JP2004079793A - Method for treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体(シリコン)ウエハ,液晶ガラス基板,フォトマスク用ガラス基板及び光ディスク用基板などの各種基板上に処理流体を供給して、当該基板を処理する基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
上記基板の処理として、例えば、現像液の塗布,エッチング液の塗布,レジスト膜を剥離するための剥離液の塗布や、これら現像液,エッチング液,剥離液を洗い流すための洗浄処理などを挙げることができる。そして、このような処理を行うための処理装置の一例として、従来、図4に示すような洗浄装置が知られている。
【0003】
この洗浄装置100は、同図4に示すように、閉塞空間を備えた処理室101と、この処理室101内に配設され、基板Kを水平に支持して所定の方向(この場合、紙面と直交する方向)に搬送する搬送ローラ102と、この搬送ローラ102の上方に配設され、基板Kの上面(表面)に向けて洗浄液を吐出する複数のノズル103などから構成される。
【0004】
前記搬送ローラ102は、図示はしないが、その複数が前記搬送方向に所定間隔で配設され、その回転軸102aの両端部が処理室101の側壁に固設された各支持装置104によってそれぞれ回転自在に支持されている。また、搬送ローラ102の両側に位置するローラ102bには、鍔部102cが形成されており、この鍔部102cによって、基板Kが前記搬送方向と直交する方向(矢示方向)に移動するのを規制している。
【0005】
尚、前記回転軸102aの一方端は、図示しない駆動装置に接続されており、この駆動装置によって当該回転軸102aがその軸中心に回転せしめられることにより、搬送ローラ102が回転して基板Kを前記搬送方向に搬送するようになっている。
【0006】
前記各ノズル103は、適宜洗浄液供給装置(図示せず)に接続された供給管105にそれぞれ固設されており、この供給管105は、前記搬送ローラ102と同様に、その複数が前記搬送方向に所定間隔で配設されている。
【0007】
このように構成された洗浄装置100によれば、基板Kが搬送ローラ102によって前記搬送方向に搬送されるとともに、洗浄液供給装置(図示せず)から各供給管105にそれぞれ洗浄液が供給されて、各供給管105に設けられた各ノズル103から洗浄液が吐出され、かかる洗浄液によって前記基板Kの上面が洗浄される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の洗浄装置100では、水平に支持した状態の基板Kを水平方向に搬送しながら、当該基板K上に洗浄液を吐出してこれを洗浄するようにしているので、基板Kの表面において洗浄液の液流が生じ難いという問題があった。このため、少量の洗浄液を用いたのでは、当初に供給された洗浄液が基板K表面上に滞留して、引き続き供給される新たな洗浄液との置換が行われ難く、洗浄に時間がかかったり、均一な洗浄を行うことができないという不都合を生じていた。
【0009】
その一方、多量の洗浄液を用いれば、基板Kの表面における洗浄液の置換性は改善されるものの、逆に、製造コストが高くついて効率的でなく、更に、洗浄液を貯留する貯留タンクの大型化など、装置の大型化を招くことにもなる。
【0010】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、基板を効率的に処理することが可能な基板処理方法の提供をその目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段及びその効果】
上記目的を達成するための本発明は、基板の上方に配設されたノズルから前記基板に向けて処理流体を吐出し、該基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板を、水平面に対して5°以上7.5°以下の角度で傾斜させるとともに、
前記ノズルを、前記基板の傾斜方向と平行であり且つ該基板と直交する平面内で揺動させるようにしたことを特徴とする基板処理方法に係る。
【0012】
この発明によれば、水平面に対して上記範囲の角度で傾斜させた基板の上面(表面)に、当該基板の傾斜方向と平行であり且つ基板と直交する平面内で揺動せしめられるノズルから処理流体が吐出される。即ち、処理流体は、その吐出方向が前記基板の傾斜上り方向と下り方向とに揺動せしめられながら、基板上に吐出される。
【0013】
基板表面上に供給された処理流体は、基板の傾斜によって下方に流下する液流を生じ、かかる液流によって、基板表面上の処理流体が、継続的に供給される新たな処理流体によって順次置換され、かかる置換作用によって、基板表面に付着したパーティクルなどが洗い流され、当該基板表面が浄化される。また、処理流体の吐出方向が基板の傾斜上り方向に揺動せしめられるときには、かかる揺動によって、処理流体を基板表面上に滞留させる作用が増大する一方、処理流体の吐出方向が基板の傾斜下り方向に揺動せしめられるときには、かかる揺動によって、基板表面上を流下する処理流体の速度が増大することになり、処理流体の滞留と流下とが基板表面全体に渡って繰り返し生起されることとなる。斯くして、この基板処理方法によれば、このような作用によって、少量の処理流体で、短時間の内に、しかも均一に基板表面全体を処理することができる。
【0014】
ところで、基板の傾斜角度は、基板表面上を流下する液流の速度を制御するものであり、言い換えれば、基板表面上に処理流体が滞留する時間を制御するものであり、この速度が適当であるときに所望の処理効果を得ることができる。
【0015】
このような観点からすると、前記処理液の流下速度は、その加速度が、重力加速度の0.08倍以上0.13倍以下の範囲であるのが好ましく、かかる流下加速度とするには、前記基板の傾斜角度を、上記の5°以上7.5°以下の範囲内にする必要がある。処理流体の流下加速度が、重力加速度の0.13倍を超えると、即ち、傾斜角度が7.5°を超えると、液流の速度が速くなり過ぎて、基板表面における処理流体の滞留時間が短くなり過ぎ、逆に、処理流体の流下加速度が、重力加速度の0.08倍未満、即ち、傾斜角度が5°未満では、液流の速度が遅くなり過ぎ、基板表面に処理流体が長時間滞留することとなって、いずれも処理が十分に行われず、処理流体の使用量が増大するからである。
【0016】
近年、基板の大型化に伴って、これを処理するための処理流体の使用量や、処理時間が増加する傾向にあるが、基板を上記角度で傾斜させ、且つ処理流体の吐出方向を、基板の傾斜上り方向と下り方向とに揺動させて処理を行うことで、処理流体の使用量の低減や装置の小型化を図ることができ、処理コストの低減を図ることができる。
【0017】
尚、前記処理流体には、現像液,エッチング液,レジスト膜を剥離するための剥離液及び洗浄用の洗浄液といった基板を処理するための各種の流体が含まれ、かかる各種の処理流体を基板上に供給して、これを処理することが可能である。
【0018】
また、基板を予め設定された方向に搬送するとともに、当該搬送方向と直交する方向に上記角度で傾斜させて、上記処理を行うようにしても良い。
【0019】
また、前記ノズルの揺動角は、これが90°以上120°以下の範囲内であるのが好ましく、その一揺動動作の動作時間は、これが2秒以上4秒以下の範囲内であるのが好ましい。このようにすれば、基板を更に効果的に処理することが可能となる。尚、前記ノズルの揺動角は、揺動限界位置のノズルから吐出される処理流体の吐出中心線が互いに交差するその内角のことである。
【0020】
また、前記ノズルは、その複数を基板の傾斜方向と直交するように列設したり、基板の傾斜方向に沿って複列に配設しても良い。このようにすれば、広範囲に渡って処理することができ、処理面積の大きな基板を一度に処理することが可能である。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態に係る基板処理方法について添付図面に基づき説明する。
【0022】
まず、図1乃至図3に基づいて、本基板処理方法を実施するための基板処理装置の構成について説明する。図1は、この基板処理装置の概略構成を示した断面図であり、図2は、図1における矢視A−A方向の断面図であり、図3は、図2における矢視B−B方向の断面図である。
【0023】
図1及び図2に示すように、本例の基板処理装置1は、閉塞空間を備えた処理室10と、この処理室10内に配設され、基板Kを支持して所定の方向(図2における矢示C方向)に搬送する搬送ローラ11と、この搬送ローラ11の上方に配設され、基板Kの上面(表面)に向けて洗浄液を吐出する複数のノズル12などから構成される。
【0024】
前記搬送ローラ11は、その複数が前記搬送方向に所定間隔で配設されるとともに、これに支持,搬送される基板Kが前記搬送方向と直交する方向に所定の角度θで傾斜するように、その回転軸11aが傾斜せしめられて配設されており、回転軸11aの両端部が、処理室10の側壁に固設された各支持装置13によってそれぞれ回転自在に支持されている。尚、基板Kの水平面に対する傾斜角度θは、5°以上7.5°以下の範囲が好ましく、本例では、7°に設定している。
【0025】
また、前記回転軸11aの一方端は、図示しない駆動装置に接続されており、この駆動装置(図示せず)によって当該回転軸11aがその軸中心に回転せしめられることにより、搬送ローラ11が回転して基板Kを前記搬送方向に搬送するようになっている。また、搬送ローラ11の傾斜方向の最下方に位置するローラ11bには、鍔部11cが形成されており、この鍔部11cによって、基板Kがその傾斜方向に移動(滑落)するのを防止している。
【0026】
前記各ノズル12は、適宜洗浄液供給装置(図示せず)に接続された複数の供給管14にその軸線方向に沿ってそれぞれ固設されており、これら各供給管14は、その軸線が基板Kの前記搬送方向と平行に配設され、且つ基板Kの前記傾斜角度θと同じ角度で傾斜した平面内で複列に並設されている。
【0027】
また、各供給管14は、その両端部に支持部14aがそれぞれ形成されており、これら各支持部14aが支持部材15に固設された軸受16によって回転自在にそれぞれ支持されている。そして、各供給管14は、揺動装置20によってその軸中心に正逆に回転せしめられるようになっており、これら各供給管14の正逆回転によって、各ノズル12が前記搬送方向と直交する平面内で揺動せしめられ、これらから吐出される洗浄液の吐出方向が、基板Kの傾斜上り方向と下り方向とに揺動せしめられる。尚、支持部材15は、固定部材17を介して処理室10の側壁に固設されている。
【0028】
図2及び図3に示すように、前記揺動装置20は、駆動モータ21と、駆動モータ21の出力軸21aに設けられた回転板22と、回転板22の中心位置から外れた位置に、軸中心に回転自在に立設された第1ロッド23と、一方端が処理室10内に設けられ、他方端が処理室10外に設けられた第1駆動軸24と、第1駆動軸24の他方端側外周部に、軸中心に回転自在に立設された第2ロッド25と、第1ロッド23と第2ロッド25とを接続する第1リンク26と、前記供給管14の下方位置に前記支持部材15と所定間隔を隔てて平行に配設されるとともに、第1駆動軸24に突設された係合軸24aが係合される切り欠き部27aを有する第2駆動軸27と、一方端に各供給管14の支持部14aとそれぞれ係合する係合穴28aが形成され、他方端に第2駆動軸27に形成された係合穴27bに嵌挿される係合軸28bが突設された複数の第2リンク28などからなる。
【0029】
斯くして、駆動モータ21が回転すると、その回転動力が出力軸21aを介して回転板22に伝達されてこれが回転し、この回転板22の回転によって第1ロッド23,第1リンク26及び第2ロッド25を介して第1駆動軸24がその軸線方向に前後動(往復動)せしめられる。そして、第1駆動軸24がその軸線方向に前後動すると、その動力が第2駆動軸27に伝達され、これが前後駆動され、この第2駆動軸27の前後動によって、第2リンク28を介して第2駆動軸27に連結された各供給管14が、上述した如くその軸中心に正逆回転せしめられ、これに固設された各ノズル12が前記搬送方向と直交する平面内で揺動せしめられる。
【0030】
尚、各ノズル12の揺動角α(揺動限界位置のノズル12から吐出される洗浄液の吐出中心線が互いに交差するその内角)は、これを90°以上120°以下の範囲内とするのが好ましく、また、各ノズル12の一揺動動作時間(揺動周期)は、これを2秒以上4秒以下の範囲内とするのが好ましい。
【0031】
次に、以上のように構成された基板処理装置1を用いて、基板Kを洗浄するその方法について説明する。まず、基板Kが搬送ローラ11によって水平面に対し7°傾斜した状態で矢示C方向に搬送されるとともに、洗浄液供給装置(図示せず)から各供給管14にそれぞれ洗浄液が供給され、各供給管14に設けられた各ノズル12から洗浄液が吐出される。そして、この洗浄液の吐出中、揺動装置20によって各供給管14がその軸中心に正逆に回転せしめられ、各ノズル12から吐出せしめられる洗浄液の吐出方向が、基板Kの傾斜上り方向と下り方向とに揺動せしめられる。
【0032】
基板Kの表面に供給された洗浄液は、基板Kの傾斜によって下方に流下する液流を生じ、かかる液流によって、基板K表面の洗浄液が、継続的に供給される新たな洗浄液によって順次置換され、かかる置換作用によって、基板Kの表面に付着したパーティクルなどが洗い流され、基板Kの表面が浄化される。
【0033】
また、洗浄液の吐出方向が基板Kの傾斜上り方向に揺動せしめられるときには、かかる揺動によって、洗浄液を基板K表面上に滞留させる作用が増大する一方、洗浄液の吐出方向が基板Kの傾斜下り方向に揺動せしめられるときには、かかる揺動によって、基板K表面上を流下する洗浄液の速度が増大することになり、洗浄液の滞留と流下とが基板K表面全体に渡って繰り返し生起されることとなる。そして、このような作用により、少量の洗浄液で、短時間の内に、しかも均一に基板Kの表面全体が洗浄される。
【0034】
尚、近年、基板大型化に伴って、これを洗浄するための洗浄液の使用量や、洗浄時間が増加する傾向にあるが、上記のように基板Kを傾斜させ、且つ洗浄液の吐出方向を、基板Kの傾斜上り方向と下り方向とに揺動させて洗浄することにより、洗浄液の使用量の低減や装置の小型化を図ることができ、処理コストの低減を図ることができる。
【0035】
ところで、基板Kの傾斜角度θは、基板K表面上を流下する液流の速度を制御するものであり、言い換えれば、基板K表面上に洗浄液が滞留する時間を制御するものであり、この速度が適当であるときに所望の洗浄効果を得ることができる。
【0036】
このような観点から、前記洗浄液の流下速度は、その加速度が、重力加速度の0.08倍以上0.13倍以下の範囲であるのが好ましく、かかる流下加速度とするために、前記基板Kの傾斜角度を、上記の5°以上7.5°以下の範囲内にする必要があり、本例では当該傾斜角度を7°としている。
【0037】
洗浄液の流下加速度が、重力加速度の0.13倍を超えると、即ち、基板Kの傾斜角度が7.5°を超えると、液流の速度が速くなり過ぎて、基板Kの表面における処理流体の滞留時間が短くなり過ぎ、逆に、洗浄液の流下加速度が、重力加速度の0.08倍未満、即ち、傾斜角度が5°未満では、液流の速度が遅くなり過ぎ、基板Kの表面に洗浄液が長時間滞留することとなって、いずれも処理が十分に行われず、洗浄液の使用量が増大するからである。
【0038】
因みに、洗浄液として純水を用い、1100mm×1300mmの基板Kを水平姿勢にし、且つノズル12を固定し、その吐出量を120L/minに設定して90秒間基板Kの表面を洗浄したところ、1.0μm以上のパーティクルを80%しか除去することができなかったが、同じ基板Kを水平面に対して7°傾斜させ、ノズル12を基板Kの傾斜上り方向と下り方向とに揺動させて60秒間洗浄したところ、ノズル12からの洗浄液の吐出量が60L/minであっても、1.0μm以上のパーティクルを90%以上除去することができた。
【0039】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理方法を実施するための基板処理装置の概略構成を示した断面図である。
【図2】図1における矢視A−A方向の断面図である。
【図3】図2における矢視B−B方向の断面図である。
【図4】従来例に係る基板処理装置の概略構成を示した断面図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
11 搬送ローラ
12 ノズル
14 供給管
16 軸受
17 支持部材
20 揺動装置
21 駆動モータ
22 回転板
23 第1ロッド
24 第1駆動軸
25 第2ロッド
26 第1リンク
27 第2駆動軸
28 第2リンク[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing fluid onto various substrates such as a semiconductor (silicon) wafer, a liquid crystal glass substrate, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk.
[0002]
[Prior art]
Examples of the processing of the substrate include application of a developing solution, application of an etching solution, application of a stripping solution for stripping a resist film, and washing treatment for washing away the developing solution, etching solution, and stripping solution. Can be. As an example of a processing apparatus for performing such processing, a cleaning apparatus as shown in FIG. 4 is conventionally known.
[0003]
As shown in FIG. 4, the
[0004]
Although not shown, a plurality of the
[0005]
Note that one end of the rotating
[0006]
Each of the
[0007]
According to the
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described
[0009]
On the other hand, if a large amount of the cleaning liquid is used, the replacement property of the cleaning liquid on the surface of the substrate K is improved, but on the other hand, the manufacturing cost is high and inefficient, and further, the storage tank for storing the cleaning liquid is enlarged. This also leads to an increase in the size of the device.
[0010]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate.
[0011]
Means for Solving the Problems and Their Effects
The present invention for achieving the above object is a substrate processing method for processing a substrate by discharging a processing fluid toward the substrate from a nozzle disposed above the substrate,
While tilting the substrate at an angle of 5 ° or more and 7.5 ° or less with respect to a horizontal plane,
The present invention relates to a substrate processing method, characterized in that the nozzle is swung in a plane parallel to an inclination direction of the substrate and orthogonal to the substrate.
[0012]
According to the present invention, the processing is performed on the upper surface (front surface) of the substrate inclined at an angle in the above range with respect to the horizontal plane from the nozzle which is swung in a plane parallel to the inclination direction of the substrate and orthogonal to the substrate. Fluid is discharged. That is, the processing fluid is discharged onto the substrate while the discharge direction of the processing fluid is swung in the upward and downward directions of inclination of the substrate.
[0013]
The processing fluid supplied on the substrate surface generates a liquid flow that flows downward due to the inclination of the substrate, and the processing fluid on the substrate surface is sequentially replaced by a new processing fluid that is continuously supplied by the liquid flow. Then, the particles and the like attached to the substrate surface are washed away by the replacement action, and the substrate surface is purified. Further, when the discharge direction of the processing fluid is swung in the direction in which the substrate is inclined upward, the swing increases the action of retaining the processing fluid on the substrate surface, while the discharge direction of the processing fluid is decreased when the substrate is inclined downward. When the processing fluid is swung in the direction, the speed of the processing fluid flowing down on the substrate surface increases due to the swing, and the stagnation and flowing down of the processing fluid are repeatedly generated over the entire substrate surface. Become. As described above, according to the substrate processing method, such an operation allows the entire substrate surface to be uniformly processed in a short time with a small amount of processing fluid.
[0014]
By the way, the tilt angle of the substrate controls the speed of the liquid flow flowing down on the substrate surface, in other words, controls the time during which the processing fluid stays on the substrate surface, and this speed is appropriate. At a certain time, a desired processing effect can be obtained.
[0015]
From this point of view, the flow velocity of the treatment liquid is preferably such that the acceleration is in the range of 0.08 to 0.13 times the gravitational acceleration. Must be within the range of 5 ° or more and 7.5 ° or less. When the flow-down acceleration of the processing fluid exceeds 0.13 times the gravitational acceleration, that is, when the inclination angle exceeds 7.5 °, the velocity of the liquid flow becomes too high, and the residence time of the processing fluid on the substrate surface is reduced. On the contrary, if the flow-down acceleration of the processing fluid is less than 0.08 times the gravitational acceleration, that is, if the inclination angle is less than 5 °, the velocity of the liquid flow becomes too slow and the processing fluid This is because the stagnation occurs, and the treatment is not sufficiently performed in any case, and the usage amount of the treatment fluid increases.
[0016]
In recent years, as the size of the substrate increases, the amount of processing fluid used for processing the same and the processing time tend to increase. However, the substrate is inclined at the above angle, and the discharge direction of the processing fluid is changed By performing the processing by swinging the liquid in the upward and downward directions, the amount of processing fluid used can be reduced, the size of the apparatus can be reduced, and the processing cost can be reduced.
[0017]
The processing fluid includes various fluids for processing the substrate such as a developing solution, an etching solution, a stripping solution for stripping the resist film, and a cleaning solution for cleaning. To process this.
[0018]
Further, the processing may be performed by transporting the substrate in a preset direction and tilting the substrate at the above angle in a direction orthogonal to the transport direction.
[0019]
The swing angle of the nozzle is preferably in the range of 90 ° or more and 120 ° or less, and the operation time of one swing operation is preferably in the range of 2 seconds or more and 4 seconds or less. preferable. In this way, the substrate can be more effectively processed. Note that the swing angle of the nozzle is an inner angle at which the ejection center lines of the processing fluid ejected from the nozzle at the oscillation limit position cross each other.
[0020]
The plurality of nozzles may be arranged in a row so as to be orthogonal to the tilt direction of the substrate, or may be arranged in multiple rows along the tilt direction of the substrate. In this way, processing can be performed over a wide range, and a substrate having a large processing area can be processed at a time.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a substrate processing method according to a specific embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0022]
First, a configuration of a substrate processing apparatus for performing the present substrate processing method will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a line BB in FIG. It is sectional drawing of a direction.
[0023]
As shown in FIGS. 1 and 2, a
[0024]
The
[0025]
One end of the
[0026]
Each of the
[0027]
[0028]
As shown in FIGS. 2 and 3, the
[0029]
Thus, when the drive motor 21 rotates, the rotational power is transmitted to the
[0030]
Note that the swing angle α of each nozzle 12 (the inner angle at which the discharge center lines of the cleaning liquid discharged from the
[0031]
Next, a method of cleaning the substrate K using the
[0032]
The cleaning liquid supplied to the surface of the substrate K generates a liquid flow that flows downward due to the inclination of the substrate K, and the cleaning liquid on the surface of the substrate K is sequentially replaced by a new cleaning liquid that is continuously supplied by the liquid flow. By such a replacement action, particles and the like attached to the surface of the substrate K are washed away, and the surface of the substrate K is purified.
[0033]
Further, when the discharge direction of the cleaning liquid is swung in the direction of ascending the substrate K, such a swing increases the action of retaining the cleaning liquid on the surface of the substrate K. When the cleaning liquid is swung in the direction, the speed of the cleaning liquid flowing down on the surface of the substrate K is increased by the rocking, and the retention and the flow of the cleaning liquid are repeatedly generated over the entire surface of the substrate K. Become. By such an action, the entire surface of the substrate K is uniformly cleaned with a small amount of cleaning liquid in a short time.
[0034]
In recent years, as the size of the substrate increases, the amount of the cleaning liquid used for cleaning the cleaning liquid and the cleaning time tend to increase. However, as described above, the substrate K is tilted, and the discharge direction of the cleaning liquid is changed. By cleaning the substrate K by swinging the substrate K in the upward and downward directions, the amount of cleaning liquid used can be reduced and the size of the apparatus can be reduced, and the processing cost can be reduced.
[0035]
By the way, the inclination angle θ of the substrate K controls the speed of the liquid flowing down on the surface of the substrate K. In other words, the inclination angle θ controls the time during which the cleaning liquid stays on the surface of the substrate K. When is suitable, a desired cleaning effect can be obtained.
[0036]
From such a viewpoint, the flow rate of the cleaning liquid is preferably such that the acceleration is in a range of 0.08 to 0.13 times the gravitational acceleration. The inclination angle needs to be in the range of 5 ° or more and 7.5 ° or less, and in this example, the inclination angle is set to 7 °.
[0037]
If the flow-down acceleration of the cleaning liquid exceeds 0.13 times the gravitational acceleration, that is, if the inclination angle of the substrate K exceeds 7.5 °, the velocity of the liquid flow becomes too high and the processing fluid on the surface of the substrate K If the residence time of the cleaning liquid is too short, on the contrary, if the falling velocity of the cleaning liquid is less than 0.08 times the gravitational acceleration, that is, if the inclination angle is less than 5 °, the velocity of the liquid flow becomes too slow and the surface of the substrate K This is because the cleaning liquid stays for a long time, and the treatment is not sufficiently performed in any case, and the amount of the cleaning liquid used increases.
[0038]
Incidentally, pure water was used as a cleaning liquid, the substrate K of 1100 mm × 1300 mm was placed in a horizontal posture, the
[0039]
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, the specific aspect which this invention can take is not limited to this at all.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus for performing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view in the direction of arrows AA in FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view in the direction of arrows BB in FIG. 2;
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記基板を、水平面に対して5°以上7.5°以下の角度で傾斜させるとともに、
前記ノズルを、前記基板の傾斜方向と平行であり且つ該基板と直交する平面内で揺動させるようにしたことを特徴とする基板処理方法。A substrate processing method for discharging a processing fluid from a nozzle disposed above a substrate toward the substrate, and processing the substrate,
While tilting the substrate at an angle of 5 ° or more and 7.5 ° or less with respect to a horizontal plane,
A substrate processing method, wherein the nozzle is swung in a plane parallel to a tilt direction of the substrate and orthogonal to the substrate.
前記基板を水平面に対して傾斜させ、且つその傾斜角度を、該基板の傾斜方向に沿って流下する処理流体の加速度が重力加速度の0.08倍以上0.13倍以下となる角度に設定するとともに、
前記ノズルを、前記基板の傾斜方向と平行であり且つ該基板と直交する平面内で揺動させるようにしたことを特徴とする基板処理方法。A substrate processing method for discharging a processing fluid from a nozzle disposed above a substrate toward the substrate, and processing the substrate,
The substrate is inclined with respect to a horizontal plane, and the inclination angle is set to an angle at which the acceleration of the processing fluid flowing down along the inclination direction of the substrate is 0.08 to 0.13 times the gravitational acceleration. With
A substrate processing method, wherein the nozzle is swung in a plane parallel to a tilt direction of the substrate and orthogonal to the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002238242A JP2004079793A (en) | 2002-08-19 | 2002-08-19 | Method for treating substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002238242A JP2004079793A (en) | 2002-08-19 | 2002-08-19 | Method for treating substrate |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2004079793A true JP2004079793A (en) | 2004-03-11 |
Family
ID=32021710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002238242A Pending JP2004079793A (en) | 2002-08-19 | 2002-08-19 | Method for treating substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004079793A (en) |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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