JP5372695B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus avoiding a contact between a substrate and a plate and heating the substrate with a high uniformity. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus 1 includes a drive roller 20 arranged on both sides of the heating plate 10, and a free roller 30 arranged at a section other than both sides of the heating plate 10. Because the substrate 9 is conveyed while being supported on the drive roller 20 and the free roller 30, the contact between the heating plate 10 and the substrate 9 can be avoided. A height position of a rotary shaft of the free roller 30 is not limited by a position of a drive shaft extending from a drive source. Thus, a radius of the free roller 30 and a length of a through-hole for providing the free roller 30 can be set smaller. Therefore, the heating plate 10 can heat the substrate 9 with the high uniformity. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate.

半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の基板の製造工程では、基板に対する加熱処理が適宜に行われる。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるために、基板に対して加熱処理が行われる。このような加熱処理に使用される従来の基板処理装置については、例えば、特許文献1に開示されている。   In the manufacturing process of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP, or a substrate for a recording disk, a heat treatment is appropriately performed on the substrate. For example, in a photolithography process of a substrate, after a resist solution is applied to the surface of the substrate, heat treatment is performed on the substrate in order to improve adhesion between the surface of the substrate and the resist. A conventional substrate processing apparatus used for such heat treatment is disclosed in, for example, Patent Document 1.

特開2008−16543号公報JP 2008-16543 A

特許文献1の基板処理装置は、複数の吐出孔から気体を吐出することにより、プレート上に、基板を非接触で保持している。そして、プレートの上面に沿って基板を搬送しつつ、基板を加熱している。しかしながら、このような基板処理装置では、プレートの上面と基板の下面との間隔(基板の浮上量)を大きくとることは、困難である。このため、基板のサイズが大きい場合には、加熱による基板の反り等により、プレートと基板とが接触してしまう虞がある。   The substrate processing apparatus of Patent Document 1 holds a substrate in a non-contact manner on a plate by discharging gas from a plurality of discharge holes. And the board | substrate is heated, conveying a board | substrate along the upper surface of a plate. However, in such a substrate processing apparatus, it is difficult to increase the distance between the upper surface of the plate and the lower surface of the substrate (the flying height of the substrate). For this reason, when the size of the substrate is large, the plate and the substrate may come into contact with each other due to warpage of the substrate due to heating.

一方、図12のように、プレート110に貫通孔111を形成するとともに、当該貫通孔111内に駆動ローラ120を配置し、駆動ローラ120上で基板109を搬送するようにすれば、プレート110と基板109との間隔Gを、大きくとることができる。しかしながら、プレート110の面内に配置された駆動ローラ120を回転させるためには、プレート110の下方に駆動軸121を配置する必要がある。このため、駆動ローラ120の半径Rを大きく設定せざるを得ず、また、それに伴い、貫通孔111の搬送方向の寸法Dも大きく設定せざるを得ない。このような構造では、貫通孔111による加熱のムラが、大きくなる虞がある。   On the other hand, as shown in FIG. 12, if the through hole 111 is formed in the plate 110 and the driving roller 120 is disposed in the through hole 111 and the substrate 109 is conveyed on the driving roller 120, the plate 110 and The distance G from the substrate 109 can be increased. However, in order to rotate the driving roller 120 disposed in the plane of the plate 110, it is necessary to dispose the driving shaft 121 below the plate 110. For this reason, the radius R of the drive roller 120 must be set large, and accordingly, the dimension D in the transport direction of the through hole 111 must be set large. In such a structure, the unevenness of heating due to the through hole 111 may increase.

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板とプレートとの接触を防止でき、かつ、高い均一性をもって、基板を加熱できる基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent contact between a substrate and a plate and can heat the substrate with high uniformity.

上記課題を解決するため、本願の第1発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置であって、平板状の加熱プレートと、前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手段は、前記加熱プレートの側部に配置され、基板の端部に接触しつつ能動回転する駆動ローラと、前記加熱プレートの側部以外の部位に配置され、基板の下面を支持しつつ従動回転するフリーローラと、を有し、前記フリーローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている。 In order to solve the above-mentioned problems, a first invention of the present application is a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate, and includes a flat plate-like heating plate and a conveying unit that conveys the substrate along the upper surface of the heating plate. The conveying means is disposed on a side portion of the heating plate, and is disposed on a portion other than the side portion of the heating plate, and a driving roller that actively rotates while contacting an end portion of the substrate, possess a free roller driven to rotate while supporting the lower surface, the at least a portion is positioned higher than the lower surface of the heating plate of the rotary shaft of the free roller is not exposed on the upper surface of the heating plate, and said rotary shaft that it has been placed in.

本願の第2発明は、第1発明の基板処理装置であって、前記駆動ローラは、基板の下面を支持しつつ能動回転する。   A second invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention, wherein the driving roller actively rotates while supporting the lower surface of the substrate.

本願の第3発明は、第1発明又は第2発明の基板処理装置であって、前記フリーローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、回転自在に取り付けられている。   A third invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention or the second invention, wherein the free roller is rotatably attached to a shaft or a bearing fixed to the heating plate.

本願の第4発明は、第1発明又は第2発明の基板処理装置であって、前記フリーローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、回転自在に取り付けられている。   A fourth invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention or the second invention, wherein the free roller is rotatably attached to a shaft or a bearing fixed to a lower surface of a member constituting the heating plate. ing.

本願の第5発明は、第1発明から第4発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートは、前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第1加熱手段と、前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第2加熱手段と、を有する。 A fifth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth inventions, wherein the heating plate includes first heating means for heating the substrate by radiant heat from the upper surface of the heating plate. And second heating means for heating the substrate by ejecting a high-temperature gas from the upper surface of the heating plate.

本願の第6発明は、第1発明から第5発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記フリーローラは、樹脂により形成されている。 A sixth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth inventions, wherein the free roller is made of resin.

本願の第7発明は、第1発明から第6発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートに配置された全てのフリーローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する。
本願の第8発明は、第1発明から第7発明までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記加熱プレートは、上段プレートと、下段プレートとを上から順に積層させた構造を有しており、前記フリーローラは、前記上段プレートの下面に固定された軸受を介して回転軸が回転自在に取り付けられている。
The seventh invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth inventions, wherein all the free rollers arranged on the heating plate have different positions in a direction perpendicular to the conveying direction. To do.
An eighth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh inventions, wherein the heating plate has a structure in which an upper plate and a lower plate are laminated in order from the top. The free roller has a rotating shaft rotatably attached via a bearing fixed to the lower surface of the upper plate.

本願の第1発明〜第8発明によれば、フリーローラにより基板を支持するため、基板と加熱プレートとの接触を防止できる。また、フリーローラの回転軸の高さ位置は、駆動源から延びる駆動軸の位置に制限されない。このため、フリーローラの半径を小さく設定できる。したがって、加熱プレートは、高い均一性をもって、基板を加熱できる。また、フリーローラの半径を、より小さく設定できる。 According to the first to eighth inventions of the present application, since the substrate is supported by the free roller, the contact between the substrate and the heating plate can be prevented. Further, the height position of the rotary shaft of the free roller is not limited to the position of the drive shaft extending from the drive source. For this reason, the radius of a free roller can be set small. Therefore, the heating plate can heat the substrate with high uniformity. Further, the radius of the free roller can be set smaller.

特に、本願の第2発明によれば、駆動ローラ及びフリーローラにより基板を支持するため、基板と加熱プレートとの接触を、より防止できる。   In particular, according to the second invention of the present application, since the substrate is supported by the driving roller and the free roller, the contact between the substrate and the heating plate can be further prevented.

特に、本願の第3発明によれば、加熱プレートが膨張しても、フリーローラと加熱プレートとの相対位置が、変化しにくい。このため、加熱プレートとフリーローラとの隙間の寸法を、小さく設計することができる。したがって、加熱プレートは、基板をより均一に加熱できる。   In particular, according to the third invention of the present application, even if the heating plate expands, the relative position between the free roller and the heating plate hardly changes. For this reason, the dimension of the clearance gap between a heating plate and a free roller can be designed small. Therefore, the heating plate can heat the substrate more uniformly.

特に、本願の第4発明によれば、加熱プレートの上面に、回転軸や軸受が露出しない。このため、加熱プレートは、基板を、より均一に加熱できる。   In particular, according to the fourth invention of the present application, the rotating shaft and the bearing are not exposed on the upper surface of the heating plate. For this reason, the heating plate can heat the substrate more uniformly.

特に、本願の第5発明によれば、加熱プレートの上面からの輻射熱と、加熱プレートの上面から噴出される気体とにより、基板を、より均一に、かつ効率よく加熱できる。 In particular, according to the fifth invention of the present application, the substrate can be heated more uniformly and efficiently by the radiant heat from the upper surface of the heating plate and the gas ejected from the upper surface of the heating plate.

特に、本願の第6発明によれば、フリーローラと基板とが滑ったり、基板に傷が付いたりすることを、防止できる。 In particular, according to the sixth invention of the present application, it is possible to prevent the free roller and the substrate from slipping and the substrate from being damaged.

特に、本願の第7発明によれば、基板の同一位置に、フリーローラが複数回当たることを、防止できる。したがって、フリーローラによる基板の加熱ムラを、さらに抑制できる。 In particular, according to the seventh invention of the present application, it is possible to prevent the free roller from hitting the same position of the substrate a plurality of times. Therefore, uneven heating of the substrate by the free roller can be further suppressed.

基板処理装置の斜視図である。It is a perspective view of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の上面図である。It is a top view of a substrate processing apparatus. 図2中のIII−III位置から見た基板処理装置の縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus seen from the III-III position in FIG. 加熱プレートの上面図である。It is a top view of a heating plate. 図4中のV−V位置から見た加熱プレートの縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view of the heating plate seen from the VV position in FIG. フリーローラとその近傍の部位の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a free roller and the site | part of the vicinity. 変形例に係るフリーローラとその近傍の部位の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the free roller which concerns on a modification, and the site | part of the vicinity. 変形例に係る基板処理装置の斜視図である。It is a perspective view of the substrate processing apparatus which concerns on a modification. 変形例に係る駆動ローラを示した図である。It is the figure which showed the drive roller which concerns on a modification. 変形例に係る駆動ローラ及びフリーローラと、その近傍の部位の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the drive roller and free roller which concern on a modification, and the site | part of the vicinity. 変形例に係る駆動ローラ及びフリーローラと、その近傍の部位の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the drive roller and free roller which concern on a modification, and the site | part of the vicinity. プレートの下方に駆動軸を有する駆動ローラを示した図である。It is the figure which showed the drive roller which has a drive shaft under the plate.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

<1.一実施形態に係る基板処理装置>
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の斜視図である。図2は、基板処理装置1の上面図である。また、図3は、図2中のIII−III位置から見た基板処理装置1の縦断面図である。なお、以下の説明では、基板9が搬送される方向を「搬送方向」と称し、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」と称する。本願の各図には、搬送方向および幅方向が、矢印で示されている。
<1. Substrate Processing Apparatus According to One Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a top view of the substrate processing apparatus 1. FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the substrate processing apparatus 1 as viewed from the position III-III in FIG. In the following description, the direction in which the substrate 9 is transported is referred to as “transport direction”, and the horizontal direction orthogonal to the transport direction is referred to as “width direction”. In each drawing of the present application, the conveyance direction and the width direction are indicated by arrows.

この基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板9(以下、単に「基板9」という)の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板9に加熱処理を行うための装置である。基板9の製造工程では、複数台の基板処理装置1が、搬送方向に配列される。基板9は、複数台の基板処理装置1上において搬送されつつ、加熱処理を受ける。   The substrate processing apparatus 1 heat-treats the substrate 9 after resist application in a photolithography process for selectively etching the surface of a rectangular glass substrate 9 (hereinafter simply referred to as “substrate 9”) for a liquid crystal display device. It is a device for performing. In the manufacturing process of the substrate 9, a plurality of substrate processing apparatuses 1 are arranged in the transport direction. The substrate 9 is subjected to heat treatment while being transported on the plurality of substrate processing apparatuses 1.

図1〜図3に示すように、基板処理装置1は、加熱プレート10を備えている。加熱プレート10は、その上面に沿って搬送される基板9を加熱するためのプレートである。加熱プレート10は、略矩形の平板状に形成されている。図3中に拡大して示したように、加熱プレート10は、上段プレート11、下段プレート12、ヒータ13、及び押さえ板14を、上から順に積層させた構造となっている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes a heating plate 10. The heating plate 10 is a plate for heating the substrate 9 conveyed along the upper surface thereof. The heating plate 10 is formed in a substantially rectangular flat plate shape. As shown enlarged in FIG. 3, the heating plate 10 has a structure in which an upper plate 11, a lower plate 12, a heater 13, and a pressing plate 14 are laminated in order from the top.

上段プレート11、下段プレート12、及び押さえ板14は、例えば、アルミニウム等の金属により形成されている。押さえ板14は、下段プレート12との間でヒータ13を保持する役割を果たす。ヒータ13は、薄板状の発熱体である。ヒータ13は、例えば、ステンレスのエッチングにより形成されるが、他の材料により形成されていてもよい。また、ヒータ13は、所定の電源装置(図示省略)に接続されている。   The upper plate 11, the lower plate 12, and the pressing plate 14 are made of a metal such as aluminum, for example. The holding plate 14 plays a role of holding the heater 13 with the lower plate 12. The heater 13 is a thin plate-like heating element. The heater 13 is formed by, for example, stainless steel etching, but may be formed of other materials. The heater 13 is connected to a predetermined power supply device (not shown).

電源装置からヒータ13へ電流を与えると、ヒータ13は、その抵抗に応じて発熱する。ヒータ13から発生した熱は、下段プレート12及び上段プレート11へ伝導し、下段プレート12及び上段プレート11を昇温させる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、上段プレート11の上面からの輻射熱を受けて、加熱される。   When a current is supplied from the power supply device to the heater 13, the heater 13 generates heat according to its resistance. The heat generated from the heater 13 is conducted to the lower plate 12 and the upper plate 11 to raise the temperature of the lower plate 12 and the upper plate 11. The substrate 9 transported on the heating plate 10 receives the radiant heat from the upper surface of the upper plate 11 and is heated.

また、加熱プレート10の上面には、基板9の下面へ向けて加熱された窒素ガスを噴出する、複数の噴出口10aが形成されている。複数の噴出口10aは、加熱プレート10の上面に、等間隔の格子点状に配置されている。   In addition, a plurality of jet ports 10 a are formed on the upper surface of the heating plate 10 to jet nitrogen gas heated toward the lower surface of the substrate 9. The plurality of jet nozzles 10 a are arranged on the upper surface of the heating plate 10 in the form of equidistant lattice points.

図4は、加熱プレート10の上面図である。また、図5は、図4中のV−V位置から見た加熱プレート10の縦断面図である。図4及び図5に示すように、加熱プレート10の内部には、複数の噴出口10aへ窒素ガスを送るための内部流路10bが形成されている。本実施形態では、上段プレート11の下面に形成された溝と、下段プレート12の上面とに囲まれた空間が、内部流路10bとなっている。内部流路10bは、加熱プレート10の下面側に形成された導入口10cから、各噴出口10aまで、複数本に分岐しつつ、フリーローラ30と重ならないように、延設されている。   FIG. 4 is a top view of the heating plate 10. FIG. 5 is a longitudinal sectional view of the heating plate 10 as viewed from the position VV in FIG. As shown in FIGS. 4 and 5, an internal flow path 10 b for sending nitrogen gas to the plurality of jet nozzles 10 a is formed inside the heating plate 10. In the present embodiment, the space surrounded by the groove formed on the lower surface of the upper plate 11 and the upper surface of the lower plate 12 is the internal flow path 10b. The internal flow path 10b is extended from the introduction port 10c formed on the lower surface side of the heating plate 10 to each of the ejection ports 10a so as not to overlap the free roller 30 while branching into a plurality.

導入口10cには、内部流路10bへ窒素ガスを供給するための給気管15aが接続されている。給気管15aの上流側の端部は、窒素ガス供給源15bに接続されている。また、給気管15aには、開閉弁15cとヒータ15dとが、介挿されている。   An air supply pipe 15a for supplying nitrogen gas to the internal flow path 10b is connected to the introduction port 10c. The upstream end of the air supply pipe 15a is connected to a nitrogen gas supply source 15b. Further, an open / close valve 15c and a heater 15d are interposed in the air supply pipe 15a.

開閉弁15cを開放すると、窒素ガス供給源15bから給気管15aへ、圧縮された窒素ガスが供給される。窒素ガスは、ヒータ15dにより加熱された後、導入口10cを介して、内部流路10bへ導入される。そして、内部流路10bを通って各噴出口10aへ送られた窒素ガスは、複数の噴出口10aから上方へ向けて噴出され、基板9の下面に吹き付けられる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、加熱された窒素ガスからの熱を受けて、加熱される。   When the on-off valve 15c is opened, compressed nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 15b to the supply pipe 15a. The nitrogen gas is heated by the heater 15d and then introduced into the internal flow path 10b through the introduction port 10c. Then, the nitrogen gas sent to each outlet 10a through the internal channel 10b is jetted upward from the plurality of jets 10a and blown to the lower surface of the substrate 9. The substrate 9 transported on the heating plate 10 receives heat from the heated nitrogen gas and is heated.

このように、本実施形態の基板処理装置1は、加熱プレート10の上面からの輻射熱により基板9を加熱する第1加熱手段と、加熱プレート10の上面から高温の窒素ガスを噴出することにより基板9を加熱する第2加熱手段と、を有している。このため、輻射熱のみで基板9を加熱する場合よりも、均一に、かつ、効率よく、基板9を加熱できる。   As described above, the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment includes the first heating unit that heats the substrate 9 by the radiant heat from the upper surface of the heating plate 10 and the substrate by ejecting high-temperature nitrogen gas from the upper surface of the heating plate 10. And a second heating means for heating 9. For this reason, the board | substrate 9 can be heated uniformly and efficiently rather than the case where the board | substrate 9 is heated only with radiant heat.

図1〜図3に戻る。加熱プレート10の両側部(基板9の搬送方向に向かって左右の側部)には、それぞれ、4つの駆動ローラ20が、搬送方向に等間隔となるように、配置されている。各駆動ローラ20は、加熱プレート10の側面に形成された凹部10dの内部に、配置されている。   Returning to FIGS. Four drive rollers 20 are arranged on both sides of the heating plate 10 (left and right sides in the conveyance direction of the substrate 9) so as to be equally spaced in the conveyance direction. Each drive roller 20 is disposed inside a recess 10 d formed on the side surface of the heating plate 10.

各駆動ローラ20の駆動軸21は、加熱プレート10の左右に配置されたフレーム22に、回転自在に支持されている。フレーム22は、加熱プレート10とは別体の部材である。フレーム22の外側には、駆動ローラ20の駆動源となるモータ23が、配置されている。各駆動ローラ20の駆動軸21及びモータ23の駆動軸23aには、無端ベルト24が掛け渡されている。モータ23を動作させると、モータ23から発生する駆動力が、無端ベルト24を介して、各駆動ローラ20へ伝達される。これにより、各駆動ローラ20が、同じ方向に、能動的に回転する。駆動ローラ20上に支持された基板9は、駆動ローラ20の回転により、搬送方向に搬送される。   The drive shaft 21 of each drive roller 20 is rotatably supported by frames 22 arranged on the left and right sides of the heating plate 10. The frame 22 is a separate member from the heating plate 10. A motor 23 serving as a drive source for the drive roller 20 is disposed outside the frame 22. An endless belt 24 is stretched around the drive shaft 21 of each drive roller 20 and the drive shaft 23 a of the motor 23. When the motor 23 is operated, the driving force generated from the motor 23 is transmitted to each driving roller 20 via the endless belt 24. Thereby, each drive roller 20 rotates actively in the same direction. The substrate 9 supported on the drive roller 20 is transported in the transport direction by the rotation of the drive roller 20.

一方、加熱プレート10の両側部以外の部位には、複数のフリーローラ30が配置されている。本実施形態では、幅方向に4つのフリーローラ30が等間隔に配列され、そのフリーローラ30の列が、搬送方向に等間隔に4つ配列されている。すなわち、本実施形態では、計16個のフリーローラ30が、搬送方向及び幅方向に、等間隔に配列されている。   On the other hand, a plurality of free rollers 30 are arranged at portions other than both side portions of the heating plate 10. In the present embodiment, four free rollers 30 are arranged at equal intervals in the width direction, and four rows of the free rollers 30 are arranged at equal intervals in the transport direction. That is, in the present embodiment, a total of 16 free rollers 30 are arranged at equal intervals in the transport direction and the width direction.

図6は、フリーローラ30とその近傍の部位の縦断面図である。図6に示すように、加熱プレート10の上段プレート11には、フリーローラ30の配置空間を確保するための貫通孔10eが形成されている。フリーローラ30の上部は、上段プレート11の上面より上方に位置している。また、下段プレート12、ヒータ13、及び押さえ板14には、貫通孔10eより幅方向の寸法が大きい貫通孔10fが形成されている。   FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the free roller 30 and the vicinity thereof. As shown in FIG. 6, the upper plate 11 of the heating plate 10 is formed with a through hole 10 e for securing a space for arranging the free roller 30. The upper part of the free roller 30 is located above the upper surface of the upper plate 11. Further, the lower plate 12, the heater 13, and the pressing plate 14 are formed with through holes 10f having a dimension in the width direction larger than that of the through holes 10e.

フリーローラ30の回転軸31は、上段プレート11の下面に、ボルト31aで固定されている。フリーローラ30は、軸受32を介して、回転軸31に回転自在に取り付けられている。フリーローラ30は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ30が、能動的に回転することはない。フリーローラ30は、基板9の下面を支持しつつ、基板9の移動に伴って、従動的に回転する。   The rotating shaft 31 of the free roller 30 is fixed to the lower surface of the upper plate 11 with bolts 31a. The free roller 30 is rotatably attached to the rotary shaft 31 via a bearing 32. The free roller 30 is not connected to a drive source such as a motor. For this reason, the free roller 30 does not actively rotate. The free roller 30 is rotated in accordance with the movement of the substrate 9 while supporting the lower surface of the substrate 9.

このように、基板9は、駆動ローラ20及びフリーローラ30上に支持されつつ、加熱プレート10の上面に沿って、搬送される。すなわち、本実施形態では、駆動ローラ20とフリーローラ30とが、基板9を搬送する搬送手段を構成している。   Thus, the substrate 9 is conveyed along the upper surface of the heating plate 10 while being supported on the driving roller 20 and the free roller 30. That is, in the present embodiment, the drive roller 20 and the free roller 30 constitute a transport unit that transports the substrate 9.

加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔は、上段プレート11、回転軸31、及びフリーローラ30、の寸法に応じて決まる。このため、気体の吹き付けのみで加熱プレート10から基板9を浮上させる場合よりも、加熱プレート10と基板9との間隔を、大きくとることができる。また、加熱による基板9の反りが発生したとしても、少なくともフリーローラ30の位置においては、加熱プレート10と基板9との間隔が維持される。これにより、加熱プレート10と基板9との接触が、抑制される。   The distance between the upper surface of the heating plate 10 and the lower surface of the substrate 9 is determined according to the dimensions of the upper plate 11, the rotating shaft 31, and the free roller 30. For this reason, the space | interval of the heating plate 10 and the board | substrate 9 can be taken larger than the case where the board | substrate 9 is levitated from the heating plate 10 only by blowing of gas. Even if the substrate 9 is warped due to heating, at least the position of the free roller 30 maintains the distance between the heating plate 10 and the substrate 9. Thereby, contact with the heating plate 10 and the board | substrate 9 is suppressed.

また、加熱プレート10の側部以外の部位に配置されたフリーローラ30は、モータ等の駆動源に接続されていない。このため、フリーローラ30の回転軸31の高さ位置は、駆動源から延びる駆動軸の位置に制限されない。したがって、フリーローラ30の回転軸31を、高い位置に配置し、それにより、フリーローラ30の半径を、小さく設定することができる。フリーローラ30の半径を小さく設定すれば、上段プレート11に形成される貫通孔10eの搬送方向の寸法も、小さく設定できる。これにより、貫通孔10eによる基板9の加熱ムラを抑制し、基板9を、高い均一性をもって加熱することができる。   Moreover, the free roller 30 arrange | positioned in parts other than the side part of the heating plate 10 is not connected to drive sources, such as a motor. For this reason, the height position of the rotation shaft 31 of the free roller 30 is not limited to the position of the drive shaft extending from the drive source. Therefore, the rotation shaft 31 of the free roller 30 can be arranged at a high position, and thereby the radius of the free roller 30 can be set small. If the radius of the free roller 30 is set small, the dimension in the transport direction of the through hole 10e formed in the upper plate 11 can also be set small. Thereby, the heating nonuniformity of the board | substrate 9 by the through-hole 10e can be suppressed, and the board | substrate 9 can be heated with high uniformity.

特に、図6のように、加熱プレート10の厚さをd1、加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔をd2、フリーローラ30の半径をd3、回転軸31の半径をd4としたときに、d1+d2>d3−d4の関係が成立していることが、好ましい。このような寸法関係が成立すれば、フリーローラ30の回転軸31の少なくとも一部分が、加熱プレート10の下面より高い位置に配置されることとなる。これにより、フリーローラ30の半径を、より小さく設定できる。   In particular, as shown in FIG. 6, the thickness of the heating plate 10 is d1, the distance between the upper surface of the heating plate 10 and the lower surface of the substrate 9 is d2, the radius of the free roller 30 is d3, and the radius of the rotating shaft 31 is d4. Sometimes, it is preferable that the relationship d1 + d2> d3-d4 is established. If such a dimensional relationship is established, at least a part of the rotating shaft 31 of the free roller 30 is disposed at a position higher than the lower surface of the heating plate 10. Thereby, the radius of the free roller 30 can be set smaller.

また、本実施形態のフリーローラ30は、加熱プレート10自体に固定された回転軸31に、取り付けられている。このため、昇温により加熱プレート10が膨張しても、加熱プレート10とフリーローラ30との相対位置は、変化しにくい。このため、貫通孔10eの内側面とフリーローラ30との隙間の寸法を、小さく設計することができる。これにより、貫通孔10eによる基板9の加熱ムラを、さらに抑制できる。   Moreover, the free roller 30 of this embodiment is attached to the rotating shaft 31 fixed to the heating plate 10 itself. For this reason, even if the heating plate 10 expands due to the temperature rise, the relative position between the heating plate 10 and the free roller 30 hardly changes. For this reason, the dimension of the clearance gap between the inner surface of the through-hole 10e and the free roller 30 can be designed small. Thereby, the heating nonuniformity of the board | substrate 9 by the through-hole 10e can further be suppressed.

特に、本実施形態の回転軸31は、上段プレート11の下面に固定されている。このため、加熱プレート10の上面には、フリーローラ30を取り付けるための部材(ここでは、回転軸31及びボルト31a)が、露出していない。このため、加熱プレート10は、基板9をより均一に加熱できる。   In particular, the rotating shaft 31 of the present embodiment is fixed to the lower surface of the upper plate 11. For this reason, on the upper surface of the heating plate 10, members for attaching the free roller 30 (here, the rotating shaft 31 and the bolt 31a) are not exposed. For this reason, the heating plate 10 can heat the substrate 9 more uniformly.

また、図6に示すように、フリーローラ30は、搬送方向に垂直な断面において、その端面が、外側へ向けて膨らんだ円弧状となっている。これにより、フリーローラ30の端面と基板9の下面との接触面積が抑制され、基板9は、さらに均一に加熱される。   As shown in FIG. 6, the free roller 30 has an arc shape in which the end surface of the free roller 30 swells outward in a cross section perpendicular to the conveying direction. Thereby, the contact area between the end surface of the free roller 30 and the lower surface of the substrate 9 is suppressed, and the substrate 9 is heated more uniformly.

駆動ローラ20及びフリーローラ30は、耐熱性及び耐摩耗性の高い樹脂により形成される。このような樹脂として、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を使用することができる。また、駆動ローラ20及びフリーローラ30は、ステンレス等の金属により形成されていてもよい。ただし、ローラと基板9とが滑ったり、基板9に傷が付いたりすることを防止するためには、駆動ローラ20及びフリーローラ30を、樹脂により形成することが好ましい。   The drive roller 20 and the free roller 30 are formed of a resin having high heat resistance and high wear resistance. As such a resin, for example, polyether ether ketone (PEEK) can be used. Further, the drive roller 20 and the free roller 30 may be formed of a metal such as stainless steel. However, in order to prevent the roller and the substrate 9 from slipping and the substrate 9 from being damaged, it is preferable that the drive roller 20 and the free roller 30 are formed of resin.

<2.変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
<2. Modification>
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment.

上記の実施形態では、固定された回転軸31に対して、フリーローラ30が回転自在に取り付けられていたが、フリーローラ30は、回転軸31と一体に形成されて回転軸31ごと回転するものであってもよい。例えば、図7のように、上段プレート11の下面に軸受32を固定し、当該軸受32に対して、回転軸31と一体化されたフリーローラ30が、回転自在に取り付けられていてもよい。   In the above embodiment, the free roller 30 is rotatably attached to the fixed rotation shaft 31. However, the free roller 30 is formed integrally with the rotation shaft 31 and rotates together with the rotation shaft 31. It may be. For example, as shown in FIG. 7, the bearing 32 may be fixed to the lower surface of the upper plate 11, and the free roller 30 integrated with the rotating shaft 31 may be rotatably attached to the bearing 32.

また、上記の実施形態では、複数のフリーローラ30が、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、フリーローラ30の搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。   In the above embodiment, the plurality of free rollers 30 are arranged at regular intervals in the conveyance direction and the width direction. However, the intervals in the conveyance direction and the width direction of the free rollers 30 are not necessarily constant. Good.

また、上記の実施形態では、同一の幅方向位置において、搬送方向に4つのフリーローラ30が配列されていたが、これらのフリーローラ30の幅方向の位置を、相違させてもよい。例えば、図8のように、加熱プレート10に配置された全てのフリーローラ30の、幅方向の位置を相違させてもよい。このようにすれば、1つの基板処理装置1内では、基板9の同一位置に、フリーローラ30が複数回当たることを防止できる。したがって、フリーローラ30による基板9の加熱ムラを、さらに抑制できる。   In the above embodiment, four free rollers 30 are arranged in the transport direction at the same position in the width direction, but the positions in the width direction of these free rollers 30 may be different. For example, as shown in FIG. 8, the positions in the width direction of all the free rollers 30 arranged on the heating plate 10 may be different. In this way, it is possible to prevent the free roller 30 from hitting the same position of the substrate 9 a plurality of times in one substrate processing apparatus 1. Therefore, uneven heating of the substrate 9 by the free roller 30 can be further suppressed.

また、上記の実施形態では、駆動ローラ20は、基板9の下面に当接していたが、基板9の上面に当接する駆動ローラ20が、さらに配置されてもよい。例えば、図9のように、一対の駆動ローラ20が、基板9を上下から挟持しつつ、回転するようにしてもよい。このようにすれば、基板9をより確実に搬送することができる。   In the above embodiment, the driving roller 20 is in contact with the lower surface of the substrate 9. However, the driving roller 20 that is in contact with the upper surface of the substrate 9 may be further arranged. For example, as shown in FIG. 9, the pair of drive rollers 20 may rotate while sandwiching the substrate 9 from above and below. In this way, the substrate 9 can be transported more reliably.

また、図10のように、加熱プレート10の側部にもフリーローラ30を配置するとともに、その上方位置に駆動ローラ20を配置し、フリーローラ30と駆動ローラ20との間に、基板9の端部を挟持するようにしてもよい。また、図11のように、駆動ローラ20を、基板9の端面に当接させつつ、上下に延びる軸を中心として回転させるようにしてもよい。   In addition, as shown in FIG. 10, a free roller 30 is also disposed on the side of the heating plate 10, and a driving roller 20 is disposed above the free roller 30, and the substrate 9 is placed between the free roller 30 and the driving roller 20. You may make it clamp an edge part. In addition, as shown in FIG. 11, the drive roller 20 may be rotated about an axis extending vertically while contacting the end surface of the substrate 9.

また、上記の実施形態では、駆動ローラ20は、加熱プレート10の両側部のみに配置されていたが、駆動ローラ20は、加熱プレート10の一方の側部のみに配置されていてもよい。また、駆動ローラ20が、加熱プレート10の側部以外の部位に、さらに配置されていてもよい。   In the above embodiment, the drive roller 20 is disposed only on both sides of the heating plate 10, but the drive roller 20 may be disposed only on one side of the heating plate 10. Further, the drive roller 20 may be further disposed at a portion other than the side portion of the heating plate 10.

また、上記の実施形態では、複数の噴出口10aから窒素ガスを吐出していたが、窒素ガスに代えて、清浄な空気等の他の気体を吐出してもよい。ただし、基板9の表面において意図しない化学反応が生じることを防止するためには、窒素ガス等の不活性ガスを使用することが、好ましい。   Moreover, in said embodiment, nitrogen gas was discharged from the several jet nozzle 10a, However, Instead of nitrogen gas, you may discharge other gas, such as clean air. However, in order to prevent an unintended chemical reaction from occurring on the surface of the substrate 9, it is preferable to use an inert gas such as nitrogen gas.

また、上記の実施形態では、複数の噴出口10aが、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、噴出口10aの搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。   In the above embodiment, the plurality of jet nozzles 10a are arranged at regular intervals in the transport direction and the width direction. However, the intervals in the transport direction and the width direction of the jet nozzles 10a may not be constant. Good.

また、上記の実施形態では、加熱プレート10からの輻射熱と、窒素ガスの吹きつけとによって、基板9を加熱していたが、必ずしも、このような2通りの加熱手段を備えていなくてもよい。例えば、加熱プレート10の上面からの気体の噴出を行わず、輻射熱のみで基板9を加熱するようにしてもよい。   Further, in the above embodiment, the substrate 9 is heated by the radiant heat from the heating plate 10 and the blowing of nitrogen gas, but it is not always necessary to have such two types of heating means. . For example, the substrate 9 may be heated only by radiant heat without ejecting gas from the upper surface of the heating plate 10.

また、上記の基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板に対して加熱処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハ、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の他の基板に対して、加熱処理を行うものであってもよい。   The substrate processing apparatus 1 described above is a device that performs heat treatment on a rectangular glass substrate for a liquid crystal display device. However, the substrate processing apparatus of the present invention includes a semiconductor wafer, a glass substrate for PDP, and a recording disk. A heat treatment may be performed on another substrate such as an industrial substrate.

1 基板処理装置
9 基板
10 加熱プレート
10a 噴出口
10b 内部流路
10c 導入口
10d 凹部
10e 貫通孔
10f 貫通孔
11 上段プレート
12 下段プレート
13 ヒータ
14 押さえ板
20 駆動ローラ
23 モータ
30 フリーローラ
31 回転軸
32 軸受
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 9 Substrate 10 Heating plate 10a Spout 10b Internal flow path 10c Inlet 10d Recess 10e Through hole 10f Through hole 11 Upper plate 12 Lower plate 13 Heater 14 Holding plate 20 Drive roller 23 Motor 30 Free roller 31 Rotating shaft 32 bearing

Claims (8)

基板に対して加熱処理を行う基板処理装置であって、
平板状の加熱プレートと、
前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、
を備え、
前記搬送手段は、
前記加熱プレートの側部に配置され、基板の端部に接触しつつ能動回転する駆動ローラと、
前記加熱プレートの側部以外の部位に配置され、基板の下面を支持しつつ従動回転するフリーローラと、
を有し、
前記フリーローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている基板処理装置。
A substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate,
A flat heating plate;
Transport means for transporting the substrate along the upper surface of the heating plate;
With
The conveying means is
A driving roller disposed on a side of the heating plate and actively rotating while contacting an end of the substrate;
A free roller that is disposed in a portion other than the side portion of the heating plate and rotates while supporting the lower surface of the substrate;
I have a,
The free rotation axis of the roller is not exposed on the upper surface of the heating plate, and at least a portion of said rotary shaft, said heating plate substrate processing apparatus that is disposed at a position higher than the lower surface of the.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記駆動ローラは、基板の下面を支持しつつ能動回転する基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The drive roller is a substrate processing apparatus that actively rotates while supporting the lower surface of the substrate.
請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記フリーローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、回転自在に取り付けられている基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the free roller is rotatably attached to a shaft or a bearing fixed to the heating plate.
請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記フリーローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、回転自在に取り付けられている基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The said free roller is a substrate processing apparatus rotatably attached to the axis | shaft or bearing fixed to the lower surface of the member which comprises the said heating plate.
請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein
前記加熱プレートは、  The heating plate is
前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第1加熱手段と、    First heating means for heating the substrate by radiant heat from the upper surface of the heating plate;
前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第2加熱手段と、    A second heating means for heating the substrate by ejecting a high-temperature gas from the upper surface of the heating plate;
を有する基板処理装置。A substrate processing apparatus.
請求項1から請求項5までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein
前記フリーローラは、樹脂により形成されている基板処理装置。  The free roller is a substrate processing apparatus formed of resin.
請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
前記加熱プレートに配置された全てのフリーローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する基板処理装置。  The substrate processing apparatus in which the positions of all the free rollers arranged on the heating plate are different from each other in the direction orthogonal to the transport direction.
請求項1から請求項7までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
前記加熱プレートは、上段プレートと、下段プレートとを上から順に積層させた構造を有しており、  The heating plate has a structure in which an upper plate and a lower plate are laminated in order from the top,
前記フリーローラは、前記上段プレートの下面に固定された軸受を介して回転軸が回転自在に取り付けられている基板処理装置。  The free processing roller is a substrate processing apparatus in which a rotation shaft is rotatably attached via a bearing fixed to a lower surface of the upper plate.
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