JP2003303807A - Apparatus and method for treatment of substrate - Google Patents

Apparatus and method for treatment of substrate

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JP2003303807A
JP2003303807A JP2002110625A JP2002110625A JP2003303807A JP 2003303807 A JP2003303807 A JP 2003303807A JP 2002110625 A JP2002110625 A JP 2002110625A JP 2002110625 A JP2002110625 A JP 2002110625A JP 2003303807 A JP2003303807 A JP 2003303807A
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substrate
processing
liquid
chamber
processing chamber
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JP2002110625A
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Japanese (ja)
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Harumichi Hirose
治道 廣瀬
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Shibaura Mechatronics Corp
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Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment apparatus for the prompt and uniform treatment of a substrate with treating liquid. <P>SOLUTION: In a treatment apparatus for the treatment of substrates with treating liquid, there are provided carrier shafts 11 with carrier rollers 12 for carrying the substrates, a treatment chamber 5 for treating the substrates carried in by the shafts, a dipping tank 31 for dipping the substrates carried in the chamber by the shafts provided in the chamber, shower pipes 38 for injecting treating liquid to the substrates carried in the chamber, and shutters 33 for controlling the level of the liquid in the tank and dipping the substrates carried in the tank. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は処理チャンバにお
いて、基板を処理液によって処理する基板の処理装置及
び処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and method for processing a substrate with a processing liquid in a processing chamber.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置に用いられるガラス製の基
板には回路パターンが形成される。基板に回路パターン
を形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。
リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジ
ストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成され
たマスクを介して光を照射する。
2. Description of the Related Art A circuit pattern is formed on a glass substrate used for a liquid crystal display device. A lithographic process is used to form a circuit pattern on a substrate.
In the lithographic process, as is well known, a resist is applied to the substrate, and the resist is irradiated with light through a mask on which a circuit pattern is formed.

【0003】つぎに、レジストの光が照射されない部分
或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが
除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジス
トを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すこと
で、上記基板に回路パターンを形成する。
Next, a part of the resist which is not irradiated with light or a part which is irradiated with light is removed, a part of the substrate where the resist is removed is etched, and the resist is removed after etching. By repeating this, a circuit pattern is formed on the substrate.

【0004】このようなリソグラフィープロセスにおい
ては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチン
グ後にレジストを除去する剥離液などの処理液によって
基板を処理する工程、さらに処理液による処理後に洗浄
液によって洗浄する工程が必要となる。
In such a lithographic process, a step of treating the substrate with a treatment solution such as a developing solution, an etching solution or a stripping solution for removing a resist after etching, and a step of cleaning with a washing solution after the treatment with the treatment solution. Is required.

【0005】従来、基板の板面を処理液によって処理す
る場合、たとえば基板を搬送ローラにより処理チャンバ
に搬入し、この処理チャンバでシャワ−パイプによって
処理液を基板に噴射することで、この基板の板面を処理
するということが行なわれている。
Conventionally, when a plate surface of a substrate is treated with a treatment liquid, for example, the substrate is carried into a treatment chamber by a conveyance roller, and the treatment liquid is sprayed onto the substrate by a shower pipe in the treatment chamber, whereby the substrate is treated. It is performed that a board surface is processed.

【0006】処理液をシャワ−パイプによって噴射して
基板を処理する場合、基板の板面での処理液の置換速度
が速いため、その置換速度に応じて基板の処理速度も速
くなるという利点を有する。しかしながら、基板の板面
全体に処理液が均一に供給され難いから、板面全体が均
一に処理されないという処理むらが発生することがあ
る。とくに、処理液がエッチング液の場合には、処理速
度が速いため、膜厚の管理が難しいということがある。
When the processing liquid is jetted by the shower pipe to process the substrate, the replacement speed of the processing liquid on the plate surface of the substrate is high, and the processing speed of the substrate is increased in accordance with the replacement speed. Have. However, since it is difficult to uniformly supply the processing liquid to the entire plate surface of the substrate, uneven processing may occur that the entire plate surface is not uniformly processed. In particular, when the treatment liquid is an etching liquid, the treatment speed is so high that it may be difficult to control the film thickness.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】処理液による処理の均
一性を向上させるためには、処理液を基板に噴射する代
わりに、基板を処理液が貯えられた浸漬槽に浸漬して処
理するということが行われる。基板を処理液に浸漬すれ
ば、基板の全面に処理液が均一に作用するから、処理の
均一性を図ることができる。
In order to improve the uniformity of treatment with the treatment liquid, instead of spraying the treatment liquid onto the substrate, the substrate is treated by immersing it in a dipping tank in which the treatment liquid is stored. Is done. By immersing the substrate in the treatment liquid, the treatment liquid acts uniformly on the entire surface of the substrate, so that the uniformity of treatment can be achieved.

【0008】しかしながら、基板を処理液に単に浸漬し
たのでは、基板の板面に作用する処理液がほとんど置換
されない、つまり基板の板面で処理液が流動しないか
ら、処理速度が遅くなるということがある。
However, simply immersing the substrate in the treatment liquid hardly replaces the treatment liquid acting on the plate surface of the substrate, that is, the treatment liquid does not flow on the plate surface of the substrate, and thus the treatment speed becomes slow. There is.

【0009】この発明は、処理液による基板の処理の均
一性と、処理能率の向上とを図ることができるようにし
た基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a processing method capable of achieving uniform processing of a substrate with a processing liquid and improvement of processing efficiency.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を処理液によって処理する処理装置において、基板を搬
送する搬送手段と、この搬送手段によって搬送される基
板が搬入される処理チャンバと、この処理チャンバに設
けられ上記搬送手段によって上記処理チャンバ内に搬入
された基板が導入される浸漬槽と、上記処理チャンバに
搬入された基板に処理液を噴射する処理液噴射手段と、
上記浸漬槽の処理液の液面を制御しこの浸漬槽に導入さ
れた基板を処理液に浸漬する液面制御手段と、を具備し
たことを特徴とする基板の処理装置にある。
According to a first aspect of the present invention, in a processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid, a transfer means for transferring the substrate, and a processing chamber into which the substrate transferred by the transfer means is loaded. An immersion tank provided in the processing chamber, into which the substrate carried into the processing chamber by the transfer means is introduced, and a processing liquid ejecting means for ejecting a processing liquid to the substrate carried into the processing chamber,
A substrate processing apparatus, comprising: a liquid surface control means for controlling the liquid surface of the processing liquid in the immersion tank and immersing the substrate introduced into the immersion tank in the processing liquid.

【0011】請求項2の発明は、上記浸漬槽には、上記
搬送手段によって搬送される基板をこの浸漬槽に出し入
れするための開口部が形成され、上記液面制御手段は、
上記開口部を開閉する開閉手段であることを特徴とする
請求項1記載の基板の処理装置にある。
According to a second aspect of the present invention, the dipping tank is formed with an opening for loading and unloading the substrate carried by the carrying means into the dipping tank, and the liquid level control means comprises:
The substrate processing apparatus according to claim 1, which is an opening / closing unit that opens / closes the opening.

【0012】請求項3の発明は、上記液面制御手段は、
上記搬送手段に保持された基板の板面に対し、上記浸漬
槽を上昇若しくは上記搬送手段を下降させて上記処理槽
内の処理液の液面の高さを変える高さ調整手段であるこ
とを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置にある。
According to a third aspect of the present invention, the liquid level control means comprises:
It is height adjusting means for changing the liquid level of the processing liquid in the processing tank by raising the dipping tank or lowering the conveying means with respect to the plate surface of the substrate held by the conveying means. According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.

【0013】請求項4の発明は、上記搬送手段は、搬送
ローラが設けられた搬送軸と、この搬送軸の両端部を回
転可能に支持した軸受体とを有し、上記処理槽の幅方向
両側外方には、この処理槽の上端から流出した処理液を
一時的に貯えてから排出される補助槽が設けられ、上記
搬送軸の上記軸受体によって支持された部分は上記補助
槽に収容されていることを特徴とする請求項1記載の基
板の処理装置にある。
According to a fourth aspect of the present invention, the carrying means has a carrying shaft provided with a carrying roller, and a bearing body rotatably supporting both ends of the carrying shaft, and the carrying tank has a width direction. Outside the both sides, an auxiliary tank is provided for temporarily storing the processing liquid flowing out from the upper end of the processing tank and discharging the processing liquid, and the portion of the transfer shaft supported by the bearing body is accommodated in the auxiliary tank. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:

【0014】請求項5の発明は、上記処理液噴射手段の
上流側には、上記基板の搬送方向と交差する幅方向全長
にわたって処理液を供給する給液手段が設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置にあ
る。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided, on the upstream side of the processing liquid ejecting means, a liquid supply means for supplying the processing liquid over the entire length in the width direction intersecting the transport direction of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1.

【0015】請求項6の発明は、上記処理チャンバに搬
入される基板の搬送高さを低くする第1の搬送高さ変更
部と、上記処理チャンバから搬出される基板の搬送高さ
を高くする第2の搬送高さ変更部とを備えていることを
特徴とする請求項1記載の基板の処理装置にある。
According to a sixth aspect of the present invention, the first transfer height changing portion for lowering the transfer height of the substrate carried into the processing chamber, and the higher transfer height of the substrate carried out of the processing chamber. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second transfer height changing unit.

【0016】請求項7の発明は、基板を処理チャンバで
処理液によって処理する処理方法において、基板を上記
処理チャンバに搬入する工程と、上記処理チャンバで上
記基板に処理液を噴射する工程と、上記処理チャンバで
上記基板を処理液に浸漬する工程と、を具備したことを
特徴とする基板の処理方法にある。
According to a seventh aspect of the present invention, in a processing method of processing a substrate in a processing chamber with a processing liquid, the step of loading the substrate into the processing chamber, the step of spraying the processing liquid onto the substrate in the processing chamber, And a step of immersing the substrate in a processing liquid in the processing chamber.

【0017】請求項8の発明は、上記基板に処理液を噴
射する前に、この基板の全面に処理液を予め供給する工
程を備えていることを特徴とする請求項7記載の基板の
処理方法にある。
The invention according to claim 8 further comprises the step of previously supplying the treatment liquid to the entire surface of the substrate before the treatment liquid is sprayed onto the substrate. On the way.

【0018】請求項9の発明は、上記処理チャンバに搬
入される基板の搬送高さを低くする工程と、上記処理チ
ャンバから搬出される基板の搬送高さを高くする工程と
を備えていることを特徴とする請求項7記載の基板の処
理方法にある。
The invention of claim 9 comprises the steps of lowering the transfer height of the substrate carried into the processing chamber, and increasing the transfer height of the substrate carried out of the processing chamber. The substrate processing method according to claim 7, wherein:

【0019】この発明によれば、基板に処理液を噴射し
た後、この基板を処理液に浸漬させるため、処理速度の
向上と処理の均一性とを図ることができる。
According to the present invention, after the processing liquid is sprayed onto the substrate, the substrate is immersed in the processing liquid, so that the processing speed can be improved and the processing uniformity can be improved.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照しながら説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】図1と図2はこの発明の一実施の形態に係
る処理装置を示し、この処理装置は本体1を備えてい
る。この本体1内は、隔壁2によってローディングチャ
ンバ3、第1の処理チャンバ4、第2の処理チャンバ
5、洗浄チャンバ6、乾燥チャンバ7及びアンローディ
ングチャンバ8が順次区画形成されている。
1 and 2 show a processing apparatus according to an embodiment of the present invention, which has a main body 1. Inside the main body 1, a partitioning chamber 2 sequentially defines a loading chamber 3, a first processing chamber 4, a second processing chamber 5, a cleaning chamber 6, a drying chamber 7 and an unloading chamber 8.

【0022】上記本体1内には、搬送手段を構成する複
数の搬送軸11が上記6つのチャンバにそれぞれ軸線を
平行にして所定間隔で配置されている。図4は第2の処
理チャンバ5の断面図である。この図に示されるよう
に、各搬送軸11には複数の搬送ローラ12が軸方向に
所定間隔で設けられている。搬送ローラ12のうち、軸
方向両端部に設けられた搬送ローラ12には、図5に拡
大して示すように一側面に液晶表示装置用の基板Wの幅
方向の端部を受ける段部12aが形成されている。それ
によって、基板Wは上記搬送ローラ12の段部12aに
より、搬送方向と交差する方向である、幅方向に蛇行す
るのが防止されている。
In the main body 1, a plurality of transfer shafts 11 constituting a transfer means are arranged at predetermined intervals with the axes parallel to the six chambers. FIG. 4 is a sectional view of the second processing chamber 5. As shown in this figure, each of the transport shafts 11 is provided with a plurality of transport rollers 12 at predetermined intervals in the axial direction. Of the transport rollers 12, the transport rollers 12 provided at both ends in the axial direction include a stepped portion 12a on one side surface for receiving the end portion in the width direction of the substrate W for a liquid crystal display device, as shown in an enlarged view in FIG. Are formed. As a result, the substrate W is prevented from meandering in the width direction, which is the direction intersecting the transport direction, by the step portion 12a of the transport roller 12.

【0023】上記搬送軸11の軸方向両端部は、軸受1
3によって回転自在に支持されている。この軸受13
は、各チャンバの幅方向両端部内に立設された支持部材
14に取付けられている。上記軸受13と支持部材14
とでこの発明の軸受体を構成している。
Both ends in the axial direction of the transport shaft 11 are bearings 1.
It is rotatably supported by 3. This bearing 13
Are attached to support members 14 provided upright in both widthwise ends of each chamber. The bearing 13 and the support member 14
And constitute the bearing body of the present invention.

【0024】上記搬送軸11の一方の軸受13から突出
した一端部には第1の平歯車15が嵌着固定されてい
る。この第1の平歯車15には第2の平歯車16が噛合
している。第2の平歯車16は第1の平歯車15に比べ
て幅寸法が2分の1以下に設定されている。
A first spur gear 15 is fitted and fixed to one end of the transport shaft 11 projecting from one bearing 13. A second spur gear 16 meshes with the first spur gear 15. The width dimension of the second spur gear 16 is set to be half or less of that of the first spur gear 15.

【0025】上記第2の平歯車15は動力伝達軸17の
一端部にスライド可能に取付け固定されている。この動
力伝達軸17の中途部は各チャンバの側壁1aに設けら
れた軸受18に回転可能に支持され、他端部は上記側壁
1aから外部に突出している。なお、軸受18は液密構
造となっている。
The second spur gear 15 is slidably attached and fixed to one end of the power transmission shaft 17. A midway portion of the power transmission shaft 17 is rotatably supported by a bearing 18 provided on the side wall 1a of each chamber, and the other end portion projects outward from the side wall 1a. The bearing 18 has a liquid-tight structure.

【0026】上記動力伝達軸17の他端部には従動プー
リ19が嵌着固定されている。各動力伝達軸17は上記
従動プーリ19を介して図示しない駆動源により回転駆
動される。動力伝達軸17が回転駆動されれば、その回
転が第2の平歯車16と第1の平歯車15を介して搬送
軸11に伝達される。それによって、搬送軸11の搬送
ローラ12に支持された基板Wは所定方向に搬送され
る。なお、搬送軸11の回転駆動は、図示しない制御装
置によって各チャンバ毎に制御できるようになってい
る。
A driven pulley 19 is fitted and fixed to the other end of the power transmission shaft 17. Each power transmission shaft 17 is rotationally driven by a drive source (not shown) via the driven pulley 19. When the power transmission shaft 17 is rotationally driven, the rotation is transmitted to the transport shaft 11 via the second spur gear 16 and the first spur gear 15. Thereby, the substrate W supported by the transport roller 12 of the transport shaft 11 is transported in a predetermined direction. The rotation drive of the transport shaft 11 can be controlled for each chamber by a controller (not shown).

【0027】上記第2の平歯車16は動力伝達軸17に
スライド可能に取付けられている。したがって、この第
2の平歯車16を図5に矢印で示す方向へスライドさせ
て第1の平歯車15との噛合状態を解除すれば、支持部
材14に支持された搬送軸11を軸受13とともに上記
支持部材14から取り外すことができる。つまり、搬送
軸11の取り外しが容易に行なえるため、搬送軸11及
びこの搬送軸11に設けられた搬送ローラ12の修理交
換などのメンテナンスを楽に行なうことができるように
なっている。
The second spur gear 16 is slidably attached to the power transmission shaft 17. Therefore, when the second spur gear 16 is slid in the direction shown by the arrow in FIG. 5 to release the meshing state with the first spur gear 15, the carrier shaft 11 supported by the support member 14 together with the bearing 13 is released. It can be removed from the support member 14. That is, since the transport shaft 11 can be easily removed, maintenance such as repair and replacement of the transport shaft 11 and the transport roller 12 provided on the transport shaft 11 can be easily performed.

【0028】なお、動力伝達軸17は、搬送軸11を取
り外す際に、第1の平歯車15にぶつかることのない長
さに設定されている。
The power transmission shaft 17 is set to a length such that it will not hit the first spur gear 15 when the transport shaft 11 is removed.

【0029】基板Wは、第1、第2の処理チャンバ4,
5、洗浄チャンバ6或いは乾燥チャンバ7などにおい
て、搬送ローラ12から浮き上がるのを防止するため、
この搬送ローラ12の段部12aに係合させた幅方向の
端部が図5に鎖線で示す押えローラ20によって保持さ
れることがある。この押えローラ20は押え軸21に嵌
着される。この押え軸21の一端部には軸受22が設け
られ、この軸受22は上記支持部材14の上端にねじ止
め固定される。
The substrate W is formed on the first and second processing chambers 4, 4.
5, in the cleaning chamber 6 or the drying chamber 7, etc., in order to prevent the transfer roller 12 from floating.
The widthwise end of the transport roller 12 engaged with the step 12a may be held by the pressing roller 20 shown by the chain line in FIG. The press roller 20 is fitted on the press shaft 21. A bearing 22 is provided at one end of the pressing shaft 21, and the bearing 22 is screwed and fixed to the upper end of the support member 14.

【0030】上記押え軸21の上記軸受22から突出し
た一端には第3の平歯車23が嵌着固定されている。こ
の第3の平歯車23は上記第2の平歯車16と同様、第
1の平歯車15に比べて薄く形成されている。それによ
って、第3の平歯車23を第2の平歯車16とともに第
1の平歯車15に噛合させることで、この第1の平歯車
15により、搬送軸11とともに押え軸21にも動力を
伝達することができる。
A third spur gear 23 is fitted and fixed to one end of the pressing shaft 21 projecting from the bearing 22. Like the second spur gear 16, the third spur gear 23 is formed thinner than the first spur gear 15. As a result, the third spur gear 23 is meshed with the first spur gear 15 together with the second spur gear 16, so that the first spur gear 15 also transmits power to the conveying shaft 11 and the holding shaft 21. can do.

【0031】上記本体1を各チャンバに区画する隔壁2
には開口部2aが形成され、各開口部2aはシャッタ2
4によって開閉可能となっている。未処理の基板Wはロ
ーディングチャンバ3に搬入される。
A partition wall 2 for partitioning the main body 1 into each chamber
The opening 2a is formed in each of the openings 2a
It can be opened and closed by 4. The unprocessed substrate W is loaded into the loading chamber 3.

【0032】基板Wは、ローディングチャンバ3から第
1の処理チャンバ4に搬送される。この第1の処理チャ
ンバ4には、搬送される基板Wの上面の搬送方向と交差
する幅方向全長にわたって処理液をほぼ均一に供給する
給液手段としての第1の給液装置25が設けられてい
る。
The substrate W is transferred from the loading chamber 3 to the first processing chamber 4. The first processing chamber 4 is provided with a first liquid supply device 25 as a liquid supply means for supplying the processing liquid substantially uniformly over the entire length in the width direction intersecting the transfer direction of the upper surface of the substrate W to be transferred. ing.

【0033】この第1の給液装置25は、上面が開放し
内部に処理液が供給される容器26を有する。この容器
26内に供給された処理液は、この容器26の開口した
上面の一側からオーバフローし、その一側面に設けられ
たガイド部材27に沿って基板Wの上面に供給される。
処理液は、基板Wの幅方向全長にわたってほぼ均一に供
給されるとともに、上記ガイド部材27にガイドされて
基板Wの搬送方向下流側に向かって供給される。それに
よって、基板Wは全面に処理液がほぼ均一に供給される
ばかり、基板Wの搬送方向上流側のローディングチャン
バ3に流れ出るのが防止される。
The first liquid supply device 25 has a container 26 whose upper surface is open and in which the processing liquid is supplied. The processing liquid supplied into the container 26 overflows from one side of the opened upper surface of the container 26, and is supplied to the upper surface of the substrate W along a guide member 27 provided on one side surface thereof.
The processing liquid is supplied substantially uniformly over the entire length in the width direction of the substrate W, and is also guided by the guide member 27 toward the downstream side in the transport direction of the substrate W. As a result, the processing liquid is almost uniformly supplied to the entire surface of the substrate W, and the substrate W is prevented from flowing out to the loading chamber 3 on the upstream side in the transport direction.

【0034】上記第1の処理チャンバ4内には、このチ
ャンバ4内を搬送される基板Wの上面に向けて処理液を
噴射する、処理液噴射手段を構成する複数の第1のシャ
ワ−パイプ28が搬送方向に沿って所定間隔で配置され
ている。各第1のシャワ−パイプ28には軸方向に沿っ
て所定間隔で複数のノズル口体28aが設けられてい
る。図2に示すように、隣り合うシャワ−パイプ28の
ノズル口体28aは軸方向に対して千鳥状に位置をずら
している。それによって、第1のシャワ−パイプ28か
らは基板Wの上面全体に処理液をほぼ均一に噴射するこ
とができる。
In the first processing chamber 4, a plurality of first shower pipes constituting a processing liquid spraying means for spraying a processing liquid toward the upper surface of the substrate W transported in the chamber 4. 28 are arranged at predetermined intervals along the transport direction. Each first shower pipe 28 is provided with a plurality of nozzle mouths 28a at predetermined intervals along the axial direction. As shown in FIG. 2, the nozzle mouths 28a of the adjacent shower pipes 28 are staggered in the axial direction. As a result, the processing liquid can be almost uniformly sprayed from the first shower pipe 28 onto the entire upper surface of the substrate W.

【0035】処理液としては現像液、エッチング液、剥
離液などが用いられるが、この実施の形態ではエッチン
グ液が用いられる。
A developing solution, an etching solution, a stripping solution or the like is used as the processing solution, and the etching solution is used in this embodiment.

【0036】図1に示すように、基板Wを搬送する搬送
ローラ12が設けられた搬送軸11の軸芯は、上記ロー
ディングチャンバ3から第1の処理チャンバ4に向かっ
て低くなるよう配置されている。つまり、ローディング
チャンバ3の最下流に位置する搬送軸11は、この発明
の第1の搬送高さ変更手段を形成している。
As shown in FIG. 1, the axis of the transport shaft 11 provided with the transport roller 12 for transporting the substrate W is arranged so as to be lower from the loading chamber 3 toward the first processing chamber 4. There is. That is, the transfer shaft 11 located on the most downstream side of the loading chamber 3 forms the first transfer height changing means of the present invention.

【0037】それによって、ローディングチャンバ3か
ら第1の処理チャンバ4に搬送される基板Wは搬送方向
に向かって低く傾斜するから、第1の処理チャンバ4で
基板Wの上面に供給された処理液が基板Wの上面を搬送
方向と逆方に流れて第1の処理チャンバ4から流出する
のが防止される。
As a result, the substrate W transferred from the loading chamber 3 to the first processing chamber 4 inclines lower in the transfer direction, so that the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W in the first processing chamber 4 is processed. Are prevented from flowing over the upper surface of the substrate W in the direction opposite to the transport direction and out of the first processing chamber 4.

【0038】上記ローディングチャンバ3から第1の処
理チャンバ4に搬入される基板Wの上面にはエアーナイ
フ29によって圧縮空気が基板Wの搬送方向下流側に向
かって噴射される。それによって、第1の処理チャンバ
4で基板Wの上面に供給された処理液が基板Wの上面を
搬送方向上流側に流れるのを防止する。
On the upper surface of the substrate W carried into the first processing chamber 4 from the loading chamber 3, compressed air is jetted by the air knife 29 toward the downstream side in the transport direction of the substrate W. This prevents the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W in the first processing chamber 4 from flowing on the upper surface of the substrate W to the upstream side in the transport direction.

【0039】上記第2の処理チャンバ5には浸漬槽31
が設けられている。この浸漬槽31は、図3に示すよう
に上面が開口した箱形状をなしていて、基板Wの搬送方
向に沿う長手方向一側壁と他側壁とには搬送ローラ12
によって搬送される基板Wを上記浸漬槽31に導入、導
出するための開口部32が形成されている。
A dipping bath 31 is provided in the second processing chamber 5.
Is provided. As shown in FIG. 3, the dipping bath 31 has a box shape with an open upper surface, and the transport roller 12 is provided on one side wall and the other side wall in the longitudinal direction along the transport direction of the substrate W.
An opening 32 is formed for introducing the substrate W transported by the above into and out of the immersion bath 31.

【0040】各開口部32は液面制御手段の開閉手段を
構成するシャッタ33によって開閉される。シャッタ3
3は、たとえば図3に示すようにシリンダ34によって
上下駆動されるようになっている。なお、シャッタ33
は上記浸漬槽31の側壁に回動可能に設け、ロータリシ
リンダなどによって回転駆動することで、上記開口部3
2を開閉するようにしてもよい。
Each opening 32 is opened / closed by a shutter 33 which constitutes an opening / closing means of the liquid level control means. Shutter 3
3 is driven up and down by a cylinder 34, for example, as shown in FIG. The shutter 33
Is rotatably provided on the side wall of the immersion tank 31 and is rotationally driven by a rotary cylinder or the like, so that the opening 3
2 may be opened and closed.

【0041】図4と図5に示すように、浸漬槽31の幅
方向両側外方には補助槽35が設けられている。上記搬
送軸11を回転自在に支持した軸受13及びこの軸受1
3が設けられた支持部材14は上記補助槽35内に位置
している。この補助槽35の側壁35aは上記浸漬槽3
1の側壁31aよりも低く設定されている。搬送軸11
の端部は上記浸漬槽31の側壁31aに設けられたシー
ル部材36を液密に貫通している。
As shown in FIGS. 4 and 5, auxiliary baths 35 are provided on both outer sides in the width direction of the dipping bath 31. Bearing 13 that rotatably supports the transport shaft 11 and the bearing 1
The support member 14 provided with 3 is located in the auxiliary tank 35. The side wall 35 a of the auxiliary tank 35 is the immersion tank 3 described above.
It is set lower than the first side wall 31a. Transport shaft 11
The end part of the liquid-tightly penetrates the seal member 36 provided on the side wall 31 a of the immersion tank 31.

【0042】図3と図4に示すように、上記浸漬槽31
には供給管37によって処理液が供給される。浸漬槽3
1内に開放した供給管37の開口には邪魔板37aが対
向して設けられている。それによって、処理液は浸漬槽
31内に拡散されながら供給される。
As shown in FIG. 3 and FIG.
The processing liquid is supplied to the substrate through the supply pipe 37. Immersion tank 3
A baffle plate 37 a is provided so as to face the opening of the supply pipe 37 opened in the inside 1. As a result, the treatment liquid is supplied while being diffused in the immersion tank 31.

【0043】上記シャッタ33が図4に実線で示すよう
に下降し、浸漬槽31に形成された一対の開口部32が
開いている状態では、浸漬槽31内の処理液の液面は上
記開口部32の下端と同じレベルに維持される。シャッ
タ33を鎖線で示すように上昇し、開口部32を閉じる
と、液面は浸漬槽31の上端まで上昇し、側壁31aの
上端から補助槽35にオーバフローする。
When the shutter 33 is lowered as shown by the solid line in FIG. 4 and the pair of openings 32 formed in the immersion tank 31 is open, the liquid level of the treatment liquid in the immersion tank 31 is the above-mentioned opening. It is maintained at the same level as the lower end of the part 32. When the shutter 33 is raised as shown by the chain line and the opening 32 is closed, the liquid level rises to the upper end of the immersion tank 31, and overflows from the upper end of the side wall 31a to the auxiliary tank 35.

【0044】上記開口部32の下端の高さは搬送ローラ
12によって搬送される基板Wの下面よりもわずかに低
く設定され、浸漬槽31の側壁31aの上端の高さは搬
送ローラ12に保持された基板Wの上面よりも高く設定
されている。したがって、浸漬槽31の開口部32を閉
じて上記供給管37から処理液を供給すると、基板Wを
処理液に浸漬することができる。
The height of the lower end of the opening 32 is set to be slightly lower than the lower surface of the substrate W carried by the carrying roller 12, and the height of the upper end of the side wall 31a of the dipping tank 31 is held by the carrying roller 12. It is set higher than the upper surface of the substrate W. Therefore, when the opening 32 of the dipping tank 31 is closed and the processing liquid is supplied from the supply pipe 37, the substrate W can be immersed in the processing liquid.

【0045】上記開口部32を閉じて浸漬槽31に処理
液を供給すると、処理液は浸漬槽31から補助槽35へ
オーバフローする。それによって、この補助槽35内の
軸受13は処理液に浸漬した状態となる。浸漬槽31か
ら補助槽35に処理液がさらにオーバフローすると、処
理液はこの補助槽35の側壁35aから第2の処理チャ
ンバ5に流出し、図示しない回収管を通じて回収され、
浄化されてから再使用される。
When the opening 32 is closed and the processing liquid is supplied to the immersion tank 31, the processing liquid overflows from the immersion tank 31 to the auxiliary tank 35. As a result, the bearing 13 in the auxiliary tank 35 is in a state of being immersed in the treatment liquid. When the processing liquid further overflows from the immersion tank 31 to the auxiliary tank 35, the processing liquid flows out from the side wall 35a of the auxiliary tank 35 into the second processing chamber 5 and is recovered through a recovery pipe (not shown).
It is reused after being purified.

【0046】搬送軸11を支持した軸受13を補助槽3
5内に設け、この補助槽35に貯えられた処理液をオー
バフローさせるようにしたことで、軸受13から発生す
る塵埃が浸漬槽31内に導入される基板Wに付着するの
を防止することができる。しかも、浸漬槽31から補助
槽35へオーバフローした処理液は補助槽35へ戻るこ
とがないから、補助槽35で汚れた処理液によって基板
Wが汚染されることがない。
The bearing 13 supporting the transport shaft 11 is attached to the auxiliary tank 3
5, the processing liquid stored in the auxiliary tank 35 is allowed to overflow, so that dust generated from the bearing 13 can be prevented from adhering to the substrate W introduced into the immersion tank 31. it can. Moreover, since the processing liquid overflowing from the dipping bath 31 to the auxiliary bath 35 does not return to the auxiliary bath 35, the substrate W is not contaminated by the processing liquid soiled in the auxiliary bath 35.

【0047】上記第2の処理チャンバ5で後述するごと
く処理液によって処理された基板Wは上記洗浄チャンバ
6に搬入される。図1に示すように、基板Wを第2の処
理チャンバ5から洗浄チャンバ6に搬送する搬送軸11
の軸芯は、洗浄チャンバ6に向かって高く設置されてい
る。つまり、洗浄チャンバ6の搬送軸11は、第1、第
2の処理チャンバの搬送軸11よりも軸芯を高くして配
置され、この発明の第2の搬送高さ変更手段を形成して
いる。
The substrate W processed by the processing liquid in the second processing chamber 5 as described later is carried into the cleaning chamber 6. As shown in FIG. 1, a transfer shaft 11 that transfers the substrate W from the second processing chamber 5 to the cleaning chamber 6.
The shaft center of is installed high toward the cleaning chamber 6. That is, the transfer shaft 11 of the cleaning chamber 6 is arranged with its axis higher than that of the transfer shafts 11 of the first and second processing chambers, and forms the second transfer height changing means of the present invention. .

【0048】それによって、基板Wは洗浄チャンバ6に
向かって高く傾斜して搬送されるから、基板Wの上面に
残留する処理液は基板Wの搬送方向後端側に向かって流
れ、第2の処理チャンバ5に滴下する。つまり、処理液
が基板Wに付着残留して洗浄チャンバ6に持ち出される
量を抑制することができる。
As a result, the substrate W is transported with a high inclination toward the cleaning chamber 6, so that the processing liquid remaining on the upper surface of the substrate W flows toward the rear end side in the transport direction of the substrate W and the second Drop into the processing chamber 5. That is, it is possible to suppress the amount of the processing liquid attached to and remaining on the substrate W and carried out to the cleaning chamber 6.

【0049】上記第2の処理チャンバ5には、上記浸漬
槽31の上方に処理液噴射手段を構成する複数の第2の
シャワ−パイプ38が基板Wの搬送方向に沿って平行に
配置されている。第2のシャワ−パイプ38には軸方向
に所定間隔でノズル口体38aが設けられている。
In the second processing chamber 5, a plurality of second shower pipes 38 constituting a processing liquid ejecting means are arranged above the immersion bath 31 in parallel along the transfer direction of the substrate W. There is. Nozzle mouths 38a are provided on the second shower pipe 38 at predetermined intervals in the axial direction.

【0050】隣り合う第2のシャワ−パイプ38のノズ
ル口体38aは千鳥状となるよう軸方向に位置をずらし
て設けられている。第2のシャワ−パイプ38からは、
第2の処理チャンバ5に搬入され浸漬槽31内に導入さ
れた基板Wの上面に処理液が噴射される。
The nozzle mouths 38a of the second shower pipes 38 adjacent to each other are provided so as to be displaced in the axial direction so as to be staggered. From the second shower pipe 38,
The processing liquid is sprayed onto the upper surface of the substrate W that has been loaded into the second processing chamber 5 and introduced into the immersion tank 31.

【0051】上記第1の処理チャンバ4に基板Wが搬入
されると、この基板Wの上面には第1の給液装置25に
よって処理液が基板Wの上面に供給される。それによっ
て、基板Wの上面は全体が処理液によって均一に濡らさ
れる。
When the substrate W is carried into the first processing chamber 4, the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W by the first liquid supply device 25. As a result, the entire upper surface of the substrate W is uniformly wetted with the processing liquid.

【0052】第1の給液装置25によって上面に処理液
が供給された基板Wには、第1のシャワ−パイプ28に
よって処理液が噴射される。第1の給液装置25によっ
て基板Wの上面は予めほぼ均一に均一に濡らされている
から、第1のシャワ−パイプ28によって上面に処理液
が均一に噴射されなくとも、基板Wの上面に処理状態の
むらが発生し難い。
The processing liquid is jetted by the first shower pipe 28 onto the substrate W whose upper surface is supplied with the processing liquid by the first liquid supply device 25. Since the upper surface of the substrate W is preliminarily uniformly and uniformly wetted by the first liquid supply device 25, even if the processing liquid is not uniformly sprayed onto the upper surface by the first shower pipe 28, It is difficult for uneven processing conditions to occur.

【0053】基板Wは第1の処理チャンバ4から第2の
処理チャンバ5に搬送されると、この第2の処理チャン
バ5に設けられた浸漬槽31内に導入され、そこで搬送
を停止したり、搬送軸11を正転方向と逆転方向に交互
に回転させることで基板Wを浸漬槽31内で往復動させ
る。浸漬槽31に搬入される基板Wの上面には第2のシ
ャワ−パイプ38から処理液が噴射される。それによっ
て、基板Wの上面の処理が急速に進行する。
When the substrate W is transferred from the first processing chamber 4 to the second processing chamber 5, it is introduced into the immersion tank 31 provided in the second processing chamber 5 and the transfer is stopped there. The substrate W is reciprocated in the immersion tank 31 by alternately rotating the transport shaft 11 in the forward rotation direction and the reverse rotation direction. The processing liquid is jetted from the second shower pipe 38 onto the upper surface of the substrate W carried into the immersion tank 31. Thereby, the processing of the upper surface of the substrate W progresses rapidly.

【0054】とくに、基板Wを浸漬槽31内で往復動さ
せると、処理液による処理速度をより一層、速めること
ができる。搬送軸11への動力の伝達は、動力伝達軸1
7に設けられた第2の平歯車16を上記搬送軸11に設
けられた第1の平歯車15に噛合させて行なうようにし
ている。
Particularly, when the substrate W is reciprocated in the immersion tank 31, the processing speed of the processing liquid can be further increased. Power transmission to the transport shaft 11 is performed by the power transmission shaft 1
The second spur gear 16 provided on the No. 7 meshes with the first spur gear 15 provided on the transport shaft 11 to perform the operation.

【0055】そのため、ウオームとウオームホイールと
によって動力伝達を行なっていた従来のように、搬送軸
11に軸方向に力が加わることがないから、基板Wを往
復動させても、上記搬送軸11が軸方向にずれ動くこと
がない。したがって、基板Wの側縁が搬送軸11の端部
に設けられた搬送ローラ12の段部12aに乗り上げる
などして基板Wの搬送が円滑に行なえなくなるというこ
ともない。
Therefore, unlike the prior art in which power is transmitted by the worm and the worm wheel, no force is applied to the transfer shaft 11 in the axial direction. Therefore, even when the substrate W is reciprocated, the transfer shaft 11 is reciprocated. Does not move in the axial direction. Therefore, there is no possibility that the side edges of the substrate W ride on the stepped portion 12a of the conveying roller 12 provided at the end of the conveying shaft 11 to prevent the substrate W from being smoothly conveyed.

【0056】第2のシャワ−パイプ38によって処理液
を所定時間噴射したならば、シャッタ33を駆動して浸
漬槽31の一対の開口部32を閉塞する。その状態で、
供給管37から浸漬槽31内に処理液を供給すると、液
面が上昇して搬送ローラ12に下面が支持された基板W
は処理液に浸漬する。それによって、基板Wは処理液に
よって板面全体が均一に処理されることになる。
After the processing liquid is jetted by the second shower pipe 38 for a predetermined time, the shutter 33 is driven to close the pair of openings 32 of the immersion tank 31. In that state,
When the processing liquid is supplied from the supply pipe 37 into the dipping tank 31, the liquid surface rises and the lower surface of the substrate W supported by the transport rollers 12 is supported.
Is immersed in the treatment liquid. As a result, the substrate W is uniformly processed on the entire plate surface by the processing liquid.

【0057】つまり、第1の処理チャンバ4の第1の給
液装置25によって基板Wの上面に処理液を均一に供給
するようにしたことで、その後、第1、第2のシャワ−
パイプ28、38によって基板Wの上面に処理液を噴射
するようにしても、基板Wの上面の処理状態に大きなむ
らを発生させることなく、その処理を迅速に促進するこ
とができる。
In other words, the processing liquid is uniformly supplied to the upper surface of the substrate W by the first liquid supply device 25 of the first processing chamber 4, and thereafter the first and second showers are performed.
Even if the processing liquid is sprayed onto the upper surface of the substrate W by the pipes 28 and 38, the processing can be promptly promoted without causing large unevenness in the processing state of the upper surface of the substrate W.

【0058】ついで、上記基板Wを浸漬槽31で処理液
に浸漬することで、基板Wの処理を均一に、しかも緩や
かに進行させることができるから、第1、第2のシャワ
−パイプ28、38からの処理液の噴射で生じた処理の
むらを除去したり、たとえばエッチング処理の場合には
膜厚を高精度に制御するなどのことができる。
Then, by immersing the substrate W in the treatment liquid in the dipping bath 31, the treatment of the substrate W can be made to proceed uniformly and slowly. Therefore, the first and second shower pipes 28, 28, It is possible to remove the unevenness of the processing caused by the injection of the processing liquid from 38, or to control the film thickness with high accuracy in the case of etching processing, for example.

【0059】なお、処理チャンバを第1の処理チャンバ
4と第2の処理チャンバ5とに分け、第1の処理チャン
バ4に第1の給液装置41と第1のシャワ−パイプ28
とを設けたが、第1のシャワ−パイプ28はなくてもよ
い。また、その場合、第1の処理チャンバ4をなくし、
第2の処理チャンバ5の浸漬槽31よりも上流側に第1
の給液装置25を設けるようにしてもよい。
The processing chamber is divided into a first processing chamber 4 and a second processing chamber 5, and the first processing chamber 4 includes a first liquid supply device 41 and a first shower pipe 28.
Although the first shower pipe 28 is provided, the first shower pipe 28 may be omitted. In that case, the first processing chamber 4 is eliminated,
The first processing chamber 5 is provided on the upstream side of the immersion tank 31 of the second processing chamber 5.
The liquid supply device 25 may be provided.

【0060】図1と図2に示すように、上記洗浄チャン
バ6の上記基板Wの搬送方向の上流側には、基板Wの搬
送方向下流側に向かって純水などの洗浄液を供給する第
2の給液装置41と、基板Wの搬送方向と交差する幅方
向一側から他側に向かって洗浄液を供給する第3、第4
の給液装置42,43と、基板Wの搬送方向下流側に設
けられ基板Wの上面と下面とに洗浄液を高圧で噴射する
上部ノズルパイプ44及び下部ノズルパイプ45を有す
る。
As shown in FIGS. 1 and 2, on the upstream side of the cleaning chamber 6 in the transfer direction of the substrate W, a cleaning liquid such as pure water is supplied to the downstream side of the transfer direction of the substrate W. Liquid supply device 41 and third and fourth cleaning liquids supplied from one side in the width direction intersecting the transport direction of the substrate W to the other side.
Liquid supply devices 42 and 43, and an upper nozzle pipe 44 and a lower nozzle pipe 45 that are provided on the downstream side in the transport direction of the substrate W and that inject the cleaning liquid at high pressure on the upper surface and the lower surface of the substrate W.

【0061】上記第2の給液装置41は基板Wの搬送方
向と交差する幅方向全長にわたって基板Wの上面に処理
液を供給し、上記第3、第4の給液装置42、43によ
って基板Wの上記搬送方向と交差する幅方向の一側全
長、つまり長手方向全長から処理液を供給する。上記上
部ノズルパイプ44と下部ノズルパイプ45とは、基板
Wの幅方向に対して所定の角度で傾斜し、かつ搬送方向
上流側に向かって処理液を供給する。
The second liquid supply device 41 supplies the processing liquid to the upper surface of the substrate W over the entire length in the width direction intersecting the transport direction of the substrate W, and the third and fourth liquid supply devices 42 and 43 supply the substrate. The processing liquid is supplied from the entire length of one side of W in the width direction that intersects with the transport direction, that is, the entire length in the longitudinal direction. The upper nozzle pipe 44 and the lower nozzle pipe 45 are inclined at a predetermined angle with respect to the width direction of the substrate W, and supply the processing liquid toward the upstream side in the transport direction.

【0062】上記第2、第3、第4の給液装置41,4
2,43は上記第1の給液装置23と同様、容器46及
びこの容器46の一側に設けられたガイド部材47から
なり、容器46の内部に処理液が供給されることで、そ
の処理液は容器46の上面開口からオーバフローし、上
記ガイド部材47に沿って流出する。
The second, third and fourth liquid supply devices 41, 4
Similarly to the first liquid supply device 23, the reference numerals 2 and 43 each include a container 46 and a guide member 47 provided on one side of the container 46, and the processing liquid is supplied to the inside of the container 46 to perform the processing. The liquid overflows from the upper opening of the container 46 and flows out along the guide member 47.

【0063】なお、基板Wの幅方向一側に2つに分割さ
れた第3、第4の給液装置42,43を設けたが、分割
せずに1つとしても差し支えない。
Although the third and fourth liquid supply devices 42 and 43, which are divided into two, are provided on one side in the width direction of the substrate W, the number may be one without dividing.

【0064】基板Wが第2の処理チャンバ5から洗浄チ
ャンバ6に搬入されると、基板Wの上面には第2の給液
装置41から洗浄液が供給される。第2の給液装置41
は洗浄液を基板Wの上面の幅方向全長に供給し、しかも
基板Wの搬送方向下流側に向かって供給する。
When the substrate W is carried into the cleaning chamber 6 from the second processing chamber 5, the cleaning liquid is supplied from the second liquid supply device 41 to the upper surface of the substrate W. Second liquid supply device 41
Supplies the cleaning liquid to the entire length of the upper surface of the substrate W in the width direction, and further supplies the cleaning liquid toward the downstream side in the transport direction of the substrate W.

【0065】それによって、基板Wが洗浄チャンバ6に
搬入されると同時に、その基板Wには洗浄液が全面に迅
速に供給されるから、基板Wの上面に残留する処理液に
よる処理反応を迅速に止めることができる。しかも、基
板Wの上面には洗浄液が基板Wの搬送方向下流側に向か
って供給されるため、その洗浄液が基板Wの上面を伝わ
って第2の処理チャンバ5に流入するのを防止すること
ができる。
As a result, the substrate W is carried into the cleaning chamber 6 and at the same time, the cleaning liquid is rapidly supplied to the entire surface of the substrate W, so that the processing reaction by the processing liquid remaining on the upper surface of the substrate W can be performed quickly. Can be stopped. Moreover, since the cleaning liquid is supplied to the upper surface of the substrate W toward the downstream side in the transport direction of the substrate W, the cleaning liquid can be prevented from flowing along the upper surface of the substrate W and flowing into the second processing chamber 5. it can.

【0066】基板Wが洗浄チャンバ6に搬入されたなら
ば、基板Wの搬送を停止するとともに、第2の給液装置
41からの洗浄液の供給が停止され、第3、第4の給液
装置42,43から洗浄液が供給される。
When the substrate W is loaded into the cleaning chamber 6, the transfer of the substrate W is stopped, the supply of the cleaning liquid from the second liquid supply device 41 is stopped, and the third and fourth liquid supply devices are supplied. The cleaning liquid is supplied from 42 and 43.

【0067】それによって、基板Wの上面には、洗浄液
が第2の供給装置41による供給方向と直交する基板W
の幅方向に沿って供給される。つまり、基板Wの上面に
は洗浄液が搬送方向に沿って供給された後、搬送方向と
直交する方向に沿って供給されるから、基板Wの上面に
は洗浄液がむらなく均一に供給されるため、洗浄液によ
り均一に洗浄処理されることになる。
As a result, on the upper surface of the substrate W, the substrate W in which the cleaning liquid is orthogonal to the supply direction of the second supply device 41 is supplied.
Is supplied along the width direction. That is, since the cleaning liquid is supplied to the upper surface of the substrate W along the transfer direction and then is supplied in the direction orthogonal to the transfer direction, the cleaning liquid is uniformly supplied to the upper surface of the substrate W. Therefore, the cleaning liquid is uniformly washed.

【0068】第3、第4の給液装置42,43から洗浄
液を所定時間供給したならば、その供給を停止するとと
もに、基板Wを洗浄チャンバ6から搬出する。そのと
き、上部ノズルパイプ44と下部ノズルパイプ45とか
ら基板Wの上面と下面とに洗浄液を、たとえば0.5〜
1.5MPa程度の高い圧力で洗浄液が噴射される。
After the cleaning liquid has been supplied from the third and fourth liquid supply devices 42 and 43 for a predetermined time, the supply is stopped and the substrate W is unloaded from the cleaning chamber 6. At this time, the cleaning liquid is applied from the upper nozzle pipe 44 and the lower nozzle pipe 45 to the upper surface and the lower surface of the substrate W, for example, 0.5 to
The cleaning liquid is sprayed at a high pressure of about 1.5 MPa.

【0069】洗浄液は、各ノズルパイプ44,45のノ
ズル孔から図6に示すように基板Wに噴射される洗浄液
のパターンPが楕円状に拡散され、しかも矢印Aで示す
ように基板Wの矢印Xで示す搬送方向の上流側に向かっ
て所定の角度θで傾斜して噴射される。
As for the cleaning liquid, the pattern P of the cleaning liquid sprayed on the substrate W from the nozzle holes of the nozzle pipes 44 and 45 is diffused into an elliptical shape as shown in FIG. The fuel is jetted at a predetermined angle θ toward the upstream side in the transport direction indicated by X.

【0070】上部ノズルパイプ44から高圧で噴射され
る洗浄液の噴射方向Aは、第2乃至第4の給液装置41
〜43から基板Wの上面に供給される方向と異なるか
ら、それによっても基板Wの上面の洗浄効果を高めるこ
とができる。
The injection direction A of the cleaning liquid injected at a high pressure from the upper nozzle pipe 44 is the second to fourth liquid supply device 41.
From 43 to 43, the cleaning effect on the upper surface of the substrate W can be enhanced.

【0071】しかも、上部ノズルパイプ44からは、洗
浄液が矢印Aで示すように基板Wの搬送方向上流側に対
して所定の角度θで傾斜して噴射される。そのため、基
板Wの上面に供給された洗浄液は、基板Wの搬送方向下
流側の後端の一方の角部Eの部分から落下するから、後
端縁の全長から落下する場合のように飛沫を上げること
なく円滑に落下する。基板Wの下面は下部ノズルパイプ
45から噴射される洗浄液によって洗浄されることにな
る。
Moreover, the cleaning liquid is jetted from the upper nozzle pipe 44 at a predetermined angle θ with respect to the upstream side in the transport direction of the substrate W as shown by an arrow A. Therefore, the cleaning liquid supplied to the upper surface of the substrate W drops from one corner E of the rear end on the downstream side in the transport direction of the substrate W, and therefore, the droplets are sprayed as in the case of dropping from the entire length of the rear edge. It falls smoothly without raising it. The lower surface of the substrate W is cleaned by the cleaning liquid sprayed from the lower nozzle pipe 45.

【0072】各ノズルパイプ44、45からは、洗浄液
が第2乃至第4の給液装置41〜43よりも高い圧力で
供給されるから、上記各給液装置41〜43から洗浄液
を供給することでは除去できなかった汚れを除去するこ
とができる。
Since the cleaning liquid is supplied from each of the nozzle pipes 44 and 45 at a pressure higher than that of the second to fourth liquid supply devices 41 to 43, the cleaning liquid is supplied from each of the liquid supply devices 41 to 43. It is possible to remove stains that could not be removed with.

【0073】なお、洗浄チャンバ6から基板Wを搬出す
る際、基板Wに第4の給液装置41から洗浄液を供給
し、洗浄効果を高めるようにしてもよい。
When the substrate W is unloaded from the cleaning chamber 6, the cleaning liquid may be supplied to the substrate W from the fourth liquid supply device 41 to enhance the cleaning effect.

【0074】洗浄チャンバ6から搬出された基板Wは乾
燥チャンバ7に搬入される。この乾燥チャンバ7には第
5の給液装置51が基板Wの幅方向に対して所定の角度
で傾斜して配置されている。この第5の給液装置51よ
りも基板Wの搬送方向下流側には基板Wの上下面に圧縮
空気を供給する上下一対のエアーナイフ52が上記第5
の給液装置51と平行に配置されている。
The substrate W carried out from the cleaning chamber 6 is carried into the drying chamber 7. A fifth liquid supply device 51 is arranged in the drying chamber 7 at a predetermined angle with respect to the width direction of the substrate W. A pair of upper and lower air knives 52 for supplying compressed air to the upper and lower surfaces of the substrate W are provided downstream of the fifth liquid supply device 51 in the transport direction of the substrate W.
It is arranged in parallel with the liquid supply device 51.

【0075】上記第5の給液装置51は、上記各第1乃
至第4の給液装置と同様、上面が開口した容器53及び
この容器53の一側に設けられたガイド部材54からな
り、上記ガイド部材54を基板Wの搬送方向上流側に向
けて設けられている。
Like the first to fourth liquid supply devices, the fifth liquid supply device 51 includes a container 53 having an open top surface and a guide member 54 provided on one side of the container 53. The guide member 54 is provided so as to face the upstream side of the substrate W in the transport direction.

【0076】上記洗浄チャンバ6で洗浄された基板Wが
上記乾燥チャンバ7に搬入されると、上記第5の給液装
置51によって基板Wの上面に純水が供給される。それ
によって、基板Wの上面には全体にわたってほぼ均一に
純水が塗布された状態となる。
When the substrate W cleaned in the cleaning chamber 6 is carried into the drying chamber 7, pure water is supplied to the upper surface of the substrate W by the fifth liquid supply device 51. As a result, the pure water is applied to the upper surface of the substrate W almost uniformly over the entire surface.

【0077】第5の給液装置51によって上面に純水が
供給された基板Wは、上下一対のエアーナイフ52の間
を通過する。それによって、基板Wに付着した純水が乾
燥除去されることになる。
The substrate W having the upper surface supplied with pure water by the fifth liquid supply apparatus 51 passes between the pair of upper and lower air knives 52. As a result, the pure water attached to the substrate W is dried and removed.

【0078】上記エアーナイフ52によって基板Wを乾
燥する前に、この基板Wの上面に第5の給液装置51に
よって純水を供給するようにした。そのため、基板Wの
上面は全体がほぼ均一に濡れた状態でエアーナイフ52
によって乾燥させられるから、部分的に乾いた状態で乾
燥させられる場合のように、乾燥むらが生じるのを防止
することができる。
Before the substrate W is dried by the air knife 52, pure water is supplied to the upper surface of the substrate W by the fifth liquid supply device 51. Therefore, the upper surface of the substrate W is almost uniformly wet with the air knife 52.
Since it is dried by the method, it is possible to prevent uneven drying as in the case of drying in a partially dry state.

【0079】上記乾燥チャンバ7で乾燥処理された基板
Wはアンローディングチャンバ8に搬送され、ここから
つぎの工程に受け渡されたり、ストッカなどに積層収容
される。
The substrate W dried in the drying chamber 7 is transferred to the unloading chamber 8 and is transferred to the next step or stacked and stored in a stocker or the like.

【0080】なお、各チャンバ3〜8の上部壁は、図4
に示すように幅方向中央部を支点として一対の蓋体55
が開閉可能に設けられている。それによって、各チャン
バ3〜8内の点検を本体1の幅方向のどちら側からでも
行なうことができるようになっている。
The upper wall of each chamber 3-8 is shown in FIG.
As shown in FIG.
Is openable and closable. Thereby, the inside of each of the chambers 3 to 8 can be inspected from either side in the width direction of the main body 1.

【0081】このように、この発明の処理装置によれ
ば、基板Wを処理液によって処理する際、まず、基板W
を第1の処理チャンバ4に搬送することで、この第1の
処理チャンバ4に設けられた第1の給液装置25によっ
て基板Wの全面に処理液が均一に供給される。ついで、
第1の処理チャンバ4に設けられた第1のシャワ−パイ
プ28及び第2の処理チャンバ5に設けられた第2のシ
ャワ−パイプ38のうち、少なくとも第2のシャワ−パ
イプ38によって基板Wの上面に処理液を噴射する。
As described above, according to the processing apparatus of the present invention, when processing the substrate W with the processing liquid, first, the substrate W is processed.
Are transferred to the first processing chamber 4, so that the processing liquid is uniformly supplied to the entire surface of the substrate W by the first liquid supply device 25 provided in the first processing chamber 4. Then,
Of the first shower pipe 28 provided in the first processing chamber 4 and the second shower pipe 38 provided in the second processing chamber 5, at least the second shower pipe 38 is used to feed the substrate W. The processing liquid is sprayed on the upper surface.

【0082】それによって、基板Wの上面は、シャワ−
パイプ28、38からの処理液の噴射によって処理液に
よる処理が迅速に進行し、しかも第1の給液装置25に
よって基板Wの上面を予めほぼ均一に濡らしてから処理
液を噴射するため、上記シャワ−パイプ28、38によ
って基板Wの上面に処理液が均一に噴射されなくとも、
処理にばらつきが生じるのを抑制することができる。
As a result, the upper surface of the substrate W is showered.
Since the treatment with the treatment liquid rapidly progresses due to the ejection of the treatment liquid from the pipes 28 and 38, and the upper surface of the substrate W is preliminarily and uniformly wetted by the first liquid supply device 25, the treatment liquid is ejected. Even if the processing liquid is not uniformly sprayed onto the upper surface of the substrate W by the shower pipes 28 and 38,
It is possible to suppress variations in processing.

【0083】基板Wは第2の処理チャンバ5に搬送され
ることで、この第2の処理チャンバ5に設けられた浸漬
槽31の開口部32からその内部に導入されている。そ
して、基板Wに第2のシャワ−パイプ38によって処理
液が噴射された後、浸漬槽31の一対の開口部32がシ
ャッタ33によって閉じられ、ついで供給管37から浸
漬槽31に処理液が供給される。
The substrate W is transferred to the second processing chamber 5 and introduced therein from the opening 32 of the immersion tank 31 provided in the second processing chamber 5. Then, after the processing liquid is sprayed onto the substrate W by the second shower pipe 38, the pair of openings 32 of the immersion tank 31 is closed by the shutter 33, and then the processing liquid is supplied from the supply pipe 37 to the immersion tank 31. To be done.

【0084】それによって、浸漬槽31内の液面が上昇
し、搬送ローラ12に支持された基板Wは処理液に浸漬
するから、基板Wは処理液よって浸漬処理される。基板
Wを処理液に浸漬して処理すると、処理液が基板Wの全
面に均一に接触することになるから、基板Wに対する処
理も均一に行われることになる。
As a result, the liquid level in the dipping tank 31 rises and the substrate W supported by the transport rollers 12 is dipped in the processing liquid, so that the substrate W is dipped in the processing liquid. When the substrate W is immersed in the treatment liquid for treatment, the treatment liquid comes into uniform contact with the entire surface of the substrate W, so that the treatment for the substrate W is also performed uniformly.

【0085】基板Wを処理液に浸漬して処理する場合、
処理液の流動がほとんどないため、処理液を噴射する場
合に比べて処理速度が遅くなる。そのため、処理液によ
る処理を精密に制御することが可能となる。たとえば、
処理液がエッチング液の場合には、金属膜のエッチング
量の制御を精密に行なうことが可能となる。
When the substrate W is immersed in the treatment liquid for treatment,
Since there is almost no flow of the processing liquid, the processing speed becomes slower than when the processing liquid is sprayed. Therefore, it is possible to precisely control the treatment with the treatment liquid. For example,
When the processing liquid is an etching liquid, it is possible to precisely control the etching amount of the metal film.

【0086】第2の処理チャンバ5には第2のシャワ−
パイプ38と浸漬槽31とが設けられている。そのた
め、基板Wを浸漬槽31内に搬入したならば、その状態
で第2のシャワ−パイプ38によって基板Wに処理液を
噴射した後、その基板Wを迅速に処理液に浸漬させるこ
とができるから、そのことによっても処理の均一化と迅
速化を促進することができる。
The second processing chamber 5 has a second shower.
A pipe 38 and a dipping tank 31 are provided. Therefore, if the substrate W is carried into the dipping bath 31, the substrate W can be rapidly immersed in the treatment liquid after the treatment liquid is sprayed onto the substrate W by the second shower pipe 38 in that state. Therefore, the homogenization and speeding up of the treatment can be promoted also by that.

【0087】このように、基板Wを処理液によって処理
する際、基板Wに処理液を噴射した後、その基板Wを処
理液に浸漬するようにしたから、基板Wを処理液に浸漬
するだけで処理する場合に比べて処理能率を向上させる
ことができ、しかも基板Wに処理液を噴射するだけで処
理する場合に比べて処理状態を均一に、しかも所望する
精度で処理することが可能となる。
As described above, when the substrate W is treated with the treatment liquid, the treatment liquid is sprayed onto the substrate W and then the substrate W is immersed in the treatment liquid. Therefore, the substrate W is simply immersed in the treatment liquid. It is possible to improve the processing efficiency as compared with the case of performing the processing in step 1, and it is possible to perform the processing in a uniform state and with a desired accuracy as compared with the case of performing the processing only by injecting the processing liquid onto the substrate W. Become.

【0088】上記一実施の形態では、液面制御手段とし
て浸漬槽に設けられた開口部を開閉シャッタを用いた場
合について説明したが、浸漬槽内の処理液の液面を制御
する液面制御手段としては、浸漬槽を上下動可能に設
け、この浸漬槽を上下動させることで、処理液の液面を
搬送ローラに支持された基板に対して変位させる高さ調
整手段であってもよい。
In the above-described one embodiment, the case where the opening / closing shutter is used as the opening provided in the immersion tank as the liquid level control means has been described. However, the liquid level control for controlling the liquid level of the processing liquid in the immersion tank is described. The means may be height adjusting means which is provided with a dipping tank that can be moved up and down, and by moving the dipping tank up and down, the liquid level of the processing liquid is displaced with respect to the substrate supported by the transport rollers. .

【0089】また、浸漬槽を上下動させる代わりに、浸
漬槽内で基板を支持した搬送軸を上下動させることで、
基板に対する処理液の液面を制御する高さ調整手段であ
ってもよい。
Further, instead of moving the dipping tank up and down, by moving the transport shaft supporting the substrate in the dipping tank up and down,
It may be height adjusting means for controlling the liquid level of the processing liquid with respect to the substrate.

【0090】[0090]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板を
処理液によって処理する場合、基板に処理液を噴射した
後、この基板を処理液に浸漬させるようにした。
As described above, according to the present invention, when the substrate is treated with the treatment liquid, the treatment liquid is sprayed onto the substrate and then the substrate is immersed in the treatment liquid.

【0091】そのため、基板の処理速度の向上と処理の
均一性とを図ることができる。
Therefore, the processing speed of the substrate can be improved and the processing uniformity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施の形態に係る処理装置の概略
的構成を示す側面図。
FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の処理装置の平面図。FIG. 2 is a plan view of the processing apparatus shown in FIG.

【図3】第2の処理チャンバを拡大した側面図。FIG. 3 is an enlarged side view of a second processing chamber.

【図4】第2の処理チャンバを拡大した断面図。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a second processing chamber.

【図5】搬送軸の一端部と他端部との支持構造を示す拡
大図。
FIG. 5 is an enlarged view showing a support structure of one end and the other end of the transport shaft.

【図6】洗浄チャンバに設けられたノズルパイプによっ
て基板に供給される洗浄液のパターンを説明した図。
FIG. 6 is a diagram illustrating a pattern of a cleaning liquid supplied to a substrate by a nozzle pipe provided in a cleaning chamber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4…第1の処理チャンバ 5…第2の処理チャンバ 13…軸受(軸受体) 14…支持部材(軸受体) 25…第1の給液装置(給液手段) 28…第1のシャワ−パイプ(処理液噴射手段) 31…浸漬槽 33…シャッタ(液面制御手段) 35…補助槽 38…第2のシャワ−パイプ(処理液噴射手段) 4 ... First processing chamber 5 ... Second processing chamber 13 ... Bearing (bearing body) 14 ... Support member (bearing body) 25 ... First liquid supply device (liquid supply means) 28 ... First shower pipe (treatment liquid injection means) 31 ... Immersion tank 33 ... Shutter (liquid level control means) 35 ... Auxiliary tank 38 ... Second shower pipe (treatment liquid injection means)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/30 501 H01L 21/304 643B 5F046 H01L 21/027 21/306 J 21/304 643 21/30 569B 572B Fターム(参考) 2H088 FA21 HA01 MA20 2H090 JC19 2H096 AA28 GA24 GA25 GA26 3B201 AA01 AB14 AB42 BB01 BB22 BB92 CC12 CD43 5F043 AA40 DD13 DD23 DD30 EE07 EE36 GG10 5F046 LA09 LA11 LA12 LA18 MA02 MA07 MA10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G03F 7/30 501 H01L 21/304 643B 5F046 H01L 21/027 21/306 J 21/304 643 21/30 569B 572B F term (reference) 2H088 FA21 HA01 MA20 2H090 JC19 2H096 AA28 GA24 GA25 GA26 3B201 AA01 AB14 AB42 BB01 BB22 BB92 CC12 CD43 5F043 AA40 DD13 DD23 DD30 EE07 EE36 GG10 5F046 LA09 LA11 MA12 LA12 LA12 MA12 LA12 MA10

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を処理液によって処理する処理装置
において、 基板を搬送する搬送手段と、 この搬送手段によって搬送される基板が搬入される処理
チャンバと、 この処理チャンバに設けられ上記搬送手段によって上記
処理チャンバ内に搬入された基板が導入される浸漬槽
と、 上記処理チャンバに搬入された基板に処理液を噴射する
処理液噴射手段と、 上記浸漬槽の処理液の液面を制御しこの浸漬槽に導入さ
れた基板を処理液に浸漬する液面制御手段と、 を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
1. In a processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid, a transfer means for transferring the substrate, a processing chamber into which the substrate transferred by the transfer means is loaded, and a transfer means provided in the processing chamber for transferring the substrate. An immersion tank into which the substrate carried into the processing chamber is introduced, a processing liquid ejecting means for injecting a processing liquid onto the substrate carried into the processing chamber, and a liquid level of the processing liquid in the immersion tank is controlled to control the liquid level. A substrate processing apparatus, comprising: a liquid level control means for immersing a substrate introduced in an immersion tank in a processing liquid.
【請求項2】 上記浸漬槽には、上記搬送手段によって
搬送される基板をこの浸漬槽に出し入れするための開口
部が形成され、 上記液面制御手段は、上記開口部を開閉する開閉手段で
あることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
2. The dipping tank is formed with an opening for loading and unloading the substrate carried by the carrying means into and from the dipping tank, and the liquid level control means is an opening / closing means for opening and closing the opening. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項3】 上記液面制御手段は、上記搬送手段に保
持された基板の板面に対し、上記浸漬槽を上昇若しくは
上記搬送手段を下降させて上記処理槽内の処理液の液面
の高さを相対的に変える高さ調整手段であることを特徴
とする請求項1記載の基板の処理装置。
3. The liquid level control means raises or lowers the immersion bath or the transport means with respect to the plate surface of the substrate held by the transport means to control the liquid level of the processing liquid in the processing bath. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, which is height adjusting means for relatively changing the height.
【請求項4】 上記搬送手段は、搬送ローラが設けられ
た搬送軸と、この搬送軸の両端部を回転可能に支持した
軸受体とを有し、 上記処理槽の幅方向両側外方には、この処理槽の上端か
ら流出した処理液を一時的に貯えてから排出する補助槽
が設けられ、 上記搬送軸の上記軸受体によって支持された部分は上記
補助槽に収容されていることを特徴とする請求項1記載
の基板の処理装置。
4. The carrying means has a carrying shaft provided with a carrying roller, and a bearing body rotatably supporting both ends of the carrying shaft. An auxiliary tank for temporarily storing and discharging the processing liquid flowing out from the upper end of the processing tank is provided, and a portion of the transfer shaft supported by the bearing body is accommodated in the auxiliary tank. The substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項5】 上記処理液噴射手段の上流側には、上記
基板の搬送方向と交差する幅方向全長にわたって処理液
を供給する給液手段が設けられていることを特徴とする
請求項1記載の基板の処理装置。
5. The liquid supply means for supplying the processing liquid over the entire length in the width direction intersecting the transfer direction of the substrate is provided on the upstream side of the processing liquid ejecting means. Substrate processing equipment.
【請求項6】 上記処理チャンバに搬入される基板の搬
送高さを低くする第1の搬送高さ変更部と、上記処理チ
ャンバから搬出される基板の搬送高さを高くする第2の
搬送高さ変更部とを備えていることを特徴とする請求項
1記載の基板の処理装置。
6. A first transfer height changing portion for lowering a transfer height of a substrate carried into the processing chamber, and a second transfer height for increasing a transfer height of a substrate carried out from the processing chamber. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a height changing unit.
【請求項7】 基板を処理チャンバで処理液によって処
理する処理方法において、 基板を上記処理チャンバに搬入する工程と、 上記処理チャンバで上記基板に処理液を噴射する工程
と、 上記処理チャンバで上記基板を処理液に浸漬する工程
と、 を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
7. A processing method for processing a substrate with a processing liquid in a processing chamber, the step of loading the substrate into the processing chamber, the step of spraying the processing liquid onto the substrate in the processing chamber, and the step in the processing chamber. And a step of immersing the substrate in a treatment liquid.
【請求項8】 上記基板に処理液を噴射する前に、この
基板の板面に処理液を予め供給する工程を備えているこ
とを特徴とする請求項7記載の基板の処理方法。
8. The method for treating a substrate according to claim 7, further comprising the step of previously supplying the treatment liquid to the plate surface of the substrate before the treatment liquid is jetted onto the substrate.
【請求項9】 上記処理チャンバに搬入される基板の搬
送高さを低くする工程と、上記処理チャンバから搬出さ
れる基板の搬送高さを高くする工程とを備えていること
を特徴とする請求項7記載の基板の処理方法。
9. A method comprising: a step of lowering a transfer height of a substrate carried into the processing chamber; and a step of increasing a transfer height of a substrate carried out from the processing chamber. Item 7. A method for processing a substrate according to item 7.
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