있다. 기판(15)은 절연층(51)에 의해 덮인다. 센서 소자(10)는 적어도 부분적으로 트렌치(54) 위에 놓이도록 절연층(51) 상에 제공된다. 특히 흡수층(43)에 의해 미리 주어지는 센서 영역이 트렌치(54) 위에 놓인다. 도면 부호 55는 도 4의 흡수층(43)에 상응하는 흡수층을 나타낸다. 흡수층(55)의 하부에는 센서 소자(10)의 따뜻한 단부가 놓이는 한편, 차가운 단부는 트렌치(54)를 둘러싸는 스트립(32) 위에 놓인다. 전방 센서 소자(10)는 완전히 트렌치 위에 놓인다. 상기 2개의 옵션은 리세스가 트렌치(54)의 형태로 제공되지 않고 도 3에 도시된 실시예에 따라 제공되는 경우에도 가능하다.
센서 소자(10)의 근처에 절연장치(52)가 제공된다. 절연 장치(52)는 양호한 열 전도성 재료, 예컨대 얇은 금속층으로 이루어진다. 절연장치는 절연층(51)을 통해 인접한 센서 소자로 퍼질 수 있는 열을 다른 방향으로 유도하는 히트 싱크로 사용된다. 바람직하게는 절연장치는 한편으로는 리세스, 예컨대 트렌치(54), 홀(33) 또는 홈(35) 위에 놓이고, 다른 한편으로는 기판 스트립(22) 중 하나 위에 놓이도록 제공된다. 절연장치는 바람직하게는 인접한 센서 소자(10) 사이에 놓인다. 실리콘이 비교적 양호한 열 전도체이기 때문에, 열을 기판과 접속되지 않는 절연층(51)의 영역으로부터 기판과 직접 접속된 절연층(51)의 영역으로 유도함으로써, 열이 기판(15) 또는 그것의 스트립(32)내로 확산될 수 있고 인접한 센서 소자에 이르지 않게 하는 것이 바람직하다. 절연장치(52)는 절연층(51) 하부에 놓이며 트렌치(54) 또는 큰 홀을 덮는 기판 브리지로도 형성될 수 있다. 이러한 기판 브리지는 절연층(51) 위로 퍼지는 열에 대해 마찬가지로 히트 싱크로 작용하기 때문에, 열이 기판(15, 32)내로 유도된다. 절연장치는 리세스를 가로 지르는 슬릿의 형태로 절연층(51)에 형성되거나 또는 브리지와 슬릿의 조합체로서 형성될 수 있다. 절연층(51)내의 상기 슬릿은 절연층을 통해 인접한 센서소자(10)로 흐르는 열 흐름을 차단한다. 이 경우, 열은 절연층(51)에서 열이 기판(15) 또는 그것의 스트립(32)과 접속된 절연층(51)의 영역으로 흐르는 방향으로 퍼지기 때문에, 열이 상기 히트 싱크내에 흡수된다.
절연층은 실리콘 보다 낮은 열 전도성 및 낮은 전기 전도성을 가진 층이다. 절연층은 한편으로는 열 및 전기 절연을 위해 사용되고, 다른 한편으로는 리세스(33, 35, 54) 위에 센서 소자(10)를 지지하기 위해 사용된다. 절연층은 예컨대, 실리콘 산화물, 실리콘 탄화물 및/또는 실리콘 질화물로 이루어지며 통상적으로 1㎛보다 얇다. 절연층이 먼저 형성된 다음, 리세스(33, 35, 54)가 제조될 수 있다. 이 경우, 기판 후면으로부터 리세스가 형성되면 절연층이 에칭 스톱으로 작용한다. 리세스가 기판 앞면으로부터 형성되면, 절연층(51)은 예컨대 특별하게 매칭된 에칭방법, 예컨대 RIE(반응성 이온 에칭:reactive ion etching)에 의해 형성될 수 있다.
도면 부호 53은 셀프 테스트 기능을 위해 사용될 수 있는 셀프 테스트 장치를 나타낸다. 상기 셀프 테스트 장치(53)로서 센서 소자(10)에 열을 공급할 수 있는 가열 소자가 사용됨으로써, 상기 열 공급시 센서 소자(10)가 신호를 예정된 방식대로 출력하는지의 여부가 체크될 수 있다. 셀프 테스트 장치(53)는 가열 저항일 수 있고, 상기 가열 저항은 (도시되지 않은) 인입선을 통해 전류를 받고, 그것에 전류가 흐르면 가열된 다음, 기판(15) 및 경우에 따라 절연층(51)을 통한 열 복사 및/또는 열 전도에 의해 센서 소자(10)를 가열한다. 센서 소자(10) 마다 셀프 테스트 장치(53)가 제공될 수 있다.
그러나, 셀프 테스트 장치(53)가 센서 소자(10) 사이에 제공됨으로써, 센서 소자 중 2개 또는 다수를 가열할 수 있다. 셀프 테스트 장치(53)는 개별적으로 트리거 되거나, 또는 공통으로 트리거 되도록 설계될 수 있다. 바람직하게는 가열 저항으로 형성된 셀프 테스트 장치(53)는 특히 센서 소자(10)의 에지에 대해 평행하게 에지를 따라 연장된, 저항 물질로 이루어진 직선 궤도일 수 있다. 다수의 셀프 테스트 장치(53)가 제공되는 경우, 개별 트리거가 필요하지 않으면 셀프 테스트 장치(53)가 서로 병렬로 또는 서로 직렬로 접속될 수 있다.
한 바람직한 실시예에서 셀프 테스트 장치(53)의 재료는 셀프 테스트 장치(53)가 절연장치(52)의 기능을 충족시키도록 선택될 수 있다. 그러면, 2개의 장치가 분리되지 않고, 통합되어 제공된다. 재료는 한편으로는 전류가 흐를 때 가열되고 다른 한편으로는 절연층(51)에 접한 유체(예컨대 공기)의 열 전도성 보다 높은 열 전도성을 갖도록 선택된다. 바람직하게는 열 전도성이 절연층(51)의 열 전도성 보다 높다. 재료로는 금속 또는 반도체 저항층, 예컨대 폴리실리콘, 결정질 실리콘, 알루미늄, 또는 금이 있다. 상기 실시예는 트렌치(54) 위에 교대로 각각 하나의 센서 소자(10) 및 조합된 셀프 테스트/절연장치(52, 53)가 놓이도록 형성된다. 셀프 테스트 장치(53)가 트렌치에 인접한 2개의 센서 소자에 열을 공급할 수 있기 때문에, 센서 소자(10) 사이의 매 두번째 장치는 적합한 접촉에 의해 전류를 공급받을 수 있는 조합된 셀프 테스트/열 절연장치(52, 53)인 한편, 다른(다른 사이 공간에 놓인) 장치는 순수한 절연 장치(52)일 수 있다. 이로 인해, 센서 시스템의 저렴하고 콤팩트한 구성이 얻어진다.
셀프 테스트 방법에서 셀프 테스트 장치(53)(가열 저항)가 가열됨으로써, 이 장치가 센서 소자(10)를 가열한다. 그리고 나서, 각각의 센서 소자(10)가 질적으로 및/또는 양적으로 기대된 신호를 출력하는지의 여부가 체크된다. 이렇게 함으로써, 개별 또는 모든 센서 소자(10)의 기능이 체크될 수 있다. 센서 시스템의 보정도 가능하다. 셀프 테스트에 의해 얻어진 출력 신호를 기대값과 비교함으로써, 센서 소자 또는 센서 시스템의 특성값이 검출된 다음, 이것이 설정값에 매칭될 수 있다.
소자들의 질량이 비교적 작기 때문에, 셀프 테스트가 비교적 짧은 시상수로 이루어질 수 있다. 이것은 일정 용도에서, 예컨대 자동차 기술 분야에서 장점을 제공한다. 최근 자동차에서 자동차의 시동시 전체 센서 메커니즘이 체크된다. 짧은 시상수에 의해 본 발명에 따른 셀프 테스트가 짧은 시간, 바람직하게는 1초 이내에 이루어질 수 있으므로, 자동차의 시동시 상응하는 센서가 체크될 수 있다.
센서 소자가 셀프 테스트 방법에 의해 발생된 신호에 부가해서 기존의 적외선 시너리(scenery)를 "보기" 때문에, 셀프 테스트 장치(43)를 일정한 시간적 패턴으로 트리거하는 것이 나머지 시너리로부터 셀프 테스트 신호를 구별하는데 바람직하다. 상기 시간적 패턴은 체크된 센서 소자(10)의 출력 신호에 다시 나타날 것이다. 시간적 패턴은 예컨대 2개 또는 그 이상의 펄스 시퀀스일 수 있고, 시간 가변 가능한 신호일 수 있다. 낮은 질량에 기인한 짧은 시상수 때문에, 50ms 보다 짧은, 바람직하게는 5ms보다 짧은 개별 펄스를 가진 신호 패턴이 가능하다. 따라서, 이것은 검출될 대상물에 의한 변동보다 신속하다. 이로 인해, 신호 패턴이 셀프 테스트와 병렬로 주어지는 적외선-시너리와 구별될 수 있으므로, 셀프 테스트 동안에도 합계 신호(셀프 테스트 신호 + 적외선 시너리)로부터 테스트 신호를 빼내 계산함으로써 모니터링이 계속될 수 있다. 또한, 셀프 테스트 장치(53)의 개별 가열 소자의 횡단면 또는 저항이 상이할 수 있다. 이로 인해, 각각의 셀프 테스트 장치(53)에 할당된 센서 소자에 대한 상이한 가열 출력 및 상이한 세기의 가열 또는 셀프 테스트 신호가 주어진다. 이것에 의해서도 셀프 테스트 신호가 센서 시스템의 종래 작동 동안 부가로 존재하는 적외선 시너리와 구별될 수 있다. 전술한 방법에 의해 셀프 테스트 신호를 방해 펄스과 구별할 수도 있다.
셀프 테스트 장치(53)의 전술한 트리거 및 후속하는 센서 소자(10)의 출력신호의 체크는 바람직하게는 (도시되지 않은) 제어장치에 의해 이루어진다.
전술한 센서 소자(10)는 일반적으로 열 복사의 세기를 양적으로 나타내는 신호, 즉 아날로그 신호를 출력한다. 다수의 센서 소자(10)가 제공되기 때문에, 다수의 아날로그 신호가 전송 또는 처리되어야 한다. 이것은 센서 소자(10)의 바로 근처에서 아날로그 값이 시간 다중화되고 그렇게 생긴 직렬 신호가 하나의 데이터 라인을 통해 출력됨으로써 이루어질 수 있다. 상기 조치에 의해 필요한 신호 출력 라인의 수가 현저히, 극단의 경우 단 하나로 감소된다.
도 6은 관련된 회로도의 예를 도시한다. 다수의 센서 소자(10)가 회로도로 도시되며, 센서 소자(10)는 입력신호(1 내지 16)를 아날로그-멀티플렉서(62)로 입력한다. 선택된 신호가 증폭기(63)에서 증폭된다. 증폭기(63)로부터 출력된 신호는 상기 방식으로 출력될 것이다. 증폭기(63)의 아날로그 신호를 수신하는 아날로그 샘플 홀드 회로(65)가 부가로 제공될 수 있다. 또한, 센서 시스템의 절대 온도에 상응하는 아날로그 신호를 발생시키는 온도 센서(64)가 제공될 수 있다. 부가의 멀티플렉서(66)에 의해 온도 센서(64) 및 샘플 홀드 회로(65)의 출력 신호가 통합됨으로써, 개별 센서 소자(10) 및 경우에 따라 온도 센서(64)의 출력 신호를 시계열로 나타내는 단일 아날로그 신호가 데이터 출력(67)에 출력된다. 이러한 실시예는 단 하나의 데이터 출력(67)을 갖는다. 이것과 더불어 수 개의 부가 단자, 바람직하게는 1 내지 2개가 제어 기능을 위해 그리고 전압 공급을 위해 필요하다. 도면 부호 69는 상징적으로 도시된 센서 시스템의 경계를 나타낸다. 도시된 모든 소자는 공간적으로 수 밀리미터 범위로 제공된다. 전체 시스템은 예컨대 100㎟보다 작게 구성될 수 있다. 도 6은 아날로그/디지탈 변환이 이루어지지 않는 실시예를 나타낸다. 그러나, 증폭기(63), 샘플 홀드 회로(65) 또는 멀티플렉서(66)의 출력에 아날로그/디지탈 변환기가 제공될 수도 있다. 도면 부호 68은 센서 시스템에서 내부 동작을 제어하고 모니터링하는 제어장치, 특히 제어 프로세서를 나타낸다.
도 6은 센서 소자(10)로부터 출력된 신호가 신호 처리 장치(62 내지 69)를 통과하는 구성을 나타낸다. 신호 처리 장치(62 내지 69)는 -특히 직렬의- 아날로그 또는 디지탈 데이터를 출력한다. 도 6에 따른 구성은 하이브리드 또는 모놀로식일 수 있다. 모놀로식 구성에서 신호 처리 장치는 센서 소자(10)와 동일한 기판상에 놓인다. 하이브리드 구성에서 신호 처리 장치(62 내지 69)는 하나의 고유 기판 또는 칩 상에 구성되고 기판(15) 상에서 센서 소자(10)에 전기 접속된다. 그러나, 이 구성에서도 2개의 기판이 직접 공간적 근처에, 특히 본 발명에 다른 센서 시스템을 둘러싸는 하나의 하우징(도면 부호 69로 개략적으로 도시됨)의 내부에 배치된다.
전술한 바와 같이, 기판의 절대 온도에 대한 온도 센서(64)가 제공될 수 있다. 상기 온도 센서에 의해, 기판 온도와 관련한 센서 소자(10)의 상대 출력 신호가 절대 온도에 관련됨으로써, 센서 시스템의 출력 신호의 질적 미세화가 이루어진다. 이러한 시스템에 의해, 예컨대 사람을 검출하고 약 37℃ 와 다른 온도를 가지면, 다른 열 복사 소오스와 구별하는 것이 가능해진다. 또한, 센서의 고유 온도 자체가 일정하지 않을 때도, 대상물의 온도가 높은 정확도로 측정될 수 있다.
센서 시스템 또는 그것의 센서 소자의 특성 곡선을 세팅하기 위하여, 전술한 신호 처리 장치(62 내지 69)는 예컨대 소위 "퓨저블 링크(fusible link)" 형태의 교정 장치(calibrating device)일 수 있다. 예컨대, 교정용 저항에 접속된 개별 다이오드 세그먼트를 버닝함에 의해, 제로점 및 증폭을 제조업자측에서 영구히 세팅함으로써, 특성 곡선면에서 임의의 센서 시스템이 다른 것과 호환될 수 있다. 센서 시스템이 제조업자측에서 이미 교정되기 때문에, 사용자측에서 재교정 없이 교체할 수 있다. 이것은 서비스를 현저히 용이하게 한다.
본 발명에 따른 센서 시스템의 전형적인 값은 하기와 같다: 센서 소자는 통상적으로 직사각형이고 40 내지 500㎛의 에지 길이를 갖는다. 바람직하게는 센서 소자는 정방형이다. 개별 센서 소자 사이의 중심 간격은 50㎛ 내지 1000㎛이다. 기판으로 사용되는 웨이퍼는 200 내지 1000㎛, 바람직하게는 300 내지 500㎛의 두께를 갖는다. 홈(35)은 바람직하게는 100㎛ 이상의 깊이를 갖는다.
이러한 작은 센서 시스템은 여러 가지 목적을 위해 사용될 수 있다. 하나의 사용 분야는 자동차 내부 공간의 모니터링이다. 센서 시스템이 자동차의 지붕에 설치될 수 있고, 그것의 분해도(센서 소자(10)의 수에 따라)에 의해 자동차내의 개별 시이트가 채워졌는지를 검출하도록 형성될 수 있다. 얻어진 신호에 따라 자동차의 다른 기능, 예컨대 에어컨, 에어백 등이 제어될 수 있다. 본 발명에 따른 센서 시스템은 건물 모니터링을 위해 또는 일반적으로 사람 검출을 위해 사용될 수 있다.
전술한 센서 시스템은 이미지 광학 장치 또는 신호 처리 장치를 가지고 또는 없이 1㎤ 또는 그 이하의 체적을 가진 작은 트랜지스터 하우징내에 구성될 수 있다.
본 발명에 의해 확실하게 동작하고 질적으로 높은 신호 검출을 가능하게 하는 센서 시스템이 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 그 기능이 간단히 체크될 수 있는 센서 시스템, 및 그것에 대한 테스트 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 구성면에서 작으며 저렴하게 제조되는 센서 시스템이 제공된다.
도 1은 센서 시스템의 구성도,
도 2a 내지 도 2d는 공지된 방법에 따라 제조된 다수의 센서 시스템의 단면도 및 평면도,
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 센서 시스템의 단면도 및 평면도,
도 4는 열전쌍열 센서소자의 구성을 나타낸 개략도,
도 5는 다수의 본 발명에 따른 실시예의 조합을 나타낸 사시도,
도 6은 본 발명에 따른 실시예의 회로도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 센서 소자 15, 32: 기판
33, 35, 54: 리세스 51: 절연층
52: 절연장치 53: 셀프 테스트 장치
62-69: 신호 처리 장치
Claims (8)
- 기판 상에 제공된 다수의 센서 소자를 포함하며, 상기 센서 소자 하부에 리세스가 형성된, 센서 시스템용 기판의 제조 방법에 있어서,리세스가 기판 전면으로부터 다공성 실리콘의 표면 마이크로메카닉에 의해 또는 반응성 이온 에칭에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 시스템용 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 다공성 실리콘의 제조를 위해 전기 화학적 방법이 사용되는 것을 특징으로 하는 센서 시스템용 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 반응성 이온 에칭에서 플라즈마 에칭 방법이 사용되고, 기판이 기판 후면으로부터 가공되는 것을 특징으로 하는 센서 시스템용 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 반응성 이온 에칭의 사용시 홀이 반응성 이온 에칭에 의해 전체 깊이의 90 내지 99%의 깊이까지 형성되고, 비등방성 또는 등방성 에칭에 의해 최종 깊이까지 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 시스템용 기판 제조 방법.
- 기판(15),상기 기판(15) 상에 제공되어 열 복사에 따라 각각 하나의 전기 신호를 출력하는 다수의 센서 소자(10)를 포함하는, 열 복사를 검출하기 위한 센서 시스템에 있어서,센서 소자(10)의 적어도 병렬로 주어지는 전기 출력 신호를 직렬 신호로 변환하고 이것을 단자(67)에 출력하는 신호 처리 장치(62 - 69)를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 시스템.
- 제5항에 있어서, 신호 처리 장치(62 - 69)가 기판(10) 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 시스템.
- 제5항에 있어서, 신호 처리 장치(62 - 69)가 고유의 기판 상에 형성되고, 기판(15) 바로 근처에서 센서 소자(10)에 제공되어 그것에 접속되는 것을 특징으로 하는 센서 시스템.
- 제5항에 있어서, 센서 시스템이 온도 측정 장치(64)를 포함하며, 온도 측정 장치(64)는 절대 온도에 따라 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 센서 시스템.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19735379.7 | 1997-08-14 | ||
| DE19735379A DE19735379B4 (de) | 1997-08-14 | 1997-08-14 | Sensorsystem und Herstellungsverfahren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990023585A KR19990023585A (ko) | 1999-03-25 |
| KR100631449B1 true KR100631449B1 (ko) | 2006-12-04 |
Family
ID=7839048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980032918A KR100631449B1 (ko) | 1997-08-14 | 1998-08-13 | 센서시스템,그제조방법및셀프테스트방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6294787B1 (ko) |
| EP (1) | EP0898159B1 (ko) |
| JP (1) | JP4380813B2 (ko) |
| KR (1) | KR100631449B1 (ko) |
| CN (1) | CN1208966A (ko) |
| DE (2) | DE19735379B4 (ko) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19843984B4 (de) * | 1998-09-25 | 2013-10-24 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Strahlungssensoren |
| JP2000298062A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Nec Corp | 熱型機能デバイス、エネルギー検出装置および熱型機能デバイスの駆動方法 |
| KR20010092770A (ko) | 1999-11-01 | 2001-10-26 | 모리시타 요이찌 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| DE19962938A1 (de) * | 1999-12-24 | 2001-07-19 | Perkinelmer Optoelectronics | Verfahren zum Korrigieren des Ausgangssignals eines Infrarotstrahlungsmehrelementsensors, Infrarotstrahlungsmehrelementsensor und Infrarotstrahlungsmehrelementsensorsystem |
| JPWO2002075262A1 (ja) * | 2001-03-16 | 2004-07-08 | セイコーエプソン株式会社 | 赤外線検出素子およびその製造方法並びに温度測定装置 |
| DE10144343A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Perkinelmer Optoelectronics | Sensor zum berührugslosen Messen einer Temperatur |
| US6828172B2 (en) * | 2002-02-04 | 2004-12-07 | Delphi Technologies, Inc. | Process for a monolithically-integrated micromachined sensor and circuit |
| JP3684233B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2005-08-17 | キヤノン株式会社 | 指紋入力装置及びその製造方法 |
| DE10243014B4 (de) * | 2002-09-17 | 2010-07-01 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Detektion und Vorrichtung zur Messung der Konzentration eines Stoffes |
| DE10243012B4 (de) * | 2002-09-17 | 2006-01-05 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Wärmedetektion und Verfahren |
| US20040187904A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-09-30 | General Electric Company | Apparatus for infrared radiation detection |
| JP3944465B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2007-07-11 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線検出器及び赤外線フォーカルプレーンアレイ |
| DE10320357B4 (de) * | 2003-05-07 | 2010-05-12 | Perkinelmer Optoelectronics Gmbh & Co.Kg | Strahlungssensor, Wafer, Sensorarray und Sensormodul |
| DE10321639A1 (de) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Heimann Sensor Gmbh | Infrarotsensor mit optimierter Flächennutzung |
| DE10323707A1 (de) * | 2003-05-22 | 2004-12-30 | Daimlerchrysler Ag | System zur Objekt-Erfassung für Fahrzeuge |
| WO2005078118A1 (en) | 2004-02-06 | 2005-08-25 | Bayer Healthcare Llc | Oxidizable species as an internal reference for biosensors and method of use |
| ATE430244T1 (de) * | 2004-07-22 | 2009-05-15 | Bea Sa | Thermo-empfindliche vorrichtung zur anwesenheitsbestimmung von automatischen türen |
| JP5308814B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2013-10-09 | ハイマン・ゼンゾル・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | サーモパイル赤外線センサアレイ |
| MX2008000836A (es) | 2005-07-20 | 2008-03-26 | Bayer Healthcare Llc | Amperimetria regulada. |
| US7683464B2 (en) * | 2005-09-13 | 2010-03-23 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Semiconductor package having dimpled plate interconnections |
| US20070057368A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Yueh-Se Ho | Semiconductor package having plate interconnections |
| US7622796B2 (en) * | 2005-09-13 | 2009-11-24 | Alpha And Omega Semiconductor Limited | Semiconductor package having a bridged plate interconnection |
| EP1934591B1 (en) | 2005-09-30 | 2019-01-02 | Ascensia Diabetes Care Holdings AG | Gated voltammetry |
| EP3753481B1 (en) | 2006-10-24 | 2024-07-17 | Ascensia Diabetes Care Holdings AG | Transient decay amperometry device |
| DE102007046451B4 (de) * | 2007-09-28 | 2011-08-25 | Pyreos Ltd. | Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung mit hoher Auflösung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung |
| WO2009076302A1 (en) | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Bayer Healthcare Llc | Control markers for auto-detection of control solution and methods of use |
| US8680658B2 (en) * | 2008-05-30 | 2014-03-25 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Conductive clip for semiconductor device package |
| US8253111B2 (en) * | 2009-12-15 | 2012-08-28 | Shimadzu Corporation | X-ray diagnostic apparatus |
| DE102010013661A1 (de) | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Perkinelmer Technologies Gmbh & Co. Kg | Strahlungssensor |
| DE102010013663A1 (de) | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Perkinelmer Technologies Gmbh & Co. Kg | Strahlungssensor |
| JP5638871B2 (ja) * | 2010-08-18 | 2014-12-10 | 江藤電気株式会社 | 熱流センサ |
| CN103712737B (zh) * | 2012-10-09 | 2016-03-09 | 京元电子股份有限公司 | 用于压力感测器的自我测试结构及其方法 |
| US9219185B2 (en) * | 2013-12-19 | 2015-12-22 | Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd | CMOS integrated method for the fabrication of thermopile pixel with umbrella absorber on semiconductor substrate |
| US9373772B2 (en) | 2014-01-15 | 2016-06-21 | Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd. | CMOS integrated method for the release of thermopile pixel on a substrate by using anisotropic and isotropic etching |
| US9324760B2 (en) | 2014-01-21 | 2016-04-26 | Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd | CMOS integrated method for fabrication of thermopile pixel on semiconductor substrate with buried insulation regions |
| TWI569427B (zh) * | 2014-10-22 | 2017-02-01 | 精材科技股份有限公司 | 半導體封裝件及其製法 |
| JP6279011B2 (ja) * | 2016-05-13 | 2018-02-14 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線検出器および熱型赤外線検出器の製造方法 |
| JP6819163B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2021-01-27 | 株式会社デンソーウェーブ | 絶縁型信号伝達装置、電子機器 |
| US10914636B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-02-09 | Ams Sensors Uk Limited | Thermopile self-test and/or self-calibration |
| JP2019168347A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線センサ装置 |
| DE102020209534A1 (de) | 2020-07-29 | 2022-02-03 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Temperatursensor für ein chirurgisches Instrument und Verfahren zu seiner Herstellung |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3801949A (en) * | 1973-03-08 | 1974-04-02 | Rca Corp | Thermal detector and method of making the same |
| EP0640815A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared radiation detector and method of producing the same |
| JPH0772014A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型赤外線センサ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3742231A (en) * | 1971-01-07 | 1973-06-26 | Barnes Eng Co | Thermistor bolometer having a built-in source |
| CA1317034C (en) | 1988-09-30 | 1993-04-27 | Alliedsignal Inc. | Fabrication of oxynitride frontside microstructures |
| GB9009117D0 (en) * | 1990-04-24 | 1990-08-08 | Emi Plc Thorn | Pyroelectric detector and method of manufacturing the same |
| JP3112680B2 (ja) | 1990-04-26 | 2000-11-27 | オーストラリア連邦 | 半導体膜ボロメータ熱性赤外検出器 |
| EP0534769B1 (en) * | 1991-09-27 | 1997-07-23 | Texas Instruments Incorporated | Readout system and process for IR detector arrays |
| JP3287173B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2002-05-27 | 三菱電機株式会社 | 赤外線検出素子 |
| JPH09229853A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Fuji Electric Co Ltd | 赤外線ガス分析計用検出器 |
| DE19625235A1 (de) * | 1996-06-24 | 1998-01-02 | Abb Patent Gmbh | Bewegungsmelder zur Detektion von Wärmestrahlung abgebenden, beweglichen Objekten |
-
1997
- 1997-08-14 DE DE19735379A patent/DE19735379B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-03 DE DE59814177T patent/DE59814177D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-03 EP EP98114542A patent/EP0898159B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-13 JP JP22881698A patent/JP4380813B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-13 US US09/133,802 patent/US6294787B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-13 KR KR1019980032918A patent/KR100631449B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-08-14 CN CN98118357A patent/CN1208966A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3801949A (en) * | 1973-03-08 | 1974-04-02 | Rca Corp | Thermal detector and method of making the same |
| EP0640815A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared radiation detector and method of producing the same |
| JPH0772014A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型赤外線センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0898159B1 (de) | 2008-02-27 |
| DE19735379B4 (de) | 2008-06-05 |
| CN1208966A (zh) | 1999-02-24 |
| KR19990023585A (ko) | 1999-03-25 |
| DE19735379A1 (de) | 1999-02-18 |
| DE59814177D1 (de) | 2008-04-10 |
| JPH11118596A (ja) | 1999-04-30 |
| EP0898159A3 (de) | 2000-03-29 |
| US6294787B1 (en) | 2001-09-25 |
| EP0898159A2 (de) | 1999-02-24 |
| JP4380813B2 (ja) | 2009-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100631449B1 (ko) | 센서시스템,그제조방법및셀프테스트방법 | |
| EP0376721B1 (en) | Moisture-sensitive device | |
| KR100507716B1 (ko) | 서모파일 센서 및 서모파일 센서가 구비된 복사 온도계 | |
| US20080317087A1 (en) | Calibrating Method of Current Detection Type Thermocouple or the Like, Calibration Method of Offset of Operational Amplifier, Current Detection Type Thermocouple, Infrared Sensor and Infrared Detector | |
| US6300554B1 (en) | Method of fabricating thermoelectric sensor and thermoelectric sensor device | |
| KR20010079774A (ko) | 다중 센서 요소를 구비한 방사 온도계 및 방사 센서와 그온도 결정 방법 | |
| US7765679B2 (en) | Method of manufacturing a flow rate sensor | |
| US7525092B2 (en) | Infrared sensor having thermo couple | |
| JP2002071452A (ja) | 熱型赤外線検出器 | |
| EP0794427A1 (en) | Semiconductor chemical sensor device and method of forming a thermocouple for a semiconductor chemical sensor device | |
| US20050161605A1 (en) | Infrared gas sensor | |
| US20110110394A1 (en) | Microstructured sensor for the detection of IR radiation | |
| US7165441B2 (en) | Sensor module having a sensor element surrounded by a heating element | |
| US6589433B2 (en) | Accelerometer without proof mass | |
| CN104412386B (zh) | 红外线传感器装置和用于制造红外线传感器装置的方法 | |
| US20050011260A1 (en) | Temperature sensing device for detecting an acceleration or shock provided with a heating unit, and associated method | |
| US6863438B2 (en) | Microstructured thermosensor | |
| US6566893B2 (en) | Method and arrangement for monitoring surfaces for the presence of dew | |
| KR101252909B1 (ko) | 가열 가능한 적외선 센서와 이 적외선 센서를 구비하는 적외선 온도계 | |
| JP2001296184A (ja) | 赤外線検出装置 | |
| US20040112663A1 (en) | Method and device for recognition of a side impact on a motor vehicle | |
| JP3402525B2 (ja) | 熱依存性検出装置 | |
| JPH07181082A (ja) | 赤外線検出装置 | |
| JP3358684B2 (ja) | 熱依存性検出装置 | |
| KR20010041843A (ko) | 마이크로센서를 가지는 측정 장치 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120907 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130910 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |