JP5372695B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate.
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の基板の製造工程では、基板に対する加熱処理が適宜に行われる。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるために、基板に対して加熱処理が行われる。このような加熱処理に使用される従来の基板処理装置については、例えば、特許文献1に開示されている。
In the manufacturing process of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP, or a substrate for a recording disk, a heat treatment is appropriately performed on the substrate. For example, in a photolithography process of a substrate, after a resist solution is applied to the surface of the substrate, heat treatment is performed on the substrate in order to improve adhesion between the surface of the substrate and the resist. A conventional substrate processing apparatus used for such heat treatment is disclosed in, for example,
特許文献1の基板処理装置は、複数の吐出孔から気体を吐出することにより、プレート上に、基板を非接触で保持している。そして、プレートの上面に沿って基板を搬送しつつ、基板を加熱している。しかしながら、このような基板処理装置では、プレートの上面と基板の下面との間隔(基板の浮上量)を大きくとることは、困難である。このため、基板のサイズが大きい場合には、加熱による基板の反り等により、プレートと基板とが接触してしまう虞がある。
The substrate processing apparatus of
一方、図12のように、プレート110に貫通孔111を形成するとともに、当該貫通孔111内に駆動ローラ120を配置し、駆動ローラ120上で基板109を搬送するようにすれば、プレート110と基板109との間隔Gを、大きくとることができる。しかしながら、プレート110の面内に配置された駆動ローラ120を回転させるためには、プレート110の下方に駆動軸121を配置する必要がある。このため、駆動ローラ120の半径Rを大きく設定せざるを得ず、また、それに伴い、貫通孔111の搬送方向の寸法Dも大きく設定せざるを得ない。このような構造では、貫通孔111による加熱のムラが、大きくなる虞がある。
On the other hand, as shown in FIG. 12, if the through
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板とプレートとの接触を防止でき、かつ、高い均一性をもって、基板を加熱できる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent contact between a substrate and a plate and can heat the substrate with high uniformity.
上記課題を解決するため、本願の第1発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置であって、平板状の加熱プレートと、前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手段は、前記加熱プレートの側部に配置され、基板の端部に接触しつつ能動回転する駆動ローラと、前記加熱プレートの側部以外の部位に配置され、基板の下面を支持しつつ従動回転するフリーローラと、を有し、前記フリーローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている。 In order to solve the above-mentioned problems, a first invention of the present application is a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate, and includes a flat plate-like heating plate and a conveying unit that conveys the substrate along the upper surface of the heating plate. The conveying means is disposed on a side portion of the heating plate, and is disposed on a portion other than the side portion of the heating plate, and a driving roller that actively rotates while contacting an end portion of the substrate, possess a free roller driven to rotate while supporting the lower surface, the at least a portion is positioned higher than the lower surface of the heating plate of the rotary shaft of the free roller is not exposed on the upper surface of the heating plate, and said rotary shaft that it has been placed in.
本願の第2発明は、第1発明の基板処理装置であって、前記駆動ローラは、基板の下面を支持しつつ能動回転する。 A second invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention, wherein the driving roller actively rotates while supporting the lower surface of the substrate.
本願の第3発明は、第1発明又は第2発明の基板処理装置であって、前記フリーローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、回転自在に取り付けられている。 A third invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention or the second invention, wherein the free roller is rotatably attached to a shaft or a bearing fixed to the heating plate.
本願の第4発明は、第1発明又は第2発明の基板処理装置であって、前記フリーローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、回転自在に取り付けられている。 A fourth invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention or the second invention, wherein the free roller is rotatably attached to a shaft or a bearing fixed to a lower surface of a member constituting the heating plate. ing.
本願の第5発明は、第1発明から第4発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートは、前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第1加熱手段と、前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第2加熱手段と、を有する。 A fifth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth inventions, wherein the heating plate includes first heating means for heating the substrate by radiant heat from the upper surface of the heating plate. And second heating means for heating the substrate by ejecting a high-temperature gas from the upper surface of the heating plate.
本願の第6発明は、第1発明から第5発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記フリーローラは、樹脂により形成されている。 A sixth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth inventions, wherein the free roller is made of resin.
本願の第7発明は、第1発明から第6発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートに配置された全てのフリーローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する。
本願の第8発明は、第1発明から第7発明までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記加熱プレートは、上段プレートと、下段プレートとを上から順に積層させた構造を有しており、前記フリーローラは、前記上段プレートの下面に固定された軸受を介して回転軸が回転自在に取り付けられている。
The seventh invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth inventions, wherein all the free rollers arranged on the heating plate have different positions in a direction perpendicular to the conveying direction. To do.
An eighth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh inventions, wherein the heating plate has a structure in which an upper plate and a lower plate are laminated in order from the top. The free roller has a rotating shaft rotatably attached via a bearing fixed to the lower surface of the upper plate.
本願の第1発明〜第8発明によれば、フリーローラにより基板を支持するため、基板と加熱プレートとの接触を防止できる。また、フリーローラの回転軸の高さ位置は、駆動源から延びる駆動軸の位置に制限されない。このため、フリーローラの半径を小さく設定できる。したがって、加熱プレートは、高い均一性をもって、基板を加熱できる。また、フリーローラの半径を、より小さく設定できる。 According to the first to eighth inventions of the present application, since the substrate is supported by the free roller, the contact between the substrate and the heating plate can be prevented. Further, the height position of the rotary shaft of the free roller is not limited to the position of the drive shaft extending from the drive source. For this reason, the radius of a free roller can be set small. Therefore, the heating plate can heat the substrate with high uniformity. Further, the radius of the free roller can be set smaller.
特に、本願の第2発明によれば、駆動ローラ及びフリーローラにより基板を支持するため、基板と加熱プレートとの接触を、より防止できる。 In particular, according to the second invention of the present application, since the substrate is supported by the driving roller and the free roller, the contact between the substrate and the heating plate can be further prevented.
特に、本願の第3発明によれば、加熱プレートが膨張しても、フリーローラと加熱プレートとの相対位置が、変化しにくい。このため、加熱プレートとフリーローラとの隙間の寸法を、小さく設計することができる。したがって、加熱プレートは、基板をより均一に加熱できる。 In particular, according to the third invention of the present application, even if the heating plate expands, the relative position between the free roller and the heating plate hardly changes. For this reason, the dimension of the clearance gap between a heating plate and a free roller can be designed small. Therefore, the heating plate can heat the substrate more uniformly.
特に、本願の第4発明によれば、加熱プレートの上面に、回転軸や軸受が露出しない。このため、加熱プレートは、基板を、より均一に加熱できる。 In particular, according to the fourth invention of the present application, the rotating shaft and the bearing are not exposed on the upper surface of the heating plate. For this reason, the heating plate can heat the substrate more uniformly.
特に、本願の第5発明によれば、加熱プレートの上面からの輻射熱と、加熱プレートの上面から噴出される気体とにより、基板を、より均一に、かつ効率よく加熱できる。 In particular, according to the fifth invention of the present application, the substrate can be heated more uniformly and efficiently by the radiant heat from the upper surface of the heating plate and the gas ejected from the upper surface of the heating plate.
特に、本願の第6発明によれば、フリーローラと基板とが滑ったり、基板に傷が付いたりすることを、防止できる。 In particular, according to the sixth invention of the present application, it is possible to prevent the free roller and the substrate from slipping and the substrate from being damaged.
特に、本願の第7発明によれば、基板の同一位置に、フリーローラが複数回当たることを、防止できる。したがって、フリーローラによる基板の加熱ムラを、さらに抑制できる。 In particular, according to the seventh invention of the present application, it is possible to prevent the free roller from hitting the same position of the substrate a plurality of times. Therefore, uneven heating of the substrate by the free roller can be further suppressed.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<1.一実施形態に係る基板処理装置>
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の斜視図である。図2は、基板処理装置1の上面図である。また、図3は、図2中のIII−III位置から見た基板処理装置1の縦断面図である。なお、以下の説明では、基板9が搬送される方向を「搬送方向」と称し、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」と称する。本願の各図には、搬送方向および幅方向が、矢印で示されている。
<1. Substrate Processing Apparatus According to One Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view of a
この基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板9(以下、単に「基板9」という)の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板9に加熱処理を行うための装置である。基板9の製造工程では、複数台の基板処理装置1が、搬送方向に配列される。基板9は、複数台の基板処理装置1上において搬送されつつ、加熱処理を受ける。
The
図1〜図3に示すように、基板処理装置1は、加熱プレート10を備えている。加熱プレート10は、その上面に沿って搬送される基板9を加熱するためのプレートである。加熱プレート10は、略矩形の平板状に形成されている。図3中に拡大して示したように、加熱プレート10は、上段プレート11、下段プレート12、ヒータ13、及び押さえ板14を、上から順に積層させた構造となっている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the
上段プレート11、下段プレート12、及び押さえ板14は、例えば、アルミニウム等の金属により形成されている。押さえ板14は、下段プレート12との間でヒータ13を保持する役割を果たす。ヒータ13は、薄板状の発熱体である。ヒータ13は、例えば、ステンレスのエッチングにより形成されるが、他の材料により形成されていてもよい。また、ヒータ13は、所定の電源装置(図示省略)に接続されている。
The
電源装置からヒータ13へ電流を与えると、ヒータ13は、その抵抗に応じて発熱する。ヒータ13から発生した熱は、下段プレート12及び上段プレート11へ伝導し、下段プレート12及び上段プレート11を昇温させる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、上段プレート11の上面からの輻射熱を受けて、加熱される。
When a current is supplied from the power supply device to the
また、加熱プレート10の上面には、基板9の下面へ向けて加熱された窒素ガスを噴出する、複数の噴出口10aが形成されている。複数の噴出口10aは、加熱プレート10の上面に、等間隔の格子点状に配置されている。
In addition, a plurality of
図4は、加熱プレート10の上面図である。また、図5は、図4中のV−V位置から見た加熱プレート10の縦断面図である。図4及び図5に示すように、加熱プレート10の内部には、複数の噴出口10aへ窒素ガスを送るための内部流路10bが形成されている。本実施形態では、上段プレート11の下面に形成された溝と、下段プレート12の上面とに囲まれた空間が、内部流路10bとなっている。内部流路10bは、加熱プレート10の下面側に形成された導入口10cから、各噴出口10aまで、複数本に分岐しつつ、フリーローラ30と重ならないように、延設されている。
FIG. 4 is a top view of the
導入口10cには、内部流路10bへ窒素ガスを供給するための給気管15aが接続されている。給気管15aの上流側の端部は、窒素ガス供給源15bに接続されている。また、給気管15aには、開閉弁15cとヒータ15dとが、介挿されている。
An
開閉弁15cを開放すると、窒素ガス供給源15bから給気管15aへ、圧縮された窒素ガスが供給される。窒素ガスは、ヒータ15dにより加熱された後、導入口10cを介して、内部流路10bへ導入される。そして、内部流路10bを通って各噴出口10aへ送られた窒素ガスは、複数の噴出口10aから上方へ向けて噴出され、基板9の下面に吹き付けられる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、加熱された窒素ガスからの熱を受けて、加熱される。
When the on-off
このように、本実施形態の基板処理装置1は、加熱プレート10の上面からの輻射熱により基板9を加熱する第1加熱手段と、加熱プレート10の上面から高温の窒素ガスを噴出することにより基板9を加熱する第2加熱手段と、を有している。このため、輻射熱のみで基板9を加熱する場合よりも、均一に、かつ、効率よく、基板9を加熱できる。
As described above, the
図1〜図3に戻る。加熱プレート10の両側部(基板9の搬送方向に向かって左右の側部)には、それぞれ、4つの駆動ローラ20が、搬送方向に等間隔となるように、配置されている。各駆動ローラ20は、加熱プレート10の側面に形成された凹部10dの内部に、配置されている。
Returning to FIGS. Four
各駆動ローラ20の駆動軸21は、加熱プレート10の左右に配置されたフレーム22に、回転自在に支持されている。フレーム22は、加熱プレート10とは別体の部材である。フレーム22の外側には、駆動ローラ20の駆動源となるモータ23が、配置されている。各駆動ローラ20の駆動軸21及びモータ23の駆動軸23aには、無端ベルト24が掛け渡されている。モータ23を動作させると、モータ23から発生する駆動力が、無端ベルト24を介して、各駆動ローラ20へ伝達される。これにより、各駆動ローラ20が、同じ方向に、能動的に回転する。駆動ローラ20上に支持された基板9は、駆動ローラ20の回転により、搬送方向に搬送される。
The
一方、加熱プレート10の両側部以外の部位には、複数のフリーローラ30が配置されている。本実施形態では、幅方向に4つのフリーローラ30が等間隔に配列され、そのフリーローラ30の列が、搬送方向に等間隔に4つ配列されている。すなわち、本実施形態では、計16個のフリーローラ30が、搬送方向及び幅方向に、等間隔に配列されている。
On the other hand, a plurality of
図6は、フリーローラ30とその近傍の部位の縦断面図である。図6に示すように、加熱プレート10の上段プレート11には、フリーローラ30の配置空間を確保するための貫通孔10eが形成されている。フリーローラ30の上部は、上段プレート11の上面より上方に位置している。また、下段プレート12、ヒータ13、及び押さえ板14には、貫通孔10eより幅方向の寸法が大きい貫通孔10fが形成されている。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the
フリーローラ30の回転軸31は、上段プレート11の下面に、ボルト31aで固定されている。フリーローラ30は、軸受32を介して、回転軸31に回転自在に取り付けられている。フリーローラ30は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ30が、能動的に回転することはない。フリーローラ30は、基板9の下面を支持しつつ、基板9の移動に伴って、従動的に回転する。
The rotating
このように、基板9は、駆動ローラ20及びフリーローラ30上に支持されつつ、加熱プレート10の上面に沿って、搬送される。すなわち、本実施形態では、駆動ローラ20とフリーローラ30とが、基板9を搬送する搬送手段を構成している。
Thus, the
加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔は、上段プレート11、回転軸31、及びフリーローラ30、の寸法に応じて決まる。このため、気体の吹き付けのみで加熱プレート10から基板9を浮上させる場合よりも、加熱プレート10と基板9との間隔を、大きくとることができる。また、加熱による基板9の反りが発生したとしても、少なくともフリーローラ30の位置においては、加熱プレート10と基板9との間隔が維持される。これにより、加熱プレート10と基板9との接触が、抑制される。
The distance between the upper surface of the
また、加熱プレート10の側部以外の部位に配置されたフリーローラ30は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ30の回転軸31の高さ位置は、駆動源から延びる駆動軸の位置に制限されない。したがって、フリーローラ30の回転軸31を、高い位置に配置し、それにより、フリーローラ30の半径を、小さく設定することができる。フリーローラ30の半径を小さく設定すれば、上段プレート11に形成される貫通孔10eの搬送方向の寸法も、小さく設定できる。これにより、貫通孔10eによる基板9の加熱ムラを抑制し、基板9を、高い均一性をもって加熱することができる。
Moreover, the
特に、図6のように、加熱プレート10の厚さをd1、加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔をd2、フリーローラ30の半径をd3、回転軸31の半径をd4としたときに、d1+d2>d3−d4の関係が成立していることが、好ましい。このような寸法関係が成立すれば、フリーローラ30の回転軸31の少なくとも一部分が、加熱プレート10の下面より高い位置に配置されることとなる。これにより、フリーローラ30の半径を、より小さく設定できる。
In particular, as shown in FIG. 6, the thickness of the
また、本実施形態のフリーローラ30は、加熱プレート10自体に固定された回転軸31に、取り付けられている。このため、昇温により加熱プレート10が膨張しても、加熱プレート10とフリーローラ30との相対位置は、変化しにくい。このため、貫通孔10eの内側面とフリーローラ30との隙間の寸法を、小さく設計することができる。これにより、貫通孔10eによる基板9の加熱ムラを、さらに抑制できる。
Moreover, the
特に、本実施形態の回転軸31は、上段プレート11の下面に固定されている。このため、加熱プレート10の上面には、フリーローラ30を取り付けるための部材(ここでは、回転軸31及びボルト31a)が、露出していない。このため、加熱プレート10は、基板9をより均一に加熱できる。
In particular, the rotating
また、図6に示すように、フリーローラ30は、搬送方向に垂直な断面において、その端面が、外側へ向けて膨らんだ円弧状となっている。これにより、フリーローラ30の端面と基板9の下面との接触面積が抑制され、基板9は、さらに均一に加熱される。
As shown in FIG. 6, the
駆動ローラ20及びフリーローラ30は、耐熱性及び耐摩耗性の高い樹脂により形成される。このような樹脂として、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を使用することができる。また、駆動ローラ20及びフリーローラ30は、ステンレス等の金属により形成されていてもよい。ただし、ローラと基板9とが滑ったり、基板9に傷が付いたりすることを防止するためには、駆動ローラ20及びフリーローラ30を、樹脂により形成することが好ましい。
The
<2.変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
<2. Modification>
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment.
上記の実施形態では、固定された回転軸31に対して、フリーローラ30が回転自在に取り付けられていたが、フリーローラ30は、回転軸31と一体に形成されて回転軸31ごと回転するものであってもよい。例えば、図7のように、上段プレート11の下面に軸受32を固定し、当該軸受32に対して、回転軸31と一体化されたフリーローラ30が、回転自在に取り付けられていてもよい。
In the above embodiment, the
また、上記の実施形態では、複数のフリーローラ30が、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、フリーローラ30の搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。
In the above embodiment, the plurality of
また、上記の実施形態では、同一の幅方向位置において、搬送方向に4つのフリーローラ30が配列されていたが、これらのフリーローラ30の幅方向の位置を、相違させてもよい。例えば、図8のように、加熱プレート10に配置された全てのフリーローラ30の、幅方向の位置を相違させてもよい。このようにすれば、1つの基板処理装置1内では、基板9の同一位置に、フリーローラ30が複数回当たることを防止できる。したがって、フリーローラ30による基板9の加熱ムラを、さらに抑制できる。
In the above embodiment, four
また、上記の実施形態では、駆動ローラ20は、基板9の下面に当接していたが、基板9の上面に当接する駆動ローラ20が、さらに配置されてもよい。例えば、図9のように、一対の駆動ローラ20が、基板9を上下から挟持しつつ、回転するようにしてもよい。このようにすれば、基板9をより確実に搬送することができる。
In the above embodiment, the driving
また、図10のように、加熱プレート10の側部にもフリーローラ30を配置するとともに、その上方位置に駆動ローラ20を配置し、フリーローラ30と駆動ローラ20との間に、基板9の端部を挟持するようにしてもよい。また、図11のように、駆動ローラ20を、基板9の端面に当接させつつ、上下に延びる軸を中心として回転させるようにしてもよい。
In addition, as shown in FIG. 10, a
また、上記の実施形態では、駆動ローラ20は、加熱プレート10の両側部のみに配置されていたが、駆動ローラ20は、加熱プレート10の一方の側部のみに配置されていてもよい。また、駆動ローラ20が、加熱プレート10の側部以外の部位に、さらに配置されていてもよい。
In the above embodiment, the
また、上記の実施形態では、複数の噴出口10aから窒素ガスを吐出していたが、窒素ガスに代えて、清浄な空気等の他の気体を吐出してもよい。ただし、基板9の表面において意図しない化学反応が生じることを防止するためには、窒素ガス等の不活性ガスを使用することが、好ましい。
Moreover, in said embodiment, nitrogen gas was discharged from the
また、上記の実施形態では、複数の噴出口10aが、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、噴出口10aの搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。
In the above embodiment, the plurality of
また、上記の実施形態では、加熱プレート10からの輻射熱と、窒素ガスの吹きつけとによって、基板9を加熱していたが、必ずしも、このような2通りの加熱手段を備えていなくてもよい。例えば、加熱プレート10の上面からの気体の噴出を行わず、輻射熱のみで基板9を加熱するようにしてもよい。
Further, in the above embodiment, the
また、上記の基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板に対して加熱処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハ、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の他の基板に対して、加熱処理を行うものであってもよい。
The
1 基板処理装置
9 基板
10 加熱プレート
10a 噴出口
10b 内部流路
10c 導入口
10d 凹部
10e 貫通孔
10f 貫通孔
11 上段プレート
12 下段プレート
13 ヒータ
14 押さえ板
20 駆動ローラ
23 モータ
30 フリーローラ
31 回転軸
32 軸受
DESCRIPTION OF
Claims (8)
平板状の加熱プレートと、
前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、
を備え、
前記搬送手段は、
前記加熱プレートの側部に配置され、基板の端部に接触しつつ能動回転する駆動ローラと、
前記加熱プレートの側部以外の部位に配置され、基板の下面を支持しつつ従動回転するフリーローラと、
を有し、
前記フリーローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate,
A flat heating plate;
Transport means for transporting the substrate along the upper surface of the heating plate;
With
The conveying means is
A driving roller disposed on a side of the heating plate and actively rotating while contacting an end of the substrate;
A free roller that is disposed in a portion other than the side portion of the heating plate and rotates while supporting the lower surface of the substrate;
I have a,
The free rotation axis of the roller is not exposed on the upper surface of the heating plate, and at least a portion of said rotary shaft, said heating plate substrate processing apparatus that is disposed at a position higher than the lower surface of the.
前記駆動ローラは、基板の下面を支持しつつ能動回転する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The drive roller is a substrate processing apparatus that actively rotates while supporting the lower surface of the substrate.
前記フリーローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、回転自在に取り付けられている基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the free roller is rotatably attached to a shaft or a bearing fixed to the heating plate.
前記フリーローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、回転自在に取り付けられている基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The said free roller is a substrate processing apparatus rotatably attached to the axis | shaft or bearing fixed to the lower surface of the member which comprises the said heating plate.
前記加熱プレートは、 The heating plate is
前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第1加熱手段と、 First heating means for heating the substrate by radiant heat from the upper surface of the heating plate;
前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第2加熱手段と、 A second heating means for heating the substrate by ejecting a high-temperature gas from the upper surface of the heating plate;
を有する基板処理装置。A substrate processing apparatus.
前記フリーローラは、樹脂により形成されている基板処理装置。 The free roller is a substrate processing apparatus formed of resin.
前記加熱プレートに配置された全てのフリーローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する基板処理装置。 The substrate processing apparatus in which the positions of all the free rollers arranged on the heating plate are different from each other in the direction orthogonal to the transport direction.
前記加熱プレートは、上段プレートと、下段プレートとを上から順に積層させた構造を有しており、 The heating plate has a structure in which an upper plate and a lower plate are laminated in order from the top,
前記フリーローラは、前記上段プレートの下面に固定された軸受を介して回転軸が回転自在に取り付けられている基板処理装置。 The free processing roller is a substrate processing apparatus in which a rotation shaft is rotatably attached via a bearing fixed to a lower surface of the upper plate.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009240386A JP5372695B2 (en) | 2009-10-19 | 2009-10-19 | Substrate processing equipment |
KR1020100077831A KR101117019B1 (en) | 2009-10-19 | 2010-08-12 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TW099133106A TWI457980B (en) | 2009-10-19 | 2010-09-29 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009240386A JP5372695B2 (en) | 2009-10-19 | 2009-10-19 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011086864A JP2011086864A (en) | 2011-04-28 |
JP5372695B2 true JP5372695B2 (en) | 2013-12-18 |
Family
ID=44079584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009240386A Expired - Fee Related JP5372695B2 (en) | 2009-10-19 | 2009-10-19 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5372695B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2317545A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate transport system and method |
JP5351783B2 (en) * | 2010-01-19 | 2013-11-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
JP5724014B1 (en) * | 2014-04-22 | 2015-05-27 | 株式会社幸和 | Substrate support apparatus and substrate processing apparatus |
CN107685972B (en) * | 2017-08-24 | 2020-01-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Conveying device |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3412120B2 (en) * | 1994-02-10 | 2003-06-03 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | Heating and drying equipment for cleaning equipment |
JPH0822973A (en) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Hitachi Ltd | Cabinet structure of heat treatment equipment |
JPH0953881A (en) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Baking device of hard board |
JP2000181080A (en) * | 1998-12-21 | 2000-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method for laminating photosensitive resin layer |
JP2002158203A (en) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | Method and apparatus for processing substrate with uv ray |
JP4206359B2 (en) * | 2004-04-27 | 2009-01-07 | 株式会社フューチャービジョン | Treatment liquid supply device |
JP2005322676A (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
JP4884039B2 (en) * | 2006-03-14 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate buffer apparatus, substrate buffering method, substrate processing apparatus, control program, and computer-readable storage medium |
JP2008016543A (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
-
2009
- 2009-10-19 JP JP2009240386A patent/JP5372695B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011086864A (en) | 2011-04-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |