KR100624653B1 - Apparatus for treating substrates and method of treating substrates - Google Patents

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시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 경사져 반송되는 기판을 소정의 온도로 가열된 박리액으로 균일하게 가열하여 처리할 수 있도록 한 기판의 처리 장치를 제공한다.This invention provides the processing apparatus of the board | substrate which was made to be able to process the board | substrate conveyed by inclining and conveying uniformly with the peeling liquid heated to predetermined temperature, and to process.

본 발명의 기판의 처리 장치는,The processing apparatus of the board | substrate of this invention,

반송되는 기판의 표면을 소정 온도로 가열된 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 장치에 있어서,In the processing apparatus of the board | substrate which processes the surface of the board | substrate conveyed with the process liquid heated to predetermined temperature,

상기 기판을, 표면이 경사 방향 위쪽으로 향하도록 소정 각도로 경사지게 하여, 반송하는 반송 수단(1), 상기 반송 수단에 의해 반송되는 기판의 경사 방향 위쪽으로 향하는 표면에 처리액을 공급하는 표면용 노즐(14), 및 상기 반송 수단에 의해 반송되는 기판의 경사 방향 아래쪽으로 향하는 배면에 상기 처리액을 공급하는 분기관(16)을 구비한다.The surface nozzle which inclines the said board | substrate at the predetermined angle so that a surface may face upward in a diagonal direction, and supplies a process liquid to the conveying means 1 which conveys, and the surface which faces upwardly in the diagonal direction of the board | substrate conveyed by the said conveying means. 14 and the branch pipe 16 which supplies the said process liquid to the back surface which goes to the diagonal direction downward of the board | substrate conveyed by the said conveying means.

기판, 표면, 배면, 처리액, 처리 장치, 소정 각도, 반송 수단, 제1 액체 공급 수단, 제2 액체 공급 수단, 노즐, 저항 부재, 가이드 부재, 유량 제어 밸브. Substrate, surface, back surface, processing liquid, processing apparatus, predetermined angle, conveying means, first liquid supplying means, second liquid supplying means, nozzle, resistance member, guide member, flow control valve.

Description

기판의 처리 장치 및 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES}Substrate processing apparatus and processing method {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명의 제1 실시예를 나타내는데, 반송 수단에 의해 가이드 부재의 앞면 쪽에서 반송되는 기판의 정면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The 1st Example of this invention is shown, It is a front view of the board | substrate conveyed from the front side of a guide member by a conveying means.

도 2는 반송 수단에 의해 반송되는 기판 및 기판의 배면 쪽에 설치되는 가이드 부재의 종단면도이다.2 is a longitudinal cross-sectional view of the substrate conveyed by the conveying means and the guide member provided on the back side of the substrate.

도 3은 가이드 부재의 사시도이다.3 is a perspective view of the guide member.

도 4는 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 가이드 부재의 사시도이다. 4 is a perspective view of a guide member showing a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제3 실시예를 나타내는 구성도이다.5 is a configuration diagram showing a third embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부호에 대한 설명 *Explanation of the main symbols in the drawings

1: 반송 수단 4: 제1축1: conveying means 4: first shaft

5: 제2축 11: 가이드 부재5: 2nd axis 11: guide member

13: 저항 부재 14: 노즐13: resistance member 14: nozzle

15: 액체 공급관 16: 분기관15: liquid supply pipe 16: branch pipe

17: 틈새 21, 22: 유량 제어 밸브17: clearance 21, 22: flow control valve

23: 제어 장치23: control unit

본 발명은 기판의 표면을 소정의 온도로 가열된 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the processing apparatus and processing method of the board | substrate which process the surface of a board | substrate with the process liquid heated to predetermined temperature.

액정 표시 장치에 이용되는 유리로 된 기판에는 회로 패턴이 형성된다. 기판에 회로 패턴을 형성하는 데에는 리소그라피 프로세스가 채용된다. 리소그라피 프로세스는, 공지된 바와 같이, 상기 기판에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트에, 회로 패턴이 형성된 마스크를 통하여 광을 조사한다.A circuit pattern is formed on the glass substrate used for a liquid crystal display device. Lithographic processes are employed to form circuit patterns on the substrate. In the lithography process, as is well known, a resist is applied to the substrate, and the resist is irradiated with light through a mask in which a circuit pattern is formed.

다음에, 레지스트의 광이 조사되지 않은 부분 또는 광이 조사된 부분을 제거하고, 기판의 레지스트가 제거된 부분을 에칭하며, 에칭 후에 레지스트를 제거하는 등 일련의 공정을 복수회 반복함으로써, 상기 기판에 회로 패턴을 형성한다.Next, the substrate is repeatedly subjected to a plurality of times by removing a portion of the resist not irradiated or the portion to which the light is irradiated, etching the portion of the substrate from which the resist is removed, and removing the resist after etching. To form a circuit pattern.

이와 같은 리소그라피 프로세스에 있어서는, 상기 기판에 현상액, 에칭액 또는 에칭 후에 레지스트를 제거하는 박리액 등에 의해 기판을 처리하는 공정, 또한 세정액에 의해 세정하는 공정이 있고, 세정 후에는 기판에 부착되어 잔류하는 세정액을 제거하는 건조(乾燥) 공정이 필요하다.In such a lithography process, there is a process of treating a substrate with a developing solution, an etching solution or a stripping solution for removing a resist after etching, and a step of cleaning with a cleaning solution, and after cleaning, the cleaning solution adhered to the substrate and remains. There is a need for a drying process to remove the

종래, 기판에 대하여 전술한 일련의 처리를 행하는 경우, 상기 기판은 축선을 수평으로 하여 배치된 반송 롤러에 의해 수평인 상태에서 각각의 처리 챔버로 차례로 반송하고, 각 챔버에서 전술한 각각의 처리를 행하도록 하고 있다.Conventionally, when performing the above-mentioned series of processes with respect to a board | substrate, the said board | substrate is conveyed to each processing chamber one by one in the horizontal state by the conveyance roller arrange | positioned horizontally, and each process mentioned above in each chamber is carried out. To do it.

최근에는 액정 표시 장치에 이용되는 유리로 된 기판이 대형화 및 박형화되는 경향이 있다. 따라서, 기판을 수평 반송하면, 반송 롤러 사이에서 기판의 휨이 커지므로, 각 처리 챔버에서의 처리가 기판의 면 전체에 걸쳐서 균일하게 행해지지 않는 경우가 생긴다.In recent years, the glass substrate used for a liquid crystal display device tends to be enlarged and thinned. Therefore, when the substrate is horizontally conveyed, the warpage of the substrate increases between the conveying rollers, so that processing in each processing chamber may not be uniformly performed over the entire surface of the substrate.

또한, 기판이 대형화되면, 그 기판을 반송하는 반송 롤러가 설치된 반송축이 길게 되고, 기판상에 공급되는 처리액이 증대되고, 기판상의 처리액의 양에 따라 상기 반송축에 가해지는 하중이 커지기 때문에, 반송축의 휨이 증대된다. 따라서, 기판은 단지 자중에 의해 휘는 것만이 아니라, 반송축과 함께 휘기 때문에, 이것에 따라서도 균일한 처리가 행해지지 않는 경우가 있다.Moreover, when a board | substrate becomes large, the conveyance shaft provided with the conveyance roller which conveys the board | substrate becomes long, the process liquid supplied on a board | substrate increases, and the load applied to the said conveyance shaft becomes large according to the quantity of the process liquid on a board | substrate. Therefore, the warpage of the carrier shaft is increased. Therefore, the substrate is not only bent by its own weight but also bent together with the transport shaft, so that uniform processing may not be performed depending on this.

최근에는 기판의 휨을 줄이기 위하여, 기판을 소정 각도로 경사지게 하여 반송하면서 처리하는 것이 실용화되어 있다.In recent years, in order to reduce the curvature of a board | substrate, the process of carrying out inclination of a board | substrate at a predetermined angle and conveying is utilized.

그런데, 기판을 처리액으로서의 박리액으로 처리하는 경우, 레지스트의 박리 효과를 높이기 위해서, 박리액을 70~80도로 가열하여 공급하는 것이 행해지고 있다. 기판을 수평으로 반송하는 경우에, 기판의 회로 패턴이 형성되는 표면(상면)에 공급된 박리액은 그 표면에 유지되기 때문에, 기판의 온도가 박리액의 온도와 대략 같은 온도로 유지된다. 그에 따라, 레지스트의 박리를 효율적으로 행하는 것이 가능하게 된다.By the way, when processing a board | substrate with the peeling liquid as a process liquid, in order to improve the peeling effect of a resist, heating and supplying a peeling liquid is performed at 70-80 degree | times. In the case of transporting the substrate horizontally, since the peeling liquid supplied to the surface (upper surface) on which the circuit pattern of the substrate is formed is maintained on the surface, the temperature of the substrate is maintained at a temperature approximately equal to the temperature of the peeling liquid. Thereby, it becomes possible to perform peeling of a resist efficiently.

그런데, 전술한 바와 같이 기판을 소정 각도로 경사지게 하여 반송하는 경우, 경사 방향의 위쪽으로 되는 표면에 소정 온도로 가열된 박리액을 공급하여도, 그 박리액은 기판의 표면의 상단으로부터 하단을 따라 빠른 속도로 흘러내린다. 또한, 기판의 굴곡을 적게 하기 위하여, 경사 각도를 크게 할수록, 박리액은 기판의 표면으로부터 짧은 시간에 흘러내린다.By the way, in the case where the substrate is inclined at a predetermined angle and conveyed as described above, even if a stripping solution heated at a predetermined temperature is supplied to the surface that is in the upward direction of the inclination direction, the stripping solution is along the lower end from the top of the surface of the substrate. It flows down at high speed. In addition, in order to reduce the curvature of a board | substrate, peeling liquid flows from the surface of a board | substrate for a short time as the inclination angle is enlarged.

이와 같이, 박리액이 기판의 표면으로부터 빠른 속도로 흘러 떨어지면, 기판은 박리액에 의해 온도가 상승하기 어려워진다. 따라서, 박리액에 의한 레지스트의 제거를 효율적으로 확실하게 행할 수 없게 된다.Thus, when a peeling liquid flows off the surface of a board | substrate at high speed, it will become difficult for a board | substrate to raise temperature by a peeling liquid. Therefore, the removal of the resist by the stripping solution cannot be efficiently and reliably performed.

기판의 표면의 상하 방향을 따라 복수개의 노즐을 소정 간격으로 배치하고, 각 노즐로부터 처리액을 공급함으로써, 기판을 상하 방향을 따라 온도를 상승시킬 수 있도록 하는 것이 고려되었다.It was considered to arrange | position a some nozzle along the up-down direction of the surface of a board | substrate, and to supply a process liquid from each nozzle, and to make it possible to raise a temperature along a up-down direction.

그러나, 기판의 표면에 상하 방향을 따라 배치된 복수개의 노즐로부터 처리액을 공급하면, 각 노즐로부터 공급된 처리액은 기판의 표면의 하부로 감에 따라 유량이 많아진다. 따라서, 기판은 상부보다 하부 쪽에서 온도가 더 상승하여, 상하 방향이 균일한 온도로 가열되지 않게 되기 때문에, 그 온도차에 따라 처리액에 의한 처리도 불균일하게 되었다.However, when the processing liquid is supplied from the plurality of nozzles arranged in the vertical direction to the surface of the substrate, the flow rate of the processing liquid supplied from each nozzle goes to the lower part of the surface of the substrate. Therefore, since the temperature of the substrate rises further from the lower side than the upper side, and the vertical direction is not heated to a uniform temperature, the treatment by the processing liquid also becomes uneven according to the temperature difference.

본 발명의 목적은, 기판을 경사지게 하여 반송하는 경우에, 이 기판을 처리액에 의해 상하 방향으로 온도차가 생기지 않고 균일하게 가열하여 처리할 수 있도록 한 기판의 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a processing apparatus and a processing method for a substrate in which the substrate can be uniformly heated and processed without causing a temperature difference in the vertical direction by the processing liquid when the substrate is inclined and conveyed. .

본 발명은, 반송되는 기판의 표면을 소정 온도로 가열된 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 장치에 있어서,This invention is a processing apparatus of the board | substrate which processes the surface of the board | substrate conveyed with the process liquid heated to predetermined temperature,

상기 기판을 상기 표면이 경사 방향의 위쪽으로 향하도록 소정 각도로 경사지게 하여 반송하는 반송 수단,Conveying means for conveying the substrate by inclining the substrate at a predetermined angle such that the surface faces upward in an inclined direction;

상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 경사 방향의 위쪽으로 향하는 상기 표면에 상기 처리액을 공급하는 제1 액체 공급 수단, 및First liquid supply means for supplying said processing liquid to said surface facing upward in the inclined direction of said substrate conveyed by said conveying means, and

상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 경사 방향의 아래쪽으로 향하는 배면의 상부에 상기 처리액을 공급하는 제2 액체 공급 수단2nd liquid supply means which supplies the said process liquid to the upper part of the back surface downward of the inclination direction of the said board | substrate conveyed by the said conveying means.

을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치이다.It is a substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

본 발명은, 반송되는 기판의 표면을 소정 온도로 가열된 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 방법에 있어서,This invention is a processing method of the board | substrate which processes the surface of the board | substrate conveyed with the processing liquid heated at predetermined temperature,

상기 기판을 상기 표면이 경사 방향의 위쪽으로 향하도록 소정 각도로 경사지게 하여 반송하는 단계,Conveying the substrate by inclining the substrate at a predetermined angle such that the surface faces upward in an inclined direction,

반송되는 상기 기판의 경사 방향의 위쪽으로 향하는 상기 표면에 소정 온도로 가열된 상기 처리액을 공급하는 단계, 및 Supplying the treatment liquid heated to a predetermined temperature to the surface facing upward of the inclined direction of the substrate to be conveyed, and

반송되는 상기 기판의 경사 방향의 아래쪽으로 향하는 배면의 상부에 소정 온도로 가열된 상기 처리액을 공급하는 단계Supplying said processing liquid heated at a predetermined temperature to an upper portion of a rear surface of the substrate to be conveyed downward in an inclined direction

를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법이다.It is a substrate processing method comprising a.

본 발명에 의하면, 기판의 표면만이 아니라, 배면의 상부에도 처리액을 공급하도록 했기 때문에, 기판의 표면에 흐르는 처리액의 유량이 상부보다 하부 쪽이 많게 되어도, 배면의 상부에 공급된 처리액에 의하여, 기판을 상하 방향으로 균일한 온도로 가열하는 것이 가능하게 된다.According to the present invention, the processing liquid is supplied not only to the surface of the substrate but also to the upper portion of the rear surface, so that the processing liquid supplied to the upper portion of the rear surface is increased even if the flow rate of the processing liquid flowing on the surface of the substrate is larger than the upper portion. This makes it possible to heat the substrate at a uniform temperature in the vertical direction.

이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시예를 나타내는데, 도 1은 반송 수단(1) 에 의해 소정 각도, 예를 들어 75도의 각도로 경사져 반송되는 기판(W)을 나타낸 사시도이다. 상기 반송 수단(1)은 축선을 수평면에 대하여 15도의 각도로 경사지게 하여 배치된 복수개의 구동 롤러(2)를 가진다. 구동 롤러(2)는, 도 2에 나타낸 바와 같이 구동원(3)에 의해 회전 구동되는 제1축(4)에 장착되어 있다.1 to 3 show a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is a perspective view showing a substrate W that is conveyed at an inclined angle by a conveying means 1, for example, at an angle of 75 degrees. The conveying means 1 has a plurality of drive rollers 2 arranged so as to incline the axis at an angle of 15 degrees with respect to the horizontal plane. The drive roller 2 is attached to the 1st shaft 4 which is rotationally driven by the drive source 3, as shown in FIG.

상기 기판(W)의 경사 방향 아래쪽인 배면 쪽에는, 반송되는 기판(W)과 평행하게, 즉 75도의 각도로 경사지게 하여 축선이 배치된 복수개의 제2축(5)이, 기판(W)의 반송 방향을 따라 소정 간격으로, 또한 상하 단부가 각각 베어링(6)에 의해 회전 가능하게 지지된 상태로, 형성되어 있다. 제2축(5)에, 각각 축방향으로 소정 간격으로 복수개, 이 실시예에서는 3개의 지지 롤러(7)가 상기 제2축(5)에 대하여 회전 가능하게 형성되어 있다.A plurality of second shafts 5 on which the axis lines are arranged on the rear surface of the substrate W in the inclined direction below the substrate W is inclined at an angle of 75 degrees in parallel with the substrate W to be conveyed. At predetermined intervals along the conveyance direction, the upper and lower ends are formed so as to be rotatably supported by the bearings 6, respectively. A plurality of support rollers 7 are formed on the second shaft 5 at predetermined intervals in the axial direction, respectively, in this embodiment so as to be rotatable with respect to the second shaft 5.

상기 기판(W)은, 하단이 상기 구동 롤러(2)의 외주면에 지지되고, 배면이 상기 지지 롤러(4)에 의해 지지된다. 즉, 기판(W)은 회로 패턴이 형성된 표면을 경사 방향의 위쪽으로 하여 소정의 각도로 경사져 지지된다. 상기 구동 롤러(2)를 구동원(3)에 의해 회전 구동하면, 상기 기판(W)은 지지 롤러(7)에 지지된 상태로 도 1에 화살표로 나타낸 구동 롤러(2)의 회전 방향으로 반송된다.The lower end of the substrate W is supported by the outer circumferential surface of the drive roller 2, and the rear surface thereof is supported by the support roller 4. That is, the substrate W is inclined and supported at a predetermined angle with the surface on which the circuit pattern is formed upward in the inclined direction. When the said drive roller 2 is rotationally driven by the drive source 3, the said board | substrate W is conveyed in the rotation direction of the drive roller 2 shown by the arrow in FIG. 1 in the state supported by the support roller 7. .

상기 반송 수단(1)에 의해 반송되는 기판(W)의 반송로에, 이 기판(W)의 경사 방향 아래쪽인 배면 쪽에, 일 측면이 기판(W)의 배면과 수 mm, 예를 들어 5mm의 간격으로 평행하게 대향된 상태로 판형의 가이드 부재(11)가 설치되어 있다.On the back side of the substrate W, which is conveyed by the conveying means 1, on the rear side of the substrate W in the inclined direction downward, one side surface of the back surface of the substrate W and several mm, for example, 5 mm The plate-shaped guide member 11 is provided in the state opposing parallel to the space | interval.

상기 가이드 부재(11)는, 내약품성을 갖고 있고, 열전도율이 낮은(보온성이 높은) 재료, 예를 들면 합성 수지 등에 의해 상기 기판(W)보다 큰 직사각형 판 모 양으로 형성되어 있다.The guide member 11 is formed in a rectangular plate shape larger than the substrate W by a material having chemical resistance and having a low thermal conductivity (high heat retention), for example, a synthetic resin.

상기 가이드 부재(11)에, 도 2와 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 지지 롤러(7)와 대응하는 부분에, 지지 롤러(7)가 직경 방향의 일부를 가이드 부재(11)의 배면으로부터 기판(W) 쪽으로 돌출시키는 개구부(12)가 형성되어 있다. 따라서, 기판(W)은, 가이드 부재(11)의 개구부(12)로부터 일부가 돌출된 지지 롤러(7)에 의해 배면이 주행 가능하게 지지된다.As shown in FIG. 2 and FIG. 3 to the guide member 11, a portion of the support roller 7 in the radial direction is attached to a portion corresponding to the support roller 7 from the back surface of the guide member 11. The opening part 12 which protrudes toward (W) is formed. Therefore, the back surface of the board | substrate W is supported by the support roller 7 in which one part protruded from the opening part 12 of the guide member 11 so that a run is possible.

상기 가이드 부재(11)의 상기 기판(W)의 배면과 대향하는 일 측면에는, 단면 형상이 사다리꼴 형상인 복수개의 저항 부재(13)가 가이드 부재(11)의 상하 방향으로 소정 간격을 갖고 평행으로 이격되고, 또한 폭 방향의 대략 전체 길이에 걸쳐서 형성되어 있다. 이 실시예에서는, 가이드 부재(11)의 폭 방향을 따라 같은 높이로 형성된 개구부(12)의 아래쪽에 각각 상기 저항 부재(13)가 형성되어 있다. On one side surface of the guide member 11 that faces the rear surface of the substrate W, a plurality of resistance members 13 having a trapezoidal cross-sectional shape are parallel to each other at a predetermined interval in the vertical direction of the guide member 11. It is spaced apart and is formed over substantially the entire length of the width direction. In this embodiment, the resistance members 13 are formed below the openings 12 formed at the same height along the width direction of the guide member 11.

도 2에 나타낸 바와 같이, 75도로 경사져 반송되는 기판(W)의 경사 방향의 위쪽이 되는 표면에는, 상하 방향으로 소정 간격으로 배치된 제1 액체 공급 수단으로서의 복수개의 표면용 노즐(14)로부터 처리액으로서의 박리액이 공급된다. 처리액이 박리액인 경우, 그 박리액은 소정의 온도인 70~80도로 가열된다. 표면용 노즐(14)은, 도 1에 쇄선으로 나타낸 바와 같이 기판(W)의 반송 방향의 하류 쪽이 되는 상기 가이드 부재(11)의 폭 방향의 일단부에 대향하는 위치에 상하 방향으로 소정 간격, 즉 상단, 중단 및 하단의 3개의 위치에 배치되어 있다.As shown in FIG. 2, it processes from the some surface nozzle 14 as a 1st liquid supply means arrange | positioned at predetermined intervals in the up-down direction on the surface which becomes the upper direction of the inclination direction of the board | substrate W inclined and conveyed by 75 degree | times. Peeling liquid as a liquid is supplied. When a process liquid is a peeling liquid, this peeling liquid is heated to 70-80 degree | times which is a predetermined temperature. The surface nozzles 14 are spaced in the vertical direction at positions opposite to one end portion in the width direction of the guide member 11, which is the downstream side of the transport direction of the substrate W, as indicated by the dashed lines in FIG. , Three positions: top, middle and bottom.

각 표면용 노즐(14)에는 박리액의 액체 공급관(15)이 접속되어 있다. 액체 공급관(15)은 박리액의 액체 공급원(19)에 제1 유량 제어 밸브(21)를 통하여 접속 되어 있고, 이 액체 공급관(15)으로부터는 제2 액체 공급 수단을 구성하는 복수개의 분기관(16)(1개만 나타냄)이 분기되어 있다. 액체 공급원(19)은 도시하지 않은 히터를 가지고, 내부에 수용된 처리액을 소정의 온도로 가열할 수 있도록 되어 있다.The liquid supply pipe 15 of the peeling liquid is connected to each surface nozzle 14. The liquid supply pipe 15 is connected to the liquid supply source 19 of the peeling liquid via the first flow control valve 21, and from the liquid supply pipe 15, a plurality of branch pipes constituting the second liquid supply means ( 16) (only one) is branched. The liquid supply source 19 has a heater which is not shown in figure, and is able to heat the process liquid accommodated in it to predetermined temperature.

각 분기관(16)은 상기 가이드 부재(6)의 상단부에 폭 방향으로 소정 간격으로 형성된 개구부(18)에 제2 유량 제어 밸브(22)를 통하여 접속되어 있다. 제1 유량 제어 밸브(21)와 제2 유량 제어 밸브(22)는 제어 장치(23)에 의해 개방도를 설정할 수 있도록 되어 있다.Each branch pipe 16 is connected to the opening part 18 formed in the width direction at the upper end part of the said guide member 6 via the 2nd flow control valve 22. As shown in FIG. The first flow rate control valve 21 and the second flow rate control valve 22 can be set by the control device 23.

따라서, 소정의 온도로 가열된 박리액은, 기판(W)의 표면에 공급되는 동시에, 상기 개구부(18)로부터 기판(W)의 배면과 가이드 부재(11) 사이의 틈새(17), 즉 기판(W)의 배면 상부에도 공급된다. 즉, 기판(W)의 표면과 배면에 종류 및 온도가 같은 처리액이 각각 제1 유량 제어 밸브(21)와 제2 유량 제어 밸브(22)에 의해 설정된 유량으로 공급된다.Therefore, the peeling liquid heated to predetermined temperature is supplied to the surface of the board | substrate W, and the clearance 17 between the back surface of the board | substrate W and the guide member 11 from the said opening part 18, ie, a board | substrate, It is also supplied to the upper rear surface of (W). That is, the processing liquids of the same kind and temperature are supplied to the surface and back surface of the substrate W at the flow rates set by the first flow control valve 21 and the second flow control valve 22, respectively.

이 실시예에서는 분기관(16)은 액체 공급관(15)으로부터 3개로 분기되고, 이들 분기관(16)은 상기 표면용 노즐(14)보다 기판(W)의 반송 방향 상류 쪽에 위치하도록 상기 가이드 부재(11)의 상부에 접속되어 있다.In this embodiment, the branch pipes 16 branch into three from the liquid supply pipe 15, and these guide pipes 16 are located in the conveying direction upstream of the substrate W rather than the surface nozzles 14. It is connected to the upper part of (11).

상기 틈새(17)에 공급된 박리액은 이 틈새(17)를 채우고, 도 2에 화살표로 나타낸 바와 같이 기판(W)의 배면 상부에서 하부로 흐른다. 상기 가이드 부재(11)의 기판(W)의 배면에 대향하는 일 측면에는 폭 방향을 따라 복수개의 저항 부재(13)가 상하 방향으로 소정 간격으로 형성되어 있다. 따라서, 기판(W)의 배면을 따라 흐르는 박리액은, 상기 틈새(17)에 위치하는 상기 저항 부재(13)의 저항에 의해 낙하 속도가 감소한다.The peeling liquid supplied to the said gap 17 fills this gap 17, and flows to the lower part from the upper back surface of the board | substrate W as shown by the arrow in FIG. On one side surface of the guide member 11 that faces the rear surface of the substrate W, a plurality of resistance members 13 are formed at predetermined intervals in the vertical direction along the width direction. Therefore, the peeling liquid which flows along the back surface of the board | substrate W reduces the fall speed by the resistance of the said resistance member 13 located in the said gap 17.

즉, 개구부(18)로부터 기판(W)과 가이드 부재(6)가 이루는 틈새(17)의 상부에 공급된 박리액은, 이 틈새(17)가 작음에 따라서 생기는 표면 장력과 저항 부재(13)의 저항에 의해 상기 틈새(17)에 비교적 긴 시간 체류하면서 틈새(17)의 하단으로부터 유출하도록 되어 있다.That is, the peeling liquid supplied from the opening part 18 to the upper part of the clearance gap 17 which the board | substrate W and the guide member 6 make | form is the surface tension and resistance member 13 which arise as the clearance gap 17 is small. Due to the resistance of, the fluid flows out from the lower end of the gap 17 while staying in the gap 17 for a relatively long time.

이와 같이 구성된 처리 장치에 의해 기판(W)의 표면에 부착된 레지스트를 박리 처리하는 경우, 반송 수단(1)에 의해 기판(W)이 가이드 부재(6)에 대향하는 위치까지 반송되어 오면, 제1 및 제2 유량 제어 밸브(21, 22)가 개방되고, 액체 공급원(19)의 소정의 온도로 가열된 처리액이, 액체 공급관(15)을 통해 복수개의 표면용 노즐(14)에 공급되고, 또한 분기관(16)이 접속된 개구부(18)에 공급된다.When peeling a resist attached to the surface of the board | substrate W by the processing apparatus comprised in this way, when the board | substrate W is conveyed to the position which opposes the guide member 6 by the conveying means 1, The first and second flow control valves 21 and 22 are opened, and the treatment liquid heated to a predetermined temperature of the liquid supply source 19 is supplied to the plurality of surface nozzles 14 through the liquid supply pipe 15. In addition, it is supplied to the opening part 18 to which the branch pipe 16 was connected.

개구부(18)에 공급된 처리액은, 기판(W)이 반송되어 그 배면이 가이드 부재(11)에 대향하여, 이들 사이에 틈새(17)가 형성되면, 이 틈새(17)를 따라 흐른다. 즉, 박리액은 가이드 부재(11)와 함께 상기 틈새(17)를 형성하는 기판(W)의 배면에서 상부로부터 하부로 흐르게 된다.When the process liquid supplied to the opening part 18 conveys the board | substrate W, the back surface opposes the guide member 11, and the clearance gap 17 is formed between them, it flows along this clearance gap 17. That is, the peeling liquid flows from the top to the bottom on the back surface of the substrate W forming the gap 17 together with the guide member 11.

기판(W)이 반송되어 그 반송 방향의 선단부가 표면용 노즐(14)에 대향하면, 표면용 노즐(14)로부터 유출되는 박리액은 기판(W)의 표면에서 위쪽으로부터 아래쪽으로 흐른다. 기판(W)의 선단부가 표면용 노즐(14)에 대향하는 위치까지 반송되어 온 시점에서는, 기판(W)의 반송 방향의 선단부는 상기 틈새(17)에 공급된 박리액에 의해 온도가 상승하고 있다.When the board | substrate W is conveyed and the front-end | tip part of the conveyance direction opposes the surface nozzle 14, the peeling liquid which flows out from the surface nozzle 14 will flow from the top of the board | substrate W to the downward direction. When the tip of the substrate W has been conveyed to a position facing the surface nozzle 14, the tip of the substrate W in the conveying direction is raised in temperature by the peeling liquid supplied to the gap 17. have.

따라서, 표면용 노즐(14)로부터 기판(W)의 표면에 공급되는 박리액은, 가이드 부재(11)와 기판(W) 사이의 틈새(17)에 공급된 박리액에 의해 가열된 기판(W)의 표면에 공급되기 때문에, 그 박리액은 온도가 상승한 기판(W)에 유효하게 작용한다. 즉, 기판(W)의 표면에 공급된 박리액은, 이 기판(W)의 표면을 비교적 빠른 속도로 흘러도, 온도가 상승한 기판(W)에 대하여 확실하게 박리 작용을 한다.Therefore, the peeling liquid supplied from the surface nozzle 14 to the surface of the board | substrate W is heated by the peeling liquid supplied to the clearance 17 between the guide member 11 and the board | substrate W. The board | substrate W Since it is supplied to the surface of), the peeling liquid acts effectively on the substrate W at which the temperature has risen. That is, even if the peeling liquid supplied to the surface of the board | substrate W flows through the surface of this board | substrate W at a comparatively high speed, it peels reliably with respect to the board | substrate W with which the temperature rose.

상기 틈새(17)에 공급된 박리액은, 이 틈새(17)가 좁음에 따라서 생기는 박리액의 표면 장력 및 가이드 부재(11)에 설치된 저항 부재(13)에 의한 저항에 의해 상기 틈새(17)에 체류하는 시간이 길게 된다. 즉, 박리액이 틈새(17)로부터 유출되는 시간이 길게 된다.The peeling liquid supplied to the said gap 17 is the said gap 17 by the surface tension of the peeling liquid which arises as this clearance 17 narrows, and the resistance by the resistance member 13 provided in the guide member 11. The time for staying at is long. That is, the time which the peeling liquid flows out from the clearance 17 becomes long.

박리액이 틈새(17)에 체류하는 시간이 길게 되면, 틈새(17)에 공급된 박리액은 기판(W)을 확실하게 온도 상승시키게 된다. 따라서, 기판(W)의 표면에 공급된 박리액이 그 표면을 빠른 속도로 흘러 내려도, 기판(W)의 표면을 확실하게 박리 처리할 수 있게 된다.When the time for which the peeling liquid stays in the gap 17 becomes long, the peeling liquid supplied to the gap 17 raises the temperature of the substrate W reliably. Therefore, even if the peeling liquid supplied to the surface of the board | substrate W flows down the surface at high speed, the surface of the board | substrate W can be reliably peeled off.

기판(W)의 표면에는 상하 방향을 따라 소정 간격으로 배치된 3개의 표면용 노즐(14)로부터 박리액이 공급된다. 따라서, 기판(W)의 표면에서는 상부보다 하부 쪽이 처리액의 유량이 많아지므로, 하부 쪽이 상부보다 온도가 높아지는 우려가 있다.The peeling liquid is supplied to the surface of the board | substrate W from three surface nozzles 14 arrange | positioned at predetermined intervals along the up-down direction. Accordingly, since the flow rate of the processing liquid increases on the lower surface of the substrate W than on the upper surface, there is a concern that the lower temperature becomes higher than the upper portion.

그러나, 기판(W)의 배면의 상부에는, 표면에 공급되는 박리액과 같은 온도로 가열된 박리액이 개구부(18)에 접속된 분기관(16)으로부터 공급된다. 또한, 배면 상부에 공급된 박리액은 틈새(17)에서 완만한 속도로 흘러내리게 된다.However, the peeling liquid heated at the same temperature as the peeling liquid supplied to the surface is supplied to the upper part of the back surface of the board | substrate W from the branch pipe 16 connected to the opening part 18. As shown in FIG. In addition, the peeling liquid supplied to the upper back surface flows in the clearance 17 at a gentle speed.

따라서, 기판(W)의 상부는, 배면에 공급된 박리액과 표면에 공급된 박리액에 의해 가열되므로, 하부에 흐르는 박리액의 양이 많아도, 상부와 대략 같은 온도로 가열된다. 그에 따라, 기판(W)은 표면의 상부와 하부에 온도차가 생기기 어려워지기 때문에, 박리액에 의해 상하 방향에서 거의 균일하게 처리되게 된다.Therefore, since the upper part of the board | substrate W is heated by the peeling liquid supplied to the back surface, and the peeling liquid supplied to the surface, even if there is much quantity of the peeling liquid which flows in the lower part, it heats to the temperature substantially the same as the upper part. As a result, since the temperature difference hardly occurs in the upper and lower portions of the surface, the substrate W is treated almost uniformly in the vertical direction by the stripping solution.

기판(W)의 표면에 박리액을 공급하는 상하 방향의 3개의 표면용 노즐(14)은 제1 유량 제어 밸브(21)에 의해 각각 공급량이 제어될 수 있다. 따라서, 하부의 표면용 노즐(14)로부터 공급되는 박리액의 양을, 상부에 위치하는 표면용 노즐(14)로부터 공급되는 양보다 적게 하면, 기판(W)의 상하 방향의 온도차를 더욱 적게 할 수 있다.The supply amount of the three surface nozzles 14 of the up-down direction which supplies a peeling liquid to the surface of the board | substrate W can be controlled by the 1st flow volume control valve 21, respectively. Therefore, if the amount of the peeling liquid supplied from the lower surface nozzle 14 is smaller than the amount supplied from the surface nozzle 14 located above, the temperature difference in the vertical direction of the substrate W can be further reduced. Can be.

기판(W)의 표면과 배면에 같은 처리액, 즉 박리액을 공급하도록 하고 있다. 따라서, 기판(W)의 표면과 배면에 공급된 박리액을 함께 회수하여 재사용할 수 있기 때문에 편리하다.The same processing liquid, that is, a peeling liquid, is supplied to the surface and the back surface of the substrate W. FIG. Therefore, since the peeling liquid supplied to the surface and the back surface of the board | substrate W can be collect | recovered and reused, it is convenient.

도 4는 본 발명의 가이드 부재(11)에 설치되는 저항 부재의 변형예를 나타낸 제2 실시예이다. 이 실시예에 나타낸 저항 부재(13A)는, 가이드 부재(11)의 폭 방향에 대하여 복수개로 분할되어 있다. 이와 같은 저항 부재(13A)를 이용하면, 제1 실시예에 나타낸 바와 같이, 저항 부재(13)가 폭 방향 전체 길이에 걸쳐 형성된 경우에 비하여, 박리액이 낙하할 때 주는 저항이 작아진다.4 is a second embodiment showing a modification of the resistance member provided in the guide member 11 of the present invention. The resistance member 13A shown in this embodiment is divided into a plurality of guide members 11 in the width direction. By using such a resistance member 13A, as shown in the first embodiment, the resistance given when the peeling liquid falls is smaller than when the resistance member 13 is formed over the entire length of the width direction.

즉, 기판(W)과 가이드 부재(11) 사이의 틈새(17)를 흐르는 박리액에 미치는 저항은, 가이드 부재(11)에 설치되는 저항 부재의 형상이나 틈새(17)의 크기 등에 의해 조정할 수 있다.That is, the resistance to the peeling liquid flowing through the gap 17 between the substrate W and the guide member 11 can be adjusted by the shape of the resistance member provided on the guide member 11, the size of the gap 17, or the like. have.

가이드 부재(11)에 저항 부재를 설치하여 틈새를 흐르는 박리액에 저항을 부여하도록 하였지만, 틈새를 충분히 작게 함으로써, 저항 부재를 형성하지 않아도, 틈새를 흐르는 박리액에 의해 기판을 소정의 온도로 상승시키는 것이 가능하다.Although the resistance member was attached to the guide member 11 to provide resistance to the stripping liquid flowing through the gap, the gap is sufficiently small to raise the substrate to a predetermined temperature by the stripping liquid flowing through the gap without forming the resistance member. It is possible to let.

처리액으로서 박리액을 예로 들었지만, 기판을 가열된 박리액 이외의 처리액으로 처리할 필요가 있으면, 박리액 이외의 처리액의 경우에도, 본 발명을 적용할 수 있다.Although a peeling liquid was mentioned as a processing liquid as an example, if it is necessary to process a board | substrate with processing liquids other than the heated peeling liquid, this invention can be applied also to processing liquids other than peeling liquid.

처리액으로서는 박리액 이외에, 예를 들면 현상액이나 에칭액 등을 이용하는 경우가 있고, 현상액의 경우에는 23~25도, 에칭액의 경우에는 30~60도의 온도로 가열하여 이용함으로써, 처리 효과를 높일 수 있다.In addition to the stripping solution, for example, a developing solution, an etching solution, or the like may be used as the processing solution. In the case of the developing solution, the treatment effect can be enhanced by heating to a temperature of 23 to 25 degrees and an etching solution at a temperature of 30 to 60 degrees. .

기판의 배면 쪽의 틈새에는, 처리액으로서 표면에 공급하는 박리액과 같은 박리액을 공급하도록 했지만, 표면에 공급되는 처리액과 다른 종류의 처리액, 예를 들면 박리액에 비해 염가의 처리액을 공급하도록 해도 되는데, 기판을 배면 쪽으로부터 가열할 수 있는 처리액이면 된다.Although the peeling liquid like the peeling liquid supplied to the surface is supplied to the clearance gap of the back surface of a board | substrate, it is a process liquid inexpensive compared with the processing liquid supplied to a surface, and other types of processing liquids, for example, peeling liquid. Although it is good to supply these, what is necessary is just the process liquid which can heat a board | substrate from a back side.

도 5는 본 발명의 제3 실시예를 나타낸다. 이 실시예는 제1 실시예에 나타낸 가이드 부재(11)를 이용하지 않고, 분기관(16)에 제2 유량 제어 밸브(22)를 통하여 제2 액체 공급 수단으로서의 배면용 노즐(25)을 접속한다. 그리고, 이 배면 용 노즐(25)에 의해, 반송되는 기판(W)의 배면 상부에, 소정의 온도로 가열된 처리액으로서의 박리액을 직접 공급하도록 하였다.5 shows a third embodiment of the present invention. This embodiment connects the back nozzle 25 as the second liquid supply means to the branch pipe 16 via the second flow control valve 22 without using the guide member 11 shown in the first embodiment. do. And this back nozzle 25 was made to supply the peeling liquid as a process liquid heated at the predetermined temperature directly to the back upper part of the board | substrate W to be conveyed.

도 5에는 배면용 노즐(25)은 1개밖에 나타나 있지 않지만, 배면용 노즐(25)은 1개가 아니고, 기판(W)의 반송 방향을 따라 소정 간격으로 복수개 배치되어 있 다.Although only one back nozzle 25 is shown in FIG. 5, the back nozzle 25 is not one but a plurality of back nozzles 25 are arranged at predetermined intervals along the conveyance direction of the substrate W. As shown in FIG.

이와 같은 구성에 의하면, 반송되는 기판(W)의 배면 상부에는 배면용 노즐(25)에 의해 소정의 온도로 가열된 박리액이 공급되고, 그 박리액에 의해 기판(W)의 배면 상부가 가열된다. 기판(W)의 배면 상부에 공급된 박리액은, 일부가 배면의 상부로부터 하부로 흐르지만, 나머지의 박리액은 기판(W)의 배면 상부로부터 낙하해 버린다.According to such a structure, the peeling liquid heated at the predetermined temperature by the back nozzle 25 is supplied to the back upper part of the board | substrate W to be conveyed, and the upper part of the back surface of the board | substrate W is heated by this peeling liquid. do. A part of the peeling liquid supplied to the upper back surface of the substrate W flows from the upper part to the lower part of the back surface, but the remaining peeling liquid falls from the upper part of the back surface of the substrate W. As shown in FIG.

기판(W)의 표면에는 상하 방향으로 소정 간격으로 배치된 복수개의 표면용 노즐(14)로부터 박리액이 공급된다. 기판(W)의 표면에 공급된 박리액은, 그 표면의 상부에서 하부로 흐름으로써, 상부보다 하부 쪽이 유량이 많아진다. 따라서, 기판(W)의 표면은 하부 쪽이 상부보다 온도가 높아진다.The peeling liquid is supplied to the surface of the board | substrate W from the some surface nozzle 14 arrange | positioned at predetermined intervals in the up-down direction. Since the peeling liquid supplied to the surface of the board | substrate W flows from the upper part to the lower part of the surface, the flow volume becomes more lower than an upper part. Therefore, the lower surface of the substrate W has a higher temperature than the upper surface.

그러나, 기판(W)의 배면 상부에는 배면용 노즐(25)로부터 소정 온도의 박리액이 공급된다. 즉, 기판(W)의 배면은 하부보다 상부 쪽이 높은 온도로 가열되기 때문에, 기판(W)의 배면의 가열 상태가 표면에 영향을 준다. 그 결과, 기판(W)의 표면은, 상하 방향이 대략 같은 온도로 가열 되게 되므로, 그 표면에 공급된 박리액에 의해 균일한 처리를 행할 수 있다.However, the peeling liquid of predetermined temperature is supplied from the back nozzle 25 to the upper back surface of the board | substrate W. As shown in FIG. That is, since the rear surface of the substrate W is heated to a temperature higher than the lower portion, the heated state of the rear surface of the substrate W affects the surface. As a result, since the surface of the board | substrate W is heated to the same temperature in the up-down direction, uniform processing can be performed by the peeling liquid supplied to the surface.

본 발명에 의하면, 기판의 표면만이 아니라, 배면의 상부에도 처리액을 공급하도록 했기 때문에, 기판의 표면에 흐르는 처리액의 유량이 상부보다 하부 쪽이 많게 되어도, 배면의 상부에 공급된 처리액에 의하여, 기판을 상하 방향으로 균일한 온도로 가열하는 것이 가능하게 된다.According to the present invention, the processing liquid is supplied not only to the surface of the substrate but also to the upper portion of the rear surface, so that the processing liquid supplied to the upper portion of the rear surface is increased even if the flow rate of the processing liquid flowing on the surface of the substrate is larger than the upper portion. This makes it possible to heat the substrate at a uniform temperature in the vertical direction.

Claims (9)

반송되는 기판의 표면을 소정 온도로 가열된 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 장치에 있어서,In the processing apparatus of the board | substrate which processes the surface of the board | substrate conveyed with the process liquid heated to predetermined temperature, 상기 기판을, 상기 표면이 경사 방향의 위쪽으로 향하도록 소정 각도로 경사지게 하여, 반송하는 반송 수단,Conveying means for conveying the substrate by inclining the substrate at a predetermined angle such that the surface faces upward in the inclined direction; 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 경사 방향의 위쪽으로 향하는 상기 표면에 상기 처리액을 공급하는 제1 액체 공급 수단, 및First liquid supply means for supplying said processing liquid to said surface facing upward in the inclined direction of said substrate conveyed by said conveying means, and 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 경사 방향의 아래쪽으로 향하는 배면의 상부에 상기 처리액을 공급하는 제2 액체 공급 수단2nd liquid supply means which supplies the said process liquid to the upper part of the back surface downward of the inclination direction of the said board | substrate conveyed by the said conveying means. 을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising: a substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반송 수단에 의해 반송되는 상기 기판의 배면 쪽에, 상기 제2 액체 공급 수단에 의해 기판의 배면의 상부에 공급된 처리액을 기판의 배면을 따라 흐르도록 안내하는 가이드 부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.The guide member which guides the process liquid supplied to the upper part of the back surface of a board | substrate by the said 2nd liquid supply means to flow along the back surface of a board | substrate is provided in the back side of the said board | substrate conveyed by the said conveyance means, It is characterized by the above-mentioned. Processing apparatus for substrates. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가이드 부재에는, 상기 기판의 배면을 따라 흐르는 처리액에 저항을 부여하는 저항 부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.The said guide member is provided with the resistance member which provides resistance to the process liquid which flows along the back surface of the said board | substrate. The substrate processing apparatus of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 액체 공급수단은 상기 기판의 상하 방향을 따라 소정 간격으로 배치된 복수개의 노즐로서, 각각의 상기 노즐로부터 상기 기판의 표면에 공급되는 처리액의 공급량은 유량 제어 밸브에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.The first liquid supply means is a plurality of nozzles arranged at predetermined intervals along the vertical direction of the substrate, wherein the supply amount of the processing liquid supplied from the respective nozzles to the surface of the substrate is controlled by a flow control valve. The processing apparatus of the board | substrate made into. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 액체 공급 수단과 상기 제2 액체 공급수단에 동일한 처리액이 공급되는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.And the same processing liquid is supplied to said first liquid supply means and said second liquid supply means. 반송되는 기판의 표면을 소정 온도로 가열된 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 방법에 있어서,In the processing method of the board | substrate which processes the surface of the board | substrate conveyed with the process liquid heated to predetermined temperature, 상기 기판을, 상기 표면이 경사 방향의 위쪽으로 향하도록 소정 각도로 경사지게 하여, 반송하는 단계,Conveying the substrate by inclining the substrate at a predetermined angle such that the surface faces upward in the inclined direction; 반송되는 상기 기판의 경사 방향의 위쪽으로 향하는 상기 표면에 소정 온도로 가열된 상기 처리액을 공급하는 단계, 및 Supplying the treatment liquid heated to a predetermined temperature to the surface facing upward of the inclined direction of the substrate to be conveyed, and 반송되는 상기 기판의 경사 방향의 아래쪽으로 향하는 배면의 상부에 소정 온도로 가열된 상기 처리액을 공급하는 단계Supplying said processing liquid heated at a predetermined temperature to an upper portion of a rear surface of the substrate to be conveyed downward in an inclined direction 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.Processing method of a substrate comprising a. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판의 배면의 상부에 공급된 처리액을 상기 기판의 배면을 따라 흐르도록 안내하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.And guiding the processing liquid supplied to the upper portion of the rear surface of the substrate to flow along the rear surface of the substrate. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판의 배면을 따라 흐르는 처리액의 흐름 속도를 저항 부재에 의해 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.Reducing the flow rate of the processing liquid flowing along the back surface of the substrate by a resistance member. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판의 표면과 배면에 동일한 처리액을 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.The same process liquid flows on the surface and the back surface of the said board | substrate, The processing method of the board | substrate characterized by the above-mentioned.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4820705B2 (en) 2006-07-24 2011-11-24 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment
JP4829710B2 (en) * 2006-07-26 2011-12-07 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment
JP5125038B2 (en) * 2006-09-12 2013-01-23 カシオ計算機株式会社 Resist stripping apparatus and resist stripping method
WO2010087435A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 シャープ株式会社 Substrate processing apparatus
CN102312212B (en) * 2010-06-30 2013-12-04 上方能源技术(杭州)有限公司 Scanning coating device and scan coating assembly
KR101890099B1 (en) * 2012-09-14 2018-08-20 가부시키가이샤 니콘 Substrate processing device and device manufacturing method
CN104241541B (en) 2014-09-15 2016-12-14 京东方科技集团股份有限公司 Organic electroluminescence device and display device
CN104923534B (en) * 2015-05-22 2017-11-14 合肥京东方光电科技有限公司 Panel orientation membrane removal equipment
CN105140167A (en) * 2015-07-28 2015-12-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 Carrying device, wet etching equipment and application method of wet etching equipment
KR102228353B1 (en) * 2019-09-05 2021-03-16 주식회사 태성 Substrate developing apparatus having function of discharging developing solution
CN113894001B (en) * 2021-10-20 2022-07-19 盐城吉研智能科技有限公司 Compounding device and production process of foamed aluminum multilayer composite board

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114221A (en) 1998-10-02 2000-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-processing device
JP2000188272A (en) 1998-12-22 2000-07-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-treating device
JP2004079793A (en) 2002-08-19 2004-03-11 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Method for treating substrate

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3626640B2 (en) * 1999-08-10 2005-03-09 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2003088789A (en) * 2001-09-19 2003-03-25 Sharp Corp Wet treatment device
US20030162283A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Hitachi, Ltd. Circulating type biochemical reaction apparatus
JP2004174308A (en) * 2002-11-25 2004-06-24 Kawaju Plant Kk Sheet material washing equipment
JP4280075B2 (en) * 2003-01-07 2009-06-17 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114221A (en) 1998-10-02 2000-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-processing device
JP2000188272A (en) 1998-12-22 2000-07-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-treating device
JP2004079793A (en) 2002-08-19 2004-03-11 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Method for treating substrate

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