KR101055247B1 - Substrate processing apparatus and processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은，세워진 상태로 반송되는 기판을 처리액에 의해 균일하게　처리할　수　있는 기판의　처리 장치를 제공하는 것에 있다. An object of the present invention is to provide a substrate treating apparatus for treating a substrate conveyed in an upright state with a treatment liquid.

기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과，이 반송 수단에　의해　세워진　상태로　반송되는 기판에 처리액을 분사하는 에칭 처리부(18)를 포함하고, In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid, the conveying means which conveys a board | substrate to a predetermined direction in the standing state, and the etching process part 18 which injects a process liquid to the board | substrate conveyed in the state erected by this conveying means. Including,

에칭 처리부는, 기판의 판면에 처리액을 분사하는 복수개의 노즐(21a)~(21d)을 가지고, 이들 복수개의 노즐은 기판의 높이 방향으로 소정　간격으로, 또한 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 기판의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되어 있다.The etching processing unit has a plurality of nozzles 21a to 21d for injecting the processing liquid onto the plate surface of the substrate, and the plurality of nozzles have nozzles positioned at predetermined intervals in the height direction of the substrate, and in the upper direction in the height direction. It is arrange | positioned so that it may be located in the conveyance direction back of a board | substrate rather than the nozzle located in a lower part.

기판，처리 장치，처리 방법，처리액，에칭 처리부，노즐Substrate, processing apparatus, processing method, processing liquid, etching treatment part, nozzle

Description

기판의 처리 장치 및 처리 방법 {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES}Substrate processing apparatus and processing method {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 기판　처리 장치의 개략적 구성을 나타낸 사시도이다. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate treating apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 에칭 처리부의 노즐의 배치 상태를 나타낸 측면도이다.2 is a side view showing the arrangement of the nozzles of the etching treatment unit.

도 3은 에칭 처리부의 노즐의 배치 상태를 나타낸 정면도이다.3 is a front view showing the arrangement of the nozzles of the etching treatment unit.

도 4는 기판의 반송 속도와，노즐의 높이 위치에 따라 상이한 기판의 하단부에서의 에칭액의 기판의 반송 방향으로 이동하는 거리를 나타낸 그래프이다.FIG. 4 is a graph showing a distance in which the etching liquid at the lower end of the substrate differs in the conveyance direction of the substrate depending on the conveyance speed of the substrate and the height position of the nozzle. FIG.

도 5는 에칭액의 공급 높이에 대하여, 기판 하부에서의 에칭액의 속도와 에칭액이 기판의 하부에 도달할 때까지의 시간과의 관계를 나타낸 그래프이다.5 is a graph showing the relationship between the speed of the etchant at the bottom of the substrate and the time until the etchant reaches the bottom of the substrate with respect to the supply height of the etchant.

도 6은 기판의 반송 속도가 2000m/sec일　때의 각 노즐로부터 분사된 에칭액이 흐르는 영역을 나타낸 도면이다.It is a figure which shows the area | region where the etching liquid injected from each nozzle flows when the conveyance speed of a board | substrate is 2000 m / sec.

도 7은 기판의 반송 속도가 4000m/sec일　때의 각 노즐로부터 분사된 에칭액이 흐르는 영역을 나타낸 도면이다.It is a figure which shows the area | region where the etching liquid injected from each nozzle flows when the conveyance speed of a board | substrate is 4000 m / sec.

도 8은 기판의 반송 속도가 6000m/sec일　때의 각 노즐로부터 분사된 에칭액이 흐르는 영역을 나타낸 도면이다.It is a figure which shows the area | region where the etching liquid injected from each nozzle flows when the conveyance speed of a board | substrate is 6000 m / sec.

도 9는 본 발명의 제2 실시예를 나타낸 기판과 노즐과의 관계를 나타낸 측면 도이다. 9 is a side view showing a relationship between a nozzle and a substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제3 실시예를 나타낸 기판과 노즐과의 관계를 나타낸 측면도이다. Fig. 10 is a side view showing the relationship between the nozzle and the substrate according to the third embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제4 실시예를 나타낸 기판과 노즐과의 관계를 나타낸 측면도이다. Fig. 11 is a side view showing the relationship between the nozzle and the substrate according to the fourth embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제5 실시예의 기판과 노즐과의 관계를 나타낸 측면도이다.Fig. 12 is a side view showing the relationship between the substrate and the nozzle of the fifth embodiment of the present invention.

도 13은 도 12에 나타낸 기판과 노즐과의 관계를 나타낸 정면도이다.FIG. 13 is a front view illustrating the relationship between the substrate and the nozzle shown in FIG. 12. FIG.

도 14는 본 발명의 제6 실시예를 나타낸 기판과 노즐과의 관계를 나타낸 측면도이다. Fig. 14 is a side view showing the relationship between the nozzle and the substrate according to the sixth embodiment of the present invention.

도 15는 본 발명의 제7 실시예를 나타낸 기판과 노즐과의 관계를 나타낸 측면도이다. Fig. 15 is a side view showing the relationship between the nozzle and the substrate according to the seventh embodiment of the present invention.

도 16은 노즐로부터 포물선을 그리며 분사되는 처리액과 기판과의 관계를 나타낸 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the relationship of the processing liquid sprayed in a parabola from a nozzle, and a board | substrate.

본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 경우에 적합한 기판의 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the processing apparatus and processing method of a board | substrate suitable for the case of processing a board | substrate with a process liquid.

액정 표시 장치에 사용되는 유리제의 기판에는 회로 패턴이 형성된다. 기판 에 회로 패턴을 형성하려면 리소그라피 프로세스가 채용된다. 리소그라피 프로세스는 주지하는 바와 같이 상기 기판에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트에 회로 패턴이 형성된 마스크를 사이에　두고 광을 조사(照射)한다.The circuit pattern is formed in the glass substrate used for a liquid crystal display device. Lithography processes are employed to form circuit patterns on the substrate. As is well known, a lithography process applies a resist to the substrate, and irradiates light with a mask provided with a circuit pattern formed therebetween.

다음에, 레지스트의 광이 조사되지 않은 부분 또는 광이 조사된 부분을 제거하여, 기판의 레지스트가 제거된 부분을 에칭하고, 에칭 후에 레지스트를 제거하는 등의 일련의 공정을 복수회 반복함으로써, 상기 기판에 회로 패턴을 형성한다.Next, by repeating a series of steps, such as removing the portion not irradiated with the light or the portion irradiated with light of the resist, etching the portion from which the resist is removed from the substrate, and removing the resist after etching, a plurality of times is performed. The circuit pattern is formed on the substrate.

이러한 리소그라피 프로세스에 있어서는, 상기 기판에 현상액, 에칭액 또는 에칭 후에 레지스트를 제거하는 박리액　등의 처리액에 의해 기판을 처리하는 공정, 또한 처리액으로서의 세정액에 의해 세정하는 공정 등이 있어, 세정 후에는 기판에 부착되어 잔류한 세정액을 제거하는 건조 공정이 필요하다.In such a lithography process, there is a process of treating a substrate with a processing liquid such as a developing solution, an etching solution, or a stripping solution for removing a resist after etching, and a step of washing with a cleaning liquid as the processing liquid, and the like after the cleaning. There is a need for a drying process to remove the cleaning liquid remaining on the substrate.

종래, 기판에 대해서 전술한 일련의 처리를 행하는 경우, 상기 기판을 축선을 수평으로 하여 배치된 반송 롤러에 의해 수평인 상태로 각각의 처리 챔버에 차례로 반송하고, 그래서 처리액에 의해 처리하거나 압축 기체를 분사하여 건조 처리하도록 하고 있다.Conventionally, when performing the above-mentioned series of processes with respect to a board | substrate, the said board | substrate is conveyed to each processing chamber one by one in the horizontal state by the conveying roller arrange | positioned horizontally, and processed by a process liquid, or compressed gas Is sprayed to dry.

그런데, 최근에는 액정 표시 장치에 사용되는 유리제의 기판이 대형화 및 박형화하는 경향이 있다. 그러므로, 기판을 수평으로 반송하면, 반송 롤러　사이에 있어서의 기판의 휨이 커지기 때문에, 각 처리 챔버에서의 처리를 기판의 판면 전체에 걸쳐서 균일하게 행할 수 없게 된다는 문제가 생긴다.By the way, in recent years, the glass substrate used for a liquid crystal display device tends to enlarge and thin. Therefore, when the substrate is horizontally conveyed, the warpage of the substrate between the conveying rollers increases, so that the process in each processing chamber cannot be uniformly carried out over the entire plate surface of the substrate.

기판이 대형화하면, 그 기판을 반송하는 반송 롤러가 설치된 반송축이 장척 화(長尺化)된다. 또한, 기판이 대형화됨으로써, 기판 상에 공급되는 처리액이 증대하고, 기판 상의 처리액의 양에 따라 상기 반송축에 가해지는 하중이 커지기 때문에, 그러한 것에 의해 반송축의 휨이 증대한다. 그러므로, 기판은 반송축이 휘는　것에 의해서도 휨이 생겨 균일한 처리를 행할 수 없게 되는 경우가 있다.When a board | substrate becomes large, the conveyance shaft in which the conveyance roller which conveys the board | substrate is provided is elongated. Moreover, since the processing liquid supplied on a board | substrate increases and the load applied to the said conveyance shaft becomes large according to the quantity of the process liquid on a board | substrate by large size of a board | substrate, curvature of a conveyance shaft increases by this. Therefore, the substrate may be warped even when the carrier shaft is bent, so that uniform processing may not be possible.

그래서, 처리액에 의해 기판을 처리할 때, 상기 기판이 처리액의 중량에 의해 휘는　것을 방지하기 위해, 기판을 소정의 각도, 예를 들어 70도 정도의 각도로 기립시켜 반송한다고 하는 것을 생각할　수　있다. 기판을 기립시킨 세워진 상태로 반송하면, 처리액은 기판의 판면에 모이지 않고, 상부에서 하부에 원활하게 흐르기 때문에, 처리액의 중량에 의해 기판이 휘는　것을 방지할 수 있다.Therefore, when treating the substrate with the treatment liquid, it is conceivable that the substrate is stood and conveyed at a predetermined angle, for example, an angle of about 70 degrees, in order to prevent the substrate from being bent by the weight of the treatment liquid. have. When the substrate is conveyed in an upright position in which the substrate is standing up, the processing liquid does not collect on the plate surface of the substrate and flows smoothly from the upper side to the lower side, thereby preventing the substrate from warping by the weight of the processing liquid.

세워진 상태의 기판에 처리액을 공급하는 경우, 예를 들어 기판의 상하 방향의 복수 개소로부터 각각 노즐에 의해 처리액을 공급한다고 하는 것을 생각할　수　있다. 그렇지만, 처리액을 복수개의 노즐에 의해 기판의 판면에 단지 공급하는 것만으로는, 기판의 상부에 공급된 처리액이 기판의 상부를 처리한 후, 기판의 하부에 공급된 처리액에 혼합되어 반응성이 열화되기 때문에, 기판의 하부의 처리가 상부에 비해 뒤떨어진다고 하는 경우가 있다. 또한, 기판의 상부와 하부를 흐르는 처리액의 속도는, 높이의 상위에 따라 다르기 때문에, 그 속도차에 의해 기판의 상부와 하부가 균일하게 처리되지 않는 등의 문제가 생긴다.When supplying a process liquid to a board | substrate of a standing state, it can be considered that process liquid is respectively supplied by the nozzle from several places of the up-down direction of a board | substrate, for example. However, only by supplying the processing liquid to the plate surface of the substrate by the plurality of nozzles, the processing liquid supplied to the upper part of the substrate is mixed with the processing liquid supplied to the lower part of the substrate after the upper part of the substrate is processed and reactive. Because of this deterioration, the processing of the lower part of the substrate may be inferior to the upper part in some cases. In addition, since the speed of the processing liquid flowing through the upper and lower portions of the substrate varies depending on the difference in height, problems such as the upper and lower portions of the substrate are not uniformly processed due to the speed difference.

본 발명은, 기판을 세워진 상태로 반송하여 처리액으로 처리하는 경우, 이 기판을 전체에 걸쳐서 대략 균일하게 처리할 수 있도록 한 기판의 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a processing apparatus and a processing method for a substrate in which the substrate is transported in an upright state and treated with the processing liquid so that the substrate can be treated substantially uniformly throughout.

본 발명은, 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,

상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과,Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction in a standing state;

이 반송 수단에 의해 세워진 상태로 반송되는 기판에 처리액을 분사하는 처리부The processing part which injects a processing liquid to the board | substrate conveyed in the stand-up state by this conveyance means.

를 포함하며, Including;

상기 처리부는, 상기 기판의 판면에 처리액을 분사하는 복수개의 노즐을 가지고, 이들 복수개의 노즐은 상기 기판의 높이 방향으로 소정　간격으로, 또한 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 상기 기판의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치에 있다.The said processing part has a some nozzle which injects a process liquid to the board surface of the said board | substrate, and these some nozzle is a nozzle in which the nozzle located in the upper direction by the predetermined | prescribed interval in the height direction of the said board | substrate, and the upper direction is located below. It is arrange | positioned so that it may be located in the conveyance direction back of the said board | substrate, It exists in the substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

본 발명은, 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,

상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과,Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction in a standing state;

이 반송 수단에 의해 세워진 상태로 반송되는 기판의 판면에 처리액을 분사하는 복수개의 노즐A plurality of nozzles for injecting the processing liquid to the plate surface of the substrate conveyed in a standing state by this conveying means

을 포함하며,Including;

상기 복수개의 노즐은, 상기 기판의 높이 방향에 따른 동시에, 높이 방향으로 상부에서 하부로 갈수록 점차 피치가 커지도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치에 있다.The plurality of nozzles are disposed in the substrate processing apparatus according to the height direction of the substrate, and are arranged such that the pitch gradually increases from the top to the bottom in the height direction.

본 발명은, 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,                     

상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과，Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction while standing up;

상기 반송 수단에 의해 세워진 상태로 반송되는 기판의 판면에 처리액을 분사하는 복수개의 노즐A plurality of nozzles for injecting the processing liquid to the plate surface of the substrate conveyed in a standing state by the conveying means

을 포함하며,Including;

상기 복수개의 노즐은, 상기 기판의 높이 방향을 따라 소정　간격으로 배치되고, 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐에 공급되는 처리액의 압력이 하부에 위치하는 노즐에 공급되는 처리액의 압력보다 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치에 있다.The plurality of nozzles are arranged at predetermined intervals along the height direction of the substrate, and the pressure of the processing liquid supplied to the nozzle located above the height direction is set higher than the pressure of the processing liquid supplied to the nozzle located below. It is a substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

본 발명은, 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,

상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과，Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction while standing up;

상기 반송 수단에 의해 세워진 상태로 반송되는 기판의 판면에 처리액을 분사하는 복수개의 노즐A plurality of nozzles for injecting the processing liquid to the plate surface of the substrate conveyed in a standing state by the conveying means

을 포함하며,Including;

상기 복수개의 노즐은, 상기 기판의 높이 방향을 따라 소정　간격으로 배치되고, 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐에 공급되는 처리액의 유량이 하부에 위치하는 노즐에 공급되는 처리액의 유량보다 크게 설정되는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치에 있다.The plurality of nozzles are arranged at predetermined intervals along the height direction of the substrate, and the flow rate of the processing liquid supplied to the nozzle located above the height direction is set to be greater than the flow rate of the processing liquid supplied to the nozzle located below the substrate. It is a substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

본 발명은, 복수개의 노즐을 기판의 높이 방향을 따라 배치하고, 이들 노즐로부터 처리액을 분사하여 기판을 처리하는 기판　처리 방법에 있어서,The present invention provides a substrate treating method in which a plurality of nozzles are disposed along a height direction of a substrate, and a processing liquid is sprayed from these nozzles to treat the substrate.

상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 공정과, A conveying step of conveying the substrate in a predetermined direction in a standing state;                     

세워진 상태로 반송되는 기판에 복수개의 노즐로부터 처리액을 분사하는 동시에, 각 노즐로부터 분사되어 기판의 판면을 따라 흐르고 떨어지는 각각의 처리액의 영역이 중첩되지 않도록 하는 분사 공정A spraying process in which a processing liquid is sprayed from a plurality of nozzles onto a substrate conveyed in an upright state, and the regions of the processing liquids sprayed from each nozzle and flowing along the plate surface of the substrate do not overlap.

을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법에 있다.In the method of processing a substrate comprising a.

본 발명은, 복수개의 노즐을 기판의 높이 방향을 따라 배치하고, 이들 노즐로부터 처리액을 분사하여 기판을 처리하는 기판　처리 방법에 있어서,The present invention provides a substrate treating method in which a plurality of nozzles are disposed along a height direction of a substrate, and a processing liquid is sprayed from these nozzles to treat the substrate.

상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 공정과,A conveying step of conveying the substrate in a predetermined direction in a standing state;

세워진 상태로 반송되는 기판에 상기 복수개의 노즐로부터 처리액을 분사하는 동시에, 상기 기판의 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐에 공급되는 처리액을 하부에 위치하는 노즐에 공급되는 처리액보다 압력과 유량 중 적어도 한편을 크게 하여 공급하는 분사 공정The process liquid is injected from the plurality of nozzles onto the substrate conveyed in an upright state, and the processing liquid supplied to the nozzle located above in the height direction of the substrate is higher than the processing liquid supplied to the nozzle located below. Injection process which enlarges and supplies at least one of

을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법에 있다. In the method of processing a substrate comprising a.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 일실시예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예를 나타낸다. 도 1에 나타낸 처리 장치는 기대(機臺)(1)를 구비하고 있다. 이 기대(1)의 상면의 길이　방향 일단부에는 폭방향으로 이간되어 로더부(2)와 언로더부(3)가 설치되어 있다. 로더부(2)와 언로더부(3)는 사각형 판형의 받이부재(4)를 가지고, 이 받이부재(4)는 하단부를 지점으로　하여 화살표로 나타낸 기대(1)의 폭방향에 따라 요동 구동 가능하도록 되어 있다.1 to 8 show a first embodiment of the present invention. The processing apparatus shown in FIG. 1 is provided with a base 1. The loader 2 and the unloader 3 are provided at one end of the upper surface of the base 1 in the longitudinal direction in the longitudinal direction, and are separated from each other in the width direction. The loader portion 2 and the unloader portion 3 have a rectangular plate-shaped receiving member 4, and the receiving member 4 drives the swing along the width direction of the base 1 indicated by the arrow with the lower end pointed to the point. It is possible.

로더부(2)와 언로더부(3)의 일측면(로더부(2)만 도시)의 하단부에는 복수의 하부 받이 롤러(5)가 소정　간격으로 설치되고，상단부에는 복수의 상부 받이 롤러(6)가 소정　간격으로 설치되어 있다. 하부 받이 롤러(5)는 구동원（도시하지 않음）에 의해 회전 구동되도록 되어 있다.A plurality of lower receiving rollers 5 are provided at a lower end of one side of the loader part 2 and the unloader part 3 (only the loader part 2 is shown) at predetermined intervals, and a plurality of upper receiving rollers ( 6) is provided at predetermined intervals. The lower receiving roller 5 is rotatably driven by a drive source (not shown).

상기 로더부(2)에는 미처리의 기판 W가 공급부（도시하지 않음）로부터 세워진 상태로 공급된다. 로더부(2)에 공급된 기판 W는 하단이 하부 받이 롤러(5)에 걸어맞춤되고，상단이 상부 받이 롤러(6)에 걸어맞춤 지지된다. 그리고, 미처리의 기판 W는 하부 받이 롤러(5)가 소정 방향으로 회전 구동됨으로써, 후술하는 처리 스테이션에 공급된다.Unloaded substrate W is supplied to the loader section 2 in a standing position from a supply section (not shown). The board | substrate W supplied to the loader part 2 is engaged with the lower support roller 5 at the lower end, and the upper end is engaged with the upper support roller 6, and is supported. And the unprocessed board | substrate W is supplied to the process station mentioned later by lower drive roller 5 rotatingly driving in a predetermined direction.

상기 처리 스테이션에서 처리된 기판 W는 상기 언로더부(3)에 반출된다. 언로더부(3)에 반출된 기판 W는 하단이 하부 받이 롤러(5)에 걸어맞춤 지지되고，상단이 상부 받이 롤러(6)에 걸어맞춤 지지된다.The substrate W processed at the processing station is carried out to the unloader section 3. As for the board | substrate W carried out to the unloader part 3, the lower end is engaged with the lower support roller 5, and the upper end is engaged with the upper support roller 6, and is supported.

상기　기대(1)의 로더부(2)와 언로더부(3)를 제외한 부분은 쇄선(鎖線)으로 나타낸 커버(7)에 의해 덮여 있다. 이 커버(7) 내에는, 기대(1)의 길이　방향에 따라 처리 스테이션으로서의 고정 스테이션(8)과，동일하게 처리 스테이션으로서의 회전 스테이션(9)이 차례로 일렬로 설치되어 있다.The part except the loader part 2 and the unloader part 3 of the said base 1 is covered by the cover 7 shown by the dashed line. In this cover 7, a stationary station 8 as a processing station and a rotation station 9 as a processing station are provided in a row in order along the length direction of the base 1.

상기 고정 스테이션(8)과 회전 스테이션(9)과의 일측면과 타측면에는 각각 반송 수단(10)이 설치되어 있다. 이 반송 수단(10)은 각 스테이션(8),(9)의 하단부에 폭방향을 따라 소정　간격으로 설치된 구동 롤러(13)를 가진다. 이 구동 롤러(13)는 구동원(12)에 의해 회전 구동된다. 각 구동 롤러(13)의 상부에는 각각 상하 방향을 따라 소정　간격으로 설치된 복수개, 이 실시예에서는 3개의 받이 롤러(14) 가 설치되어 있다.Carrying means 10 is provided on one side and the other side of the stationary station 8 and the rotating station 9, respectively. This conveying means 10 has the drive roller 13 provided in the lower end part of each station 8 and 9 at predetermined intervals along the width direction. This drive roller 13 is rotationally driven by the drive source 12. A plurality of receiving rollers 14 are provided in the upper portion of each driving roller 13 at predetermined intervals in the vertical direction, respectively, in this embodiment.

상기 구동 롤러(13)는, 상세한 것은 도시하지 않지만 외주면에 V홈이 형성되어 있는 동시에 회전축선을 수평으로 하여 설치되고， 상기 받이 롤러(14)는 회전축선을 수직으로 하여 설치되어 있다.Although not shown in detail, the said drive roller 13 is provided with the V groove formed in the outer peripheral surface, and is provided with the rotation axis horizontal, and the said receiving roller 14 is provided with the rotation axis vertically.

상하 방향에 위치하는 3개의 받이 롤러(14)는 각각 각 스테이션(8),(9)의 측면으로 돌출된 설치 부재(15)의 선단부에 설치되어 있다. 상하 방향에 따라 설치된 3개의 받이 롤러(14)는 상부로 갈수록 스테이션(8),(9)의 측면으로부터의 돌출 거리가 작아지도록 설정되어 있다.The three receiving rollers 14 which are located in the up-down direction are attached to the front end portions of the mounting members 15 protruding to the sides of the stations 8 and 9, respectively. The three receiving rollers 14 provided along the up-down direction are set so that the protruding distance from the side surfaces of the stations 8 and 9 becomes smaller toward the top.

그에 따라, 상기 로더부(2)로부터 상기 고정 스테이션(8)의 일측면으로 공급되는 기판 W는, 하단이 구동 롤러(13)의 V홈에 걸어맞추어지고, 일측면이 상기 받이 롤러(14)에 지지되므로, 상단이 하단보다 각 스테이션(8),(9)의 측면 측에 소정의 각도로 경사진 상태로 상기 구동 롤러(13)에 의해 반송된다.Accordingly, the substrate W supplied from the loader portion 2 to one side of the stationary station 8 is engaged with the V groove of the driving roller 13, and one side thereof is the receiving roller 14. Since the upper end is conveyed by the said drive roller 13 in the state inclined at the predetermined angle to the side surface of each station 8 and 9 rather than the lower end.

상하 방향에 위치하는 3개의 받이 롤러(14)는, 하단이 구동 롤러(13)에 지지된 기판 W를 예를 들어 70~85도의 각도로 경사지게 유지하도록, 각 스테이션(8),(9)의 측면으로부터의 돌출 거리가 설정되어 있다. 기판 W를 70~85도의 각도로 경사지게　하면, 경사 방향과 역방향으로 넘어지는 일 없이 안정된 상태로 반송하는 것이 가능해진다. 또한, 기판 W는, 수평으로 반송되는 경우와 같이 자중에 의해 휘는　것이 방지된다. 이 실시예에서는, 상기 기판 W는 75도의 각도로 경사지게 반송되도록 되어 있다.The three receiving rollers 14 which are located in the up-down direction have the lower ends of the respective stations 8 and 9 so as to keep the substrate W supported by the driving roller 13 inclined at an angle of, for example, 70 to 85 degrees. The protruding distance from the side is set. When the substrate W is inclined at an angle of 70 to 85 degrees, the substrate W can be conveyed in a stable state without falling down in the opposite direction to the inclined direction. In addition, the substrate W is prevented from being bent by its own weight as in the case of being conveyed horizontally. In this embodiment, the substrate W is conveyed inclined at an angle of 75 degrees.

상기 로더부(2)로부터 고정 스테이션(8)의 일측면의 반송 수단(10)에 기판 W 를 공급하는 경우, 로더부(2)의 받이부재(4)를 고정 스테이션(8)에 지지되는 기판 W의 경사 각도와 같은 각도로 경사지게　함으로써, 로더부(2)로부터 고정 스테이션(8)의 일측면으로 기판 W를 원활하게 주고 받을 수 있다.When supplying the board | substrate W from the said loader part 2 to the conveyance means 10 of one side of the stationary station 8, the board | substrate which supports the receiving member 4 of the loader part 2 to the stationary station 8 is supported. By inclining at an angle equal to the inclination angle of the W, the substrate W can be smoothly exchanged from the loader section 2 to one side of the fixed station 8.

마찬가지로，고정 스테이션(8)의 타측면으로부터 언로더부(3)에 기판 W를 반출하는 경우, 이 언로더부(3)의 받이부재(4)를 기판 W와 같은 각도로 경사지게 하면, 상기 고정 스테이션(8)의 타측면으로부터 상기 언로더부(3)에 기판 W를 원활하게 주고 받을 수 있다.Similarly, when carrying out the board | substrate W to the unloader part 3 from the other side of the fixing station 8, when the receiving member 4 of this unloader part 3 is inclined at the same angle as the board | substrate W, the said fixed The substrate W can be smoothly exchanged with the unloader 3 from the other side of the station 8.

상기 고정 스테이션(8)의 일측면에는, 처리 수단으로서 각각 브러시 세정부(17), 처리부로서의 에칭 처리부(18) 및 순수(純水) 세정부(19)가 차례로 설치되고，상기 회전 스테이션(9)의 일측면과 타측면에는 각각 처리 수단으로서의 건조 처리부(20)(한쪽만 도시)가 설치되어 있다.On one side of the stationary station 8, a brush cleaning unit 17, an etching processing unit 18 as a processing unit, and a pure water cleaning unit 19 as processing units are respectively provided in turn, and the rotary station 9 On one side and the other side of), a drying processing unit 20 (only one side) is provided as a processing means.

상기 브러시 세정부(17)는, 상세한 것은 도시하지 않지만 무단상(無端狀)을 이루고, 기판 W의 상하 방향에 따라 무단 주행하는 한쌍의 벨트가 브러시면을 대향하여 배치되어 있다. 그리고, 이들 한쌍의 벨트의 브러시면 사이에 상기 기판 W가 반송됨으로써, 기판 W의 한쌍의 판면, 즉 표면과 이면(裏面)이 브러시 세정되도록 되어 있다.Although the brush cleaning part 17 is not shown in detail, the brush washing | cleaning part 17 forms an endless phase, and the pair of belt which runs steplessly along the up-down direction of the board | substrate W is arrange | positioned facing the brush surface. And the said board | substrate W is conveyed between the brush surfaces of these pair of belts, and the pair of plate surfaces, ie, the front surface and the back surface, of the board | substrate W are brush-washed.

상기 브러시 세정부(17)에 의해 브러시 세정된 기판 W의 표면과 이면 중, 표면은 상기 에칭 처리부(18)에 의해 에칭 처리된다. 이 에칭 처리부(18)는 도 2와 도 3에 나타낸 바와 같이, 복수개의 노즐, 이 실시예에서는 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)을 가진다. The surface is etched by the said etching process part 18 among the surface and the back surface of the board | substrate W brush-washed by the said brush washing part 17. As shown in FIG. As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the etching processing unit 18 has a plurality of nozzles, and in this embodiment, the first to fourth nozzles 21a to 21d.                     

제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)은, 높이 방향으로 소정　간격으로 배치되어 있는 동시에, 기판 W의 반송 방향에 있어서, 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 도 3에 화살표로 나타낸 기판 W의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되어 있다. 그에 따라, 복수개의 노즐(21a)~(21d)을 잇는 직선 L은, 기판 W의 반송 방향에 대하여 각도 θ로 경사져 있다.The first to fourth nozzles 21a to 21d are arranged at predetermined intervals in the height direction, and in the conveying direction of the substrate W, the nozzles located at the upper side of the nozzles are located in FIG. It is arrange | positioned so that it may be located in the conveyance direction back of the board | substrate W shown by. Thus, the straight line L connecting the plurality of nozzles 21a to 21d is inclined at an angle θ with respect to the conveyance direction of the substrate W. As shown in FIG.

제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)의 높이 방향의 간격은 기판 W의 높이 치수에 따라 설정되고, 기판 W의 반송 방향에 따른 배치, 즉 기판 W의 반송 방향에 있어서 인접하는 노즐의 간격은 기판 W의 반송 속도에 의해 설정된다.The space | interval of the height direction of the 1st-4th nozzles 21a-21d is set according to the height dimension of the board | substrate W, and the arrangement | positioning along the conveyance direction of the board | substrate W, ie, of the nozzle which adjoins in the conveyance direction of the board | substrate W, The interval is set by the conveyance speed of the substrate W.

예를 들어, 기판 W의 높이 치수가 1800mm의 경우, 제1 노즐(21a)의 높이 h1는, 도 3에 나타낸 바와 같이 1800mm의 높이 위치에 배치되고, 제2 노즐(21b)의 높이 h2는 1350mm, 제3 노즐(21c)의 높이 h3는 900mm, 제4 노즐 (21d)의 높이 h 4는 450mm로 설정된다.For example, if the height of the substrate W 1800mm, the height h 1 of the first nozzle (21a), as shown in Figure 3 and arranged at the height position of 1800mm, the height of the second nozzle (21b) h. 2 Is 1350 mm, the height h 3 of the third nozzle 21 c is set to 900 mm, and the height h 4 of the fourth nozzle 21 d is set to 450 mm.

도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)은 각각 주공급관(22)로부터 분기된 4개의 분기관(23)에 접속되어 있다. 각 분기관(23)에는 유량 제어 밸브(24)가 설치되어 있다. 그에 따라, 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부터는 각각의 유량 제어 밸브(24)의 설정에 따른 유량으로 기판 W의 표면을 향해 처리액으로서의 에칭액을 분사할 수 있도록 되어 있다. 또한, 상기 주공급관(22)에는 개폐 제어 밸브(25)가 설치되고, 이 개폐 제어 밸브(25)가 개방됨으로써, 에칭액이 각 분기관(23)에 공급된다. As shown in Fig. 2, the first to fourth nozzles 21a to 21d are connected to four branch pipes 23 branched from the main supply pipe 22, respectively. Each branch pipe 23 is provided with a flow control valve 24. As a result, the etching liquid as the processing liquid can be injected from the first to fourth nozzles 21a to 21d toward the surface of the substrate W at the flow rate corresponding to the setting of the respective flow control valves 24. In addition, an opening / closing control valve 25 is provided in the main supply pipe 22, and the opening / closing control valve 25 is opened, so that the etching liquid is supplied to each branch pipe 23.                     

기판 W의 반송 방향에 따른 노즐 간격은, 각 노즐(21a)~(21d)로부터 기판 W의 판면에 분사된 에칭액이 기판 W의 반송 속도에 따라 기판 W의 판면을 따라 흐르는 영역이 각각 중첩되지 않도록 설정된다.The nozzle spacing along the conveyance direction of the board | substrate W is so that the area | region which the etching liquid injected from each nozzle 21a-21d to the board surface of the board | substrate flows along the board surface of the board | substrate W according to the conveyance speed of the board | substrate W may not overlap, respectively. Is set.

도 4는 기판 W의 반송 속도가 2000mm/min, 4000mm/min 및 6000mm/min 일 때 상기 각 높이 위치에 배치된 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부터 분사된 에칭액이 기판 W의 판면을 흐르는 영역을 실험에 의해 구한 그래프이다. 동 도면에 있어서, 곡선 X1~X4는 기판 W의 반송 속도가 2O0Omm/min, 곡선 Y1~Y4 는 4000mm/min, 곡선 Z1~Z4는 6000mm/min의 경우이다.4 shows that the etching liquid injected from the first to fourth nozzles 21a to 21d disposed at the respective height positions when the conveyance speeds of the substrate W are 2000 mm / min, 4000 mm / min, and 6000 mm / min. It is a graph which calculated the area | region which flows through a plate surface by experiment. In the same figure, the curves X 1 to X 4 are cases where the conveyance speed of the substrate W is 20 mm / min, the curves Y 1 to Y 4 are 4000 mm / min, and the curves Z 1 to Z 4 are 6000 mm / min.

예를 들어, 높이가 1800mm의 위치에 배치된 제1 노즐(21a)로부터 분사되는 에칭액은, 기판 W의 반송 속도가 2000mm/min 일 때는, 곡선 X1로 나타낸 바와 같이 제1 노즐(21a)로부터 분사된 에칭액은 수직 방향 하부로부터 기판 W의 반송 방향으로 약 20mm 어긋난 영역의 범위를 흐른다. 반송 속도가 4000mm/min 일 때는, 곡선 Y1로 나타낸 바와 같이 수직 방향 하부로부터 기판 W의 반송 방향으로 약 40mm 어긋난 영역의 범위를 흐른다. 반송 속도가 6000mm/min 일 때는, 곡선 곡선 Z1로 나타낸 바와 같이 수직 방향 하부로부터 기판 W의 반송 방향으로 약 60mm 어긋난 영역의 범위를 흐른다.For example, the etching solution is high is injected from the first nozzle (21a) disposed at a position of 1800mm is, when the transport speed of the substrate W one 2000mm / min, from the first nozzle (21a) as indicated by the curve X 1 The injected etchant flows in the range of about 20 mm shifted from the lower part in the vertical direction in the conveying direction of the substrate W. When conveying velocity is in the 4000mm / min, as indicated by curve Y 1 flows in the range of about 40mm is deviated from the vertical direction, the lower area in the conveying direction of the substrate W. When conveying velocity is in the 6000mm / min, as indicated by curve curve Z 1 flows around 60mm range is deviated from the vertical direction, the lower area in the conveying direction of the substrate W.

도 6 내지　도 8은, 도 4에 나타낸 실험에 따라, 기판 W의 반송 속도가 2000mm/min, 4000mm/min 및 6000mm/min일 경우, 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부 터 분사되어 기판 W의 판면을 흐르는 에칭액의 영역이 각각 중첩되지 않도록, 상기 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)의 배치 상태 및 각 노즐로부터 분사되어 기판 W의 판면을 따라 흐르는 에칭액의 영역을 나타내고 있다.6 to 8 show the first to fourth nozzles 21a to 21d when the conveyance speeds of the substrate W are 2000 mm / min, 4000 mm / min, and 6000 mm / min according to the experiment shown in FIG. 4. The arrangement state of the first to fourth nozzles 21a to 21d and the area of the etching solution injected from each nozzle and flowing along the plate surface of the substrate W so that the regions of the etching solution that are injected and flow through the plate surface of the substrate W do not overlap, respectively. Indicates.

도 5에 있어서, 곡선 A는 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부터 기판 W의 판면에 분사되어 아래쪽으로 흐른 에칭액의 기판 W의 하단부에 있어서의 속도를 나타내고 있고, 곡선 B는 각 노즐(21a)~(21d)로부터 기판 W의 판면에 분사된 에칭액이 기판 W의 하단부에 도달할 때까지의 시간을 나타내고 있다.In FIG. 5, the curve A shows the speed in the lower end part of the board | substrate W of the etching liquid which sprayed from the 1st-4th nozzle 21a-21d to the board surface of the board | substrate W, and flowed downward, and the curve B has each The time until the etchant injected from the nozzles 21a to 21d to the plate surface of the substrate W reaches the lower end of the substrate W is shown.

이 그래프로부터 알 수 있듯이, 기판 W의 높은 위치로부터 분사된 에칭액은, 낮은 위치로부터 분사된 에칭액보다, 하단부에 도달할 때까지의 시간은 길어지지만, 기판 W의 하단부에서의 속도는 낮은 위치로부터 분사된 에칭액보다 빨라지고 있는 것을 알 수 있다.As can be seen from this graph, the etching liquid injected from the high position of the substrate W takes longer to reach the lower end than the etching liquid injected from the lower position, but the velocity at the lower end of the substrate W is injected from the lower position. It turns out that it is faster than the used etching liquid.

예를 들어, 높이 900mm의 위치의 제3 노즐(21c)로부터 분사된 에칭액이 하단부에 도달할 때까지의 시간은 0.44sec이기 때문에, 높이가 2배인 1800mm의 위치에 있는 제1 노즐(21a)로부터 분사된 에칭액이 하단부에 도달할 때까지의 계산상의 시간은 그 2배인 0.88sec이지만, 실측치는 0.62sec였다. 즉, 기판 W의 하단부에 있어서는, 높은 위치로부터 낙하하는 에칭액은 낮은 위치로부터 낙하하는 에칭액보다 가속도가 커지기 때문에, 도 5에 나타낸 것 같은 측정 결과를 얻을 수 있다.For example, since the time until the etching liquid injected from the third nozzle 21c at the position of 900 mm in height reaches the lower end is 0.44 sec, it is from the first nozzle 21a at the position of 1800 mm which is twice the height. The calculation time until the injected etchant reached the lower end was 0.88 sec which is twice that, but the measured value was 0.62 sec. That is, in the lower end part of the board | substrate W, since the etching liquid falling from a high position has larger acceleration than the etching liquid falling from a low position, the measurement result as shown in FIG. 5 can be obtained.

상기 순수 세정부(19)는, 상기 에칭 세정부(18)에 의해 에칭된 기판 W의 판면을 순수에 의해 세정한다. 순수 세정부(19)의 구조의 상세한 것은 도시하지 않지만, 예를 들어 기판 W의 반송 방향에 있어서 소정의 각도로 경사져 형성된 복수의 슬릿형의 노즐로부터 기판 W의 표리 양면의 전체에 걸쳐서 순수를 균일하게 분사할 수 있도록 되어 있다. 그에 따라, 상기 에칭 처리부(18)에 의해 에칭 처리됨으로써 잔류한 에칭액이 상기 순수 세정부(19)를 통과함으로써 씻겨 흐르게 된다.The pure water cleaning unit 19 cleans the plate surface of the substrate W etched by the etching cleaning unit 18 with pure water. Although the detail of the structure of the pure water washing | cleaning part 19 is not shown in figure, pure water is uniformly distributed over the front and back both sides of the board | substrate W, for example from the some slit type nozzle inclined at the predetermined angle in the conveyance direction of the board | substrate W. It can be sprayed quickly. Thereby, the etching liquid remaining by the etching process by the said etching process part 18 passes through the said pure water washing | cleaning part 19, and flows.

상기 건조 처리부(20)는, 상기 순수 처리부(19)에 의해 세정 처리된 기판 W에 부착된 잔류하는 순수를 제거한다. 건조 처리부(20)는 불활성 가스 등의 청정한 압축 기체를 비교적 높은 압력으로 분사하는 에어 나이프로 구성되어 있고, 반송되는 기판 W의 표리 양면에 압축 기체를 분사함으로써, 상기 순수 처리부(19)에 의해 세정 처리됨으로써 그 판면에 부착 잔류한 순수를 제거하도록 되어 있다.The drying treatment unit 20 removes the remaining pure water adhering to the substrate W cleaned by the pure water treatment unit 19. The drying processing part 20 is comprised by the air knife which injects clean compressed gas, such as an inert gas, by comparatively high pressure, and wash | cleans with the said pure water processing part 19 by spraying compressed gas on both front and back sides of the board | substrate W to be conveyed. The treatment is to remove the pure water remaining on the plate surface.

기판 W가 건조 처리부(20)에 의해 건조 처리되면, 이 건조 처리부(20)가 설치된 회전 스테이션(9)이 180도 회전하고, 건조 처리한 기판 W를 언로더부(3) 측으로 향하게 한다. 그 상태에서, 기판 W는 언로더부(3)를 향해 반송되고, 반송 수단(10)으로부터 상기 언로더부(3)에 주고 받아진다.When the board | substrate W is dried-processed by the drying process part 20, the rotating station 9 in which this drying process part 20 was installed rotates 180 degree | times, and makes the board | substrate W which processed the drying process toward the unloader part 3 side. In that state, the board | substrate W is conveyed toward the unloader part 3, and is conveyed to the said unloader part 3 from the conveying means 10.

상기 구성의 처리 장치에 의하면, 기판 W가 반송 수단(10)에 의해 소정 방향으로 반송되고, 브러시 세정부(17)에 의해 세정된 후, 에칭 처리부(18)에 도달하면, 여기서 기판 W의 상면은 에칭 처리된다. 기판 W를 에칭 처리하는 경우, 에칭 처리부(18)의 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)은, 도 6 내지 도 8에 나타낸 바와 같이 기판 W의 높이 치수와 반송 속도에 따라 배치되어 있다.According to the processing apparatus of the said structure, when the board | substrate W is conveyed to the predetermined direction by the conveying means 10, and is wash | cleaned by the brush washing | cleaning part 17, and reaches the etching process part 18, the upper surface of the board | substrate W is here. Is etched. When etching the board | substrate W, the 1st-4th nozzle 21a-21d of the etching process part 18 are arrange | positioned according to the height dimension and conveyance speed of the board | substrate W, as shown to FIG. 6-8. have.

즉, 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부터 각각 기판 W의 판면에 분사되어 하부로 향해 흐르는, 에칭액의 각 영역이 중첩되지 않고, 상기 제 1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)의 간격이 기판 W의 반송 속도에 따라 설정되어 있다. That is, the respective regions of the etching liquid, which are respectively injected from the first to fourth nozzles 21a to 21d to the plate surface of the substrate W and flow downward, do not overlap, and the first to fourth nozzles 21a to ( The space | interval of 21d) is set according to the conveyance speed of the board | substrate W.                     

예를 들어, 기판 W가 6000mm/sec 반송 속도로 반송되는 경우, 도 8에 나타낸 바와 같이 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부터 분사된 에칭액이 하부로 향해 흐르는 영역을, 제1 내지 제4 영역을 R1~R4로 하면, 이러한 각 영역 R1~R 4는 기판 W의 상하 방향 전체 길이에 걸쳐서 인접하는 다른 영역과 중첩되지 않는다.For example, when the board | substrate W is conveyed at 6000 mm / sec conveyance speed, as shown in FIG. 8, the area | region in which the etching liquid injected from the 1st-4th nozzle 21a-21d flows toward the lower part is 1st. When the fourth region is R 1 to R 4 , each of these regions R 1 to R 4 does not overlap with other adjacent regions over the entire length of the substrate W in the vertical direction.

그러므로, 기판 W의 제1 영역 R1을 에칭한 에칭액은 제2 영역 R2를 에칭한 에칭액에 서로 혼합되지 않고, 마찬가지로 제3, 제4 영역 R3, R4를 에칭 처리한 에칭액에 다른 영역을 에칭 처리한 에칭액이 서로 혼합되지 않는다.Therefore, the etchant etching the first region R 1 of the substrate W is first not mixed with each other to an etching solution etching the second region R 2, likewise the third and fourth regions R 3, another region for R 4 in the etching process the etching solution Etching liquid which etched by the above is not mixed with each other.

예를 들어, 제1 영역 R1을 에칭 처리한 에칭액이 제2 영역 R2를 에칭 처리한 에칭액에 혼합되면, 에칭액의 반응성이 열화되는 경우가 있다. 그렇지만, 전술한 것처럼 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부터 분사된 에칭액은 서로 혼합되지 않고，각각의 영역 R1~R4를 흐른다.For example, if the first region R 1, the etching treatment by the etching solution is a mixed etching solution in the etching process for the second region R 2 a, there is a case that reactivity of the etching solution from being deteriorated. However, as described above, the etching liquids injected from the first to fourth nozzles 21a to 21d do not mix with each other and flow through the respective regions R 1 to R 4 .

그러므로, 기판 W는 각 노즐(21a)~(21d)로부터 분사되는 에칭액에 의한 영역 R~R4가 반응성이 열화되지 않은 에칭액에 의해 에칭 처리되기 때문에, 그 에칭 처리를 기판 W의 표면 전체에 걸쳐 균일하게 행할 수 있다.Therefore, the substrate W is etched by the etching liquid in which the regions R to R4 by the etching liquid injected from the nozzles 21a to 21d are not deteriorated in reactivity, so that the etching process is uniform over the entire surface of the substrate W. I can do it.

도 8에 나타낸 바와 같이, 기판 W의 높이 방향을, 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)의 배치 높이에 따라 제1 내지 제4 높이 부분 H1~H4로 나누면, 제1 높이 부분 H1는 제1 영역 R1를 흐르는 에칭액만큼에　의해 에칭되지만, 제2 높이 부분 H 2는 제1, 제2 영역 R1, R2를 흐르는 에칭액에 의해 에칭된다. 마찬가지로 제3 높이 부분 H3는 제1 내지 제3 영역 R1~R3를 흐르는 에칭액에 의해 에칭되고， 제4 높이 부분 H4는 제1 내지 제4 영역을 흐르는 에칭액에 의해 에칭된다.8, the height direction of the substrate W, the first to fourth nozzle (21a) ~ (21d) arranged divided in accordance with the height of first to fourth height parts H 1 ~ H 4, the first height The portion H 1 is etched by the etching liquid flowing through the first region R 1 , but the second height portion H 2 is etched by the etching liquid flowing through the first and second regions R 1 and R 2 . Similarly, the third height portion H 3 is etched by the etching liquid flowing through the first to third regions R 1 to R 3 , and the fourth height portion H 4 is etched by the etching liquid flowing through the first to fourth regions.

각 높이 부분 H~H4가 에칭액에 의해 에칭되는 면적을 도 8에 사선으로 나타낸다. 제4 높이 부분 H4는 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부터 분사된 에칭액에 의해 에칭되므로 최대로 되고, 그 부분의 면적을 "1"로 하면, 제1 노즐로부터의 에칭액만큼에　의해 에칭되는 제1 높이 부분 H1의 면적은 0.016이 된다. 마찬가지로，제2 높이 부분은 0.125, 제3 높이 부분은 0.422가 된다.Area for each part is the height H ~ H 4 is etched by the etching liquid is shown by the oblique lines to 8. Since the fourth height portion H 4 is etched by the etching liquid injected from the first to fourth nozzles 21a to 21d, the fourth height portion H 4 is maximized. When the area of the portion is set to "1", only the etching liquid from the first nozzle is used. The area of the first height portion H 1 etched by is 0.016. Similarly, the second height portion is 0.125 and the third height portion is 0.422.

제4 높이 부분 H4에 흐르는 에칭액의 유량을 "1"로 하면, 제1 내지 제3의 높이 부분 H1~H3에는 전술한 면적비의 역수에 따른 유량이 되도록, 각 제1 내지 제4 노즐(21a)~(21d)로부터 분사되는 에칭액의 유량을 설정한다.4 when the flow rate of the etchant flowing through the high part H 4 to "1", the first through the, so that the flow rate of the inverse number of the above-mentioned area ratio, the third height part H 1 ~ H 3 of each of the first to fourth nozzle The flow volume of the etching liquid injected from (21a)-(21d) is set.

예를 들면, 제4 높이 부분 H4와 제1 높이 부분 H1와의 면적비는1:0.016이기 때문에, 유량비는 그 역수인, 1:62.5가 되도록, 제1 노즐(21a)로부터의 에칭액의 공급량을 설정한다. 마찬가지로， 제4 높이 부분 H4와 제2 높이 부분 H2와의 유량비는　1:8.0, 제4 높이 부분 H4와 제3 높이 부분 H3와의 유량비는　1:2.4로 설정한다. For example, since the area ratio between the fourth height portion H 4 and the first height portion H 1 is 1: 0.016, the supply amount of the etching liquid from the first nozzle 21a is adjusted so that the flow rate ratio is 1: 62.5, which is the inverse thereof. Set it. Similarly, the flow rate ratio between the fourth height portion H 4 and the second height portion H 2 is set to 1: 8.0, and the flow rate ratio between the fourth height portion H 4 and the third height portion H 3 is set to 1: 2.4.

이와 같이, 각 노즐로부터의 에칭액의 공급량을 면적비의 역수에 따라 설정하면, 기판 W의 각 높이 부분이 에칭액으로부터 받는 단위 시간 당의 에칭 처리량(처리 면적×에칭액량）은 대략 같아지므로, 이에 의해서도 기판 W의 상면을 전체에 　걸쳐 균일하게 에칭 처리할 수 있다.Thus, if the supply amount of etching liquid from each nozzle is set according to the reciprocal of an area ratio, since the etching process amount (processing area X etching liquid quantity) per unit time which each height part of the board | substrate W receives from etching liquid becomes substantially the same, the board | substrate W also by this The entire upper surface of can be etched uniformly.

도 9는 본 발명의 제2 실시예를 나타낸다. 이 실시예는, 세워진 상태로 반송되는 기판 W의 높이 방향에 따라 복수개의 노즐, 예를　들면 5개의 노즐(21)이 기판 W의 상부에서 하부를 따라 일렬로 배치되어 있다. 복수개의 노즐(21)은, 기판 W의 높이 방향으로 상부에서 하부로 감에 따라, 이들 노즐(21)의 피치 P1~P4가 점차 커지도록 설정되어 있다.9 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, a plurality of nozzles, for example, five nozzles 21 are arranged in a line from the top of the substrate W along the bottom along the height direction of the substrate W to be conveyed in an upright position. A plurality of nozzles 21 is, in the height direction of the substrate W in accordance with the sense of from top to bottom, the pitch P 1 ~ P 4 of these nozzles 21 is set to increase gradually.

또한, 노즐(21)이 접속된 각 분기관(23)에는 제1 실시예와 마찬가지로, 유량 제어 밸브(24)가 설치되고，주공급관(22)에는 개폐 제어 밸브(25)가 설치되어 있다.In addition, each branch pipe 23 to which the nozzle 21 is connected is provided with a flow control valve 24 in the same manner as in the first embodiment, and an opening and closing control valve 25 is provided in the main supply pipe 22.

노즐(21)로부터 기판 W의 높이 방향으로 상부에 분사 공급되는 에칭액은, 하부에 분사 공급되는 에칭액보다 아래쪽으로 낙하하는 속도가 크다. 그러므로, 복수개의 노즐(21)을 기판 W의 높이 방향에 따라 등간격으로 배치한 것은, 기판 W의 상부가 받는 단위 시간 당의 에칭 처리량이 하부보다 작아진다.The etching liquid injected and supplied to the upper part from the nozzle 21 in the height direction of the board | substrate W has a large speed which falls below the etching liquid injected and supplied to the lower part. Therefore, the arrangement | positioning of several nozzle 21 at equal intervals along the height direction of the board | substrate W becomes smaller the etching process amount per unit time which the upper part of the board | substrate W receives than the lower part.

그렇지만, 전술한 것처럼 복수개의 노즐(21)의 배치 피치를, 기판 W의 하부보다 상부에서 조밀하게 했기 때문에, 기판 W의 높이 방향 전체 길이에 걸쳐서 기판 W가 받는 단위 시간 당의 에칭 처리량을　대략　같게 할 수 있다. 그에 따라, 기판 W의 에칭 처리를 전체에 걸쳐서 균일하게 행하는 것이 가능해진다.However, as described above, since the arrangement pitch of the plurality of nozzles 21 is made denser at the upper portion than the lower portion of the substrate W, the etching throughput per unit time that the substrate W receives over the entire length of the substrate W in the height direction is approximately equal. Can be. Thereby, it becomes possible to perform the etching process of the board | substrate W uniformly throughout.

도 10은 본 발명의 제3 실시예를 나타낸다. 이 실시예는, 세워진 상태로 반송되는 기판 W의 높이 방향에 따라 복수개의 노즐, 예를 들어 4개의 노즐(21)을 대 략 등간격으로 배치한다. 각 노즐(21)은, 제1 실시예와 마찬가지로, 분기관(23)을 통하여 주공급관(22)에 접속되어 있다.10 shows a third embodiment of the present invention. In this embodiment, a plurality of nozzles, for example four nozzles 21, are arranged at approximately equal intervals along the height direction of the substrate W conveyed in an upright state. Each nozzle 21 is connected to the main supply pipe 22 through the branch pipe 23 similarly to 1st Example.

각 분기관(23)에는 각각 압력 설정판(31)이 설치되고， 그 압력 설정판(31)에 의해 각 노즐(21)로부터 분사되는 에칭액의 압력을 설정할 수 있도록 되어 있다. 이 실시예에서는, 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐(21)에 공급되는 에칭액의 압력이 하부에 위치하는 노즐(21)에의 공급압량보다 많아지도록 설정되어 있다.Each of the branch pipes 23 is provided with a pressure setting plate 31 so that the pressure of the etching solution injected from the nozzles 21 can be set by the pressure setting plate 31. In this embodiment, the pressure of the etching liquid supplied to the nozzle 21 located above in the height direction is set to be greater than the amount of supply pressure to the nozzle 21 located below.

그에 따라, 세워진 상태로 반송되는 기판 W의 높이 방향으로 상부에는, 하부보다 많은 에칭액을 공급할 수 있기 때문에, 기판 W의 높이 방향 전체 길이에 걸쳐서 대략 균일한 에칭을 행하는 것이 가능해진다.Thereby, since more etching liquid can be supplied to the upper part in the height direction of the board | substrate W conveyed in an upright state, it becomes possible to perform substantially uniform etching over the entire length of the height direction of the board | substrate W.

도 10에 나타낸 제3 실시예에 있어서, 각 분기관(23)에는 압력 설정판(31)에 대신하여 유량 조정 밸브를 설치하도록 해도 된다. 그에 따라, 각 노즐(21)로부터 분사되는 에칭액의 유량을 조정할 수 있다. 예를 들어, 각 유량 조정 밸브에 의해, 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐(21)에 공급되는 에칭액의 양을 하부에 위치하는 노즐(21)에 공급되는 양보다 많아지도록 설정한다.In the third embodiment shown in FIG. 10, each branch pipe 23 may be provided with a flow regulating valve in place of the pressure setting plate 31. Thereby, the flow volume of the etching liquid injected from each nozzle 21 can be adjusted. For example, the amount of etching liquid supplied to the nozzle 21 located in the upper direction in the height direction is set by the flow rate adjusting valve so as to be larger than the amount supplied to the nozzle 21 located in the lower portion.

그에 따라, 세워진 상태로 반송되는 기판 W의 높이 방향으로 상부에는, 하부에 비해 다량의 에칭액을 공급할 수 있기 때문에, 기판 W의 상부에 공급된 에칭액이 하부에 공급된 에칭액보다 하부에 흐르는 속도가 빨라도, 기판 W의 높이 방향 전체 길이를 대략 균일하게 에칭하는 것이 가능해진다.Thereby, since a large amount of etching liquid can be supplied to the upper part in the height direction of the substrate W conveyed in an upright position, compared to the lower part, even if the etching liquid supplied to the upper part of the substrate W flows below the etching liquid supplied to the lower part faster, The entire length in the height direction of the substrate W can be etched substantially uniformly.

도 11은 본 발명의 제4 실시예를 나타낸다. 이 실시예는 제1 실시예와 유사하지만, 기판 W에 대해서 제1 내지 제6 노즐(21a)~(21f)에 의해 처리액을 분사 공 급하도록 하고 있다.11 shows a fourth embodiment of the present invention. Although this embodiment is similar to the first embodiment, the processing liquid is sprayed and supplied to the substrate W by the first to sixth nozzles 21a to 21f.

제1, 제2 노즐(21a),(21b)은 제1 헤더관(35a)에 설치되고， 제3, 제4 노즐(21c), (21d)은 제2 헤더관(35b)에 설치되고， 제5, 제6 노즐(21e), (21f)은 제3 헤더관(35c)에 설치되어 있다. 각 헤더관(35a)~(35c)은 각각 유량 제어 밸브(24)가 설치된 분기관(23)을 통하여 개폐 제어 밸브(25)가 설치된 주공급관(22)에 접속되어 있다.The first and second nozzles 21a and 21b are provided in the first header tube 35a, and the third and fourth nozzles 21c and 21d are provided in the second header tube 35b, The fifth and sixth nozzles 21e and 21f are provided in the third header pipe 35c. Each header pipe 35a-35c is connected to the main supply pipe 22 provided with the opening-closing control valve 25 via the branch pipe 23 in which the flow control valve 24 was provided, respectively.

제1 헤더관(35a)이 최상단에 배치되고， 제2 헤더관(35b)이 중단, 제3 헤더관(35c)이 하단에 배치되어 있다. 그에 따라, 제1 노즐(21a)이 가장 높은 위치에 있고, 제2 내지 제6 노즐(21b)~(21f)이 차례로 높이를 낮게 하여 배치되어 있다. 또한 제1 내지 제6 노즐(21a)~(21f)은, 상기 제1 실시예와 마찬가지로, 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 기판 W의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되어 있다.The first header tube 35a is disposed at the top, the second header tube 35b is interrupted, and the third header tube 35c is disposed at the lower end. Thereby, the 1st nozzle 21a is in the highest position, and the 2nd-6th nozzles 21b-21f are arrange | positioned lowering in order one by one. In addition, the first to sixth nozzles 21a to 21f are arranged such that the nozzles located in the upper direction in the height direction are located behind the transport direction of the substrate W rather than the nozzles located below in the same manner as in the first embodiment. have.

이와 같이, 제1 내지 제3의 각 헤더관(35a)~(35c)에 2개의 노즐을 설치함으로써, 각 헤더관(35a)~(35c)에 설치된 2개의 노즐의 구경이 같으면, 처리액을 같은 유량으로 분사할 수 있다. 1개의 헤더관에 설치된 2개의 노즐로부터 분사되는 처리액의 유량을 변경하고자　하는 경우에는, 2개의 노즐의 구경을 변경하면 된다. 3개의 헤더관(35a)~(35c)에 공급되는 처리액의 유량은, 각 분기관(23)에 설치된　유량 제어 밸브(24)에 의해 조정할 수 있다.Thus, by providing two nozzles in each of the first to third header tubes 35a to 35c, if the diameters of the two nozzles provided in each of the header tubes 35a to 35c are the same, the treatment liquid is It can be sprayed at the same flow rate. What is necessary is just to change the diameter of two nozzles, when changing the flow volume of the process liquid sprayed from two nozzles provided in one header tube. The flow rates of the processing liquids supplied to the three header pipes 35a to 35c can be adjusted by the flow rate control valve 24 provided in each branch pipe 23.

따라서, 이러한 구성이라도, 6개의 노즐(21a)~(21f)로부터 분사되는 처리액의 양을, 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐을 하부에 위치하는 노즐보다 커지도 록 설정하는 것이 가능하다.Therefore, even in such a configuration, it is possible to set the amount of the processing liquid injected from the six nozzles 21a to 21f so that the nozzle located at the top in the height direction is larger than the nozzle located at the bottom.

도 12와 도 13은 본 발명의 제5 실시예를 나타낸다. 상기 각 실시예에서는 노즐로서 플랫 타입이나 콘 타입등의 처리액의 분사 단면적이 원형 모양의 노즐을 예로 들었지만, 이 실시예에서는 처리액을 직선형으로 분사하는 슬릿 타입의 노즐이 사용되고 있다.12 and 13 show a fifth embodiment of the present invention. In each of the above embodiments, a nozzle having a circular cross-sectional area of a processing liquid such as a flat type or a cone type is used as the nozzle, but in this embodiment, a slit-type nozzle for spraying the processing liquid in a straight line is used.

이 제5 실시예에서는, 슬릿 타입의 제1 내지 제5의 5개의 노즐(121a)~(121e)이 기판 W의 높이 방향으로 소정　간격으로, 또한 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 기판 W의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되어 있다. 각 노즐(121a)~(121e)은 처리액의 분사 방향을 연직 방향 아래쪽으로 향해 배치되어 있다.In this fifth embodiment, the nozzles in which the first to fifth five nozzles 121a to 121e of the slit type are positioned at predetermined intervals in the height direction of the substrate W and in the upper direction in the height direction are positioned below. It is arrange | positioned so that it may be located in the conveyance direction back of the board | substrate W rather than the nozzle to make. Each nozzle 121a-121e is arrange | positioned toward the downward direction of the injection direction of a process liquid.

슬릿 타입의 노즐(121a)~(121e)을 사용함으로써, 기판 W의 전체면에 처리액을 균일하게, 또한 신속히 분사하는 것이 가능해지기 때문에, 처리액에 의한 처리를 판면 전체에 걸쳐서 균일하게 행하는 것이 가능해진다.By using the slit type nozzles 121a to 121e, it is possible to spray the processing liquid uniformly and quickly on the entire surface of the substrate W. Therefore, the treatment with the processing liquid is performed uniformly over the entire plate surface. It becomes possible.

또, 슬릿 타입의 노즐은, 처리액을 무상(霧狀)으로 하여 분사하지 않기 때문에, 미스트의 발생이 적다. 그러므로, 약액 처리 후에 순수를 분사하는 경우, 순수의 미스트가 기판 W의 순수가 아직 분사되어 있지 않은 부분에 부착되어, 약액에 의한 반응이 다른 부분과 상위한 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판 W 전체를 약액에 의해 균일하게 처리하는 것이 가능해진다.In addition, since the slit type nozzle does not spray the processing liquid in a free state, there is little generation of mist. Therefore, when pure water is injected after the chemical liquid treatment, the mist of pure water adheres to a portion where the pure water of the substrate W has not yet been sprayed, so that the reaction by the chemical liquid differs from other portions. As a result, it becomes possible to process the whole board | substrate W uniformly with chemical | medical solution.

이 실시예에 있어서, 각 노즐(121a)~(121e)에의 처리액의 공급은, 제1 실시예와 마찬가지로, 주공급관(22)에 개폐 제어 밸브(25)를 설치하고, 이 주공급관 (22)으로부터 5개의 분기관(23)을 분기하고, 각 분기관(23)을, 각각 유량 제어 밸브(24)를 통하여 각 노즐(121a)~(121e)에 접속하여 행해진다. 따라서, 각 노즐(121a)~(121e)에의 처리액의 공급량은, 각 유량 제어 밸브(24)의 개방도를 조정함으로써 제어할 수 있다.In this embodiment, the supply of the processing liquid to each of the nozzles 121a to 121e is provided with an opening / closing control valve 25 in the main supply pipe 22 as in the first embodiment, and the main supply pipe 22 The branch pipes 23 are branched off from each other, and each branch pipe 23 is connected to each of the nozzles 121a to 121e via the flow control valve 24, respectively. Therefore, the supply amount of the process liquid to each nozzle 121a-121e can be controlled by adjusting the opening degree of each flow control valve 24.

도 14는 본 발명의 제6 실시예를 나타낸다. 이 실시예는 슬릿 타입의 5개의 노즐(121a)~(121e)을 사용하는 점에서는 제5 실시예와 같지만, 각 노즐은 슬릿면을 소정의 각도로 경사져 반송되는 기판 W의 판면에 대해 대략　평행으로 하여 배치되어 있다. 즉, 처리액의 분사 방향을 기판 W의 판면에 대해서 직교하는 방향을 향해 배치되어 있다고 하는 점에서 제5 실시예와 상위하다.14 shows a sixth embodiment of the present invention. This embodiment is the same as the fifth embodiment in that five nozzles 121a to 121e of the slit type are used, but each nozzle is substantially parallel to the plate surface of the substrate W in which the slit surface is inclined at a predetermined angle and conveyed. It is arrange | positioned. That is, it differs from Example 5 in that the injection direction of a process liquid is arrange | positioned toward the direction orthogonal to the board surface of the board | substrate W. FIG.

또한, 이 제6 실시예에 있어서, 제1 내지 제6 노즐(121a)~(121e)은,　상기 제5 실시예와 마찬가지로, 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 기판 W의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되어 있다.In addition, in the sixth embodiment, the first to sixth nozzles 121a to 121e are similar to the fifth embodiment. It is arrange | positioned so that it may be located in the conveyance direction rear side of.

이러한 구성에 있어서도, 제5 실시예와 마찬가지로, 기판 W의 전체면에 처리액을 균일하게, 또한 신속히 분사하는 것이 가능해지기 때문에, 처리액에 의한 처리를 판면 전체에 걸쳐서 균일하게 행하는 것이 가능해진다.In such a configuration as well, as in the fifth embodiment, the processing liquid can be uniformly and rapidly sprayed on the entire surface of the substrate W, so that the processing by the processing liquid can be uniformly carried out over the entire plate surface.

도 15와 도 16은 본 발명의 제7 실시예이다. 이 제7 실시예는, 도 14에 나타낸 제6 실시예의 변형예이다. 즉, 노즐에는 슬릿 타입의 5개의 노즐(121a)~(121e)이 사용되고 있다. 각 노즐(121a)~(121e)은, 기판 W의 높이 방향으로 소정　간격으로, 또한 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 기판 W의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되어 있다. 15 and 16 show a seventh embodiment of the present invention. This seventh embodiment is a modification of the sixth embodiment shown in FIG. That is, five nozzles 121a to 121e of the slit type are used for the nozzle. Each nozzle 121a-121e is arrange | positioned so that the nozzle located in the height direction of the board | substrate W at predetermined intervals, and the nozzle located upper in a height direction may be located in the conveyance direction back of the board | substrate W rather than the nozzle located in the lower part.                     

각 노즐(121a)~(121e)은, 도 5에 화살표로 나타낸 바와 같이 슬릿으로부터 분사되는 처리액이 포물선 P를 그리도록, 분사 방향을 상부로 향해 배치되어 있다. 또한 도 １6에 나타낸 바와 같이 각 노즐(121a)~(121e)은, 슬릿으로부터 분사된 처리액의 포물선 P의 정상점 T의 부분이 기판 W의 판면에 맞닿도록 배치되어 있다.Each nozzle 121a-121e is arrange | positioned toward the upper direction so that the process liquid injected from a slit may draw the parabola P as shown by the arrow in FIG. Moreover, as shown in FIG. 16, each nozzle 121a-121e is arrange | positioned so that the part of the top point T of the parabola P of the process liquid sprayed from the slit may contact the board surface of the board | substrate W. As shown in FIG.

이와 같이, 기판 W의 판면에 대해서 각 노즐(121a)~(121e)을 배치하면, 처리액은 기판 W의 판면에 유속이 O에 가까운 완만한 상태로 접촉되어 그 판면을 아래쪽으로 흐른다. 그러므로, 처리액이 기판 W의 판면에서 튀어오르는 것이 방지된다.Thus, when each nozzle 121a-121e is arrange | positioned with respect to the board surface of the board | substrate W, a process liquid will contact the board surface of the board | substrate W in the state in which the flow velocity is close to O, and the board surface will flow down. Therefore, the processing liquid is prevented from jumping off the plate surface of the substrate W.

예를 들어, 처리액으로서 약액　등에 의해 처리된 기판을 처리액으로서의 순수로 린스 처리하는 것 같은 경우, 순수가 기판 W의 판면에 강하게 닿아 튀어오르면, 약액을 포함한 순수가 기판 W의 이미 린스 처리된 저내(邸內) 부분에 부착되어, 그 부분이 약액이 희석되어 그 부분의 반응이 다른 부분과 상위하여, 기판 W의 처리 상태가 불균일하게 되는 경우가 있다.For example, in the case of rinsing a substrate treated with chemical liquids or the like as the treatment liquid with pure water as the treatment liquid, when pure water strongly touches the surface of the substrate W and pops up, pure water containing the chemical liquid is already rinsed. It may adhere to the inner portion of the reservoir, the portion may be diluted with the chemical liquid, and the reaction of the portion may be different from that of other portions, resulting in uneven processing of the substrate W.

그렇지만, 각 노즐(121a)~(121e)로부터 린스액을 포물선형으로 분사하여, 그 포물선의 정상점 T의 부분을 기판 W의 판면에 접촉시키도록 한 것으로, 린스액이 기판 W의 판면에서 튀어오르는　경우는　거의 없다. 그러므로, 약액을 포함한 린스액이 기판 W의 이미 린스 처리된 부분에 부착되어 반응하지　않으므로, 린스 처리시에 기판 W의 처리 상태에 얼룩이 생기는 것을 방지할 수 있다.However, the rinse liquid was sprayed parabolic from each nozzle 121a to 121e, and the portion of the top point T of the parabolic was brought into contact with the plate surface of the substrate W. There is almost no rise. Therefore, since the rinse liquid containing the chemical liquid adheres to the already rinsed portion of the substrate W and does not react, it is possible to prevent staining in the treated state of the substrate W during the rinse processing.

또한, 이 제7 실시예에 있어서, 처리액으로서는 린스액에 한정되지 않고, 약액이라도 된다. 약액을 이용했을 경우, 린스액을 이용했을 경우와 마찬가지로, 약액이 기판 W의 판면에서 튀어올라 다른 부분에 부착되지　않으므로, 약액에 의한 기판 W의 처리가 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다.In this seventh embodiment, the treatment liquid is not limited to the rinse liquid, and may be a chemical liquid. When the chemical liquid is used, as in the case where the rinse liquid is used, since the chemical liquid does not stick to the other part of the substrate surface of the substrate W, the chemical liquid does not adhere to other portions, so that the treatment of the substrate W by the chemical liquid can be prevented from being uneven.

또, 노즐로서는 슬릿 타입에 한정되지 않고, 플랫 타입이나 콘 타입　등 다른 타입의 노즐이라도 된다.The nozzle is not limited to the slit type but may be a nozzle of another type such as a flat type or a cone type.

본 발명은 상기 각 실시예에 한정되지 않고, 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형 가능하다. 예를 들어, 처리부에 있어 기판에 공급되는 처리액으로서는 에칭액에 한정되지　않고, 기판을 처리하는 다른 약액, 예를 들어 현상액, 박리액, 과산화 수소수, 암모니아수 등이라도 된다. 또, 본 발명은, 순수 세정부에도 적용하는 것이 가능하고, 그 경우 노즐로부터 순수를 공급함으로써, 기판의 린스 처리를 전체면에 걸쳐서 균일하게 행할 수 있다.This invention is not limited to each said Example, A various deformation | transformation is possible in the range which does not deviate from the summary. For example, the processing liquid supplied to the substrate in the processing unit is not limited to the etching liquid, but may be another chemical liquid for processing the substrate, for example, a developing solution, a stripping solution, hydrogen peroxide solution, ammonia water, or the like. Moreover, this invention can be applied also to a pure water washing | cleaning part, and in that case, by supplying pure water from a nozzle, the rinse process of a board | substrate can be performed uniformly over the whole surface.

본 발명에 의하면, 각 노즐로부터 기판에 분사되는 처리액을 혼합시키지 않고 기판의 상부로부터 하부로 흐르게　할　수 있기 때문에, 각각의 노즐로부터 분사된 처리액에 다른 노즐로부터 분사된 처리액이 혼합되어 반응성이 열화되지　않는다. 그러므로, 세워진 상태로 반송되는 기판을 복수개의 노즐로부터 분사되는 처리액에 의해 대략 균일하게 처리하는 것이 가능해진다.According to the present invention, it is possible to flow from the top to the bottom of the substrate without mixing the processing liquids injected from the nozzles to the substrate, so that the processing liquids injected from the different nozzles are mixed with the processing liquids injected from the respective nozzles, thereby reacting. Is not degraded. Therefore, it becomes possible to process the board | substrate conveyed in an upright state substantially uniformly with the process liquid sprayed from a some nozzle.

본 발명에 의하면, 세워진 상태로 반송되는 기판의 상부와 하부에 처리액을　대략　균등하게 분사할 수 있기 때문에, 기판의 상부와 하부를 대략 균일하게 처리하는 것이 가능해진다.According to the present invention, since the treatment liquid can be approximately evenly sprayed on the upper and lower portions of the substrate to be conveyed in an upright state, the upper and lower portions of the substrate can be treated substantially uniformly.

Claims (9)

기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid, 상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과,Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction in a standing state; 상기 반송 수단에 의해 세워진 상태로 반송되는 기판에 처리액을 분사하는 처리부Processing unit for injecting the processing liquid to the substrate conveyed in a standing state by the conveying means 를 포함하며, Including; 상기 처리부는, 상기 기판의 판면에 처리액을 분사하는 복수개의 노즐을 가지고, 이들 복수개의 노즐은 상기 기판의 높이 방향으로 소정 간격으로, 또한 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 상기 기판의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되고,The said processing part has a some nozzle which injects a process liquid to the board surface of the said board | substrate, These some nozzle is a nozzle in which the nozzle located in the upper direction at a predetermined interval in the height direction of the said board | substrate, and the height direction is located below. It is arrange | positioned so that it may be located in the conveyance direction back of the said board | substrate more, 높이 방향으로 상부에 위치하는 상기　노즐은, 하부에 위치하는 노즐보다, 처리액의 분사량이 크게 설정되는, 기판　처리 장치.The said # nozzle located in the upper direction in a height direction is larger than the nozzle located in a lower part, and the injection volume of a process liquid is set larger. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판의 반송 방향에 있어서 인접하는 노즐은, 각각의 노즐로부터 분사되어 기판의 판면을 따라 흐르는 처리액의 영역이 중첩되지 않는 간격으로 설정되어 있는, 기판　처리 장치.The nozzles adjacent to each other in the conveyance direction of the said board | substrate are set to the space | interval which the area | region of the process liquid which sprays from each nozzle and flows along the board surface of a board | substrate does not overlap. 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid, 상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 수단과,Conveying means for conveying the substrate in a predetermined direction in a standing state; 상기 반송 수단에 의해 세워진 상태로 반송되는 기판에 처리액을 분사하는 처리부Processing unit for injecting the processing liquid to the substrate conveyed in a standing state by the conveying means 를 포함하며, Including; 상기 처리부는, 상기 기판의 판면에 처리액을 분사하는 복수개의 노즐을 가지고, 이들 복수개의 노즐은 상기 기판의 높이 방향으로 소정 간격으로, 또한 높이 방향으로 상부에 위치하는 노즐이 하부에 위치하는 노즐보다 상기 기판의 반송 방향 후방에 위치하도록 배치되고,The said processing part has a some nozzle which injects a process liquid to the board surface of the said board | substrate, These some nozzle is a nozzle in which the nozzle located in the upper direction at a predetermined interval in the height direction of the said board | substrate, and the height direction is located below. It is arrange | positioned so that it may be located in the conveyance direction back of the said board | substrate more, 상기 노즐은, 분사되는 처리액이 포물선을 그리도록 분사 방향을 경사진 상부로 향하는 동시에, 처리액은 포물선의 정상점 부분이 기판의 판면에 맞닿는 위치에 배치되어 있는, 기판　처리 장치.The nozzle is directed to an upper side inclined in the spraying direction so that the processing liquid to be sprayed draws a parabola, and the processing liquid is disposed at a position where the top point portion of the parabolic abuts the plate surface of the substrate. 제3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 기판의 반송 방향에 있어서 인접하는 노즐은, 각각의 노즐로부터 분사되어 기판의 판면을 따라 흐르는 처리액의 영역이 중첩되지 않는 간격으로 설정되어 있는, 기판　처리 장치.The nozzles adjacent to each other in the conveyance direction of the said board | substrate are set to the space | interval which the area | region of the process liquid which sprays from each nozzle and flows along the board surface of a board | substrate does not overlap. 복수개의 노즐을 기판의 높이 방향을 따라 배치하고, 이들 노즐로부터 처리액을 분사하여 기판을 처리하는 기판　처리 방법에 있어서,In the substrate # processing method which arrange | positions a some nozzle along the height direction of a board | substrate, and injects a process liquid from these nozzles, and processes a board | substrate, 상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 공정과,A conveying step of conveying the substrate in a predetermined direction in a standing state; 세워진 상태로 반송되는 상기　기판에 복수개의 노즐로부터 처리액을 분사하는 동시에, 높이 방향으로 상부에 위치하는 상기　노즐은, 하부에 위치하는 노즐보다, 처리액의 분사량이 크게 설정되는 분사 공정An injection process in which the processing liquid is injected from the plurality of nozzles onto the substrate to be conveyed in an upright state, and the spray nozzle located at the upper side in the height direction has a larger injection amount of the processing liquid than the nozzle located at the bottom. 을 포함하는 기판　처리 방법.Substrate treatment method comprising a. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 분사 공정은, 각각의 노즐로부터 분사되어 기판의 판면을 따라 흐르는 처리액의 영역이 중첩되지 않도록 하는, 기판　처리 방법.The said spraying process is a substrate # processing method in which the area | region of the process liquid sprayed from each nozzle and flowing along the board surface of a board | substrate does not overlap. 복수개의 노즐을 기판의 높이 방향을 따라 배치하고, 이들 노즐로부터 처리액을 분사하여 기판을 처리하는 기판　처리 방법에 있어서,In the substrate # processing method which arrange | positions a some nozzle along the height direction of a board | substrate, and injects a process liquid from these nozzles, and processes a board | substrate, 상기 기판을 세워진 상태로 소정 방향으로 반송하는 반송 공정과,A conveying step of conveying the substrate in a predetermined direction in a standing state; 세워진 상태로 반송되는 기판에 복수개의 노즐로부터 처리액이 포물선을 그리도록 분사 방향을 경사진 상부로 향하는 동시에, 처리액은 포물선의 정상점 부분이 기판의 판면에 맞닿도록 처리액을 분사하는 분사 공정A spraying process in which the processing liquid is directed upwardly inclined so that the processing liquid draws a parabola from a plurality of nozzles on a substrate conveyed in an upright state, while the processing liquid sprays the processing liquid so that the top point portion of the parabolic abuts the plate surface of the substrate. 을 포함하는 기판 처리 방법.Substrate processing method comprising a. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 분사 공정은 각각의 노즐로부터 분사되어 기판의 판면을 따라 흐르는 처리액의 영역이 중첩되지 않도록 하는, 기판　처리 방법.And said spraying step is such that the regions of the processing liquid sprayed from the respective nozzles and flowing along the plate surface of the substrate do not overlap. 삭제delete
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